DE19900816C2 - Vertikalresonator-Laserdiode mit optimierter aktiver Fläche, sowie Laserzeiger oder Laserpointer - Google Patents
Vertikalresonator-Laserdiode mit optimierter aktiver Fläche, sowie Laserzeiger oder LaserpointerInfo
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Description
Claims (12)
- - zwischen einer ersten Bragg-Reflektor-Schichtenfolge (2) und einer zweiten Bragg-Reflektor-Schichtenfolge (4), von denen jede eine Mehrzahl von Spiegelpaaren (22, 44) auf weist, eine aktive Schichtenfolge (3) zur Erzeugung von Laserstrahlung (6) angeordnet ist,
- - die beiden Bragg-Reflektor-Schichtenfolgen (2, 4) einen Laser-Resonator bilden,
- - die beiden Bragg-Reflektor-Schichtenfolgen (2, 4) und die aktive Schichtenfolge (3) zwischen einer ersten (7) und einer zweiten elektrischen Kontaktschicht (8) angeordnet sind,
- - eine (4) der beiden Bragg-Reflektor-Schichtenfolgen (2, 4) für die in der aktiven Schichtenfolge (3) erzeugte Laser strahlung teildurchlässig ist,
- - in der einen (4) der beiden Bragg-Reflektor-Schichtenfol gen (2, 4) mindestens eine Stromapertur (41, 42) zur Be grenzung des gepumpten aktiven Bereiches (3b) der aktiven Schichtenfolge (3) durch Bündelung des im Betrieb der Ver tikalresonator-Laserdiode durch die aktive Schichtenfolge (3) fließenden Betriebsstroms vorgesehen ist,
- - die Stromdurchlassöffnung der mindestens einen Stromaper tur (41, 42) eine solche Geometrie aufweist, daß der von ihr definierte aktive Bereich (3b) der aktiven Schicht folge (3) die Form eines zu erzeugenden optischen Lichtmu sters aufweist.
- - eine Mehrzahl von Stromaperturen (41, 42) mit unterschied lich großen Stromdurchlaßöffnungen vorgesehen ist und die Größen der Stromdurchlaßöffnungen in Richtung von der ak tiven Schichtenfolge weg zu der einen (4) der Bragg-Re flektor-Schichtenfolgen hin zunehmen und der aktive Be reich von der untersten Stromapertur (42) definiert wird.
- - die die mindestens eine Stromapertur (41, 42) enthaltende Schicht der einen Bragg-Reflektor-Schichtenfolge (4) ein oxidierbares elektrisch leitendes Material aufweist.
- - die Spiegelpaare (44) der einen Bragg-Reflektor-Schichten folge (4) jeweils aus zwei AlGaAs-Schichten unterschiedli cher Al-Konzentration und somit unterschiedlicher Band lücke bestehen und die die mindestens eine Stromapertur (41, 42) enthaltende Schicht der einen Bragg-Reflektor- Schichtenfolge (4) eine relativ hohe Al-Konzentration auf weist.
- - die mindestens eine Stromapertur (41, 42) durch Protonen- oder Ionenimplantation hergestellt ist.
- - an einer Lichtaustrittsöffnung der Laserdiode (1) optisch absorbierende Strukturen (7a) angeordnet sind.
- - die Lichtaustrittsöffnung in der ersten Kontaktschicht (7) gebildet ist und die optisch absorbierenden Strukturen (7a) Teil der ersten Kontaktschicht (7) sind.
- - sie aus einer Mehrzahl aktiver Bereiche (1A, 1B, 1C) be steht, die auf ein- und demselben Substrat (6) angeordnet sind.
- - die aktiven Bereiche (1A, 1B, 1C) jeweils eine erste Kon taktschicht (7) aufweisen und die Kontaktschichten (7) mit einer gemeinsamen Metallfläche (71) zur elektrischen Kon taktierung verbunden sind.
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