DE19828494A1 - MOSFET-Bauelement - Google Patents
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Abstract
Es wird ein MOSFET-Bauelement vorgeschlagen, das zum Schalten hoher Ströme dient. Das Bauelement umfaßt einen zur Basisemitterstrecke des parasitären Bipolartransistors parallelgeschalteten Strompfad, der Minoritätsladungsträger absaugt und ein Ansteuern des parasitären Transistors unterbindet.
Description
Die Erfindung geht aus von einem MOSFET-Bauelement nach der
Gattung des Hauptanspruchs. Aus der DE 30 39 803 ist schon
ein solches Bauelement bekannt, bei dem ein Mittel zum
Schutz vor dem Durchschalten eines Parasittransistors
vorgesehen ist. Weiterhin ist bekannt, bei MOSFET-Bau
elementen, die ein p-dotiertes Wannengebiet aufweisen, in
das ein stark n-dotiertes Sourcegebiet eingebettet ist,
innerhalb der p-Wanne ein stark p-dotiertes Gebiet
vorzusehen, das entweder bis zum unterhalb der p-Wanne
liegenden n-Gebiet hindurchreicht und/oder sich lateral
unterhalb des Sourcegebietes erstreckt. Ein Vorsehen eines
solchen stark p-dotierten Gebietes eignet sich nicht für
Mischprozesse, wenn man zusätzliche Verfahrensschritte bei
der Herstellung vermeiden will. Ferner begrenzt ein derart
ausgestaltetes stark p-dotiertes Gebiet eine
Herunterskalierung des Bauelements.
Das erfindungsgemäße Bauelement mit den kennzeichnenden
Merkmalen des Hauptanspruchs hat demgegenüber den Vorteil,
ohne zusätzlichen Aufwand mit einem einfachen Mittel einen
sicheren Schutz vor dem Durchschalten des Parasittransistors
zu gewährleisten, das unweigerlich aufgrund der hohen Ströme
zur Zerstörung des Bauelementes führen würde.
Durch die in den abhängigen Ansprüchen aufgeführten
Maßnahmen sind vorteilhafte Weiterbildungen und
Verbesserungen des im Hauptanspruch angegebenen Bauelements
möglich. Besonders vorteilhaft ist es, das Bauelement
herunterzuskalieren, so daß beispielsweise die p-Wanne eine
Tiefe von weniger als 1 µm aufweist. Dadurch ergibt sich eine
Submikron-MOS-Anordnung, die bei üblichen
Schwellenspannungen, jedoch statt mit Drainsourcespannungen
von nur 40 V statt 60-80 V, betrieben werden kann. Solche
platzsparenden kleinen Bauelemente erlauben nur schwer
beziehungsweise verbieten zum Schutz vor parasitären
bipolaren Effekten Lösungen aus dem Stand der Technik. Soll
nämlich die Schwellenspannung auch bei der Submikron-
Anordnung die üblichen Werte haben, so muß die P-Wanne höher
dotiert werden. Trotz der höheren p-Dotierung erhöht sich
der Untendurchwiderstand und damit die Anfälligkeit vor
parasitären bipolaren Effekten, da der Raumladungseffekt
zwischen p-Wanne und darunterliegendem n-Gebiet bei sehr
flachen p-Wannen relativ an Bedeutung gewinnt.
Schutzmaßnahmen, wie aus dem Stand der Technik bekannte
tiefe p-Diffusionen sind jedoch bei herunterskalierten
p-Wannen mit einer Tiefe von weniger als einem Mikrometer
nicht möglich. Erst die Kombination einer Submikronstruktur
mit einem zum Untendurchwiderstand parallel geschalteten
p-dotierten Pfad stellt ein kleines kompaktes Bauteil mit
sicherem Schutz vor dem Durchschalten des Parasittransistors
bereit.
Eine Ausführung in DMOS-Technologie erlaubt eine weitere
Miniaturisierung bei gleichzeitig erhöhter
Stromtragfähigkeit des Bauelements. Dabei besteht gerade bei
DMOS-Bauelementen eine große Gefahr, daß in den
Kanalgebieten benachbarten Bereichen des n-Gebiets erzeugte
Minoritätsladungsträger den schmalen Kanalbereich
durchströmen und den Untendurchwiderstand durchfließen.
Somit wirkt sich gerade bei DMOS-Bauelementen ein zum
Untendurchwiderstand parallel geschalteter p-leitfähiger
Pfad besonders vorteilhaft aus.
Insbesondere bei lateralen Bauelementen ist auch mit hohen
Feldstärken in den Kanalgebieten benachbarten Bereichen des
n-Gebiets zu rechnen, wo infolgedessen eine hohe
Löcherproduktion erfolgt, aus der dann ein hoher Löcherstrom
durch den Untendurchwiderstand resultiert. Insbesondere bei
lateralen Bauelementen ist der parallelgeschaltete Pfad
daher vorteilhaft einsetzbar.
Durch die Wahl des Flächenverhältnisses zwischen Source- und
Hilfsgebieten ist je nach Anwendung das Bauelement auf einen
niedrigen Drain-Source-Einsatzwiderstand beziehungsweise auf
eine hohe Effizienz in der Absaugung der unerwünschten, da
parasitäre Effekte verursachenden Minoritätsladungsträger
einstellbar.
Die erfindungsgemäße Anordnung ist in gleicher Weise
vorteilhaft auch mit vertauschten Dotierungen einsetzbar.
Ausführungsbeispiele der Erfindung sind in der Zeichnung
dargestellt und in der nachfolgenden Beschreibung näher
erläutert. Es zeigen Fig. 1a bis c eine bekannte Anordnung
und Fig. 2a bis c ein MOSFET-Bauelement mit einem
p-leitfähigen Pfad, der zum Untendurchwiderstand
parallelgeschaltet ist.
Fig. 1a zeigt ein MOSFET-Bauelement in
Querschnittsseitenansicht, bei dem der Einfachheit halber
Isolationsschichten (beispielsweise zwischen Gateelektrode
und Halbleiteroberfläche) weggelassen sind. In einem
n-dotierten Gebiet 1, das über ein stark n-dotiertes
Draingebiet 2 mit einem Drainanschluß D kontaktierbar ist,
ist eine p-dotierte Wanne 3 angeordnet. In der p-dotierten
Wanne 3 ist ein stark n-dotiertes Sourcegebiet 4
eingebracht. Der Sourceanschluß S ist mit dem Sourcegebiet 4
und mit einem stark p-dotierten Kontaktierungsgebiet 11, das
die p-Wanne 3 kontaktiert, elektrisch verbunden. Ein
zwischen dem Sourcegebiet 4 und dem n-Gebiet 1 angeordnetes
Kanalgebiet 16 der p-Wanne 3 ist über eine mit einem
Gateanschluß G versehene Polysilizium-Gateelektrode 10
ansteuerbar.
Die Anordnung stellt ein bekanntes MOSFET-Bauelement dar,
bei dem bei einer am Drainkontakt anliegenden positiven
Spannung zwischen dem Drain- und dem Source-Kontakt ein
Strom fließt, wenn die Gateelektrode gegenüber dem
Sourcegebiet mit einem positiven Potential belegt wird.
Fig. 1b zeigt die gleiche Querschnittsseitenansicht A-A'
wie Fig. 1a, zusätzlich eingezeichnet ist jedoch ein
Ersatzschaltbild für den Parasittransistor 12, dessen
Emitter durch das Sourcegebiet 4, dessen Basis durch die
p-Wanne 3 und dessen Kollektor durch das n-Gebiet 1 gebildet
ist. Die Basis des Parasittransistors 12 ist über einen
Untendurchwiderstand 6 mit dem Sourceanschluß S verbunden,
wobei der Untendurchwiderstand 6 durch p-Bereiche 5 der
p-Wanne 3 unterhalb des Source-Gebiets 4 gebildet wird.
Im n-Gebiet 1 werden insbesondere nahe des Kanalgebietes 16
durch den Avalancheeffekt Löcher als Minoritätsladungsträger
erzeugt. Diese Löcher driften in die p-Wanne und
durchfließen den Untendurchwiderstand 6. Wird dadurch die
erforderliche Basisemitterspannung zum Aufsteuern des
Parasittransistors 12 bereitgestellt, fließt sofort ein sehr
großer Strom zwischen Source- und Drainanschluß, der zur
Zerstörung des Bauelementes führt.
Fig. 1c zeigt eine Draufsicht auf das in Fig. 1a in
Querschnittsseitenansicht beschriebene Bauelement, wobei der
in Fig. 1a gezeigte Querschnitt A-A' dabei in Fig. 1c mit
einer gestrichelten Linie markiert ist. Das Draingebiet 2,
die Gateelektrode 10 und das Sourcegebiet 4 sind
streifenförmig parallel zueinander angeordnet. Das
Draingebiet 2 ist mit Drainkontakten 15 versehen, die
zusammen den Drainanschluß D bilden. Das Sourcegebiet 4 ist
mit Sourcekontakten 13 versehen, die zusammen den
Sourceanschluß S bilden. Die als Inseln in das Sourcegebiet
4 eingebrachten Kontaktierungsgebiete 11 sind mit Kontakten
14 versehen. Die Darstellung in Fig. 1c ist nach oben und
nach unten hin fortzusetzen, das heißt Sourcekontakte 13 und
Kontakte 14 der Kontaktierungsgebiete 11 alternieren.
Wie aus Fig. 1c erkennbar, müssen die oben beschriebenen
Minoritätsladungsträger durch die p-Bereiche 5 strömen, um
über die Kontaktierungsgebiete 11 schließlich zum
Sourceanschluß S zu fließen.
Fig. 2a zeigt eine Draufsicht auf ein erfindungsgemäßes
MOSFET-Bauelement. Gleiche Bestandteile wie in Fig. 1
bereits beschrieben, sind mit gleichen Bezugszeichen
versehen und werden nicht nochmals erläutert. In die p-Wanne
3 sind in alternierender Reihenfolge Sourcegebiete 4 und
stark p-dotierte Hilfsgebiete 20 eingebettet, die jeweils
bis zum Kanalgebiet 16 reichen. Die stark p-dotierten
Hilfsgebiete 20 sind analog zu den Kontaktierungsgebieten 11
in Fig. 1 mit Kontakten 14 versehen. Die mit B und B'
beziehungsweise mit C und C' markierten gestrichelten Linien
markieren die Positionen der Querschnittsseitenansichten,
wie sie in Fig. 2c beziehungsweise 2b abgebildet sind. In
Fig. 2b ist dabei in der P-Wanne 3 nur das stark n-dotierte
Sourcegebiet 4 erkennbar, während in der versetzten Position
B-B' gemäß Fig. 2c nur das Hilfsgebiet 20 erkennbar ist.
Der Querschnitt C-C' zeigt die Bestandteile, die für das
Funktionieren jedes MOSFET-Bauelementes erforderlich sind.
Die Kontaktierung der P-Wanne 3 erfolgt dabei seitlich
versetzt über die stark p-dotierten Hilfsgebiete 20 nach
Fig. 2c. Im N-Gebiet 1 nahe des Kanalgebiets 16 erzeugte
Minoritätsladungsträger können bei dieser Anordnung die
Sourcegebiete 4 seitlich umfließen, indem sie direkt von den
stark p-dotierten Hilfsgebieten 20 abgesaugt werden. Dadurch
wird die Gefahr eines Aufsteuerns des parasitären
Bipolartransistors vermindert, da durch die p-Bereiche 5 nun
erheblich weniger Löcher fließen.
In einer alternativen Ausführungsform können weiterhin
Kontaktierungsgebiete 11, wie in Fig. 1 bereits
beschrieben, vorgesehen sein. Diese Erhöhen zwar wieder
etwas die Gefahr eines Durchströmens des
Untendurchwiderstands mit Minoritätsladungsträgern, stellen
aber eine verbesserte Kontaktierung der P-Wanne 3 auch im
Querschnitt C-C' bereit. Dabei kann ein Großteil der
Minoritätsladungsträger weiterhin über die Hilfsgebiete 20
direkt abfließen. Bei einer solchen alternativen
Ausführungsform sind längs der Linie C-C' statt nur eines
Kontaktes 13 mindestens zwei Kontakte angeordnet (in Fig. 2
nicht eingezeichnet): mindestens ein Sourcekontakt 13 zur
Kontaktierung des Sourcegebiets 4 und ein weiterer Kontakt
14 zur Kontaktierung des Kontaktierungsgebiets 11, das
optional einstückig mit dem Hilfsgebiet 20 verbunden sein
kann.
Insbesondere vorteilhaft ist die erfindungsgemäße Anordnung
für Submikronstrukturen, das heißt wenn beispielsweise die
p-Wanne 3, von der Oberfläche des Draingebiets 1
ausgerechnet, eine Tiefe von weniger als 1 µm aufweist. Wird
in einer weiteren alternativen Ausführungsform die gesamte
Fläche des Hilfsgebiets 20 kleiner gewählt als die Fläche
des Sourcegebiets 4, so wird bei weiterhin vorhandenem gutem
Schutz vor parasitären Bipolareffekten ein niedriger Drain-
Source-Einsatzwiderstand (RDS,ON) sichergestellt.
Claims (7)
1. MOSFET-Bauelement in einem schwach n-dotierten Gebiet
(1), in das eine p-Wanne (3) eingebracht ist, wobei in die
p-Wanne (3) ein stark n-dotiertes Sourcegebiet (4)
eingebracht ist, wobei ein Parasittransistor (12) mit dem
Sourcegebiet (4) als Emitter, der p-Wanne (3) als Basis und
dem n-Gebiet (1) als Kollektor gebildet ist, wobei durch
einen p-dotierten Bereich (5) der p-Wanne (3) unterhalb des
Sourcegebiets ein Untendurchwiderstand (6) gebildet ist und
wobei der Basis-Emitter-Strecke des Parasittransistors (12)
ein p-leitfähiger Pfad parallelgeschaltet ist, dadurch
gekennzeichnet, daß der p-leitfähige Pfad ein stark
p-dotiertes Hilfsgebiet (20) aufweist, das zum
Untendurchwiderstand (6) parallelgeschaltet ist.
2. Bauelement nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß
die p-Wanne (3) eine Tiefe von weniger als einem Mikrometer
aufweist.
3. Bauelement nach Anspruch 1 oder 2, dadurch
gekennzeichnet, daß es in DMOS-Technologie ausgeführt ist.
4. Bauelement nach einem der vorhergehenden Ansprüche,
dadurch gekennzeichnet, daß ein stark n-dotiertes
Draingebiet (2) in das n-Gebiet (1) eingebracht ist.
5. Bauelement nach einem der vorhergehenden Ansprüche,
dadurch gekennzeichnet, daß der p-leitfähige Pfad einen
durch ein stark p-dotiertes Kontaktierungsgebiet (11)
gebildeten Teilpfad aufweist, wobei das Kontaktierungsgebiet
(11) mit dem Untendurchwiderstand (6) in Reihe geschaltet
ist.
6. Bauelement nach einem der vorhergehenden Ansprüche,
dadurch gekennzeichnet, daß das Hilfsgebiet (20) kleiner ist
als das Sourcegebiet (4).
7. Bauelement nach einem der vorhergehenden Ansprüche,
dadurch gekennzeichnet, daß statt p-dotierten Gebieten
n-dotierte Gebiete und statt n-dotierten p-dotierte Gebiete
vorgesehen sind.
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