DE19843479A1 - Halbleiterbauelement - Google Patents

Halbleiterbauelement

Info

Publication number
DE19843479A1
DE19843479A1 DE19843479A DE19843479A DE19843479A1 DE 19843479 A1 DE19843479 A1 DE 19843479A1 DE 19843479 A DE19843479 A DE 19843479A DE 19843479 A DE19843479 A DE 19843479A DE 19843479 A1 DE19843479 A1 DE 19843479A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
plate
heat
housing
conducting plate
semiconductor chip
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Ceased
Application number
DE19843479A
Other languages
English (en)
Inventor
Jens Pohl
Simon Muff
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Infineon Technologies AG
Original Assignee
Siemens AG
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Siemens AG filed Critical Siemens AG
Priority to DE19843479A priority Critical patent/DE19843479A1/de
Publication of DE19843479A1 publication Critical patent/DE19843479A1/de
Ceased legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/495Lead-frames or other flat leads
    • H01L23/49568Lead-frames or other flat leads specifically adapted to facilitate heat dissipation
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/31Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
    • H01L23/3107Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed
    • H01L23/3121Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed a substrate forming part of the encapsulation
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/36Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/495Lead-frames or other flat leads
    • H01L23/49541Geometry of the lead-frame
    • H01L23/49548Cross section geometry
    • H01L23/49551Cross section geometry characterised by bent parts
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/05Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
    • H01L2224/0554External layer
    • H01L2224/0555Shape
    • H01L2224/05552Shape in top view
    • H01L2224/05554Shape in top view being square
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/05Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
    • H01L2224/0554External layer
    • H01L2224/05599Material
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/49Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H01L2224/491Disposition
    • H01L2224/4912Layout
    • H01L2224/49171Fan-out arrangements
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H01L2224/8538Bonding interfaces outside the semiconductor or solid-state body
    • H01L2224/85399Material
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L24/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L24/49Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00014Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Geometry (AREA)
  • Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

Es wird ein Bauelement vorgesehen, das einen Halbleiterchip aufweist, der auf einer Trageplatte angeordnet ist, wobei Anschlußelemente, die in die Nähe des Halbleiterchips heran geführt sind, an ihrem Ende in der Nähe des Halbleiterchips derart abgebogen sind, daß sie die Trageplatte berühren.

Description

Die Erfindung betrifft ein Halbleiterbauelement gemäß Patent­ anspruch 1.
Mit steigender Leistungsfähigkeit der Halbleiterbauelemente wächst das Problem, daß innerhalb des Gehäuses zunehmend Ver­ lustwärme entsteht, die abgeführt werden muß. Übliche Baufor­ men von Halbleiterbauelementen weisen Zuführelemente, soge­ nannte Leads auf, die von außerhalb in das Gehäuse des Haupt­ bauelementes in die Nähe des Halbleiterchips herangeführt sind, und mit diesem elektrisch kontaktiert sind. Der Halb­ leiterchip wiederum ist entweder direkt mit diesen sogenann­ ten Leads verbunden oder auf einer Trageplatte angeordnet. Weiterhin besteht des Gehäuse hinterer Bauform häufig aus ei­ ner Kunststoffpreßmasse über die die entstehende Wärme nicht ausreichend abgeführt werden kann. Nunmehr ist oftmals zu­ sätzlich vorgesehen, daß die vom Halbleiterchip erzeugte Wär­ me über die Leads oder über das Trageelement abgeführt wird. Hierbei tritt die Schwierigkeit auf, die Rückseite des Trage­ elemetes nachträglich galvanisch zu bearbeiten.
Daher liegt der Erfindung zugrunde, ein Halbleiterbauelement vorzusehen, bei dem eine Trageplatte zur Wärmeabfuhr vorgese­ hen ist, die nachträglich galvanisch bearbeitbar ist.
Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß mit den im Patentanspruch 1 angegebenen Maßnahmen gelöst.
Insbesondere das Vorsehen des Halbleiterchip auf einer wärme­ leitenden Platte und durch die zusätzliche Maßnahme, daß ein Zuführelement das mit der wärmeleitenden Platte in Berührung steht, wird die nachträgliche galvanische Bearbeitung leicht ermöglicht.
Weitere vorteilhafte Ausführungen sind in den Unteransprüchen angegeben.
Dadurch, daß das Zuführelement in einer Ausnehmung der wärme­ leitenden Platte eingreift ist die Übergangsfläche zwischen der Platte und dem Zuführelement für eine verbesserte elek­ trische Kontaktierung vergrößert. Durch Vorsehen eines Kühl­ körpers ist weiterhin das Vermögen Wärme abzuführen insbeson­ dere dadurch, daß der Kühlkörper mittels eines Verbindungse­ lementes an das Trageteil angeschweißt ist, vergrößert.
Nachfolgend wir die Erfindung im einzelnen unter Bezugnahme auf die dazugehörenden Zeichnungen beschrieben.
Es zeigen:
Fig. 1 ein typisches modernes Halbleiterbauelemente­ gehäuse in Perspektivansicht,
Fig. 2 das in Fig. 1 gezeigte Gehäuse in zwei Schnitt­ ansichten,
Fig. 3 das in Fig. 1 dargestellte Gehäuse in zwei Schnittansichten, in erfindungsgemäßer Ausgabehalterung
Fig. 4A bis 4C in Ausschnittsvergrößerungen Einzelheiten weiterer erfindungsgemäßer Ausgestaltungen,
Fig. 5 eine Ausschnittvergrößerung einer Weiterbildung der erfindungsgemäßen Ausge­ staltungen und
Fig. 6 ein Verbindungselement gemäß einer weiteren erfindungsgemäßen Ausgabenhalterung.
In Fig. 1 ist eine bisher weitgehend bekannte Gehäuseform dargestellt, wie sie insbesondere für Halbleiterspeicherbau­ steine verwendet wird. Das Gehäuse 1 ist beispielsweise aus Kunststoff-Preßmasse hergestellt, wobei bei der hier darge­ stellten aufrecht stehenden Gehäuseform auf einer Seite An­ schlußelemente 4 heraus geführt sind, die der Spannungsver­ sorgung und/oder dem Zuführen beziehungsweise Abführen von Daten dienen. An der Hauptfläche des Bauelementes 1, die ge­ mäß Fig. 1 als Rückseite dargestellt ist, ist eine Wärmesenke beziehungsweise Kühlkörper 2 am Bauelement angeordnet, wobei die Wärmesenke 2 Anschlußstifte aufweist, die in einer nicht dargestellten Trägerplatte, beziehungsweise Halterung zur me­ chanischen Stabilisierung des Bauelementes beziehungsweise zur Weiterleitung der anfallenden Wärme, eingeführt werden.
In Fig. 2 ist das in Fig. 1 dargestellte Bauteil in einem üb­ lichen Aufbau schnittbildlich dargestellt. Wie in Fig. 2 zu sehen ist, umgibt das in Fig. 1 dargestellt Gehäuse einen Halbleiterchip 5, der auf einer wärmeleitenden Platte 6 ange­ ordnet ist. Weiterhin sind die Anschlußelemente 4, die gemäß Fig. 1 aus dem Gehäuse heraus geführt sind, bis in die Nähe zugeordneter Anschlußelemente beziehungsweise Kontaktpads 7 des Halbleiterchips 5 heran geführt und mittels Drahtbondver­ bindungen 8 elektrisch leitend verbunden. Wie der Darstellung gemäß Fig. 2 weiterhin zu entnehmen ist, stellt die Platte 6 ein Teil der Gehäuseoberfläche dar und liegt somit zur Abfüh­ rung von Wärme nach außen frei. An dieser Platte 6 ist nun­ mehr der Kühlkörper 2 zum Weiterleiten der beim Betrieb des Bauelementes anfallenden Wärme angeordnet.
Fig. 3 zeigt nunmehr ein erfindungsgemäßes Ausführungsbei­ spiel, das nach außen die gleiche Gehäuseform aufweist, wie das in Fig. 1 dargestellte Bauelement. Gemäß Fig. 3 sind einige Anschlußelemente 4' breiter ausgebildet als andere Anschluße­ lemente 4. Diese dienen dem Zuführen elektrischer Energie zur wärmeleitenden Platte 6. Sie können ebenfalls mit zugeordne­ ten Kontaktpads elektrisch verbunden werden, um Teile des Halbleiterchip 5 mit dem gleichen Potential zu versehen. Überhaupt geschieht die elektrische Kontaktierung der An­ schlußelemente 4 bei dem in Fig. 3 dargestellten Ausführungs­ beispiel ähnlich wie bezüglich Fig. 2 zuvor beschrieben und in Fig. 2 dargestellt ist.
Weiterhin ist in Fig. 3 zusätzlich ein Mold-Anker 9 darge­ stellt, der der mechanischen Stabilisierung der Anschlußele­ mente 4 bzw. 4' in einer Lead-Frame-Anordnung für den Monta­ geprozeß dient.
Gemäß Fig. 4A bis 4C sind unterschiedliche Ausgestaltungen der elektrischen Verbindung zwischen einem Anschlußelement 4' und der wärmeleitenden Platte 6 dargestellt. Hierbei ist deutlich erkennbar, daß diese Anschlußelemente 4" in Richtung der wär­ meleitenden Platte 6 in der Nähe des Halbleiterchips 5 abge­ bogen sind, um die Trageplatte 6 im fertigen Halbleiterbau­ element zu berühren. Dabei kann, wie in Fig. 4B dargestellt ist, an der Stelle, an der ein Ende des Anschlußelementes 4' die Platte 6 berührt, diese mit einer speziellen Auflage 14 versehen ist, um einen besseren Kontakt herzustellen.
Gemäß Fig. 4A bis 4C ist ebenfalls die Preßmassenform 15 dar­ gestellt, in die die Platte 6 zusammen mit dem Halbleiterchip 5 und dem Anschlußelement 4' eingelegt wird, so daß die Plat­ te 6 nach fertiger Montage Teil der Gehäuseoberfläche ist. Wie gemäß Fig. 4C dargestellt ist, kann es nunmehr vorteilhaft sein, daß wärmeleitende Anschlußelement 4' derart abzubiegen, daß ein Zwischenbereich die der Trageplatte 6 gegenüberlie­ gende Seite der Preßmassenform 15 im geschlossenen Zustand vor dem Einführen der Preßmasse berührt. Somit wird das Ende 10 des Anschlußelementes 4' gegen die Platte 6 drückt. Durch diesen Druck kommt es zu einem weiter verbesserten Kontakt zwischen der Platte 6 und dem Anschlußelement 4'.
Um den zuvor beschriebenen Effekt weiter zu verstärken, kann, wie in Fig. 5 dargestellt ist, in der Platte 6 ebenfalls eine Ausnehmung 13 ausgebildet sein, die der Form des Endes 10 des Anschlußelementes 4' entspricht. Auf diese Art und Weise er­ gibt sich eine große Kontaktfläche zwischen der Platte 6 und dem Ende 10 des Anschlußelementes 4'.
Um den gemäß in Fig. 1 und 2 dargestellten Kühlkörper 2 fest und mit einem guten Wärmeübergang versehen, mit der Platte 6 zu verbinden, kann der Kühlkörper 2, wie in Fig. 6 darge­ stellt ist, Öffnungen aufweisen, die mit Anschlußzungen 11 versehen sind. Ist der Kühlkörper 2 nunmehr auf die Platte 6 aufgelegt, so können in Bereich dieser Zungen 11 leicht Schweißverbindungen hergestellt werden, um, wie zuvor gefor­ dert, eine feste und gut Wärme leitende Verbindung zwischen Kühlkörper 2 und der Platte 6 zu erzeugen. Diese mit den An­ schlußzungen 11 versehenen Öffnungen können dabei in ge­ wünschter Weise auf der Fläche des Kühlkörpers verteilt sein.

Claims (4)

1. Halbleiterbauelement mit einem Halbleiter-Chip (5), der auf einer wärmeleitenden Platte (6) angeordnet ist und mehre­ ren Zuführelementen (4), die mit jeweils einem Ende 10 an den Halbleiterchip (5) herangeführt sind und mit dem Halbleiter­ chip (5) und/oder der wärmeleitenden Platte (6) eine elektri­ sche Verbindung (8) aufweisen, wobei die Anordnung von einem Gehäuse (1) umgeben ist, aus dem die Zuführelemente (4) her­ ausragen und das teilweise von der wärmeleitenden Platte ge­ bildet ist und wobei, wenn ein Zuführelement (4) mit der wär­ meleitenden Platte (6) verbunden ist, am Ende (10), das an den Halbleiterchip (5) herangeführt ist, die wärmeleitende Platte (6) berührt, die einen Teil des Gehäuses.
2. Halbleiterbauelement nach Anspruch 1, bei dem das die wär­ meleitende Platte (6) berührende Zuführelement (4) in eine Ausnehmung (13) der wärmeleitenden Platte (6) eingreift.
3. Halbleiterbauelement nach Anspruch 2, bei dem die wärme­ leitende Platte (6), dort wo sie Teil des Gehäuses ist, einen Kühlkörper (2) ausweist.
4. Halbleiterbauelement nach Anspruch 3, bei dem der Kühlkör­ per (2) mittels eines Verbindungselementes (11) an die Platte (6) im Bereich der Gehäuseoberfläche angeschweißt ist.
DE19843479A 1998-09-22 1998-09-22 Halbleiterbauelement Ceased DE19843479A1 (de)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE19843479A DE19843479A1 (de) 1998-09-22 1998-09-22 Halbleiterbauelement

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE19843479A DE19843479A1 (de) 1998-09-22 1998-09-22 Halbleiterbauelement

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE19843479A1 true DE19843479A1 (de) 2000-03-30

Family

ID=7881866

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE19843479A Ceased DE19843479A1 (de) 1998-09-22 1998-09-22 Halbleiterbauelement

Country Status (1)

Country Link
DE (1) DE19843479A1 (de)

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2008511A1 (de) * 1969-03-01 1970-09-10 N.V. Philips' Gloeilampenfabrieken, Eindhoven (Niederlande) Halbleiterbauelement
US5444304A (en) * 1992-08-24 1995-08-22 Hitachi, Ltd. Semiconductor device having a radiating part
DE19514375A1 (de) * 1994-04-19 1995-10-26 Mitsubishi Electric Corp Halbleitervorrichtung, Verfahren zu deren Herstellung und Halbleitermodul
DE19716674A1 (de) * 1997-04-21 1998-08-20 Siemens Ag Halbleiter-Bauteil
DE19740946A1 (de) * 1997-09-17 1998-11-19 Siemens Ag Halbleiterbauelementeanordnung

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2008511A1 (de) * 1969-03-01 1970-09-10 N.V. Philips' Gloeilampenfabrieken, Eindhoven (Niederlande) Halbleiterbauelement
US5444304A (en) * 1992-08-24 1995-08-22 Hitachi, Ltd. Semiconductor device having a radiating part
DE19514375A1 (de) * 1994-04-19 1995-10-26 Mitsubishi Electric Corp Halbleitervorrichtung, Verfahren zu deren Herstellung und Halbleitermodul
DE19716674A1 (de) * 1997-04-21 1998-08-20 Siemens Ag Halbleiter-Bauteil
DE19740946A1 (de) * 1997-09-17 1998-11-19 Siemens Ag Halbleiterbauelementeanordnung

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
JP 02-123759 A. In: Pat.Abstr. of JP, E-958 *

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE102005024900B4 (de) Leistungsmodul
DE69811388T2 (de) Explosionsgeschützter durchführungsverbinder
DE69329501T2 (de) Verpackung für elektronische Komponenten
DE2603575C2 (de) Einsteckmodul für eine elektronische Einrichtung
DE69402227T2 (de) Leiterplattenanordnung
DE19939933A1 (de) Leistungs-Moduleinheit
DE4422113C2 (de) Elektronikmodul
DE4132153C2 (de) Zündspuleinheit für eine Brennkraftmaschine
DE102009055882A1 (de) Leistungshalbleitervorrichtung
DE112006002302T5 (de) Integriertes thermisches und elektrisches Verbindungssystem für Leistungseinrichtungen
DE112006002862T5 (de) Spaltrohrlinearmotoranker und Spaltrohrlinearmotor
DE4031051C2 (de) Modul mit mindestens einem Halbleiterschaltelement und einer Ansteuerschaltung
DE1951583A1 (de) Halbleitervorrichtungen mit einem laenglichen Koerper aus formbarem Material
DE102015111541B4 (de) Verfahren zur Herstellung einer Verbindung zwischen mindestens einem zylindrischen Elektrolytkondensator und einem Kühlkörper
EP1586223B1 (de) Elektrisches verbindungselement, insbesondere für elektro wer kzeugschalter
EP1445799A2 (de) Kühleinrichtung für Halbleiter auf Leiterplatte
DE69409453T2 (de) Gerät zur Veränderung eines elektrischen Signals
DE19518522A1 (de) Steuergerät für ein Kraftfahrzeug
DE69903420T2 (de) Montageanordnung für eine temperaturempfindliche schmelzsicherung auf einer leiterplatte
DE2336878C3 (de) Elektrisches Gerät
DE102018124186B4 (de) Elektronisches Gerät und Anordnung eines solchen an einer Tragschiene
DE19843479A1 (de) Halbleiterbauelement
DE3205650C2 (de) Leistungsgleichrichteranordnung
DE10123198A1 (de) Anordnung aus einem Gehäuse und einem Schaltungsträger
WO2018036588A1 (de) Steckverbinder

Legal Events

Date Code Title Description
OP8 Request for examination as to paragraph 44 patent law
8127 New person/name/address of the applicant

Owner name: INFINEON TECHNOLOGIES AG, 81669 MUENCHEN, DE

8131 Rejection