DE19904363B4 - Schaltungsanordnung zum Entstören von integrierten Schaltkreisen - Google Patents
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Abstract
Schaltungsanordnung
zum Entstören von
integrierten Schaltkreisen auf einer Leiterplatte (1) mit
– einem Mikroschaltbaustein (3), der in einem IC-Gehäuse (2) angeordnet ist,
– mindestens einer Versorgungsspannungs-Bondstelle (4) auf dem Mikroschaltbaustein (3) zum Anschluß an eine Versorgungsspannung,
– mindestens einer Masse-Bondstelle (5) auf dem Mikroschaltbaustein (3) zum Anschluß an ein Massepotential,
– mindestens einem aus dem IC-Gehäuse (2) herausgeführten Versorgungsspannungs-Pinpaar (7, 8), bestehend aus einem Versorgungsspannungsanschluß (7) und einem Masseanschluß (8), zum Anschluß eines Versorgungspfades (13) bzw. eines Rückstrompfades (14), und
– mindestens einem Blockkondensator (15), der jeweils zu einem Versorgungsspannungs-Pinpaar (7, 8) parallel geschaltet ist,
dadurch gekennzeichnet,
– daß die einzelnen Versorgungspfade (13) und die jeweiligen Rückstrompfade (14) als Leitungspaar ausgebildet sind, und
– daß deren beide Leitungen zumindest über eine vorgegebene Länge derart parallel und benachbart zueinander angeordnet sind, daß das Leitungspaar für hochfrequente Signale eine im Vergleich zur Anschlußimpedanz des...
– einem Mikroschaltbaustein (3), der in einem IC-Gehäuse (2) angeordnet ist,
– mindestens einer Versorgungsspannungs-Bondstelle (4) auf dem Mikroschaltbaustein (3) zum Anschluß an eine Versorgungsspannung,
– mindestens einer Masse-Bondstelle (5) auf dem Mikroschaltbaustein (3) zum Anschluß an ein Massepotential,
– mindestens einem aus dem IC-Gehäuse (2) herausgeführten Versorgungsspannungs-Pinpaar (7, 8), bestehend aus einem Versorgungsspannungsanschluß (7) und einem Masseanschluß (8), zum Anschluß eines Versorgungspfades (13) bzw. eines Rückstrompfades (14), und
– mindestens einem Blockkondensator (15), der jeweils zu einem Versorgungsspannungs-Pinpaar (7, 8) parallel geschaltet ist,
dadurch gekennzeichnet,
– daß die einzelnen Versorgungspfade (13) und die jeweiligen Rückstrompfade (14) als Leitungspaar ausgebildet sind, und
– daß deren beide Leitungen zumindest über eine vorgegebene Länge derart parallel und benachbart zueinander angeordnet sind, daß das Leitungspaar für hochfrequente Signale eine im Vergleich zur Anschlußimpedanz des...
Description
- Die Erfindung betrifft eine Schaltungsanordnung zum Entstören von integrierten Schaltkreisen.
- Die zunehmenden Anforderungen an die Leistungsfähigkeit moderner elektronischer Systeme, wie z.B. Steuergeräte, machen immer leistungsfähigere integrierte Schaltkreise (IC) erforderlich. So wird die Rechenleistung von Mikrocomputern durch stetige Verkleinerung der Chip-Strukturen, durch Einführung neuer Halbleitertechnologien und durch Steigerung der Systemtaktfrequenzen stetig verbessert. Andererseits führen die sehr schnellen Impulsanstiegs- und Impulsabfallzeiten derartiger Mikrocomputer zur Generierung schmalbandiger Störsignale, z.B. im Frequenzbereich zwischen 30 MHz und 1 GHz, die unter anderem über die Stromversorgungsverdrahtung des Mikrocomputers abgestrahlt werden. Somit stellen moderne Mikrocomputer eine erhebliche Störquelle für umliegende Elektronikkomponenten, insbesondere Funkempfangsanlagen dar.
- Um den heutzutage hohen EMV-Anforderungen elektronischer Systeme gerecht zu werden, ist eine wirkungsvolle und zuverlässige Entstörung von IC-Bausteinen unerläßlich. Für die Entstörung von Mikrocomputern ist es bekannt, die Spannungsversorgung einzelner Funktionsblöcke, wie CPU, Taktgenerator und Speicher, zu trennen und mehrere Versorgungsspannungsanschlüsse mit parallel geschalteten Glättungskondensatoren (Blockkondensatoren) am Mikrocomputer vorzusehen. Des Weiteren werden häufig Metallgehäuse, sogenannte Tuner-Boxen, zusätzliche Ein-/Ausgangsfilter und Leiterplatten in Multilayer-Ausführung vorgesehen, um eine ausreichende Entstörung sicherzustellen. Derartige Entstörmaßnahmen sind in der Druckschrift W. Grözinger, "Elektromagnetische Verträglichkeit von integrierten Schaltkreisen", VDI Berichte Nr. 1152, 1994, Seiten 441 bis 465 beschrieben. Trotz dieser sehr kostenintensiven Maßnahmen genügt eine derartige Entstörung von Mikrocomputern bisweilen nicht den gestellten EMV-Anforderungen.
- Ein integrierter Schaltkreis, z.B. ein Mikrocomputer, weist intern eine Vielzahl einzelner Störquellen, wie z.B. Taktgenerator oder CPU, auf. Dabei ist das Abstrahlverhalten in entscheidendem Maße von den Anstiegs- und Abfallgeschwindigkeiten des Versorgungsstroms abhängig, d.h. je größer die Flankensteilheit dI / dt desto größer die Störabstrahlung. Um zu vermeiden, daß diese über die Versorgungsverdrahtung über die gesamte Leiterplatte und letztlich über das gesamte elektronische System verteilt wird, wird üblicherweise parallel zu jedem Versorgungsspannungs-Pinpaar am IC-Gehäuse ein Blockkondensator geschaltet, der als Energiereserve für einen schnellen Strombedarf dient.
- Um möglichst niederimpedante Rückstrompfade zu gewährleisten, ist es in der betrieblichen Praxis heute üblich, die Masselage auf einer Leiterplatte möglichst großflächig auszulegen. Eine derartige Ausbildung der Masselage führt aber dazu, daß ein schneller Strombedarf einzelner Komponenten des Mikrocomputers nicht ausschließlich aus den dafür vorgesehenen Blockkondensatoren gedeckt wird, sondern über die niederimpedanten Rückstrompfade auch aus dem Netzteil des elektronischen Systems gespeist wird. Auf diese Weise werden aber Störsignale über die gesamte Leiterplatte und letztlich über das gesamte elektronische System verteilt.
- Aus der Druckschrift
DE 40 35 134 A1 ist eine Anordnung zum Entstören von elektronischen Baugruppen bekannt, bei der elektronische Bauteile in Gruppen mit jeweils gleichen Eigenschaften als Störquelle oder mit gleichen Empfindlichkeiten als Störungsempfänger zusammengefasst und separat platziert werden. Die innerhalb einer Gruppe geführten Stromversor gungsleiterbahnen werden getrennt und nur an einer vorbestimmten zu einer anderen Gruppe führenden Stelle mit einem Abblockkondensator überbrückt. Durch die Gruppen mit einheitlichen Störverhalten werden die Störungen am Entstehungsort gezielt durch entsprechende Dimensionierung des jeweiligen Abblockkondensators unterdrückt. - Bei einer anderen bekannten Leiterbahnanordnung und Schaltungsanordnung für mit integrierten Schaltkreisen bestückten Leiterplatten (
DE 35 39 040 A1 ) wird um die Anschlusspins eines integrierten Schaltkreises jeweils ein stromfreier Leiterbahnring gelegt, der nur an einem Punkt mit einer ein Stromversorgungspotential führenden Leiterbahn verbunden ist. Jeweils in der Nähe der Stromversorgungs-Anschlusspins werden Kondensatoren zwischen die Stromversorgungs-Leiterbahnen geschaltet. Zusätzlich wird zwischen einem Stromversorgungs-Anschlusspin des integrierten Schaltkreises und der das betreffende Potential führenden Leiterbahn eine Induktivität geschaltet. Durch die Anordnung der Induktivität und deren Zusammenwirken mit den Kondensatoren wird erreicht, dass innerhalb eines integrierten Schaltkreises entstehende Störungen nicht auf die Stromversorgungsleiterbahnen gelangen können. - Der Erfindung liegt das Problem zugrunde eine Schaltungsanordnung zu entwickeln, durch die eine zuverlässige Entstörung von integrierten Schaltkreisen gewährleistet ist.
- Dieses Problem wird erfindungsgemäß durch eine Schaltungsanordnung mit den Merkmalen des Patentanspruchs 1 gelöst. Vor teilhafte Weiterbildungen der Erfindung sind in den Unteransprüchen niedergelegt.
- An jedes Versorgungsspannungs-Pinpaar, bestehend aus einem Versorgungsspannungsanschluß und einem Masseanschluß, des ICs ist ein Versorgungspfad bzw. ein Rückstrompfad angeschlossen. Die einzelnen Versorgungspfade und die jeweiligen Rückstrompfade werden erfindungsgemäß als Leitungspaar ausgebildet, wobei die Leitungen zumindest über eine vorgegebene Länge parallel und benachbart zueinander verlaufen. Diese Art der Leitungsführung zwischen den Anschluß-Pads des Blockkondensators und den Netzteilanschlüssen auf der Leiterplatte weist für hochfrequente Signale, wie sie die schnell benötigten Stromimpulse des Mikrocomputers darstellen, im Vergleich zur Anschlußimpedanz des Blockkondensators eine sehr hohe Impedanz auf. Auf diese Weise wird sichergestellt, daß schneller Strombedarf des Mikrocomputers ausschließlich aus den Blockkondensatoren gedeckt wird, so daß die Abstrahlung von Störsignalen über die Versorgungsverdrahtung deutlich reduziert wird. Dadurch kann häufig auf zusätzliche Entstörmaßnahmen, wie z.B. den Einsatz von Multilayer-Leiterplatten verzichtet werden.
- Ein Ausführungsbeispiel der Erfindung wird im folgenden anhand der Figuren erläutert. Es zeigen:
-
1 eine schematische Darstellung einer erfindungsgemäßen Schaltungsanordnung zum Entstören eines integrierten Schaltkreises und -
2 eine schematische Darstellung einer bekannten Schaltungsanordnung zum Entstören eines integrierten Schaltkreises. - Um das Verständnis der Erfindung zu erleichtern, sei zunächst eine bekannte Schaltungsanordnung zum Entstören eines integrierten Schaltkreises anhand der
2 erläutert. Auf einer Leiterplatte1 ist in einem IC-Gehäuse2 ein Mikroschalt baustein (Mikrochip)3 angeordnet. Eine Versorgungsspannungs-Bondstelle4 und eine Masse-Bondstelle5 sind über Bonddrähte6 mit einem aus dem IC-Gehäuse2 herausgeführten Versorgungsspannungsanschluß7 bzw. Masseanschluß8 verbunden. Über eine Anschlußleiste9 und Leitungen10 ist die Leiterplatte1 an ein nicht dargestelltes Netzteil angeschlossen. Ein Spannungsregler11 setzt die Netzspannung auf der Leiterplatte1 in eine Versorgungsspannung, z.B. 5 V, für den Mikroschaltbaustein3 um. Parallel zum Spannungsregler11 kann ein Entstörkondensator12 geschaltet sein, der das Eindringen von Störenergie aus dem Netz in das elektronische Gerät verhindert. Ein Versorgungspfad13 , der den Versorgungsspannungsanschluß7 des Mikroschaltbausteins3 elektrisch mit der Anschlußleiste9 verbindet, ist als einfache Leiterbahn ausgebildet. Demgegenüber ist ein Rückstrompfad14 , der den Masseanschluß8 des Mikroschaltbausteins3 elektrisch mit der Anschlußleiste9 verbindet, als großflächige Masselage ausgebildet, um eine möglichst geringe Impedanz des Rückstrompfades14 zu gewährleisten. - Schneller Strombedarf einzelner Funktionsblöcke und die damit verbundenen hohen Flankensteilheiten ( dI / dt) führen zu hochfrequenten Störspannungen, die bei direkter Speisung aus dem Netzteil über den niederimpedanten Rückstrompfad
14 über das gesamte elektronische System, z.B. ein Steuergerät, verteilt wird. Deshalb ist parallel zu jedem Versorgungsspannungs-Pinpaar7 ,8 ein Blockkondensator15 geschaltet, der als Energiereserve für schnellbenötigte Ströme der entsprechenden Funktionsblöcke dient. Da die Funktionsfähigkeit des Blockkondensators15 in erheblichem Maße von seiner Anschlußinduktivität und Anschlußimpedanz abhängt, sind die Leiterbahnen zwischen den Anschluß-Pads des Blockkondensators15 und dem Versorgungsspannungs-Pinpaar7 ,8 möglichst kurz und möglichst breit ausgebildet. Länge und Breite können dabei in der betrieblichen Praxis auf einfache Weise in Abhängigkeit von räumlichen, technologischen und funktionellen Bedingungen festgelegt werden. Aufgrund der sehr niedrigen Impedanz des Rückstrompfades14 wird ein schneller Strombedarf einzelner Funktionsblöcke des Mikroschaltbausteins3 aber dennoch nicht ausschließlich aus dem Blockkondensator15 gedeckt, sondern zum Teil auch aus dem Netzteil gespeist. Auf diese Weise werden Störsignale aber über die Spannungsversorgungsverdrahtung über die gesamte Leiterplatte1 und letztlich über das gesamte elektronische System verteilt. - Eine erfindungsgemäße Schaltungsanordnung ist in
1 dargestellt. Dabei sind Baugruppen, so weit sie funktionell mit den Teilen der2 übereinstimmen, durch dieselben Bezugszeichen gekennzeichnet. Die Versorgungsspannungs-Bondstelle4 und die Masse-Bondstelle5 des Mikroschaltbausteins3 sind über Bonddrähte6 mit dem aus dem IC-Gehäuse2 herausgeführten Versorgungsspannungs-Pinpaar7 ,8 verbunden. Der Versorgungspfad13 und der Rückstrompfad14 zwischen dem Versorgungsspannungs-Pinpaar7 ,8 und der Anschlußleiste9 sind dabei als Leitungspaar ausgebildet, wobei die Leiterbahnen, die z.B. eine Breite von 0,3 mm aufweisen, zumindest über eine vorgegebene Länge, z.B. 20 mm, parallel und benachbart zueinander angeordnet sind. Benachbart heißt dabei, daß die Leiterbahnen nur einen geringen Abstand, z.B. 0,2 mm, aufweisen. - Ein derartig ausgestaltetes Leitungspaar weist für hochfrequente Signale, wie sie die schnell benötigten Stromimpulse des Mikroschaltbausteins
3 darstellen, eine im Vergleich zur Anschlußimpedanz des Blockkondensators15 sehr hohe Impedanz auf. Dadurch wird sichergestellt, daß ein schneller Strombedarf einzelner Funktionsblöcke des Mikroschaltbausteins3 ausschließlich über den verhältnismäßig niederimpedanten Strompfad über den Blockkondensator15 gedeckt wird. - Die exakte Ausgestaltung des Leitungspaares hängt stark von dem zu entstörenden Integrierten Schaltkreis ab, kann aber in der betrieblichen Praxis für den Einzelfall auf einfache Wei se so bestimmt werden, daß die sich daraus ergebende Impedanz für hochfrequente Signale im Bereich der schnell benötigten Stromimpulse groß genug ist, um sicherzustellen, daß schneller Strombedarf nicht mehr aus dem Netzteil gedeckt wird. Die beispielhaft angegebenen Werte eignen sich beispielsweise zur Entstörung eines Mikrocomputers C167 der Firma Siemens. Für die Ausgestaltung des Leitungspaares gilt grundsätzlich:
- – je geringer die Leiterbahnbreiten, desto höher die Impedanz,
- – je geringer der Leiterbahnabstand, desto höher die Impedanz und
- – je länger die Leiterbahnen parallel und benachbart verlaufen, desto höher die Impedanz für hochfrequente Signale
- Die Leiterbahnbreiten und der Leiterbahnabstand können technologiebedingt und aus Gründen der Betriebssicherheit nicht beliebig verringert werden. Durch geeignete Leitungsführung, z.B. mäanderförmig, kann aber die Länge der parallelen und benachbarten Führung der Leiterbahnen nahezu beliebig vergrößert werden.
- Die Erfindung wurde anhand der Figuren beispielhaft für einen Integrierten Schaltkreis ohne getrennte Spannungsversorgung beschrieben, eignet sich aber ebenso für einen Schaltkreis mit getrennter Spannungsversorgung. Dabei ist es besonders vorteilhaft, nur die Versorgungsspannungs-Pinpaare
7 ,8 des Rechnerkerns, also z.B. der CPU und des Taktgenerators, über die erfindungsgemäße Versorgungs- und Rückstrompfad-Struktur zu versorgen, da nur diese Komponenten Stromimpulse mit einer kritischen Flankensteilheit benötigen. Die Pinpaare7 ,8 aller übrigen Komponenten, wie Padtreiber und Ports, können über die bisher übliche Leitungsstruktur mit großflächiger Masselage versorgt werden, so daß für diese Komponenten ein niederimpedanter Rückstrompfad gewährleistet wird.
Claims (3)
- Schaltungsanordnung zum Entstören von integrierten Schaltkreisen auf einer Leiterplatte (
1 ) mit – einem Mikroschaltbaustein (3 ), der in einem IC-Gehäuse (2 ) angeordnet ist, – mindestens einer Versorgungsspannungs-Bondstelle (4 ) auf dem Mikroschaltbaustein (3 ) zum Anschluß an eine Versorgungsspannung, – mindestens einer Masse-Bondstelle (5 ) auf dem Mikroschaltbaustein (3 ) zum Anschluß an ein Massepotential, – mindestens einem aus dem IC-Gehäuse (2 ) herausgeführten Versorgungsspannungs-Pinpaar (7 ,8 ), bestehend aus einem Versorgungsspannungsanschluß (7 ) und einem Masseanschluß (8 ), zum Anschluß eines Versorgungspfades (13 ) bzw. eines Rückstrompfades (14 ), und – mindestens einem Blockkondensator (15 ), der jeweils zu einem Versorgungsspannungs-Pinpaar (7 ,8 ) parallel geschaltet ist, dadurch gekennzeichnet, – daß die einzelnen Versorgungspfade (13 ) und die jeweiligen Rückstrompfade (14 ) als Leitungspaar ausgebildet sind, und – daß deren beide Leitungen zumindest über eine vorgegebene Länge derart parallel und benachbart zueinander angeordnet sind, daß das Leitungspaar für hochfrequente Signale eine im Vergleich zur Anschlußimpedanz des Blockkondensators (15 ) hohe Impedanz aufweist. - Schaltungsanordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das Leitungspaar mäanderförmig geführt ist.
- Schaltungsanordnung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß nur die Versorgungspfade (
13 ) und Rückstrompfade (14 ) an den Versorgungsspannungs-Pinpaaren (7 ,8 ) des Rechnerkerns als Leitungspaar ausgebildet sind.
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Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3539040A1 (de) * | 1985-11-04 | 1987-05-07 | Telefonbau & Normalzeit Gmbh | Leiterbahnanordnung und schaltungsanordnung fuer mit integrierten schaltkreisen bestueckte leiterplatten |
EP0371696A2 (de) * | 1988-11-30 | 1990-06-06 | Hitachi, Ltd. | Elektronisches System mit einem Mikroprozessor und Koprozessor, die auf einer Schaltplatte montiert sind |
DE4035134A1 (de) * | 1990-11-06 | 1992-05-07 | Bosch Telecom | Anordnung zum entstoeren von elektronischen baugruppen |
DE3942509C2 (de) * | 1989-12-22 | 1992-10-22 | Richard Hirschmann Gmbh & Co, 7300 Esslingen, De | |
DE4205957A1 (de) * | 1992-02-27 | 1993-09-02 | Vogt Electronic Ag | Spulenaufbau |
-
1999
- 1999-02-03 DE DE19904363A patent/DE19904363B4/de not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3539040A1 (de) * | 1985-11-04 | 1987-05-07 | Telefonbau & Normalzeit Gmbh | Leiterbahnanordnung und schaltungsanordnung fuer mit integrierten schaltkreisen bestueckte leiterplatten |
EP0371696A2 (de) * | 1988-11-30 | 1990-06-06 | Hitachi, Ltd. | Elektronisches System mit einem Mikroprozessor und Koprozessor, die auf einer Schaltplatte montiert sind |
DE3942509C2 (de) * | 1989-12-22 | 1992-10-22 | Richard Hirschmann Gmbh & Co, 7300 Esslingen, De | |
DE4035134A1 (de) * | 1990-11-06 | 1992-05-07 | Bosch Telecom | Anordnung zum entstoeren von elektronischen baugruppen |
DE4205957A1 (de) * | 1992-02-27 | 1993-09-02 | Vogt Electronic Ag | Spulenaufbau |
Non-Patent Citations (1)
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GRÖZINGER,W.: Elektromagnetische Verträglichkeit von integrierten Schaltkreisen, VDI Berichte Nr. 1152, 1994, S.441-465 * |
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Publication number | Publication date |
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