DE19738168A1 - Opto-electronic microsystem for carrying out optical and electric functions - Google Patents
Opto-electronic microsystem for carrying out optical and electric functionsInfo
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Abstract
Description
Die Erfindung betrifft ein optoelektronisches Mi krosystem mit einem zumindest ein optoelektroni sches Bauteil tragenden Substrat und einem Gehäuse.The invention relates to an optoelectronic Mi Cross system with at least one optoelectroni sches component-carrying substrate and a housing.
Mikrosysteme dieser Art sind bekannt. Es handelt sich hierbei um Baugruppen, die optische und elek tronische Funktionen ausführen und zumeist mit mi kromechanischen Verfahren hergestellt sind. Solche optoelektronischen Baugruppen umfassen beispiels weise Laserdioden und lichtemmitierende Dioden, Me dien, die optische Signale leiten beziehungsweise modulieren und/oder Empfänger, wie beispielsweise Fotodioden und Fotoleiter; hinzu kommen Feldef fekttransistoren und bipolare Transistoren, die bei Sendern als Treiber und bei Empfängern als Verstär ker fungieren. Sämtliche Bausteine können bei spielsweise aus Halbleitermaterialien hergestellt und auf einem Chip zusammengefaßt werden. Dieser im folgenden als Substrat bezeichnete Chip besteht im allgemeinen aus Silizium oder aus abgeformten Substraten aus anderen Materialien wie zum Beispiel Kunststoff. Microsystems of this type are known. It deals are assemblies, the optical and elec Execute tronic functions and mostly with mi cromechanical processes are produced. Such optoelectronic assemblies include, for example wise laser diodes and light emitting diodes, Me serve that conduct optical signals respectively modulate and / or receiver, such as Photodiodes and photoconductors; in addition there are Feldef fect transistors and bipolar transistors that at Transmitters as drivers and receivers as amplifiers ker act. All building blocks can for example made of semiconductor materials and summarized on a chip. This one in The following chip, called the substrate, consists of generally made of silicon or molded Substrates from other materials such as Plastic.
Gegenüber den bekannten elektronischen integrierten Schaltungen (ICs) handelt es sich bei den Substra ten optoelektronischer Mikrosysteme um große und lange Baueinheiten, die in ein Gehäuse eingebaut werden müssen. Um die nötige Stabilität und Stei figkeit zu erreichen, sind diese Gehäuse aus Metall oder Keramik gefertigt. Darüber hinaus sind auch Kunststoffgehäuse bekannt, bei denen die Baugruppe eingegossen ist. Derartige Gehäuse sind bei gerin gen Stückzahlen jedoch teuer und aufwendig herzu stellen.Compared to the well-known electronic integrated Circuits (ICs) are the substra optoelectronic microsystems around large and long units built into a housing Need to become. For the necessary stability and stability To achieve this, these housings are made of metal or ceramic. Beyond that too Plastic housing known in which the assembly is poured. Such housings are at gerin However, it is expensive and expensive to produce put.
Das optoelektronische Mikrosystem mit den Merkmalen des Anspruchs 1 hat demgegenüber den Vorteil, daß die einzelnen Elemente kostengünstig herzustellen sind. Darüber hinaus läßt sich das optoelektroni sche Mikrosystem, insbesondere das Gehäuse leicht montieren. Die kostengünstige und einfache Herstel lung ist ohne eine Verminderung der Stabilität der gesamten Baugruppe möglich.The optoelectronic microsystem with the features of claim 1 has the advantage that to manufacture the individual elements inexpensively are. In addition, the optoelectroni cal microsystem, especially the housing slightly assemble. The inexpensive and simple manufacturer lung is without a decrease in the stability of the entire assembly possible.
Dies wird dadurch erreicht, daß das vorzugsweise aus Silizium bestehende Substrat als Basis für den Gehäuseaufbau dient. Hierunter ist zu verstehen, daß das Substrat quasi Teil des Gehäuses ist und einen wesentlichen Beitrag zur Gehäusestabilität leistet. Ein beispielsweise aus Metall bestehendes selbsttragendes Gehäuse, in das das Substrat einge bracht werden muß, ist also nicht mehr notwendig. Die Steifigkeit/Stabilität des Mikrosystems wird durch einen Verstärkungs-Streifen erbracht, der auf das Substrat aufgebracht ist. This is achieved in that this is preferred silicon substrate as the basis for the Housing construction serves. This means that the substrate is part of the housing and make a significant contribution to housing stability accomplishes. An existing one, for example, made of metal self-supporting housing into which the substrate is inserted must be brought is no longer necessary. The rigidity / stability of the microsystem is provided by a reinforcement strip that is on the substrate is applied.
In einer vorteilhaften Weiterbildung der Erfindung ist der Verstärkungs-Streifen aus einem keramischen Material gefertigt. Die Verwendung eines kerami schen Materials hat den Vorteil, daß neben der Sta bilität zusätzlich eine Wärmesenke geschaffen wird, die beim späteren Löten die optoelektronischen Bau elemente auf dem Substrat vor einer Überhitzung schützt. Darüber hinaus ist ein keramisches Mate rial sehr gut als elektrischer Isolator geeignet, der als Träger für elektrische Kontaktierungsstifte dient.In an advantageous development of the invention is the reinforcement strip made of a ceramic Made of material. The use of a kerami cal material has the advantage that in addition to the Sta an additional heat sink is created, which later soldered the optoelectronic construction elements on the substrate from overheating protects. It is also a ceramic mate rial very well suited as an electrical insulator, the as a carrier for electrical contact pins serves.
In einer vorteilhaften Weiterbildung der Erfindung umfaßt das Gehäuse zwei Wandelemente, die zusammen fügbar, insbesondere zusammensteckbar ausgebildet sind und das Substrat zwischen sich einklemmen. Sowohl die Fertigung der beiden Wandelemente als auch die Montage des gesamten Mikrosystems fällt hier sehr einfach aus. Die beiden Wandelemente las sen sich aus Kunststoff fertigen. Da die Stabilität des Mikrosystems nicht durch die beiden Wandele mente sondern im wesentlichen durch das Substrat und den darauf aufgebrachten Verstärkungs-Streifen erreicht wird, sind keine hohen Anforderungen an Wandstärke, Materialfestigkeit etc. gestellt. Dies führt zu sehr kostengünstigen Wandelementen.In an advantageous development of the invention the housing comprises two wall elements that are together available, in particular designed to be pluggable and pinch the substrate between them. Both the manufacture of the two wall elements as assembly of the entire microsystem also falls very simple here. Read the two wall elements are made of plastic. Because the stability of the microsystem not through the two changes elements but essentially through the substrate and the reinforcement strip applied to it is achieved, there are no high demands Wall thickness, material strength etc. provided. This leads to very inexpensive wall elements.
In einer vorteilhaften Weiterbildung der Erfindung weisen die beiden Wandelemente zumindest eine vor zugsweise halbrunde Aussparung auf, wobei sich die beiden Aussparungen der beiden Wandelemente zu ei ner Öffnung im Gehäuse zur Durchführung eines Lichtwellenleiters ergänzen. Der Vorteil dieser Ausführungsform liegt darin, daß die Öffnung eben falls sehr einfach und kostengünstig herstellbar ist. In an advantageous development of the invention the two wall elements have at least one preferably semicircular recess, the two recesses of the two wall elements to egg ner opening in the housing for performing a Add fiber optic. The advantage of this Embodiment is that the opening is flat if very easy and inexpensive to manufacture is.
In einer vorteilhaften Weiterbildung der Erfindung ist das Gehäuse in Form einer Kunststoffkappe aus gebildet, die das Substrat abdeckt. Auch diese Art des Gehäuses hat den Vorteil der kostengünstigen Herstellung.In an advantageous development of the invention is the housing in the form of a plastic cap formed that covers the substrate. This type too The housing has the advantage of being inexpensive Manufacturing.
In einer vorteilhaften Weiterbildung der Erfindung wird das Substrat mit einer Vergußmasse umschlos sen, derart, daß die Vergußmasse als Gehäuse dient.In an advantageous development of the invention the substrate is enclosed with a potting compound sen, such that the sealing compound serves as a housing.
In einer vorteilhaften Weiterbildung der Erfindung ist am Gehäuse ein Rohr fluchtend zu der Öffnung für den Lichtwellenleiter angebracht. Mit Hilfe dieses kostengünstigen und einfach anbringbaren Rohrs läßt sich eine Biegeentlastung für den Licht wellenleiter realisieren.In an advantageous development of the invention there is a pipe on the housing aligned with the opening attached for the optical fiber. With help this inexpensive and easy to attach Rohrs can be a relief from bending for the light realize waveguide.
In einer vorteilhaften Weiterbildung der Erfindung sind an dem Verstärkungs-Streifen Kontaktstifte an gebracht.In an advantageous development of the invention are contact pins on the reinforcement strip brought.
In einer vorteilhaften Weiterbildung der Erfindung ist auf dem Verstärkungs-Streifen zumindest ein elektronisches Bauelement, beispielsweise ein Kon densator, aufgebracht.In an advantageous development of the invention is at least one on the reinforcement strip electronic component, for example a con capacitor, applied.
In einer vorteilhaften Weiterbildung der Erfindung sind zwei parallel zueinander angeordnete Verstär kungs-Streifen vorgesehen, so daß zwei Kontakt stift-Reihen (Dual in Line) möglich werden.In an advantageous development of the invention are two amplifiers arranged parallel to each other Kungs strips provided so that two contact pin rows (Dual in Line) are possible.
Die Erfindung wird nun anhand eines Ausführungsbei spiels mit Bezug auf die Zeichnung näher erläutert. Dabei zeigen: The invention will now be described with reference to an embodiment game explained with reference to the drawing. Show:
Fig. 1 eine schematische Darstellung eines Sub strats mit Verstärkungs-Streifen ohne Ge häuse, Fig. 1 is a schematic representation of a sub strats with reinforcing strips without Ge housing,
Fig. 2 zwei ein Gehäuse bildende Wandelemente und Fig. 2 two wall elements forming a housing and
Fig. 3 ein optoelektronisches Mikrosystem in ei ner Seitenansicht. Fig. 3 shows an optoelectronic microsystem in egg ner side view.
In Fig. 1 ist eine optoelektronische Baugruppe 1 dargestellt, die ein als Träger dienendes Substrat 3 umfaßt. Auf diesem aus Silizium bestehenden Sub strat 3 sind beispielhaft zwei optoelektronische Bauelemente 5.1 und 5.2 aufgebracht, wobei das Bau element 5.1 beispielsweise eine Fotodiode und das Bauelement 5.2 ein der Signalverstärkung dienender Transistor sein kann. Es ist anzumerken, daß der Übersichtlichkeit wegen lediglich zwei solcher op toelektronischer Bauelemente dargestellt sind. Selbstverständlich können eine Vielzahl von derar tigen Bauelementen auf dem Substrat 3 aufgebracht sein.In Fig. 1 an optoelectronic assembly 1 is shown which comprises a substrate 3 serving as a carrier. In this consisting of silicon sub strate 3 example, two opto-electronic components 5.1 and 5.2 are applied, wherein the construction element 5.1, for example, a photodiode and the device 5.2 can be a signal amplification serving transistor. It should be noted that for the sake of clarity, only two such op toelectronic components are shown. Of course, a variety of such components can be applied to the substrate 3 .
In das Substrat 3 ist ein Graben 7 eingebracht, der zur Aufnahme einer Faser 9 eines Lichtwellenleiters 11 ausgebildet ist. Deutlich zu erkennen ist in Fig. 1, daß die Faser 9 im Bereich des Bauelements 5.1 endet und im gegenüberliegenden Randbereich über ein Verbindungsmittel 13 am Substrat befestigt ist.A trench 7 is formed in the substrate 3 and is designed to receive a fiber 9 of an optical waveguide 11 . It can be clearly seen in FIG. 1 that the fiber 9 ends in the region of the component 5.1 and is fastened to the substrate in the opposite edge region by means of a connecting means 13 .
Auf dem Substrat 3 ist ein aus Keramik gefertigter Verstärkungs-Streifen 15 aufgebracht, der im we sentlichen sich über die gesamte Länge L des Sub strats 3 erstreckt und bündig mit dem - bezüglich Fig. 1 - unteren Rand 17 des Substrats 3 ab schließt. Der Verstärkungs-Streifen 15 ist so di mensioniert, daß eine ausreichende Stabilität des Substrats 3 erreicht wird. Auf dem Verstärkungs-Strei fen 15 sind Kontaktstifte 19 parallel und be abstandet zueinander aufgebracht. Sie dienen einer seits zur Befestigung der optoelektronischen Bau gruppe beispielsweise auf einer Leiterplatte und andererseits zur Herstellung von elektrischen Ver bindungen mit den Bauelementen 5.On the substrate 3 , a reinforcement strip 15 made of ceramic is applied, which extends in essence over the entire length L of the substrate 3 and is flush with the - with respect to FIG. 1 - lower edge 17 of the substrate 3 . The reinforcement strip 15 is dimensioned so that sufficient stability of the substrate 3 is achieved. On the reinforcement strip 15 , contact pins 19 are applied in parallel and spaced apart. They are used on the one hand for fastening the optoelectronic construction group, for example on a printed circuit board, and on the other hand for producing electrical connections with the components 5 .
In Fig. 2 sind zwei Wandelemente 21, 23 darge stellt, die zur Aufnahme der optoelektronischen Baugruppe vorgesehen sind. In dieser Figur ist je weils die Innenseite, das heißt die der optoelek tronischen Baugruppe zugewandte Seite zu sehen. Beide Wandelemente 21, 23 weisen eine Vertiefung 25 auf, deren Grundfläche größer oder zumindest gleich der Grundfläche des Substrats 3 ist. Innerhalb die ser rechteckförmigen Vertiefung 25 sind vorzugs weise in den vier Eckbereichen kreisförmige Vor sprünge 27 vorgesehen, die als Auflagefläche und als Abstandshalter für das Substrat 3 dienen. Die Vorsprünge 27 müssen bezüglich ihrer Höhe so dimen sioniert sein, daß auf dem Substrat aufgebrachte Bauelemente ausreichend Platz in der Vertiefung 25 haben und entsprechend ausreichenden Abstand zu der Innenfläche des Wandelements besitzen.In Fig. 2, two wall elements 21 , 23 are Darge, which are provided for receiving the optoelectronic assembly. In this figure, the inside, that is, the side facing the optoelectronic assembly, can be seen in each case. Both wall elements 21 , 23 have a depression 25 , the base area of which is larger or at least equal to the base area of the substrate 3 . Within the water-rectangular recess 25 , circular projections 27 are preferably provided in the four corner areas, which serve as a support surface and as a spacer for the substrate 3 . The projections 27 must be dimensioned in terms of their height so that components applied to the substrate have sufficient space in the recess 25 and have a corresponding distance from the inner surface of the wall element.
Im in Fig. 2 linken Randbereich 29 der beiden Wan delemente 21, 23 ist jeweils eine Aussparung 31 vorgesehen, die vorzugsweise im Querschnitt halb rund ausgebildet sind. Der Abstand der Aussparungen 31 zu der jeweiligen Mittellängsachse des Wandele ments ist gleich. Die beiden Aussparungen 31 ergän zen sich somit bei einem Aufeinanderlegen der bei den Wandelementen zu einer kreisrunden Öffnung, die in dem Bereich der Vertiefung 25 mündet.In the left edge region 29 of the two wall elements 21 , 23 in FIG. 2, a recess 31 is provided, which are preferably semi-circular in cross-section. The distance of the recesses 31 to the respective central longitudinal axis of the Wandele element is the same. The two recesses 31 thus complement each other when the wall elements are placed one on top of the other to form a circular opening which opens into the region of the depression 25 .
Das Wandelement 23 weist darüber hinaus eine randoffene Vertiefung 33 auf, die bei aufeinander liegenden Wandelementen zu einer Öffnung führt, de ren Längsausdehnung zumindest dem Abstand der bei den äußeren Kontaktstifte 19 entspricht.The wall element 23 also has an open-ended depression 33 , which leads to an opening in the case of wall elements lying one on top of the other, the longitudinal extent of which corresponds at least to the distance between the outer contact pins 19 .
Bei der Montage des optoelektronischen Mikrosystems wird die optoelektronische Baugruppe 1 in die Ver tiefung 25 beispielsweise des Wandelements 23 ein gelegt, derart, daß der Lichtwellenleiter 11 die Aussparung 31 durchgreift und die Kontaktstifte 19 die randoffene Vertiefung 33.When assembling the optoelectronic microsystem, the optoelectronic assembly 1 is placed in the recess 25, for example, of the wall element 23 in such a way that the optical waveguide 11 passes through the recess 31 and the contact pins 19 open-ended recess 33rd
Anschließend wird das andere Wandelement 21 auf das Wandelement 23 aufgesetzt, wobei über nicht darge stellte Klemm- beziehungsweise Rastmittel eine Be festigung möglich ist. Das Wandelement 21 selbst wird so aufgesetzt, daß die beiden Aussparungen 31 aufeinander liegen und sich zu einer kreisförmigen Öffnung ergänzen, die der Lichtwellenleiter 11 durchgreift.Subsequently, the other wall element 21 is placed on the wall element 23, a fastening being possible via clamping or latching means not shown. The wall element 21 itself is placed in such a way that the two cutouts 31 lie on top of one another and complement one another to form a circular opening through which the optical waveguide 11 passes.
Mit Hilfe der Vorsprünge 27 wird die optoelektroni sche Baugruppe 1 innerhalb des aus den beiden Wand elementen 21, 23 gebildeten Gehäuses fixiert. Die Stabilität und Steifigkeit dieses Gehäuses wird je doch nicht alleine durch die beiden Wandelemente 21, 23 erreicht, sondern in großem Maße durch das Substrat 3 selbst mit dem aufgebrachten Verstär kungs-Streifen 15. Somit ist die Einheit aus Sub strat 3 und Verstärkungs-Streifen 15 als wesentli cher Bestandteil des Gehäuseaufbaus verwendet. With the help of the projections 27 , the optoelectronic module 1 is fixed within the housing 21 , 23 formed from the two wall elements. The stability and rigidity of this housing is not only achieved by the two wall elements 21 , 23 , but to a large extent by the substrate 3 itself with the applied reinforcing strip 15 . Thus, the unit of sub strate 3 and reinforcement strips 15 is used as an essential part of the housing structure.
Als Biegeentlastung weist die optoelektronische Baugruppe 1 ein Röhrchen 35 auf, das den unmittel bar an das Substrat 3 angrenzenden Längsabschnitt des Lichtwellenleiters 11 umschließt und zumindest teilweise in der Ausparung 31 liegt und dadurch ge halten wird.As bending relief, the optoelectronic assembly 1 has a tube 35 which encloses the longitudinal section of the optical waveguide 11 adjacent to the substrate 3 and lies at least partially in the recess 31 and is thereby held.
In Fig. 3 ist ein optoelektronisches Mikrosystem 37 in zusammengebautem Zustand dargestellt. Zu er kennen ist eines der beiden Wandelemente, sowie der durch die Öffnung 31 ragende Abschnitt des Licht wellenleiters 11 sowie die Kontaktstifte 19, die die Vertiefung 33 durchgreifen.In FIG. 3, an opto-electronic micro-system is shown in the assembled state 37th To know he is one of the two wall elements, as well as the portion of the light waveguide 11 projecting through the opening 31 and the contact pins 19 which pass through the recess 33 .
Neben dem beschriebenen Ausführungsbeispiel sind selbstverständlich auch andere Ausgestaltungen ei nes optoelektronischen Mikrosystems denkbar. So ist es beispielsweise möglich, die optoelektronische Baugruppe 1 mit einer Vergußmasse zu umhüllen, so daß auf die beiden Wandelemente 21, 23 verzichtet werden kann. Statt der beiden Wandelemente ist es auch denkbar eine Kunststoffkappe zu verwenden, um die optoelektronische Baugruppe 1 abzudecken.In addition to the exemplary embodiment described, other configurations of an optoelectronic microsystem are of course also conceivable. For example, it is possible to encase the optoelectronic assembly 1 with a casting compound, so that the two wall elements 21 , 23 can be dispensed with. Instead of the two wall elements, it is also conceivable to use a plastic cap to cover the optoelectronic assembly 1 .
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Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE10332015A1 (en) * | 2003-07-14 | 2005-03-03 | Infineon Technologies Ag | Optoelectronic module with transmitter chip and connector for the module to an optical fiber and to a circuit board, and method of making the same |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4868640A (en) * | 1987-01-30 | 1989-09-19 | Nec Corporation | Integrated optoelectronic circuit |
| US5011256A (en) * | 1988-10-28 | 1991-04-30 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Package for an opto-electronic component |
| US5109455A (en) * | 1990-08-03 | 1992-04-28 | Cts Corporation | Optic interface hybrid |
| US5199087A (en) * | 1991-12-31 | 1993-03-30 | Texas Instruments Incorporated | Optoelectronic integrated circuit for transmitting optical and electrical signals and method of forming same |
| US5475783A (en) * | 1993-09-30 | 1995-12-12 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Optical module, method of manufacturing the same, and sleeve |
-
1997
- 1997-09-01 DE DE19738168A patent/DE19738168A1/en not_active Withdrawn
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4868640A (en) * | 1987-01-30 | 1989-09-19 | Nec Corporation | Integrated optoelectronic circuit |
| US5011256A (en) * | 1988-10-28 | 1991-04-30 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Package for an opto-electronic component |
| US5109455A (en) * | 1990-08-03 | 1992-04-28 | Cts Corporation | Optic interface hybrid |
| US5199087A (en) * | 1991-12-31 | 1993-03-30 | Texas Instruments Incorporated | Optoelectronic integrated circuit for transmitting optical and electrical signals and method of forming same |
| US5475783A (en) * | 1993-09-30 | 1995-12-12 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Optical module, method of manufacturing the same, and sleeve |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE10332015A1 (en) * | 2003-07-14 | 2005-03-03 | Infineon Technologies Ag | Optoelectronic module with transmitter chip and connector for the module to an optical fiber and to a circuit board, and method of making the same |
| US7048450B2 (en) | 2003-07-14 | 2006-05-23 | Infineon Technologies, Ag | Optoelectronic module with transmitter chip and connecting piece for the module with respect to an optical fiber and with respect to a circuit board, and methods for producing the same |
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