DE19943405A1 - Verfahren zur Herstellung eines lateral monolithisch integrierten Lichtemissions-Halbleiterbauelements - Google Patents

Verfahren zur Herstellung eines lateral monolithisch integrierten Lichtemissions-Halbleiterbauelements

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Abstract

Ein Lichtemissions-Halbleiterbauelement wird dadurch hergestellt, daß in eine auf einem Halbleitersubstrat (1) aufgebrachte Maskenschicht (100) eine Anzahl Fensteröffnungen (200) unterschiedlicher Größe geformt wird und das Zwischenprodukt durch metallorganische Gasphasenepitaxie derart mit metallorganischen Verbindungen beaufschlagt wird, daß in den Fensteröffnungen (200) aktive, elektrolumineszierende Halbleiterschichtenfolgen (2) mit unterschiedlicher Zusammensetzung eines ternären oder quaternären Halbleitermaterials aufgewachsen werden.

Description

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung eines lateral monolithisch integrierten, bei unterschiedlichen Wel­ lenlängen elektrolumineszierenden Lichtemissions-Halbleiter­ bauelements. Insbesondere betrifft die Erfindung ein Verfah­ ren zur Herstellung eines Lichtemissions-Halbleiterbau­ elements, dessen einzelne Bauelemente auf einem gemeinsamen Halbleitersubstrat lateral monolithisch integriert sind. Das Verfahren beruht im wesentlichen darauf, daß durch metallor­ ganische Gasphasenepitaxie in Fensteröffnungen unterschiedli­ cher Größe, die in eine Maskenschicht geformt sind, ternäre oder quarternäre Halbleiterverbindungen je nach Größe der Fensteröffnung in unterschiedlicher Zusammensetzung aufge­ wachsen werden.
Die zunehmend breitere Anwendung von Lichtemissions-Halblei­ terbauelementen läßt es als wünschenswert erscheinen, einen monolithischen LED-Chip zu entwickeln, der elektromagnetische Strahlung mit unterschiedlichen Wellenlängen emittieren kann. Eine solche Entwicklung würde bedeutende Fortschritte insbe­ sondere in der Display-Technologie mit sich bringen, denn da­ mit könnte jedenfalls im Prinzip eine Integration aller drei Grundfarben auf einem einzigen LED-Chip gelingen. Aber auch andere Anwendungen, wie Anzeige- und Kontrolllampen, könnten kostensparend bezüglich Herstellung, Verarbeitung, etc. auf einem einzigen Halbleitersubstrat monolithisch integriert werden.
Mehrfarbig emittierende LED-Chips werden derzeit jedoch über­ wiegend noch aus drei individuellen, einfarbig emittierenden Halbleiterbauelementen zusammengesetzt, die in einem gemein­ samen Gehäuse verbaut werden. Bisher ist es lediglich be­ kannt, aus beispielsweise Galliumphosphid (GaP) Lichtemissi­ ons-Halbleitereinrichtungen mit einstellbarer Farbe durch Mi­ schung von zwei emittierten Wellenlängen herzustellen. In dem Buch "Halbleiter-Optoelektronik" von M. Bleicher, erschienen im Dr. Alfred Hüthig Verlag, Heidelberg, 1986, ist auf den Seiten 157, 158 eine derartige Zwei-Farben-Lichtemissions­ diode (LED) beschrieben. Sie enthält zwischen ihrer Vorder­ seite, die die Lichtaustrittsseite ist, und ihrer Rückseite zwei oberflächenemittierende Lichtemissionsdioden. Diese wer­ den durch epitaktisches Aufwachsen von p-leitenden, unter­ schiedlich störstellendotierten GaP-Schichten auf ein n-leitendes GaP-Substrat hergestellt, wodurch zwei an Vorder- und Rückseite des Substrats gebildete pn-Übergänge entstehen. Die obere p-leitende GaP-Schicht ist mit Stickstoff dotiert, während die untere p-leitende GaP-Schicht mit Sauerstoff und Zink dotiert ist. Der durch die obere GaP-Epischicht gebilde­ te pn-Übergang emittiert somit bei elektrischer Anregung im grünen Spektralbereich, während der durch die untere GaP- Epischicht gebildete pn-Übergang im roten Spektralbereich emittiert. Die auf diese Weise geformten Dioden werden mit zwei Spannungsquellen betrieben, deren gemeinsamer Minuspol mit der n-Seite beider pn-Übergänge, also mit dem n-leitenden GaP-Substrat, verbunden ist. Durch getrenntes Einstellen der Diodenströme kann somit das Farbspektrum von rot über orange und gelb bis grün variiert werden. Die rote Strahlung durch­ dringt den gesamten Kristall und tritt durch die gleiche Flä­ che wie die grüne Strahlung aus, wodurch eine gute räumliche Mischung erzielt wird.
Der Aufbau und die Struktur einer derartigen Anordnung bringt jedoch mit sich, daß lediglich elektromagnetische Strahlung zweier Wellenlängen emittiert werden kann. Da zudem die elek­ tromagnetische Strahlung beider pn-Übergänge durch ein- und dieselbe Fläche aus dem Halbleiterbauelement austritt, wird stets eine räumliche Mischung der beiden Wellenlängen herbei­ geführt. Ein weiterer Nachteil des beschriebenen Halbleiter­ bauelements liegt darin, daß ein pn-Übergang auf der Rücksei­ te angeordnet ist und die von diesem pn-Übergang emittierte Strahlung den gesamten Kristall durchdringen muß. Die Hälfte der Strahlung wird zudem in Richtung auf die Rückseite des Halbleiterbauelements abgestrahlt und kann somit im allgemei­ nen nicht für eine Vorderseitenemission genutzt werden.
Es ist daher Aufgabe der vorliegenden Erfindung, ein Verfah­ ren zur Herstellung eines lateral monolithisch integrierten, bei mehreren unterschiedlichen Wellenlängen elektrolumines­ zierenden Lichtemissions-Halbleiterbauelements anzugeben. Ein derartiges Lichtemissions-Halbleiterbauelement soll insbeson­ dere dazu in der Lage sein, elektromagnetische Strahlung bei zwei oder mehr verschiedenen Wellenlängen vorderseitig emit­ tieren zu können.
Diese Aufgabe wird durch die Merkmale des Patentanspruchs 1 gelöst.
Bei einem erfindungsgemäßen Verfahren zur Herstellung eines bei einer Anzahl unterschiedlicher Wellenlängen elektrolumi­ neszierenden Lichtemissions-Halbleiterbauelements wird demge­ mäß
  • a) auf einem Halbleitersubstrat eine Maskenschicht aufge­ bracht,
  • b) in die Maskenschicht eine Anzahl Fensteröffnungen unter­ schiedlicher Größen geformt, und
  • c) die Maskenschicht und die Fensteröffnungen durch metallorganische Gasphasenepitaxie mit metallorganischen Ver­ bindungen derart beaufschlagt, daß in den Fensteröffnungen jeweils eine aktive, elektrolumineszierende Halbleiterschich­ tenfolge aus ternärem oder quarternärem Material enthaltend einen pn-Übergang aufgewachsen wird, wobei die Halbleiter­ schichtenfolgen in den Fensteröffnungen mit unterschiedlichen Zusammensetzungen des ternären oder quarternären Materials gebildet werden.
Bei dem erfindungsgemäßen Verfahren wird somit selektive Epi­ taxie und metallorganische Gasphasenepitaxie (MOCVD oder MOVPE) miteinander kombiniert. Bekanntermaßen lassen sich durch selektive Epitaxie vordefinierte Strukturen herstellen. Zu einer selektiven Schichtabscheidung kommt es dann, wenn die Substratoberfläche bereichsweise mit Materialien unter­ schiedlicher Elektronegativität belegt ist. Um selektive Schichtabscheidung zu erzielen, wird auf einem Halbleitersub­ strat eine Maskenschicht abgeschieden, die beispielsweise aus SiO2 oder SiXN1-X mit O < X < 1 besteht. In diese Masken­ schicht werden Fensteröffnungen zum Substrat geformt, in de­ nen die vordefinierten Strukturen hergestellt werden sollen. Diese Fensteröffnungen werden vorzugsweise durch einen Ätz­ schritt erzeugt. Somit wird eine strukturierte Substratober­ fläche erzeugt, die bereichsweise mit dem Maskenmaterial und bereichsweise mit dem Halbleitersubstrat belegt ist. Wenn nun ein Halbleiterwachstumsprozeß durchgeführt wird, bei dem ein geeignetes Halbleitermaterial epitaktisch auf diese Substra­ toberfläche aufgewachsen wird, so kommt es zu selektiver Schichtabscheidung, die bevorzugt in den Fensteröffnungen der Maskenschicht abläuft. Form und Größe der gewünschten, vorde­ finierten Strukturen hängen somit im wesentlichen von den Strukturen der Fensteröffnungen in der Maskenschicht sowie den Epitaxieparametern ab.
In dem erfindungsgemäßen Verfahren wird als Epitaxieverfahren die metallorganische Gasphasenepitaxie angewandt. Ein wesent­ liches Merkmal des erfindungsgemäßen Verfahrens liegt darin, daß die Maskenöffnung, d. h. das Verhältnis von offener Sub­ stratfläche zu maskierter Fläche, maßgeblich die Abscheidebe­ dingungen der metallorganischen Gasphasenepitaxie bestimmt. Dies führt dazu, daß bei ternären oder quarternären Halblei­ terverbindungen das Zusammensetzungsverhältnis der aufgewach­ senen Halbleiterschicht bei gegebenen Epitaxieparametern von der Größe der Fensteröffnung abhängt. Somit kann durch die Größe der Fensteröffnung die Emissionswellenlänge eines in der Fensteröffnung aufzuwachsenden pn-Übergangs eingestellt werden. Die strukturgrößenabhängige Variation in der Zusam­ mensetzung des Halbleitermaterials beruht letztlich auf einer Variation in der Wachstumsrate der verschiedenen Komponenten der ternären oder quarternären Halbleiterverbindung, die von den unterschiedlichen Diffusionsverhältnissen der einzelnen Komponenten in dem MOVPE-Prozeß auf dem Maskenmaterial be­ stimmt wird. Die chemischen Potentiale an der Oberfläche des Maskenmaterials bestimmen die Bindung dieser einzelnen Kompo­ nente, wie beispielsweise Ga und/oder In an eben dieser Mas­ kenoberfläche. Durch einfache Variation der Maskenöffnungs­ größe lassen sich auf diesem Wege alle durch die gewählte ternäre oder quarternäre Halbleiterverbindung erreichbaren Wellenlängen einstellen.
In einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung wird als das Material des Halbleitersubstrats InP gewählt und das Material der Halbleiterschichtenfolgen ist entweder die ter­ näre Verbindung GaInAs oder die quaternäre Verbindung GaInAsP. Bei diesen Materialkombinationen erweist es sich, daß mit zunehmender Größe der Fensteröffnungen das Anteils­ verhältnis Ga : In in dem abgeschiedenen Halbleitermaterial zu­ nimmt, so daß die Bandlücke entsprechend zunimmt und ein aus diesem Material gebildeter pn-Übergang eine entsprechend kür­ zere Wellenlänge elektromagnetischer Strahlung emittiert.
Es kann ferner vorgesehen sein, daß im Verfahrensschritt a) auf das Halbleitersubstrat zunächst eine Bragg-Reflektor- Schichtenfolge aufgebracht wird, die aus einer Anzahl von Reflektorschichtenpaaren zusammengesetzt ist, deren jedes einzelne Schichtenpaar zwei Schichten mit unterschiedlich ho­ hem Brechungsindex aufweisen, und auf dieser Bragg-Reflektor- Schichtenfolge dann die Maskenschicht aufgebracht wird. Dies hat den Vorteil, daß die von der aktiven, elektrolumineszie­ renden Schichtenfolge in Richtung auf die Substratrückseite emittierte Strahlung von der Bragg-Reflektor-Schichtenfolge in Richtung auf die Substratvorderseite reflektiert wird und somit ebenfalls genutzt werden kann.
Ferner können die einzelnen Lichtemissions-Halbleiterbau­ elemente auch als Vertikalresonator-Laserdioden (VCSELs) aus­ gebildet sein. In diesem Falle ist außer der bereits erwähn­ ten substratseitigen Bragg-Reflektor-Schichtenfolge noch eine weitere lichtaustrittsseitige, teildurchlässige Bragg- Reflektor-Schichtenfolge vorgesehen. Durch die beiden Bragg- Reflektor-Schichtenfolgen wird ein Laserresonator für in dem pn-Übergang erzeugte Laserstrahlung gebildet.
Im folgenden werden Ausführungsbeispiele des erfindungsgemä­ ßen Verfahrens anhand der Figuren näher erläutert. Es zeigen:
Fig. 1 ein Zwischenprodukt des erfindungsgemäßen Verfah­ rens unmittelbar nach der Bildung der Fensteröff­ nungen in der Maskenschicht;
Fig. 2 ein gemäß Fig. 1 fertiggestelltes Lichtemissions- Halbleiterbauelement;
Fig. 3 eine Draufsicht auf eine Ausführungsform eines Lichtemissions-Halbleiterbauelements mit Bereichen unterschiedlicher Wellenlängenemission.
Nach Fig. 1 wird auf ein Halbleitersubstrat 1 zunächst eine Bragg-Reflektor-Schichtenfolge 16 abgeschieden, auf die dann eine Maskenschicht 100 aufgebracht wird. Die Bragg-Reflektor- Schichtenfolge 16 dient dazu, das von einem elektrolumines­ zierenden pn-Übergang 21 (s. Fig. 2) in Richtung auf die Sub­ stratrückseite emittierte Licht zu reflektieren und auf die Substratvorderseite umzulenken, so daß dieser Lichtanteil ebenfalls für eine Vorderseitenemission genutzt werden kann. Die Maskenschicht 100, die beispielsweise aus SiO2 oder SiN bestehen kann, wird mittels Photolithographie- und Ätztechnik derart strukturiert, daß zylinderförmige Fensteröffnungen 200 unterschiedlicher Größe, z. B. unterschiedlichen Durchmessers, geformt werden. Die Fig. 1 zeigt somit einen Querschnitt ent­ lang einer Ebene, die durch die Fensteröffnungen 200 ver­ läuft. Die Fensteröffnungen 200 weisen demnach Fig. 1 kreis­ förmigen Querschnitt auf, wobei diese Wahl der Form keines­ wegs zwingend ist. Es können auch beispielsweise rechteckige Querschnittsformen gewählt werden.
Die Bragg-Reflektor-Schichtenfolge 16 kann allerdings auch weggelassen werden, so daß die Maskenschicht 100 direkt auf das Substrat aufgebracht wird.
In den Fensteröffnungen 200 der Maskenschicht 100 wird an­ schließend mittels metallorganischer Gasphasenepitaxie eine Halbleiterschichtenfolge aufgewachsen.
Das Ausführungsbeispiel eines in Fig. 2 dargestellten fertig­ prozessierten LED-Chips 20 weist somit eine Mehrzahl von ne­ beneinander angeordneten Strahlungsauskoppelelementen 5 auf. Jedes der Strahlungsauskoppelelemente 5 weist die Form eines Zylinders 6 auf, dessen Längsmittelachse (AZ) parallel zu ei­ ner Hauptabstrahlrichtung 9 des LED-Chips 20 liegt.
Unter der Hauptabstrahlrichtung 9 des LED-Chips 20 ist dieje­ nige Richtung zu verstehen, in der ein Großteil der in dem Chip 20 erzeugten elektromagnetischen Strahlung 3 aus diesem austritt.
In jedem der Zylinder 6 ist über der Bragg-Reflektor-Schicht 16 eine aktive Schichtenfolge 2 mit einer Emissionszone 4 an­ geordnet, der in Hauptabstrahlrichtung 9 zunächst eine Strom­ aperturschicht 14 mit einer Stromdurchlaßöffnung 15 und die­ ser wiederum eine Kontaktschicht 17 nachgeordnet ist.
Die aktive Schichtenfolge 2 weist mindestens einen elektrolu­ mineszierenden pn-Übergang 21 auf und besteht beispielsweise aus InGaAlP.
Auf der von der aktiven Schichtenfolge 2 abgewandten Seite des Substrats 1 ist ganzflächig eine Kontaktmetallisierung 19 aufgebracht.
Die Stromaperturschicht 14 dient dazu, den Stromfluß durch die aktive Schichtenfolge 2 und damit durch den elektrolumi­ neszierenden pn-Übergang 21 auf den Bereich der gewünschten Emissionszone 4 einzugrenzen. Sie besteht beispielsweise aus AlAs und ist bis auf die Stromdurchlaßöffnung 15 oxidiert, d. h. elektrisch isolierend, jedoch für die in der Emissions­ zone 4 erzeugte Strahlung durchlässig.
Auf der Deckfläche 10 jedes Zylinders 6 befindet sich ein Ringkontakt 11, der im wesentlichen nur denjenigen Bereich des Zylinders 6 bedeckt, durch den aufgrund Totalreflexion an der Grenzfläche zwischen Zylinder 6 und dem umgebenden Medium nur wenig oder gar keine Strahlung ausgekoppelt werden würde. Die Ringkontakte 11 der einzelnen Zylinder 6 können unterein­ ander durch elektrisch leitende Stege verbunden sein.
Ein wesentliches Element der Erfindung besteht darin, daß in dem Epitaxieschritt des Aufwachsens der Halbleiterschichten­ folge die Komponenten der Halbleiterverbindung in Abhängig­ keit von der Größe der Fensteröffnung 200 mit unterschiedli­ chen Anteilen in das Kristallgitter eingebaut werden. Dies führt dazu, daß jeder der Zylinder 6 im Bereich des elektro­ lumineszierenden pn-Übergangs 21 aus verschiedenem Halblei­ termaterial gebildet ist, so daß die pn-Übergänge 21 unter­ schiedliche Bandlücken aufweisen. Im Falle der ternären Halb­ leiterverbindung GaAlIn oder der quarternären Halbleiterver­ bindung GaAlInAs wird mit zunehmender Fenstergröße mehr Ga im Verhältnis zu In in das Gitter eingebaut. Dies führt in jedem Fall zu einer Vergrößerung der Bandlücke und somit zu einer Verringerung der Emissionswellenlänge. Bei dieser Material­ wahl werden demnach durch die drei dargestellten Strahlungs­ auskoppelelemente 5 drei unterschiedliche Emissionswellenlän­ gen auftreten, wobei in der Darstellung der Fig. 2 die Wel­ lenlänge von rechts nach links zunimmt.
Der Einbau der verschiedenen Komponenten der Halbleiterver­ bindungen hängt wesentlich von dem Diffusionsverhalten auf dem Maskenmaterial ab. Wenn dieses bekannt ist, kann durch Experimente leicht herausgefunden werden, wie bei einer gege­ benen Halbleiterverbindung die Größe der Fensteröffnung 200 gewählt werden muß, um ein bestimmtes Zusammensetzungsver­ hältnis einer aktiven elektrolumineszierenden Schichtenfolge zu erzielen. Dann kann durch Zusammenstellen einer Anzahl verschiedener Fensteröffnungen auf einem Chip eine gewünschte Anzahl entsprechender Emissionswellenlängen erzielt werden.
Das in Fig. 2 dargestellte Ausführungsbeispiel zeigt einen LED-Chip 20, bei dem lediglich im unteren Bereich eine Bragg- Reflektor-Schichtenfolge 16 vorhanden ist, die allen Strah­ lungsauskoppelelementen 5 gemeinsam ist. Es kann jedoch auch vorgesehen sein, daß oberhalb des pn-Übergangs 21 eine weite­ re Bragg-Reflektor-Schichtenfolge vorgesehen ist, welche teildurchlässig ist und mit der erstgenannten Bragg-Reflek­ tor-Schichtenfolge 16 einen Laserresonator bildet. Auf diese Weise wird eine Vertikalresonator-Laserdiode (VCSEL) gebil­ det, die aus einer Mehrzahl einzelner lateral monolithisch integrierter Laserdioden aufgebaut ist.
In Fig. 3 ist schließlich noch eine praktische Ausführungs­ form gemäß der vorliegenden Erfindung dargestellt. Hierin wird ein LED-Chip in vier Quadranten aufgeteilt, die jeweils eine Mehrzahl von Strahlungsauskoppelelementen 5A-D aufwei­ sen, die innerhalb eines Quadranten gleichen Durchmesser und zwischen den Quadranten unterschiedlichen Durchmesser aufwei­ sen. Innerhalb eines Quadranten ist somit im Betrieb die Emissionswellenlänge konstant, während sie von Quadrant zu Quadrant variiert. Die Strahlungsauskoppelelemente 5 jedes Quadranten sind elektrisch untereinander mit Hilfe der be­ reits beschriebenen Ringkontakte 11 verbunden, die auf der Deckfläche 10 eines jeden Zylinders 6 aufgebracht sind.
Wie dargestellt, enthält der Quadrant D die Zylinder 6 mit dem größten Querschnitt, während der Quadrant A die Zylinder 6 mit dem kleinsten Querschnitt enthält. Falls wiederum sol­ che Halbleitermaterialien verwendet werden, bei deren epitak­ tischem Aufwachsen die Emissionswellenlänge des jeweiligen pn-Übergangs mit zunehmender Größe der Fensteröffnung 200 und somit des Zylinders 6 abnimmt, so stellt sich im Betrieb die kürzeste Emissionswellenlänge im Quadranten D und die längste Emissionswellenlänge im Quadranten A ein.
Bezugszeichenliste
1
Halbleitersubstrat
2
aktive Schichtenfolge
3
elektromagnetische Strahlung
4
Emissionszone
5
Strahlungsauskoppelelement
5A-D Quadranten
6
Zylinder
9
Hauptabstrahlrichtung
10
Deckfläche
11
Ringkontakt
14
Stromaperturschicht
15
Stromdurchlaßöffnung
16
Bragg-Reflektor-Schichtenfolge
17
Kontaktschicht
19
Kontaktmetallisierung
20
LED-Chip
21
pn-Übergang
100
Maskenschicht
200
Fensteröffnung

Claims (8)

1. Verfahren zur Herstellung eines bei einer Anzahl unter­ schiedlicher Wellenlängen elektrolumineszierenden Halbleiter­ bauelements, bei welchem
  • a) auf einem Halbleitersubstrat (1) eine Maskenschicht (100) aufgebracht wird,
  • b) in die Maskenschicht (100) eine Anzahl Fensteröffnungen (200) unterschiedlicher Größe geformt wird,
  • c) die Maskenschicht (100) und die Fensteröffnungen (200) durch metallorganische Gasphasenepitaxie derart mit metall­ organischen Verbindungen beaufschlagt werden, daß in den Fen­ steröffnungen (200) jeweils eine aktive Halbleiterschichten­ folge (2) aus ternärem oder quarternärem Material enthaltend einen pn-Übergang (21) aufgewachsen wird, wobei die Halblei­ terschichtenfolgen (2) in den Fensteröffnungen (200) mit un­ terschiedlichen Zusammensetzungen des ternären oder quarter­ nären Materials gebildet werden.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß
  • - das Material des Halbleitersubstrats (1) InP ist und das Material der Halbleiterschichtenfolgen GaInAs oder GaInAsP ist.
3. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß
  • - das Material des Halbleitersubstrats (1) ZnO, Si (alle Orientierungen), Saphir (AlC-Fläche), SiC, GaN, AlN, AlxGa1-xN, GaxIn1-xN ist und
  • - das Material der Halbleiterschichtenfolgen GaN, InN, AlN und alle Mischverbindungen daraus, sowie GaAsN, InAsN, AlAsN, GaPN, InPN, AlPN und alle Mischverbindungen daraus ist.
4. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß
- das Material der Maskenschicht (100) SiO2 oder SiXN1-X, mit 0 < X < 1 ist.
5. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß
  • - im Verfahrensschritt a) auf das Halbleitersubstrat (1) zu­ nächst eine Bragg-Reflektor-Schichtenfolge (16) aufgebracht wird, bestehend aus einer Anzahl von Reflektorschichtenpaa­ ren von Schichten mit unterschiedlichem Brechungsindex, aufgebracht wird, und
  • - auf der Bragg-Reflektor-Schichtenfolge (16) die Masken­ schicht (100) aufgebracht wird.
6. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß
  • - die Fensteröffnungen (200) zylindrische Form aufweisen.
7. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß
  • - die im Verfahrensschritt a) aufgebrachte Maskenschicht (100) eine Mehrzahl aneinander angrenzender Bereiche (A-D) aufweist, deren Fensteröffnungen (200) untereinander gleich groß, jedoch von Bereich zu Bereich verschieden sind.
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