DE19922553A1 - Verfahren zum Herstellen eines automaten-bondbaren kermamischen Schaltungsträgers und automaten-bondbarer keramischer Schaltungsträger - Google Patents

Verfahren zum Herstellen eines automaten-bondbaren kermamischen Schaltungsträgers und automaten-bondbarer keramischer Schaltungsträger

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Abstract

Bei einem Verfahren zum Herstellen eines automaten-bondbaren keramischen Schaltungsträgers (1) wird eine Leitpaste (12) mit einem Glasanteil von weniger als 1,0 Gewichtsprozent zur Bildung von Kontaktpads auf ein Keramiksubstrat (11) mit einem Glasanteil von mehr als 10 Gewichtsprozent aufgetragen. Der Schaltungsträger (1) wird derart gebrannt, daß Glas aus dem Keramiksubstrat (11) schmilzt und eine Haftung zwischen der Leitpaste (12) und dem Keramiksubstrat (11) bewirkt. Ein keramischer Schaltungsträger weist haftungsbewirkendes Glas (13) zwischen dem Keramiksubstrat (11) und der Leitpaste (12) auf, das aus dem Keramiksubstrat (11) stammt.

Description

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstellen eines au­ tomaten-bondbaren keramischen Schaltungsträgers, dessen Kera­ miksubstrat einen Glasanteil von mehr als 10 Gewichtsprozent aufweist, und einen keramischen Schaltungsträger.
Bei bekannten keramische Schaltungsträger, die als Dick­ schichtmodule eingesetzt werden, weist das Keramiksubstrat einen Keramikanteil von 96% und einen Glasanteil von 4% auf. Zur Herstellung von Kontaktpads auf der Oberfläche des Kera­ miksubstrats wird eine Leitpaste oder Goldpaste mit einem Glasanteil zwischen 1% und 10% aufgetragen. Dieser Glasanteil wird zur Erzielung der Haftung zwischen dem Keramiksubstrat und der Goldpaste sowie zur Ausbildung einer Sinterstruktur der Goldpaste benötigt. Beim Brennen des keramischen Schal­ tungsträgers fließt das in der Goldpaste enthaltene Glas in ausreichendem Maße ab, so daß die Oberfläche des goldenen Kontaktpads ausreichend frei von Glasbestandteilen ist. Auf eine solche Oberfläche kann problemlos mit einem Golddraht gebondet werden.
Aufgrund vieler vorteilhafter Eigenschaften finden zunehmend auf LTCC (Low Temperature Cofired Ceramics) basierende Schal­ tungsträger Einsatz. Ein solcher keramischer Schaltungsträger ist beispielsweise aus der Zeitschrift Elektronik 3/1994, Seiten 30 bis 33 bekannt. Das LTCC-Substrat besteht in der Regel aus 40% bis 70% Keramikanteil (Al2O3) und 60% bis 30% Glasanteil (SiO2). Der hohe Glasanteil dient beim Brennprozeß als Sinterkatalysator und ermöglicht eine verhältnismäßig niedrige Brenntemperatur.
Aufgrund des hohen Glasanteils des LTCC-Keramiksubstrats wird beim Brennen das Abfließen des Glases auf der Oberfläche der Goldpaste behindert. Daraus resultiert eine Ausscheidung von Glasrückständen auf der Oberfläche der Goldpaste und Agglome­ rate innerhalb der Goldpaste. Beide Effekte verhindern eine gleichmäßige Ausbildung eines Wedges, also einer homogenen Anlagefläche zwischen dem Golddraht und der Goldpaste (Kon­ taktpad), auf der Gold-Dickschichtoberfläche. Folge hiervon sind große Schwankungen der Haftfestigkeit der Bondverbindung auf der Gold-Dickschichtoberfläche. Zusätzlich erhöht sich aufgrund der Glasbestandteile an der Goldoberfläche die Ver­ schmutzung der Kapillare (Greifwerkzeug eines Bondautomaten). Die Standzeit eines Bondautomaten reduziert sich hierdurch beträchtlich.
Um eine ausreichende Prozeßsicherheit beim Bonden von LTCC- Schaltungsträgern zu gewährleisten, wird regelmäßig eine zweite Bondverbindung an der Stelle des Wedges gezogen, um die erste Bondverbindung zu stabilisieren. Dadurch erhöhen sich die Kosten und der Zeitaufwand pro Schaltungsträger deutlich.
Ferner sind von der Kapillare relativ hohe Kräfte beim Her­ stellen der Bondverbindung aufzubringen, um eine sichere Ver­ bindung zu gewährleisten. Dies steht einer weiteren Erhöhung der Integrationsdichte auf einem Schaltungsträger mit hohem Glasanteil entgegen, da feinere Kapillare mit einem geringe­ ren Durchmesser nicht eingesetzt werden können. Zudem wird Verschleiß begünstigt.
Es ist ein Ziel der Erfindung, ein Verfahren zum Herstellen eines automaten-bondbaren keramischen Schaltungsträgers, des­ sen Keramiksubstrat einen hohen Glasanteil aufweist, und ei­ nen entsprechenden keramischen Schaltungsträger bereitzustel­ len, die eine reduzierte Glaskonzentration auf der Oberfläche von Kontaktpads aufweisen und somit gut für eine vollautoma­ tische Bondung geeignet sind.
Dieses Ziel wird mit einem Verfahren und einem keramischen Schaltungsträger erreicht, wie sie in den unabhängigen Pa­ tentansprüchen definiert sind. Vorteilhafte Weiterbildungen sind in den Unteransprüchen angegeben.
Erfindungsgemäß wird der Glasanteil in der Leitpaste deutlich reduziert. Für die Herstellung der Haftung zwischen der Leit­ paste und dem Keramiksubstrat wird maßgeblich der Glasanteil im Keramiksubstrat nutzbar gemacht. Eine homogene Verteilung von Glasagglomeraten in der Leitpaste wird vermieden. Das Ke­ ramiksubstrat weist einen Glasanteil von mehr als 10 Ge­ wichtsprozent auf.
Vorteilhaft ist ein Glasanteil im Keramiksubstrat im Bereich von 30 bis 60 Gewichtsprozent.
Als Leitpaste ist insbesondere eine Paste aus einem Edelme­ tall wie Gold, Silber, Palladium, Platin sowie deren Legie­ rungen geeignet. Der Edelmetallanteil sollte wenigstens 98,9 Gewichtsprozent und vorzugsweise wenigstens 99,0 Gewichtspro­ zent betragen. Der Glasanteil sollte weniger als ein Ge­ wichtsprozent, vorzugsweise weniger als 0,3 Gewichtsprozent und besonders bevorzugt maximal 0,1 Gewichtsprozent betragen.
Besonders bevorzugt ist die Leitpaste völlig frei von kri­ stallinem Glas. Eventuell enthaltene Glasanteile bestehen dann aus nichtkristallinem Glas.
Das Sinterverhalten der Leitpaste kann durch Zugabe von sin­ teraktiven Zusätzen auf die Fließeigenschaften des Glases im Keramiksubstrats abgestimmt werden, so daß trotz der Vermin­ derung des Glasanteils in der Leitpaste ausreichend viele Haftzentren zwischen dem Keramiksubstrat und der Leitpaste entstehen.
Die optionale Zugabe von sinteraktiven Zusätzen zur Leitpaste sorgt für eine besonders homogene Versinterung der Leitpaste. Hierfür kommen Metalle oder Metalloxide wie beispielsweise Rhodium (Rh), Cadmium (Cd), Antimon (Sb), Eisen (Fe) und Bis­ mutoxid (Bi2O3) in Frage. Der Anteil einer oder mehrerer sin­ teraktiver Zusätze kann etwa 0,2 bis 2,5 Gewichtsprozent aus­ machen und beträgt vorzugsweise zwischen 0,3 bis 1,1 Ge­ wichtsprozent.
Der erfindungsgemäße keramische Schaltungsträger erlaubt auf­ grund der reinen Oberfläche der Leitpaste, die nicht durch inhomogene Einschlüsse von Glas- und Oxidagglomeraten gestört ist, eine gleichmäßige Ausbildung von Wedges. Der Bondvorgang an einem solchen Schaltungsträger weist eine hohe Prozeßsi­ cherheit auf, so daß problemlos Vollautomaten zum Bonden ein­ gesetzt werden können. Eine von einer Bedienperson vorzuneh­ mende optische Untersuchung der zu bondenden Kontaktpads nach Glasagglomeraten ist überflüssig. Auf eine zweite Bondung (security bond) für die Herstellung eines elektrischen An­ schlusses kann verzichtet werden.
Die Verunreinigungen an der Kapillare eines Bondautomaten werden wegen der fehlenden Glasagglomerate an der dem Kera­ miksubstrat abgewandten Oberfläche der Kontaktpads stark re­ duziert und die Standzeit deutlich erhöht.
Aufgrund der homogenen Oberfläche eines Kontaktpads sind die von der Kapillare eines Bondautomaten aufzubringenden Bond­ kräfte gering. Daher kann der Durchmesser einer Kapillare verringert werden. Aufgrund der feineren Strukturen kann die Integrationsdichte auf dem keramischen Schaltungsträger er­ höht werden. Der Durchmesser eines Bonddrahts kann verringert werden. Statt eines Bereichs von 30 µm bis 60 µm kommt als Bonddrahtdurchmesser nun ein Bereich von 15 µm bis 60 µm in Frage.
Außerdem erhöht sich aufgrund der geringen Verschmutzung der Kapillare und der relativ geringen aufzubringenden Bondkräfte die Standzeit der Kapillare um ein Vielfaches. Ein weitgehend unterbrechungsfreies Bonden ist somit möglich.
Weitere Vorteile, Merkmale und Anwendungsmöglichkeiten der Erfindung ergeben sich aus der Beschreibung eines Ausfüh­ rungsbeispiels in Verbindung mit der Zeichnung.
Die Figur zeigt einen mehrlagigen keramischen Schaltungsträ­ ger nach dem Brennen.
Ein LTCC-Schaltungsträger 1 weist ein Keramiksubstrat 11 mit einem Glasanteil (SiO2) von etwa 40 Gewichtsprozent und einem Keramikanteil (Al2O3) von etwa 60 Gewichtsprozent auf. Der keramische Schaltungsträger 1 ist ein Dickschichtmodul.
Eine Leitpaste 12 aus 99,0 Gewichtsprozent Gold (Au) und 1 Gewichtsprozent Rhodium (Rh) bildet einen Kontaktpad für eine Bondverbindung zum Schaltungsträger. Die Leitpaste enthält kein Glas.
Glas 13 in Form von Agglomeraten ist vom stark glashaltigen Keramiksubstrat 11 in die Leitpaste 12 gewandert, so daß ein Glasagglomerat teilweise in der Leitpaste 12 und zugleich teilweise im Keramiksubstrat 11 eingeschlossen ist. Das Glas 13 bewirkt eine mechanische Haftung zwischen dem Keramiksub­ strat und der Leitpaste.
Das aus der Leitpaste 12 gesinterte Kontaktpad steht in einem direkten elektrischen und mechanischen Kontakt mit einer Lei­ terbahn 14 des Schaltungsträgers 1. Die Leiterbahn 14 verbin­ det das Kontaktpad mit einer nicht dargestellten elektroni­ schen Schaltung des Schaltungsträgers.
Zwischen einem Bonddraht 15 aus Gold und dem Kontaktpad wurde mit einem Bondautomaten eine Bondverbindung hergestellt. Es besteht im Bereich eines Wedges 16 ein elektrischer Kontakt zwischen der dem Keramiksubstrat 11 abgewandten Oberfläche des Kontaktpads und dem Bonddraht 15.
Bei der Herstellung des keramischen Schaltungsträgers 1 wird die Leitpaste 12 auf das Keramiksubstrat 11 siebgedruckt und anschließend bei 900°C in Luft eingebrannt.
Das Sinterverhalten der Leitpaste 12 ist durch Zugabe des sinteraktiven Rhodiums auf das Fließverhalten des Glases im Keramiksubstrat 11 angepaßt. Dadurch wird erreicht, daß Glas 13 im Keramiksubstrat 11 schmilzt und aufgrund von Kapillar­ kräften und der Benetzungseigenschaften partiell als Agglome­ rate in die Leitpaste eindringt. Das Glas 13 aus dem Kera­ miksubstrat übernimmt die Funktion eines Haftvermittlers und beseitigt somit die Notwendigkeit, der Leitpaste anorganische Haftvermittler (Glas) zusetzen zu müssen.
Der Schaltungsträger 1 ist automaten-bondbar, ohne daß eine optische Inspektion eines Kontaktpads nach Glasbestandteilen an der zu bondenden Oberfläche vorgenommen werden müßte.
Aufgrund der homogenen Oberfläche des Kontaktpads an der vom Keramiksubstrat 11 abgewandten Seite mit einer gleichmäßigen Ausbildung des Wedges 16 erfolgt einerseits nur eine sehr ge­ ringe Verschmutzung einer Kapillare eines Bondautomaten, und andererseits muß die Kapillare nur eine relativ geringe Bond­ kraft auf das Kontaktpad ausüben. Daher muß der Bondprozeß nur sehr selten für die Wartung der Kapillare unterbrochen werden.

Claims (9)

1. Verfahren zum Herstellen eines automaten-bondbaren kerami­ schen Schaltungsträgers (1), mit den Schritten:
  • - eine Leitpaste (12) mit einem Glasanteil von weniger als 1,0 Gewichtsprozent wird zur Bildung von Kontaktpads auf ein Keramiksubstrat (11) mit einem Glasanteil von mehr als 10 Gewichtsprozent aufgetragen,
  • - der Schaltungsträger (1) wird derart gebrannt, daß Glas aus dem Keramiksubstrat (11) schmilzt und eine Haftung zwischen der Leitpaste (12) und dem Keramiksubstrat (11) bewirkt.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Leitpaste (12) 0,3 bis 2,5 Gewichtsprozent eines oder mehre­ rer sinteraktiver Metalle und/oder Metalloxide enthält.
3. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Leitpaste (12) wenigstens 98,9 Gewichtsprozent eines Edelme­ talls enthält.
4. Verfahren nach dem vorhergehenden Anspruch, dadurch ge­ kennzeichnet, daß die Leitpaste (12) 0,3 bis 1,1 Gewichtspro­ zent eines oder mehrerer sinteraktiver Metalle und/oder Me­ talloxide enthält.
5. Automaten-bondbarer keramischer Schaltungsträger mit einem Keramiksubstrat (11) mit einem Glasanteil von mehr als 10 Ge­ wichtsprozent, mit einem Kontaktpad, das aus einer Leitpaste (12) gebildet ist, die vor dem Brennen des Schaltungsträgers einen Glasanteil von weniger als 1,0 Gewichtsprozent auf­ weist, und mit haftungsbewirkendem Glas (13) zwischen dem Ke­ ramiksubstrat (11) und der Leitpaste.
6. Keramischer Schaltungsträger nach dem vorhergehenden An­ spruch, dadurch gekennzeichnet, daß die Leitpaste (12) 0,3 bis 2, 5 Gewichtsprozent eines oder mehrerer sinteraktiver Me­ talle und/oder Metalloxide enthält.
7. Keramischer Schaltungsträger nach Anspruch 5, dadurch ge­ kennzeichnet, daß die Leitpaste (12) wenigstens 98,9 Ge­ wichtsprozent eines Edelmetalls enthält.
8. Keramischer Schaltungsträger nach dem vorhergehenden An­ spruch, dadurch gekennzeichnet, daß die Leitpaste (12) 0,3 bis 1,1 Gewichtsprozent eines oder mehrerer sinteraktiver Me­ talle und/oder Metalloxide enthält.
9. Keramischer Schaltungsträger nach einem der auf einen ke­ ramischen Schaltungsträger gerichteten Ansprüche, dadurch ge­ kennzeichnet, daß ein Kontaktpad nur eine Bondverbindung auf­ weist.
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JP2000141872A JP2000357849A (ja) 1999-05-17 2000-05-15 自動結合可能なｌｔｃｃ回路支持体の製造法及び該回路支持体
FR0006293A FR2793789A1 (fr) 1999-05-17 2000-05-17 Procede de fabrication d'un support de circuit en ceramique pour connexion par un automate
US09/572,103 US6419980B1 (en) 1999-05-17 2000-05-17 Process for producing an automatic-machine-bondable ceramic circuit carrier, and automatic-machine-bondable ceramic circuit carrier

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Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20050189630A1 (en) * 2004-02-26 2005-09-01 Berry Cynthia W. Bonding arrangement and method for LTCC circuitry
DE102004030800B4 (de) * 2004-06-25 2017-05-18 Epcos Ag Verfahren zur Herstellung einer keramischen Leiterplatte
JP5032791B2 (ja) * 2006-05-15 2012-09-26 アルプス電気株式会社 電子部品の製造方法
CN104582291A (zh) * 2014-12-22 2015-04-29 泰州市博泰电子有限公司 一种高频ltcc电路模块基板的制作方法

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0370227A2 (de) * 1988-11-21 1990-05-30 Corning Incorporated Metallisiertes Substrat für eine elektronische Anordnung

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4906405A (en) * 1987-05-19 1990-03-06 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Conductor composition and method of manufacturing a multilayered ceramic body using the composition
US5216207A (en) * 1991-02-27 1993-06-01 David Sarnoff Research Center, Inc. Low temperature co-fired multilayer ceramic circuit boards with silver conductors
JPH07157812A (ja) 1993-12-07 1995-06-20 Miyoshi Denshi Kk 金属化組成物
US5744232A (en) * 1996-07-11 1998-04-28 Northrop Grumman Corporation Low loss, thick film metallizations for multilayer microwave packaging
US6217821B1 (en) * 1999-06-02 2001-04-17 E. I. Du Pont De Nemours And Company Method of forming distortion-free circuits

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0370227A2 (de) * 1988-11-21 1990-05-30 Corning Incorporated Metallisiertes Substrat für eine elektronische Anordnung

Non-Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Elektronik 3/1994, S. 30-33 *
IBM Technical Disclosure Bulletin, 1982, Vol. 25, Nr. 5, S. 2275 *
JP 07157812 A. In: Pat.Abstr. of JP *
Technische Rundschau 41/87, 106-113 *

Also Published As

Publication number Publication date
FR2793789A1 (fr) 2000-11-24
JP2000357849A (ja) 2000-12-26
US6419980B1 (en) 2002-07-16

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