DE19806754A1 - Sensor element - Google Patents
Sensor elementInfo
- Publication number
- DE19806754A1 DE19806754A1 DE1998106754 DE19806754A DE19806754A1 DE 19806754 A1 DE19806754 A1 DE 19806754A1 DE 1998106754 DE1998106754 DE 1998106754 DE 19806754 A DE19806754 A DE 19806754A DE 19806754 A1 DE19806754 A1 DE 19806754A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- sensor element
- evaluation circuit
- conductor track
- movable
- current loop
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
- G01L27/00—Testing or calibrating of apparatus for measuring fluid pressure
- G01L27/007—Malfunction diagnosis, i.e. diagnosing a sensor defect
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01P—MEASURING LINEAR OR ANGULAR SPEED, ACCELERATION, DECELERATION, OR SHOCK; INDICATING PRESENCE, ABSENCE, OR DIRECTION, OF MOVEMENT
- G01P21/00—Testing or calibrating of apparatus or devices covered by the preceding groups
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Biomedical Technology (AREA)
- Pressure Sensors (AREA)
- Testing Of Short-Circuits, Discontinuities, Leakage, Or Incorrect Line Connections (AREA)
Description
Die Erfindung betrifft ein Sensorelement, insbesondere einen piezoelek trischen, einen piezoresistiven oder einen kapazitiven Beschleunigungs aufnehmer oder Drucksensor, bestehend aus einer beweglichen Masse zur Erfassung einer physikalischen Größe, gemäß dem Oberbegriff des Patentanspruchs 1.The invention relates to a sensor element, in particular a piezoelectric trical, a piezoresistive or a capacitive acceleration transducer or pressure sensor, consisting of a movable mass for recording a physical quantity, according to the preamble of Claim 1.
Es sind verschiedene derartige Sensorelemente bekannt. Bei dem Sen sorelement handelt es sich um einen piezoelektrischen, piezoresistiven oder kapazitiven Beschleunigungssensor. Derartige Beschleunigungsele mente bestehen wiederum aus einem beweglichen Teil, der sogenannten seismischen Masse und einem festen Teil. Die beweglichen und unbe weglichen Teile sind durch einen oder mehrere Stege miteinander ver bunden. Der Ausschlag des beweglichen Teils gegenüber dem unbeweg lichen Teil ist das Maß für die Höhe der Beschleunigung bzw. des Druckes oder einer anderen physikalischen Größe. Dabei wird das mechanische Signal - der Ausschlag der seismischen Masse - in ein elektrisches Signal umgewandelt.Various sensor elements of this type are known. At the sen sorelement is a piezoelectric, piezoresistive or capacitive acceleration sensor. Such acceleration elements elements in turn consist of a moving part, the so-called seismic mass and a solid part. The agile and unconstrained moving parts are ver by one or more webs bound. The deflection of the moving part against the unmoving Lichen part is the measure of the level of acceleration or pressure or another physical quantity. The mechanical Signal - the deflection of the seismic mass - into an electrical signal converted.
Hierbei ergeben sich folgende Nachteile:
This has the following disadvantages:
- - löst sich der bewegliche Teil des Sensorelements vom unbeweglichen Teil durch Bruch oder andere mechanische Beschädigungen ab, so ver ändert sich auch das Verhalten des beweglichen Teils. Die Beschleuni gung bzw. der Druck oder eine andere physikalische Größe kann nicht mehr reproduzierbar gemessen werden. Die dabei ermittelten Werte sind falsch und können ungewollte Reaktionen des Systems auslösen.- The movable part of the sensor element detaches from the immobile Part due to breakage or other mechanical damage, so ver the behavior of the moving part also changes. The acceleration supply or the pressure or another physical quantity cannot be measured more reproducibly. The determined values are wrong and can trigger unwanted system reactions.
Der Erfindung liegt daher die Aufgabe zugrunde bei einem Sensorele ment der eingangs genannten Art diese Nachteile zu beheben.The invention is therefore based on the object with a sensor element ment of the type mentioned to remedy these disadvantages.
Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß durch die Merkmale im Kennzei chen des Patentanspruchs 1 gelöst. Hierbei wird auf dem Sensorelement mindestens eine Leiterbahn angebracht, die sich über den unbeweglichen Teil und über die Verbindung bzw. über den beweglichen Teil erstreckt und die als Indikator für eine mechanische Zerstörung an diesen Stellen dient.This object is achieved by the features in the indicator Chen of claim 1 solved. This is done on the sensor element attached at least one conductor track, which is over the immovable Part and extends over the connection or over the movable part and that as an indicator of mechanical destruction at these locations serves.
Dadurch können Fehlfunktionen am Sensorelement erkannt und ange zeigt werden.Malfunctions on the sensor element can thereby be recognized and indicated be shown.
Weitere vorteilhafte Weiterbildungen ergeben sich aus den Unteran sprüchen. Hierbei wird eine Leiterbahn im Bereich der Stege auf das Sen sorelement angebracht und als Stromschleife mit einem oder mehreren Testwiderständen genutzt. Verändern sich die elektrischen vorgegebenen Parameter, so ist dies ein Indikator für einen Bruch oder eine andere me chanische Zerstörung des Steges, der die seismische Masse mit dem un beweglichen Teil des Sensorelementes verbindet. Eine genaue Messung der Beschleunigung oder des Druckes oder einer anderen physikalischen Größe wäre dann nicht mehr gewährleistet. Die Leiterbahnen können aus hochdotiertem Silizium oder einem Metall, insbesondere Aluminium be stehen. Des weiteren werden vorteilhafte Auswerteschaltungen für derar tige Sensorelemente offenbart, die als integrierter Schaltkreis oder als Bestandteil eines bereits vorhandenen integrierten Schaltkreises realisiert werden können.Further advantageous developments result from the Unteran sayings. Here, a conductor track in the area of the webs is attached to the Sen attached and as a current loop with one or more Test resistors used. Change the electrical default Parameters, so this is an indicator of a break or some other me Chan destruction of the web, which connects the seismic mass with the un Moving part of the sensor element connects. An accurate measurement acceleration or pressure or other physical Then size would no longer be guaranteed. The conductor tracks can be made highly doped silicon or a metal, especially aluminum stand. Furthermore, advantageous evaluation circuits for derar term sensor elements disclosed that as an integrated circuit or as Part of an existing integrated circuit realized can be.
Im folgenden soll die Erfindung anhand von Ausführungsbeispielen im Zusammenhang mit den Figuren dargestellt und erläutert werden.In the following, the invention is to be illustrated using exemplary embodiments in Connection with the figures are shown and explained.
Es zeigen:Show it:
Fig. 1 Sensorelement mit Leiterbahnen Fig. 1 sensor element with conductor tracks
Fig. 2 Stromschleife mit Auswerteschaltung Fig. 2 current loop with evaluation circuit
Fig. 1 zeigt den mikromechanischen Aufbau eines Sensorelements 12 mit Stromschleife 6. Auf einer Silizium-Basis 1 befindet sich eine unbe wegliche Silizium-Masse-Platte 2. An diesem unbeweglichen Teil 2 ist über Aufhängungen 3 die seismischen Masse 4 befestigt. Die Aufhängun gen 3 sind als Stege zu sehen, die die bewegliche seismische Masse 4 mit der unbeweglichen Silizium-Platte 2 verbinden. An den Stegen 3 sind gleichfalls Piezowiderstände 5 implantiert, die die mechanischen Bewe gungen der seismischen Masse 4 in ein elektrisches Signal umwandeln. Die Piezowiderstände 5 erfassen hierbei Verspannungen, die sich im Be festigungsbereich der Stege 3 mit der unbeweglichen Silizium-Masse- Platte 2 durch die Bewegung der seismischen Masse 4 am anderen Ende des Steges ergeben. Bei diesem Ausführungsbeispiel sind zusätzlich Leiterbahnen als eine Stromschleife 6 an der ganzen Anordnung ange bracht. Die Stromschleife 6 befindet sich auf der Oberfläche der Silizium- Masse-Platte 2, der Stege 3 und der seismischen Masse 4. Sie erstreckt sich von den Anschlüssen 7 über die unbewegliche Silizium-Masse-Platte 2 über alle Stege 3 und über die seismische Masse 4. Des weiteren sind in die Stromschleife 6 zwei Testwiderstände RTest1, RTest2 implantiert. Die ganze Anordnung ist zum Schutz mit einer weiteren Siliziumschicht 11 abgedeckt. Die Stromschleife 6 stellt eine permanent aktive Testeinheit dar. Sie detektiert mechanische Zerstörungen, wie z. B. Risse, Abbruch usw. in den Stegen 3 oder der seismischen Masse 4 des Sensorelements 12. Die einwandfreie Funktion der Stromschleife 6 kann überprüft werden. Die Leiterbahn selbst besteht aus hochdotiertem Silizium oder Metall, wie z. B. Aluminium. Die beiden implantierten Widerstände RTest1, RTest2 wer den zur Testsignalauswertung benötigt. Des weiteren weist das Sensore lement 12 zusätzliche Bondpads 8 auf, mit denen das Sensorelement an die Versorgungsspannung und Masse angeschlossen wird und an denen die Sensorsignale abgegriffen werden können. Fig. 1 shows the structure of a micromechanical sensor element 12 having current loop 6. On a silicon base 1 there is an immobile silicon mass plate 2 . The seismic mass 4 is fastened to this immovable part 2 via suspensions 3 . The suspension conditions 3 can be seen as webs that connect the movable seismic mass 4 with the immobile silicon plate 2 . Piezo resistors 5 are also implanted on the webs 3 , converting the mechanical movements of the seismic mass 4 into an electrical signal. The piezoresistors 5 detect stresses that arise in the fastening area of the webs 3 with the immobile silicon mass plate 2 due to the movement of the seismic mass 4 at the other end of the web. In this embodiment, conductor tracks are additionally introduced as a current loop 6 on the entire arrangement. The current loop 6 is located on the surface of the silicon mass plate 2 , the webs 3 and the seismic mass 4 . It extends from the connections 7 over the immobile silicon mass plate 2 over all webs 3 and over the seismic mass 4 . Furthermore, two test resistors R Test1 , R Test2 are implanted in the current loop 6 . The entire arrangement is covered with a further silicon layer 11 for protection. The current loop 6 represents a permanently active test unit. It detects mechanical destruction, such as. B. cracks, demolition, etc. in the webs 3 or the seismic mass 4 of the sensor element 12 . The correct functioning of the current loop 6 can be checked. The conductor track itself consists of highly doped silicon or metal, such as. B. aluminum. The two implanted resistors R Test1 , R Test2 who needed the test signal evaluation . Furthermore, the sensor element 12 has additional bond pads 8 with which the sensor element is connected to the supply voltage and ground and from which the sensor signals can be tapped.
Fig. 2 zeigt eine Auswerteschaltung für die in Fig. 1 beschriebene
Stromschleife 6. Hierbei sind die beiden Widerstände RTest1, RTest2 der
Stromschleife mit einem Meßwiderstand RMess in Reihe geschaltet. Der
Widerstand RMess ist Bestandteil der Auswerteelektronik, die als integrier
ter Schaltkreis 10 realisiert werden kann. Der integrierte Schaltkreis 10 ist
an den Anschlüssen 7 mit dem Sensorelement 12 verbunden. Im Normal
betrieb ist der Schalter S1 geschlossen und am Meßwiderstand RMess liegt
die Spannung VMess:
FIG. 2 shows an evaluation circuit for the current loop 6 described in FIG. 1. The two resistors R Test1 , R Test2 of the current loop are connected in series with a measuring resistor R Mess . The resistance R Mess is part of the evaluation electronics, which can be implemented as an integrated circuit 10 . The integrated circuit 10 is connected to the sensor element 12 at the connections 7 . In normal operation, the switch S 1 is closed and the measuring resistor R is measured, the voltage V measured:
an. VDD ist hierbei die Versorgungsspannung des Sensormoduls und be trägt in dem Anwendungsbeispiel 5 V. Die Widerstände sind so dimensio niert, daß gilt (RTest1 + RTest2) « RMess. Im Normalbetrieb, also wenn keine Störung anliegt, beträgt die Spannung am Meßwiderstand: VMess ≈ VDD. Im Fall einer mechanischen Zerstörung der Stromschleife 6, z. B. einem Riß im Steg oder herausgebrochenem Material im Bereich der Leiterbahnen, wird der Widerstand der Stromschleife 6 aufgrund der Unterbrechung sehr viel größer als RMess. In diesem Fall beträgt die Spannung VMess ≈ 0V. Der Übergang von VDD auf 0 V bewirkt über eine interne erste Überwa chungseinheit 9, daß der Zustand am Fehler-Statusausgang AF des inte grierten Schaltkreises 10 von EINS auf NULL wechselt. Der Zustand NULL stellt eine Fehlermeldung dar. Sie kann von einem übergeordneten System, wie z. B. dem Airbagsystem ausgewertet und weiterverarbeitet werden. Weiterhin ist die Stromschleife 6 selbsttestfähig. Eine Unterbre chung der Stromschleife kann durch definiertes Öffnen des Schalters S1 simuliert werden.on. V DD is in this case the supply voltage of the sensor module and transmits be in the Application Example 5 V. The resistors are defined as dimensio that applies (R + R Test1 Test2) "R measurement. In normal operation, i.e. when there is no fault, the voltage across the measuring resistor is: V Mess ≈ V DD . In the event of mechanical destruction of the current loop 6 , e.g. B. a crack in the web or broken material in the area of the conductor tracks, the resistance of the current loop 6 is much larger than R measurement due to the interruption. In this case the voltage V Mess ≈ 0V. The transition from V DD to 0V causes an internal first surveil monitoring unit 9 so that the state at the fault-status output A F of the inte grated circuit 10 changes from one to zero. The state NULL represents an error message. It can be from a higher-level system, such as. B. the airbag system can be evaluated and processed. Furthermore, the current loop 6 is self-testable. An interruption of the current loop can be simulated by opening switch S 1 in a defined manner.
Claims (7)
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE1998106754 DE19806754A1 (en) | 1998-02-18 | 1998-02-18 | Sensor element |
GB9901497A GB2334587A (en) | 1998-02-18 | 1999-01-22 | A sensor element with fault monitor |
FR9901833A FR2775072A1 (en) | 1998-02-18 | 1999-02-16 | SENSOR WITH MOBILE AND FIXED PARTS CONNECTED BY A BAR |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE1998106754 DE19806754A1 (en) | 1998-02-18 | 1998-02-18 | Sensor element |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE19806754A1 true DE19806754A1 (en) | 1999-09-02 |
Family
ID=7858155
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE1998106754 Withdrawn DE19806754A1 (en) | 1998-02-18 | 1998-02-18 | Sensor element |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE19806754A1 (en) |
FR (1) | FR2775072A1 (en) |
GB (1) | GB2334587A (en) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE10352383A1 (en) * | 2003-11-10 | 2005-06-23 | Infineon Technologies Ag | Semiconductor chip for a pressure-measuring micro-sensor relies on a reference system and a zero position to base pressure measurement on detection of a change in the micro-sensor's condition |
DE102018209497A1 (en) * | 2018-06-14 | 2019-12-19 | Robert Bosch Gmbh | Micromechanical test facility |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102004026971B4 (en) * | 2004-06-02 | 2014-08-21 | Robert Bosch Gmbh | Micromechanical sensor with error detection |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3690039C1 (en) * | 1985-01-30 | 1989-03-16 | Tatabanyai Szenbanyak, Tatabanya, Hu | |
DE4226224A1 (en) * | 1992-08-07 | 1994-02-10 | Texas Instruments Deutschland | Monocrystalline silicon@ force sensor - connects central deformable section to outer base by carriers which support piezo-resistances, and has meandering tortuous path conductive tracks on deformable section for passage of test current |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3429250C1 (en) * | 1984-08-08 | 1986-03-27 | Texas Instruments Deutschland Gmbh, 8050 Freising | Sensor responsive to the action of a force |
JPH057884Y2 (en) * | 1988-04-07 | 1993-02-26 | ||
NO168970C (en) * | 1990-01-24 | 1992-04-29 | Sensonor As | DEVICE WITH A SEMICONDUCTOR SHELTER METER |
JP2804874B2 (en) * | 1992-12-25 | 1998-09-30 | 三菱電機株式会社 | Semiconductor acceleration detector |
JPH085654A (en) * | 1994-06-23 | 1996-01-12 | Murata Mfg Co Ltd | Acceleration sensor |
WO1997030356A1 (en) * | 1996-02-15 | 1997-08-21 | Honeywell Inc. | Apparatus for detection of proof mass rupture in an accelerometer |
-
1998
- 1998-02-18 DE DE1998106754 patent/DE19806754A1/en not_active Withdrawn
-
1999
- 1999-01-22 GB GB9901497A patent/GB2334587A/en not_active Withdrawn
- 1999-02-16 FR FR9901833A patent/FR2775072A1/en not_active Withdrawn
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3690039C1 (en) * | 1985-01-30 | 1989-03-16 | Tatabanyai Szenbanyak, Tatabanya, Hu | |
DE4226224A1 (en) * | 1992-08-07 | 1994-02-10 | Texas Instruments Deutschland | Monocrystalline silicon@ force sensor - connects central deformable section to outer base by carriers which support piezo-resistances, and has meandering tortuous path conductive tracks on deformable section for passage of test current |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE10352383A1 (en) * | 2003-11-10 | 2005-06-23 | Infineon Technologies Ag | Semiconductor chip for a pressure-measuring micro-sensor relies on a reference system and a zero position to base pressure measurement on detection of a change in the micro-sensor's condition |
DE10352383B4 (en) * | 2003-11-10 | 2006-02-09 | Infineon Technologies Ag | Semiconductor chip with integrated microsensor |
DE102018209497A1 (en) * | 2018-06-14 | 2019-12-19 | Robert Bosch Gmbh | Micromechanical test facility |
DE102018209497B4 (en) * | 2018-06-14 | 2021-03-11 | Robert Bosch Gmbh | Micromechanical testing device |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
FR2775072A1 (en) | 1999-08-20 |
GB2334587A (en) | 1999-08-25 |
GB9901497D0 (en) | 1999-03-17 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE3429250C1 (en) | Sensor responsive to the action of a force | |
DE4237072C1 (en) | Resistive film pressure or force sensor for indicating occupation of vehicle seat - has conductive paths for providing series of meandering interdigitated local area transducer electrodes on polymer and semiconductor substrate. | |
EP1182422B1 (en) | Linear actuator | |
DE4344284C2 (en) | Semiconductor accelerometer | |
DE19601078C2 (en) | Pressure force sensor | |
WO1986003835A1 (en) | Electric pressure detector provided with a leak indicator | |
WO2012156293A1 (en) | Force transducer, in particular capacitive load cell | |
WO2009021794A2 (en) | Apparatus for determining and/or monitoring a process variable | |
DE19532764C2 (en) | Semiconductor acceleration detector | |
DE10027234A1 (en) | Microsensor has micro electro-mechanical sensor element mounted directly on integrated circuit, connected with positional accuracy and electrically conductively via peripheral solder seam | |
WO2013152901A1 (en) | Micromechanical pressure sensor | |
DE19620459B4 (en) | Semiconductor accelerometer and method for evaluating the properties of a semiconductor accelerometer | |
DE19806754A1 (en) | Sensor element | |
DE102007059365A1 (en) | Electronic monitoring circuit for monitoring the electrical connection of at least two devices | |
EP1379849B1 (en) | Circuit arrangement with several sensor elements in matrix circuit design | |
DE19806753A1 (en) | Error indicator for sensor comprising Wheatstonebridge | |
DE102004026971B4 (en) | Micromechanical sensor with error detection | |
DE4341662C2 (en) | Acceleration sensor | |
DE19752439C2 (en) | Micromechanical tilt sensor, in particular for motor vehicles | |
DE202016008592U1 (en) | sensor | |
DE4244761C2 (en) | Level limit switch | |
DE3740688A1 (en) | Micromechanical acceleration pick-up having high axial selectivity | |
DE3742673A1 (en) | Microstress sensor | |
WO2002029421A1 (en) | Method and device for electrical zero balancing for a micromechanical component | |
DE19601077C2 (en) | Force sensor |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
OP8 | Request for examination as to paragraph 44 patent law | ||
8127 | New person/name/address of the applicant |
Owner name: TEMIC TELEFUNKEN MICROELECTRONIC GMBH, 90411 NUERN |
|
8139 | Disposal/non-payment of the annual fee |