DE19835393A1 - Component used in high performance DRAMs - Google Patents
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Abstract
Description
Die Erfindung betrifft ein Bauelement mit wenigstens einer integrierten elektronischen Schaltung mit Funktionselementen und wenigstens einem Masseleiter.The invention relates to a component with at least one integrated electronic circuit with functional elements and at least one ground wire.
Die Erfindung betrifft ferner ein Verfahren zur Herstellung eines Bauelementes mit wenigstens einer integrierten elektronischen Schaltung, mit Funktionselementen und wenig stens einem Masseleiter.The invention further relates to a method of manufacture a component with at least one integrated electronic circuit, with functional elements and little at least one ground conductor.
Während bei konventionellen Bauelementen mit wenigstens einer integrierten elektronischen Schaltung die bekannten Gehäuse im wesentlichen allen im Praxiseinsatz auftretenden Anforde rungen genügen, bestehen bei Bauelementen mit wenigstens einer integrierten elektronischen Schaltung mit hohen Schalt geschwindigkeiten, insbesondere bei schnellen Speicherbau steinen (High Performance DPAMs), besonders hohe Anforderun gen an die Gewährleistung der elektrischen Funktion. Insbe sondere müssen parasitäre elektrische Parameter wie Induktivität, Kapazität und Widerstand des geometrischen Auf baus minimiert werden.While with conventional components with at least one integrated electronic circuit the well-known housing essentially all requirements that occur in practice suffices exist for components with at least an integrated electronic circuit with high switching speeds, especially for fast storage construction stones (High Performance DPAMs), particularly high requirements guarantee the electrical function. In particular in particular, parasitic electrical parameters such as Inductance, capacitance and resistance of the geometric opening construction can be minimized.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein gattungsgemäßes Bauelement mit wenigstens einer integrierten elektronischen Schaltung zu schaffen, das bei möglichst geringem konstrukti ven Aufwand möglichst gute elektrische Eigenschaften auf weist.The invention has for its object a generic Component with at least one integrated electronic To create circuit that with the lowest possible constructi best possible electrical properties points.
Erfindungsgemäß wird diese Aufgabe dadurch gelöst, daß ein gattungsgemäßes Bauelement so ausgestattet ist, daß der Masseleiter wenigstens abschnittsweise aus einer elektrisch leitfähigen Schicht besteht, die sich auf einer isolierenden Folie befindet.According to the invention this object is achieved in that a generic component is equipped so that the Ground conductor at least in sections from an electrical conductive layer, which is based on an insulating Slide is located.
Die Erfindung sieht also vor, eine integrierte elektronische Schaltung, beziehungsweise ein Gehäuse, in dem sie sich be findet, mit einer auf einer Folie angeordneten elektrisch leitfähigen Schicht gegen Störeinflüsse abzuschirmen.The invention therefore provides an integrated electronic Circuit, or a housing in which they are takes place with an electrical arranged on a foil shield conductive layer against interference.
Ein Schutz der Folie vor mechanischen und thermischen Belast ungen läßt sich dadurch erzielen, daß die Schicht aus einem verformbaren Material, insbesondere einem verformbaren Poly mer, besteht. Eine Verformbarkeit der Folie hat den weiteren Vorteil, daß sie leicht in das Bauelement eingebaut werden kann.Protection of the film against mechanical and thermal stress can be achieved in that the layer from a deformable material, in particular a deformable poly mer, exists. The deformability of the film has another Advantage that they can be easily installed in the component can.
Die Erfindung löst ferner die Aufgabe, ein Bauelement mit we nigstens einer integrierten elektronischen Schaltung, mit Funktionselementen und wenigstens einem Masseleiter auf mög lichst einfache Weise herzustellen.The invention further solves the problem of a component with we at least an integrated electronic circuit, with Functional elements and at least one ground conductor on poss as simple as possible to manufacture.
Hierzu wird ein gattungsgemäßes Verfahren so durchgeführt, daß wenigstens eine mit mindestens einer elektrisch leitfähi gen Schicht versehene isolierende Folie aufgebracht wird.For this purpose, a generic method is carried out that at least one with at least one electrically conductive insulating layer provided layer is applied.
Dies geschieht vorzugsweise so, daß die elektrisch leitfähige Schicht so elektrisch verbunden wird, daß sie als Masseleiter wirkt.This is preferably done so that the electrically conductive Layer is electrically connected so that it acts as a ground conductor works.
Die Erfindung sieht insbesondere vor, wenigstens eine integrierte elektronische Schaltung zunächst auf herkömmliche Weise herzustellen und unabhängig davon eine mit einer elek trisch leitfähigen Schicht versehene Folie herzustellen. Die Folie selbst besteht im Gegensatz zu der auf ihr befindlichen Schicht aus einem isolierenden Material. In einem vorzugs weise später als das Auftragen der Schicht auf die Folie er folgenden Arbeitsschritt wird die Folie mit der integrierten elektronischen Schaltung oder einem anderen Bereich des Bau elementes verbunden.The invention provides in particular for at least one integrated electronic circuit initially to conventional Way to manufacture and regardless of one with an elek trisch conductive layer provided film. The The film itself is in contrast to the one on it Layer of an insulating material. In a preference later than applying the layer to the film The following step is the film with the integrated electronic circuit or other area of construction element connected.
Zur Herstellung der Folie eignet sich eine Vielzahl von be kannten Verfahren. Beispielsweise werden Folien durch Gießen hergestellt, was zweckmäßigerweise so erfolgt, daß ein zu verarbeitender Werkstoff aus einem Vorratsbehälter auf eine langsam rotierende Trommel oder ein Band fließt. Da die Fol ien großflächig hergestellt und gegebenenfalls auch beschich tet werden können, ist es möglich, sie bereits vor dem Fer tigstellen des Bauelementes herzustellen und gegebenenfalls in der Produktionsstätte für die Bauelemente zu lagern.A variety of be suitable for the production of the film knew procedures. For example, films are made by casting produced, which is conveniently done so that a processing material from a storage container to a slowly rotating drum or a tape flows. Since the fol ien produced over a large area and optionally coated can be tet, it is possible to use them before the Fer manufacture the component and if necessary to be stored in the production facility for the components.
Zum Versehen der Folie mit einer elektrisch leitfähigen Schicht eignet sich grundsätzlich eine Vielzahl von Verfah ren. So können die Folie und die elektrisch leitfähige Schicht separat hergestellt und anschließend beispielsweise durch einen geeigneten Kleber oder unter Einsatz von Wärme und/oder Druck miteinander verbunden werden. Ferner ist es möglich, die Schicht auf einer Hauptfläche der Folie zu er zeugen.To provide the film with an electrically conductive Layer is generally suitable for a variety of processes Ren. So the film and the electrically conductive Layer produced separately and then, for example using a suitable adhesive or using heat and / or pressure can be connected. Furthermore, it is possible to er the layer on a major surface of the film testify.
Eine separate Herstellung der Schicht und der Folie hat den Vorteil, daß zur Herstellung der Schicht einfache Umformver fahren wie Walzen eingesetzt werden können. Das Umformen ist materialsparend, da es im Grundsatz frei von Abfällen er folgt.A separate production of the layer and the film has the Advantage that simple Umformver to produce the layer drive how rollers can be used. The reshaping is saves material because it is basically free of waste follows.
Für ein nachträgliches Auftragen der elektrisch leitfähigen Schicht sind auch Verfahren geeignet, die üblicherweise in anderen Technologiegebieten eingesetzt werden, wie beispiels weise magnetfeldunterstützte Kathodenzerstäubung (Magnetron-Sput tern), die beispielsweise großtechnisch zur Beschichtung von Flachglas bis zur Größenordnung eines sogenannten Bandmaßes (20 m2) eingesetzt wird. For a subsequent application of the electrically conductive layer, methods are also suitable which are usually used in other technology areas, such as magnetic field-assisted cathode sputtering (magnetron sputtering), which, for example, on an industrial scale for coating flat glass up to the size of a so-called tape measure (20 m 2 ) is used.
Eine Perforierung der Folie kann sowohl vor als auch nach dem Beschichten erfolgen. Neben einfachen Perforationsmethoden, beispielsweise mechanischem Stanzen, eignen sich auch eine chemische Bearbeitung, beispielsweise Ätzen oder auch eine Perforation mittels Laserstrahlung. Der chemische Behand lungsvorgang wird einer gewünschten Struktur entsprechend durchgeführt. Um beispielsweise lediglich die elektrisch leitfähige Schicht zu entfernen, ist es zweckmäßig, ein ent sprechend selektives Ätzmittel einzusetzen. Der Ätzprozeß ist beispielsweise Teil eines photolitographischen Strukturie rungsvorganges. Hierbei wird zunächst die elektrisch leitfähige Schicht mit einem photoempfindlichen Lack be schichtet, anschließend belichtet und danach an den unbelich teten Stellen (Negativ-Resist), beziehungsweise an belichte ten Stellen (Positiv-Resist), von der Hauptfläche abgelöst. Durch nachfolgende Ätzung mit einem geeigneten Ätzmittel, beispielsweise Flußsäure, werden Öffnungen in ungeschützten Bereichen des elektrisch leitfähigen Materials erzielt. Die ser Bearbeitungsvorgang erfolgt in einer besonders zweckmäßi gen Ausführungsform des Verfahrens außerhalb der integrierten elektronischen Schaltung, so daß große Flächenbereiche der Folie gleichzeitig bearbeitet werden können.Perforation of the film can take place both before and after Coating done. In addition to simple perforation methods, for example mechanical stamping, are also suitable chemical processing, for example etching or one Perforation using laser radiation. The chemical treatment Development process will be according to a desired structure carried out. For example, only the electrical To remove conductive layer, it is advisable to remove ent use speaking selective etchant. The etching process is for example part of a photolithographic structure process. Here, the electrical is first conductive layer with a photosensitive varnish layers, then exposed and then to the unexposed areas (negative resist), or at exposure th places (positive resist), detached from the main surface. By subsequent etching with a suitable etchant, For example, hydrofluoric acid, openings in unprotected Areas of the electrically conductive material achieved. The Water processing takes place in a particularly expedient gene embodiment of the method outside the integrated electronic circuit, so that large areas of the Foil can be edited at the same time.
Bei einem Einsatz von Laserstrahlung kann durch geeignete An passung der Wellenlänge der Laserstrahlung an die Absorptionseigenschaften der Folie eingestellt werden, ob die Folie aufgetrennt wird oder ob lediglich die elektrisch leitfähige Schicht entfernt wird. Hierbei wird die Eigen schaft von elektrischen Leitern ausgenutzt, ein freies Elek tronengas und damit ein kontinuierliches Absorptionsspektrum aufzuweisen. Die vorzugsweise aus einem organischen Stoff, wie beispielsweise Polyimid, gebildete Folie weist hingegen in weiten Wellenlängenbereichen, beispielsweise im Bereich des sichtbaren Lichts, eine sehr geringe Absorption auf. Durch Zufuhr von Laserstrahlung einer Wellenlänge, die von der Folie kaum absorbiert wird, wird die gesamte Energie der Laserstrahlung von der elektrisch leitfähigen Schicht absor biert, so daß diese selektiv zum Verdampfen gebracht wird.If laser radiation is used, suitable Matching the wavelength of the laser radiation to the Absorption properties of the film can be set whether the Film is separated or whether only the electrical conductive layer is removed. Here is the Eigen shaft used by electrical conductors, a free elec tronengas and thus a continuous absorption spectrum to show. The preferably made of an organic substance, such as polyimide, however, formed film has in wide wavelength ranges, for example in the range of visible light, a very low absorption. By supplying laser radiation of a wavelength of the film is hardly absorbed, the entire energy of the Laser radiation absorbed by the electrically conductive layer beers, so that this is selectively evaporated.
Durch die Elastizität der Folie und die kaum auftretende Be einträchtigung dieser Elastizität durch die auf ihr befindliche Schicht ist es möglich, die Folie an geeigneter Stelle des Bauelementes anzuordnen.Due to the elasticity of the film and the hardly occurring Be impairment of this elasticity by the on it layer, it is possible to apply the film in a more suitable manner Place the component.
Eine besonders wirksame elektrische Abschirmung der in dem Bauelement befindlichen Funktionselemente läßt sich dadurch erzielen, daß die Funktionselemente im wesentlichen innerhalb wenigstens einer Ebene angeordnet sind, und daß sich die Schicht im wesentlichen parallel zu dieser Ebene erstreckt.A particularly effective electrical shielding in the Functional elements located in the component can be thereby achieve that the functional elements essentially within are arranged at least one level, and that the Layer extends essentially parallel to this plane.
Zur weiteren Verbesserung dieser Abschirmung ist es zweckmäßig, daß die Schicht eine gleichbleibende Dicke auf weist.It is to further improve this shielding expedient that the layer has a constant thickness points.
Ferner ist es vorteilhaft, daß die Schicht sich auf einer ge samten Hauptfläche der Folie befindet.It is also advantageous that the layer on a ge entire main surface of the film is located.
Eine andere, gleichfalls zweckmäßige Ausführungsform des er findungsgemäßen Bauelementes zeichnet sich dadurch aus, daß die Schicht sich mit Ausnahme von ausgewählten Bereichen auf einer gesamten Hauptfläche der Folie befindet.Another, also appropriate embodiment of the he Component according to the invention is characterized in that the shift is on except selected areas an entire major surface of the film.
Weitere Vorteile, Besonderheiten und zweckmäßige Weiterbil dungen der Erfindung ergeben sich aus den Unteransprüchen so wie der nachfolgenden Darstellung von bevorzugten Ausführungsbeispielen anhand der Zeichnungen.Other advantages, special features and useful training of the invention result from the subclaims as the following illustration of preferred Exemplary embodiments with reference to the drawings.
Von den Zeichnungen zeigt:From the drawings shows:
Fig. 1 eine dreidimensionale Darstellung eines Bereiches eines Bauelementes, in dem sich eine integrierte elektronische Schaltung befindet, Fig. 1 is a three-dimensional view of a portion of a device in which an integrated electronic circuit is located,
Fig. 2 eine Aufsicht auf den in Fig. 1 dargestellten Bereich des Bauelementes, Fig. 2 is a plan view of the shown in Fig. 1 region of the component,
Fig. 3 einen Querschnitt durch eine andere Ausführungsform eines erfindungsgemäßen Bauelementes. Fig. 3 shows a cross section through another embodiment of a component according to the invention.
Bei der in den Fig. 1 und Fig. 2 dargestellten Ansicht eines Bauelementes ist eine integrierte elektronische Schaltung 1 dargestellt. Die elektronische Schaltung 1 ist mit Kontaktbe reichen 2, 2', 3, 3' eines lead-frames 6 elektrisch verbunden (LOC (Lead-on Chip) -Technik). Eine weitere elektrische Ver bindung des lead-frames 6 mit der integrierten elektronischen Schaltung 1 kann beispielsweise über Anschlüsse 4, 5 erfol gen. Die hier dargestellte Verbindung, bei der die Kontaktbe reiche 2, 2', 3, 3' Teile des lead-frames 6 bilden, ermög licht beispielsweise eine Stromzufuhr zu verschiedenen Berei chen der integrierten elektronischen Schaltung 1 oder einen schnellen, parallelen Zugriff auf in der integrierten elek tronischen Schaltung 1 enthaltene Funktionselemente.In the embodiment shown in Fig. 1 and Fig. 2 view of a component an integrated electronic circuit 1 is shown. The electronic circuit 1 is electrically connected to Kontaktbe 2 , 2 ', 3 , 3 ' of a lead frame 6 (LOC (Lead-on Chip) technology). A further electrical connection of the lead frame 6 with the integrated electronic circuit 1 can be achieved, for example, via connections 4 , 5. The connection shown here, in which the contact regions 2 , 2 ', 3 , 3 ' are parts of the lead frame 6 form, light enables, for example, a power supply to various areas of the integrated electronic circuit 1 or a fast, parallel access to functional elements contained in the integrated electronic circuit 1 .
Die integrierte elektronische Schaltung 1 ist außerhalb der Kontaktbereiche 2, 2', 3, 3' und der Anschlüsse 4, 5 im Be reich ihrer gesamten nach oben gerichteten Hauptfläche mit einer Folie 7 bedeckt.The integrated electronic circuit 1 is outside of the contact areas 2 , 2 ', 3 , 3 ' and the terminals 4 , 5 in the loading area of their entire upward main surface covered with a film 7 .
Die Folie 7, beispielsweise aus Polyimid, weist vorzugsweise eine etwa 1 µm bis 100 µm dicke Schicht aus einem leitfähigen Metall, beispielsweise Kupfer, auf. Im dargestellten Fall be steht die Schicht aus Kupfer in einer Dicke von ungefähr 30 µm.The film 7 , for example made of polyimide, preferably has an approximately 1 μm to 100 μm thick layer made of a conductive metal, for example copper. In the illustrated case, the copper layer is approximately 30 µm thick.
Die Anschlüsse 4, 5 münden in den lead-frame 6, der mit Aus nahme des Gebietes der integrierten elektronischen Schaltung 1, beziehungsweise der Anschlüsse 4, 5, mit einer Folie 10 bedeckt ist. Die Folie 10 besteht ebenso wie die Folie 5 aus einem isolierenden Material und ist gleichfalls mit einer nicht dargestellten, elektrisch leitfähigen Schicht versehen. Die Folie 10 und die auf ihr befindliche elektrisch leitfä hige Schicht sind beispielsweise ähnlich aufgebaut wie die Folie 7 und die auf ihr befindliche Schicht.The connections 4 , 5 open into the lead frame 6, which is covered with a film 10 with the exception of the area of the integrated electronic circuit 1 , or the connections 4 , 5 . The film 10 , like the film 5, consists of an insulating material and is also provided with an electrically conductive layer, not shown. The film 10 and the electrically conductive layer thereon are, for example, constructed similarly to the film 7 and the layer thereon.
Das in Fig. 1 und 2 ausschnittsweise dargestellte Bauelement wird vorzugsweise wie folgt hergestellt: Zuerst wird die in tegrierte elektronische Schaltung 1 hergestellt. Unabhängig hiervon erfolgt eine Produktion der Folien 7, 10. Nach der Fertigstellung der integrierten elektronischen Schaltung 1 wird die Folie 7 auf die elektronische Schaltung 1 aufge klebt. Ebenso wird die Folie 10 - beispielsweise in Richtung des Pfeils F - auf den lead-frame 6 aufgeklebt, wobei Leiter bahnfinger 18 frei bleiben. Es ist besonders zweckmäßig, die Folien 7 und 10 gleichzeitig auf den lead-frame 6 aufzukle ben.The component shown in FIGS . 1 and 2 is preferably produced as follows: First, the electronic circuit 1 integrated is manufactured. Irrespective of this, the foils 7 , 10 are produced . After the completion of the integrated electronic circuit 1 , the film 7 is glued to the electronic circuit 1 . Likewise, the film 10 is glued onto the lead frame 6, for example in the direction of the arrow F, with the conductor fingers 18 remaining free. It is particularly useful to simultaneously glue the foils 7 and 10 onto the lead frame 6.
Anschließend werden auf konventionelle Weise elektrische Ver bindungen im Bereich der Anschlüsse 4, 5 zur elektrischen Verbindung der elektronischen Schaltung 1 mit dem lead-frame 6 hergestellt. Ebenso werden die Folien 7, 10 mit einem Mas seanschluß versehen.Subsequently, electrical connections in the region of the connections 4 , 5 for the electrical connection of the electronic circuit 1 to the lead frame 6 are produced in a conventional manner. Likewise, the films 7 , 10 are provided with a mas connection.
Fig. 3 zeigt einen Querschnitt durch eine weitere Ausfüh rungsform eines erfindungsgemäßen Bauelementes. Auf einer in tegrierten elektronischen Schaltung 30 befindet sich eine Folie 34, die auf ihrer zu der integrierten Schaltung 30 ge richteten Oberfläche mit einer elektrisch leitfähigen Schicht, beispielsweise einer etwa 30 µm dicken Schicht 35 aus einem elektrisch leitenden Material, beispielsweise Kup fer, versehen ist. Eine zwischen der Folie 34 und der elek trisch leitfähigen Schicht 35 befindliche Klebeschicht ist zur Erhöhung der Übersichtlichkeit nicht dargestellt. Fig. 3 shows a cross section through another Ausfüh approximate shape of a component according to the invention. On an integrated electronic circuit 30 there is a film 34 which is provided on its surface facing the integrated circuit 30 with an electrically conductive layer, for example an approximately 30 μm thick layer 35 made of an electrically conductive material, for example copper . A between the film 34 and the electrically conductive layer 35 adhesive layer is not shown to increase clarity.
Oberhalb der Folie 34 befindet sich ein lead-frame 40, der an einer anderen Oberfläche mit einer weiteren Folie 44 versehen ist. Die Folie 44 ist ebenso wie die Folie 34 auf ihrer Ober fläche, die dem lead-frame 40 abgewandt ist, mit einer Schicht 45 aus einem elektrisch leitfähigen Material versehen. Vorzugsweise ist die Schicht 45 genauso aufgebaut wie die Schicht 35. Eine zwischen der Folie 44 und der elek trisch leitfähigen Schicht 45 befindliche Klebeschicht ist gleichfalls nicht dargestellt.Above the film 34 there is a lead frame 40 which is provided with another film 44 on another surface. The film 44 , like the film 34, is provided on its upper surface, which faces away from the lead frame 40 , with a layer 45 of an electrically conductive material. Layer 45 is preferably constructed in exactly the same way as layer 35 . An adhesive layer located between the film 44 and the electrically conductive layer 45 is also not shown.
Ein Verbindungsdraht 50 stellt einen elektrischen Kontakt zwischen der integrierten elektronischen Schaltung 30, der elektrisch leitfähigen Schicht 35 und dem lead-frame 40 her.A connecting wire 50 makes electrical contact between the integrated electronic circuit 30 , the electrically conductive layer 35 and the lead frame 40 .
Die elektrisch leitfähigen Schichten 35, 45 sind über Verbin dungsdrähte 51, 52 mit einem Masseanschluß G verbunden.The electrically conductive layers 35 , 45 are connected via connecting wires 51 , 52 to a ground terminal G.
Das in Fig. 3 dargestellte Bauelement wird ebenso wie das an hand von Fig. 1 erläuterte Bauelement so hergestellt, daß eine separate Produktion der integrierten elektronischen Schaltung 30 und der Folien 34, 44 erfolgt.The component shown in FIG. 3, like the component explained with reference to FIG. 1, is manufactured in such a way that the integrated electronic circuit 30 and the foils 34 , 44 are produced separately.
Nach der Herstellung der integrierten elektronischen Schal tung 30 wird die elektrisch leitfähige Schicht 35 der Folie 34 auf die integrierte elektronische Schaltung 30 mit einem nicht dargestellten Kleber aufgeklebt. Anschließend wird der lead-frame 40 auf der Folie 34 aufgelegt. Danach wird der lead-frame 40 auf seiner oberen Oberfläche mit der Folie 44 durch einen nicht dargestellten Kleber verbunden.After the production of the integrated electronic circuit device 30 , the electrically conductive layer 35 of the film 34 is glued onto the integrated electronic circuit 30 with an adhesive (not shown). The lead frame 40 is then placed on the film 34 . The lead frame 40 is then connected to the film 44 on its upper surface by an adhesive (not shown).
Anschließend wird der Verbindungsdraht 50 aufgebracht.The connecting wire 50 is then applied.
Die dargestellten Ausführungsformen erfindungsgemäßer Bauele mente sind lediglich beispielhaft zu verstehen. Insbesondere können Bauelemente mit anderen Strukturen mit Hilfe der dar gestellten Folie hergestellt werden.The illustrated embodiments of components according to the invention elements are only to be understood as examples. Especially can represent components with other structures using the provided film are produced.
Claims (8)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19835393A DE19835393A1 (en) | 1998-08-05 | 1998-08-05 | Component used in high performance DRAMs |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19835393A DE19835393A1 (en) | 1998-08-05 | 1998-08-05 | Component used in high performance DRAMs |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE19835393A1 true DE19835393A1 (en) | 1999-11-04 |
Family
ID=7876565
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19835393A Ceased DE19835393A1 (en) | 1998-08-05 | 1998-08-05 | Component used in high performance DRAMs |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE19835393A1 (en) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE10014306A1 (en) * | 2000-03-23 | 2001-10-04 | Infineon Technologies Ag | System carrier for semiconductor chip with a conductor frame, has many small signal leads extending from frame bondable to chip and surfaces between leads |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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EP0409173A2 (en) * | 1989-07-19 | 1991-01-23 | Nec Corporation | Semiconductor ic device having an improved interconnection structure |
US5572065A (en) * | 1992-06-26 | 1996-11-05 | Staktek Corporation | Hermetically sealed ceramic integrated circuit heat dissipating package |
-
1998
- 1998-08-05 DE DE19835393A patent/DE19835393A1/en not_active Ceased
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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