DE19942142A1 - Verfahren und Einrichtung zur Behandlung von Schüttgut, vorzugsweise von Saatgut, mit beschleunigten Elektronen - Google Patents

Abstract

Bei der Behandlung von Schüttgut mit beschleunigten Elektronen kommt es oft darauf an, die Oberfläche der einzelnen Schüttgutteilchen gleichmäßig von allen Seiten zu behandeln, was meist einen erheblichen apparativen Aufwand zur Erzeugung eines von allen Seiten einwirkenden Elektronenfeldes erfordert. Das neue Verfahren soll eine gleichmäßige Behandlung der einzelnen Schüttgutteilchen auch in einem gerichteten Elektronenfeld ermöglichen. DOLLAR A Durch mehrfachen Durchlauf der Schüttgutteilchen durch ein Elektronenfeld mit einer ausgeprägten Vorzugsrichtung der Elektronen und zwischen den einzelnen Durchläufen erfolgende zufällige Bewegungen der Schüttgutteilchen werden diese der Elektroneneinwirkung mehrfach in unterschiedlicher Ausrichtung ausgesetzt. Inhomogene Dosisverteilungen auf der Oberfläche der Schüttgutteilchen bei einzelnen Durchläufen werden somit statisch überlagert, was zu einer gleichmäßigeren Behandlung führt. DOLLAR A Phytosanitäre Behandlung von Saatgut, Recyclingprozesse.

Description

Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren und eine Einrichtung zur Behandlung von Schüttgut, vorzugsweise von Saatgut, mit beschleunigten Elektronen. Das bevorzugte Anwendungsgebiet ist die phytosanitäre Behandlung von Saatgut gegen samenbürtige Schaderreger, die überwiegend in der Samenschale der Samenkörner angesiedelt sind. Weitere Anwendungsgebiete sind die Oberflächensterilisation infizierter Kunststoff- Einwegartikel nach der Zerkleinerung im Recyclingprozess, die chemische Oberflächen­ aktivierung sowie die Durchführung anderer strahlenchemischer Prozesse an Schüttgut.

Es sind verschiedene Verfahren und die entsprechenden Einrichtungen zur Behandlung von Schüttgut mit beschleunigten Elektronen in verschiedenen Ausführungen - angepasst an das zu behandelnde Gut - bekannt.

So wird in einer evakuierten Kammer durch gegenüberliegende Anordnung zweier Elektronenbeschleuniger ein Elektronenfeld mit entgegengesetzten Geschwindigkeits­ komponenten der Elektronen erzeugt, durch welches das Schüttgut im freien Fall in einem ausgedehnten transparenten Strom geführt wird (DD 291 702). Zur Elektronenbehandlung wird das Schüttgut in die Kammer über Zellenradschleusen eingeschleust und nach dem Elektronenstrahlprozess wieder ausgeschleust. Der Nachteil solcher Einrichtungen ist jedoch der hohe apparative Aufwand für die Erzeugung des Elektronenfeldes, da mindestens zwei Elektronenbeschleuniger erforderlich sind, und der hohe vakuumtechnische Aufwand.

Es ist außerdem bekannt, ein Elektronenfeld mit entgegengesetzten Geschwindigkeits­ komponenten dadurch zu erzeugen, dass der Elektronenstrahl, nachdem er den Strom der Schüttgutteilchen passiert hat, durch eine magnetische Umlenkung auf den Teilchenstrom zurückgelenkt wird. Einrichtungen dieser Art vermeiden den Aufwand für einen zweiten Elektronenbeschleuniger. Der Nachteil dieses Verfahrens besteht jedoch darin, dass durch den relativ langen Weg, den der Elektronenstrahl in der Prozesskammer durchläuft, ein wesentlich besseres Vakuum benötigt wird, was bezüglich der Vakuumerzeugung einen noch höheren apparativen Aufwand erfordert.

Es sind auch Verfahren und Einrichtungen bekannt, die mit zwei einander gegenüber­ liegenden Elektronenbeschleunigern arbeiten, wobei die Elektronen über ein Strahlaustritts­ fenster an Atmosphärendruck austreten (DE 44 34 767 C1, EP 0 705 531 B1). Das Schüttgut wird dabei ebenfalls im freien Fall durch das Elektronenfeld geführt. Bei dieser Lösung entfällt der Aufwand zur sonst erforderlichen Evakuierung der Prozesskammer. Dennoch verbleibt der Nachteil des hohen apparativen Aufwandes durch den notwendigen Einsatz von mindestens zwei Elektronenbeschleunigern.

Es ist weiterhin bekannt, pulverförmige und körnige Materialien an Atmosphärendruck mit Elektronen zu behandeln, wobei nur ein Elektronenbeschleuniger zum Einsatz kommt und die zu bestrahlenden Teilchen in einem Gasstrom durch das Elektronenfeld getragen werden (WO 98/43274). Der Gasstrom mit den zu bestrahlenden Teilchen wird durch einen rechteckigen Kanal geführt, der an einer Seite mit einer 25 µm dicken Aluminiumfolie verschlossen ist, durch welche die Elektronen nach ihrer Ausschleusung über eine 13 µm dicke Titanfensterfolie und Durchlaufen der Distanz bis zum Bestrahlungskanal eindringen. Der Aluminiumfolie gegenüberliegend wird der rechteckige Kanal durch eine ebene Platte aus einem Werkstoff hoher Ordnungszahl gebildet. Nach Durchdringen des Kanal­ querschnitts werden die Elektronen von dieser Platte zu einem gewissen Anteil rückgestreut. Die rückgestreuten Elektronen haben eine der ursprünglichen Einfallsrichtung der Elektronen entgegengerichtete Geschwindigkeitskomponente und ermöglichen, dass auch die bezüglich der ursprünglichen Einfallsrichtung der Elektronen abgewandte Seite der Teilchen einem Elektronenbeschuss ausgesetzt ist.

Von Nachteil ist, dass die Intensität der Bestrahlung durch die rückgestreuten Elektronen wesentlich niedriger ist als die Intensität der Bestrahlung durch die unmittelbar aus dem Strahlaustrittsfenster austretenden Elektronen, was zu einer ungleichmäßigen Bestrahlung der einzelnen Teilchen führt. Nachteilig ist auch, dass die zum Tragen der Teilchen erforderliche Gasgeschwindigkeit mit steigendem Verhältnis von Masse zur Oberfläche der transportierten Teilchen stark ansteigt. Somit würden für größerkörnige Schüttgüter - wie z. B. Weizen oder Mais - sehr hohe Gasströmungsgeschwindigkeiten erforderlich werden. Bei diesen hohen Geschwindigkeiten würden die im Elektronenfeld übertragbaren Energiedosen auf sehr kleine, für zahlreiche Anwendungen wesentlich zu geringe Werte begrenzt werden. Ein weiterer Nachteil dieser bekannten Lösung besteht darin, dass die Elektronen nach dem Austritt aus dem Elektronenbeschleuniger noch zusätzlich die den rechteckigen Kanal verschließende Aluminiumfolie durchdringen müssen, bevor sie auf die zu behandelnden Teilchen treffen. Dadurch erleiden die Elektronen einen zusätzlichen unerwünschten Energieverlust.

Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren und eine zugehörige Einrichtung zur Behandlung von Schüttgut zu schaffen, die es gestatten, unabhängig von der Teilchen­ größe und mit vergleichsweise geringem vakuumtechnischen Aufwand, der auf die Vakuumerzeugung des Elektronenbeschleunigers beschränkt ist, eine hinreichend gleichmäßige Behandlung der Oberfläche von Schüttgutteilchen mit beschleunigten Elektronen bei etwa Atmosphärendruck durchzuführen.

Erfindungsgemäß wird die Aufgabe durch das Verfahren gemäß Patentanspruch 1 gelöst. Gegenstand des Anspruchs 8 ist eine zur Durchführung des Verfahrens geeignete Einrichtung. Besonders vorteilhafte Ausgestaltungen sind in den Ansprüchen 2 bis 7 und 9 bis 22 beschrieben.

Nach dem erfindungsgemäßen Verfahren wird der Schüttgutstrom bei Atmosphärendruck mehrmals durch ein Elektronenfeld geführt. Das hat den Vorteil, dass eine technologisch bedingte Transportgeschwindigkeit, die nach einem Durchlauf zu - für eine effektive Oberflächenbehandlung - zu niedrigen Energiedosen führt, beibehalten werden kann, da durch die wiederholte Einwirkung der Elektronen auf jedes Schüttgutteilchen die Oberfläche jedes Teilchens von genügend Elektronen beaufschlagt wird.

Inhomogenitäten der Intensität der Oberflächenbehandlung in einem einzelnen Durchlauf des Schüttgutstroms durch das Elektronenfeld werden ausgeglichen. Der Schüttgutstrom durchläuft mehrmals nacheinander das Elektronenfeld als ein zumindest im Bereich des Elektronenfeldes transparenter Schüttgutstrom. Beim Passieren des Elektronenfeldes wirken die Elektronen auf die Oberfläche der Teilchen ein und erzeugen nach dem ersten Durchlauf eine erste Dosisverteilung in der Teilchenoberfläche. Durch unterschiedliche Teilchen­ orientierung und -rotation im Elektronenfeld ist diese teilchenindividuell unterschiedlich. Die Dosisverteilung in der Oberfläche weist im Allgemeinen ein Dosismaximum und ein Dosis­ minimum auf. Beim Passieren des Elektronenfeldes in weiteren Durchläufen erfolgt wiederum eine Elektroneneinwirkung mit der gleichen Charakteristik. Die dadurch erzeugte Dosis­ verteilung wird jedoch durch die inzwischen erfolgte zufällige Bewegung der Teilchen der vorangegangenen statistisch überlagert. Damit wird die resultierende Gesamtdosisverteilung, welche sich aus der Summe der einzelnen Dosisverteilungen ergibt, mit jedem Durchlauf gleichmäßiger. Mehrfachanordnungen von Elektronenbeschleunigern zur Homogenisierung des Elektronenfeldes werden dadurch überflüssig. Es genügen einfache Elektronen­ reflektoren, um bereits nach wenigen Durchläufen des Schüttgutstromes eine ausreichend gleichmäßige Dosisverteilung auf der Teilchenoberfläche zu erreichen. Die Anzahl der Durchläufe ist abhängig von der benötigten Dosishomogenität auf der Oberfläche der Teilchen.

Da somit auch die für eine magnetische Umlenkung des Elektronenstrahles erforderliche freie Weglänge der Elektronen entfällt, kann die Behandlung an Atmosphärendruck erfolgen. Damit ist nur für den Elektronenbeschleuniger selbst die Vakuumerzeugung nötig. Im geringen vakuumtechnischen Aufwand und der kostengünstigen Ausführbarkeit unter Einsatz nur eines Elektronenbeschleunigers liegen die entscheidenden Vorteile des Verfahrens. Damit ist auch die Möglichkeit gegeben, mit relativ geringem Aufwand die Einrichtung mobil auszuführen.

Im Folgenden wird das erfindungsgemäße Verfahren beschrieben.

In einem bekannten Elektronenbeschleuniger vom Typ mit Linearkatodensystem, vielfach auch Bandstrahler genannt, wird ein Elektronenstrahl erzeugt, der über ein Strahl­ austrittsfenster an Atmosphäre austritt. Die Beschleunigungsspannung zur Erzeugung des Elektronenstrahls wird entsprechend der gewünschten Eindringtiefe der Elektronen in die Oberfläche der Teilchen des Schüttgutes angepasst und die Strahlleistung auf die zu übertragende Energiedosis festgelegt.

Das Elektronenfeld, welches sich vor dem Strahlaustrittsfenster ausbildet, hat den Querschnitt eines langgestreckten Rechtecks mit in Längsrichtung des Rechteckes gleichen Eigenschaften. Vor dem Strahlaustrittsfenster wird quer zu seiner Längsrichtung in mehreren Bereichen das Schüttgut vorbeigeführt. Die Anzahl der Bereiche richtet sich nach der geforderten Dosis­ homogenität auf der Teilchenoberfläche, was die Zahl der erforderlichen Durchläufe der Teilchen des Schüttgutes durch das Elektronenfeld bestimmt. Jeder Durchlauf erfolgt in einem gesonderten Bereich. Die Bereiche sorgen dafür, dass der Schüttgutstrom bei einem Durchlauf jeweils durch einen bestimmten Teil des Elektronenfeldes geführt wird.

Die Einrichtung zur Durchführung des Verfahrens ist wie folgt aufgebaut:
Eine Prozesskammer ist in eine der Anzahl der Durchläufe des Schüttgutes entsprechende Anzahl von Teilkammern unterteilt. Ein Elektronenbeschleuniger mit Strahlaustrittsfenster ist quer zum Schüttgutstrom angeordnet und erstreckt sich über die gesamte Breite der Prozess­ kammer. Die Teilkammern sind kanalartig ausgebildet und bilden dadurch Bereiche, in denen das Schüttgut behandelt wird.

Die Ausgänge der ersten bis vorletzten Teilkammer sind mit Mitteln zur Förderung des Schüttgutes verbunden, die das Schüttgut vom Ausgang einer Teilkammer zum Eingang der jeweils nächsten Teilkammer transportieren. Der Eingang der ersten Teilkammer und der Ausgang der letzten Teilkammer sind mit Einrichtungen zur Zu- und Abführung des Schüttgutes zur und von der Einrichtung versehen, was einen kontinuierlichen Betrieb der Anlage ermöglicht. Bevor das Schüttgut der ersten Teilkammer zugeführt wird, wird das Schüttgut durch entsprechende mechanische Einrichtungen vereinzelt, so dass es den Bereich des Elektronenfeldes als transparenter Schüttgutstrom im freien Fall passiert. Vor dem Eintritt in den nächsten Bereich erfolgt erneut eine mechanische Vereinzelung zu einem transparenten Schüttgutstrom. Entsprechend der Anzahl der Bereiche werden diese Durchläufe mehrmals wiederholt. Nach Durchlaufen des letzten Bereiches erfolgt der Abtransport des Schüttgutes.

Die Elektronen des Elektronenfeldes haben eine bevorzugte Geschwindigkeitskomponente in Strahleinfallsrichtung. Vorteilhafterweise sind gegenüber dem Strahlaustrittsfenster Elektronenreflektoren angeordnet. Die an diesen Elektronenreflektoren rückgestreuten Elektronen haben jedoch eine geringere Intensität als die im Elektronenstrahl einfallenden Elektronen. Dadurch kommt es zu einer inhomogenen Dosisverteilung auf der Teilchen­ oberfläche. Die Vereinzelung in einen transparenten Schüttgutstrom gewährleistet, dass sich die einzelnen Teilchen des Schüttgutes nicht gegenseitig abschatten und damit die Wirksam­ keit der Elektronenbehandlung vermindert wird. Gleichzeitig sorgen die Bewegungsabläufe bei Förderung und Vereinzelung dafür, dass die Teilchen des Schüttgutes bei jedem Durch­ lauf eine andere Orientierung bezüglich des Elektronenfeldes haben. Die einzelnen Dosis­ verteilungen auf der Oberfläche der Schüttgutpartikel werden statistisch überlagert. Das Minimum der pro Flächenelement übertragenen Dosis liegt etwa beim halben Maximalwert, welcher auf der dem Strahlaustrittsfenster zugewandten Teilchenseite auftrifft. Diese Dosisverteilung auf der Teilchenoberfläche bedingt, dass bereits nach drei Durchläufen des Schüttgutes eine für die meisten Anwendungen ausreichende Homogenität der Oberflächenbehandlung erzielt wird.

Die Variante, bei der ein transparenter Schüttgutstrom das Elektronenfeld im freien Fall durchläuft, ist technologisch besonders leicht zu realisieren. Daneben ist es jedoch denkbar, zur Erhöhung des Durchsatzes das Schüttgut durch eine Vorrichtung am Eingang der Bereiche auf eine bestimmte Geschwindigkeit zwangsweise zu beschleunigen und die Teilchen nach dieser Vorbeschleunigung im freien Fall durch das Elektronenfeld zu führen. Eine gezielte Abbremsung der Teilchen ist vorteilhaft für besonders stoßempfindliche Schüttgüter.

An einem Ausführungsbeispiel wird die Erfindung näher beschrieben.

Die zugehörigen Zeichnungen zeigen in

Fig. 1 eine Ansicht einer Einrichtung zur Elektronenbehandlung von Saatgut mit einem Elektronenbeschleuniger mit Strahlaustrittsfenster und einem Fördersystem für einen dreimaligen Durchlauf des Saatgutes durch das Elektronenfeld,

Fig. 2 einen Querschnitt durch einen Teil der Einrichtung gemäß Fig. 1 im Bereich des Elektronenfeldes.

In Fig. 1 ist der prinzipielle Aufbau einer dreigeteilten Prozesskammer 1 mit den Teilkammern 1a; 1b; 1c dargestellt. Auf einer Seite der Teilkammern 1a; 1b; 1c ist ein Elektronen­ beschleuniger 2 als Bandstrahler quer zur Durchlaufrichtung des zu behandelnden Saatgutes angeordnet. Der Elektronenbeschleuniger 2 erzeugt einen Elektronenstrahl 3. Durch ein Strahlaustrittsfenster 4 tritt der Elektronenstrahl 3 in die mit Stickstoff oder Luft gefüllten Teilkammern 1a; 1b; 1c. Im Bereich vor dem Strahlaustrittsfenster 4 besteht somit in jeder Teilkammer 1a; 1b; 1c ein Elektronenfeld 3a; 3b; 3c, welches auf das im freien Fall geförderte Saatgut 5 einwirkt.

Das Saatgut 5 wird dem Einlauftrichter 6a zugeführt. Mit Hilfe einer Dosiereinrichtung 7 erfolgt die Einstellung des erforderlichen Massendurchsatzes an Saatgut. Ein Vibrations­ förderer 8a vereinzelt das Saatgut 5 zu einem transparenten Vorhang, der im freien Fall dörch das Elektronenfeld 3a geführt wird. Eine Zellradschleuse 9a als Abdichtung dient zur Ausschleusung des Saatgutes 5 aus der Teilkammer 1a. Eine Fördereinrichtung 10a führt das Saatgut 5 dem Einlauftrichter 6b zu.

Das Saatgut durchläuft den Vibrationsförderer 8b, die Teilkammer 1b und wird ein zweites Mal der Elektroneneinwirkung, im Elektronenfeld 3b, unterzogen. Der Saatgutaustrag aus der Teilkammer 1b erfolgt durch die Zellradschleuse 9b. Mit Hilfe der Fördereinrichtung 10b wird das Saatgut 5 erneut nach oben transportiert und dem Vibrationsförderer 8c zugeführt. In der Teilkammer 1c gelangt das Saatgut 5 im freien Fall durch das Elektronenfeld 3c und wird ein drittes Mal der Elektroneneinwirkung ausgesetzt. Durch die Übertragung der Energiedosis in 3 Schritten mit jeweils erneuter Lageänderung der einzelnen Körner des Saatgutes 5 wird eine ausreichend homogene Verteilung der Energiedosis auf nahezu jedem Korn erreicht.

Nach Ausschleusung des Saatgutes 5 durch die Zellradschleuse 9c übernimmt die Förder­ einrichtung 11 den Abtransport des Saatgutes 5 in bekannter Weise.

Der Elektronenbeschleuniger 2 mit Strahlaustrittsfenster 4 und die Teilkammern 1a, 1b und 1c sind in einer Strahlenschutzverkleidung 12 eingehaust. Die S-förmige Ausbildung der Strahlenschutzverkleidung im Bereich der Vibrationsförderer 8a; 8b; 8c und an den Zellrad­ schleusen 9a; 9b; 9c gewährleistet die Strahlendichtheit.

Der Austausch des Gases in den Teilkammern 1a; 1b; 1c, die mit Luft oder Stickstoff gefüllt sind, mit der Umgebungsluft wird auf der Saatgutaustrittsseite durch die Zellradschleusen 9a; 9b; 9c verhindert. Zur Abdichtung der Saatgutzuführung im oberen Bereich der Einlauf­ trichter 6a; 6b; 6c dient die Saatgutsäule 13a; 13b; 13c, deren Füllstand durch Regel­ einrichtungen (nicht dargestellt) konstant gehalten wird. Die Abdichtung beim Anfahren und Leerfahren der Anlage erfolgt durch gesteuerte Luftklappen (nicht dargestellt).

Das zur Kühlung des Strahlaustrittsfensters 4 dienende Kühlgas ist identisch mit dem Gas in den Teilkammern 1a; 1b; 1c und wird durch ein Düsensystem 14 mit Gaseinlass 15 und Gasauslass 16 an dem Strahlaustrittsfenster 4 vorbeigeführt.

Fig. 2 zeigt einen Ausschnitt als Querschnitt im Bereich des Elektronenfeldes durch eine Einrichtung zur Elektronenbehandlung von Saatgut mit einem profilierten, dachartig aus­ gebildeten Elektronenreflektor, der gleichzeitig zur Gewinnung eines dosisproportionalen Signals dient.

Die Elektronen des Elektronenfeldes 3a treten durch das Strahlaustrittsfenster 4 an Atmosphärendruck aus, durchqueren zum größten Teil ein Gitter 17, das zum Schutz des Strahlaustrittsfensters 4 vor abprallenden Saatkörnern dient, und treffen teilweise auf den vereinzelten Strom des Saatgutes 5. Der übrige Teil der Elektronen trifft ohne Wechsel­ wirkung mit dem Saatgut 5 auf den profilierten Elektronenreflektor 18 und wird so reflektiert, dass die zuvor aus einer Vorzugsrichtung auftreffenden Elektronen des Elektronenfeldes 3a in zwei unterschiedliche Richtungen rückgestreut werden. Das Saatgut 5 wird durch die aus verschiedenen Raumrichtungen auftreffenden Elektronen beaufschlagt, was zusätzlich zum Mehrfachdurchlauf des Saatgutes 5 eine homogenere Verteilung der Energiedosis am Umfang eines jeden Saatkornes bewirkt.

Der Elektronenreflektor 18 ist auf einem gekühlten Halter 19 montiert und durch einen Isolator 20 von diesem elektrisch getrennt. Der Anteil des auf den Elektronenreflektor 18 treffenden Elektronenstromes, der nicht zurückgestreut wird, fließt über einen Widerstand 21 gegen Erde ab. Ein Spannungsmessgerät 22 ermöglicht die Messung des Spannungsabfalles über dem Widerstand 21 und so die Gewinnung eines dosisabhängigen Signals. Dieses Signal wird in bekannter Weise einem Prozessrechner zugeführt und zum Zwecke der Prozess­ steuerung weiterverarbeitet.

Claims (22)

1. Verfahren zur Behandlung von Schüttgut, vorzugsweise Saatgut, mit beschleunigten Elektronen, bei dem das Schüttgut in einem transparenten Schüttgutstrom bei näherungsweise Atmosphärendruck durch das von einem Elektronenbeschleuniger mit Strahlaustrittsfenster erzeugte Elektronenfeld geführt wird, dadurch gekennzeichnet, dass die zur Behandlung erforderliche Energiedosis in mehreren Durchläufen auf die Schüttgutteilchen übertragen wird, indem das Schüttgut mehrmals nacheinander durch das Elektronenfeld geführt wird.

2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Intensitätsverteilung der Elektronen des Elektronenfeldes bei jedem Durchlauf gleich eingestellt wird.

3. Verfahren nach mindestens einem der Ansprüche 1 und 2, dadurch gekennzeichnet, dass das Schüttgut das Elektronenfeld bei jedem Durchlauf mit der gleichen Geschwindigkeit durchläuft.

4. Verfahren nach mindestens einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, dass das Schüttgut das Elektronenfeld im freien Fall durchläuft.

5. Verfahren nach mindestens einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, dass bei der Behandlung des Schüttgutes mit beschleunigten Elektronen ein Prozessgas zugeführt wird.

6. Verfahren nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, dass das Prozessgas Stickstoff ist.

7. Verfahren nach mindestens einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, dass das Schüttgut das Elektronenfeld als einlagiger transparenter Schüttgutstrom durchläuft.

8. Einrichtung zur Behandlung von Schüttgut, vorzugsweise Saatgut, mit beschleunigten Elektronen nach Anspruch 1, bestehend aus mindestens einem Elektronen­ beschleuniger mit Strahlaustrittsfenster, den zugehörigen vakuumtechnischen, elektrischen und streuerungstechnischen Mitteln zum Betrieb des Elektronen­ beschleunigers, Mitteln für eine Zu- und Abführung des Schüttgutes und Mitteln für die Erzeugung eines transparenten Schüttgutstromes durch eine Prozesskammer, dadurch gekennzeichnet, dass die Prozesskammer (1) aus mehreren Bereichen (1a; 1b; 1c) besteht,

• - dass sich der Elektronenbeschleuniger (2) über alle diese Bereiche erstreckt, dass der Elektronenbeschleuniger (2) quer zum Schüttgutstrom angeordnet ist,
• - dass über jedem Bereich eine Schüttgutaufnahme für das in diesem Bereich zu behandelnden Schüttgut und eine Vorrrichtung zur Erzeugung des transparenten Schüttgutstromes angeordnet ist,
• - dass unterhalb jedes Bereiches eine Auffangvorrichtung für das in diesem Bereich behandelte Schüttgut angeordnet ist,
• - dass die Schüttgutaufnahme über dem ersten Bereich der Prozesskammer (1a) mit einer Vorrichtung für die Zufuhr des unbehandelten Schüttgutes verbunden ist,
• - dass die Auffangvorrichtung unter dem letzten Bereich des Schüttgutdurchlaufes mit einer Vorrichtung zur Abführung des behandelten Schüttgutes verbunden ist,
• - dass alle anderen Auffangvorrichtungen unter den Bereichen durch Mittel zur Förderung des Schüttgutes mit der Schüttgutaufnahme über den im Schüttgut­ durchlauf nächsten Bereich verbunden sind.

9. Einrichtung nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, dass der Elektronen­ beschleuniger vom Typ mit Linearkathodensystem ist.

10. Einrichtung nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, dass Kanäle zur Führung des Schüttgutstroms durch das Elektronenfeld des Elektronenbeschleunigers angeordnet sind.

11. Einrichtung nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, dass die Kanäle recht­ eckigen Querschnitt haben und nebeneinander aneinandergrenzend angeordnet sind.

12. Einrichtung nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, dass die Tiefe der Kanäle in Strahlrichtung der Elektronen kleiner als die Reichweite der Elektronen an Atmosphärendruck ist.

13. Einrichtung nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, dass die Wandung der Kanäle im Bereich erhöhter Auftreffdichte der Elektronen als Elektronenreflektor ausgebildet ist, der aus einem Werkstoff hoher Ordnungszahl besteht.

14. Einrichtung nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, dass in dem Kanal im Bereich der erhöhten Auftreffdichte der Elektronen ein Elektronenreflektor (18) angeordnet ist, der aus einem Werkstoff hoher Ordnungszahl besteht.

15. Einrichtung nach Anspruch 13 oder 14, dadurch gekennzeichnet, dass der Elektronenreflektor (18) überwiegend aus Wolfram besteht.

16. Einrichtung nach Anspruch 13 oder 14, dadurch gekennzeichnet, dass der Elektronenreflektor (18) aus mehreren Segmenten besteht.

17. Einrichtung nach Anspruch 13 oder 14, dadurch gekennzeichnet, dass der Elektronenreflektor (18) profiliert ausgebildet ist.

18. Einrichtung nach Anspruch 13 oder 14, dadurch gekennzeichnet, dass der Elektronenreflektor (18) gegen Erdpotential isoliert angeordnet ist, um ein von der Elektronenstromdichte und Teilchenstromdichte abhängiges Signal abzunehmen.

19. Einrichtung nach mindestens einem der Ansprüche 8 bis 18, dadurch gekennzeichnet, dass unter den Bereichen der Prozesskammer (1a; 1b; 1c) Vorrichtungen zur Abdichtung der Prozesskammer (1) und zur Ausschleusung des Schüttgutes angeordnet sind.

20. Einrichtung nach mindestens einem der Ansprüche 8 bis 19, dadurch gekennzeichnet, dass mit den Schüttgutaufnahmen Mittel zur Messung und Regelung des Schüttgutfüllstandes verbunden sind.

21. Einrichtung nach mindestens einem der Ansprüche 8 bis 20, dadurch gekennzeichnet, dass vor dem Strahlaustrittsfenster (4) ein für Elektronen transparentes Gitter (17) mit Gitteröffnungen kleiner als die Teilchen des Schüttgutes angeordnet ist.

22. Einrichtung nach mindestens einem der Ansprüche 8 bis 21, dadurch gekennzeichnet, dass in der Nähe des Strahlaustrittsfensters (4) Düsen zum Einlass eines Gasstromes angeordnet sind.