DE19903875A1 - Umrichter in Druckkontaktierung - Google Patents
Umrichter in DruckkontaktierungInfo
- Publication number
- DE19903875A1 DE19903875A1 DE19903875A DE19903875A DE19903875A1 DE 19903875 A1 DE19903875 A1 DE 19903875A1 DE 19903875 A DE19903875 A DE 19903875A DE 19903875 A DE19903875 A DE 19903875A DE 19903875 A1 DE19903875 A1 DE 19903875A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- pressure
- plastic
- converter according
- metal
- converter
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/71—Means for bonding not being attached to, or not being formed on, the surface to be connected
- H01L24/72—Detachable connecting means consisting of mechanical auxiliary parts connecting the device, e.g. pressure contacts using springs or clips
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01004—Beryllium [Be]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01006—Carbon [C]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01033—Arsenic [As]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01058—Cerium [Ce]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01068—Erbium [Er]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
- H01L2924/1304—Transistor
- H01L2924/1305—Bipolar Junction Transistor [BJT]
- H01L2924/13055—Insulated gate bipolar transistor [IGBT]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
- H01L2924/1304—Transistor
- H01L2924/1306—Field-effect transistor [FET]
- H01L2924/13091—Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor [MOSFET]
Landscapes
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Conversion In General (AREA)
- Switches Operated By Changes In Physical Conditions (AREA)
- Connecting Device With Holders (AREA)
- Connector Housings Or Holding Contact Members (AREA)
- Secondary Cells (AREA)
- Rectifiers (AREA)
- Measuring Fluid Pressure (AREA)
- Arrangements For Transmission Of Measured Signals (AREA)
- Motor Or Generator Frames (AREA)
- Casings For Electric Apparatus (AREA)
- Sealing Battery Cases Or Jackets (AREA)
Abstract
Es wird ein Umrichter beschrieben, der in Druckkontaktierung ausgeführt ist und der durch die Gestaltung einer Druckplatte (9) einen konstanten Druck auf alle Innenaufbauten nach deren Montage ausübt, wodurch ein guter Wärmeabfluß auf eine Kühleinrichtung bei allen Temperaturbelastungen erreicht wird. DOLLAR A Der konstante Druck wird erfindungsgemäß dadurch erreicht, daß das Gehäuse (8) mit seinen Druckelementen (12) durch eine erfinderische Druckplatte (9) mit einem zwischengelegten partiellen Druckspeicher (17) überdeckt wird.
Description
Die Erfindung beschreibt eine Leistungshalbleiterschaltungsanordnung, insbesondere in der
Form von Stromrichtern der Leistungsklasse, nach dem Oberbegriff des Anspruches 1, die in
ihrer Ausführung zumindest teilweise für Druckkontaktaufbauten geeignet ist.
Druckkontaktverbindungen sind aus der Technologie der Herstellung von Halbleitermodulen
bzw. -schaltungen als Verbindungstechnik hinlänglich bekannt.
Die Kontaktsicherheit von Druckkontaktaufbauten ist bei Dauer- oder Wechsellastbetrieb von
entscheidender Bedeutung für die Funktionssicherheit der Schaltungsanordnung. Alle äußeren
Anschlüsse müssen bei wechselnden thermischen und elektrischen Belastungen immer einen
sicheren Kontakt zu den internen Kontaktstellen aller Anschlüsse der Schaltungsanordnung
gewährleisten. Bei formschlüssigen Kontakten wird durch das Erlahmen der Druckkräfte eine
Funktionsstörung des gesamten Aufbaus in realer Zeit verursacht. Zur Erzielung einer höheren
Lebensdauer sind aus der Literatur zu dieser Problematik viele Bemühungen durch deren
Beschreibungen bekannt. Um das Erreichen einer unbegrenzten Lebensdauer wird gerungen.
Die Technologie der Druckkontaktierung ist, bedingt durch die Erfordernisse der
Hermetisierung gegenüber der Atmosphäre, wiederholt Gegenstand der beschriebenen
Forschung durch Schaffen aller Voraussetzungen für eine praktizierbare Technik gewesen.
In DE 35 08 456 A1 wird ein Druckkontaktaufbau und dessen Verfahren zur Herstellung von
Leistungshalbleitermodulen beschrieben. Durch justierte Verschraubungen wird die in dem
Gehäuse vorhandene innere Spannkraft zum Drücken der Isolierkeramik bzw. der
Leistungshalbleiter auf die Kühlfläche herangezogen. Das Nachlassen der Spannkraft des
Gehäuses als Element des Druckaufbaues spricht gegen eine lange Lebensdauer der so
aufgebauten Module, da hier kein weiterer Druckenergiespeicher vorgesehen ist.
In DE 41 22 428 A1 wird ein als Druckspeicher fungierendes Kissenelement in die Schaltungs
anordnung eingebaut. Dieses Kissenelement liegt auf einem Brückenelement, das die
schaltungsinternen Bauteile fixiert und darauf Druck ausübt. Die mechanische Stabilität des
Brückenelementes wird durch eine Druckplatte oberhalb des Kissenelementes erzeugt, wobei
deren Verschraubung mit dem Kühlelement einen statischen Druck aufbaut. Durch diese
Dreifachkombination wird eine aufwendige, aber funktionell sehr gut arbeitende Lösung
erzielt, ein Erlahmen des Kissenelementes als Druckspeicher ist im Langzeitverhalten denkbar.
DE 41 31 200 C2 stellt eine Schaltungsanordnunng vor, bei der eine Andrückvorrichtung für
einen Druckkontakt aus einem Brückenelement besteht, das mit entsprechenden Erhebungen
und Einsenkungen ausgebildet ist und mit dem die schaltungsgerechten elektrischen
Verbindungen und thermischen Kontakte der Aufbauteile nach Druckbeaufschlagung
hergestellt werden. Die Andrückvorrichtung ist aus einem Kunststoff geformt, der im
laufenden Betrieb einer Alterung unterliegt, was einen sehr massigen Aufbau bedingt.
In einer früheren Anmeldung, der DE 195 31 496 C1, wird ein druckgebendes Gehäuse mit
gleichartig ausgebildeten Drucklippen vorgestellt, wodurch bei Beachtung der übrigen
Aufbauvorschriften eine gleichartige Druckverteilung auf alle Verlustwärme erzeugenden
Bauteile des Moduls gegeben ist, dabei wird jedes einzelne Bauteil federnd gedrückt. Für sehr
große Flächendrücke ist eine solche Drucklippenfederung jedoch nicht geeignet. Auch hier
können durch Alterung Druckminderungen durch Fließen des Kunststoffes auftreten, was eine
sehr massige Ausführung erforderlich macht und die erwähnte Begrenzung auf Bereiche mit
kleinerem Flächendruck begründet.
DE 196 30 173 A1 trägt den möglichen Langzeitinstabilitäten der beiden vorgenannten
Veröffentlichungen dadurch Rechnung, daß Verstärkungen in dem Druckstück aus Kunststoff
ausgebildet worden sind. Der Druckspeicher ist hier mittig angeordnet, um von dem Zentrum
aus eine gleichmäßige Druckverteilung zu erreichen.
DE 196 51 632 A1 schlägt als druckgebendes Aufbauelement eine Dehnschraube vor, die bei
den unterschliedlichen Temperaturen der Schaltungsanordnung für einen Innendruck in den
technologisch festgelegten Grenzen sorgt. Diese dynamische Druckangleichung besitzt
insbesondere für Schaltungsanordnungen sehr hoher Leistungen Vorteile und eine unbegrenzte
Lebensdauer bezüglich eines konstanten Druckes aller Aufbauteile kann erwartet werden.
Dieser Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, einen Umrichter mit einer einfach zu
realisierenden Schaltungsanordnung für Leistungshalbleiterbauelemente sehr hoher
Packungsdichte mit hoher Zuverlässigkeit in Druckkontaktausführung mit einer Druckplatte
vorzustellen, die zuverlässig eine Langzeitlebensdauer garantiert.
Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß durch die Maßnahmen des kennzeichnenden Teiles des
Anspruches 1 gelöst, bevorzugte Weiterbildungen sind in den Unteransprüchen beschrieben.
Die Grenzen der möglichen Leistungsdichte einer Leistungshalbleiterschaltungsanordnung für
Stromumrichter in Druckkontaktausführung wurden und werden durch die dauerhafte und
gleichförmige Funktionssicherheit der kontaktierten Leistungshalbleiterbauelemente bzw. der
daraus aufgebauten Modulplättchen mit den äußeren Starkstromanschlüssen bestimmt. Der
ohmsche Kontakt aller sekundären Verbindungselemente und ein guter Abtransport der im
Betrieb entstehenden Verlustwärme zu Kühlelementen sind die zwingenden Voraussetzungen
für eine zuverlässige Langzeitqualität in Druckkontaktausführung.
Sichere Druckkontakte verlangen in jedem Betriebszustand eine definierte und immer in
vorgegebenen Grenzen gehaltene Andrückkraft zur Vermeidung von überhöhten elektrischen
und thermischen Übergangswiderständen einerseits oder Druckdeformierungen andererseits.
Dazu ist der Einsatz von Druckspeichern erforderlich.
Einerseits werden elektrisch sichere Kontakte an allen Kontaktstellen benötigt, es muß durch
die Montageelemente folglich ein gleichmäßiger Druckaufbau erreicht werden, also eine gute
Druckverteilung zu allen Druckkontaktstellen erfolgen: Andererseits muß bei Verwendung von
federnden Verbindungen an jeder einzelnen Kontaktstelle für ein dynamisches Verhalten der
einzelnen gedrückten Kontaktstellen und der Druckkontaktelemente bei von einander
unterschiedlicher thermischer und elektrischer Belastung gesorgt werden. Die Alterung der
Druckkontaktelemente muß vermieden werden, das wird durch den erfinderischen Aufbau
realisiert.
Weiterhin muß der Widerspruch zwischen dem plastischen Verhalten, der wegen seiner
elektrischen Isolierfähigkeit aus Kunststoff hergestellten druckgebenden Gehäuse oder
Brückenelemente insbesondere bei wechselnder Temperaturbelastung, und der elektrisch
leitenden Materialien mit deren elastischen Eigenschaften gelöst werden. Durch die
erforderliche Verwendung unterschiedlicher Materialien als Aufbauelemente des drückenden
Systems ergeben sich darüber hinaus unterschiedliche Ausdehnungen.
Die Kombination von zwei nach dem Stand der Technik bekannten Werkstoffen (Metall und
Kunststoff) erbringt eine zielgerichtete Lösung in der Anwendung zur Herstellung von
gekapselten Schaltungsanordnungen. Dabei wird die einfache Kombination und das Verfahren
zum Umspritzen von metallischen Materialien in gleicher Weise als Stand der Technik
angesehen, denn diese Technologie spiegelt sich verbreitet in vielen Produkten wieder.
Die vorliegende Erfindung setzt Stahl als metallische Komponente ein, der mit Kunststoff
umhüllt wird. Die Formgebung des Stahles ist aufgabenbezogen sehr vielfältig. Eine auf das
Gehäuse, bzw. das druckgebende Brückenelement, bezogene flächige oder partiell flächige
Formgebung mit Durchbrüchen für ein bündiges Umschließen mittels Kunststoff und zur
Herstellung von isolierten Durchführungen von elektrischen Verbindungselementen sind
stanztechnisch kostengünstig herstellbar und für den Einsatz in Schaltungsanordnungen der
Leistungsklasse von großem Vorteil.
Der Stahl kann für seinen erfinderischen Einsatz räumliche Ausformungen erhalten, wodurch
sich die flächige Stabilität erhöht und er erhält Noppen und Nasen zur stabilen formschlüssigen
Verbindung mit dem Kunststoff. Als Kunststoff haben sich organische Polymere mit einem
relativ hohen Anteil von meist anorganischen Füllstoffen in der Praxis bestens bewährt. Dabei
wird die Wahl des Kunststoffes neben den wirtschaftlichen Aspekten von dessen elektrischer
Isolierfähigkeit und mechanischer Dauerbeständigkeit gegen äußere Einflüsse bestimmt. Der
Kunststoff darf in seinen Eigenschaften nur minimale inbesondere druckbedingte
Formveränderungen aufweisen.
Durch den Einsatz des erfinderischen Verbundmaterials ist sichergestellt, daß die Druckkon
taktierung bei Dauer- oder Wechselbelastung über die gesamte Betriebszeit der Anordnung
nicht nennenswert ermüdet. Dabei muß der Stahl in seinem inneren Aufbau so gestaltet sein,
daß bei temperaturmäßiger Wechselbelastung die durch Erweichen des Kunststoffes bei
höherer Temperatur nachlassenden Druck- bzw. Zugkräfte ausgeglichen werden.
Die temperaturbedingten Biegekräfte sind in engen Toleranzbereichen an allen Druckkontakt
stellen mit dem erforderlichen Anpreßdruck bei allen Betriebszuständen so zu gestalten, daß
jede einzelne Kontaktstelle sicher kontaktiert wird und nicht durch sich aufbauende überhöhte
Druckbelastungen an einzelnen Kontaktstellen eine mechanische Zerstörung des Aufbaus
erfolgt. Zum internen Druckausgleich und zur Pufferung der Druckelemente wird ein
Kissenelement, wie es nach dem Stand der Technik beschrieben ist, verwendet.
Der Erfindungsgedanke soll nachfolgend in Figuren veranschaulicht werden.
Fig. 1 skizziert einen Querschnitt einer erfinderischen Druckplatte.
Fig. 2 zeigt eine Anwendungsvariante für den Verbundstoff in räumlicher Darstellung.
Fig. 3 stellt einen Aufbauquerschnitt nach Fig. 2 dar.
Fig. 1 skizziert einen Querschnitt einer erfinderischen Druckplatte (9). Ein in der Elektronik
bekannter Kunststoff (1) mit den in dieser Branche geforderten Eigenschaften wird in
Spritzverfahren zur Ummantelung einer Metallseele (2) herangezogen. Dabei kann der -
Kunststoff (1) aus verschiedenen organischen Verbindungen mit oder ohne Füllstoff gebildet
sein. Als Kunststoff eignen sich hervorragend Polybutylentherephthalat (mit dem Handels
namen Crastin), Polyphenyläther (mit dem Handelsnamen Noryl), Polyphenylsulfid (mit dem
Handelsnamen Ryton) oder Poliamid (mit dem Handelsnamen Ultramid). Der Kunststoff (1)
kann an der den Innenaufbauten zugewandten Seite Drucknoppen zur Druckübertragung
besitzen.
Der Füllstoff in dem Kunststoff (1) ist abhängig von den gewünschten Eigenschaften nach dem
Umspritzen der Metallseele (2). Von 0% bis zu 50% Anteil des Füllstoffes am Gesamtgewicht
werden sehr gut reproduzierbare Eigenschaften in der Konstruktion von Gehäuse- oder
Brückenelementen für Leistungshalbleiterschaltungsanordnungen erzielt. Ausschlaggebend für
die Definition der Mixturen sind die Forderungen nach Form- und Biegefestigkeit,
Druckstabilität und Härte.
Die Metallseele (2) wird nach den einzelnen Anwendungsfällen in großer Variationsbreite
gefertigt. Allen Ausführungsformen gemeinsam sind solche Oberflächengestaltungen der sonst
flächigen Blechform mit Noppen, Wällen oder dreidimensionale Stanzausbuchtungen, die ein
zuverlässiges und stabiles Ummanteln mit dem Kunststoff (1) ermöglichen. Die Geometrie der
Metallseele kann in zwei Hauptgruppen aufgegliedert werden. Einerseits solche mit
ganzflächiger Ausdehnung bezogen auf die Gesamtabmessungen und andererseits mit einer
partiellen räumlichen Ausdehnung bezogen auf die Ausdehnungsweite des Kunststoffes. Die
sich daraus ergebende Vielfalt kann nicht in allen Varianten dargestellt werden.
Die Metallseele (1) kann aus unterschiedlichen Materialien mit unterschiedlichem thermischen
Ausdehnungskoeffizienten gebildet werden. Relativ wirtschaftlich und mit einer erprobten
Technologie lieferbar ist Stahl. Sowohl in der Härte als auch in seiner Materialstärke sind
gestellte Forderungen reproduzierbar herzustellen. Die reproduzierbare Variationsbreite bietet
für alle berechneten Anwendungsbeispiele exakt herstellbare Metallseelen für die Druckstücke
oder Gehäusekonstruktionen.
Der Kunststoff (1) erhält erfindungsgemäß mehrere und verschiedenartige Ausbildungen.
Durch Hülsen (3) sind spätere Verschraubungen mit darüber plazierten weiteren Schaltungs
teilen möglich. Mittels gegenüber der Metalleinlage (2) isolierten Durchführugnen (4) können
Kontaktstifte isoliert durch die Druckplatte (9) geführt werden. Zu Vergrößerung der
Isolierstrecken können beidseitig verlängerte Hülsen (5) aus Kunststoff ausgeprägt sein. In
gleicher Weise sind ein- oder beidseitig Noppen (6) aus Kunststoff auszuarbeiten, um beim
späteren Montieren definierte geometrische Anordnungen mit einzelnen Druckpunkten zu
realisieren. In Erweiterung dessen können Arretierungshaken (7) ausgeformt werden, um eine
leichte und geometrisch genaue Positionierung zu realisieren.
Fig. 2 zeigt eine Anwendungsvariante für den Verbundstoff in räumlicher Darstellung. Es wird
das Zusammenwirken der einzelnen Bauteile zu einer funktionsfähigen Einheit skizziert.
Dargestellt ist ein dreiphasiger Umrichter in seiner äußeren Gestaltung, bestehend aus drei
zueinander paßgerechten Modulen. Der eigentliche Umrichter ist durch ein Gehäuse (8)
mechanisch und klimatisch gegen äußere Einflüsse geschützt. Die Versorgungs- bzw.
Laststromanschlüsse (11) sind seitlich angeordnet.
Durch die bereits beschriebene Druckplatte (9) werden die Hauptstromanschlüsse (11) auf die
Druckkontaktstellen des inneren Umrichteraufbaus gedrückt. Der erforderliche Flächendruck
kann bei kleinen Werten durch die Noppen, bei mittlerem und größerem Flächendruck durch
Verschraubungen erzeugt werden. Alle übrigen Kontaktanschlüsse für die Ansteuerung und
Kontrollmessungen des Umrichters werden durch die bereits beschriebenen Hülsen (3, 4, 5) an
die entsprechend ausgebildeten Kontaktierstellen des Umrichters geführt. Auf die Druckplatte
(9) kann der Treiber (10) des Umrichter direkt plaziert werden. Die Hülsen (3, 4, 5) und auch
Noppen (6) sind dabei für eine genaue Lage und exakte Kontaktierung des Treibers (10)
ausgeprägt.
Fig. 3 stellt einen Aufbauquerschnitt nach Fig. 2 dar. Dargestellt ist das Gehäuse (8) des
Umrichters mit entsprechenden Druckelementen (12) und Hülsen (13) für die Durchführung
entsprechender Hilfsanschlüsse, jeweils darüber sind die hier nur in ihren Umrissen skizzierten
Druckplatte (9) und Treiber (10) positioniert.
Die Schaltungsaufbauten des Umrichters in dem Gehäuse (8) bestehen aus
Leistungshalbleiterbauelementen, insbesondere aus Schaltern, wie IGBT oder MOSFET in
möglicher teilweiser Parallelschaltung, die in Antiparallelschaltung zusammen mit
Freilaufdioden Halbbrücken, Eingangsgleichrichter oder Ausgangsgleichrichter für
Leistungsumrichter darstellen können. Die Leistungsbauelemente sind stoffschlüssig; durch
Löten oder stoffbündig auf den entsprechenden Feldern einer Isolierplatte (14) und
untereinander schaltungsgerecht aufgebracht.
Bei der Wahl von geeigneten Keramiken als Isolierplatte (14) ist ein guter Wärmeabtransport
auf darunter zu positionierende Kühleinrichtungen möglich. Das Gehäuse bietet in seinem
Volumen Platz für Sensoren (15), wie sie für die Erfassung von Betriebsparametern des
Umrichters sehr Vorteilhaft eingesetzt werden. Zur Fixierung der Lastanschlüsse und deren
Verbindung zu äußeren Kraftstromverbindern sind in dem Gehäuse (8) entsprechende
Ausbildungen (16) für das Fixieren von Verschraubungen eingearbeitet.
Zwischen Druckplatte (9) und Gehäuse (8) ist an den Stellen einer dynamischen
Druckbelastung ein Druckspeicher (17), beispielhaft in Form eines Silikongummis, positioniert.
Die bereits beschriebene Arretierung (7) sorgt für eine exakte Lage der Bauteile zueinander.
Claims (5)
1. Umrichter bestehend aus mindestens einem Gehäuse (8) mit Druckelementen (12), das eine
Isolierplatte (14) mit der Leistungshalbleiterschaltungsanordnung und Anschlußverbindern
(11) auf Kontaktflächen überdeckt, einer Druckplatte (9) und einem Treiber (10),
dadurch gekennzeichnet, daß
die Druckplatte (9) ein Verbundwerkstoff aus einem Metall (2) mit einer
Kunststoffummantelung (1) ist.
2. Umrichter nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß
das Metall (2) ganzflächig oder mindestens partielle Flächen der flächigen Ausdehnung der
Druckplatte (9) ausfüllt und Ausbildungen auf der Oberfläche wie Erhebungen, Noppen,
Stege oder Profile und/oder Ausbrüche mit verschiedenen Geometrien aufweist.
3. Umrichter nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß
der Kunststoff(1) ein organisches Polymer ohne Füllstoff oder mit anorganischen Füllstoffen
bis zu 50% der Gesamtmasse ist.
4. Umrichter nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß
der Kunststoff(1) Polybutylentherephthalat, Polyphenyläther, Polyphenylsulfid oder
Polyamid ist.
5. Umrichter nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß
das Metall (2) eine Stahllegierung ist.
Priority Applications (9)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19903875A DE19903875C2 (de) | 1999-02-01 | 1999-02-01 | Leistungshalbleiterschaltungsanordnung, insbesondere Stromumrichter, in Druckkontaktierung |
DE50014465T DE50014465D1 (de) | 1999-02-01 | 2000-01-21 | Umrichter in Druckkontaktierung |
DK00101132T DK1026743T3 (da) | 1999-02-01 | 2000-01-21 | Trykkontaktvekselretter |
AT00101132T ATE366997T1 (de) | 1999-02-01 | 2000-01-21 | Umrichter in druckkontaktierung |
PT00101132T PT1026743E (pt) | 1999-02-01 | 2000-01-21 | Conversor com contacto de pressão |
ES00101132T ES2289978T3 (es) | 1999-02-01 | 2000-01-21 | Convertidor con contacto a presion. |
EP00101132A EP1026743B1 (de) | 1999-02-01 | 2000-01-21 | Umrichter in Druckkontaktierung |
JP2000022311A JP4576016B2 (ja) | 1999-02-01 | 2000-01-31 | プレッシャーコンタクティングにおけるコンバータ |
DE2000116306 DE10016306C2 (de) | 1999-02-01 | 2000-03-31 | Leistungshalbleiterschaltungsanordnung, insbesondere Stromumrichter, in Druckkontaktierung |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19903875A DE19903875C2 (de) | 1999-02-01 | 1999-02-01 | Leistungshalbleiterschaltungsanordnung, insbesondere Stromumrichter, in Druckkontaktierung |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE19903875A1 true DE19903875A1 (de) | 2000-08-10 |
DE19903875C2 DE19903875C2 (de) | 2001-11-29 |
Family
ID=7896000
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19903875A Expired - Lifetime DE19903875C2 (de) | 1999-02-01 | 1999-02-01 | Leistungshalbleiterschaltungsanordnung, insbesondere Stromumrichter, in Druckkontaktierung |
DE50014465T Expired - Lifetime DE50014465D1 (de) | 1999-02-01 | 2000-01-21 | Umrichter in Druckkontaktierung |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE50014465T Expired - Lifetime DE50014465D1 (de) | 1999-02-01 | 2000-01-21 | Umrichter in Druckkontaktierung |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
EP (1) | EP1026743B1 (de) |
JP (1) | JP4576016B2 (de) |
AT (1) | ATE366997T1 (de) |
DE (2) | DE19903875C2 (de) |
DK (1) | DK1026743T3 (de) |
ES (1) | ES2289978T3 (de) |
PT (1) | PT1026743E (de) |
Cited By (20)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE10213648A1 (de) * | 2002-03-27 | 2003-10-23 | Semikron Elektronik Gmbh | Leistungshalbleitermodul |
EP1411549A1 (de) * | 2002-10-18 | 2004-04-21 | Semikron Elektronik GmbH Patentabteilung | Leistungshalbleitermodul mit elektrisch leitenden Kohlenstoffnanoröhrchen |
DE10121970B4 (de) * | 2001-05-05 | 2004-05-27 | Semikron Elektronik Gmbh | Leistungshalbleitermodul in Druckkontaktierung |
DE10306643A1 (de) * | 2003-02-18 | 2004-08-26 | Semikron Elektronik Gmbh | Druckkontaktierung für ein Leistungshalbleitermodul |
DE102004021122A1 (de) * | 2004-04-29 | 2005-12-01 | Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg | Anordnung in Druckkontaktierung mit einem Leistungshalbleitermodul |
EP1830404A2 (de) * | 2006-02-13 | 2007-09-05 | SEMIKRON Elektronik GmbH & Co. KG | Leistungshalbleitermodul und zugehöriges Herstellungsverfahren |
EP1843393A2 (de) * | 2006-02-13 | 2007-10-10 | SEMIKRON Elektronik GmbH & Co. KG | Leistungshalbleitermodul in Druckkontaktausführung |
DE102004051039B4 (de) * | 2004-10-20 | 2008-06-26 | Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg | Leistungshalbleitermodul mit Druckkontakteinrichtung |
DE102007026768A1 (de) | 2007-06-09 | 2008-12-11 | Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg | Druckkontaktiertes dreiphasiges Stromrichtermodul |
DE102007054709A1 (de) | 2007-11-16 | 2009-05-28 | Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg | Leistungshalbleitermodul mit einem Substrat und mit einer Druckeinrichtung |
DE102004018476B4 (de) * | 2004-04-16 | 2009-06-18 | Infineon Technologies Ag | Leistungshalbleiteranordnung mit kontaktierender Folie und Anpressvorrichtung |
EP2101352A2 (de) | 2008-03-13 | 2009-09-16 | SEMIKRON Elektronik GmbH & Co. KG | Leistungshalbleitermodul in Druckkontaktausführung |
US7592698B2 (en) | 2006-02-13 | 2009-09-22 | Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg | Power semiconductor modules having a cooling component and method for producing them |
DE102008014112A1 (de) | 2008-03-13 | 2009-10-01 | Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg | Leistungshalbleitermodul in Druckkontaktausführung |
DE102006027481B4 (de) * | 2006-06-14 | 2010-12-23 | Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg | Leistungshalbleitermodul mit gegeneinander elektrisch isolierten Anschlusselementen |
DE102008045615C5 (de) * | 2008-09-03 | 2018-01-04 | Infineon Technologies Ag | Verfahren zur Herstellung eines Leistungshalbleitermoduls |
DE102022206602A1 (de) | 2022-06-29 | 2024-01-04 | Zf Friedrichshafen Ag | Einzelphasenmodul eines Inverters, Inverter und Leistungselektronik |
DE102022206610A1 (de) | 2022-06-29 | 2024-01-04 | Zf Friedrichshafen Ag | Einzelphasenmodul eines Inverters, Inverter und Leistungselektronik |
DE102022206604A1 (de) | 2022-06-29 | 2024-01-04 | Zf Friedrichshafen Ag | Einzelphasenmodul eines Inverters, Inverter und Leistungselektronik |
DE102022206606A1 (de) | 2022-06-29 | 2024-01-04 | Zf Friedrichshafen Ag | Einzelphasenmodul eines Inverters, Inverter und Leistungselektronik |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE10317276A1 (de) * | 2003-04-11 | 2004-10-21 | E.G.O. Elektrogerätebau GmbH | Anordnung von Schalteinrichtungen |
DE102008018793B3 (de) | 2008-04-15 | 2009-11-12 | Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg | Anordnung in Druckkontaktausführung mit einem Leistungshalbleitermodul |
DE102009057146B4 (de) * | 2009-12-05 | 2013-09-26 | Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg | Druckkontaktiertes Leistungshalbleitermodul mit Hybriddruckspeicher |
DE102010062556A1 (de) | 2010-12-07 | 2012-06-14 | Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg | Halbleiterschaltungsanordnung |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4538171A (en) * | 1980-10-30 | 1985-08-27 | Cableform Limited | High power semiconductor heat sink assembly |
DE3508456A1 (de) * | 1985-03-09 | 1986-09-11 | Brown, Boveri & Cie Ag, 6800 Mannheim | Leistungshalbleitermodul |
DE4122428A1 (de) * | 1991-04-08 | 1993-01-28 | Export Contor Aussenhandel | Schaltungsanordnung |
DE4131200C2 (de) * | 1991-09-19 | 1995-05-11 | Export Contor Ausenhandelsgese | Schaltungsanordnung |
DE19531496C1 (de) * | 1995-08-26 | 1996-11-14 | Semikron Elektronik Gmbh | Leistungshalbleitermodul, insb. Stromumrichter mit Folienverbund als isolierendes Substrat |
DE19630173A1 (de) * | 1996-07-26 | 1998-01-29 | Semikron Elektronik Gmbh | Leistungsmodul mit Halbleiterbauelementen |
DE19651632A1 (de) * | 1996-12-12 | 1998-06-18 | Semikron Elektronik Gmbh | Leistungshalbleitermodul |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3521572A1 (de) * | 1985-06-15 | 1986-12-18 | Brown, Boveri & Cie Ag, 6800 Mannheim | Leistungshalbleitermodul mit keramiksubstrat |
US4839227A (en) * | 1987-03-12 | 1989-06-13 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Resilient electrically and thermally conductive flexible composite |
JP3239642B2 (ja) * | 1994-10-18 | 2001-12-17 | 株式会社エンプラス | フレキシブルプリント配線板の接続端子押圧装置 |
JPH10325649A (ja) * | 1997-05-27 | 1998-12-08 | Showa Alum Corp | 蒸発器 |
DE19732738A1 (de) * | 1997-07-30 | 1999-02-04 | Asea Brown Boveri | Leistungshalbleiterbauelemente mit druckausgleichender Kontaktplatte |
DE19834800C1 (de) * | 1998-08-01 | 1999-10-28 | Semikron Elektronik Gmbh | Leistungshalbleiterschaltungsanordnung |
-
1999
- 1999-02-01 DE DE19903875A patent/DE19903875C2/de not_active Expired - Lifetime
-
2000
- 2000-01-21 DE DE50014465T patent/DE50014465D1/de not_active Expired - Lifetime
- 2000-01-21 DK DK00101132T patent/DK1026743T3/da active
- 2000-01-21 ES ES00101132T patent/ES2289978T3/es not_active Expired - Lifetime
- 2000-01-21 PT PT00101132T patent/PT1026743E/pt unknown
- 2000-01-21 EP EP00101132A patent/EP1026743B1/de not_active Expired - Lifetime
- 2000-01-21 AT AT00101132T patent/ATE366997T1/de active
- 2000-01-31 JP JP2000022311A patent/JP4576016B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4538171A (en) * | 1980-10-30 | 1985-08-27 | Cableform Limited | High power semiconductor heat sink assembly |
DE3508456A1 (de) * | 1985-03-09 | 1986-09-11 | Brown, Boveri & Cie Ag, 6800 Mannheim | Leistungshalbleitermodul |
DE4122428A1 (de) * | 1991-04-08 | 1993-01-28 | Export Contor Aussenhandel | Schaltungsanordnung |
DE4131200C2 (de) * | 1991-09-19 | 1995-05-11 | Export Contor Ausenhandelsgese | Schaltungsanordnung |
DE19531496C1 (de) * | 1995-08-26 | 1996-11-14 | Semikron Elektronik Gmbh | Leistungshalbleitermodul, insb. Stromumrichter mit Folienverbund als isolierendes Substrat |
DE19630173A1 (de) * | 1996-07-26 | 1998-01-29 | Semikron Elektronik Gmbh | Leistungsmodul mit Halbleiterbauelementen |
DE19651632A1 (de) * | 1996-12-12 | 1998-06-18 | Semikron Elektronik Gmbh | Leistungshalbleitermodul |
Cited By (44)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE10121970B4 (de) * | 2001-05-05 | 2004-05-27 | Semikron Elektronik Gmbh | Leistungshalbleitermodul in Druckkontaktierung |
US6881071B2 (en) | 2001-05-05 | 2005-04-19 | Semikron Elektronik Gmbh | Power semiconductor module with pressure contact means |
DE10213648B4 (de) * | 2002-03-27 | 2011-12-15 | Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg | Leistungshalbleitermodul |
DE10213648A1 (de) * | 2002-03-27 | 2003-10-23 | Semikron Elektronik Gmbh | Leistungshalbleitermodul |
EP1411549A1 (de) * | 2002-10-18 | 2004-04-21 | Semikron Elektronik GmbH Patentabteilung | Leistungshalbleitermodul mit elektrisch leitenden Kohlenstoffnanoröhrchen |
US6831359B2 (en) | 2002-10-18 | 2004-12-14 | Semikron Elektronik Gmbh | Power semiconductor module |
DE10306643B4 (de) * | 2003-02-18 | 2005-08-25 | Semikron Elektronik Gmbh | Anordnung in Druckkontaktierung mit einem Leistungshalbleitermodul |
US6979204B2 (en) | 2003-02-18 | 2005-12-27 | Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg | Pressure piece for use in a power semiconductor module |
DE10306643A1 (de) * | 2003-02-18 | 2004-08-26 | Semikron Elektronik Gmbh | Druckkontaktierung für ein Leistungshalbleitermodul |
US7557442B2 (en) | 2004-04-16 | 2009-07-07 | Infineon Technologies Ag | Power semiconductor arrangement |
DE102004018476B4 (de) * | 2004-04-16 | 2009-06-18 | Infineon Technologies Ag | Leistungshalbleiteranordnung mit kontaktierender Folie und Anpressvorrichtung |
DE102004021122A1 (de) * | 2004-04-29 | 2005-12-01 | Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg | Anordnung in Druckkontaktierung mit einem Leistungshalbleitermodul |
DE102004021122B4 (de) * | 2004-04-29 | 2007-10-11 | Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg | Anordnung in Druckkontaktierung mit einem Leistungshalbleitermodul |
DE102004051039B4 (de) * | 2004-10-20 | 2008-06-26 | Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg | Leistungshalbleitermodul mit Druckkontakteinrichtung |
EP1843393A3 (de) * | 2006-02-13 | 2008-04-30 | SEMIKRON Elektronik GmbH & Co. KG | Leistungshalbleitermodul in Druckkontaktausführung |
EP1830404A3 (de) * | 2006-02-13 | 2008-05-07 | SEMIKRON Elektronik GmbH & Co. KG | Leistungshalbleitermodul und zugehöriges Herstellungsverfahren |
US7592698B2 (en) | 2006-02-13 | 2009-09-22 | Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg | Power semiconductor modules having a cooling component and method for producing them |
DE102006006424B4 (de) * | 2006-02-13 | 2011-11-17 | Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg | Anordnung mit mindestens einem Leistungshalbleitermodul und einem Kühlbauteil und zugehöriges Herstellungsverfahren |
DE102006006423B4 (de) * | 2006-02-13 | 2009-06-10 | Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg | Leistungshalbleitermodul und zugehöriges Herstellungsverfahren |
DE102006006425B4 (de) * | 2006-02-13 | 2009-06-10 | Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg | Leistungshalbleitermodul in Druckkontaktausführung |
EP1843393A2 (de) * | 2006-02-13 | 2007-10-10 | SEMIKRON Elektronik GmbH & Co. KG | Leistungshalbleitermodul in Druckkontaktausführung |
EP1830404A2 (de) * | 2006-02-13 | 2007-09-05 | SEMIKRON Elektronik GmbH & Co. KG | Leistungshalbleitermodul und zugehöriges Herstellungsverfahren |
US7683472B2 (en) | 2006-02-13 | 2010-03-23 | Semikron Electronik Gmbh & Co. Kg | Power semiconductor modules and method for producing them |
US7589418B2 (en) | 2006-02-13 | 2009-09-15 | Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg | Pressure contact power semiconductor module |
DE102006027481C5 (de) * | 2006-06-14 | 2012-11-08 | Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg | Leistungshalbleitermodul mit gegeneinander elektrisch isolierten Anschlusselementen |
DE102006027481B4 (de) * | 2006-06-14 | 2010-12-23 | Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg | Leistungshalbleitermodul mit gegeneinander elektrisch isolierten Anschlusselementen |
US8338942B2 (en) | 2006-06-14 | 2012-12-25 | Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg | Power semiconductor module with connection elements electrically insulated from one another |
DE102007026768A1 (de) | 2007-06-09 | 2008-12-11 | Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg | Druckkontaktiertes dreiphasiges Stromrichtermodul |
EP2003693A2 (de) | 2007-06-09 | 2008-12-17 | SEMIKRON Elektronik GmbH & Co. KG | Druckkontaktiertes dreiphasiges Stromrichtermodul |
DE102007054709B4 (de) * | 2007-11-16 | 2014-11-13 | Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg | Leistungshalbleitermodul mit einem Substrat und mit einer Druckeinrichtung |
US8203205B2 (en) | 2007-11-16 | 2012-06-19 | Semikron Elektronik Gmbh & Co, Kg | Power semiconductor module having a substrate and a pressure device |
DE102007054709A1 (de) | 2007-11-16 | 2009-05-28 | Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg | Leistungshalbleitermodul mit einem Substrat und mit einer Druckeinrichtung |
EP2091080A1 (de) * | 2007-11-16 | 2009-08-19 | SEMIKRON Elektronik GmbH & Co. KG | Leistungshalbleitermodul mit einem Substrat und einer Druckeinrichtung |
DE102008014113B4 (de) * | 2008-03-13 | 2014-04-03 | Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg | Leistungshalbleitermodul in Druckkontaktausführung |
DE102008014113A1 (de) | 2008-03-13 | 2009-11-05 | Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg | Leistungshalbleitermodul in Druckkontaktausführung |
EP2101352A2 (de) | 2008-03-13 | 2009-09-16 | SEMIKRON Elektronik GmbH & Co. KG | Leistungshalbleitermodul in Druckkontaktausführung |
DE102008014112A1 (de) | 2008-03-13 | 2009-10-01 | Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg | Leistungshalbleitermodul in Druckkontaktausführung |
DE102008045615C5 (de) * | 2008-09-03 | 2018-01-04 | Infineon Technologies Ag | Verfahren zur Herstellung eines Leistungshalbleitermoduls |
DE102022206602A1 (de) | 2022-06-29 | 2024-01-04 | Zf Friedrichshafen Ag | Einzelphasenmodul eines Inverters, Inverter und Leistungselektronik |
DE102022206610A1 (de) | 2022-06-29 | 2024-01-04 | Zf Friedrichshafen Ag | Einzelphasenmodul eines Inverters, Inverter und Leistungselektronik |
DE102022206604A1 (de) | 2022-06-29 | 2024-01-04 | Zf Friedrichshafen Ag | Einzelphasenmodul eines Inverters, Inverter und Leistungselektronik |
DE102022206606A1 (de) | 2022-06-29 | 2024-01-04 | Zf Friedrichshafen Ag | Einzelphasenmodul eines Inverters, Inverter und Leistungselektronik |
DE102022206606B4 (de) | 2022-06-29 | 2024-03-21 | Zf Friedrichshafen Ag | Einzelphasenmodul eines Inverters, Inverter und Leistungselektronik |
DE102022206604B4 (de) | 2022-06-29 | 2024-05-02 | Zf Friedrichshafen Ag | Einzelphasenmodul eines Inverters, Inverter und Leistungselektronik |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
ES2289978T3 (es) | 2008-02-16 |
DK1026743T3 (da) | 2007-11-05 |
DE50014465D1 (de) | 2007-08-23 |
EP1026743B1 (de) | 2007-07-11 |
EP1026743A3 (de) | 2003-07-09 |
JP2000223180A (ja) | 2000-08-11 |
ATE366997T1 (de) | 2007-08-15 |
JP4576016B2 (ja) | 2010-11-04 |
PT1026743E (pt) | 2007-10-19 |
EP1026743A2 (de) | 2000-08-09 |
DE19903875C2 (de) | 2001-11-29 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE19903875C2 (de) | Leistungshalbleiterschaltungsanordnung, insbesondere Stromumrichter, in Druckkontaktierung | |
DE19630173C2 (de) | Leistungsmodul mit Halbleiterbauelementen | |
EP1818982B1 (de) | Anordnung mit mindestens einem Leistungshalbleitermodul und einem Kühlbauteil und zugehöriges Herstellungsverfahren | |
DE112004002395B4 (de) | Elektronische Kontrolleinheit für Kraftfahrzeugbremssysteme | |
EP1697175B1 (de) | Steuergeräteeinheit und verfahren zur herstellung derselben | |
EP1830404B1 (de) | Leistungshalbleitermodul | |
DE102007014789B3 (de) | Anordnung mindestens eines Leistungshalbleitermoduls und einer Leiterplatte und Leistungshalbleitermodul | |
EP1868243A1 (de) | Leistungshalbleitermodul mit gegeneinander elektrisch isolierten Anschlusselementen | |
DE102016112777A1 (de) | Leistungshalbleitereinrichtung | |
EP1791178B1 (de) | Leistungshalbleitermodul in Druckkontaktausführung | |
DE102013002629A1 (de) | Deckelelement und Gehäusevorrichtung zur Verwendung des Deckelelements | |
DE102019111145A1 (de) | Leistungshalbleitermodul und Verfahren zur Anordnung dieses Leistungshalbleitermoduls auf einem Motor | |
DE19651632C2 (de) | Leistungshalbleitermodul | |
DE102007045261A1 (de) | Elektrisches Gerät, insbesondere Steuergerät für ein Kraftfahrzeug | |
EP2019424B1 (de) | Leistungshalbleitermodul mit Dichteinrichtung zum Substratträger und Herstellungsverfahren hierzu | |
EP2045841A1 (de) | Leistungshalbleitermodul mit Verbindungseinrichtungen | |
DE102020206464A1 (de) | Verfahren zur Herstellung eines Halbbrückenmoduls, eines Inverters, Halbbrückenmodul und Inverter | |
DE10016306C2 (de) | Leistungshalbleiterschaltungsanordnung, insbesondere Stromumrichter, in Druckkontaktierung | |
DE19834800C1 (de) | Leistungshalbleiterschaltungsanordnung | |
DE102012209034A1 (de) | Elektronikmodul sowie Verfahren zur Herstellung eines solchen Elektronikmoduls, sowie elektronisches Steuergerät mit einem solchen Elektronikmodul | |
EP1950807B1 (de) | Leistungshalbleitermodul mit Druckkörper | |
DE102006014145C5 (de) | Druck kontaktierte Anordnung mit einem Leistungsbauelement, einem Metallformkörper und einer Verbindungseinrichtung | |
EP3688429B1 (de) | Sensor mit anpressfederung | |
DE112022001424T5 (de) | Elektrischer schaltungskörper und leistungswandlungsvorrichtung | |
DE102018102002A1 (de) | Verfahren zur Herstellung eines Leistungshalbleitermoduls und Leistungshalbleitermodul |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
OP8 | Request for examination as to paragraph 44 patent law | ||
AF | Is addition to no. |
Ref document number: 10016306 Country of ref document: DE |
|
AF | Is addition to no. |
Ref document number: 10016306 Country of ref document: DE |
|
D2 | Grant after examination | ||
8364 | No opposition during term of opposition | ||
AF | Is addition to no. |
Ref document number: 10016306 Country of ref document: DE |
|
8327 | Change in the person/name/address of the patent owner |
Owner name: SEMIKRON ELEKTRONIK GMBH & CO. KG, 90431 NUERNBERG, |
|
R071 | Expiry of right |