DE19800323A1 - Anordnung von betätigten Dünnschichtspiegeln und Verfahren zu deren Herstellung - Google Patents
Anordnung von betätigten Dünnschichtspiegeln und Verfahren zu deren HerstellungInfo
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Description
Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf eine Anordnung (Array) von M × N betätigten bzw.
schaltbaren Dünnschichtspiegeln zur Verwendung in einem optischen Projektionssystem und auf
Verfahren zu deren Herstellung. Insbesondere bezieht sich die vorliegende Erfindung auf eine
aktive Matrix mit einer neuartigen Struktur, die in der Anordnung eingebaut werden soll.
Unter den verschiedenen im Stand der Technik verfügbaren Videoanzeigesystemen ist ein opti
sches Projektionssystem bekannt, das fähig ist, Anzeigen hoher Qualität in einem großen Maß
stab vorzusehen. Bei einem derartigen optischen Projektionssystem wird eine Anordnung von
z. B. M × N betätigten bzw. schaltbaren Spiegeln gleichförmig mit Licht aus einer Lampe be
leuchtet. Dabei ist jeder Spiegel mit jeder Betätigungseinrichtung gekoppelt. Die Betätigungsein
richtungen können aus einem elektrisch versetzenden Material, wie z. B. einem piezoelektrischen
oder elektrostriktiven Material, gefertigt sein, das sich in Reaktion auf ein daran angelegtes elek
trisches Feld deformiert.
Der von jedem der Spiegel reflektierte Lichtstrahl fällt auf eine Apertur bzw. Öffnung von z. B.
einer optischen Blende. Durch Anlegen eines elektrischen Signales an jede Betätigungseinrich
tung wird die Relativposition jedes Spiegels bezüglich des einfallenden Lichtstrahls geändert,
wodurch eine Ablenkung in dem optischen Weg des von jedem Spiegel reflektierten Strahls ver
ursacht wird. Wenn der optische Weg jedes der reflektierten Strahlen variiert wird, wird auch die
Menge des von jedem der Spiegel reflektierten Lichts, das durch die Apertur hindurchtritt, verän
dert, wodurch die Intensität des Strahls moduliert wird. Die durch die Apertur tretenden modu
lierten Strahlen werden über eine geeignete optische Einrichtung, wie z. B. eine Projektionslinse,
auf einem Projektionsschirm übertragen, um so auf diesem ein Bild anzuzeigen.
In den Fig. 1A bis 1H sind schematische Querschnittsansichten gezeigt, die ein Verfahren
zum Herstellen einer Anordnung (Array) 100 aus M × N betätigten Dünnschichtspiegeln 101 dar
stellen, wobei M und N positive ganze Zahlen sind, und wobei die Anordnung 100 zur Verwen
dung in einem optischen Projektionssystem dient, das in der Europäischen Patentanmeldung Nr.
96102744.8 mit dem Titel "THIN FILM ACTUATED MIRROR ARRAY FOR USE IN AN
OPTICAL PROJECTION SYSTEM" offenbart ist.
Das Verfahren zur Herstellung der Anordnung 100 beginnt mit der Herstellung bzw. Präparation
einer aktiven Matrix 110 mit einem Substrat 112 und einer Anordnung (ein Array) von M × N
Verbindungsanschlüssen bzw. Kontakten (connecting terminals) 114. Das Substrat 112 ist aus
einem isolierenden Material, z. B. einem Si-Wafer, hergestellt, und der Verbindungsanschluß 114
ist aus einem leitenden Material, z. B. Wolfram (W) hergestellt, wie in Fig. 1A gezeigt ist.
In einem darauffolgenden Schritt wird eine Passivierungsschicht 120, die z. B. aus PSG oder Sili
ziumnitrid hergestellt wird und eine Dicke von 0,1-2 µm aufweist, auf die aktive Matrix 110
unter Verwendung eines CVD (chemical vapor deposition)-Verfahrens oder eines Schleuderbe
schichtungsverfahrens ("spin coating")-Verfahren gebildet.
Danach wird eine Ätzmittelstoppschicht 130, die aus Siliziumnitrid hergestellt wird und eine
Dicke von 0,1-2 µm besitzt, auf der Passivierungsschicht 120 unter Verwendung z. B. eines
Sputter- oder CVD-Verfahrens abgeschieden, wie in Fig. 1B gezeigt ist.
Sodann wird eine "Opfer"-Dünnschicht (thin film sacrificial layer) 140, die aus PSG hergestellt
wird und eine flache Oberseite besitzt, auf der Oberseite der Ätzmittelstoppschicht 130 unter
Verwendung eines CVD- oder Schleuderbeschichtungsverfahrens gebildet, gefolgt von einem
chemisch-mechanischen Polierverfahren (CMP (chemical mechanical polishing)-Verfahren).
Darauffolgend wird eine Anordnung (Array) von M × N Paaren leerer Hohlräume bzw. Öffnun
gen 145 in der "Opfer"-Dünnschicht 140 derart erzeugt, daß einer der leeren Hohlräume 145 in
jedem Paar einen der Verbindungsanschlüsse 114 umfaßt, und zwar unter Verwendung eines
Trocken- oder eines Naßätzverfahrens, wie in Fig. 1C gezeigt ist.
In einem nächsten Schritt wird eine elastische Schicht 150, die aus einem Nitrid, z. B. Siliziumni
trid, hergestellt wird und eine Dicke von 0,1-2 µm besitzt, auf der "Opfer"-Dünnschicht 140
einschließlich der leeren Hohlräume 145 unter Verwendung eines CVD-Verfahrens abgeschie
den.
Danach wird eine zweite (nicht gezeigte) Dünnschicht bzw. Dünnfilm-Schicht, die aus einem
elektrisch leitenden Material, z. B. Pt/Ta, hergestellt wird und eine Dicke von 0,1-2 µm besitzt,
auf der elastischen Schicht 150 unter Verwendung eines Sputter- oder eines Vakuumverdamp
fungsverfahrens gebildet. Die zweite Dünnschicht wird dann unter Verwendung eines
Trockenätzverfahrens in eine Anordnung (Array) von M × N zweiten Dünnschicht-Elektroden 145
gleichmäßig aufgeteilt, wobei jede der zweiten Dünnschicht-Elektroden 165 von den anderen
zweiten Dünnschicht-Elektroden 165 elektrisch getrennt wird, wie in Fig. 1D gezeigt ist.
Dann wird eine elektrisch versetzende Dünnschicht (thin film electrodisplacive layer) 170, die
aus einem piezoelektrischen Material, z. B. PZT, oder einem elektrostriktiven Material, z. B. PMN,
hergestellt wird und eine Dicke von 0,1-2 µm besitzt, auf der Anordnung (Array) aus M × N
zweiten Dünnschicht-Elektroden 165 unter Verwendung eines Verdampfungs-, eines Sol-Gel-,
eines Sputter- oder eines CVD-Verfahrens abgeschieden.
Darauffolgend wird eine erste Dünnschicht 180, die aus einem elektrisch leitenden und lichtre
flektierenden Material, z. B. Aluminium (Al) oder Silber (Ag) hergestellt wird und eine Dicke von
0,1-2 µm besitzt, auf der elektrisch versetzenden Dünnschicht 170 unter Verwendung eines
Sputter- oder Vakuumverdampfungsverfahrens gebildet, wodurch eine Mehrschichtsstruktur 200,
wie in Fig. 1E gezeigt ist, gebildet wird.
In einem darauffolgenden Schritt, wie in Fig. 1F gezeigt ist, wird die Mehrschichtsstruktur 200
unter Verwendung eines Photolithographieverfahrens oder eines Laserschneide- bzw.
-trimmverfahrens (laser trimming) strukturiert, bis die "Opfer"-Dünnschicht 140 freigelegt ist.
In einem darauffolgenden Schritt wird eine Anordnung (Array) von M × N Leitungen 190, die
aus einem Metall, z. B. Wolfram (W) gebildet werden, unter Verwendung eines Ablöseverfahrens
(lift-off Verfahren) hergestellt, wodurch eine Anordnung (Array) von M × N Betätigungsstruktu
ren 210 gebildet wird, wobei jede der Betätigungsstrukturen 210 eine erste Dünnschicht-Elek
trode 185, ein elektrisch versetzendes Dünnschicht-Glied 175, eine zweite Dünnschicht-Elek
trode 165, ein elastisches Glied 155 und eine Leitung 190 umfaßt, wobei die Leitungen 190
sich von der Oberseite des elektrisch versetzenden Dünnschicht-Glieds 175 bis zu der Oberseite
eines zugehörigen Verbindungsanschlusses 114 erstrecken, wie in Fig. 1G gezeigt ist.
Schließlich wird die "Opfer"-Dünnschicht 140 unter Verwendung eines Naßätzverfahrens mit
einem Ätzmittel oder einer Chemikalie, z. B. Fluorwasserstoff-(HF-)Dampf entfernt, um dadurch
eine Anordnung (Array) 100 aus M × N betätigten Dünnschichtspiegeln 101, wie in Fig. 1H
gezeigt ist, zu bilden.
Das oben beschriebene Verfahren zur Herstellung der Anordnung 100 aus M × N betätigten
Dünnschichtspiegeln 101 weist bestimmte Nachteile auf: Der Verbindungsanschluß 114 aus ei
nem leitenden Material, z. B. Wolfram, wird auf dem Substrat 112 gebildet, das z. B. aus einem
Si-Wafer hergestellt wird. Während des Hochtemperaturprozesses bei der Herstellung der dünn
schichtbetätigten Spiegel 101, kann das Silizium (Si) im Substrat 112 derart zu dem Verbin
dungsanschluß 114 diffundieren, daß sich darauf ein Material mit hohem Widerstand, z. B. Wolf
ramsilizid, bilden kann, was bei dem zugehörigen dünnschichtbetätigten Spiegel 101 eine Fehl
funktion verursacht.
Die Aufgabe der vorliegenden Erfindung besteht daher darin, eine Anordnung (Array) von M × N
betätigten Dünnschichtspiegeln (thin film actuated mirrors) mit einer neuartigen Struktur zu
schaffen, bei der das Silizium an der Diffusion gehindert wird. Hierzu gehört die Bereitstellung
entsprechender Verfahren zur Herstellung einer solchen Anordnung (Array) von M × N dünn
schichtbetätigten Spiegeln.
Diese Aufgabe wird vorrichtungsmäßig durch den Gegenstand des Anspruchs 1 und verfahrens
mäßig durch die Gegenstände der Ansprüche 12 und 19 gelöst. Bevorzugte Ausführungen der
Erfindung sind in den abhängigen Ansprüchen angegeben.
Gemäß einem Aspekt der vorliegenden Erfindung wird eine Anordnung (Array) von M × N betä
tigten bzw. schaltbaren Dünnschichtspiegeln zur Verwendung in einem optischen Projektionssy
stem bereitgestellt, wobei M und N positive ganze Zahlen sind, welche folgendes umfaßt eine
aktive Matrix mit einem Substrat, eine Anordnung (Array) von M × N Transistoren, eine Adhäsi
ons- bzw. Haftschicht, eine Diffusionsbarrierenschicht, und eine Anordnung (Array) von M × N
Verbindungsanschlüssen, und eine (Gitter)spannungsausgleichsschicht, wobei die Diffusionsbar
rierenschicht zwischen dem Substrat und dem Verbindungsanschluß angeordnet ist, und wobei
jeder der Verbindungsanschlüsse mit einem zugehörigen Transistor in der Anordnung von Tran
sistoren elektrisch verbunden ist; eine Passivierungsschicht, die auf der Oberseite der aktiven
Matrix ausgebildet ist; eine Ätzmittelstoppschicht, die auf der Oberseite der Passivierungsschicht
ausgebildet ist; und eine Anordnung (Array) von M × N Betätigungsstrukturen, die jeweils eine
erste Dünnschicht-Elektrode, ein elektrisch versetzendes (electrodisplacive) Dünnschicht-Glied,
eine zweite Dünnschicht-Elektrode, ein elastisches Glied und eine Leitung umfassen, wobei die
erste Dünnschicht-Elektrode auf der Oberseite des elektrisch versetzenden Dünnschicht-Glieds
angeordnet ist und die erste Dünnschicht-Elektrode sowohl als Vorspannungs- bzw. Biaselektro
de als auch als Spiegel fungiert, wobei das elektrisch versetzende Dünnschicht-Glied auf der
Oberseite der zweiten Dünnschicht-Elektrode positioniert ist, die auf dem elastischen Glied aus
gebildet ist und als Signalelektrode fungiert, und wobei die Leitung die zweite Dünn
schicht-Elektrode mit einem zugehörigen Verbindungsanschluß elektrisch verbindet.
Gemäß einem weiteren Aspekt der vorliegenden Erfindung ist ein Verfahren zum Herstellen einer
Anordnung (Array) von M × N betätigten Dünnschichtspiegeln zur Verwendung in einem opti
schen Projektionssystem vorgesehen, wobei M und N positive ganze Zahlen sind, und wobei das
Verfahren folgende Schritte umfaßt: Herstellen bzw. Präparieren eines Substrats mit einer Anord
nung (Array) von M × N darauf ausgebildeten Transistoren; Abscheiden einer Adhäsions- bzw.
Haftschicht; Bilden einer Diffusionsbarrierenschicht auf der Oberseite der Haftschicht; Bilden
einer Anordnung (Array) von M × N Verbindungsanschlüssen; Abscheiden einer Spannungsaus
gleichsschicht, um dadurch eine Mehrzweckschicht zu bilden; selektives Entfernen der Mehr
zweckschicht, wodurch eine aktive Matrix ans gebildet wird; nacheinander Abscheiden einer Pas
sivierungsschicht und einer Ätzmittelstoppschicht auf der aktiven Matrix; Bilden einer
"Opfer"-Dünnschicht (thin film sacrificial layer) mit einer Anordnung (Array) von M × N Paaren von Öff
nungen bzw. leeren Hohlräumen; nacheinander Abscheiden einer elastischen Schicht, einer
zweiten Dünnschicht bzw. Dünnfilm-Schicht, einer elektrisch versetzenden Dünnschicht und ei
ner ersten Dünnschicht auf der Oberseite der "Opfer"-Dünnschicht, um dadurch eine Mehr
schichtstruktur auszubilden; Strukturieren der Mehrschichtstruktur in eine Anordnung (Array) von
M × N halbfertigen Betätigungsstrukturen, bis die "Opfer"-Dünnschicht freigelegt ist; Bilden ei
ner Anordnung (Array) von M × N Leitungen, wodurch eine Anordnung (Array) von M × N Be
tätigungsstrukturen ausgebildet wird; und Entfernen der "Opfer"-Dünnschicht, um dadurch eine
Anordnung (Array) von M × N betätigten bzw. schaltbaren Dünnschichtspiegeln zu bilden.
Die obigen sowie weitere Merkmale und Vorteile der vorliegenden Erfindung werden aus der
folgenden Beschreibung von bevorzugten Ausführungsbeispielen in Verbindung mit den beige
fügten Zeichnungen offenbar werden. In den Zeichnungen zeigen:
Fig. 1A bis 1H schematische Querschnittsansichten, die ein Herstellungsverfahren für eine
Anordnung (Array) von M × N betätigten Dünnschichtspiegeln gemäß dem
Stand der Technik darstellen;
Fig. 2A und 2B schematische Querschnittsansichten, die jeweils eine Anordnung (Array)
von M × N betätigten Dünnschichtspiegeln gemäß zwei Ausführungsbei
spielen der vorliegenden Erfindung darstellen;
Fig. 3A bis 3K schematische Querschnittsansichten, die ein Verfahren zum Herstellen der
Anordnung (Array) von M × N betätigten Dünnschichtspiegeln, nach Fig.
2A darstellen; und
Fig. 4A bis 4K schematische Querschnittsansichten, die ein Verfahren zum Herstellen der
Anordnung (Array) von M × N betätigten Dünnschichtspiegeln, nach Fig.
2B darstellen.
In den Fig. 2A bis 2B sind Querschnittsansichten dargestellt, die eine Anordnung (Array) 300
von M × N betätigten Dünnschichtspiegeln 301 zur Verwendung in einem optischen Projektions
system zeigen, wobei M und N positive ganze Zahlen sind. In den Fig. 3A bis 3K und 4A bis
4K sind schematische Querschnittsansichten dargestellt, die ein Verfahren zur Herstellung der in
Fig. 2A gezeigten Anordnung (Array) darstellen, bzw. schematische Querschnittsansichten dar
gestellt, die ein Verfahren zur Herstellung der in Fig. 2B gezeigten Anordnung (Array) darstel
len, und zwar gemäß den zwei Ausführungsbeispielen der vorliegenden Erfindung. Es sei be
merkt, daß gleiche oder ähnliche Teile, die in den Fig. 2A bis 2B, 3A bis 3K und 4A bis 4K
auftreten, durch gleiche Bezugszeichen dargestellt werden.
Die Querschnittsansichten der Fig. 2A und 2B zeigen eine Anordnung (Array) 300 von M × N
betätigten Dünnschichtspiegeln 301 gemäß zwei Ausführungsbeispielen der vorliegenden Erfin
dung. Dabei umfaßt die Anordnung (Array) 300 eine aktive Matrix 310, eine Passivierungs
schicht 340, eine Ätzmittelstoppschicht 350 und eine Anordnung (Array) von M × N
Betätigungs- bzw. Schaltstrukturen 400.
Die aktive Matrix 310 weist ein Substrat 312 auf, das eine Anordnung (Array) von M × N Transi
storen 370 (siehe Fig. 3A oder 4A) und eine Mehrzweckschicht 314 umfaßt. Jeder der Transi
storen 370 umfaßt eine Feldoxidschicht 372, einen Gate-Anschluß 374, einen Source/Drain-Be
reich 376 und ein Passivierungsglied 378. Die Mehrzweckschicht 314 umfaßt eine Adhäsions- bzw.
Haftschicht 322, eine Diffusionsbarrierenschicht 324, eine Anordnung (Array) von M × N
Verbindungsanschlüssen 326 und eine Spannungs- bzw. Gitterspannungsausgleichsschicht 328,
wobei die Diffusionsbarrierenschicht 324 zwischen dem Substrat 312 und den Verbindungsan
schlüssen 326 angeordnet ist, wobei jeder der Verbindungsanschlüsse 326 aus einem leitenden
Material, z. B. Wolfram (W), hergestellt und mit einem zugehörigen Transistor 370 in der Anord
nung von Transistoren 370 elektrisch verbunden ist, und wobei die Spannungsausgleichsschicht
328, die z. B. aus kubischem TiN (C-TiN) hergestellt ist und eine Dicke von 500-700 Å besitzt,
oben auf den Verbindungsanschlüssen 326 angeordnet ist.
Gemäß einem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung ist die Haftschicht 322, die z. B.
aus Titan (Ti) hergestellt ist und eine Dicke von 100 Å besitzt oder z. B. aus an Titan reichem
Titannitrid (Ti-reichem TiN) und eine Dicke von 100-150 Å besitzt, zwischen dem Substrat 312
und der Diffusionsbarrierenschicht 324 angeordnet. Die Diffusionsbarrierenschicht 324, die aus
TiN hergestellt ist und eine Dicke von 500-700 Å besitzt, ist in einer kubischen Struktur kristal
lisiert, wobei die Ebene dichtester Packung, d. h. die Ebene mit den Miller-Indizes (1 1 1), der
kubischen Struktur parallel zu der Horizontalrichtung des Substrats 312 ist, wie in Fig. 2A ge
zeigt ist.
Gemäß einem weiteren Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung ist die Diffusionsbarrie
renschicht 324 mit einer unteren Diffusionsbarrierenschicht 332 und einer oberen Diffusionsbar
rierenschicht 334 versehen. Die untere und obere Diffusionsbarrierenschicht 332, 334 ist z. B. aus
TiN hergestellt und in einer kubischen Struktur kristallisiert, wobei die untere Diffusionsbarrie
renschicht 332 und die obere Diffusionsbarrierenschicht 334 aus TiN mit einer spezifischen
Korngröße von z. B. 150-200 Å bzw. 80-100 Å bestehen, und die Korngröße der unteren Diffu
sionsbarrierenschicht 332 größer als diejenige der oberen Diffusionsbarrierenschicht 334 ist, wie
in Fig. 2B gezeigt ist. Die Korngröße der unteren und oberen Diffusionsbarrierenschicht 332,
334 kann durch eine Wärmebehandlung, sowie Abscheidungsdruck und Substrattemperatur wäh
rend der Abscheidung der Schichten gesteuert werden.
Die Passivierungsschicht 340, die z. B. aus einem Phosphorsilikatglas (PSG) hergestellt ist und
eine Dicke von 2000 Å besitzt, ist auf der aktiven Matrix 310 angeordnet.
Die Ätzmittelstoppschicht 350, die aus Siliziumnitrid hergestellt ist und eine Dicke von
1000-2000 Å besitzt, liegt auf der Passivierungsschicht 340.
Jede Betätigungsstruktur 400 hat ein nahes und ein weiter beabstandetes Ende und umfaßt eine
erste Dünnschicht-Elektrode 445, ein elektrisch versetzendes Dünnschicht-Glied 435, das aus
einem piezoelektrischen oder einem elektrostritktiven Material hergestellt ist, ferner eine zweite
Dünnschicht-Elektrode 425, ein elastisches Glied 415, das aus einem isolierenden Material herge
stellt ist, und eine Leitung 450. Die erste Dünnschicht-Elektrode 445, die aus einem lichtreflektie
renden und elektrisch leitenden Material, z. B. Al, Ag oder Pt, hergestellt ist, ist auf dem elek
trisch versetzenden Dünnschicht-Glied 435 angeordnet und mit Erde bzw. Masse elektrisch ver
bunden. Somit kann sie sowohl als Vorspannelektrode als auch als Spiegel fungieren. Das elek
trisch versetzende Dünnschicht-Glied 435 ist auf der zweiten Dünnschicht-Elektrode 425 positio
niert. Die zweite Dünnschicht-Elektrode 425, die aus einem elektrisch leitenden Material, z. B. Ta
oder Pt/Ta, hergestellt ist, ist auf der Oberseite des elastischen Glieds 415 angeordnet und mit
einem zugehörigen Transistor 370 in der Anordnung (Array) von Transistoren 370 durch die
Leitung 350 und den Verbindungsanschluß 326 elektrisch verbunden. Sie fungiert somit als Si
gnal-Elektrode. Das elastische Glied 415 ist auf der Unterseite bzw. unter der zweiten Dünn
schicht-Elektrode 425 angeordnet. Ein nach unten gerichteter Abschnitt des elastischen Gliedes
415 ist so auf der aktiven Matrix 310 angebracht, mit teilweise dazwischenliegenden Ätzmittel
stoppschicht 350 und Passivierungsschicht 340, daß die Betätigungsstruktur 400 angehoben bzw.
frei getragen wird. Die Leitung 450 erstreckt sich von der Oberseite des elektrisch versetzenden
Dünnschicht-Glieds 435 bis zur Oberseite eines zugehörigen Verbindungsanschlusses 326 und ist
von der ersten Dünnschicht-Elektrode 445 elektrisch getrennt, wobei andererseits die zweite
Dünnschicht-Elektrode 425 mit dem zugehörigen Verbindungsanschluß 326 elektrisch verbun
den wird.
In den Fig. 3A bis 3K sind schematische Querschnittsansichten gezeigt, die ein Herstellungs
verfahren für die Anordnung (Array) 300 von M × N betätigten Dünnschichtspiegeln 301 gemäß
dem ersten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung, das in der Fig. 2A gezeigt ist, dar
stellen.
Der Prozeß zum Herstellen der Anordnung (Array) 300 fängt mit der Herstellung bzw. Präparati
on eines Substrats 312 an, das eine Anordnung (Array) von M × N Transistoren 370 umfaßt. Das
Substrat 312 ist aus einem isolierenden Material, z. B. einem Si-Wafer, hergestellt und jeder der
Transistoren 370 besteht aus einer Schalteinrichtung, z. B. einem Metall-Oxid-Halbleiter
(MOS)-Transistor, wie in Fig. 3A gezeigt ist.
Darauffolgend wird eine Adhäsions- bzw. Haftschicht 322, die aus z. B. Titan (Ti) hergestellt ist
und eine Dicke von 100 Å besitzt, oder aus z. B. an Titan reichem Titannitrid (Ti-reichem TiN)
hergestellt ist und eine Dicke von 100-500 Å besitzt, auf das Substrat 312 unter Verwendung
eines Sputter- oder eines CVD (chemical vapor deposition)-Verfahrens abgeschieden, wie in Fig.
3B gezeigt ist.
In einem nächsten Schritt wird eine Diffusionsbarrierenschicht 324, die z. B. aus einem TiN her
gestellt ist und eine Dicke von 500-700 Å besitzt, auf der Haftschicht 322 unter Verwendung
eines PVD (physical vapor deposition)-Verfahrens abgeschieden. Die Diffusionsbarrierenschicht
324 wird wärmebehandelt, um die mechanische Spannung zu lösen, um sich zu verdichten und
um einem Phasenübergang zu ermöglichen, wobei die Ebene dichtester Packung, d. h. die Ebene
mit den Miller-Indizes (1 1 1) der kubischen Struktur, parallel zu der Horizontalrichtung des
Substrats 312 ist, wie in Fig. 3C gezeigt ist. Die Wärmebehandlung besteht aus einem Glühen
bzw. einer Erwärmung der Diffusionsbarrierenschicht 324 auf 450° Celsius für 30 Minuten.
In einem folgenden Schritt wird eine Anordnung (Array) von M × N Verbindungsanschlüssen
bzw. Kontakten 326 auf der Diffusionsbarrierenschicht 324 gebildet. Jeder der Verbindungsan
schlüsse 326 ist mit einem Transistor 370 in der Anordnung (Array) von Transistoren 370 elek
trisch verbunden, wie in Fig. 3D gezeigt ist.
Danach wird eine Spannungsausgleichsschicht 328, die z. B. aus kubischem TiN hergestellt ist
und eine Dicke von 500-700 Å besitzt, auf den Verbindungsanschlüssen 326 unter Verwendung
einer physikalischen Abscheidung aus der Dampf- bzw. Gasphase (PVD) abgeschieden, um da
durch eine Mehrzweckschicht 314 zu bilden, wie in Fig. 3E gezeigt ist.
Dann wird die Mehrzweckschicht 314 selektiv entfernt, um den oberhalb des Gate-Anschlusses
374 gebildeten Teil in dem Transistor 374 freizulegen und dadurch eine Matrix 310 zu bilden,
wie in Fig. 3F gezeigt ist.
Danach wird eine Passivierungsschicht 340, die z. B. aus PSG hergestellt ist und eine Dicke von
2000 Å besitzt, auf der aktiven Matrix 310 unter Verwendung von z. B. einem CVD-Verfahren
abgeschieden.
In einem folgenden Schritt wird eine Ätzmittelstoppschicht 350, die aus Siliziumnitrid hergestellt
ist und eine Dicke von 1000-2000 Å besitzt, auf der Passivierungsschicht 340 unter Verwen
dung eines plasma-unterstützen chemischen Dampfabscheidungsverfahrens (PECVD (plasma
enhanced chemical vapor deposition)-Verfahren) abgeschieden.
Dann wird eine "Opfer"-Dünnschicht (thin film sacrificial layer) 360, die z. B. aus PSG hergestellt
ist und eine Dicke von 1,6 µm besitzt, auf der Oberseite der Ätzmittelstoppschicht 350 unter
Verwendung eines chemischen Dampfabscheidungsverfahrens bei Atmosphärendruck (APCVD,
atmospheric pressure chemical vapor deposition)-Verfahren, gefolgt von einem chemisch
mechanischen Polierverfahren (CMP (chemical mechanical polishing)-Verfahren), gebildet.
In einem darauffolgenden Schritt wird eine Anordnung (Array) von M × N Paaren von Öffnungen
bzw. leeren Hohlräumen 365 in der "Opfer"-Dünnschicht 360 derart erzeugt, daß einer der leeren
Hohlräume 365 in jedem Paar einen der Verbindungsanschlüsse 326 umfaßt, und zwar unter
Verwendung eines Trocken-. oder eines Naßätzverfahrens, wie in Fig. 3G gezeigt ist.
In dem nächsten Schritt wird eine elastische Schicht 410, die aus einem Nitrid, z. B. Siliziumnitrid
hergestellt ist und eine Dicke von 1000-3000 Å besitzt, auf der "Opfer"-Dünnschicht 360 ein
schließlich den leeren Hohlräumen 365 unter Verwendung eines chemischen Dampfabschei
dungsverfahrens bei Niedrigdruck (LPCVD (low pressure chemical vapor deposition)-Verfahren)
abgeschieden.
Danach wird eine zweite Dünnschicht 420, die aus einem elektrisch leitenden Material z. B. Pt/Ta
hergestellt ist und eine Dicke von 2000-4000 Å besitzt, auf der elastischen Schicht 410 unter
Verwendung eines Sputter- oder eines CVD-Verfahrens gebildet.
Dann wird eine elektrisch versetzende Dünnschicht 430, die aus einem piezoelektrischen Materi
al, z. B. PZT, oder einem elektrostriktiven Material, z. B. PMN, hergestellt ist und eine Dicke von
4000-6000 Å besitzt, auf der zweiten Dünnschicht 420 unter Verwendung eines Verdampfungs-,
eines Sol-Gel-, eines Sputter- oder eines CVD-Verfahrens abgeschieden.
Darauffolgend wird eine erste Dünnschicht 440, die aus einem elektrisch leitenden und lichtre
flektierenden Material, z. B. Aluminium (Al), Silber (Ag) oder Platin (Pt), hergestellt ist und eine
Dicke von 2000-6000 Å besitzt, auf der elektrisch versetzenden Dünnschicht 430 unter Verwen
dung eines Sputter- oder Vakuum-Verdampfungsverfahrens gebildet, wodurch eine Mehr
schichtstruktur 460 gebildet wird, wie in Fig. 3H gezeigt ist.
In einem darauffolgenden Schritt wird, wie in Fig. 3I gezeigt ist, die Mehrschichtstruktur 460 zu
einer Anordnung (Array) von M × N halbfertigen Betätigungsstrukturen 470 unter Verwendung
eines Photolithographie- oder Laserschneideverfahrens (laser trimming) strukturiert, bis die
"Opfer"-Dünnschicht 360 freigelegt ist, wobei jede der halbfertigen Betätigungsstrukturen 470
eine erste Dünnschicht-Elektrode 445, ein elektrisch versetzendes Dünnschicht-Glied 435, eine
zweite Dünnschicht-Elektrode 425 und ein elastisches Glied 415 umfaßt.
In einem darauffolgenden Schritt wird eine Anordnung (Array) von M × N Leitungen 450 in den
halbfertigen Betätigungsstrukturen 470 erzeugt, wobei sich jede Leitung 450 von der Oberseite
des elektrisch versetzenden Dünnschicht-Glieds 435 zu der Oberseite eines zugehörigen Verbin
dungsanschlusses 326 erstreckt und von der ersten Dünnschicht-Elektrode 445 elektrisch getrennt
ist, um dadurch eine Anordnung (Array) von M × N Betätigungsstrukturen 400 zu bilden, wie in
Fig. 3J gezeigt ist.
Die "Opfer"-Dünnschicht 360 wird dann unter Verwendung eines Naßätzverfahrens mit einem
Ätzmittel oder einer Chemikalie, z. B. Fluorwasserstoff (HF)-Dampf, entfernt, um dadurch die
Anordnung (Array) 300 von M × N betätigten Dünnschichtspiegeln 301 zu bilden, wie in Fig.
3K gezeigt ist.
In den Fig. 4A bis 4K sind schematische Querschnittsansichten, die ein Verfahren zum Her
stellen einer Anordnung (Array) 300 von M × N betätigten Dünnschichtspiegeln 301 gemäß ei
nem weiteren Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung dargestellt, das in Fig. 2B ge
zeigt ist.
Zuerst wird eine Adhäsions- bzw. Haftschicht 322, die z. B. aus Titan (Ti) oder aus an Titan rei
chem Titannitrid (Ti-reichem TiN) hergestellt ist und eine Dicke von 100-500 Å besitzt, auf
einem Substrat 312 unter Verwendung eines Sputter- oder CVD-Verfahrens abgeschieden, wie in
Fig. 4A gezeigt ist.
Darauffolgend wird eine untere Diffusionsbarrierenschicht 332, die z. B. aus TiN hergestellt ist
und eine Dicke von 500-700 Å besitzt, auf der Haftschicht 322 unter Verwendung eines Sputter-Ver
fahrens abgeschieden. Dabei besitzen die TiN-Körner in der unteren Diffusionsbarrieren
schicht 332 eine spezifische Korngröße von z. B. 150-200 Å, wobei die Korngröße der unteren
Diffusionsbarrierenschicht 332 durch eine Wärmebehandlung, sowie den Abscheidungsdruck und
die Substrattemperatur (T1) während der Abscheidung der Schichten gesteuert wird, wie in Fig.
4B gezeigt ist.
Danach wird eine obere Diffusionsbarrierenschicht 334, die z. B. aus TiN hergestellt ist und eine
Dicke von 300-700 Å besitzt, auf der unteren Diffusionsbarrierenschicht 332 unter Verwendung
eines Sputter-Verfahrens abgeschieden. Dabei besitzen die TiN-Körner in der oberen Diffusions
barrierenschicht 334 eine spezifische Korngröße von z. B. 80-100 Å, wobei die Korngröße der
oberen Diffusionsbarrierenschicht 334 durch eine Wärmebehandlung, den Abscheidungsdruck
und eine Substrattemperatur (T2) während deren Abscheidung gesteuert wird. Dabei wird eine
Diffusionsbarrierenschicht 324 umfassend die untere und die obere Diffusionsbarrierenschicht
332, 334 ausgebildet, wie in Fig. 4C gezeigt ist.
Das weitere in den Fig. 4D bis 4K gezeigte Verfahren, ist das gleiche, wie das in dem obigen
Ausführungsbeispiel in den Fig. 3D bis 3K gezeigte Verfahren und dieselben Bezugszeichen
zeigen dieselben oder ähnliche Elemente an, weshalb sich eine weitere Beschreibung davon
erübrigt.
Um bei der erfindungsgemäßen Anordnung (Array) 300 von M × N betätigten Dünnschichtspie
geln 301 und den Verfahren zu deren Herstellung die nachteilige Bildung von Wolframsilizid in
dem Verbindungsanschluß 326 zu verhindern, wird die Diffusionsbarrierenschicht 324 zwischen
dem Substrat 312 und dem Verbindungsanschluß 326 ausgebildet. Dabei ist die Diffusionsbarrie
renschicht 324 in einer kubischen Struktur kristallisiert, wobei die Ebene dichtester Packung der
kubischen Struktur parallel zur Horizontalrichtung des Substrats 312 ist. Alternativ wird die Dif
fusionsbarrierenschicht 324 als die untere und obere Diffusionsbarrierenschicht 332, 334 ausge
bildet, wobei die Korngröße der TiN-Körner in der unteren Diffusionsbarrierenschicht 332 größer
als diejenige der oberen Diffusionsbarrierenschicht 334 ist.
Während die vorliegende Erfindung lediglich im Hinblick auf bestimmte bevorzugte Ausfüh
rungsbeispiele beschrieben wurde, ist es für einen Fachmann klar, daß weitere Modifikationen
und Variationen gemacht werden können, ohne von dem Schutzumfang der vorliegenden Erfin
dung gemäß den angefügten Ansprüchen abzuweichen.
Claims (19)
1. Anordnung (Array) von M × N betätigten Dünnschichtspiegeln (301) zur Verwendung in
einem optischen Projektionssystem, wobei M und N positive ganze Zahlen sind, welche
umfaßt:
- - eine aktive Matrix (310) mit einem Substrat (312), einer Anordnung (Array) von M × N Transistoren (370), einer Diffusionsbarrierenschicht (324) und einer An ordnung (Array) von M × N Verbindungsanschlüssen (326);
- - eine Passivierungsschicht (340), die auf der aktiven Matrix (310) ausgebildet ist;
- - eine Ätzmittelstoppschicht (350), die auf der Passivierungsschicht (340) ausgebil det ist; und
- - eine Anordnung (Array) von M × N Betätigungsstrukturen (400), die jeweils eine erste Dünnschicht-Elektrode (445), ein elektrisch versetzendes Dünnschicht-Glied (435), eine zweite Dünnschicht-Elektrode (425), ein elastisches Glied (415) und eine Leitung (450) umfassen, wobei die erste Dünnschicht-Elektrode (445) auf dem elektrisch versetzenden Dünnschicht-Glied (435) angeordnet ist und sowohl als Vorspannungselektrode als auch als Spiegel fungiert, wobei das elektrisch ver setzende Dünnschicht-Glied (435) auf der zweiten Dünnschicht-Elektrode (425) positioniert ist, die auf dem elastischen Glieds (415) ausgebildet ist und als Signal-Elek trode fungiert, und wobei die Leitung (450) die zweite Dünnschicht-Elektrode (425) mit einem zugehörigen Verbindungsanschluß (326) elektrisch verbindet.
2. Anordnung nach Anspruch 1, bei welcher die aktive Matrix (310) ferner eine Haftschicht
(320) und eine Spannungsausgleichschicht (328) umfaßt.
3. Anordnung nach Anspruch 1 oder 2, bei welcher die Diffusionsbarrierenschicht (324)
zwischen dem Substrat (312) und den Verbindungsanschlüssen (326) angeordnet ist.
4. Anordnung nach Anspruch 2 oder 3, bei welcher die Haftschicht (322) zwischen dem
Substrat (312) und der Diffusionsbarrierenschicht (324) angeordnet ist.
5. Anordnung nach einem der Ansprüche 2 bis 4, bei welcher die Spannungsausgleichs
schicht (328) oben auf dem Verbindungsanschluß (326) angeordnet ist.
6. Anordnung nach einem der Ansprüche 2 bis 5, bei welcher die Haftschicht (322) aus einer
Gruppe bestehend aus Titan (Ti) oder an Titan reichem Titannitrid (Ti-reichem TiN) aus
gewählt wird.
7. Anordnung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei welcher die Diffusionsbarrie
renschicht (324) aus Titannitrid (TiN) hergestellt ist, das in einer kubischen Struktur kri
stallisiert ist.
8. Anordnung nach Anspruch 7, bei welcher die Ebene dichtester Packung der kubischen
Struktur parallel zu einer Horizontalrichtung des Substrats (312) ist.
9. Anordnung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei welcher die Diffusionsbarrie
renschicht (324) in eine untere (332) und eine obere Diffusionsbarrierenschicht (334) un
terteilt ist.
10. Anordnung nach Anspruch 9, bei welcher die Korngröße von TiN-Körnern in der unteren
Diffusionsbarrierenschicht (332) größer als diejenige in der oberen Diffusionsbarrieren
schicht (334) ist.
11. Anordnung nach einem der Ansprüche 2 bis 10, bei welcher die Spannungsausgleichs
schicht (328) aus kubischem Titannitrid (kubischem TiN) hergestellt ist.
12. Verfahren zur Herstellung einer Anordnung (Array) von M × N betätigten Dünnschicht
spiegeln (301) zur Verwendung in einem optischen Projektionssystem, wobei M und N
positive ganze Zahlen sind, welches folgende Schritte umfaßt:
- - Herstellen bzw. Präparieren eines Substrats (312) mit einer Anordnung (Array) von M × N darauf ausgebildeten Transistoren (370);
- - Bilden einer Diffusionsbarrierenschicht (324) auf dem Substrat (312);
- - Bilden einer Anordnung (Array) von M × N Verbindungsanschlüssen (326) auf der Diffusionsbarrierenschicht (324), um dadurch eine aktive Matrix (310) auszubil den;
- - Abscheiden einer Passivierungsschicht (340) und einer Ätzmittelstoppschicht (350) auf der aktiven Matrix (310);
- - Bilden einer "Opfer"-Dünnschicht (360) mit einer Anordnung (Array) von M × N Paaren von Öffnungen bzw. leeren Hohlräumen (365);
- - Bilden einer Anordnung (Array) von M × N Betätigungsstrukturen (400) auf der "Opfer"-Dünnschicht (360), die jeweils eine erste Dünnschicht-Elektrode (445), ein elektrisch versetzendes Dünnschicht-Glied (435), eine zweite Dünnschicht-Elek trode (425), ein elastisches Glied (415) und eine Leitung (450) umfassen; und
- - Entfernen der "Opfer"-Dünnschicht (360), um dadurch eine Anordnung (Array) von M × N betätigten Dünnschichtspiegeln (301) auszubilden.
13. Verfahren nach Anspruch 12, bei welchem der Schrift zum Herstellen des Substrats (312)
ferner einen Schrift zum Bilden einer Haftschicht (322) umfaßt.
14. Verfahren nach Anspruch 12 oder 13, bei welchem der Schrift zum Bilden der Verbin
dungsanschlüsse (326) ferner einen Schritt zum Bilden einer Spannungsausgleichsschicht
(328) umfaßt.
15. Verfahren nach einem der Ansprüche 12 bis 14, bei welchem die Diffusionsbarrieren
schicht (324) unter Verwendung eines PVD-Verfahrens ausgebildet wird.
16. Verfahren nach einem der Ansprüche 12 bis 15, bei welchem die Diffusionsbarrieren
schicht (324) wärmebehandelt wird, um die Spannung zu lösen, sich zu verdichten und ei
nen Phasenübergang zu ermöglichen.
17. Verfahren nach einem der Ansprüche 12 bis 16, bei welchem die Diffusionsbarrieren
schicht (324) durch folgende Schritte gebildet wird:
- - Abscheiden einer unteren Diffusionsbarrierenschicht (322) unter Verwendung ei nes Sputter-Verfahrens bei einer Temperatur (T1); und
- - Abscheiden einer oberen Diffusionsbarrierenschicht (324) unter Verwendung eines Sputter-Verfahrens bei einer Temperatur (T2).
18. Verfahren nach Anspruch 17, bei welchem die Temperatur (T1) höher als die Temperatur
(T2) ist.
19. Verfahren zum Herstellen einer Anordnung (Array) von M × N betätigten Dünnschicht
spiegeln (301) zur Verwendung in einem optischen Projektionssystem, wobei M und N
positive ganze Zahlen sind, welche folgende Schritte umfaßt:
- - Herstellen eines Substrats (312) mit einer Anordnung (Array) von M × N darauf ausgebildeten Transistoren (370);
- - Abscheiden einer Haftschicht (322);
- - Bilden einer Diffusionsbarrierenschicht (324) auf der Haftschicht (322);
- - Bilden einer Anordnung (Array) von M × N Verbindungsanschlüssen (326);
- - Abscheiden einer Spannungsausgleichsschicht (328), um dadurch eine Mehr zweckschicht auszubilden;
- - selektives Entfernen der Mehrzweckschicht, um dadurch eine aktive Matrix (310) auszubilden;
- - Abscheiden einer Passivierungsschicht (340) und einer Ätzmittelstoppschicht (350) auf der aktiven Matrix (310);
- - Bilden einer "Opfer"-Dünnschicht (360) mit einer Anordnung (Array) von M × N Paaren von Öffnungen bzw. leeren Hohlräumen (365);
- - Abscheiden einer elastischen Schicht (410), einer zweiten Dünnschicht (420), einer elektrisch versetzenden Dünnschicht (430) und einer ersten Dünnschicht (440) auf der "Opfer"-Dünnschicht (360), wodurch eine Mehrschichtstruktur (460) ausgebil det wird;
- - Strukturieren der Mehrschichtstruktur (460) zu einer Anordnung (Array) von M × N halbfertigen Betätigungsstrukturen (470), bis die "Opfer"-Dünnschicht (360) freigelegt wird;
- - Bilden einer Anordnung (Array) von M × N Leitungen (450), wodurch eine An ordnung (Array) von M × N Betätigungsstrukturen (400) ausgebildet wird; und
- - Entfernen der "Opfer"-Dünnschicht (360), um dadurch eine Anordnung (Array) von M × N betätigten Dünnschichtspiegeln (301) auszubilden.
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Families Citing this family (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6969635B2 (en) * | 2000-12-07 | 2005-11-29 | Reflectivity, Inc. | Methods for depositing, releasing and packaging micro-electromechanical devices on wafer substrates |
US6392775B1 (en) * | 1998-01-13 | 2002-05-21 | Seagate Technology Llc | Optical reflector for micro-machined mirrors |
KR100374486B1 (ko) * | 2001-02-22 | 2003-03-03 | 주식회사 나노위즈 | 초미세전기기계시스템을 이용한 자유 공간 광스위치용박막 미소거울어레이의 구조와 그의 제조방법, 그리고이를 이용한 다차원 광스위칭 방식 |
US7711013B2 (en) * | 2004-03-31 | 2010-05-04 | Imra America, Inc. | Modular fiber-based chirped pulse amplification system |
US7369296B2 (en) | 2004-09-27 | 2008-05-06 | Idc, Llc | Device and method for modifying actuation voltage thresholds of a deformable membrane in an interferometric modulator |
US7417783B2 (en) | 2004-09-27 | 2008-08-26 | Idc, Llc | Mirror and mirror layer for optical modulator and method |
JP2006114633A (ja) * | 2004-10-13 | 2006-04-27 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
EP2495212A3 (de) * | 2005-07-22 | 2012-10-31 | QUALCOMM MEMS Technologies, Inc. | MEMS-Vorrichtungen mit Stützstrukturen und Herstellungsverfahren dafür |
CA2616268A1 (en) | 2005-07-22 | 2007-02-01 | Qualcomm Incorporated | Mems devices having support structures and methods of fabricating the same |
US7630114B2 (en) * | 2005-10-28 | 2009-12-08 | Idc, Llc | Diffusion barrier layer for MEMS devices |
US7382515B2 (en) | 2006-01-18 | 2008-06-03 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Silicon-rich silicon nitrides as etch stops in MEMS manufacture |
US7545552B2 (en) | 2006-10-19 | 2009-06-09 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Sacrificial spacer process and resultant structure for MEMS support structure |
US7706042B2 (en) | 2006-12-20 | 2010-04-27 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | MEMS device and interconnects for same |
US7719752B2 (en) | 2007-05-11 | 2010-05-18 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | MEMS structures, methods of fabricating MEMS components on separate substrates and assembly of same |
US7625825B2 (en) | 2007-06-14 | 2009-12-01 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Method of patterning mechanical layer for MEMS structures |
US8068268B2 (en) | 2007-07-03 | 2011-11-29 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | MEMS devices having improved uniformity and methods for making them |
US7863079B2 (en) | 2008-02-05 | 2011-01-04 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Methods of reducing CD loss in a microelectromechanical device |
US8659816B2 (en) | 2011-04-25 | 2014-02-25 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Mechanical layer and methods of making the same |
US8854772B1 (en) | 2013-05-03 | 2014-10-07 | Seagate Technology Llc | Adhesion enhancement of thin film PZT structure |
Family Cites Families (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4990997A (en) * | 1988-04-20 | 1991-02-05 | Fujitsu Limited | Crystal grain diffusion barrier structure for a semiconductor device |
US5232871A (en) * | 1990-12-27 | 1993-08-03 | Intel Corporation | Method for forming a titanium nitride barrier layer |
US5421974A (en) * | 1993-04-01 | 1995-06-06 | Advanced Micro Devices, Inc. | Integrated circuit having silicide-nitride based multi-layer metallization |
US5710657A (en) * | 1994-02-23 | 1998-01-20 | Aura Systems, Inc. | Monomorph thin film actuated mirror array |
CA2149952A1 (en) * | 1994-06-30 | 1995-12-31 | Robert M. Wallace | Monolayer coating using molecular recognition for micro-mechanical devices |
JP2789309B2 (ja) * | 1995-03-20 | 1998-08-20 | エルジイ・セミコン・カンパニイ・リミテッド | 高融点金属窒化膜の形成方法 |
DE69625265T2 (de) * | 1995-03-28 | 2003-09-04 | Texas Instruments Inc., Dallas | Halbleiterstrukturen |
TW305943B (de) * | 1995-04-21 | 1997-05-21 | Daewoo Electronics Co Ltd | |
US5604140A (en) * | 1995-05-22 | 1997-02-18 | Lg Semicon, Co. Ltd. | Method for forming fine titanium nitride film and method for fabricating semiconductor element using the same |
JPH1062614A (ja) * | 1996-05-23 | 1998-03-06 | Daewoo Electron Co Ltd | M×n個の薄膜アクチュエーテッドミラーアレイの製造方法 |
KR100212539B1 (ko) * | 1996-06-29 | 1999-08-02 | 전주범 | 박막형 광로조절장치의 엑츄에이터 및 제조방법 |
US5877889A (en) * | 1996-08-30 | 1999-03-02 | Daewoo Electronics Co., Ltd. | Method for the manufacture of a thin film actuated mirror array |
-
1997
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