DE19931773C1 - Micromechanical component has contact ducts formed as metal wires which are recast from the molten glass during the manufacture of the first wafer - Google Patents
Micromechanical component has contact ducts formed as metal wires which are recast from the molten glass during the manufacture of the first waferInfo
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Abstract
Description
Die vorliegende Erfindung betrifft ein mikromechanisches Bauelement mit Kontaktdurchführungen und ein Verfahren zur Herstellung eines mikromechanischen Bauelements, gemäß den Oberbegriffen der Patentansprüche 1 und 13.The present invention relates to a micromechanical component Contact bushings and a method for producing a micromechanical Component, according to the preambles of claims 1 and 13.
Mikromechanische Bauelemente werden z. B. bei der Herstellung von Sensoren und Aktoren benötigt. Insbesondere bei Drucksensoren oder auch bei Beschleunigungs- und Drehratensensoren werden mikromechanische bzw. mikro-elektro-mechanische Bauelemente eingesetzt. Diese sind kostengünstig auf Waferbasis herstellbar, zuverlässig im Betrieb und haben einen geringen Platzbedarf.Micromechanical components are e.g. B. in the manufacture of sensors and Actuators needed. Especially with pressure sensors or also with acceleration and Rotation rate sensors become micromechanical or micro-electro-mechanical Components used. These are inexpensive to manufacture on a wafer basis, reliable in operation and have a small footprint.
In vielen Fällen ist es notwendig, die mikromechanischen Bauelemente mit einem Innenraum zu versehen, beispielsweise um hermetisch verkapselte Strukturen zu schaffen. Erfolgt diese Verkapselung auf Waferbasis kann dadurch ein erheblicher Kostenvorteil erzielt werden. An die Verkapselungen werden oftmals hohe Anforderungen gestellt, beispielsweise hinsichtlich mechanischer Belastbarkeit, hermetischer Dichtheit, sowie hinsichtlich des lateralen Platzbedarfs, der möglichst gering sein sollte. Eine hohe mechanische Belastbarkeit ist notwendig, da z. B. beim Chipvereinzeln und Hybridaufbauvorgang (z. B. Drahtbonden) erhebliche mechanische Kräfte auftreten können. Ebenso werden die Sensoren während des Betriebs oftmals erheblichen mechanischen Kräften durch Vibrationen und thermische Verspannungen ausgesetzt. Hermetische Dichtheit ist gefordert, wenn die Gefahr besteht, daß Schmutz oder Feuchtigkeit in den Innenraum des Sensors oder Aktors gelangen kann oder der Sensor bzw. Aktor vakuum-, druckdicht und/oder chemisch beständig sein soll. Ein geringer lateraler Platzbedarf ist vorteilhaft, da die Chipgröße ein entscheidender Kostenfaktor bei der Batchprozessierung ist. Weiterhin müssen elektrische Kontaktdurchführungen ins Sensorinnere mit geringen parasitären Lasten, wie beispielsweise Serienwiderstand oder Streukapazität, vorgesehen sein. In many cases it is necessary to use a micromechanical component To provide interior space, for example to create hermetically encapsulated structures. If this encapsulation takes place on a wafer basis, this can result in a considerable cost advantage be achieved. The encapsulations are often subject to high demands, for example with regard to mechanical strength, hermetic tightness, and with regard to the lateral space requirement, which should be as small as possible. A high mechanical resilience is necessary because e.g. B. in chip singling and Hybrid build-up process (e.g. wire bonding) considerable mechanical forces can occur. Likewise, the sensors often become considerable mechanical ones during operation Exposed to vibrations and thermal stress. Hermetic Tightness is required if there is a risk of dirt or moisture in the Interior of the sensor or actuator can get or the sensor or actuator vacuum, should be pressure-tight and / or chemically resistant. There is little lateral space requirement advantageous because the chip size is a decisive cost factor in batch processing is. Furthermore, electrical contact bushings inside the sensor have to be low parasitic loads, such as series resistance or stray capacitance, are provided his.
Zur Kapselung auf Waferbasis ist z. B. das anodische Bondverfahren bekannt. Hermetisch dichte Leiterbahndurchführungen können entweder lateral, d. h. parallel zur Waferebene, oder auch vertikal zur Chipebene hergestellt werden. Beispielsweise sind implantierte Leiterbahnen als laterale Kontaktdurchführungen möglich. Nachteilhaft dabei sind jedoch hohe Streukapazitäten, ein hoher Leitungswiderstand und in vielen Fällen ein hoher Platzbedarf. Auch können laterale Leiterbahndurchführungen durch Metalldurchführungen realisiert werden. Dies erfordert jedoch einen hohen Fertigungsaufwand, wobei unter Umständen weitere Sonderprozesse notwendig sind, wie z. B. chemisch mechanisches Polieren. Zur Realisierung von vertikalen Varianten der Leiterbahndurchführungen sind weiterhin sogenannte Via-Ätzungen und deren Auffüllen mit Metall bekannt. Diese Verfahren sind jedoch sehr teuer und führen zu einem hohen Platzbedarf.For wafer-based encapsulation, e.g. B. the anodic bonding method known. Hermetically dense conductor bushings can either laterally, d. H. parallel to the wafer level, or also be produced vertically to the chip level. For example, are implanted Conductor paths possible as lateral contact bushings. However, are disadvantageous high stray capacities, high line resistance and in many cases high Space requirements. Lateral conductor bushings can also be passed through metal bushings will be realized. However, this requires a high manufacturing effort, being below Other special processes may be necessary, e.g. B. chemical mechanical Polishing. For the realization of vertical variants of the conductor track bushings known as via etching and their filling with metal. This However, processes are very expensive and take up a lot of space.
Es ist daher die Aufgabe der vorliegenden Erfindung, ein mikromechanisches Bauelement mit einem Innenraum und Kontaktdurchführungen zu schaffen, das einfach und kostengünstig herstellbar ist, einen zuverlässigen Betrieb und hohe Beständigkeit gewährleistet und geringe elektrische parasitäre Lasten aufweist. Weiterhin soll ein Verfahren zur Herstellung mikromechanischer Bauelemente mit einem Innenraum angegeben werden, das einfach und kostengünstig durchführbar ist und mit dem eine hermetische Verkapselung des Innenraums bei verbesserten elektrischen Eigenschaften möglich ist.It is therefore the object of the present invention to provide a micromechanical component with an interior and contact bushings to create that simple and is inexpensive to produce, reliable operation and high durability guaranteed and has low electrical parasitic loads. Furthermore, a Method for producing micromechanical components with an interior are specified, which is simple and inexpensive to carry out and with one Hermetic encapsulation of the interior with improved electrical properties is possible.
Diese Aufgabe wird gelöst durch das mikromechanische Bauelement gemäß Patentanspruch 1 und durch das Verfahren zur Herstellung eines mikromechanischen Bauelements gemäß Patentanspruch 13. Weitere vorteilhafte Merkmale, Aspekte und Details der Erfindung ergeben sich aus den abhängigen Ansprüchen, der Beschreibung und den Zeichnungen.This task is solved by the micromechanical component according to Claim 1 and by the method for producing a micromechanical Component according to claim 13. Further advantageous features, aspects and Details of the invention emerge from the dependent claims, the description and the drawings.
Das erfindungsgemäße mikromechanische Bauelement umfaßt einen Innenraum und ein oder mehrere Kontaktdurchführungen zur elektrischen Verbindung des Innenraums mit dem Außenraum, wobei mindestens zwei Wafer vorgesehen sind, die miteinander verbunden sind um den Innenraum auszubilden, und wobei mindestens ein erster Wafer aus einem Glas gefertigt ist, in dem zur Ausbildung der jeweiligen Kontaktdurchführung mindestens ein Metalldraht eingegossen ist.The micromechanical component according to the invention comprises an interior and a or several contact bushings for the electrical connection of the interior with the outside space, wherein at least two wafers are provided, which are together are connected to form the interior, and wherein at least a first wafer is made of a glass in which to form the respective contact bushing at least one metal wire is cast in.
Durch die erfindungsgemäße Lösung kann eine hohe hermetische Dichtheit und chemische Beständigkeit des Bauelements erreicht werden. Da die Kontaktdurchführungen in Glas eingeschmolzen sind ist es möglich, den Innenraum schmutz-, feuchtigkeits-, vakuum- und druckdicht sowie chemisch beständig zu gestalten, wobei eine sehr hohe Zuverlässigkeit und Beständigkeit gewährleistet ist. Die Kontaktdurchführungen können sehr kurz gehalten werden, so daß sich verbesserte elektrische Eigenschaften bzw. verringerte parasitäre Lasten ergeben. Die Streukapazität und die Bauelementgröße sind äußerst gering. Es können vereinfachte Aufbau- und Verbindungstechnologien eingesetzt werden, wobei die Herstellungskosten reduziert sind.A high hermetic seal and chemical resistance of the component can be achieved. Since the Contact bushings are melted in glass, it is possible the interior to make it dirt, moisture, vacuum and pressure tight as well as chemically resistant, with a very high reliability and durability is guaranteed. The Contact bushings can be kept very short, so that improved electrical properties or reduced parasitic loads result. The stray capacity and the component size are extremely small. There can be simplified construction and Connection technologies are used, the manufacturing costs are reduced.
Vorteilhafterweise sind die Wafer parallel zueinander angeordnet und die Kontaktdurchführungen senkrecht zur Waferebene ausgerichtet. Dadurch ist das Verhältnis von Länge zu Querschnittsfläche der Kontaktdurchführungen sehr klein, z. B. ca. 100/cm bis 200/cm bei vertikalen Durchführungen im Vergleich zu ca. 10000/cm bei lateralen Durchführungen, weshalb der ohmsche Widerstand entsprechend ca. 100 mal kleiner ist. Da die Durchführungen nicht flächig auf oder in dem Substrat verlaufen, gibt es kaum Überlappungen zum Substrat, was zu einer verschwindend geringen Streukapazität führt.The wafers are advantageously arranged parallel to one another and the Contact bushings aligned perpendicular to the wafer level. That’s it Ratio of length to cross-sectional area of the contact bushings is very small, e.g. B. approx. 100 / cm to 200 / cm for vertical bushings compared to approx. 10000 / cm for lateral feedthroughs, which is why the ohmic resistance is about 100 times is smaller. Since the bushings do not run flat on or in the substrate, there are hardly any overlap with the substrate, which leads to a vanishingly low stray capacity leads.
Vorteilhafterweise hat der zweite Wafer an der Grenzfläche zum ersten Wafer eine Ausnehmung bzw. Vertiefung, die zur Ausbildung des Innenraums durch den ersten Wafer deckelartig verschlossen ist. Dadurch kann auf besonders einfache und kostengünstige Weise ein gekapselter Innenraum geschaffen werden.The second wafer advantageously has one at the interface with the first wafer Recess or recess that is used to form the interior through the first wafer is closed like a lid. This allows for particularly simple and inexpensive Way an encapsulated interior can be created.
Bevorzugt hat der erste Wafer an seiner im Innenraum gelegenen Seite und/oder an der Grenzfläche zum zweiten Wafer Leiterbahnstrukturen, die an die Kontaktdurchführungen angeschlossen sind. Somit können die elektrischen Kontakte über dem Bauelement liegen, weshalb keine zusätzliche Bauelementfläche für die elektrischen Kontakte, z. B. in Form von Drahtbondpads, notwendig ist. Dies führt insbesondere bei der sogenannten Batchprozessierung zu verringerten Herstellungskosten, da bei verringerter Bauelementfläche mehr Bauelemente gleichzeitig bearbeitet werden können.The first wafer preferably has on its side located in the interior and / or on the Interface to the second wafer interconnect structures connected to the contact bushings are connected. The electrical contacts can thus lie over the component, which is why no additional component area for the electrical contacts, e.g. B. in the form of wire bond pads. This leads in particular to the so-called Batch processing at reduced manufacturing costs, since at reduced Component area more components can be processed at the same time.
Vorzugsweise ist der zweite Wafer aus Silizium gefertigt und mit mindestens einer Kontaktdurchführung im ersten Wafer elektrisch verbunden. Im Innenraum kann ein Sensor- und/oder Aktorelement ausgebildet sein, das über die Kontaktdurchführungen mit dem Außenraum elektrisch verbunden ist. Insbesondere können an der Innenseite und/oder an der Außenseite der Wafer ein oder mehrere strukturierte Metallschichten ausgebildet sein.The second wafer is preferably made of silicon and has at least one Contact bushing in the first wafer is electrically connected. In the interior, a Sensor and / or actuator element to be formed, which with the contact bushings the outside space is electrically connected. In particular, on the inside and / or one or more structured metal layers on the outside of the wafers be trained.
Vorteilhafterweise sind die Wafer durch anodisches Bonden miteinander verbunden. An der im Innenraum gelegenen Seite des ersten Wafers ist bevorzugt eine Elektrodenfläche ausgebildet, die einer Fläche des zweiten Wafers gegenüberliegt um eine Meßkapazität und/oder ein Aktorelement zu bilden. Das Bauelement kann als Druck-, Beschleunigungs- oder Drehratensensor ausgebildet sein. Vorteilhafterweise ist auf beiden Seiten eines Siliziumwafers ein erster Wafer aus Glas mit eingegossenen Metalldrähten angeordnet. Somit ergibt sich z. B. ein schichtweiser Aufbau aus drei Wafern, wobei der Glaswafer bevorzugt wie oben beschrieben ausgestaltet ist.The wafers are advantageously connected to one another by anodic bonding. On the inner side of the first wafer is preferably an electrode surface formed, which is opposite a surface of the second wafer by a measuring capacity and / or to form an actuator element. The component can be used as a pressure, acceleration or rotation rate sensor. There is advantageously one on both sides Silicon wafers arranged a first wafer made of glass with cast metal wires. Thus, z. B. a layered structure of three wafers, the glass wafer is preferably configured as described above.
Bevorzugt ist der Glaswafer durch Zerteilen eines Glasblocks mit den darin eingegossenen Metalldrähten in einzelne Scheiben gefertigt.The glass wafer is preferred by dividing a glass block with the cast in it Metal wires made into individual disks.
Das erfindungsgemäße Verfahren zur Herstellung eines mikromechanischen Bauelements umfaßt die Schritte:The method according to the invention for producing a micromechanical component includes the steps:
Bereitstellen eines Glaswafers mit darin eingegossenen Metalldrähten und Verbinden des Glaswafers mit einem weiteren Wafer, der an seiner Oberfläche eine Vertiefung aufweist, so daß die Vertiefung einen Innenraum bildet, wobei die Metalldrähte so positioniert sind, daß sie Kontaktdurchführungen zur Verbindung des Innenraums mit dem Außenraum bilden. Dadurch können insbesondere hermetisch verschlossene Bauelemente mit Anschlüssen, die in das Bauelementinnere führen, vereinfacht bzw. kostengünstiger hergestellt werden, wobei die elektrischen Eigenschaften der Bauelemente verbessert sind und eine hohe Zuverlässigkeit gewährleistet ist. Providing a glass wafer with metal wires cast into it and connecting the Glass wafers with a further wafer which has a depression on its surface, so that the recess forms an interior, the metal wires being positioned so that they have contact bushings for connecting the interior to the exterior form. This allows hermetically sealed components in particular Connections that lead into the interior of the component are simplified or less expensive are produced, the electrical properties of the components being improved and high reliability is guaranteed.
Bevorzugt wird auf einer und/oder beiden Seiten des Glaswafers eine strukturierte Metallschicht aufgebracht, die mit den Metalldrähten in Kontakt ist und nach dem Verbinden mit dem weiteren Wafer als Leiterbahn-, Kontakt-, und/oder Elektrodenfläche dient.A structured is preferred on one and / or both sides of the glass wafer Metal layer applied, which is in contact with the metal wires and after the Connect to the further wafer as a conductor track, contact and / or electrode surface serves.
Beim Umgießen bzw. Eingießen der Metalldrähte mit Glas werden die Metalldrähte bevorzugt so positioniert, daß sich unter Berücksichtigung der thermischen Ausdehnung die Kontaktpositionen des herzustellenden Bauelements ergeben. Vorzugsweise hat das Glas einen hohen Natriumanteil und einen thermischen Ausdehnungskoeffizienten, der dem Ausdehnungskoeffizienten von Silizium weitgehend entspricht bzw. möglichst nahe kommt.When the metal wires are poured or poured into glass, the metal wires become preferably positioned so that taking thermal expansion into account the contact positions of the component to be produced. Preferably that Glass has a high sodium content and a coefficient of thermal expansion that largely corresponds to the expansion coefficient of silicon or as close as possible is coming.
Zur Bereitstellung des Glaswafers werden z. B. Metalldrähte fixiert und mit geschmolzenem Glas umgossen, wobei der entstehende Glasblock anschließend in Scheiben geteilt wird, derart, daß die Metalldrähte jeweils von einer Seite der Scheibe zur anderen Seite führen.To provide the glass wafer z. B. metal wires fixed and with melted Pouring glass, the resulting glass block is then divided into slices, such that the metal wires each lead from one side of the disc to the other side.
Als weiterer Vorteil der Erfindung ergibt sich, daß vereinfachte Aufbau- und Verbindungstechnologien anwendbar sind. Da beispielsweise die Kontaktdurchführungen an der Oberfläche des Deckel- bzw. Bodenwafers liegen, können die bekannten vereinfachten Aufbau- und Verbindungstechnologien zur Integration mit anderen Bauelementen, wie z. B. Ansteuer- und Auswerteelektronik, verwendet werden. Insbesondere ist auch die Verwendung der Flip-Chip-Technologie sowie verwandter vereinfachter Aufbau und Verbindungstechnologien möglich. Dies wäre bei lateralen Kontaktdurchführungen aufgrund der Dicke des Deckel- bzw. Bodenwafers, die z. B. mindestens 0,3 mm betragen muß, nicht ohne weitere Herstellungsschritte möglich.Another advantage of the invention is that simplified construction and Connection technologies are applicable. For example, because the contact bushings The known ones can lie on the surface of the lid or bottom wafer simplified construction and connection technologies for integration with others Components such as B. control and evaluation electronics can be used. In particular, the use of flip-chip technology is also more related simplified structure and connection technologies possible. This would be with lateral ones Contact bushings due to the thickness of the lid or bottom wafer, the z. B. must be at least 0.3 mm, not possible without further manufacturing steps.
Nachfolgend wird die Erfindung anhand der Figuren beschrieben, in denen:The invention is described below with reference to the figures, in which:
Fig. 1 eine erste Ausführungsform der Erfindung mit einem Bauelementaufbau zeigt, der aus zwei Wafern besteht; Fig. 1 shows a first embodiment of the invention with a component assembly consisting of two wafers;
Fig. 2 eine weitere Ausführungsform der Erfindung zeigt, die aus drei Wafern besteht; und Fig. 2 shows another embodiment of the invention, which consists of three wafers; and
Fig. 3 Schritte zur Herstellung von Glaswafern mit eingegossenen Kontaktdurchführungen zeigt, wie sie gemäß der Erfindung verwendet werden. Fig. 3 shows steps for the manufacture of glass wafers with molded-in contact bushings as used according to the invention.
Fig. 1 zeigt einen Schnitt durch einen erfindungsgemäßen Bauelementaufbau. Dabei ist ein mikromechanisches Bauelement 1, das als Drucksensor ausgestaltet ist, aus einem Glaswafer 2 und einem Siliziumwafer 3 gebildet. Die beiden Wafer sind parallel zueinander ausgerichtet und an einer Grenzfläche 4 durch anodische Bonds zwischen Glas und Silizium miteinander verbunden. Im Inneren des Drucksensors bzw. Bauelements 1 befindet sich ein Hohlraum bzw. Innenraum 5, der durch den Glaswafer 2 deckelartig verschlossen ist. Im Glaswafer 2 befinden sich Kontaktdurchführungen 6a, 6b, 6c, die den Außenraum mit dem Inneren des Bauelements und mit dem Hohl- bzw. Innenraum 5 elektrisch verbinden. Die Kontaktdurchführungen 6a, 6b, 6c werden durch Metalldrähte gebildet, die in dem Glasmaterial des Glaswafers 2 eingeschmolzen bzw. eingegossen sind. Fig. 1 shows a section through a component structure according to the invention. A micromechanical component 1 , which is designed as a pressure sensor, is formed from a glass wafer 2 and a silicon wafer 3 . The two wafers are aligned parallel to one another and connected to one another at an interface 4 by anodic bonds between glass and silicon. Inside the pressure sensor or component 1 there is a cavity or interior 5 , which is closed by the glass wafer 2 like a lid. In the glass wafer 2 there are contact bushings 6 a, 6 b, 6 c which electrically connect the outer space to the interior of the component and to the hollow or inner space 5 . The contact bushings 6 a, 6 b, 6 c are formed by metal wires, which are melted or cast in the glass material of the glass wafer 2 .
Die Metalldrähte bzw. Kontaktdurchführungen 6a, 6b, 6c verlaufen vertikal bzw. senkrecht zur Waferebene, d. h. senkrecht zur Grenzfläche 4 zwischen dem Glaswafer 2 und dem Siliziumwafer 3. An der Oberseite bzw. außen gelegenen Seite 21 des Glaswafers 2 befinden sich Anschluß- oder Verbindungselemente 7a, 7b, 7c, wobei das Anschlußelement 7a ein Drahtbond ist, das Anschlußelement 7b eine Lotkugel für Flip- Chip-Bonding ist und das Anschlußelement 7c eine Metallisierung ist, die auf der Außenseite 21 zur Ausgestaltung von Leiterbahnen, Kontakt- und/oder Elektrodenflächen angeordnet ist.The metal wires or contact bushings 6 a, 6 b, 6 c run vertically or perpendicular to the wafer plane, ie perpendicular to the interface 4 between the glass wafer 2 and the silicon wafer 3 . On the top or outer side 21 of the glass wafer 2 there are connection or connection elements 7 a, 7 b, 7 c, the connection element 7 a being a wire bond, the connection element 7 b being a solder ball for flip-chip bonding and the connecting element 7 c is a metallization, which is arranged on the outside 21 for the configuration of conductor tracks, contact and / or electrode surfaces.
Der Innenraum 5 ist durch eine beispielsweise rechteckige Vertiefung bzw. Ausnehmung im Siliziumwafer 3 an der an den Glaswafer 2 angrenzenden Seite gebildet. An der Unterseite 22 bzw. der innengelegenen Seite des Glaswafers 2 befindet sich eine Elektrodenfläche 8a sowie eine Leiterbahn 8b, die die Elektrodenfläche 8a mit der Kontaktdurchführung 6b elektrisch verbindet. Dabei sind die Elektrodenfläche 8a und die Leiterbahn 8b einstückig durch eine Metallschicht ausgebildet. Weiterhin ist auf der Unterseite 22 des Glaswafers 2 im Bereich des angrenzenden Siliziumsubstrats des Si- Wafers 3 eine weitere Metallschicht 8c vorgesehen, die einen elektrischen Kontakt zwischen dem Siliziumsubstrat und dem Metall der Kontaktdurchführung 6a bildet. Die Kontaktdurchführung 6c, die in Fig. 1 im rechten Bereich des Glaswafers 2 ist, steht in elektrischem Kontakt mit einer weiteren Leiterbahn bzw. Metallschicht 8d, die ebenfalls an der Unterseite 22 des Glaswafers 2 im Bereich des Innenraums 5 angeordnet ist und in die Kontakt- bzw. Grenzfläche 4 des anodischen Bonds zwischen Glas und Silizium hineinragt.The interior 5 is formed, for example, by a rectangular recess in the silicon wafer 3 on the side adjacent to the glass wafer 2 . On the underside 22 or the inner side of the glass wafer 2 there is an electrode surface 8 a and a conductor 8 b, which electrically connects the electrode surface 8 a with the contact bushing 6 b. The electrode surface 8 a and the conductor track 8 b are formed in one piece by a metal layer. Furthermore, a further metal layer 8 c is provided on the underside 22 of the glass wafer 2 in the region of the adjacent silicon substrate of the Si wafer 3 , which forms an electrical contact between the silicon substrate and the metal of the contact bushing 6 a. The contact bushing 6 c, which is in the right area of the glass wafer 2 in FIG. 1, is in electrical contact with a further conductor track or metal layer 8 d, which is likewise arranged on the underside 22 of the glass wafer 2 in the area of the interior 5 and in the contact or interface 4 of the anodic bond protrudes between glass and silicon.
Die Elektrodenfläche 8a an der Unterseite 22 des Glaswafers 2 ist im wesentlichen parallel zum darunterliegenden Substrat des Siliziumwafers 3 und von diesem beabstandet angeordnet. Durch geeignete elektrische Anschlüsse über die Kontaktdurchführung 6b einerseits und die Kontaktdurchführungen 6a und 6c andererseits bildet die Elektrodenfläche 8a zusammen mit dem darunterliegenden Siliziumwafer 3 eine Meßkapazität 81. Bei einer Veränderung des Abstands zwischen der Elektrodenfläche 8a und der Oberseite 31 des Siliziumwafers 3 verändert sich die Kapazität 81 entsprechend. Somit kann ein von außen auf den Siliziumwafer 3 wirkender Druck über den gekapselten Hohlraum 5 mit der darin angeordneten Meßkapazität 81 gemessen werden.The electrode surface 8 a on the underside 22 of the glass wafer 2 is arranged essentially parallel to the underlying substrate of the silicon wafer 3 and spaced from it. By means of suitable electrical connections via the contact bushing 6 b on the one hand and the contact bushings 6 a and 6 c on the other hand, the electrode surface 8 a forms a measuring capacitance 81 together with the silicon wafer 3 underneath. When the distance between the electrode surface 8 a and the top 31 of the silicon wafer 3 changes, the capacitance 81 changes accordingly. Thus, a pressure acting on the silicon wafer 3 from outside can be measured via the encapsulated cavity 5 with the measuring capacitance 81 arranged therein.
Fig. 2 zeigt einen Schnitt durch ein mikromechanisches Bauelement 10 gemäß einer weiteren Ausführungsform der Erfindung. Dabei sind gleiche oder in ihrer Funktion gleiche Elemente wie bei der in Fig. 1 gezeigten Ausführungsform mit denselben Bezugszeichen gekennzeichnet. Bei der hier dargestellten Ausführungsform ist auf jeder Seite des Siliziumwafers 3a ein Glaswafer 2a, 2b angeordnet. Der Bauelementaufbau besteht also aus drei Wafern, d. h. einem Glas-Deckelwafer 2a, einem Siliziumwafer 3a und einem Glas- Bodenwafer 2b. Beide Glaswafer 2a, 2b haben eingegossene Kontaktdurchführungen 6a, 6b, 6c, die jeweils eine elektrische Verbindung vom Außenraum in das Innere des Bauelements bilden. Dabei ist ein oberer Innenraum 5a mit der Oberseite 21a des Glas- Deckelwafers 2a elektrisch leitend verbunden, während ein unterer Innenraum 5b mit der Unterseite 21b des Glas-Bodenwafers 2b elektrisch leitend verbunden ist. Dieser Aufbau kann ebenfalls als Drucksensor verwendet werden, wobei zwei Kapazitäten 81 im hermetisch gekapselten Inneren des Sensors 10 zur Druckmessung vorhanden sind, so daß z. B. Sensordrifteffekte bei der Messung berücksichtigt werden können. FIG. 2 shows a section through a micromechanical component 10 according to a further embodiment of the invention. In this case, elements that are the same or have the same function as in the embodiment shown in FIG. 1 are identified by the same reference numerals. In the embodiment shown here, a glass wafer 2 a, 2 b is arranged on each side of the silicon wafer 3 a. Thus, the device structure consists of three wafers, ie a glass cap wafer 2 a, a silicon wafer 3 a and a bottom glass wafer 2 b. Both glass wafers 2 a, 2 b have cast-in contact bushings 6 a, 6 b, 6 c, each of which form an electrical connection from the outside into the interior of the component. An upper interior 5 a is electrically conductively connected to the top 21 a of the glass lid wafer 2 a, while a lower interior 5 b is electrically conductively connected to the bottom 21 b of the glass bottom wafer 2 b. This structure can also be used as a pressure sensor, two capacitances 81 being present in the hermetically sealed interior of the sensor 10 for pressure measurement, so that, for. B. sensor drift effects can be taken into account in the measurement.
In einer weiteren Ausführungsform der Erfindung, die in den Figuren nicht dargestellt ist, bildet das mikromechanische Bauelement einen Beschleunigungssensor. Hierzu ist im Inneren des Sensors eine Masse asymmetrisch an zwei gegenüberliegenden Torsionsbalken aufgehängt. Die Oberfläche der Masse, die im Inneren des Sensors liegt und prinzipiell der Oberfläche 31 des in Fig. 1 gezeigten Bauelements entspricht, ist vorteilhafterweise flächig gestaltet und dient als Elektrodenfläche für Messkondensatoren. Vorteilhafterweise besteht die Kondensatoranordnung aus zwei symmetrisch zur Drehachse angeordneten Elektroden. Eine Beschleunigung senkrecht zur Waferebene führt zu einer Verkippung der Masse und somit zu einer gegenläufigen Kapazitätsänderung der beiden Kondensatoren und vorteilhafterweise kann aus der Differenz die Größe der einwirkenden Beschleunigung bestimmt werden.In a further embodiment of the invention, which is not shown in the figures, the micromechanical component forms an acceleration sensor. For this purpose, a mass is suspended asymmetrically on two opposite torsion bars inside the sensor. The surface of the mass, which lies inside the sensor and in principle corresponds to the surface 31 of the component shown in FIG. 1, is advantageously flat and serves as an electrode surface for measuring capacitors. The capacitor arrangement advantageously consists of two electrodes arranged symmetrically to the axis of rotation. An acceleration perpendicular to the wafer plane leads to a tilt of the mass and thus to an opposite change in capacitance of the two capacitors and advantageously the magnitude of the acceleration acting can be determined from the difference.
Das in Fig. 1 und Fig. 2 gezeigte mikromechanische Bauelement 1,10 dient in einer weiteren Variante ebenso als Beschleunigungssensor. Hierzu ist das im Inneren des Bauelements 1, 10 gelegene Substrat des Siliziumwafers 3 bzw. 3a nur an einer Seite mit dem restlichen Siliziumsubstrat verbunden, während es an der anderen Seite frei schwebt. Beispielsweise kann das in Fig. 2 gezeigte und oben diskutierte Bauelement 10 leicht als Beschleunigungssensor ausgestaltet werden, indem das zwischen dem Hohlraum 5a und dem Hohlraum 5b gelegene Siliziumsubstrat nur an der rechten oder an der linken Seite mit dem restlichen Teil des Siliziumwafers 3a verbunden ist. In diesem Fall erhält man einen Siliziumbalken, der sich bei einer Beschleunigung senkrecht zur Waferoberfläche bzw. Grenzfläche 4 aufgrund seiner Trägheit verbiegt. Dadurch verändern sich die Kapazitäten 81 auf beiden Seiten des Siliziumbalkens, woraus die Beschleunigung abgeleitet werden kann.The micromechanical device shown in Fig. 1 and Fig. 2 1, 10 is used in a further variant, as well as an acceleration sensor. For this purpose, the location inside the device 1, the silicon wafer substrate 10 is 3 or 3 a on one side only with the remaining silicon substrate is connected, while it floats freely at the other side. For example, the component 10 shown in FIG. 2 and discussed above can easily be designed as an acceleration sensor in that the silicon substrate located between the cavity 5 a and the cavity 5 b only on the right or on the left with the remaining part of the silicon wafer 3 a connected is. In this case, a silicon bar is obtained which bends due to its inertia when accelerated perpendicular to the wafer surface or interface 4 . This changes the capacitances 81 on both sides of the silicon beam, from which the acceleration can be derived.
Auch in dem Aufbau, wie er in Fig. 1 diskutiert wurde, ist durch leichte Modifikation eine Ausgestaltung des Bauelements 1 als Beschleunigungssensor möglich. Dazu muß lediglich der Hohlraum bzw. Innenraum 5 auf der rechten Seite in Fig. 1 offen ausgestaltet sein, so daß in diesem Teil keine Verbindung zwischen dem Siliziumwafer 3 und dem Glaswafer 2 besteht. Der unterhalb der Elektrodenfläche 8a liegende Teil des Siliziumwafers 3 ist dann als Balken ausgestaltet, der nur im linken Teil des Sensors mit dem restlichen Siliziumsubstrat verbunden bzw. fixiert ist. Bei einer Beschleunigung senkrecht zur Grenzfläche 4 verändert sich die Kapazität 81 aufgrund der Trägheit des so ausgebildeten Siliziumbalkens.Even in the construction as discussed in FIG. 1, the component 1 can be configured as an acceleration sensor by slight modification. For this purpose, only the cavity or interior 5 on the right-hand side in FIG. 1 has to be open, so that there is no connection between the silicon wafer 3 and the glass wafer 2 in this part. The part of the silicon wafer 3 below the electrode surface 8 a is then designed as a bar, which is connected or fixed only in the left part of the sensor to the rest of the silicon substrate. When accelerating perpendicular to the interface 4 , the capacitance 81 changes due to the inertia of the silicon bar formed in this way.
Anstatt der oben gezeigten Ausgestaltung mit Meßkapazitäten 81 im Hohlraum 5 bzw. 5a, 5b kann auch eine Ausgestaltung mit Aktorelementen vorgesehen sein. Beispielsweise kann ein im Hohlraum 5, 5a, 5b gelegener Siliziumbalken über die elektrischen Verbindungen mit dem Außenraum zu Schwingungen angeregt werden, beispielsweise durch elektrostatische Kräfte oder durch piezoelektrische Elemente, die zusätzlich im Innen- bzw. Hohlraum angeordnet sind. Derartige schwingende Strukturen können z. B. als Teil eines Drehratensensors dienen, wobei bei einer Drehung des Systems aufgrund der Corioliskraft durch die periodisch schwingende Struktur eine weitere Schwingung erzeugt wird, deren Auslenkung ein Maß für die Drehrate ist.Instead of the embodiment shown above with measuring capacitances 81 in the cavity 5 or 5 a, 5 b, an embodiment with actuator elements can also be provided. For example, a silicon beam located in the cavity 5 , 5 a, 5 b can be excited to vibrate via the electrical connections to the exterior, for example by electrostatic forces or by piezoelectric elements which are additionally arranged in the interior or cavity. Such vibrating structures can e.g. B. serve as part of a rotation rate sensor, wherein when the system rotates due to the Coriolis force by the periodically oscillating structure, a further vibration is generated, the deflection of which is a measure of the rotation rate.
Das erfindungsgemäße Bauelement kann beispielsweise auch als ein Beschleunigungssensor ausgestaltet sein, der parallel zur Waferebene empfindlich ist. Bei diesem Sensor ist der Siliziumwafer mit Interdigitalstrukturen versehen, d. h. an der lateral beweglichen Masse sind Fingerstrukturen angebracht. Parallel zu diesen Fingern sind feststehende Finger mit dem umgebenden Silizium verbunden. Eine Beschleunigung führt dann zu einer Veränderung dieser Kapazitäten. Die Metallflächen im Inneren dienen dann nur als Leiterbahnen und als Kontaktflächen, nicht mehr als Elektrodenflächen. Es versteht sich von selbst, daß eine Vielzahl von Sensortypen gemäß der vorliegenden Erfindung ausgestaltet sein können.The component according to the invention can also be used, for example, as a Be designed acceleration sensor that is sensitive parallel to the wafer level. At this sensor, the silicon wafer is provided with interdigital structures, i. H. on the lateral movable structures are attached to finger structures. Are parallel to these fingers fixed fingers connected to the surrounding silicon. Acceleration leads then a change in these capacities. The metal surfaces inside then serve only as conductor tracks and as contact areas, no longer as electrode areas. It understands it goes without saying that a variety of sensor types according to the present invention can be designed.
Anhand der Fig. 3 wird nun die Herstellung der Glaswafer 2, 2a, 2b bzw. Bondgläser mit eingeschmolzenen elektrischen Kontaktdurchführungen beschrieben. Dazu werden als erstes Drähte mit einem Durchmesser von z. B. 0,2 mm aufgespannt, die später die elektrischen Durchführungen darstellen. Dabei entspricht die laterale Anordnung der Drähte der gewünschten Position der Kontaktdurchführungen für das fertige Bauelement. Um eine entsprechende Genauigkeit der Kontaktposition zu erreichen, wird hierbei die thermische Ausdehnung während der Herstellung berücksichtigt. The manufacture of glass wafers 2 , 2 a, 2 b or bond glasses with melted-in electrical contact bushings will now be described with reference to FIG. 3. For this purpose, wires with a diameter of z. B. 0.2 mm, which later represent the electrical feedthroughs. The lateral arrangement of the wires corresponds to the desired position of the contact bushings for the finished component. In order to achieve a corresponding accuracy of the contact position, the thermal expansion during production is taken into account.
Nun werden die fixierten Drähte in ein Glas eingegossen bzw. mit geschmolzenem Glas umgossen. Damit sich das Glas für anodisches Bonden eignet, hat es einen hohen Natriumanteil und einen thermischen Ausdehnungskoeffizienten, der dem Ausdehnungskoeffizienten von Silizium möglichst nahe kommt. Zum Eingießen muß das Material der Drähte, z. B. Wolfram oder Molybdän, einen höheren Schmelzpunkt als das verwendete Glas aufweisen.Now the fixed wires are poured into a glass or with melted glass cast around. In order for the glass to be suitable for anodic bonding, it has a high one Sodium content and a coefficient of thermal expansion that the Expansion coefficient of silicon comes as close as possible. To pour it in Material of the wires, e.g. As tungsten or molybdenum, a higher melting point than that Have used glass.
Die elektrische Leitfähigkeit der eingeschmolzenen Drähte und die Isolation der Drähte voneinander kann nach dem Einschmelzen und Erstarren sehr einfach getestet werden. Anschließend wird der entstandene Glasblock mit den vertikal eingeschmolzenen Drähten in Scheiben gesägt und zwar so, daß aus den eingeschmolzenen Drähten die gewünschten elektrischen Kontaktdurchführungen werden, die von einer Seite der jeweiligen Scheibe zur anderen Seite der Scheibe führen.The electrical conductivity of the melted wires and the insulation of the wires can be tested very easily after melting and solidification. Then the resulting glass block with the vertically melted wires sawn into slices in such a way that the desired wires are melted out electrical contact bushings are made from one side of the respective washer lead to the other side of the disc.
Anschließend werden die Scheiben planarisiert und poliert, damit sie eine geringe Dickenschwankung, planparallele Oberflächen und eine möglichst geringe Oberflächenrauhigkeit aufweisen. Dieser Schritt ist vergleichbar mit dem Polieren von Glas- oder Siliziumwafern. Bei dem hier beschriebenen Verfahren sind jedoch zwei Materialien, das Bondglas einerseits und die Kontaktdurchführungen andererseits, gleichzeitig zu bearbeiten. Abschließend werden die Scheiben gereinigt, um Rückstände, wie z. B. Metall oder Schleifmittelrückstände und Partikel von der Oberfläche zu entfernen.The disks are then planarized and polished so that they are small Thickness fluctuation, plane-parallel surfaces and the smallest possible Show surface roughness. This step is comparable to polishing Glass or silicon wafers. However, there are two in the method described here Materials, the bond glass on the one hand and the contact bushings on the other, edit at the same time. Finally, the panes are cleaned to remove residues, such as B. remove metal or abrasive residues and particles from the surface.
Die so hergestellten Bondgläser werden gemäß der vorliegenden Erfindung zur Herstellung der beschriebenen Aktoren bzw. Sensoren verwendet. Dabei wird ein Siliziumwafer mit einem Deckelwafer aus Glas verbunden. Bei einem Aufbau aus mehr als zwei Wafern, wie er in Fig. 2 gezeigt ist, wird ein zusätzlicher Bodenwafer aus Glas verwendet. Dabei wird zwischen den Wafern ein Hohlraum ausgebildet, in dem das Sensor- und/oder Aktorelement z. B. durch metallische Schichten ausgestaltet wird. Über Kontaktdurchführungen, die aus dem Bauelementinneren zum Bauelementäußeren führen, wird dieses Sensor- und/oder Aktorelement bzw. die darin enthaltene Leiterbahnen, Elektrodenflächen und/oder der Siliziumwafer, elektrisch angeschlossen. Der Anschluß erfolgt über die eingeschmolzenen Kontaktdurchführungen, die vertikal zum Deckel- bzw. Bodenwafer verlaufen. Dabei können die Innen- und/oder die Außenseite des Deckel- bzw. Bodenwafers zusätzlich mit mindestens einer strukturierten Metallschicht versehen werden, die als Leiterbahnen, Kontakt- und/oder Elektrodenflächen dienen. Der Deckel- bzw. Bodenwafer wird mittels einem anodischen Bondverfahren mit dem Siliziumwafer verbunden, um den fertigen Bauelementaufbau zu erhalten.The bond glasses produced in this way are used according to the present invention for producing the described actuators or sensors. A silicon wafer is connected to a lid wafer made of glass. In the case of a structure comprising more than two wafers, as shown in FIG. 2, an additional glass bottom wafer is used. Here, a cavity is formed between the wafers, in which the sensor and / or actuator element z. B. is designed by metallic layers. This sensor and / or actuator element or the conductor tracks, electrode surfaces and / or the silicon wafer contained therein are electrically connected via contact bushings which lead from the interior of the component to the exterior of the component. The connection is made via the melted-in contact bushings, which run vertically to the lid or bottom wafer. In this case, the inside and / or the outside of the top or bottom wafer can additionally be provided with at least one structured metal layer, which serve as conductor tracks, contact and / or electrode surfaces. The lid or bottom wafer is connected to the silicon wafer by means of an anodic bonding process in order to obtain the finished component structure.
Die Bondfläche zwischen dem Glaswafer 2, 2a, 2b und dem Siliziumwafer 3, 3a weist einen geschlossenen Bondrahmen auf. Die elektrischen Kontaktdurchführungen 6a, 6b, 6c kreuzen diesen Bondrahmen nicht, sondern verlaufen vertikal zur Bondfläche.The bond area between the glass wafer 2 , 2 a, 2 b and the silicon wafer 3 , 3 a has a closed bond frame. The electrical contact bushings 6 a, 6 b, 6 c do not cross this bond frame, but run vertically to the bond surface.
Die Vorteile der vorliegenden Erfindung sind zusammengefaßt:
The advantages of the present invention are summarized:
- - vereinfachte Herstellung insbesondere von hermetisch verschlossenen Bauelementen mit elektrischen Anschlüssen, die in das Bauelementinnere führen;- Simplified manufacture, in particular of hermetically sealed components with electrical connections that lead into the interior of the component;
- - große hermetische Dichtheit und chemische Beständigkeit der Kontaktdurchführungen;- great hermetic tightness and chemical resistance of the Contact bushings;
- - geringer ohm'scher Widerstand der Kontaktdurchführungen;- low ohmic resistance of the contact bushings;
- - geringe Substratkapazitäten bzw. geringe Streukapazitäten;- low substrate capacities or low stray capacities;
- - geringe Bauelementgröße und damit geringe Herstellungskosten;- Small component size and thus low manufacturing costs;
- - vereinfachte Aufbau- und Verbindungstechnologie.- Simplified construction and connection technology.
Claims (17)
einem ersten Wafer (2; 2a, 2b), der aus Glas gefertigt ist,
mindestens einem zweiten Wafer (3; 3a), der mit dem ersten Wafer (2; 2a, 2b) verbunden ist, um einen Innenraum (5; 5a, 5b) auszubilden, und
ein oder mehreren Kontaktdurchführungen (6a, 6b, 6c) zur elektrischen Verbindung des Innenraums (5; 5a, 5b) mit dem Außenraum,
dadurch gekennzeichnet,
daß die eine oder mehreren Kontaktdurchführungen (6a, 6b, 6c) durch einen oder mehrere Metalldrähte gebildet werden, die bei der Herstellung des ersten Wafers (2a, 2b, 2c) von geschmolzenem Glas umgossen wurden. 1. Micromechanical component, with:
a first wafer ( 2 ; 2 a, 2 b) made of glass,
at least one second wafer ( 3 ; 3 a), which is connected to the first wafer ( 2 ; 2 a, 2 b) to form an interior ( 5 ; 5 a, 5 b), and
one or more contact bushings ( 6 a, 6 b, 6 c) for the electrical connection of the interior ( 5 ; 5 a, 5 b) to the exterior,
characterized by
that the one or more contact bushings ( 6 a, 6 b, 6 c) are formed by one or more metal wires which were cast in molten glass during the manufacture of the first wafer ( 2 a, 2 b, 2 c).
Bereitstellen eines Glaswafers (2; 2a, 2b),
Verbinden des Glaswafers mit einem weiteren Wafer (3; 3a, 3b), der an seiner Oberfläche eine Vertiefung und/oder laterale Strukturierung aufweist, so daß die Vertiefung oder laterale Strukturierung einen Innenraum (5; 5a, 5b) bildet, dadurch gekennzeichnet, daß bei der Herstellung des Glaswafers (2; 2a, 2b) Metalldrähte fixiert und mit geschmolzenem Glas umgossen werden, um Kontaktdurchführungen (6a, 6b, 6c) zur Verbindung des Innenraums (5; 5a, 5b) mit dem Außenraum zu bilden.13. A method for producing a micromechanical component, comprising the steps:
Providing a glass wafer ( 2 ; 2 a, 2 b),
Connecting the glass wafer to a further wafer ( 3 ; 3 a, 3 b), which has a depression and / or lateral structuring on its surface, so that the depression or lateral structuring forms an interior ( 5 ; 5 a, 5 b), characterized in that during the manufacture of the glass wafer ( 2 ; 2 a, 2 b) metal wires are fixed and cast with molten glass in order to make contact bushings ( 6 a, 6 b, 6 c) for connecting the interior ( 5 ; 5 a, 5 b) to form with the outside space.
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Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2003024865A2 (en) * | 2001-08-24 | 2003-03-27 | Schott Glas | Method for producing micro-electromechanical components |
EP1359402A1 (en) * | 2002-05-01 | 2003-11-05 | SensoNor asa | Pressure sensor |
EP1671923A2 (en) * | 2001-02-03 | 2006-06-21 | Robert Bosch Gmbh | Micromechanical device and method of manufacturing a micromechanical device |
DE10140322B4 (en) * | 2001-08-16 | 2007-10-04 | Abb Patent Gmbh | Microstructured three-dimensional sensor or actuator, and method for its production |
DE10222959B4 (en) * | 2002-05-23 | 2007-12-13 | Schott Ag | Micro-electromechanical component and method for the production of micro-electromechanical components |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE4446703C2 (en) * | 1994-12-12 | 1996-10-17 | Mannesmann Ag | Arrangement for anodic bonding |
WO1996034255A1 (en) * | 1995-04-24 | 1996-10-31 | Kearfott Guidance & Navigation Corporation | Micromachined acceleration and coriolis sensor |
DE19755397A1 (en) * | 1997-02-07 | 1998-08-20 | Ford Motor Co | Silicon micro-machine |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4617606A (en) * | 1985-01-31 | 1986-10-14 | Motorola, Inc. | Capacitive pressure transducer |
JPH07191055A (en) * | 1993-12-27 | 1995-07-28 | Hitachi Ltd | Capacitive acceleration sensor |
JPH10308565A (en) * | 1997-05-02 | 1998-11-17 | Shinko Electric Ind Co Ltd | Wiring board |
-
1999
- 1999-07-08 DE DE1999131773 patent/DE19931773C1/en not_active Expired - Fee Related
-
2000
- 2000-07-04 WO PCT/DE2000/002181 patent/WO2001004595A1/en active Application Filing
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE4446703C2 (en) * | 1994-12-12 | 1996-10-17 | Mannesmann Ag | Arrangement for anodic bonding |
WO1996034255A1 (en) * | 1995-04-24 | 1996-10-31 | Kearfott Guidance & Navigation Corporation | Micromachined acceleration and coriolis sensor |
DE19755397A1 (en) * | 1997-02-07 | 1998-08-20 | Ford Motor Co | Silicon micro-machine |
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP1671923A2 (en) * | 2001-02-03 | 2006-06-21 | Robert Bosch Gmbh | Micromechanical device and method of manufacturing a micromechanical device |
EP1671923A3 (en) * | 2001-02-03 | 2006-08-09 | Robert Bosch Gmbh | Micromechanical device and method of manufacturing a micromechanical device |
DE10140322B4 (en) * | 2001-08-16 | 2007-10-04 | Abb Patent Gmbh | Microstructured three-dimensional sensor or actuator, and method for its production |
WO2003024865A2 (en) * | 2001-08-24 | 2003-03-27 | Schott Glas | Method for producing micro-electromechanical components |
WO2003024865A3 (en) * | 2001-08-24 | 2003-11-27 | Schott Glas | Method for producing micro-electromechanical components |
EP1359402A1 (en) * | 2002-05-01 | 2003-11-05 | SensoNor asa | Pressure sensor |
US6874367B2 (en) | 2002-05-01 | 2005-04-05 | Sensonor Asa | Pressure sensor |
DE10222959B4 (en) * | 2002-05-23 | 2007-12-13 | Schott Ag | Micro-electromechanical component and method for the production of micro-electromechanical components |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
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