DE19709913A1 - Device for detecting and influencing deflection of micromechanical mirror arrangements - Google Patents
Device for detecting and influencing deflection of micromechanical mirror arrangementsInfo
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Abstract
Description
Die Erfindung betrifft eine Anordnung zur Erfassung und Beein flussung der Auslenkung von mikromechanischen Spiegelanord nungen.The invention relates to an arrangement for detection and leg flow of the deflection of micromechanical mirror arrangement mentions.
Meßaufnehmer zur Bestimmung der Auslenkung von drehbar gela gerten Teilen sind durch mehrere Veröffentlichungen bekannt. In der DE 44 24 538 (Neigungswinkelsensor) wird die Kapazi tätsänderung zweier sich gegenüberliegender und plattenförmig ausgebildeter Elektroden bei einer gegenseitigen Verdrehung und einer damit verbundenen Flächenänderung zur Bestimmung des Nei gungswinkels ausgenutzt.Sensor for determining the deflection of rotatable gela Parts are known from several publications. In DE 44 24 538 (inclination angle sensor) the capaci change of state of two opposite and plate-shaped trained electrodes in a mutual rotation and an associated change in area to determine the Nei angle used.
Eine derartige Anordnung ist für eine Anwendung bei mikromecha nischen Spiegelanordnungen durch die vorherrschenden Platzbe dingungen nicht geeignet.Such an arrangement is for use in micromecha African mirror arrangements by the prevailing Platzbe conditions not suitable.
Die DE 37 40 688 (Mikromechanischer Beschleunigungssensor mit hoher Achsenselektivität) und die DE 195 23 171 (Halbleiterbe schleunigungssensor) beschreiben Beschleunigungaufnehmer, bei denen die Trägheit einer Masse zu einer Verformung der Aufhän gungen der Masse führt. Diese Verformung in Form einer Dehnung stellt ein Maß für die Beschleunigung dar und wird über Piezo widerstände erfaßt. Es erfolgt nur eine Aufnahme der Verformung während einer Beschleunigung. Ausschlaggebend ist nur die Er fassung der Verformung. Für dynamische Anwendungen sind diese Lösungen nicht ausgelegt.DE 37 40 688 (micromechanical acceleration sensor with high axis selectivity) and DE 195 23 171 (semiconductor be acceleration sensor) describe accelerometers, at which the inertia of a mass to a deformation of the suspension leads the masses. This deformation in the form of an elongation represents a measure of the acceleration and is via piezo resistance detected. The deformation is only recorded during an acceleration. Only the Er is decisive version of the deformation. These are for dynamic applications Solutions not designed.
Der in Patentanspruch 1 angegebenen Erfindung liegt das Problem zugrunde, mikromechanische Spiegelanordnungen so anzusteuern, daß deren periodische Auslenkung einstellbar und dabei dy namisch amplituden- und phasentreu konstant gehalten werden kann. The invention specified in claim 1 is the problem to control micromechanical mirror arrangements in such a way that their periodic displacement adjustable and dy Namely, amplitude and phase are kept constant can.
Dieses Problem wird mit den im Patentanspruch 1 aufgeführten Merkmalen gelöst.This problem is with those listed in claim 1 Features resolved.
Die Anordnung zur Erfassung und Beeinflussung der Auslenkung von mikromechanischen Spiegelanordnungen zeichnet sich ins besondere dadurch aus, daß die Auslenkung des oder der Ein zelspiegel in statischen, quasistatischen und dynamischen Be trieb ständig erfaßt werden kann. Die Bewegung des oder der Einzelspiegel kann direkt in jeder Phase der Bewegung gemessen werden. Die Meßergebnisse stellen insbesondere die Basis einer programmierbaren Steuerung oder Regelung der Auslenkung des oder der Einzelspiegel dar. Die Meßmittel sind direkt in die Federn, die der Aufhängung des oder der Einzelspiegel in einen Rahmen dienen, integriert oder auf diese unmittelbar aufge bracht. Diese ändern ihre elektrischen Eigenschaften, so daß diese direkt in eine elektrische Meßschaltung, die weiterhin ein Bestandteil der Ansteuerung des oder der Einzelspiegel darstellt, integriert sind.The arrangement for recording and influencing the deflection of micromechanical mirror arrangements stands out special in that the deflection of the one Individual levels in static, quasi-static and dynamic loading drove constantly can be detected. The movement of the or the Individual mirrors can be measured directly in every phase of movement will. The measurement results in particular form the basis of a programmable control or regulation of the deflection of the or the single mirror. The measuring means are directly in the Feathers that hang the single mirror or mirrors in one Serve frames, integrated or immediately attached to them brings. These change their electrical properties so that this directly into an electrical measuring circuit that continues a component of the control of the individual mirror or mirrors represents are integrated.
Dadurch ergeben sich verschieden Möglichkeiten der Erfassung der Bewegung oder der Position des oder der Einzelspiegel. Wird in einer ersten Variante bei einem quasistatischen oder dynamischen Betrieb jeweils der Nulldurchgang, das heißt die Ausgangsposition des oder der Einzelspiegel in nicht ange steuerten Zustand, erfaßt, sind bei harmonischer Bewegung über den zeitlichen Verlauf Rückschlüsse auf den gesamten Bewe gungsmechanismus des oder der Einzelspiegel möglich. Erfolgt eine zeitliche Verschiebung in Form z. B. einer Änderung der Frequenz oder Amplitude an Ausgang der Meßschaltung, so ist das auf eine Änderung der Schwingungsamplitude des oder der Einzel spiegel zurückzuführen. Diese Tatsache ist die Grundlage für eine Änderung der Ansteuerbedingungen, so daß eine Regelung möglich ist. Damit werden Änderungen der Betriebsbedingungen unter anderem hervorgerufen durch Temperaturschwankungen, die mit Fehler bei der Ablenkung von Lichtstrahlen einhergehen, weitestgehend ausgeglichen, so daß die Fehler bei der Ablenkung weitestgehend vermieden werden.This gives rise to different possibilities for recording the movement or the position of the individual mirror or mirrors. In a first variant with a quasi-static or dynamic operation the zero crossing, that is the Starting position of the single mirror or not in controlled state, detected, are over with harmonious movement the time course conclusions on the entire movement mechanism of the individual mirror or mirrors possible. He follows a time shift in the form of z. B. a change in Frequency or amplitude at the output of the measuring circuit, that's it to a change in the vibration amplitude of the individual or individuals mirror attributed. This fact is the basis for a change in the control conditions, so that a regulation is possible. This will change the operating conditions caused, among other things, by temperature fluctuations with errors in the deflection of light rays, largely compensated, so that the errors in the distraction are largely avoided.
In einer zweiten Variante wird jeweils die maximale Auslenkung des oder der Einzelspiegel nach jeder Seite der Ablenkung er faßt. Dieses Ergebnis ist wiederum der Ausgang für die Möglich keit der Steuerung oder Regelung des oder der Einzelspiegel entsprechend der ersten Variante, so daß wiederum Fehler bei der Ablenkung von Lichtstrahlen weitestgehend vermieden werden. In einer dritten Variante ist es mit der Anwendung der erfin dungsgemäßen Anordnung möglich, die Amplitude des oder der Einzelspiegel in jeder Position zu erfassen. Dieser Tatbestand ist besonders im statischen oder quasistatischen Betrieb des oder der Einzelspiegel wichtig. Damit ergibt sich die Möglich keit, einen Lichtstrahl oder mehrere Lichtstrahlen auf eine bestimmte Position genau abzulenken.In a second variant, the maximum deflection of the individual mirror or mirrors on each side of the distraction sums up. This result is in turn the exit for the possible speed of control or regulation of the individual mirror or mirrors according to the first variant, so that again errors in the deflection of light rays can be largely avoided. In a third variant it is with the application of the inventions arrangement according to the invention possible, the amplitude of the Detect individual mirrors in any position. This fact is particularly useful in static or quasi-static operation of the or the individual mirror is important. This creates the possibility speed, one light beam or several light beams on one to distract certain position exactly.
Vorteilhafte Ausgestaltungen der Erfindung sind in den Patent ansprüchen 2 bis 26 angegeben.Advantageous embodiments of the invention are in the patent claims 2 to 26 specified.
Die Federn sind entsprechend der Weiterbildung des Patentan spruchs 2 als einstückige Torsionsbalken ausgebildet. Die Größe der elektrischen Eigenschaftsänderungen der Elemente, die bei einer Deformation ihre elektrischen Eigenschaften ändern, steigt mit deren geometrischen Abmessungen in Richtung der mechanischen Änderung. Um eine möglichst große Länge in Defor mationsrichtung der Feder oder den Federn zu erzielen, ist das Element oder sind die Elemente mit einem Winkel von ± 45° zur Federbandlängsachse angeordnet.The springs are in accordance with the further development of the patent Say 2 formed as a one-piece torsion bar. The size of the electrical property changes of the elements that a deformation changes its electrical properties, increases with their geometric dimensions in the direction of mechanical change. To be as long as possible in Defor to achieve the direction of the spring or springs is Element or are the elements with an angle of ± 45 ° to the Spring band longitudinal axis arranged.
Die Realisierung der Feder in Form von vier O-förmig angeord neten Balken entsprechend der Weiterbildungen der Patentan sprüche 3 bis 8 führt dazu, daß der Balken, der sich parallel zum Rahmen befindet und zur Messung der Auslenkung des Einzel spiegels herangezogen wird, ein Biegebalken ist. Werden mehrere aus vier O-förmig angeordneten Balken, die über Stege mitein ander mechanisch verbunden sind, als Feder eingesetzt, wird die notwendige Kraft zur Auslenkung des Einzelspiegels verringert. Mit dem Einsatz derartiger Federn sind größere Geometrien der Elemente, die bei einer Deformation die elektrischen Eigen schaften ändern, realisierbar, so daß die Empfindlichkeit und damit gleichbedeutend die Auflösung der Messung wesentlich er höht wird.The realization of the spring in the form of four O-shaped arranged Neten bars according to the developments of the patent Proverbs 3 to 8 causes the bar to be parallel to the frame and to measure the deflection of the individual mirror is used, is a bending beam. Become several from four O-shaped beams, which are joined together by means of webs are mechanically connected, used as a spring, the force required to deflect the individual mirror is reduced. With the use of such springs, larger geometries are possible Elements that are electrical in the event of a deformation change, realizable so that the sensitivity and hence the resolution of the measurement is essential is increased.
Die am stärksten beanspruchten Abschnitte einer derartigen Federgeometrie ergeben sich im Balken, der sich parallel zum Rahmen befindet, unmittelbar neben dem Steg, mit den der Balken und damit die gesamte Feder einschließlich des Einzelspiegels am Rahmen befestigt ist. In oder auf diesem Abschnitt sind die Elemente, die bei einer Deformation ihre elektrischen Eigen schaften ändern, entsprechend den Weiterbildungen der Patent ansprüche 6 und 7 angeordnet. Dabei ist eine Anordnung sowohl in Balkenlängsachse als auch in Steglängsachse entsprechend der Weiterbildung des Patentanspruchs 7 möglich.The most stressed sections of such Spring geometry results in the bar, which is parallel to the The frame is located right next to the footbridge with which the beam and thus the entire spring including the individual mirror is attached to the frame. In or on this section are the Elements that have their own electrical properties when deformed changes according to the further developments of the patent claims 6 and 7 arranged. An arrangement is both in the longitudinal axis of the beam and in the longitudinal axis of the web corresponding to the Further development of claim 7 possible.
Mit der Anordnung von zwei Elementen, die bei einer Deformation die elektrischen Eigenschaften ändern, je Feder nach der Wei terbildung des Patentanspruchs 8 sind zwei Brückenzweige einer Widerstandsmeßbrücke realisiert.With the arrangement of two elements in the event of a deformation the electrical properties change, depending on the spring according to the Wei terbildung of claim 8 are two bridge branches one Resistance measuring bridge realized.
In der Weiterbildung des Patentanspruchs 9 ist ein Einzelspie gel aufgeführt, der zweidimensional schwenkbar ist. Damit kann ein Lichtstrahl über alle Punkte einer Fläche geführt werden. Äquivalent können alle Punkte einer Fläche abgetastet werden. Das erfolgt vorzugsweise dadurch, daß der Lichtstrahl in einer zusammenhängenden Bahn, die mehrere elliptische Komponenten aufweist, über die Fläche geführt wird. Ein Abschrägen der Ecken des Einzelspiegels verhindert, daß dieser bei einer ro tierenden Bewegung mit der Grundplatte kollidiert.In the development of claim 9 is a single game gel listed, which can be swiveled two-dimensionally. So that can a light beam is guided over all points of a surface. Equivalently, all points of a surface can be scanned. This is preferably done in that the light beam in a contiguous orbit that has several elliptical components has, is guided over the surface. A beveling of the Corners of the individual mirror prevents it from ro tive movement collides with the base plate.
Durch die Anordnung eines Elementes, das die elektrischen Eigenschaften bei einer Deformation ändern, auf oder in den Rahmen entsprechend der Weiterbildung des Patentanspruchs 10 entsteht ein Referenzelement. Mit der Einbindung dieses Ele mentes z. B. in eine Widerstandsmeßbrücke ergeben sich gleiche Betriebsbedingungen sowohl für die Elemente der Feder als auch des Rahmens. Dadurch werden Meßfehler, die auf unterschiedliche Temperaturen der Elemente zurückzuführen sind, vermieden.By arranging an element that the electrical Change properties in the event of a deformation, on or in the Framework according to the development of claim 10 a reference element is created. With the integration of this Ele mentes z. B. in a resistance bridge result in the same Operating conditions for both the elements of the spring as well of the frame. This eliminates measurement errors that affect different Temperatures of the elements are avoided.
Die Weiterbildung des Patentanspruchs 11 führt zu Elementen, die die gleichen elektrischen Eigenschaften besitzen. Eine Aus wertung der dadurch ermittelten Daten ist leichter möglich, da sonst notwendige Kompensationen entfallen.The development of claim 11 leads to elements that have the same electrical properties. An out It is easier to evaluate the data determined in this way because otherwise necessary compensations are omitted.
Das Zusammenschalten der Elemente, die die elektrischen Eigen schaften bei einer Deformation ändern, zu einer Widerstandsmeß brücke nach der Weiterbildung des Patentanspruchs 12, ergibt eine einfache und hinreichend bekannte Meßschaltung, so daß ein elektrisches Maß der Deformationen hervorgerufen durch die Be wegung des Einzelspiegels zur Verfügung steht.The interconnection of the elements that make up the electrical eigen change with a deformation, to a resistance measurement bridge after the further development of claim 12 results a simple and well known measuring circuit, so that a electrical measure of the deformations caused by the Be movement of the single mirror is available.
Die Herstellung des oder der Einzelspiegel und des Rahmens aus Silizium nach der Weiterbildung des Patentanspruchs 13 ermög licht eine Integration der Elemente, die die elektrischen Eigenschaften bei einer Deformation ändern, und der Leiter bahnen direkt in die Federn, mit denen der oder die Einzel spiegel im Rahmen bewegbar befestigt sind. Gleichzeitig stellt Silizium ein nichtermüdendes Material dar, so daß eine lange Lebensdauer der Anordnung gegeben ist.The manufacture of the single mirror or the frame Silicon made possible after the further development of claim 13 light an integration of the elements that make up the electrical Change properties in the event of a deformation, and the conductor orbit directly into the feathers with which the individual mirrors are movably attached in the frame. At the same time Silicon is a non-tiring material, so a long Life of the arrangement is given.
Die Weiterbildung des Patentanspruchs 14 führt dazu, daß zwi schen dem Einzelspiegel oder den Einzelspiegeln und den Elemen ten, die bei einer Deformation ihre elektrischen Eigenschaften ändern, nur geringe elektrische Potentialunterschiede vorhanden sind. Dadurch ist ein sehr kleiner Abstand der Elemente und der Leiterbahnen zum Einzelspiegel realisierbar.The development of claim 14 leads to the fact that between between the individual mirror or the individual mirrors and the elements the electrical properties of a deformation change, there are only slight electrical potential differences are. This creates a very small distance between the elements and the Conductor paths to the individual mirror can be realized.
Piezowiderstände als Elemente, die die elektrischen Eigenschaf ten bei einer Deformation ändern, nach der Weiterbildung des Patentanspruchs 15, ändern ihren elektrischen Widerstandswert, so daß eine strom- als auch spannungsgespeiste Meßbrücke als Meßschaltung entsprechend der Weiterbildung des Patentanspruchs 17 eingesetzt werden kann.Piezo resistors as elements that change the electrical properties in the event of a deformation, after further training of the Claim 15, change their electrical resistance value, so that a current and voltage fed measuring bridge as Measuring circuit according to the development of the claim 17 can be used.
In der Weiterbildung des Patentanspruchs 16 sind verschiedene Realisierungsvarianten für die Piezowiderstände aufgeführt.In the development of claim 16, there are various Implementation variants listed for the piezoresistors.
Die Weiterbildungen der Patentansprüche 17 bis 20 beinhalten Ausgestaltungen der Meßschaltung, um vorteilhafte Signale aus den Widerstandsänderungen der Elemente zu erhalten.The developments of claims 17 to 20 include Refinements of the measuring circuit to make advantageous signals the resistance changes of the elements.
Der Einsatz eines nachgeschalteten Komparators entsprechend der Weiterbildung des Patentanspruchs 21 ergibt ein Spannungssignal bei einer Abweichung einer vorgebaren der Spannung äquivalenten Amplitude des Einzelspiegels und der tatsächlich erreichten Am plitude des Einzelspiegels, so daß die Ansteuerung des Einzel spiegels geändert werden kann. Es ist dabei sowohl eine maximal als auch eine minimal zu erreichende Amplitude des Einzelspie gels vorgebbar.The use of a downstream comparator according to the Further development of claim 21 results in a voltage signal in the event of a deviation of a predeterminable voltage equivalent Amplitude of the individual mirror and the actually reached Am plitude of the individual mirror, so that the control of the individual mirror can be changed. It is both a maximum as well as a minimum amplitude of the single game can be specified.
Mit der Nachschaltung eines Fensterdiskriminators nach der Weiterbildung des Patentanspruchs 22 ist der Amplitudenbereich des Einzelspiegels vorgebbar. Die Vergleichsspannungen des Fensterdiskriminators dienen dabei als Schranken für die Am plitude des Einzelspiegels. Die Ausgangsspannung dient der An steuerung des Einzelspiegels, so daß dieser in einem bestimmten Bereich der Amplitude gehalten wird.With the addition of a window discriminator after A further development of claim 22 is the amplitude range of the individual mirror can be specified. The reference voltages of the Window discriminators serve as barriers for the Am plitude of the single mirror. The output voltage is used for the on control of the individual mirror, so that this in a certain Range of amplitude is kept.
Mit der Einbindung des Frequenzgenerators zum Betrieb des Ein zelspiegels, der Meßschaltung und einem Phasenregelkreis in die Ansteuerung insgesamt nach den Weiterbildungen der Patentan sprüche 23 bis 25 ist eine Ansteuerung einschließlich einer Regelschleife gegeben. Toleranzen, die unter anderem durch Temperaturschwankungen hervorgerufen werden, sind damit selb ständig durch die Ansteuerung ausgleichbar. Der Fangbereich des Phasenregelkreises wird durch die Betriebsbedingungen des Ein zelspiegels bestimmt. Weiterhin ergibt sich mit dem Einsatz des Phasenregelkreises die Möglichkeit, daß über einen programmier baren Teiler im Phasenregelkreis die Schwingbewegung des Ein zelspiegels digital beeinflußt werden kann.With the integration of the frequency generator to operate the On zelspiegel, the measuring circuit and a phase locked loop in the Overall control according to the further training of the patent claims 23 to 25 is a control including one Control loop given. Tolerances, among other things, by Temperature fluctuations are the same can be constantly compensated for by the control. The catch area of the Phase locked loop is determined by the operating conditions of the one zelspiegel determined. Furthermore, with the use of the Phase locked loop the possibility that a programm divisors in the phase-locked loop the oscillating movement of the on zelspiegel can be influenced digitally.
Die Weiterbildung der Patentansprüche 21, 22, 24 und 25 enthält eine konkrete Realisierungsvariante des Phasenregelkreises.The development of claims 21, 22, 24 and 25 contains a concrete implementation variant of the phase locked loop.
Die Weiterbildung des Patentanspruchs 26 enthält eine Ansteue rung für einen Einzelspiegel, der zweidimensional bewegbar in einem Rahmen aufgehängt ist. Durch eine gezielte Ansteuerung der vier Elektroden kann der Lichtstrahl in Form eines ge schlossenen Kegelschnittes (Kreis, Ellipse) abgelenkt werden. Somit ist jeder Punkt einer Fläche überschreibbar.The development of claim 26 contains a control tion for a single mirror that can be moved in two dimensions is suspended from a frame. Through targeted control of the four electrodes, the light beam can be in the form of a ge closed conic section (circle, ellipse) can be deflected. Every point of a surface can thus be overwritten.
Ausführungsbeispiele der Erfindung sind in den Zeichnungen dargestellt und werden im folgenden näher beschrieben. Es zeigen:Embodiments of the invention are in the drawings are shown and are described in more detail below. Show it:
Fig. 1 eine Anordnung der Gebiete der Widerstände, Kontakt stellen und Leiterbahnen eines mit Torsionsbalken be festigten Einzelspiegels, Fig. 1 illustrate an arrangement of the areas of the resistors and contact tracks of a torsion be strengthened with the individual mirror,
Fig. 2 eine prinzipielle Realisierung einer Widerstandsmeß brücke dazu, Fig. 2 shows a basic implementation of a Widerstandsmeß bridge to
Fig. 3 eine Anordnung der Gebiete der Widerstände bei O-ringförmig ausgebildeten Federn, Fig. 3 shows an arrangement of the areas of the resistors in O-ring-shaped springs,
Fig. 4a und 4b Kontaktierungen der Widerstände und der herausge führten Leiterbahnen bei O-ringförmig ausgebildeten Federn, Figures 4a and 4b contacts. The resistors and the conductor tracks led herausge at O-ring-shaped springs,
Fig. 5 eine prinzipielle Realisierung einer Widerstandsmeß brücke dazu, Fig. 5 shows a basic implementation of a Widerstandsmeß bridge to
Fig. 6 eine prinzipielle Darstellung mit einem Komparator, Fig. 6 shows a schematic representation with a comparator,
Fig. 7 eine prinzipielle Darstellung mit einem Fensterdis kriminator, Figure shows a schematic representation kriminator. 7 with a Fensterdis,
Fig. 8 eine prinzipielle Darstellung des Phasenregelkreises mit programmierbaren Teiler Fig. 8 is a schematic representation of the phase locked loop with programmable divider
Fig. 9 eine prinzipielle Darstellung des Phasenregelkreises, wobei die Änderungen der Amplitude gegenüber einer vorgegebenen Größe überwacht und bei Änderungen au tomatisch ausgeregelt werden, Shows a basic representation of the phase locked loop, whereby the changes in the amplitude over a predetermined size monitored and adjusted with changes au tomatically. 9,
Fig. 10 eine prinzipielle Darstellung des Phasenregelkreises, wobei die Änderungen der Amplitude gegenüber einem vorgegebenen Bereich überwacht und bei Änderungen au tomatisch ausgeregelt werden und Fig. 10 is a schematic representation of the phase-locked loop, the changes in the amplitude compared to a predetermined range monitored and automatically compensated for changes and
Fig. 11 eine Übersichtsdarstellung einer Regelung der Ampli tuden eines über vier Federn in einem Rahmen befes tigten Einzelspiegels. Fig. 11 is an overview of a regulation of the ampli tuden of a fixed via four springs in a frame individual mirror.
Ein erstes Ausführungsbeispiel beinhaltet eine Anordnung zur Erfassung der Auslenkung von mikromechanischen Spiegelanord nungen 10, die insbesondere elektrostatisch angesteuert werden. Die Spiegelanordnung 10 besteht aus einem plattenförmig ausge bildeten Einzelspiegel 1, der von einem Rahmen 3 umgeben ist. Der Einzelspiegel 1 ist über zwei Federn, die mittig an sich gegenüberliegenden Seiten angeordnet sind, mit dem Rahmen 3 verbunden. Jede Feder stellt einen Balken dar, der bei einer Auslenkung des Einzelspiegels 1 verdreht wird. Es handelt sich damit um einen Torsionsbalken 2.A first exemplary embodiment includes an arrangement for detecting the deflection of micromechanical mirror arrangements 10 , which are in particular controlled electrostatically. The mirror assembly 10 consists of a plate-shaped single mirror 1 , which is surrounded by a frame 3 . The individual mirror 1 is connected to the frame 3 via two springs which are arranged centrally on opposite sides. Each spring represents a bar that is rotated when the individual mirror 1 is deflected. It is a torsion beam 2 .
Die Spiegelanordnung 10 besteht Silizium.The mirror arrangement 10 is made of silicon.
In einer ersten Variante entsprechend der Darstellung in der Fig. 1 ist jeweils ein Gebiet der Torsionsbalken 2 gegenüber dem Silizium der Spiegelanordnung 10 anders dotiert. Dieses dotierte Gebiet bildet einen piezoresistiven Widerstand R1 oder R2 im Torsionsbalken 2. Das Gebiet besitzt eine rechteckförmige Grundfläche und ist mit einem Winkel von 45° gegenüber der Längsachse des Torsionsbalkens 2 angeordnet.In a first variant, as shown in FIG. 1, a region of the torsion bars 2 is doped differently with respect to the silicon of the mirror arrangement 10 . This doped region forms a piezoresistive resistor R1 or R2 in the torsion bar 2 . The area has a rectangular base area and is arranged at an angle of 45 ° with respect to the longitudinal axis of the torsion bar 2 .
Der Rahmen 3 besitzt Kontaktstellen 4. Die Enden des Wider standes R1 oder R2 sind über Leiterbahnen 5, die entweder aus einem Metall z. B. Aluminium bestehen oder gegenüber den Wider ständen R1 oder R2 höher dotierte Gebiete der Spiegelanordnung 10 darstellen, mit diesen Kontaktstellen 4 elektrisch leitend verbunden. Damit ist der Widerstand R1 oder R2 der Spiegelan ordnung 10 von außen elektrisch kontaktierbar. Die Widerstände R1 und R2 besitzen die gleichen geometrischen Abmessungen und sind Bestandteile mindestens einer Widerstandsmeßbrücke 11. Somit sind entweder zwei Brückenzweige einer Widerstandsmeß brücke 11 oder ein Brückenzweig zweier Widerstandsmeßbrücken 11 realisiert. Festwiderstände R3 und R4, die über die Kontakt stellen 4 mit den Widerständen R1 und R2 zusammengeschaltet sind, ergänzen diese Widerstandsmeßbrücke 11. Eine Brückendia gonale ist mit einer Quelle 6 und der andere stellt den Ausgang 7 der Widerstandsmeßbrücke 11 dar. In der Fig. 2 ist eine Realisierungsvariante dargestellt. Damit ist ein Wandler der mechanischen Auslenkung in eine elektrische Größe in Form des Stromes oder der Spannung gegeben.The frame 3 has contact points 4 . The ends of the opposing stand R1 or R2 are on conductor tracks 5 , either of a metal such. B. aluminum or stand against the opposing R1 or R2 higher doped areas of the mirror assembly 10 , with these contact points 4 electrically connected. Thus, the resistor R1 or R2 of the Spiegelan arrangement 10 is electrically contactable from the outside. The resistors R1 and R2 have the same geometric dimensions and are components of at least one resistance measuring bridge 11 . Thus, either two bridge branches of a resistance measuring bridge 11 or a bridge branch of two resistance measuring bridges 11 are realized. Fixed resistors R3 and R4, which are connected via the contact 4 to the resistors R1 and R2, supplement this resistance measuring bridge 11 . A Brückendia gonal connected to a source 6 and the other represents the output 7 of the resistance 11. In FIG. 2, a variant embodiment is illustrated. This converts the mechanical deflection into an electrical quantity in the form of the current or the voltage.
In einer zweiten Variante sind mehrere Gebiete der Torsions balken 2 gegenüber dem Silizium der Spiegelanordnung 10 anders dotiert. Diese dotierten Gebiet stellen wiederum piezoresistive Widerstände R im Torsionsbalken 2 dar. Die Gebiete besitzen eine rechteckförmige Grundfläche und sind parallel zueinander mit einem Winkel von 45° gegenüber der Längsachse des Torsions balkens 2 angeordnet. Leiterbahnen 5, die entweder aus einem Metall z. B. Aluminium bestehen oder gegenüber den Widerständen R höher dotierte Gebiete der Spiegelanordnung 10 darstellen, verbinden diese Gebiete so, daß eine elektrische Reihenschal tung dieser Gebiete vorhanden ist.In a second variant, several areas of the torsion bars 2 are doped differently with respect to the silicon of the mirror arrangement 10 . These doped areas in turn represent piezoresistive resistors R in the torsion bar 2. The areas have a rectangular base and are arranged parallel to one another at an angle of 45 ° with respect to the longitudinal axis of the torsion bar 2 . Conductor tracks 5 , either of a metal such. B. aluminum or represent higher doped areas of the mirror assembly 10 with respect to the resistors R, these areas connect so that an electrical series circuit device of these areas is present.
Der Rahmen 3 besitzt Kontaktstellen 4. Die Enden der Reihen schaltung sind über äquivalent ausgeführte Leiterbahnen 5 mit diesen Kontaktstellen 4 elektrisch leitend verbunden. Damit sind die Widerstände R der Spiegelanordnung 10 von außen elek trisch kontaktierbar. Die Widerstände R der Torsionsbalken 2 sind wiederum Bestandteile mindestens einer Widerstandsmeß brücke 11. Somit sind entweder zwei Brückenzweige einer Wider standsmeßbrücke 11 oder ein Brückenzweig von zwei Widerstands meßbrücken 11 realisiert. Festwiderstände R ergänzen über die Kontaktstellen 4 die Widerstandsmeßbrücke 11 oder die Wider standsmeßbrücken 11. Mit der Realisierung einer Gleichstrom- Meßbrücke nach Wheatstone ist ein Wandler der mechanischen Auslenkung in eine elektrische Größe in Form der elektrischen Spannung gegeben. Die elektrische Spannung ist damit ein Maß für die Größe der Auslenkung des Einzelspiegels 1. Das Vor zeichen der elektrischen Spannung ist der Kipprichtung des Einzelspiegels 1 zuordenbar.The frame 3 has contact points 4 . The ends of the series circuit are connected to these contact points 4 in an electrically conductive manner via equivalent conductor tracks 5 . Thus, the resistors R of the mirror assembly 10 are electrically contactable from the outside. The resistors R of the torsion bar 2 are in turn components of at least one resistance measuring bridge 11 . Thus, either two bridge branches of a resistance measuring bridge 11 or a bridge branch of two resistance measuring bridges 11 are realized. Fixed resistors R complement via the contact points 4, the resistance bridge 11 or the opponent standsmeßbrücken. 11 With the implementation of a Wheatstone direct current measuring bridge, a converter of mechanical deflection into an electrical variable in the form of the electrical voltage is provided. The electrical voltage is thus a measure of the size of the deflection of the individual mirror 1 . Before the sign of the electrical voltage, the tilt direction of the individual mirror 1 can be assigned .
Damit sind die Amplituden der Auslenkung eines mikromechani schen Einzelspiegels 1 erfaßbar.The amplitudes of the deflection of a micromechanical individual mirror 1 can thus be detected.
Zum einen können diese elektrischen Größen direkt als Stell größe für den der Ansteuerung 14 des mikromechanischen Einzel spiegels 1 dienenden Frequenzgenerators genutzt werden. Zum anderen können diese elektrischen Größen über einen Spannungs- Frequenz-Wandlers 15 in eine äquivalente Frequenz oder über einen Analog-Digital-Unsetzer in äquivalente digitale Signale gewandelt werden, die wiederum der Steuerung des den mikro mechanischen Einzelspiegel 1 ansteuernden Frequenzgenerators dient.On the one hand, these electrical variables can be used directly as an actuating variable for the frequency generator serving to control 14 the micromechanical individual mirror 1 . On the other hand, these electrical variables can be converted into an equivalent frequency via a voltage-frequency converter 15 or into equivalent digital signals via an analog-digital converter, which in turn is used to control the frequency generator which drives the micro-mechanical individual mirror 1 .
Ein zweites Ausführungsbeispiel beinhaltet eine Anordnung zur Erfassung der Auslenkung von mikromechanischen Spiegelanord nungen 10, die insbesondere elektrostatisch angesteuert werden. Die Spiegelanordnung 10 besteht aus einem plattenförmig ausge bildeten Einzelspiegel 1, der von einem Rahmen 3 umgeben ist. Der Einzelspiegel 1 ist über zwei Federn, die mittig an sich gegenüberliegenden Seiten angeordnet sind, mit dem Rahmen 3 verbunden.A second exemplary embodiment includes an arrangement for detecting the deflection of micromechanical mirror arrangements 10 , which are in particular controlled electrostatically. The mirror assembly 10 consists of a plate-shaped single mirror 1 , which is surrounded by a frame 3 . The individual mirror 1 is connected to the frame 3 via two springs which are arranged centrally on opposite sides.
Jede Feder besteht aus vier O-förmig angeordneten Balken 8a bis 8d, die dabei jeweils mit einem Winkel von 90° zueinander ange ordnet sind (Darstellung der Fig. 3). Der Balken 8b parallel zum Einzelspiegel 1 ist über einen Steg 9b mit diesem und der Balken 8d parallel zum Rahmen 3 ist über einen weiteren Steg 9a mit diesem verbunden. Die Länge dieser Balken 8b und 8d ist dabei gleich der Seitenlänge des Einzelspiegels 1. Die beiden anderen Balken 8a und 8c sind wesentlich kürzer ausgebildet. Die Spiegelanordnung 10 besteht aus Silizium.Each spring consists of four O-shaped bars 8 a to 8 d, which are each arranged at an angle of 90 ° to each other (representation of Fig. 3). The bar 8 b parallel to the individual mirror 1 is connected to the latter via a web 9 b and the bar 8 d parallel to the frame 3 is connected to this via a further web 9 a. The length of these bars 8 b and 8 d is equal to the side length of the individual mirror 1 . The other two bars 8 a and 8 c are significantly shorter. The mirror arrangement 10 consists of silicon.
Der Balken 8d parallel zum Rahmen 3 besitzt zwei Gebiete, die gegenüber dem Silizium der Spiegelanordnung anders dotiert sind. Dieses dotierten Gebiete bilden piezoresistive Wider stände R1 bis R4. Die Gebiete besitzen eine rechteckförmige Grundfläche und grenzen unmittelbar an die gedachte Verlänge rung des Steges 9a auf den Balken 8d. Die geometrischen Abmes sungen aller Gebiete sind gleich.The bar 8 d parallel to the frame 3 has two areas which are doped differently from the silicon of the mirror arrangement. This doped regions form piezoresistive resistors R1 to R4. The areas have a rectangular base and border directly on the imaginary extension of the web 9 a on the bar 8 d. The geometrical dimensions of all areas are the same.
In einer ersten Variante entsprechend der Darstellung der Fig. 4a sind die Widerstände R1 bis R4 so angeordnet, daß deren Längsachse parallel zur Längsachse des Steges 9a verläuft. In einer zweiten Variante entsprechend der Darstellung der Fig. 4b sind die Widerstände R1 bis R4 derart angeordnet, daß deren Längsachse parallel zur Längsachse des Balkens 9a ver läuft.In a first variant according to the illustration of FIG. 4, the resistors R1 to R4 are arranged such that their longitudinal axis runs parallel to the longitudinal axis of the bar 9 a. In a second variant corresponding to the representation of Fig. 4b, the resistors R1 to R4 are arranged such that their longitudinal axis runs parallel to the longitudinal axis of the bar 9 a ver.
Der Rahmen 3 weist elektrische Kontaktstellen 4 auf. Zwei Enden der Widerstände R1 bis R4 sind mit je einer Kontaktstelle 4, die beiden anderen Enden sind miteinander und diese Verbindung ist mit einer Kontaktstelle 4 jeweils über elektrische Leiter bahnen 5 verbunden.The frame 3 has electrical contact points 4 . Two ends of the resistors R1 to R4 are each with a contact point 4 , the other two ends are connected to each other and this connection is connected to a contact point 4 each via electrical conductors 5 .
Die Leiterbahnen 5 bestehen aus einem Metall z. B. Aluminium oder stellen gegenüber den Widerständen R1 bis R4 höher do tierte Gebiete der Spiegelanordnung 10 dar. Damit sind die Widerstände R1 bis R4 der Spiegelanordnung 10 von außen elek trisch kontaktierbar.The conductor tracks 5 consist of a metal z. As aluminum or contrast across the resistors R1 to R4 do higher-oriented areas of the mirror assembly 10. Thus, the resistors R1 to R4 of the mirror assembly 10 elec tric contacted from the outside.
Die vier Widerstände R1 bis R4 der beiden Federn sind zu einer Widerstandsmeßbrücke 11 entsprechend der Darstellung in der Fig. 5 zusammengeschaltet. Dazu sind jeweils die Enden der Widerstände R1 bis R4, die sich parallel gegenüber befinden miteinander verbunden. Diese Verbindungsstellen stellen den Ausgang 7 der Widerstandsmeßbrücke 11 dar, an der bei einer Auslenkung des Einzelspiegels 1 eine dementsprechende Span nungsänderung abnehmbar ist. Die Verbindungen der Widerstände R1 bis R4 sind miteinander und mit je einem Ausgang einer Spannungsquelle 6 verbunden. Damit ist eine Vollbrücke als Widerstandsmeßbrücke 11 gegeben und die Spannungsänderung stellt ein Maß für die Auslenkung des Einzelspiegels 1 dar. Damit sind die Amplituden der Auslenkung eines Einzelspiegels erfaßbar.The four resistors R1 to R4 of the two springs are connected together to form a resistance measuring bridge 11 as shown in FIG. 5. For this purpose, the ends of the resistors R1 to R4, which are parallel opposite each other, are connected to each other. These junctions represent the output 7 of the resistance measuring bridge 11 , at which a corresponding change in voltage can be removed when the individual mirror 1 is deflected. The connections of the resistors R1 to R4 are connected to one another and to an output of a voltage source 6 . This provides a full bridge as a resistance measuring bridge 11 and the change in voltage represents a measure of the deflection of the individual mirror 1. The amplitudes of the deflection of an individual mirror can thus be detected.
Die an der Widerstandsmeßbrücke 11 anstehende Spannung kann eine Stellgröße für den der Ansteuerung 14 des mikromechani schen Einzelspiegels 1 dienenden Frequenzgenerators darstellen. Diese Spannung ist über einen Spannungs-Frequenz-Wandler 15 in eine äquivalente Frequenz oder über einen Analog-Digital-Umset zer in ein digitales Signal wandelbar, die wiederum der Steue rung des den mikromechanischen Einzelspiegel 1 ansteuernden Frequenzgenerators dienen können.The voltage applied to the resistance measuring bridge 11 can represent a manipulated variable for the control 14 of the micromechanical individual mirror 1 serving frequency generator. This voltage can be converted via a voltage-frequency converter 15 into an equivalent frequency or via an analog-digital converter into a digital signal, which in turn can serve to control the frequency generator which controls the micromechanical individual mirror 1 .
Ein drittes Ausführungsbeispiel beinhaltet eine Anordnung zur Erfassung der Auslenkung von mikromechanischen Spiegelanord nungen 10, die insbesondere elektrostatisch angesteuert werden. Die Spiegelanordnung 10 besteht aus einem plattenförmig ausge bildeten Einzelspiegel 1, der von einem Rahmen 3 umgeben ist. Der Einzelspiegel 1 ist über vier Federn, die mittig an den Seiten angeordnet sind, mit dem Rahmen 3 verbunden.A third exemplary embodiment includes an arrangement for detecting the deflection of micromechanical mirror arrangements 10 , which are in particular controlled electrostatically. The mirror assembly 10 consists of a plate-shaped single mirror 1 , which is surrounded by a frame 3 . The individual mirror 1 is connected to the frame 3 via four springs which are arranged centrally on the sides.
Jede Feder besteht aus vier O-förmig angeordneten Balken 8a bis 8d, die dabei jeweils mit einem Winkel von 90° zueinander ange ordnet sind. Der Balken 8b parallel zum Einzelspiegel 1 ist über einen Steg 9b mit diesem und der Balken 8d parallel zum Rahmen 3 ist über einen weiteren Steg 9a mit diesem verbunden. Die Länge dieser Balken 8b und 8d ist dabei gleich dieser Seitenlänge des Einzelspiegels 1. Die beiden anderen Balken 8a und 8c sind wesentlich kürzer ausgebildet.Each spring consists of four O-shaped bars 8 a to 8 d, which are each arranged at an angle of 90 ° to each other. The bar 8 b parallel to the individual mirror 1 is connected to the latter via a web 9 b and the bar 8 d parallel to the frame 3 is connected to this via a further web 9 a. The length of these bars 8 b and 8 d is equal to this side length of the individual mirror 1 . The other two bars 8 a and 8 c are significantly shorter.
Die Spiegelanordnung 10 besteht aus Silizium.The mirror arrangement 10 consists of silicon.
Der Balken 8d parallel zum Rahmen 3 besitzt zwei Gebiete, die gegenüber dem Silizium der Spiegelanordnung 10 anders dotiert sind. Dieses dotierten Gebiete bilden piezoresistive Wider stände R. Die Gebiete besitzen eine rechteckförmige Grundfläche und grenzen unmittelbar an die gedachte Verlängerung des Steges 9a auf dem Balken 8d. Alle Gebiete besitzen die gleichen geo metrischen Abmessungen.The bar 8 d parallel to the frame 3 has two areas which are doped differently from the silicon of the mirror arrangement 10 . This doped areas form piezoresistive resistors R. The areas have a rectangular base and directly adjoin the imaginary extension of the web 9 a on the bar 8 d. All areas have the same geometric dimensions.
In einer ersten Variante sind die Widerstände R so angeordnet, daß deren Längsachse parallel zur Längsachse des Steges 9a verläuft.In a first variant, the resistors R are arranged such that their longitudinal axis runs parallel to the longitudinal axis of the web 9 a.
In einer zweiten Variante sind die Widerstände R derart ange ordnet, daß deren Längsachse parallel zur Längsachse des Bal kens 8d verläuft.In a second variant, the resistors R are arranged such that their longitudinal axis runs parallel to the longitudinal axis of the ball kens 8 d.
Der Rahmen 3 weist elektrische Kontaktstellen 4 auf. Zwei Enden der Widerstände R sind mit je einer Kontaktstelle 4, die beiden anderen Enden sind miteinander und diese Verbindung ist mit einer Kontaktstelle 4 jeweils über elektrische Leiterbahnen 5 verbunden.The frame 3 has electrical contact points 4 . Two ends of the resistors R are each with a contact point 4 , the other two ends are connected to one another and this connection is connected to a contact point 4 via electrical conductor tracks 5 .
Die Leiterbahnen 5 bestehen aus einem Metall z. B. Aluminium oder stellen gegenüber den Widerständen R höher dotierte Ge biete der Spiegelanordnung 10 dar. Damit sind die Widerstände R der Spiegelanordnung 10 von außen elektrisch kontaktierbar. Die vier Widerstände R der sich gegenüberliegenden Federn sind jeweils zu einer Widerstandsmeßbrücke 11 zusammengeschaltet. Dazu sind jeweils die Enden der Widerstände R, die sich pa rallel gegenüber befinden miteinander verbunden. Diese Verbin dungsstellen stellen die Ausgänge 7 der Widerstandsmeßbrücken 11 dar, an denen bei einer Auslenkung des Einzelspiegels 1 dementsprechende Spannungsänderungen abnehmbar sind. Die sich gegenüberliegenden Verbindungen der Widerstände R sind mit einander und mit je einem Ausgang einer Spannungsquelle 6 verbunden. Damit sind zwei Vollbrücken als Widerstandsmeßbrücke 11 gegeben und die Spannungsänderungen stellen ein Maß für die Auslenkung des Einzelspiegels 1 dar.The conductor tracks 5 consist of a metal z. B. aluminum or compared to the resistors R higher doped Ge areas of the mirror assembly 10. Thus, the resistors R of the mirror assembly 10 are electrically contactable from the outside. The four resistors R of the opposing springs are each interconnected to form a resistance measuring bridge 11 . For this purpose, the ends of the resistors R, which are located opposite each other, are connected to each other. Binding sites The joints 7 illustrate the outputs represent the resistance bridges 11, at which corresponding thereto upon deflection of the individual mirror 1 voltage changes are removable. The opposite connections of the resistors R are connected to each other and to an output of a voltage source 6 . This gives two full bridges as resistance measuring bridge 11 and the voltage changes represent a measure of the deflection of the individual mirror 1 .
Der Einzelspiegel 1 wird über zwei unabhängige Frequenzgenera toren angesteuert. Diese steuern den Einzelspiegel 1 so an, daß dieser unabhängig in x- und y-Richtung gekippt werden kann. Dadurch ist ein 2-D-Spiegel gegeben.The individual mirror 1 is controlled by two independent frequency generators. These control the individual mirror 1 so that it can be tilted independently in the x and y directions. This creates a 2-D mirror.
Die an den Widerstandsmeßbrücken 11 anstehenden Spannungen sind den Amplituden des Einzelspiegels sowohl in x- als auch in y-Richtung zuordenbar. Die Bewegung des 2-D-Spiegels sind damit erfaßbar.The voltages present at the resistance measuring bridges 11 can be assigned to the amplitudes of the individual mirrors in both the x and y directions. The movement of the 2-D mirror can thus be detected.
Diese Meßergebnisse sind als Stellgrößen für die der Ansteue rungen 14 des mikromechanischen Einzelspiegels dienenden Fre quenzgeneratoren einsetzbar. Diese Spannungen sind über Span nungs-Frequenz-Wandler 15 in äquivalente Frequenzen oder über Analog-Digital-Umsetzer in digitale Signale wandelbar, so daß wiederum die Möglichkeit der Steuerung der den mikromechani schen Einzelspiegel 1 ansteuernden Frequenzgeneratoren gegeben ist.These measurement results can be used as manipulated variables for the controls 14 of the micromechanical single mirror serving frequency generators. These voltages are convertible via voltage-frequency converter 15 into equivalent frequencies or via analog-digital converter into digital signals, so that in turn the possibility of controlling the micromechanical individual mirror 1 driving frequency generators is given.
Ein Ausschnitt der Anordnung ist in den Fig. 4a und 4b dar gestellt. Die Fig. 5 zeigt eine Realisierungsvariante einer Widerstandsmeßbrücke 11 der sich gegenüberliegenden Federn.A section of the arrangement is shown in FIGS. 4a and 4b. 5 shows a realization variant of a resistance measuring bridge 11 of the opposite springs.
Ein viertes Ausführungsbeispiel beinhaltet eine Anordnung zur Erfassung der Auslenkung von mikromechanischen Spiegelanord nungen 10, die insbesondere elektrostatisch angesteuert werden. Die Spiegelanordnungen 10 des ersten oder zweiten Ausführungs beispiels sind ein Bestandteil des vierten Ausführungsbei spiels.A fourth exemplary embodiment includes an arrangement for detecting the deflection of micromechanical mirror arrangements 10 , which are in particular controlled electrostatically. The mirror assemblies 10 of the first or second embodiment example are part of the fourth exemplary embodiment.
Dabei ist der Einzelspiegel 1 insbesondere elektrostatisch an gesteuert und mit zwei mittig an sich gegenüberliegenden Seiten angeordneten Federn mit einem Rahmen 3 verbunden. Gebiete dieser Federn stellen piezoresistive Widerstände R dar. Die Ausgestaltung der Federn und die Ausführung und Plazierung der Widerstände R entspricht denen des ersten und zweiten Aus führungsbeispiels. Die Widerstände R des ersten und zweiten Ausführungsbeispiels sind Bestandteile einer Widerstandsmeß brücke 11. Die durch die Auslenkung des Einzelspiegels 1 hervorgerufene proportionale Änderung der Brückenspannung stellt bei dynamischen Betrieb des Einzelspiegels 1 eine äqui valente Spannungsfolge dar. Diese Spannungsfolge wird auf einen ersten Eingang eines Komparators 12 gegeben. Der zweite Eingang ist mit einer Spannungsquelle U verbunden (Darstellung der Fig. 6). Damit wird die der Auslenkung des Einzelspiegels 1 äquivalente Spannungsfolge mit der Spannung der-Spannungsquelle U verglichen.The individual mirror 1 is in particular electrostatically controlled and connected to a frame 3 with two springs arranged centrally on opposite sides. Areas of these springs represent piezoresistive resistors R. The design of the springs and the design and placement of the resistors R correspond to those of the first and second exemplary embodiments. The resistors R of the first and second exemplary embodiments are components of a resistance measuring bridge 11 . Caused by the deflection of the individual mirror 1 proportional change of the bridge voltage is in dynamic operation of the individual mirror 1, an equi valent voltage follower. This voltage sequence is applied to a first input of a comparator 12. The second input is connected to a voltage source U (representation of FIG. 6). The voltage sequence equivalent to the deflection of the individual mirror 1 is thus compared with the voltage of the voltage source U.
Dadurch ist z. B. das Überschwingen in Form einer erhöhten Aus lenkung des Einzelspiegels 1 feststellbar. This z. B. the overshoot in the form of an increased steering from the individual mirror 1 detectable.
Ein fünftes Ausführungsbeispiel beinhaltet eine Anordnung zur Erfassung der Auslenkung von mikromechanischen Spiegelanord nungen 10.A fifth exemplary embodiment includes an arrangement for detecting the deflection of micromechanical mirror arrangements 10 .
Die Spiegelanordnungen 10 des ersten oder zweiten Ausführungs beispiels sind ein Bestandteil des fünften Ausführungsbei spiels.The mirror assemblies 10 of the first or second embodiment example are part of the fifth game example.
Dabei ist der Einzelspiegel 1 insbesondere elektrostatisch an gesteuert und mit zwei mittig an sich gegenüberliegenden Seiten angeordneten Federn mit einen Rahmen 3 verbunden. Gebiete die ser Federn stellen piezoresistive Widerstände R dar.The individual mirror 1 is in particular electrostatically controlled and connected to a frame 3 with two springs arranged centrally on opposite sides. Areas of these springs represent piezoresistive resistors R.
Die Ausgestaltung der Federn und die Ausführung und Plazierung der Widerstände R entspricht denen des ersten und zweiten Aus führungsbeispiels. Die Widerstände R des ersten und zweiten Ausführungsbeispiels sind Bestandteile einer Widerstandsmeßbrücke 11, die eine Vollbrücke darstellt. Die durch die Auslenkung des Einzelspiegels 1 hervorgerufene pro portionale Änderung der Brückenspannung stellt bei dynamischen Betrieb des Einzelspiegels 1 eine äquivalente Spannungsfolge dar. Diese Spannungsfolge wird an einen Eingang eines Fenster diskriminators 13 geschalten. Die beiden anderen Eingänge des Fensterdiskriminators 13 werden mit jeweils einer Spannungs quelle U1 und U2 verbunden (Darstellung in der Fig. 7). Der Fensterdiskriminator 13 liefert eine Ausgangsspannung, falls die Amplitude des abgelenkten Einzelspiegels 1 den durch die Spannungsquellen U1 und U2 vorgegebenen Bereich verläßt.The design of the springs and the design and placement of the resistors R corresponds to those of the first and second exemplary embodiments. The resistors R of the first and second exemplary embodiments are components of a resistance measuring bridge 11 , which represents a full bridge. Caused by the deflection of the individual mirror 1 per-proportional change of the bridge voltage is in dynamic operation of the single mirror 1 is an equivalent voltage follower. The voltage follower is discriminator to an input of a window 13 switched. The two other inputs of the window discriminator 13 are each connected to a voltage source U1 and U2 (shown in FIG. 7). The window discriminator 13 supplies an output voltage if the amplitude of the deflected individual mirror 1 leaves the range specified by the voltage sources U1 and U2.
Ein sechstes Ausführungsbeispiel beinhaltet eine Anordnung zur Erfassung und Beeinflussung der Auslenkung von mikromechani schen Spiegelanordnungen 10.A sixth exemplary embodiment includes an arrangement for detecting and influencing the deflection of micromechanical mirror arrangements 10 .
Die Spiegelanordnungen 10 des ersten oder zweiten Ausführungs beispiels sind ein Bestandteil des sechsten Ausführungsbei spiels, das prinzipiell in der Fig. 8 dargestellt ist. Dabei ist der Einzelspiegel 1 insbesondere elektrostatisch an gesteuert und mit zwei mittig an sich gegenüberliegenden Seiten angeordneten Federn mit einen Rahmen 3 verbunden. Gebiete die ser Federn stellen piezoresistive Widerstände R dar.The mirror assemblies 10 of the first or second embodiment example are part of the sixth embodiment, which is shown in principle in FIG. 8. The individual mirror 1 is in particular electrostatically controlled and connected to a frame 3 with two springs arranged centrally on opposite sides. Areas of these springs represent piezoresistive resistors R.
Die Ausgestaltung der Federn und die Ausführung und Plazierung der Widerstände R entspricht denen des ersten und zweiten Aus führungsbeispiels. Die Widerstände R des ersten und zweiten Ausführungsbeispiels sind Bestandteile einer Widerstandsmeß brücke 11, die eine Vollbrücke darstellt. Die durch die Auslen kung des Einzelspiegels 1 hervorgerufene proportionale Änderung der Brückenspannung stellt bei dynamischen Betrieb des Einzel spiegels 1 eine äquivalente Spannungsfolge dar. Diese Span nungsfolge wird über einen Spannungs-Frequenz-Wandler 15 in eine der Spannungsfolge äquivalenten Frequenz umgesetzt. Der Auslenkung des Einzelspiegels 1 dient ein eine Ansteuerung 14, die ein Wechselspannung liefernden Generator darstellt, dessen Ausgänge mit den Elektroden der Spiegelanordnung 10 zusammengeschaltet sind. Dazu ist der Einzelspiegel 1 selbst eine Elektrode und die Ansteuerung dieser und korrespondierend angeordneten Elektroden mit einer Wechselspannung führen zu einer Auslenkung des Einzelspiegels 1.The design of the springs and the design and placement of the resistors R corresponds to those of the first and second exemplary embodiments. The resistors R of the first and second exemplary embodiments are components of a resistance measuring bridge 11 , which is a full bridge. By the Auslen effect of the individual mirror 1 caused proportional change of the bridge voltage is in dynamic operation of the single mirror 1, an equivalent voltage follower. This clamping voltage sequence is converted by a voltage-to-frequency converter 15 in one of the voltage follower equivalent frequency. A single control 14 , which represents an alternating voltage generator, the outputs of which are connected to the electrodes of the mirror arrangement 10 serve to deflect the individual mirror 1 . For this purpose, the individual mirror 1 itself is an electrode and the activation of these and correspondingly arranged electrodes with an alternating voltage lead to a deflection of the individual mirror 1 .
Weiterhin ist der Ausgang des Spannungs-Frequenz-Wandlers 15 mit dem Eingang eines programmierbaren Teilers 16, der Ausgang des programmierbaren Teilers 16 mit einem Eingang eines Phasen detektors 17, der Ausgang des Phasendetektors 17 mit dem Ein gang eines spannungsgesteuerten Oszillators 18, der Ausgang des spannungsgesteuerten Oszillators 18 mit dem Steuereingang der Ansteuerung 14 der Spiegelanordnung 10 und ein zweiter Eingang des Phasendetektors 17 mit den Ausgang eines Oszillators 19, der eine rechteckförmige Wechselspannung liefert, zusammenge schaltet. Dieser Aufbau stellt einen Phasenregelkreis (PLL) dar.Further, the output of the voltage-frequency converter 15 to the input of a programmable divider 16, the output of the programmable divider 16 to one input of a phase detector 17, the output of the phase detector 17 to the A input of a voltage-controlled oscillator 18, the output of voltage-controlled oscillator 18 with the control input of the control 14 of the mirror arrangement 10 and a second input of the phase detector 17 with the output of an oscillator 19 , which supplies a rectangular AC voltage, switched together. This structure represents a phase locked loop (PLL).
Dabei liefert der Phasendetektor 17 eine Ausgangsspannung, die von der Phasenverschiebung zwischen der Spannungsfolge am Aus gang des Spannungs-Frequenz-Wandlers 15 und der Wechselspannung des Oszillators 19 bestimmt wird. Der Phasendetektor 17 ist ein Multiplizierer. Es handelt sich dabei um einen digitalen Multi plizierer, der insbesondere und im wesentlichen aus zwei flan kengetriggerten D-Flip-Flops besteht.The phase detector 17 provides an output voltage which is determined by the phase shift between the voltage sequence at the output of the voltage-frequency converter 15 and the AC voltage of the oscillator 19 . The phase detector 17 is a multiplier. It is a digital multiplier, which consists in particular and essentially of two flank-triggered D flip-flops.
An dessen Ausgang entsteht ein Fehlersignal, das die Frequenz des spannungsgesteuerten Oszillators 18 so verändert, daß Dif ferenzen zwischen der Frequenz des Spannungs-Frequenz-Wandlers 15 und der Frequenz des Oszillators 19 ausgeregelt werden. Der "Haltebereich" des Phasenregelkreises wird durch die realisier bare Frequenzänderung des spannungsgesteuerten Oszillators 18 bestimmt. Damit wird auch der "Fangbereich" des Phasenregel kreises bestimmt, der kleiner oder gleichgroß dem Haltebereich ist. Die Ausgangsspannung des spannungsgesteuerten Oszillators 18 dient der Steuerung der Ansteuerung 14 des Einzelspiegels 1. Mit dem Einsatz dieses Phasenregelkreises können die Auslen kungen des Einzelspiegels 1 in dynamischen Betrieb konstant ge halten werden, so daß sich gleichbleibende Ablenkbedingungen für den abgelenkten Lichtstrahl ergeben.At its output there is an error signal which changes the frequency of the voltage-controlled oscillator 18 so that differences between the frequency of the voltage-frequency converter 15 and the frequency of the oscillator 19 are corrected. The "holding range" of the phase-locked loop is determined by the realizable frequency change of the voltage-controlled oscillator 18 . This also determines the "catch range" of the phase-locked loop, which is smaller or the same size as the stop range. The output voltage of the voltage-controlled oscillator 18 is used to control the control 14 of the individual mirror 1 . With the use of this phase locked loop, the deflections of the individual mirror 1 can be kept constant in dynamic operation, so that there are constant deflection conditions for the deflected light beam.
Der Einsatz des programmierbaren Teilers 16 führt zu einer pro grammierbaren Frequenzsynthese. Durch das Programmieren der Programmiereingänge läßt sich eine sehr große Anzahl unter schiedlicher diskreter Frequenzen mit der gleichen Stabilität und Genauigkeit wie die der Frequenz des Oszillators 19 er zeugen. Dadurch ist die Frequenz der Ablenkung des Einzelspie gels 1 von außen leicht digital programmierbar. Die Amplitude der Auslenkung wird durch die Spannungsfolge am Ausgang der Ansteuerung 14 des mikromechanischen Einzelspiegels 1 beein flußt. Diese kann z. B. fest vorgegeben oder frei gewählt werden.The use of the programmable divider 16 leads to a programmable frequency synthesis. By programming the programming inputs can be a very large number of different discrete frequencies with the same stability and accuracy as that of the frequency of the oscillator 19, he testify. As a result, the frequency of the deflection of the individual mirror 1 is easily digitally programmable from the outside. The amplitude of the deflection is influ- impressed by the voltage follower at the output of the driver 14 of the micro mechanical mirror. 1 This can e.g. B. fixed or freely chosen.
Ein siebtes Ausführungsbeispiel beinhaltet eine Anordnung zur Erfassung und Beeinflussung der Auslenkung von mikromechani schen Spiegelanordnungen 10.A seventh exemplary embodiment includes an arrangement for detecting and influencing the deflection of micromechanical mirror arrangements 10 .
Grundlage des siebten Ausführungsbeispiels bildet der Aufbau des sechsten Ausführungsbeispiels. Der Ausgang der Widerstands meßbrücke 11 wird sowohl mit dem Eingang des Spannungs-Fre quenz-Wandlers 15 als auch entweder mit einem Eingang des Kom parators 12 (Darstellung in der Fig. 9) oder einem Eingang des Fensterdiskriminators 13 (Darstellung in der Fig. 10) zusam mengeschaltet.The structure of the sixth embodiment forms the basis of the seventh embodiment. The output of the resistance measuring bridge 11 is both with the input of the voltage-frequency converter 15 and either with an input of the comparator 12 (shown in FIG. 9) or an input of the window discriminator 13 (shown in FIG. 10 ) interconnected.
Die anderen Eingänge des Komparators 12 oder Fensterdiskrimi nators 13 sind jeweils mit Spannungsquellen U oder U1 und U2 verbunden. Die Ausgänge sowohl des Komparators 12 als auch des Fensterdiskriminators 13 stellen ein Maß für die Programmier eingänge des programmierbaren Teilers 16 dar.The other inputs of the comparator 12 or window discriminators 13 are each connected to voltage sources U or U1 and U2. The outputs of both the comparator 12 and the window discriminator 13 represent a measure of the programming inputs of the programmable divider 16 .
Damit entstehen Anordnungen, bei denen die Änderungen entweder der Amplitude gegenüber einer vorgegebenen Größe oder der Amplitude gegenüber einen vorgegebenen Bereich überwacht und bei Änderungen automatisch über die Änderung der Frequenz der Ansteuerung 14 ausgeregelt werden.This results in arrangements in which the changes in either the amplitude compared to a predetermined size or the amplitude compared to a predetermined range are monitored and, in the event of changes, automatically corrected by the change in the frequency of the control 14 .
Die Spannungsfolge am Ausgang der Ansteuerung 14 ist durch die Gestaltung der Ansteuerung 14 selbst vorgebbar. Diese ist nicht Gegenstand der Erfindung und wird als bekannt vorausgesetzt.The voltage sequence at the output of the driver 14 itself is predetermined by the design of the control fourteenth This is not the subject of the invention and is assumed to be known.
Ein achtes Ausführungsbeispiel beinhaltet eine Anordnung zur Erfassung der Auslenkung von mikromechanischen Spiegelanord nungen 10.An eighth exemplary embodiment includes an arrangement for detecting the deflection of micromechanical mirror arrangements 10 .
Die Spiegelanordnung 10 des dritten Ausführungsbeispiels ist ein Bestandteil des achten Ausführungsbeispiels entsprechend der Darstellung in der Fig. 11.The mirror arrangement 10 of the third exemplary embodiment is part of the eighth exemplary embodiment, as shown in FIG. 11.
Dabei ist der Einzelspiegel 1 insbesondere elektrostatisch angesteuert und mit vier mittig an den Seiten angeordneten Federn mit einem Rahmen 3 verbunden. Gebiete dieser Federn stellen piezoresistive Widerstände R dar.The individual mirror 1 is in particular electrostatically controlled and connected to a frame 3 with four springs arranged centrally on the sides. Areas of these springs represent piezoresistive resistors R.
Die Ausgestaltung der Federn und die Ausführung und Plazierung der Widerstände R entspricht dem des dritten Ausführungsbei spiels. Die Widerstände R sind Bestandteile zweier Widerstands meßbrücken 11a und 11b entsprechend einer Ablenkung in x- oder y-Richtung, die Vollbrücken darstellen. Die durch die Auslen kungen des Einzelspiegels 1 hervorgerufenen proportionalen Änderungen der Brückenspannungen stellen bei dynamischen Be trieb des Einzelspiegels 1 äquivalente Wechselspannungen dar. Die Amplituden der Wechselspannungen sind den Winkeln der Aus lenkungen des Einzelspiegels 1 äquivalent.The design of the springs and the execution and placement of the resistors R corresponds to that of the third game. The resistors R are components of two resistance measuring bridges 11 a and 11 b corresponding to a deflection in the x or y direction, which represent full bridges. The Auslen by the fluctuations of the individual mirror 1 caused proportional changes of the bridge voltages provide for dynamic loading drive of the individual mirror is 1 equivalent alternating voltages. The amplitude of the alternating voltages are the angles of the steering from the individual mirror 1 equivalent.
Die Ausgänge der Widerstandsmeßbrücken 11a und 11b sind über einen programmierbaren Schalter 20 mit den Ansteuerungen 14a und 14b des Einzelspiegels 1 verbunden. Mit diesem program mierbaren Schalter 20 sind die Amplituden der Schwingungen des Einzelspiegels 1 in x- und y- Richtung einstell- und steuerbar. Dadurch ist der abzulenkende Lichtstrahl auf der Bahn eines Kreises oder einer Ellipse ablenkbar.The outputs of the resistance measuring bridges 11 a and 11 b are connected via a programmable switch 20 to the controls 14 a and 14 b of the individual mirror 1 . With this programmable switch 20 , the amplitudes of the vibrations of the individual mirror 1 in the x and y direction can be set and controlled. As a result, the light beam to be deflected can be deflected on the path of a circle or an ellipse.
Die Größe der Amplituden wird durch die Spannungsfolge an den Ausgängen der Ansteuerungen 14a und 14b bestimmt. Diese sind durch die Gestaltungen der Ansteuerung 14 selbst vorgebbar. Diese werden als bekannt vorausgesetzt und sind nicht Gegen stand der Erfindung.The size of the amplitudes is determined by the voltage sequence at the outputs of the controls 14 a and 14 b. These can be predetermined by the design of the control 14 itself. These are assumed to be known and are not the subject of the invention.
In weiteren Ausführungsbeispielen sind die Merkmale der Aus führungsbeispiele eins bis acht auch auf Spiegelanordnungen anwendbar, die aus mehreren Einzelspiegeln 1, die mit einen Rahmen 3 verbunden sind, bestehen.In further exemplary embodiments, the features of exemplary embodiments from one to eight can also be applied to mirror arrangements which consist of a plurality of individual mirrors 1 which are connected to a frame 3 .
Claims (26)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE1997109913 DE19709913C2 (en) | 1997-03-11 | 1997-03-11 | Arrangement for measuring and controlling or regulating the deflection of micromechanical mirror arrangements |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE1997109913 DE19709913C2 (en) | 1997-03-11 | 1997-03-11 | Arrangement for measuring and controlling or regulating the deflection of micromechanical mirror arrangements |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE19709913A1 true DE19709913A1 (en) | 1998-10-01 |
DE19709913C2 DE19709913C2 (en) | 1999-05-06 |
Family
ID=7822924
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE1997109913 Expired - Fee Related DE19709913C2 (en) | 1997-03-11 | 1997-03-11 | Arrangement for measuring and controlling or regulating the deflection of micromechanical mirror arrangements |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE19709913C2 (en) |
Cited By (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2000036452A1 (en) * | 1998-12-16 | 2000-06-22 | Robert Bosch Gmbh | Deflectable micro-mirror |
DE102007001516B3 (en) * | 2007-01-10 | 2008-04-30 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Micromechanical unit for e.g. use in light deflector, has resonance frequency adjusting device adjusting resonance frequency of oscillation system such that positions of spring hangers of hanger assembly are changed to one another |
WO2009010349A1 (en) * | 2007-07-16 | 2009-01-22 | Robert Bosch Gmbh | Micromechanic component comprising position detection component for determining the position and the amplitude of an oscillatable element |
DE102008049647A1 (en) * | 2008-09-30 | 2010-04-08 | Technische Universität Dresden | Micromechanical element and sensor for monitoring a micromechanical element |
ITTO20120758A1 (en) * | 2012-08-31 | 2014-03-01 | St Microelectronics Srl | MEMS DEVICE INCLUDING A MOBILE ELEMENT AND A RESISTIVE SENSOR, AND GENERATION METHOD OF AN INDICATIVE SIGNAL OF THE POSITION OF THE MOBILE ELEMENT |
EP2781949A1 (en) * | 2013-03-18 | 2014-09-24 | Seiko Epson Corporation | Optical scanner, image display apparatus, and head mounted display |
DE102014100435A1 (en) * | 2014-01-16 | 2015-07-16 | Deutsches Zentrum für Luft- und Raumfahrt e.V. | Sensor and linear motion arrangement |
WO2015130436A1 (en) * | 2014-02-26 | 2015-09-03 | Apple Inc. | Strain-based sensing of mirror position |
DE102010002992B4 (en) | 2010-03-18 | 2023-05-04 | Robert Bosch Gmbh | Piezoresistive micromechanical sensor component and corresponding manufacturing method |
DE102012219660B4 (en) | 2012-10-26 | 2023-10-12 | Robert Bosch Gmbh | Mechanical component |
US11880031B1 (en) | 2020-01-14 | 2024-01-23 | Apple Inc. | Strain-based sensing of dual-axis mirror rotation |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE10123627B4 (en) * | 2001-05-15 | 2004-11-04 | Robert Bosch Gmbh | Sensor device for detecting a mechanical deformation of a component in the automotive field |
DE10205207B4 (en) * | 2002-02-08 | 2004-07-01 | Jenoptik Ldt Gmbh | Arrangement and method for measuring a resonant oscillator and for controlling it |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3740688C2 (en) * | 1987-12-01 | 1992-04-16 | Messerschmitt-Boelkow-Blohm Gmbh, 8012 Ottobrunn, De | |
EP0692729A1 (en) * | 1994-01-31 | 1996-01-17 | The Nippon Signal Co. Ltd. | Planar type galvanomirror having a displacement detecting function and method for producing the same |
DE19606095A1 (en) * | 1995-02-25 | 1996-08-29 | Samsung Electro Mech | Mirror drive for micro-mirror field |
US5594172A (en) * | 1989-06-21 | 1997-01-14 | Nissan Motor Co., Ltd. | Semiconductor accelerometer having a cantilevered beam with a triangular or pentagonal cross section |
-
1997
- 1997-03-11 DE DE1997109913 patent/DE19709913C2/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3740688C2 (en) * | 1987-12-01 | 1992-04-16 | Messerschmitt-Boelkow-Blohm Gmbh, 8012 Ottobrunn, De | |
US5594172A (en) * | 1989-06-21 | 1997-01-14 | Nissan Motor Co., Ltd. | Semiconductor accelerometer having a cantilevered beam with a triangular or pentagonal cross section |
EP0692729A1 (en) * | 1994-01-31 | 1996-01-17 | The Nippon Signal Co. Ltd. | Planar type galvanomirror having a displacement detecting function and method for producing the same |
DE19606095A1 (en) * | 1995-02-25 | 1996-08-29 | Samsung Electro Mech | Mirror drive for micro-mirror field |
Cited By (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6449079B1 (en) | 1998-12-16 | 2002-09-10 | Robert Bosch Gmbh | Deflectable micro-mirror |
WO2000036452A1 (en) * | 1998-12-16 | 2000-06-22 | Robert Bosch Gmbh | Deflectable micro-mirror |
DE102007001516B3 (en) * | 2007-01-10 | 2008-04-30 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Micromechanical unit for e.g. use in light deflector, has resonance frequency adjusting device adjusting resonance frequency of oscillation system such that positions of spring hangers of hanger assembly are changed to one another |
US7830577B2 (en) | 2007-01-10 | 2010-11-09 | Fraunhofer-Gesellschaft Zur Foerderung Der Angewandten Forschung E.V. | Micromechanical device with adjustable resonant frequency by geometry alteration and method for operating same |
WO2009010349A1 (en) * | 2007-07-16 | 2009-01-22 | Robert Bosch Gmbh | Micromechanic component comprising position detection component for determining the position and the amplitude of an oscillatable element |
DE102008049647A1 (en) * | 2008-09-30 | 2010-04-08 | Technische Universität Dresden | Micromechanical element and sensor for monitoring a micromechanical element |
DE102008049647B4 (en) * | 2008-09-30 | 2011-11-24 | Technische Universität Dresden | Micromechanical element and method for operating a micromechanical element |
US8379283B2 (en) | 2008-09-30 | 2013-02-19 | Fraunhofer-Gesellschaft Zur Foerderung Der Angewandten Forschung E.V. | Micromechanical element and sensor for monitoring a micromechanical element |
DE102010002992B4 (en) | 2010-03-18 | 2023-05-04 | Robert Bosch Gmbh | Piezoresistive micromechanical sensor component and corresponding manufacturing method |
ITTO20120758A1 (en) * | 2012-08-31 | 2014-03-01 | St Microelectronics Srl | MEMS DEVICE INCLUDING A MOBILE ELEMENT AND A RESISTIVE SENSOR, AND GENERATION METHOD OF AN INDICATIVE SIGNAL OF THE POSITION OF THE MOBILE ELEMENT |
US9255782B2 (en) | 2012-08-31 | 2016-02-09 | Stmicroelectronics S.R.L. | MEMS device including a mobile element and a resistive sensor, and method for generating a signal indicating the position of the mobile element |
DE102012219660B4 (en) | 2012-10-26 | 2023-10-12 | Robert Bosch Gmbh | Mechanical component |
EP2781949A1 (en) * | 2013-03-18 | 2014-09-24 | Seiko Epson Corporation | Optical scanner, image display apparatus, and head mounted display |
DE102014100435A1 (en) * | 2014-01-16 | 2015-07-16 | Deutsches Zentrum für Luft- und Raumfahrt e.V. | Sensor and linear motion arrangement |
DE102014100435B4 (en) * | 2014-01-16 | 2017-04-06 | Deutsches Zentrum für Luft- und Raumfahrt e.V. | Sensor and linear motion arrangement |
WO2015130436A1 (en) * | 2014-02-26 | 2015-09-03 | Apple Inc. | Strain-based sensing of mirror position |
CN105917203A (en) * | 2014-02-26 | 2016-08-31 | 苹果公司 | Strain-based sensing of mirror position |
US9470503B2 (en) | 2014-02-26 | 2016-10-18 | Apple Inc. | Strain-based sensing of mirror position |
US11880031B1 (en) | 2020-01-14 | 2024-01-23 | Apple Inc. | Strain-based sensing of dual-axis mirror rotation |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE19709913C2 (en) | 1999-05-06 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
OP8 | Request for examination as to paragraph 44 patent law | ||
D2 | Grant after examination | ||
8364 | No opposition during term of opposition | ||
R119 | Application deemed withdrawn, or ip right lapsed, due to non-payment of renewal fee |
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