DE19707514A1 - Semiconductor module - Google Patents

Semiconductor module

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Abstract

The invention relates to semiconductor modules (1) comprising a metal support plate (2) a heat dissipator (8), at least one ceramic substrate (4) and several semiconductor elements (6). By introducing defined elastic points known as desired flexion points in the metal support plate (2) the mechanical tensions between the ceramic substrates and the metal support plate are substantially reduced during assembly on the cooling body. Transition heat resistance can thus be drastically reduced especially for convex shaped metal support plates without damaging the ceramic substrates during assembly.

Description

Die Erfindung betrifft ein Halbleitermodul bestehend aus ei­ ner Metallträgerplatte mit einer oberen Oberfläche und einer unteren Oberfläche, einem Kühlkörper, auf dem die Metallträ­ gerplatte über ihre untere Oberfläche befestigt ist, zumin­ dest einem wärmeleitenden und elektrisch isolierenden Substrat, das auf die obere Oberfläche der Metallträgerplatte befestigt ist, sowie mehreren Halbleiterbauelementen, die auf das Substrat aufgebracht sind.The invention relates to a semiconductor module consisting of egg ner metal support plate with an upper surface and a bottom surface, a heat sink on which the metal trä is attached over its lower surface, at least least a heat-conducting and electrically insulating Substrate placed on the top surface of the metal backing plate is attached, as well as several semiconductor devices that the substrate are applied.

Solche Halbleitermodule sind allgemein bekannt.Such semiconductor modules are generally known.

Um Halbleitermodule vor Zerstörung durch entstehende Ver­ lustwärme zu schützen, ist ein guter wärmeleitfähiger Kontakt der Metallträgerplatten zu den Kühlkörpern erforderlich.To prevent semiconductor modules from being destroyed by ver Protecting lust heat is a good thermally conductive contact the metal support plates to the heat sinks required.

Typischerweise ist die Metallträgerplatte des Halbleitermo­ duls bezogen auf die ebene Oberfläche des Kühlkörpers als konvex gewölbte Fläche - vorzugsweise als Kugeloberfläche - ausgebildet, so daß bei seitlicher Fixierung der Metallträ­ gerplatte auf den betreffenden Kühlkörper die Metallträger­ platte unter mechanischer Spannung an den Kühlkörper ange­ preßt und fixiert wird. Zur Reduzierung des Übergangswärmewi­ derstandes zwischen der Metallträgerplatte und dem Kühlkörper hat sich diese konvexe Ausbildung der Metallträgerplatte als vorteilhaft erwiesen.Typically, the metal backing plate of the semiconductor is Mo duls based on the flat surface of the heat sink convex curved surface - preferably as a spherical surface - trained so that with lateral fixation of the Metallträ the metal carrier on the relevant heat sink plate under mechanical tension to the heat sink is pressed and fixed. To reduce the transition heat between the metal carrier plate and the heat sink has this convex formation of the metal support plate as proven advantageous.

Bei Modulen mit größeren Grundflächen entstehen aber mechani­ sche Spannungen zwischen dem Keramiksubstrat und der Metall­ trägerplatte bei der Montage auf den ebenen Kühlkörper, die schlimmstenfalls zur Zerstörung der Keramiksubstrate führen.In the case of modules with larger base areas, however, mechani tensions between the ceramic substrate and the metal carrier plate when mounting on the flat heat sink, the in the worst case, lead to the destruction of the ceramic substrates.

Die Ursache dieser negativen mechanischen Spannungen bei der Montage auf den ebenen Kühlkörper liegt u. a. an den stark unterschiedlichen Wärmeausdehnungskoeffizienten zwischen den verwendeten Metallträgerplatten und den verwendeten Keramik­ substraten. Insbesondere sind die Wärmeausdehnungskoeffizien­ ten von Metallen und Keramik sehr unterschiedlich, so daß die beim Verlöten der Keramiksubstrate mit den Metallträgerplat­ ten auftretende Wärme dazu führt, daß sich die Keramik und die Metallträgerplatte unterschiedlich stark ausdehnen.The cause of this negative mechanical stress at the Mounting on the flat heat sink lies u. a. to the strong different coefficients of thermal expansion between the  used metal base plates and the ceramics used substrates. In particular, the coefficients of thermal expansion ten of metals and ceramics very different, so that the when soldering the ceramic substrates to the metal carrier plate th occurring heat causes the ceramic and expand the metal carrier plate to different extents.

Die Folge ist, daß nach Abkühlung der Anordnung nicht mehr eine planparallele, sondern eine, auf die Lage der Keramik­ substrate bezogen, konkav gekrümmte Metallträgerplatte vor­ liegt. Das bedeutet, daß ein guter Kontakt der Metallträger­ platte zum Kühlkörper nur noch an den seitlichen Flächen der Anordnung gewährleistet ist, der Mittelteil jedoch keinen oder nur schlechten Kontakt aufweist, so daß die Wärmeablei­ tung unbefriedigend ist.The result is that after the assembly has cooled, no more a plane parallel, but one, based on the location of the ceramic Covered substrate, concave curved metal support plate in front lies. This means that there is good contact between the metal supports plate to the heat sink only on the side surfaces of the Arrangement is guaranteed, but the middle part does not or has poor contact so that the heat dissipation tion is unsatisfactory.

Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es daher, ein Halblei­ termodul der eingangs genannten Art so weiterzubilden, daß eine einfache Lötmontage möglich ist, wobei ein einwandfreier thermischer Kontakt zwischen der Metallträgerplatte und dem Kühlkörper gewährleistet bleibt.The object of the present invention is therefore a half lead To further develop the term module of the type mentioned at the outset so that a simple solder assembly is possible, with a flawless thermal contact between the metal support plate and the Heatsink remains guaranteed.

Erfindungsgemäß wird diese Aufgabe durch ein Halbleitermodul der eingangs genannten Art gelöst, welches dadurch gekenn­ zeichnet ist, daß in die Metallträgerplatte eine oder mehrere Sollbiegestellen eingebracht sind.According to the invention, this object is achieved by a semiconductor module of the type mentioned, which thereby characterized is that one or more in the metal support plate Target bending points are introduced.

Durch die Einführung von solchen Sollbiegestellen, d. h. von definierten elastischen Stellen, in die Metallträgerplatte werden die mechanischen Spannungen zwischen dem Keramik­ substrat und der Metallträgerplatte bei der Montage auf den Kühlkörper drastisch verringert. Insbesondere wird dadurch der Einsatz von konvexen Metallträgerplatten möglich, ohne daß die Gefahr besteht, daß die in den Modulen befindlichen Keramiksubstrate zerstört werden. Dadurch ist die Fertigung von Halbleitermodulen möglich, die einen sehr günstigen Über­ gangswärmewiderstand aufweisen. By introducing such predetermined bending points, i. H. from defined elastic points, in the metal support plate the mechanical stresses between the ceramics substrate and the metal support plate when mounting on the Heatsink drastically reduced. In particular, this will the use of convex metal support plates possible without that there is a risk that those in the modules Ceramic substrates are destroyed. This is the manufacturing of semiconductor modules possible that have a very cheap over have duct heat resistance.  

In einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung sind meh­ rere Substrate, die vorzugsweise beidseitig metallisiert sind, um einerseits die Montage auf die Metallträgerplatte zu erleichtern und andererseits die Halbleiterbauelemente struk­ turiert aufbringen zu können, auf die obere Oberfläche der Metallträgerplatte befestigt.In one embodiment of the present invention, meh rere substrates, which are preferably metallized on both sides are, on the one hand, the mounting on the metal support plate too facilitate and on the other hand, the semiconductor components struk to be able to be applied to the upper surface of the Metal support plate attached.

Die Befestigung erfolgt dabei vorzugsweise über eine Weichlotschicht. Wegen der Beziehung ΔX = Δα × ΔT × l, bei der ΔX die Differenz der linearen Ausdehnung und Δα die Dif­ ferenz der linearen Ausdehnungskoeffizienten von Keramik­ substrat und Metallträgerplatte bezeichnet, sowie ΔT die Tem­ peraturdifferenz der Anordnung zwischen Schmelztemperatur des Lots und der Raumtemperatur und l die Länge des aufzubringen­ den Keramiksubstrats, folgt, daß ein günstiges Verfahren zur Vermeidung von unerwünschten Trägerplattenverformungen darin besteht, ΔX und damit also die Parameter Δα, ΔT und l mög­ lichst zu verkleinern. Δα ist allein materialabhängig und somit nicht variabel, wenn Metallträgerplatten und Keramik­ substrate verwendet werden. Um die Differenz der Temperaturen während des Lötvorgangs und nach Abkühlung der Anordnung mög­ lichst klein zu halten, muß ein Lot verwendet werden, das eine niedrige Schmelztemperatur besitzt, andererseits jedoch nicht derart niedrig, daß die später bei Betrieb des Halblei­ termoduls auftretende Verlustwärme das Lot zum Schmelzen bringt. Es sind Schmelztemperaturen von ca. 180°C üblich. Diese Maßnahme reicht jedoch nicht mehr aus, wenn größere Ke­ ramiksubstrate verwendet werden sollen, da die Keramik­ substratlängen l ebenfalls proportional in die Beziehung für die Differenz der linearen Ausdehnung zweier unterschiedli­ cher Werkstoffe eingeht. Daher ist es sehr günstig, statt ei­ nes einzelnen großen Keramiksubstrats mehrere kleinere Kera­ miksubstrate zu verwenden, um so die Länge l wunschgemäß zu dimensionieren. The attachment is preferably via a Soft solder layer. Because of the relationship ΔX = Δα × ΔT × l, at the ΔX the difference of the linear expansion and Δα the Dif Reference of the linear expansion coefficients of ceramics substrate and metal carrier plate, and ΔT the tem temperature difference of the arrangement between melting temperature of the Lots and the room temperature and l the length of the apply the ceramic substrate follows that an inexpensive method for Avoidance of unwanted carrier plate deformations in it exists, ΔX and thus the parameters Δα, ΔT and l possible to shrink as much as possible. Δα is material dependent and therefore not variable if metal carrier plates and ceramics substrates are used. To the difference in temperature possible during the soldering process and after the assembly has cooled To keep it as small as possible, a solder must be used that has a low melting temperature, on the other hand not so low that the later when the semi-lead is in operation heat loss occurring at the module will melt the solder brings. Melting temperatures of approx. 180 ° C are common. However, this measure is no longer sufficient if larger Ke Ceramic substrates should be used because the ceramic substrate lengths l are also proportional to the relationship for the difference of the linear expansion of two differen materials. Therefore it is very cheap instead of egg n single large ceramic substrate several smaller Kera use micro substrates so that the length l is as desired dimension.  

Typischerweise sind dann zwischen den einzelnen Keramik­ substraten Lücken vorgesehen. Es ist jedoch auch denkbar, daß die einzelnen Keramiksubstrate Stoß an Stoß auf die Metall­ trägerplatte aufgelötet werden.Then there are typically between the individual ceramics Gaps provided for substrates. However, it is also conceivable that the individual ceramic substrates abutting the metal backing plate to be soldered.

Wie eingangs erwähnt, hat es sich als besonders günstig er­ wiesen, die untere Oberfläche der Metallträgerplatte konvex auszubilden, insbesondere so konvex auszubilden, daß in Längs- und Querrichtung die untere Oberfläche der Metallträ­ gerplatte einer Kugeloberfläche entspricht.As mentioned at the beginning, it has proven to be particularly cheap pointed, the lower surface of the metal support plate convex to train, in particular to train so convex that Longitudinal and transverse direction the lower surface of the metal trä corresponds to a spherical surface.

Es ist jedoch auch denkbar, die untere Oberfläche der Metall­ trägerplatte konkav auszubilden und in die Kavität zwischen der unteren Oberfläche der Metallträgerplatte und dem Kühl­ körper eine Wärmeleitpaste einzufügen. Durch die Einbringung von Sollbiegestellen kann die Kavität soweit erniedrigt wer­ den, daß trotz der Kavität und der Wärmeleitpaste immer noch ein befriedigender Übergangswärmewiderstandes erzielt werden kann.However, it is also conceivable for the lower surface of the metal to make the carrier plate concave and into the cavity between the bottom surface of the metal backing plate and the cooling insert a thermal paste. Through the introduction The cavity can be lowered as far as possible from predetermined bending points that, despite the cavity and the thermal paste, still a satisfactory transition heat resistance can be achieved can.

Typischerweise werden die Sollbiegestellen in die Oberflächen der Metallträgerplatte eingebracht. Insbesondere werden die Sollbiegestellen bei einer Metallträgerplatte, deren untere Oberfläche konvex ausgebildet ist, in die untere Oberfläche eingebracht. Bei Metallträgerplatten, deren untere Oberfläche konkav ausgebildet ist, ist es zweckmäßig, die Sollbiegestel­ len zumindest in die obere Oberfläche der Metallträgerplatte einzubringen.Typically, the predetermined bending points are in the surfaces introduced the metal support plate. In particular, the Target bending points on a metal support plate, the lower one Surface is convex in the lower surface brought in. In the case of metal carrier plates, the lower surface of which is concave, it is advisable to use the predetermined bending stel len at least in the upper surface of the metal carrier plate bring in.

In einer Weiterentwicklung der vorliegenden Erfindung werden die Sollbiegestellen in den den Lücken entsprechenden Berei­ chen und/oder in den in etwa unter den Rändern der Substrate liegenden Bereichen der Oberflächen eingebracht.In a further development of the present invention the predetermined bending points in the area corresponding to the gaps Chen and / or in the approximately under the edges of the substrates lying areas of the surfaces introduced.

Zweckmäßigerweise werden als Sollbiegestellen Nuten vorgese­ hen, die dann in Längsrichtung, in Querrichtung oder in Längsrichtung und Querrichtung zugleich in die Oberflächen der Metallträgerplatten eingebracht werden. Es ist jedoch auch denkbar anstatt der Nuten andere Vertiefungen in die Oberflächen der Metallträgerplatten einzubringen, so z. B. einzelne lokale Einkerbungen oder Bohrungen. Ferner ist denk­ bar, anstatt solcher Bohrungen, Einkerbungen oder Nuten die Metallträgerplatten mit Schlitzen zu versehen. Wesentlich ist, daß die Metallträgerplatten so präpariert werden, daß ihre Biegesteifigkeit herabgesetzt wird.Appropriately, grooves are provided as predetermined bending points hen, which then in the longitudinal direction, in the transverse direction or in Longitudinal and transverse directions in the surfaces at the same time  of the metal carrier plates are introduced. However, it is also conceivable instead of the grooves other depressions in the Introduce surfaces of the metal carrier plates, such. B. individual local indentations or holes. It is also thought bar, instead of such holes, notches or grooves To provide metal carrier plates with slots. Essential is that the metal carrier plates are prepared so that their bending stiffness is reduced.

Die Erfindung ist in der Zeichnung beispielsweise veranschau­ licht und im nachstehenden im einzelnen anhand der Zeichnung beschrieben. Es zeigen:The invention is illustrated in the drawing, for example light and in detail below based on the drawing described. Show it:

Fig. 1 in schematischer Darstellung einen Schnitt durch ein Halbleitermodul gemäß der vorliegenden Erfindung, Fig. 1 shows a schematic representation of a section through a semiconductor module according to the present invention,

Fig. 2 eine Draufsicht auf ein Halbleitermodul, Fig. 2 is a plan view of a semiconductor module,

Fig. 3 eine Draufsicht auf ein alternatives Halbleitermodul. Fig. 3 is a plan view of an alternative semiconductor module.

Der in Fig. 1 dargestellte prinzipielle Aufbau eines Halb­ leitermoduls 1 besteht aus einer Metallträgerplatte 2 aus Kupfer, dreier mittels Weichlotschicht aufgebrachten Substra­ ten 4 aus Al2O3-Keramik, auf denen, mittels einer weiteren Lotschicht 5, die eigentlichen Halbleiterbauelemente 6 be­ festigt sind.The basic structure shown in Fig. 1 of a semiconductor module 1 consists of a metal carrier plate 2 made of copper, three by means of soft solder applied substrates 4 made of Al 2 O 3 ceramic, on which, by means of a further solder layer 5 , the actual semiconductor components 6 be fastened are.

Die Metallträgerplatte 2 weist eine obere Oberfläche 11 und eine untere Oberfläche 10 auf. Die Metallträgerplatte 2 liegt mit ihrer unteren Oberfläche 10 auf einem Kühlkörper 8 auf und wird über Schrauben 9 auf dem Kühlkörper 8 aufgeschraubt. Die Metallträgerplatte 2 hat eine bezüglich des Kühlkörpers 8 konvex ausgebildete untere Oberfläche 10. Auf der oberen Oberfläche 11 befinden sich drei thermisch gut leitende, elektrisch isolierende Substrate 4, zwischen denen Lücken 13 sind. Die Substrate 4 werden mit der oberen Oberfläche 11 der Metallträgerplatte 2 durch eine Weichlotschicht 3 verbunden. The metal carrier plate 2 has an upper surface 11 and a lower surface 10 . The lower surface 10 of the metal carrier plate 2 rests on a heat sink 8 and is screwed onto the heat sink 8 by means of screws 9 . The metal carrier plate 2 has a lower surface 10 that is convex with respect to the heat sink 8 . On the upper surface 11 there are three thermally highly conductive, electrically insulating substrates 4 , between which there are gaps 13 . The substrates 4 are connected to the upper surface 11 of the metal carrier plate 2 by a soft solder layer 3 .

Auf der Oberseite des Substrats 6 sind wiederum über Weichlotschichten 5 Halbleiterbauelemente 6 befestigt. Diese können mit Gehäuseanschlüssen (nicht gezeigt) verbunden wer­ den. Die Oberseiten der Halbleiterbauelemente 6 sind typi­ scherweise über Bondverbindungen miteinander verbunden (nicht gezeigt).On the upper surface of the substrate 6 5 semiconductor devices 6 are in turn attached to soft solder layers. These can be connected to housing connections (not shown). The top sides of the semiconductor components 6 are typically connected to one another via bond connections (not shown).

In der unteren Oberfläche 10 der konvex ausgebildeten Metall­ trägerplatte 2 befinden sich zwei Sollbiegestellen 12, die als Nuten ausgebildet sind.In the lower surface 10 of the convex metal support plate 2 are two predetermined bending points 12 which are designed as grooves.

Diese Nuten verlaufen quer zur Längsrichtung der Metallträ­ gerplatte 2 in den den Lücken 13 entsprechenden Bereichen 14 der unteren Oberfläche 11 des Substrats 4, was aus der Fig. 2 zu ersehen ist. Es ist jedoch auch denkbar, eine Nut in Längsrichtung der Metallträgerplatte 2 anzuordnen (Fig. 3).These grooves extend transversely to the longitudinal direction of the metal carrier plate 2 in the regions 14 corresponding to the gaps 13 of the lower surface 11 of the substrate 4 , which can be seen from FIG. 2. However, it is also conceivable to arrange a groove in the longitudinal direction of the metal carrier plate 2 ( FIG. 3).

Durch Einführung der Sollbiegestellen 12 in Form von Nuten in der Metallträgerplatte 2 werden die mechanischen Spannungen zwischen den Keramiksubstraten 4 und der Metallträgerplatte 2 bei den Montage auf den Kühlkörper 8 wesentlich verringert. Insbesondere ist hervorzuheben, daß die Nuten im gezeigten Ausführungsbeispiel überschüssige Wärmeleitpaste aufnehmen können, da sie sich in der unteren Oberfläche 10 der Metall­ trägerplatte 2 befinden, so daß eine weitere Verbesserung des Übergangswärmewiderstandes erreicht werden kann.By introducing the desired bending points 12 in the form of grooves in the metal support plate 2, the mechanical stresses between the ceramic substrates 4 and the metal support plate 2 at the mounting to the heat sink 8 are substantially reduced. In particular, it should be emphasized that the grooves in the embodiment shown can absorb excess thermal paste, since they are in the lower surface 10 of the metal carrier plate 2 , so that a further improvement in the transition thermal resistance can be achieved.

Weist die Metallträgerplatte 2 eine wesentlich größere Länge als Breite auf, so genügt unter Umständen eine konvexe Ver­ formung in der Längsrichtung nicht. Bei Metallträgerplatten, deren Querabmessungen recht groß sind und z. B. in der Größe der Querabmessungen liegen, ist eine konvexe Verformung so­ wohl in Längs- als auch in Querrichtung sehr vorteilhaft. Die Metallträgerplatte 2 weist in diesem Fall typischerweise die Form einer Kugelkalotte auf. If the metal carrier plate 2 has a much greater length than width, a convex deformation in the longitudinal direction may not be sufficient. For metal support plates, the transverse dimensions of which are quite large and e.g. B. lie in the size of the transverse dimensions, a convex deformation is very advantageous in the longitudinal and transverse directions. In this case, the metal carrier plate 2 typically has the shape of a spherical cap.

In einem praktischen Ausführungsbeispiel hat die Metallträ­ gerplatte 2 eine Länge von 187 mm und eine Breite von 137 mm. Ihre Dicke beträgt 5 mm. Typischerweise verlaufen dann zwei Nuten in einem Abstand von 57 mm zueinander symmetrisch auf der unteren Oberfläche der Metallträgerplatte in Querrich­ tung. Der Öffnungswinkel der Nuten beträgt zweckmäßigerweise 60°, wobei es sich gezeigt hat, daß kleinere Öffnungswinkel zu einer ungenügenden Elastizität und größere Öffnungswinkel zu einem Bruch der Metallträgerplatte bei der Verarbeitung führen können.In a practical embodiment, the metal carrier plate 2 has a length of 187 mm and a width of 137 mm. Its thickness is 5 mm. Typically, two grooves then run at a distance of 57 mm from one another symmetrically on the lower surface of the metal carrier plate in the transverse direction. The opening angle of the grooves is expediently 60 °, it being shown that smaller opening angles can lead to insufficient elasticity and larger opening angles can break the metal carrier plate during processing.

Eine solche Metallträgerplatte wird dann beispielsweise durch acht Schrauben auf dem Kühlkörper befestigt.Such a metal carrier plate is then, for example, by eight screws attached to the heat sink.

Claims (14)

1. Halbleitermodul (1) bestehend aus einer Metallträgerplatte (2) mit einer oberen Oberfläche (11) und einer unteren Ober­ fläche (10), einem Kühlkörper (8) auf dem die Metallträger­ platte (2) über ihre untere Oberfläche (10) befestigt ist, zumindest einem wärmeleitenden und elektrisch isolierenden Substrat (4), das auf die obere Oberfläche (11) der Metall­ trägerplatte (2) befestigt ist, sowie mehreren Halbleiterbau­ elementen (6), die auf das Substrat (4) aufgebracht sind, dadurch gekennzeichnet, daß in die Metallträgerplatte (2) eine oder mehrere Sollbiegestellen (12) eingebracht sind.1. Semiconductor module ( 1 ) consisting of a metal carrier plate ( 2 ) with an upper surface ( 11 ) and a lower upper surface ( 10 ), a heat sink ( 8 ) on which the metal carrier plate ( 2 ) attached via its lower surface ( 10 ) is, at least one heat-conducting and electrically insulating substrate ( 4 ), which is attached to the upper surface ( 11 ) of the metal carrier plate ( 2 ), and several semiconductor components ( 6 ), which are applied to the substrate ( 4 ), characterized that one or more predetermined bending points ( 12 ) are introduced into the metal carrier plate ( 2 ). 2. Halbleitermodul nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß mehrere Substrate (4) auf die obere Oberfläche (11) der Metallträger­ platte (2) befestigt sind.2. Semiconductor module according to claim 1, characterized in that a plurality of substrates ( 4 ) on the upper surface ( 11 ) of the metal carrier plate ( 2 ) are attached. 3. Halbleitermodul nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß zwischen den Substraten (4) Lücken (13) vorgesehen sind.3. Semiconductor module according to claim 2, characterized in that gaps ( 13 ) are provided between the substrates ( 4 ). 4. Halbleitermodul nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß die un­ tere Oberfläche (10) der Metallträgerplatte (2) konvex ausge­ bildet ist.4. Semiconductor module according to one of claims 1 to 3, characterized in that the un lower surface ( 10 ) of the metal carrier plate ( 2 ) is convex. 5. Halbleitermodul nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß die Kon­ vexität in Längs- und Querrichtung derart ausgebildet ist, daß sie einer Kugeloberfläche entspricht.5. The semiconductor module according to claim 4, characterized in that the Kon vexity is formed in the longitudinal and transverse directions in such a way that it corresponds to a spherical surface. 6. Halbleitermodul nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß die Soll­ biegestellung (12) in die untere Oberfläche (10) der Metall­ trägerplatte (2) eingebracht sind. 6. Semiconductor module according to claim 5, characterized in that the desired bending position ( 12 ) in the lower surface ( 10 ) of the metal carrier plate ( 2 ) are introduced. 7. Halbleitermodul nach Anspruch 5 oder 6, dadurch gekennzeichnet, daß die Soll­ biegestellen (12) in den den Lücken (13) entsprechenden Be­ reichen (14) der unteren Oberfläche (10) eingebracht sind.7. Semiconductor module according to claim 5 or 6, characterized in that the predetermined bending points ( 12 ) in the gaps ( 13 ) corresponding Be rich ( 14 ) of the lower surface ( 10 ) are introduced. 8. Halbleitermodul nach Anspruch 5 oder 6, dadurch gekennzeichnet, daß die Soll­ biegestellen (12) in den in etwa unter den Rändern (16) der Substrate (4) liegenden Bereichen der unteren Oberfläche (10) eingebracht sind.8. Semiconductor module according to claim 5 or 6, characterized in that the predetermined bending points ( 12 ) in the approximately below the edges ( 16 ) of the substrates ( 4 ) lying areas of the lower surface ( 10 ) are introduced. 9. Halbleitermodul nach einem der Ansprüche 5 bis 8, dadurch gekennzeichnet, daß als Soll­ biegestellen (12) Nuten (15) vorgesehen sind.9. Semiconductor module according to one of claims 5 to 8, characterized in that grooves ( 15 ) are provided as the predetermined bending points ( 12 ). 10. Halbleitermodul nach einem der Ansprüche 1 bis 9, dadurch gekennzeichnet, daß die Substrate (4) auf die Metallträgerplatte (2) über eine Weichlotschicht (3) befestigt sind.10. Semiconductor module according to one of claims 1 to 9, characterized in that the substrates ( 4 ) on the metal carrier plate ( 2 ) via a soft solder layer ( 3 ) are attached. 11. Halbleitermodul nach einem der Ansprüche 1 bis 10, dadurch gekennzeichnet, daß die Halb­ leiterbauelemente (6) über eine weitere Lotschicht (5) auf die Substrate (4) befestigt sind.11. Semiconductor module according to one of claims 1 to 10, characterized in that the semiconductor components ( 6 ) are attached to the substrates ( 4 ) via a further solder layer ( 5 ). 12. Halbleitermodul nach einem der Ansprüche 1 bis 11, dadurch gekennzeichnet, daß die Me­ tallträgerplatte (2) auf den Kühlkörper (8) mit Schrauben (9) befestigt sind.12. Semiconductor module according to one of claims 1 to 11, characterized in that the Me tallträgerplatte ( 2 ) on the heat sink ( 8 ) with screws ( 9 ) are attached. 13. Halbleitermodul nach einem der Ansprüche 1 bis 12, dadurch gekennzeichnet, daß als Substrate (4) Keramiksubstrate vorgesehen sind, insbesondere Al2O3- oder AlN-Substrate. 13. Semiconductor module according to one of claims 1 to 12, characterized in that ceramic substrates are provided as substrates ( 4 ), in particular Al 2 O 3 or AlN substrates. 14. Halbleitermodul nach einem der Ansprüche 1 bis 13, dadurch gekennzeichnet, daß als Me­ tallträgerplatte eine Kupferplatte vorgesehen ist.14. Semiconductor module according to one of claims 1 to 13, characterized in that as Me tallträgerplatte a copper plate is provided.
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