DE1966421A1 - Differential amplifier - Google Patents

Description

Differentialverstärker. Differential amplifier.

Die Erfindung betrifft einen Differentialverstärker mit einem ersten und einem zweiten Transistor, deren Emitter mit einer ersten Gleichstromquelle gekoppelt sind und an deren Basiselektroen ein Signal zuführbar ist und an deren Kollektoren ein signal en tnehmbar und ein Betriebspotential zuführbar ist. Dieser Verstärker soll zur Ausfahrung in integrierter Schaltungstechnik geeignet sein und soll speziell zum Aufbau von Operationsverstärkern verwendbar sein.The invention relates to a differential amplifier having a first and a second transistor, the emitter of which is coupled to a first direct current source and a signal can be fed to their base electrons and to their collectors a signal can be removed and an operating potential can be supplied. This amplifier should be suitable for experience in integrated circuit technology and should be special be used to build operational amplifiers.

Emittergekoppelte Transistor-Differentialverstärker sind bekannt.Emitter-coupled transistor differential amplifiers are known.

Ein solcher Verstärker hat unter anderem die Eigenschaft, gleichtaktsignale zu unterdrücken. Der- Verstärkungsfaktor eines Differentialverstärkers ist für die seinen beiden Eingängen zugeführten Signaie größer, wenn die Ausschläge dieser Signale gegensinnig sind (Gegentaktsignale) als wenn sich diese S-i&,naäLe in derselben Richtung ändern (Gleichtakts-ignale).One of the properties of such an amplifier is to generate common-mode signals to suppress. The gain of a differential amplifier is for the Signals fed to its two inputs are greater when the deflections of these signals are in opposite directions (push-pull signals) as if these S-i &, naäLe are in the same Change direction (common mode signals).

Die Aufgabe'der Erfindung besteht darin, die GleichtaKtunterdrückung eines emittergekoppelten Transistor-Differentialverstärkers zu verbessern.The task of the invention consists in the same-act suppression an emitter-coupled transistor differential amplifier.

Bei einem Differentialverstärker der eingangs beschriebenen Art wird diese Aufgabe erfindungsgemäß dadurch gelöst, daß der Emitter eines jeden der beiden Transistoren ueber jeweils einen Transistorverstärker in Emitterschaltung an seine Basis gekoppelt ist, die von jeweils einer SignalquelLe beaufschlagt ist.In a differential amplifier of the type described above this object is achieved according to the invention in that the emitter of each of the two Transistors via a transistor amplifier in each case in emitter circuit to his Base is coupled, which is acted upon by a respective SignalquelLe.

Durch die erfindungsgemässe Kopplung mit den gekoppelten Emittern der beiden in Differentialverstärkeranordnung befindlichen Transistoren erhalten die Eingänge der in Einitterschaltung befindlichen Transistoren Gleichtaktsignale, da sich Gegentaktsignale an den gekoppelten Emittern der Differentia1verstarkeranordnung gegenseitig auslöschen. Die Ausgänge der Verstärker in Emitter schaltung können jeweils mit einem zweier weiterer in Differentialanordnung geschalteter Transistoren gekoppelt sein. Durch die erfindungsgemässe Schaltungsanordnung entsteht eine Gegenkopplung für Gleichtaktsignale, sodaß die Eingangsimpedanz des emittergekoppelten Differentialverstärkers für Gleichtaktsignale vermindert wird. Da wie erwähnt an der besagten Stelle Keine Gegentaktsignale auftreten können, ist eine Rückkopplung solcher Signale auch nicht möglich, sodaß die Eingangsimpedanz des Differentialverstärkers für Gegentaktsignale nicht wesentlich vermindert wird.Due to the coupling according to the invention with the coupled emitters of the two transistors located in a differential amplifier arrangement the inputs of the single-port transistors common mode signals, since push-pull signals at the coupled emitters of the differential amplifier arrangement annihilate each other. The outputs of the amplifier in emitter circuit can each with one of two further transistors connected in a differential arrangement be coupled. The circuit arrangement according to the invention creates a negative feedback for common mode signals, so that the input impedance of the emitter-coupled differential amplifier for common mode signals is decreased. Since, as mentioned, none at the point mentioned Push-pull signals can occur, there is also no feedback of such signals possible, so that the input impedance of the differential amplifier for push-pull signals is not significantly reduced.

enn also der Differentialverstärker aus einer Signalquelle mit Innenwiderstand versorgt wird, dann ergibt sich eine verbesserte Gleichtaktunterdrückung, weil die Amplitude von Gleichtat-Eingangssignalen des emittergekoppelten DifferentialverstärKers wegen der nur für solche Gleichtaktsignale wirksamen Gegenkopplung bezüglich der Amplitude von Gegentakt-Eingangss ignalen vermindert wird.hen the differential amplifier comes from a signal source with internal resistance is supplied, then there is an improved common mode rejection, because the Amplitude of same-state input signals to the emitter-coupled differential amplifier because of the negative feedback that is effective only for such common-mode signals with respect to the Amplitude of push-pull input signals is reduced.

Das erfindungsgemässe Prinzip kann zahlreiche Ausgestaltungen erfahren, von denen einige zur Erlauterung der Erfindung nachstehend anhand von Zeichnungen beschrieben sind.The principle according to the invention can experience numerous configurations, Some of them to explain the invention below with reference to drawings are described.

Die Figuren 1, 2 und 3 zeigen Schaltbilier von erfindungsgemäusen Differentialverstärkern in den Ausführungsformen fir 3 verschiedene Operationsverstärker.Figures 1, 2 and 3 show circuit diagrams of the invention Differential amplifiers in the embodiments for 3 different operational amplifiers.

In Figur 1 sind säntliche Schaltungsclemente innerhalb des gestrichelten Rechtecks 10 als integriert2 Schaltung auf. einem einzigen Halbleiterplättchen ausgeführt. Die integrierte Schaltung bildet einen Differenzverstärker mit zwei Transistoron 11 und 12, einem Stromquellentransistor 13 und einer aktiven Lastschaltung mit den Transistoren 14, 15, 16 und 17 sowie der Diode 18. Eine äußere Stromquelle (nicht gezeigt ist zwischen die Klemme 19 und die gemeinsame Klemme 20 schaltbar, so daß an die zwischen Basis und Emitter des Transistors 13 ge@chaltete Diode 21 eine Spannung gelegt werden kann. In Figure 1, all circuit elements are within the dashed line Rectangle 10 as an integrated2 circuit. executed on a single semiconductor die. The integrated circuit forms a differential amplifier with two transistors 11 and 12, a current source transistor 13 and an active load circuit with the Transistors 14, 15, 16 and 17 and the diode 18. An external power source (not is shown switchable between the terminal 19 and the common terminal 20, so that to the between the base and emitter of the transistor 13 ge @ switched diode 21 a voltage can be laid.

Die Diode 21 besteht aus einem Transistors dessen Kollektor und Basis zusarnr:iengoschaltet sind. Ija der Transistor 13 urxldie Diode 21 bei der Herstellung glcichzeitig auf dei;i gleichen Halbleiterplättchen gebildet werden, sind ihre elektrischen Eigenschaften einander genau angepaßt. Wenn bei der Herstellung der Transistor 13 und die Diode 21 gleichflächig ausgebildet werden, sind die Emitterstrominjektionen in de Basisgebiete bei beiden gleich. The diode 21 consists of a transistor whose collector and base are connected together. I yes the transistor 13 and the diode 21 during manufacture are formed at the same time on the same semiconductor wafers, their electrical Properties matched exactly to one another. If the transistor 13 and the diode 21 are formed uniformly, the emitter current injections are in de base areas the same for both.

Der den Transistor 13 und die Diode 21 in der Durchlaßrichtung spannende Stromfluß ergibt gleiche Basis-Emitterspannungsabfälle und folglich gleiche Emitterströme. Der Emitterstrom des Transistors 13 ist gleich der Summe seines Basta- und Kollektorstromes, und der größte Teil des Emitterstromes flioßt zum Kollektor. The energizing the transistor 13 and the diode 21 in the forward direction Current flow results in the same base-emitter voltage drops and consequently the same emitter currents. The emitter current of transistor 13 is equal to the sum of its basta and collector current, and most of the emitter current flows to the collector.

Der Stromfluß zwischen den Klemmen 19 und 20 ist gleich dem Emitterstrom der Diode 21 plus dem kleinen Basisstrom des Transistors 13. t'gen des hohen Basis/Kollektorstrom-Verhältnisses des Transistors £3 und der gleichen flächen des Iransistors 13 und der Diode 21 sind der Stromfluß zwischen den Klemmen 19 und 20 und der Kollektorstrom des Transistors 13 im wesentlichen gleich. Der vom Stromquellentransistor 13 gelieferte Strom Iäßt sich daher ohne weiteres genau durch die Parameter einer äußeren Quelle (nicht gezeigt) bestimmen, die zwischen die Klemme 19 und die gemeinsame Bezugsklemme 20 geschaltet sein kann. The current flow between terminals 19 and 20 is equal to the emitter current of the diode 21 plus the small base current of the transistor 13. t'gen the high base / collector current ratio of transistor £ 3 and the same areas of transistor 13 and diode 21 are the current flow between terminals 19 and 20 and the collector current of the transistor 13 essentially the same. The current supplied by the current source transistor 13 leaves therefore easily and precisely through the parameters of an external source (not shown) determine which is connected between terminal 19 and the common reference terminal 20 can be.

Die Anordnung eines als Diode geschalteten Transistors zwischen Basis und Emitter eines zweiten Transistors soll nach stehend als "Dioden-Transistor" bezeichnet werden. Der Spannungsabfall zwischen Basis und Emitter eines Transistors bei mit einem beträchtlichen Durchlaßvorstrom beaufschlagtem Transistor soll als Vbe bezeichnet werden. The arrangement of a transistor connected as a diode between the base and emitter of a second transistor is to be referred to as "diode transistor" are designated. The voltage drop between the base and emitter of a transistor when the transistor is subjected to a considerable forward bias current, as Vbe are designated.

Der Kollektorstrom des Transistors 13, speist die Emitter der Transistoren 11 und 12. Der Strom verteilt sich dabei auf die Transistoren 11 und 12» je nach der Differenz der den Basen der Transistoren, 11 und 12 über die Eingangsklemmen 22 bzw. 23 zugeführten Eingangssignalspannungen. Wenn die den Eingangsklemmen 22 und 23 zugeführten Spannungen gleich sind, verteilt sich der vom Transistor 13 gelieferte Strom zu gleichen Teilen zwischen den Transistoren 11 und 12. Das heißt, die Transistoren 11 und 12 haben auch gleiche Charakteristiken, da sieiii gleichen integrierten Schaltungsplättchen gleichzeitig hergestellt worden sind, Die aktive Lastschaltung mit den Transistoren 14, 15, 16 und 17 verbindet die Kollektoren der Transistoren 11 und 12 mit einer zwischen die Klemmen 24 und 20 geschalteten Betriebsspannungsquelle (nicht gezeigt). Die Transistoren 14, 15, 16 und 17 sind vom entgegengesetzten Leitungstyp wie die Transistoren 11 und 12. The collector current of transistor 13 feeds the emitters of the transistors 11 and 12. The current is distributed between transistors 11 and 12 »depending on the difference between the bases of the transistors, 11 and 12 across the input terminals 22 and 23 supplied input signal voltages. If the input terminals 22 and voltages supplied to 23 are equal, that supplied by transistor 13 is distributed Current in equal parts between transistors 11 and 12. That is, the transistors 11 and 12 also have the same characteristics since they are identical integrated circuit dies have been made simultaneously, the active load circuit with the transistors 14, 15, 16 and 17 connects the collectors of transistors 11 and 12 to one operating voltage source (not shown) connected between terminals 24 and 20. The transistors 14, 15, 16 and 17 are of the opposite conductivity type as that Transistors 11 and 12.

Die Transistoren 14 und 15 sind in Reihe mit den Transistoren 11 bzw. 12 geschaltet. Die in Dif.ferenzschaltung ausgelegten Transistoren 16 und 17 sind mit ihren Emittern gemeinsam an die Basen der Transistoren 14 und 15 sowie über den als Diode geschalteten Transistor 18 an die Betriebsspannungsspeiseklemme 24 angeschlossen. Die Basen der Transistoren 16 und 17 sind an den Kollektor des Transistors 11 bzw. den Kollektor des Translstors 12 angecchlossen. The transistors 14 and 15 are in series with the transistors 11 or 12 switched. The transistors 16 and 17 designed in a differential reference circuit are common with their emitters to the bases of transistors 14 and 15 as well via the transistor 18 connected as a diode to the operating voltage supply terminal 24 connected. The bases of transistors 16 and 17 are connected to the collector of the The transistor 11 or the collector of the translator 12 is connected.

Der Kollektor des Transistors 16 ist über einen als Diode geschalteten Transistor 25 mit der Bezugsklemme 20 verbunden. Die Diode 25 ist zwischen die Basis und den Emitter eines Ausgangstransistors 26 geschaltet, Der Transistor 26 und'der Transistor 17, der v,om entgegengesetzten Leitungstyp ist, sind in Reihe geschaltet. An die Kollektoren dieser Transistoren ist eine AusgangsIicmme 27 angeschlossen. The collector of transistor 16 is connected via a diode Transistor 25 connected to reference terminal 20. The diode 25 is between the base and the emitter of an output transistor 26 connected, the transistor 26 und'der transistor 17, which is the opposite conductivity type to v, om connected in series. There is an output signal to the collectors of these transistors 27 connected.

. Durch die Verschaitung der Transistoren i4, 16, 15 und 17 ergibt sich ein Mechanismus, demzufolge die Leitwerte der Transistoren 14 und 15 automatisch so eingestellt werden, daß sie dem vom Transistor l3 gelieferten Strom, der durch die zwischen die Klemmen 19 und 20 geschalteteäußere Quelle bestimmt ist, angepaßt sind. Dies kommt dadurch zustande, daß die Basisansteuerung fur die Transistoren 14 und 15 durch die Transistoren 16 und 17 in Abhängigkeit vom Strom in den Transistoren 11 and 12 gesteuert wird. Obwohl der Strom des Transistors 13 innerhalb eines verhältnismäßig weiten Bereiches beliebig eingestollt werden kann, ändert sich die Spannung an den Lasttransistoren 14 und 15 nicht nennenswert. Die Kollektor-Emitterspannung des Transistors 14 beträgt 2Vbe, das heißt die Summe der Spannungen an den Basis-Emitterubergängen der Transistoren, 14 und 16. Ebenso ist die Kollektor-Emitterspannung des Transistors 15 gleich 2Vbe, und zwar aufgrund der Spannungen an den Basis-Emitterübergängen der Transistoren 15 und 17. Infolgedessen wird an den Transistoren 14 und 15 keine nennenswerte Gleichtaktsignalspannung entwickelt.. By connecting the transistors i4, 16, 15 and 17 results a mechanism whereby the conductance of transistors 14 and 15 is automatic be set so that they the current supplied by the transistor l3, the through the external source connected between the terminals 19 and 20 is determined are. This is due to the fact that the base control for the transistors 14 and 15 through the transistors 16 and 17 depending on the current in the transistors 11 and 12 is controlled. Although the current of transistor 13 is within a relatively wide range can be rolled in as desired, the tension on the changes Load transistors 14 and 15 not worth mentioning. The collector-emitter voltage of the Transistor 14 is 2Vbe, that is to say the sum of the voltages at the base-emitter junctions of transistors, 14 and 16. Likewise is the collector-emitter voltage of the transistor 15 equals 2Vbe, due to the voltages at the base-emitter junctions of transistors 15 and 17. As a result, transistors 14 and 15 do not become significant common mode signal voltage developed.

Der Kollektorwiderstand der Transistoren 14 und 15 ist fttr Gleichtaktstrom verhältnismäßig niedrig, indem die Kollektor-Emitterspannung dieser Transistoren über einen weiten Änderungsbereich des Gleichtaktstroms im wesentlichen konstant ist. Für Differenzströme weisen die Transistoren 16 und 17 gleichgroße und gegensinnige Stromänderungen auf, so daß die Basisansteuerung der Transistoren 14 und 15 gleich und unverändert bleibt. Als Folge davon ist der Kollektorwiderstand der Transistoren 14 und 15 für Differenzströme sehr hoch, und es fiiet im wesentlichen der gesamte Differenzstrom durch die Basis-Emitterstrecken der Transistoren 16 und 17. The collector resistance of transistors 14 and 15 is fttr common mode current relatively low by the collector-emitter voltage of these transistors Essentially constant over a wide range of changes in the common mode current is. For differential currents, the transistors 16 and 17 have the same size and opposite directions Current changes on, so that the base control of the transistors 14 and 15 are the same and remains unchanged. As a result, the collector resistance of the transistors is increased 14 and 15 for differential currents are very high, and essentially the whole is fiiet Differential current through the base-emitter paths of transistors 16 and 17.

Die beschriebene Lastschaltung ergibt einen modulierten Leitwert entsprechend Gleichtaktstromänderungen sowie einen hohen Lastwiderstand für Differenzstromfluß. Diese Lastschaltung liefert gegenüber normalen Differenzverstärkerschaltungen eine erhöhte Gleichtaktsignalunterdrückung. The load circuit described results in a modulated one Conductance corresponding to changes in common-mode current as well as a high load resistance for differential current flow. This load circuit provides one compared to normal differential amplifier circuits increased common mode signal rejection.

-Wie erwähnt sind die Transistoren 16 und 17 mit ihren :;ittern zusammengeschaltet und arbeiten als zweiter Differenzverstärker, Die Amplitude der Kollektorströme dieses Differenzverstärkere ist gleich dem Beta-Wert mal demden Basen dieser Transistoren zugeführten Differenzsignalstrom. Der als Diode geschaltete Transistor 13 liegt in Reihe mit der Emitter-Kollektorstrecke der Transistoren 16. und 17 sowie zwischen Basis und Emitter sowohl des Transistors 14 als auch des Transistors 15. -As mentioned, the transistors 16 and 17 are connected together with their:; and work as a second differential amplifier, the amplitude of the collector currents this differential amplifier is equal to the beta times the bases of these transistors supplied differential signal current. The transistor 13 connected as a diode is connected in series with the emitter-collector path of transistors 16. and 17 and between Base and emitter of both transistor 14 and transistor 15.

Die Diode 18 wird durch den Emitter-Kollektor-Gleichtaktstrom der Transistoren 16 und 17 in Durchlaßrichtung gespannt und bildet zusammen mit den Transistoren 14 und 15 eine Dioden Transistoreinheit. Wenn die Übergangsfläche der Diode 18 zweimal so groß ist wie die Übergangsfläche des Transistors 14 und des Transistors 15, so erzeugt ein Stromfluß in der Diode 18 von 2 Mikroampere in den Transistoren 14 und 15 einen Stromfluß von je 1 Mikroampere. The diode 18 is driven by the emitter-collector common mode current of the Transistors 16 and 17 biased in the forward direction and forms together with the Transistors 14 and 15 a diode transistor unit. When the transition surface of the Diode 18 is twice as large as the junction area of transistor 14 and des Transistor 15, it creates a current flow in diode 18 of 2 microamps into the Transistors 14 and 15 have a current flow of 1 microampere each.

Wenn beispielsweise ein Vorstrom von 2 Mikroampere in der Diode 21 besteht, so fließt in den Iransistoren 11 und 12 sowie in den Transistoren 14 und 15 ein Strom von@ je 1 Mikroampere. Da die Übergangsfläche der Diode 18 doppelt so groß ist wie die Basis Emitterübergangsfläche der Transistoren 14 und 15 und in Reihe mit den Transistpren 16 und 17 liegt, fließt in der Diode, 18 ein Stroh von 2 Mikroampere, der gleich ist der Summe der Ströme der Transistoren 16 und 17 von Je 1 Mikroampere. For example, if a bias current of 2 microamps in diode 21 exists, then flows in the transistors 11 and 12 and in the transistors 14 and 15 a current of @ 1 microampere each. Since the transition area of the diode 18 is double is as large as the base emitter junction area of transistors 14 and 15 and is in series with the transistor 16 and 17, flows in the diode 18 a straw of 2 microamps, which is equal to the sum of the currents of transistors 16 and 17 of 1 microampere each.

Der als Diode geschaltete Transistor 25 und der Transistor 26 bildon eine Dioden-Transistoreinheit mit Stromverstärkungsgrad 1. Durch glechgroße Kollektorruheströme der Transistoren 16 und 17 wird im Transistor 26 ein Kollektorstrom erzeugt, der gleich ist dem Kollektorstrom des Transistors 16. Der Kollektorausgangswiderstand der Transistoren 17 und 26 kann je nach der Herstellungsweise sehr hoch sein. An die gemeinsam an die Kollektoren, der Transistoron 17 und 26 angeschlossene Ausgangaklemme 27 wird dann eine Transistorlastschaltung angeschaltet. The transistor 25 connected as a diode and the transistor 26 bildon a diode-transistor unit with current amplification degree 1. By equal-sized collector quiescent currents of the transistors 16 and 17, a collector current is generated in the transistor 26, the is equal to the collector current of transistor 16. The collector output resistance the transistors 17 and 26 can depending on the manufacturing method very be high. To the jointly connected to the collectors, the transistor 17 and 26 Output terminal 27 then turns on a transistor load circuit.

Wie erwähnt können weite Bereiche unterschiedlichen Betriebs stroms für die Transistoren 11, 12, 13, 14» 15, 16, 17, 18, 25 und 26 eingestellt werden. Beispielswuise wurde die integrierte Schaltung nach Figur £ mit einem Emitter-Kollektorstrombereich von 20 Nanoampere bis 400 Mikroampere betrieben.As mentioned, wide areas can have different operating currents for transistors 11, 12, 13, 14 »15, 16, 17, 18, 25 and 26 can be set. The integrated circuit according to FIG. £ with an emitter-collector current range was exemplified operated from 20 nano-amps to 400 micro-amps.

Da der Kollektorausgangswiderstand der Transistoren -17 und 26 hoch ist, wird die Spannungsverstärkung des Funktionsvcrstär-. Because the collector output resistance of transistors -17 and 26 is high the voltage gain of the functional amplifier.

kers durch den verwendeten äußeren Lastwiderstand bestimmt, was durch Berechnungen unter Zuhilfenahme der Transkonduktanz (Übertragungsleitwert) des Verstärkers geschehen kann Die Transkonduktanz kann als Änderung des Ausgangsstromes bei Änderung der Differenzspannung an den Eingangsklemmon 22 und 23 definiert.kers determined by the external load resistance used, what by Calculations using the transconductance (transmission conductance) of the amplifier The transconductance can happen as a change in the output current when there is a change the differential voltage at the input terminals 22 and 23 is defined.

werden.will.

Die Transkonduktanz (gm) des Teils des Differenzverstärkers nit lediglich den Transistoren 11 und 12 beträgt: 39 x Ie Siemens 2 worin Ie der Emitterstrom für einen der Transistoren 11 und 12 in ampere ist und die Transkonduktanz als Änderung des einen Kollektorausgangsstromes bei Änderung der Spannung zwischen den ICLerrnnen 22 und 23 definiert ist. The transconductance (gm) of the part of the differential amplifier is only nit of transistors 11 and 12 is: 39 x Ie Siemens 2 where Ie is the emitter current for one of the transistors 11 and 12 is in amps and the transconductance as a change of the one collector output current when the voltage between the IC terminals changes 22 and 23 is defined.

Da der Kollektordifferenzstrom durch die Basis-Emitterstrecken der Transistoren 16 und 17 fließt, steuern die Transistoren 16 und 17 einen Beta-Multiplikator zur Stromverstärkung des Differenzverstärkers bei. Der Ausgangsstrom des Transistors 16 fließt durch die Diode 25 und erzeugt einen gleichgroßen, gegenphasigen Ausgangsstrom des Transistors 26. Der Ausgangsstrom des Transistors 17 addiert sich dann zum Ausgangsstrom des Transistors Z6 zur Aussteuerung eines über die Clerme 27 angekoppelten Lastelements. Die Gesamttranskonduktanz beträgt dann; gm = 39 ß Ie Siemens worin ß der Beta-Wert der Transistoren 16 und 17 und Ie der Emitterstrom eines der Transistoren 11 und 12 bedeuten. Since the collector differential current through the base-emitter paths of the With transistors 16 and 17 flowing, transistors 16 and 17 control a beta multiplier to the current amplification of the differential amplifier. The output current of the transistor 16 flows through the diode 25 and generates an equally large, anti-phase output current of transistor 26. The output current of transistor 17 is then added to the output current of the transistor Z6 to control a load element coupled via the terminal 27. The total transconductance is then; gm = 39 ß Ie Siemens in which ß is the beta value of transistors 16 and 17 and Ie is the emitter current of one of the transistors 11 and 12 mean.

Bei eincm Strom des Transistors 11 -von 1 Mikroampere und bei einem Beta-Wert des Transistors 16 von 50 beträgt beispielsweise die verfügbare Verstärkertranskonduktanz; gm = 39 x 50 x 1 x 10-6 Siemens = 1950 Mikrosiemens. With a current of transistor 11 -of 1 microampere and with one For example, the beta of transistor 16 of 50 is the available amplifier transconductance; gm = 39 x 50 x 1 x 10-6 Siemens = 1950 microsiemens.

Die Spannungsverstärkung ist dann einfach gleich der Ausgangsspannung, dividiert durch die Eingangsspannung, oder: Vo = gm RL Vi worin der an die Klemme 27 angeschlossene Ausgangslastwiderstand ist. The voltage gain is then simply equal to the output voltage, divided by the input voltage, or: Vo = gm RL Vi where the to the terminal 27 connected output load resistor.

Die maximale Gleichtakteingangsgröße, welche don Betrieb der Eingangsstufe des Differenzverstärkers aus dem Gleichgewicht bringt, wird durch die Dauerspannungseigenschaften der Stromquelle mit dorn Transistor 13 und den erforderlichen Spannungsabfall an den Lasttransistoren 14 und 15, die sich beide von der verfügbaren Spannung der Versorgungsquelle subtrahieren, bestimmt. In der Schaltung nach Figur 1 können Gleichtakteingangsspannungen an den Klemmen 22 und 23 bis zu einer negativen Grenze, die gleich ist der negativen Quellenspannung an der Klemme 20 plus 0,8 Volt, und bis zu einer- positiven Signalgrenze, die gleich ist der positiven Quellenspannung an der Klemme 24 minus 1, 4 Volt, ausschwingen, ohne daß der Betrieb des Differenzverstärkers gestört wirde . Die maximale Gleichtakteingangsgröße wird hauptsächlich bestimmt durch die Betriebsspannung verringert um sehr kleinc Werte, da sowohl der Quellentransistor 13 als auch die Lasttransistoren 14 und 15 nur sehr kleine Spannungsabfäll@ benötigen, um wirksam zu arbeiten. The maximum common mode input size that don’t operate the input stage unbalance of the differential amplifier is caused by the continuous voltage properties the current source with thorn transistor 13 and the required voltage drop the load transistors 14 and 15, both of which depend on the available voltage of the Subtract supply source, determined. In the circuit according to FIG. 1, common-mode input voltages across terminals 22 and 23 to a negative limit which is equal to the negative Source voltage at terminal 20 plus 0.8 volts, and up to a positive signal limit, which is equal to the positive source voltage at terminal 24 minus 1.4 volts, swing out, without the operation of the differential amplifier being disturbed. The maximum common mode input size is mainly determined by the operating voltage reduced by very small Values as both the source transistor 13 and the load transistors 14 and 15 only need very small voltage drops @ to work effectively.

Figur 2 zeigt einen Differenzverstärker mit in Kaskode geschalteien Transistorpaaren 28, 29 und 30, 31, die eine verbesser to Cleichtaktunterdrückung sowie einen verbesserten rauscharmen Betrieb ergèben. Die Transistoren 28 und 30 sind Eingangsverstärkertransistoren spezieller Konstruktion, die an die Eingangs Klemmen 22' und 23' angekoppelt sind. die Transistoren 28 und 30 sind Hochbeta-Transistoren (Superbeta-Transistoren) mit Beta-Werten in der Gröpenordnung yon 1000 sowie sehr niedrigen Kollektor-Emitterdurchbruchsspannungen in der Größenordnung von 1 Volt. FIG. 2 shows a differential amplifier with cascoded connections Transistor pairs 28, 29 and 30, 31, which improve common mode rejection as well as improved low-noise operation. The transistors 28 and 30 are input amplifier transistors of special construction that are connected to the input Terminals 22 'and 23' are coupled. transistors 28 and 30 are high beta transistors (Superbeta transistors) with beta values in the order of magnitude of 1000 and very low collector-emitter breakdown voltages on the order of 1 volt.

Bei herkömmlichen höhervoltigen Transistoren ist der Beta-Wert dos Transistors im wesentlichen konstant als Funktion der Kollektorspannung im Niedorspannungsarbeitsbereich. Dagegen bei höheren Spannungen im Bereich von Vceo angenäherten Werten ist der Kollektorstrom sowohl vom Basisstrom als auch von der Kollcktorspannung abbängig. Veco ist definiert als die Kollektor-Emitter-Durchbruchsspannung bei offenem Basiskreis mit nicht angeschlossener Basis.With conventional higher-voltage transistors, the beta value is dos The transistor is essentially constant as a function of the collector voltage in the low voltage operating range. On the other hand, at higher voltages in the range of Vceo approximate values is the collector current dependent on both the base current and the collector voltage. Veco is defined than the collector-emitter breakdown voltage with an open base circuit with a disconnected Base.

Transistoren sind im allgemeinen durch einen Kollektor-Basis-Leckstrom gekennzeichnet, der bei Werten von woniger als 50 Millivolt der Kolloktor-Basisspannung proportional ist. Diose Eigenschaft ergibt ein schlechtes Rauschverhalten bei kloinen Bingangssignalen sowie eine unerwünschte Temperaturabhängigkeit. Transistors are generally subject to collector-base leakage current at values of less than 50 millivolts of the collocator base voltage is proportional. This property results in poor noise behavior in the case of kloinen Input signals as well as an undesirable temperature dependency.

Das schlechte Rauschverhalten und die Temperaturabhängigkeit werden im vorliegenden Falle durch eine spezielle Vorspannschaltung hoben, cEe nicht nur eine relativ feste niedrige Kollektorspannung für den Betrieb der Transistoren 28 und 30, sondern auch eine Kollektor-Basisspannung in den Transistoren 28 und 30 von im wesentlichen null herstellt, so daß auch der Kollektor-Basis-Leckstrom auf null herabgedrückt wird, Das Kauschverhalten wird damit stark verbessert, so daß der Hochbeta-Transistor in der Eingangsstufo eines Funktionsverstärkers vorwendet werden kann. The poor noise behavior and the temperature dependency will be in the present case raised by a special bias circuit, cEe not only a relatively fixed low collector voltage for the operation of the transistors 28 and 30, but also a collector base voltage in transistors 28 and 30 of essentially zero so that the collector-base leakage current also increases zero is depressed, the throbbing behavior is thus greatly improved, so that the high-beta transistor in the input stage of a function amplifier can be.

Die Transisteren 28, 29 und 30, 31 sind in Kaskode geschaltet, wobei 28 und 30 in Emitterschaltung arbeiten und ihrou Emittorstrom vom Quellentransistor 13', der dem Quellentransistor in Figur 1 gleichartig sein kann, beziehen. Die Transistoren 29 und 31 arbeiton in Basisschaltung, wobei die Basen der Transistoren 28 und 30 über eine Vorspannschaltung mit den als Diodcn geschalteten Transistoren 32 und 33 mit den Emittern der Transistoren 28 und 30 verbunden sind. Der Kollektorausgang der Transistoren 29 und 31 i6t an eine Lastschaltung mit den Transistoren 14', 15' 16', 17' und 18', die der Lastschaltung in Figur 1 gleichartig ist, angekuppelt. The transistors 28, 29 and 30, 31 are connected in cascode, where 28 and 30 work in emitter circuit and ihrou emitter current from the source transistor 13 ', which corresponds to the source transistor in Figure 1 can be the same, relate. The transistors 29 and 31 work in common base, with the bases of transistors 28 and 30 via a bias circuit with those connected as diodes Transistors 32 and 33 are connected to the emitters of transistors 28 and 30. The collector output of transistors 29 and 31 i6t to a load circuit with the Transistors 14 ', 15', 16 ', 17' and 18 ', which are similar to the load circuit in FIG is coupled.

Die Dioden 32 und 33 sind in der Durchlaßrichtung gospannt und erzeugen eine Vorspannung 2V zwischen den zusammengeschalteten Basen der Transistoren 29 und 31 und den Emittern der Trnnsintoren 28 und 30. Der Spannungsabfall nm Basis-Emitterübergang der Transistoren 29 und 31 beträgt Vbe so daß zwischen Kollektot und Emitter der Transistoren 28 und 30 eine Spannung von Vbe herrscht. Die Transistoren 28 und 30 sind in den leitenden Zustand gespannt, so daß zwischen ihren Basen und Emittern eine Durchlaßvorspannung von Vbe herrscht. Es erscheint dann eine der nachlässigbar kleine Spannung zwischen Kollektor und Basis der Transistoren 28 und 30, so daß sich ein sehr geringer Leckstrorn ergibt, wie oben erläutert. The diodes 32 and 33 are biased in the forward direction and generate a 2V bias between the interconnected bases of transistors 29 and 31 and the emitters of the interfaces 28 and 30. The voltage drop nm base-emitter junction of transistors 29 and 31 is Vbe so that between the collector and emitter of Transistors 28 and 30 have a voltage of Vbe. The transistors 28 and 30 are stretched into the conductive state, so that between their bases and emitters there is a forward bias of Vbe. It then appears one of the most negligible small voltage between the collector and base of transistors 28 and 30, so that there is very little leakage current, as explained above.

Um die Spannung zwischen Kollektor und Basis der Transistors ren 28 und 30,minimal klein zu machen, sieht man gleichgroße und identisch hergestellte Basis-Emitterübergangsflächen bei den Transistoren 29, 31 und 33 vor, ünd fur den Transistor 32 verwendet man ein Bauelement mit hohem Beta-Wert und niedriger Durchbruchsspannung von gleicher Fläche und identischer Herstellungsweise wie die Hochbeta-Transistoren 28 und 30. Die mittleren Ströme, die durch die beiden Zweige 28, 29 und 3Q, 31 fließen, macht man jeweils gleich dem Strom der Dioden 33, 32. To ren the voltage between collector and base of the transistor 28 and 30, to be made minimally small, one sees the same size and identically manufactured Base-emitter junction areas in the transistors 29, 31 and 33 before, and for the Transistor 32 uses a high beta, low breakdown voltage device of the same area and identical manufacturing method as the high-beta transistors 28 and 30. The middle currents flowing through the two branches 28, 29 and 3Q, 31, is made equal to the current of the diodes 33, 32 in each case.

Die Spannungsabfälle Vbe an den Kollektor-Emitterübergängen der Transistoren 28, 30 sind gleich dem Spannungsabfall Vbe am Hochbeta-Transistor 32. Da die Basis-Emitterspannung der Transistoren 28 und 30 ebenfalls ,1eich uer Spannung Vbe an der Diod@ 32 ist, beträgt der Spannungsabfall zwischen Kollektor und Basis der Tran-sistoren 28 und 33 null. The voltage drops Vbe at the collector-emitter junctions of the transistors 28, 30 are equal to the voltage drop Vbe across high beta transistor 32. Since the base-emitter voltage of transistors 28 and 30 also, if the voltage Vbe at diode @ 32 is, is the voltage drop between the collector and the base of the transistors 28 and 33 zero.

Die Vorspannschaltung mit den Dioden 32 und 33 wird durch Strom von einem zusätzlichen Transistor 34 gespeist, der durch den Spannungsabfall an der Diode 18' in der @urchlaßrichtung gespannt ist. Das Übergangsflächenverhältnis der Diode 18' zum Basis-Emitterübergang des Transistors 34 bestimmt den durch die Diodon 32 und 33 fließenden Strom, der auch in den Quellentransistor 13' fließen muß. Man macht daher den Basis-Emitterübergang des Qu@llentransistors 13' in seiner Fläche um 50 % größer als bei dem Transistor 13 in Figur 1, da der-Transistor 13' am 5C % mehr Strom liefern muß. Bei einem Stromfluß im Transistor 13' von 3 Mikroampere fließt in den Transistoren 28 und 30 sowie in der Diode 32 ein Strom von Je 1 Mikroampere. Der Stromfluß in den Transistoron 14' und 15' sowie in den Transistoren 16' und 17' beträgt jeweils 1 Mikroamper. Bei einem Stromfluß von Je 1 Mikroamperc in den Transistoren 16' und 17' leitet die Diode 18' einen Strom von 2 Mikroampere. The bias circuit with diodes 32 and 33 is powered by current from an additional transistor 34 fed by the voltage drop across the Diode 18 'is charged in the forward direction. The transition area ratio of the Diode 18 'to the base-emitter junction of transistor 34 determines the through the Diodon 32 and 33 flowing current, which must also flow into the source transistor 13 '. Man therefore makes the base-emitter junction of the source transistor 13 'in its area by 50% larger than with the transistor 13 in Figure 1, since the transistor 13 'at 5C Must deliver% more electricity. With a current flow in transistor 13 'of 3 microamps A current of 1 microampere each flows in the transistors 28 and 30 and in the diode 32. The current flow in the transistor 14 'and 15' and in the transistors 16 'and 17 'is 1 microamp in each case. With a current flow of 1 microampere each into the Transistors 16 'and 17', the diode 18 'conducts a current of 2 microamps.

Die Basis-Emitterübergangsfläche des Transistors 34 beträgt die Hälfte der Übergangs- oder Sperrschichtfläche der @iode 18, so daß er einen Strom von 1 Mikroampere leitet, der dann durch die Vorspanndioden 32 und 33 fließt. Die Größe aller dieser Strö mc wird von der einzigen Eingangsklemme 19' aus gesteuert, wo der Vorstrom für die Diode 21' angeliefert wird, der den vom Transistor 13! gelieferten Strom steuert. The base-emitter junction area of transistor 34 is half the junction or junction area of the diode 18, so that it has a current of 1 Conducts microampere, which then flows through the bias diodes 32 and 33. The size all of these currents are controlled by the single input terminal 19 'from where the bias current for the diode 21 'is supplied, which the transistor 13! delivered Electricity controls.

Wenn den I;lemmen 24 und 20' eine Quellenspannung und der Diode 21' eine lletriebsspannung zugeführt wird, leitet der Transistor 13 Strom in die Transistoren 28 und 30. Beim Anschalten einer Quelle an die Klemmen 24' und 20' wird jedoch kein anfänglicher Vorstrom den Vorspanndioden 32 und 33 gelicfert, so daß die Transistoren 29 und 31 und folglich die Transistoren 14, 15 und 18 keinen Strom leiten. If the I; terminals 24 and 20 'have a source voltage and the diode 21' an operating voltage is supplied, the transistor 13 conducts current into the transistors 28 and 30. When a source is connected to terminals 24 'and 20', however, no initial bias current is supplied to bias diodes 32 and 33 so that the transistors 29 and 31 and consequently transistors 14, 15 and 18 do not conduct any current.

onn die Diode 18' und folglich der Transistor 34 nicht leiten, beträgt de Kollektor-Emitterspannung der Transistoren 28 und 30 null. Bei fehlender Kollektor-Emitterspannung fließt daher der gesamte Strom vom Transistor 13' in der Basis-Emitterstrecke der Transistoren 28 und 30 und in die an die Klemmen 22' und 23' angekoppelten Signalquelen. onn the diode 18 'and consequently the transistor 34 do not conduct de collector-emitter voltage of transistors 28 and 30 zero. If there is no collector-emitter voltage therefore flows the entire current from transistor 13 'in the base-emitter path of the Transistors 28 and 30 and into the terminals 22 ' and 23 'coupled Signal sources.

Um eine anfängliche Leitung in der siode 18' herzustellen, ist zusätzlich ein @@ @inflächiger Transistor 41 vorgeseh@@, der mit seinem Basis-Emittereingang über die Diode 21' gekop@@lt und mit seinem Kollektor an die Diode 18' angeschlossen ist. Der Transistor 41 braucht nur einen sehr kleinen Anfangsstrom an die Diode 18' zu liefern, um den Einschaltzyklus einzuleiten, vobei dieser Stromanteil nur so klein zu sein braucht, daß die Flächen verhältnisse der Diode 18' und der Transistoren 14, 15, 16, 17 dadurch nicht gestört werden. To establish an initial conduction in the period 18 'is additional a @@ @ in-surface transistor 41 provided @@ with its base-emitter input via the diode 21 'gekop @@ lt and connected with its collector to the diode 18' is. The transistor 41 only needs a very small initial current to the diode 18 'to initiate the switch-on cycle, this current component only needs to be so small that the area ratios of the diode 18 'and the transistors 14, 15, 16, 17 are not disturbed by this.

Da der Spannungsabfall an den Transistoren 28 und 30 niedrig ist, können Spitze -Spitze-Cleichtakteingangsspannungen en don Klemmen 22' und 23' @ahezu @o greß sein wie die verwende@s Vorsorgungsspannung, ohne daß der @etriob des Verstärkers beointräch tigt wird, wie bereits erläutort. Since the voltage drop across transistors 28 and 30 is low, Peak-to-peak light-mode input voltages can be applied to terminals 22 'and 23' @ahezu @o great as the used @ s supply voltage, without the @etriob of the amplifier is affected, as already explained.

Bei cinem Eingangstransistor mit hohem Beta-Wert sind die Eingangswidorstände entsprochend höher, so daß ein höherer Lmitterstrom in einem gegebenen Anwendungsfall erzengt und folglich eine entsprechend höhere Transkonduktanz erhalten werden kann. In the case of an input transistor with a high beta value, the input resistors are correspondingly higher, so that a higher Lmitter current in a given application erzengt and consequently a correspondingly higher transconductance can be obtained.

Beta-Werte im Bereich von 1000 wurden bei zufri@@enstellend niedrigem Kauschen erhalten. Dieses praktische Vechalten hängt von zwei Paktoren ab: crstens daß die Kollektor@pannung auf einen engen Bercich konstant gchalten wird und zweitens, daß für Kull-Lockströme die Kollektor-Basisspannung null beträgt.Beta values in the range of 1000 were satisfactorily low Receive thimbles. This practical matter depends on two factors: crstens that the collector voltage is kept constant within a narrow range and, secondly, that for Kull lock currents the collector base voltage is zero.

Es wird eine bessere Gleichtaktanterdrückung erhalten, da bei Verwendung von integrierten Schaltungen die beiden Mälft@n des Difforenzverstä@kers ohne Schwierigkeit symmetrisch ausgebildet werden können. Die für die Herst@llung der pnp-Transistoren in integrierter Schaltungsform verwendeton Transistoren sind als Soiten- oder Lateralkonstruktion entlang der Oberfläche des Halbleiterplättchens ausgebildet, pnp-Lateraltransistoren zeichnen sich durch einen niedrigen @et@-Wert sowie durch von der Emitter-Kollektorspannung abhängig@ Emitter-Kollektorströme aus. Der Verstärkungsgrad des Transistors 17' kann daher eine Funktion der Ausgangsspannungssignalamplitude soin, wodurch die Symeetrie der gleichen Verstärkung der Transistoren 16' und 17' gostört werden kann. Bei relativ niedrigen Ausgangsspannungsamplituden, die durch Verwendung einer relativ niedrigen Ausgangswiderstandslast an der Klemme 27 erreicht werden kann, bleibt jedoch die Symmetrie der beiden Differenzverstärkerhälften orhaten. Better common-mode rejection is obtained as it is used of integrated circuits the two Mälft @ n of the Difforenzverstä @ kers without difficulty can be designed symmetrically. The one for the production of the pnp transistors Transistors used in integrated circuit form are of a side or side construction formed along the surface of the die, pnp lateral transistors are characterized by a low @ et @ value as well as by the emitter-collector voltage dependent @ emitter-collector currents. The gain of transistor 17 ' can therefore be a Function of the output voltage signal amplitude soin, thereby disrupting the symmetry of the same gain of transistors 16 'and 17' can be. At relatively low output voltage amplitudes by using a relatively low output resistance load at terminal 27 can be achieved can, however, the symmetry of the two differential amplifier halves remains.

Figur 3 zeigt ein zusätzliches Paar vonin Kaskode geschalteten Transistoren 16" und 17" mit Transistoren 35und 36, um eine konstante Kollektor-Emitterspannung in den Transistoren 1.6" und 17" herzustellen, so daß die beiden Hälften des Differenzverstärkers gleiche Verstärkung aufweisen. Durch eine Vorspannschaltung mit don Dioden 37, 38 und 39 wird die Basis der Transistoren 35 und 36 vorgespannt, wenn in diesen Dioden ein von einem zweiten Stromquellentransistor 40 entnommener Strom fließt. Figure 3 shows an additional pair of cascoded transistors 16 "and 17" with transistors 35 and 36 to maintain a constant collector-emitter voltage in transistors 1.6 "and 17" so that the two halves of the differential amplifier have the same gain. By a bias circuit with diodes 37, 38 and 39 the bases of transistors 35 and 36 are biased when in these diodes a current drawn from a second current source transistor 40 flows.

Die Größe es Vorstromes in den Dioden 37, 38 und 39 ist im Hinblick auf die Erzeugung der Basisspannung für die Transistoren 35 und 36 iiiclit kritisch. Indem man jedoch den Transisto,r 40 wie den Transistor 13" mittels der Diode 21" vorapannt, kann man orreichen, daß der Strom der Dioden 37, 38 und 39 die Strom sämtlicher anderen Transistoren gleich hält. The magnitude of the bias current in diodes 37, 38 and 39 is in view on the generation of the base voltage for the transistors 35 and 36 iiiclit critical. However, by using the transistor 40 like the transistor 13 "by means of the diode 21" vorapannt, one can attain that the current of the diodes 37, 38 and 39 the current of all other transistors holds the same.

Wie bei der Anordnung nach Figur 2 Ilefert eine Startschaltung mit dem Transistor 41' den Anfangsstrom, Ein niedriger Vorstrom kann für leistungsarmen @otri@b eingostellt werden, wenn alle anderen Transistoren in dieser cis betrieben werden, und umgekehrt ein hoher Vorstrom für Hochstrombetrieb. As with the arrangement according to FIG. 2, Ilefert a starting circuit the transistor 41 'the initial current, a low bias current can be used for low power @ otri @ b are set if all other transistors are operated in this cis and vice versa a high bias current for high current operation.

Die Transistoren 35 und 36 sind wie in Figur 1 mittels einer Dioden-Transistoreinheit 25", 26" an die Ausgangsklemme 27" angekoppelt, um eine Last im Gegentakt in bezug auf Bezugsnullpotential auszusteuern. Der Verstärker ist dadurch gekennzeichnet, daß er einen Transkonduktanzverstärkungsfaktor aufweist, de die Spannungsverstärkung durch die vorwendete äußere Last bestimmt wird. The transistors 35 and 36 are as in Figure 1 by means of a diode transistor unit 25 ", 26" coupled to the output terminal 27 "to a load in push-pull relation to be controlled to reference zero potential. The amplifier is characterized by that it has a transconductance gain, de the voltage gain is determined by the applied external load.

Ein derartiger @etrieb ergibt einen zusätzllchen Trelheitsgrad für den Benutzer, durch den der @oreich der mögllchen Anwendbarkeit für unterschiedliche Zwecke stark orweitert wird. Such an operation results in an additional degree of confusion for the user, through which the @orich the possible applicability for different Purposes is greatly expanded.

Claims (7)

Patentansprüche. Claims. L. Differentialverstärker mit einem ersten und einen zweiten Trailsistor, deren Emitter mit einer ersten Gleichstromquelle gekoppelt sind und an deren Basise@ektroden ein Signal zuführbar ist und a£i deren Kollektoren ein Signal entnehmbar und ein betriebspotential zuführbar ist, dadurch gekermzeichnet, daß der Emitter eines jeden der beiden Transistoren (16, 17) über jeweils einen Transistorverstärker (14,15) in Emitterschaltung an seine Basis gekopoeit ist, die von jeweils einer Signalquelle (11, 12; 29, 31) beaufschlagt ist.L. Differential amplifier with a first and a second trail transistor, whose emitters are coupled to a first direct current source and to whose bases @ electrodes a signal can be supplied and a £ i whose collectors a signal can be removed and a operating potential can be supplied, characterized in that the emitter of each of the two transistors (16, 17) each via a transistor amplifier (14,15) in emitter circuit to its base is copied, each from a signal source (11, 12; 29, 31) is applied. 2. Differentialverstärker nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die erste Gleichstromquelle aus einem Haloleitergleichrichter (18) besteht, der parallel zu deri Emitter Basis-Strecken eines dritten unu vierten, jeweils einen der Transistorverstärker bildenden Transistoren (14, 15) zwischen einen Betriebspotential (24) und den gekoppelten Emittern der ersten beiden Transistoren (lo, l7) liegt.2. Differential amplifier according to claim 1, characterized in that that the first direct current source consists of a haloconductor rectifier (18), the parallel to the emitter base lines of a third and fourth, one each the transistor amplifier forming transistors (14, 15) between an operating potential (24) and the coupled emitters of the first two transistors (lo, l7). T. Jifierent ialverstärker nach Anspruch 1 -oder 2, dadurcri gekennzeichnet, daß die beiden Signalquellen aus einem fünften (11) und einem sechsten ( L2) Transistor bestehen, die als der stärker Eingangssignale über ihre Basis-Emitter-Übergänge empfangen und Ausgangssignale an ihren Kollektoren liefern; und daß der dritte (14) und der finfte (11) Transist@r von einander entgegengesetztem Leitungstyp und mit ihren Kollektor-Emitter-Strecken in Reine geschaltet sind; und daß der vierte (15) und der sechste (12) Transistor von einander entgegengesetztem Leitungstyp und mit ihren Kollektor-Emitter-Strecken in Reihe geschaltet sind.T. Jifierent ial amplifier according to claim 1 -or 2, characterized dadurcri, that the two signal sources consist of a fifth (11) and a sixth (L2) transistor consist of the stronger than the input signals via their base-emitter junctions receive and provide output signals to their collectors; and that the third (14) and the finfte (11) transistor @ r of opposite conductivity types and with their collector-emitter paths are connected in line; and that the fourth (15) and the sixth (12) transistor of opposite conductivity types and are connected in series with their collector-emitter paths. 4. DifferentialverstärKer nach Anspruch 3, dadurcn,gekennzeichnet, da3 die Emitter des fünften (11) und sechsten (12) Transistors miteinarlder und an eine Gleichstromquelle (13) gekoppelt sind und daß zwischen den Basis-Elektroden dieser Transistoren (11, 12) Eingangssignale zuführbar sind.4. Differential amplifier according to claim 3, characterized in that da3 the emitters of the fifth (11) and sixth (12) transistor with one another and are coupled to a direct current source (13) and that between the base electrodes these transistors (11, 12) can be supplied with input signals. 5. Differentialverstärker nach Anspruch 3, gekennzeichnet durch einen siebten (28) und einen achten (30) Transistor, deren Leitungstyp demjenigen des fünften (11) und sechsten (12) Transistors gleich ist und deren Emitter ueber einen gemeinsamen Anschluß an eine Stromquelle (13) gekoppelt sind und zwischen deren Basis-Elektroden Eingangssignale zuführbar sind und deren Kollektoren mit den getrennten Emittern des fünften (11) und sechsten (12) Transistors gekoppelt sind; und einen SPannungsregler (32, 33), üer den die Basiseiektroden des fünften (11) und sechsten (12) Transistors an besagten gemeinsamen Anschluß gekoppelt sind und an den eine Spannung abfällt, die proportional und etwa das doppelte der Spannung an einem in Durcnlaßrichtung gespannten Halbleiterübergang ist.5. Differential amplifier according to claim 3, characterized by a seventh (28) and an eighth (30) transistor, the conductivity type of which corresponds to that of the fifth (11) and sixth (12) transistor is the same and their emitter over one common terminal are coupled to a power source (13) and between the Base electrodes can be fed input signals and their collectors with the separate Emitters of the fifth (11) and sixth (12) transistors are coupled; and one Voltage regulator (32, 33), over the base electrodes of the fifth (11) and sixth (12) transistor are coupled to said common terminal and to the one Voltage drops that is proportional to and about twice the voltage across an in Through the direction of stressed semiconductor junction. 6. Differentialverstärker nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß der siebte (2X) und der achte- (30) Transistor jeweils eine hohe Beta-Stromverstärkung und eine Durchbruchsspannung in der Größenordnung von 1 Volt aufweist.6. Differential amplifier according to claim 5, characterized in that that the seventh (2X) and eighth (30) transistors each have a high beta current gain and has a breakdown voltage on the order of 1 volt. 7. Difiere;l tialver-starker nach Anspruch 5 oder o, dadurch gekennzeichnet, daß der Spanaungsreg@er aus zwei in Reihe geschalteten Halbleitergleichrichtern (32, 33) besteht.7. Difiere; l tialver-stronger according to claim 5 or o, characterized in that that the voltage regulator consists of two series-connected semiconductor rectifiers (32, 33) exists.