DE19623654A1 - Lichtbogen-Steuer- und Umschaltelementschutz für eine gepulste DC-Energieversorgung - Google Patents
Lichtbogen-Steuer- und Umschaltelementschutz für eine gepulste DC-EnergieversorgungInfo
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Description
Diese Erfindung bezieht sich auf das Niederschlagen von Dünnfilmen und insbesondere
bezieht sie sich auf einen reaktiven Sputterprozeß, wo Atome eines Targetmaterials von
einem leitfähigen Target gelöst werden, um eine Beschichtung zu bilden, die auf einem
Substrat niedergeschlagen wird. Dieser Prozeß kann zum Beispiel in einem reaktiven
Sputterprozeß zum Erzeugen von dielektrischen, isolierenden Schichten auf elektri
schen Teilen oder abnutzungsbeständigen Schichten auf mechanischen Teilen einge
setzt werden.
Die Erfindung ist noch spezieller auf ein verbessertes DC-Sputterverfahren gerichtet,
bei dem das dielektrische Beschichtungsmaterial, das auf dem leitfähigen Target abge
lagert wird, entfernt wird, um demzufolge eine Hauptursache einer Lichtbogenbildung zu
vermeiden.
Reaktives Sputtern und Probleme, die sich auf ein DC-Sputtern beziehen, sind ausführ
lich in unserer früheren, europäischen, veröffentlichten Anmeldung EP 0692 550 A1
beschrieben.
Sputtern ist ein Vakuumniederschlagsprozeß, bei dem ein Sputtertarget mit Ionen, typi
scherweise ein ionisiertes Edelgas, beschossen wird, und die Atome des Targetmateri
als werden mechanisch durch eine Momentenübertragung freigegeben. Das Targetma
terial beschichtet dann das naheliegende Substrat.
In einem reaktiven Sputterprozeß wird ein reaktives Gas in die Niederschlagskammer
eingeführt und freigesetztes Targetmaterial reagiert mit dem reaktiven Gas, um ein Be
schichtungsmaterial zu bilden. Zum Beispiel kann das Targetmaterial Aluminium sein
und Sauerstoff kann als das reaktive Gas eingeführt werden, um eine Beschichtung aus
Aluminiumoxid zu bilden. Ein kohlenstoffhaltiges Gas, z. B. Acetylen, kann als das reakti
ve Gas verwendet werden, um Karbid-Beschichtungen, wie beispielsweise SiC, WC,
usw., zu bilden, und N₂ kann eingeführt werden, um eine Nitrid-Beschichtung, wie bei
spielsweise TiN, zu erzeugen. In jedem Fall reagieren die leitfähigen Targetatome und
das Reaktivgas in dem Plasma in der Kammer, um die Verbindung, die als eine Be
schichtung dient, zu bilden. In einem typischen Beispiel treffen Aluminiumatome, die aus
einem Aluminiumtarget freigesetzt sind, auf ein Plasma aus Argon und Sauerstoff, um
einen Niederschlag aus Aluminiumoxid zu bilden.
Ein DC-Sputtern ist ein Zufallsprozeß und das isolierende Beschichtungsmaterial wird
auf allen verfügbaren Oberflächen niedergeschlagen. Dies bedeutet, daß nicht nur iso
lierendes Material den Gegenstand, der in Rede steht, beschichtet, sondern es auch an
dere Oberflächen in der Kammer ebenso beschichtet, einschließlich des Targets. Dem
zufolge landen in einem reaktiven Sputterprozeß zum Niederschlagen von Aluminiu
moxid Moleküle als Al₂O₃ auf der Oberfläche des Aluminiumtargets. Dieser Niederschlag
eines Isolators auf dem Target verursacht verschiedene Probleme, einschließlich einer
Reduktion einer Sputterrate und einer Neigung, eine Lichtbogenbildung zu induzieren.
Eine Kontaminierung des Targets kann auch, gerade beim herkömmlichen DC-Sputtern,
aufgrund von atmosphärischen Gase, Wassertröpfchen, Einschlüssen oder Kontaminie
rungsbestandteilen resultieren. Jedes hiervon kann eine Quelle einer Lichtbogenbildung
sein und das Vorhandensein davon wird die Niederschlagsrate über die Zeit aufgrund
eines reduzierten, aktiven Sputterbereichs auf dem Target reduzieren. Demgemäß erfor
dern diese Probleme eine fortlaufende Reinigung der Targetoberfläche.
In Bezug auf dieses Problem ist bekannt gewesen, daß es seit einiger Zeit besteht, al
lerdings sind dessen Ursachen nicht vollständig berücksichtigt worden. Prozeduren, um
diese Probleme zu beseitigen, wie beispielsweise eine Lichtbogensteuerung beim akti
ven Sputtern, sind nicht vollständig zufriedenstellend gewesen.
Eine Standardmaßnahme setzt das Erfassen des Vorhandenseins eines Lichtbogens
und dann ein Unterbrechen des Stromflusses ein. Dies wird den Lichtbogen steuern, al
lerdings bewirkt dies nichts in Bezug auf die isolierende Beschichtung, die fortfährt, das
Target zu bedecken.
Ein früher Versuch, mit dem Lichtbogen fertig zu werden, setzt, und zwar in einer blin
den Art und Weise, ein periodisches Unterbrechen des Stromflusses zwischen der DC-
Energieversorgung und dem Plasmagenerator, wo das Sputtern auftritt, ein. Hier dient
das Abschalten der DC-Energie dazu, einen frühen Lichtbogen zu beseitigen bzw. zu
beenden. Dies bedeutet, daß unipolare Energieimpulse mit einem festgelegten Taktzy
klus bzw. Tastverhältnis zu dem Target zugeführt werden. Dies hat den vorteilhaften Ef
fekt, zu ermöglichen, daß sich eine Ladung nur teilweise über den dielektrischen Nie
derschlag auf dem Target aufbaut, so daß es in Bezug auf den Lichtbogen weniger
wahrscheinlich ist, daß er auftritt, und dies kann auch zu einer kleinen Menge eines
Rücksputterns des Niederschlags führen. Allerdings kehrt dieses System, während die
Rate eines isolierenden Niederschlags auf dem Target verlangsamt wird, nicht den Nie
derschlag um.
Ein anderes System, das zuvor vorgeschlagen wurde, ist ein sogenannter Niedrigener
gie-Lichtbogenunterdrückungsschaltkreis mit einer kleinen Packung (Low Energy Small
Package Arc Repression Circuit). In diesem System zykelt ein elektronischer Schalter
unter einer Rate von etwa 2 kHz, um den Strom zu dem Target abzuschalten. Dies kehrt
tatsächlich die Spannung auf dem Target zu einigen Volt positiv um und zieht einige
Elektronen von dem Plasma zu der vorderen Oberfläche des isolierenden Nieder
schlags. Dies neutralisiert die Anionen auf der vorderen Oberfläche des Niederschlags,
um den Spannungsaufbau über die Schicht zu entladen, um dadurch stark das Auftreten
eines dielektrischen Durchschlags und einer Lichtbogenbildung zu vermeiden. Auch er
niedrigt eine Entladung der vorderen Oberfläche der isolierenden Schicht das Oberflä
chenpotential auf ungefähr dasjenige des Targets. Ein Entladen des dielektrischen Nie
derschlags ermöglicht auch, daß Argonionen in dem Plasma mit dem isolierenden, die
lektrischen Material zusammenstoßen. Dies führt zu einem gewissen Zurücksputtern der
Moleküle des niedergeschlagenen Materials, um so die Niederschlagsrate auf dem Tar
get zu verlangsamen.
Allerdings sputtert diese Maßnahme die Moleküle der niedergeschlagenen Verbindung
nicht so effektiv wie die Atome des Targetmaterials zurück, und diese Maßnahme war
nicht besonders effektiv beim Entfernen von Niederschlägen von dem Target während
reaktiver Sputterprozesse.
Unterschiedliche Materialien erfordern, daß unterschiedliche Spannungen an die Tar
gets angelegt werden, um ein Sputtern zu bewirken. Zum Beispiel erfordert, da ein
Goldatom ein viel schwereres Atom als ein Aluminiumatom ist, es ein viel höher energe
tisches Ion, um es von dem Target zu lösen. Typischerweise beträgt in einem Prozeß,
der ein Aluminiumtarget einsetzt, die angelegte Spannung, die benötigt wird, etwa
-450 Volt, während in einem ähnlichen Prozeß, der ein Goldtarget einsetzt, die angeleg
te Spannung etwa -700 Volt sein muß.
Unter Berücksichtigung, daß ein Aluminiumoxid- (Al₂O₃) Molekül wesentlich schwerer als
ein Aluminiumatom ist, kann man verstehen, daß ein höheres Potential erforderlich sein
würde, um das Argonion genug anzuregen, um die Beschichtung zurückzusputtern bzw.
wieder abzusputtern. Dies gilt natürlich für andere Materialien ebenso.
Eine andere Maßnahme, um dieses Problem zu lösen, setzt ein Paar Sputtertargets ein,
wobei eines als Kathode und das andere als Anode dient. Die angelegte elektrische
Spannung wird periodisch umgekehrt, so daß das Sputtern erst von einem Target und
dann von dem anderen auftritt. Dieser Prozeß kehrt auch die Ladung auf dem niederge
schlagenen, isolierenden Material ebenso um, was die Möglichkeit einer Lichtbogenbil
dung reduziert und auch etwas des isolierenden Materials auf dem Target wieder ab
sputtert. Allerdings kann diese Anordnung, die viele Targets erfordert, mühsam und teu
er sein, um sie einzusetzen. Weiterhin leidet die Anordnung unter einer langsamen Nie
derschlagsrate aufgrund der Zeitdauer, die für einen Übergang bzw. ein Umschalten be
nötigt wird.
Diese früheren Lösungen, die ein unipolares Pulsen oder alternierend zyklende Targets
einsetzen, sind in gewisser Weise effektiv beim Reduzieren der Spannungsbeanspru
chung auf den isolierenden Filmen, die auf den Targets zurück niedergeschlagen wer
den, gewesen, allerdings sind nicht vollständig effektiv beim Entfernen des Rücknieder
schlags oder beim Verhindern davon gewesen. Keine dieser Maßnahmen sputtert den
Isolator von Beginn an ab, bevor er eine Chance hat, sich anzusammeln, und keine die
ser Techniken ist beim Eliminieren oder beim Stoppen des Rückniederschlags eines iso
lierenden Films auf dem Target, während eine hohe Niederschlagsrate beibehalten wird,
effektiv gewesen.
In dem Prozeß, der in unserer früher veröffentlichten EPA-Patentanmeldung
EP 0692 550 A1 offenbart ist, wird ein reaktives DC-Sputtern in einer Plasmakammer
durch Anlegen eines elektrischen Potentials an ein leitfähiges Target durchgeführt, so daß das Targetmaterial von dem Target abgesputtert und mit einem reaktiven Gas in Reaktion gebracht wird, das in die Kammer eingeführt ist. Eine DC-Spannung eines ge eigneten Pegels, z. B. -500 Volt, wird von einer Energieversorgung aus an das Sput tertarget angelegt, das als Kathode dient, wobei eine leitfähige Oberfläche in der Plas makammer auf Masse gehalten wird, um als Anode zu dienen. Ein Edelgas, z. B. Argon, das in der Kammer vorhanden ist, wird ionisiert und erzeugt ein Plasma, z. B. Argon- Anionen und freie Elektronen. Die Elektronen werden in die Anode abgezogen und die positiven Argonionen werden zu der Kathode hin beschleunigt, das bedeutet zu dem leitfähigen Target hin. Die Argonionen schlagen Atome aus dem Targetmaterial von dem Target durch eine Momenten- bzw. Impulsübertragung frei. Die Argonionen nehmen Elektronen von dem negativ geladenen Target auf und wandern zurück zu dem Plasma. Die freigesetzten Targetatome treten in das Plasma ein und reagieren mit einem reakti ven Gas, das in die Kammer eingeführt worden ist. Das reaktive Gas kann zum Beispiel Sauerstoff, Stickstoff, Bor, Acetylen, Ammoniak, Silan, Arsen, oder verschiedene andere Gase, sein. Das Reaktionsprodukt wird auf einem Substrat niegergeschlagen, das an grenzend an das Plasma positioniert ist. Das Substrat kann ein maskierter Halbleiterwa fer sein, auf dem eine Verbindung, wie beispielsweise ein Al₂O₃, ein SiO₂ oder ein ande rer Isolator oder ein Dielektrikum, niedergeschlagen werden soll. In einigen Prozessen kann das Substrat ein Bohrer, eine Verschleißplatte, eine Ventilspindel oder ein anderes mechanisches Teil sein, auf dem eine Abnutzungswiderstandsbeschichtung₁ wie bei spielsweise WC oder TiN, niedergeschlagen wird.
durch Anlegen eines elektrischen Potentials an ein leitfähiges Target durchgeführt, so daß das Targetmaterial von dem Target abgesputtert und mit einem reaktiven Gas in Reaktion gebracht wird, das in die Kammer eingeführt ist. Eine DC-Spannung eines ge eigneten Pegels, z. B. -500 Volt, wird von einer Energieversorgung aus an das Sput tertarget angelegt, das als Kathode dient, wobei eine leitfähige Oberfläche in der Plas makammer auf Masse gehalten wird, um als Anode zu dienen. Ein Edelgas, z. B. Argon, das in der Kammer vorhanden ist, wird ionisiert und erzeugt ein Plasma, z. B. Argon- Anionen und freie Elektronen. Die Elektronen werden in die Anode abgezogen und die positiven Argonionen werden zu der Kathode hin beschleunigt, das bedeutet zu dem leitfähigen Target hin. Die Argonionen schlagen Atome aus dem Targetmaterial von dem Target durch eine Momenten- bzw. Impulsübertragung frei. Die Argonionen nehmen Elektronen von dem negativ geladenen Target auf und wandern zurück zu dem Plasma. Die freigesetzten Targetatome treten in das Plasma ein und reagieren mit einem reakti ven Gas, das in die Kammer eingeführt worden ist. Das reaktive Gas kann zum Beispiel Sauerstoff, Stickstoff, Bor, Acetylen, Ammoniak, Silan, Arsen, oder verschiedene andere Gase, sein. Das Reaktionsprodukt wird auf einem Substrat niegergeschlagen, das an grenzend an das Plasma positioniert ist. Das Substrat kann ein maskierter Halbleiterwa fer sein, auf dem eine Verbindung, wie beispielsweise ein Al₂O₃, ein SiO₂ oder ein ande rer Isolator oder ein Dielektrikum, niedergeschlagen werden soll. In einigen Prozessen kann das Substrat ein Bohrer, eine Verschleißplatte, eine Ventilspindel oder ein anderes mechanisches Teil sein, auf dem eine Abnutzungswiderstandsbeschichtung₁ wie bei spielsweise WC oder TiN, niedergeschlagen wird.
Ein nicht-reaktives Sputtern kann dazu verwendet werden, eine leitfähige Schicht auf
das Hauptteil in einem Kompakt-Disk-Herstellungsprozeß niederzuschlagen, um eine
darauffolgende Elektroplattierung zu ermöglichen.
Wie zuvor erwähnt ist, wird das Reaktionsprodukt des reaktiven Sputterprozesses zufäl
lig niedergeschlagen und es beschichtet nicht nur das Arbeitsstück-Substrat, sondern
beschichtet auch andere Oberflächen, einschließlich Wände der Kammer und das Sput
tertarget. Eine Ansammlung der isolierenden Beschichtung kann einen Lichtbogen
induzieren und auch den verfügbaren Bereich des Sputtertargets reduzieren, um da
durch die Sputterrate über die Zeit zu reduzieren.
In dem Prozeß, der in der EPA-Patentanmeldung 0692 550 A1 beschrieben ist, wird die
DC-Energie, die an das Target angelegt wird, periodisch durch Umkehr-Vorspannungs-
Impulse eines DC-Spannungsniveaus unterbrochen, das relativ zu der Anode positiv ist.
Vorzugsweise befinden sich die Umkehr-Vorspannungs-Impulse auf einem Pegel von 50
bis 300 Volt oberhalb des Erdungspotentials, und diese werden bei einer Impulsfrequenz
von 40 kHz bis 250 kHz mit einer Impulsbreite von 1 µsec bis 3 µsec beauf
schlagt. Dies führt zu niedrigen Tastverhältnis-Impulsen (etwa 10% oder niedriger). Die
umgekehrte Vorspannung erzeugt eine Umkehrung der Ladung über das isolierende
Material. Diese Ansammlungen verhalten sich wie ein Kondensator, wobei das leitfähige
Target eine Platte ist und das leitfähige Plasma die andere Platte ist. Die Umkehrspan
nung wird lang genug (z. B. 2 µsec) beaufschlagt, so daß die Polarität der kapazitiven
Ladung umgekehrt wird, bis zu -300 Volt, und zwar auf der Plasmaseite des
Niederschlags.
Dann werden, wenn die normale oder negative Sputterspannung erneut angelegt wird,
die Argonionen in dem Plasma vorzugsweise zu dem umgekehrt aufgeladenen, dielektri
schen Material hin beschleunigt. Diese Ionen werden zu einer erhöhten Energie hin auf
grund der zusätzlichen Potentialdifferenz beschleunigt.
Als eine Folge werden die Moleküle des Niederschlags zurück aus dem Target gesput
tert. Dieser Prozeß ermöglicht auch, daß der aktive Sputteroberflächenbereich des Tar
gets so groß wie möglich verbleibt.
Dieser bevorzugte Sputterprozeß reinigt auch andere isolierende Kontaminierungsbe
standteile von der Oberfläche des Targets, ob es nun für ein reaktives Sputtern oder ein
herkömmliches Sputtern verwendet wird.
Obwohl der vorstehend erwähnte, bevorzugte Sputterprozeß stark bevorzugte Ergebnis
se auf dem Gebiet einer gepulsten DC-Energie erreicht hat, können zusätzliche Proble
me entstehen, die diese Technik nicht lösen kann. Zum Beispiel können durch Partikel
hervorgerufene Beschädigungen an der Oberfläche des Targets Anlaß zu einem durch
einen mechanischen Vorgang hervorgerufene Lichtbogen geben, das bedeutet, anhal
tende Lichtbogen-Probleme, die sich nicht selbst unmittelbar dann lösen, wenn die Um
kehr-Vorspannung angelegt wird. Auch kann ein extremer Spannungszustand existie
ren, zum Beispiel dann, wenn dort zu wenig Gas vorhanden ist, um ein Plasma zu stüt
zen. In den meisten Fällen wird ein Lichtbogen oder ein Überspannungszustand sich
selbst in einem einzelnen Zyklus der beaufschlagten, gepulsten Spannung beseitigen.
Allerdings müssen dort, wo die Umkehr-Vorspannungs-Spannung das Problem nicht be
seitigt, einige zusätzliche Schritte vorgenommen werden, um eine Beschädigung entwe
der des Werkstücks, der Plasmazelle oder der Energieversorgung zu verhindern. Aller
dings ist kein derzeitiges System in der Lage, in Verbindung mit der mit Umkehr-Vor
spannung gepulsten Energieversorgung zu arbeiten und auf ein Erfassen und Reagie
ren entweder eines andauernden Lichtbogens (ein anhängender Lichtbogen oder ein
Vielfach-Aufschlag-Lichtbogen) oder eines Überspannungszustand hin zu arbeiten.
Es ist eine Aufgabe dieser Erfindung, ein Sputtern oder einen anderen Plasmakammer
betrieb in einer Weise zu verstärken, die einen Lichtbogen- oder Überspannungszu
stand erfaßt und sich damit befaßt, und die die Probleme nach dem Stand der Technik
vermeidet.
Es ist eine andere Aufgabe, einen Sputtervorgang unter Bedingungen auszuführen, der
durch einen mechanischen Vorgang hervorgerufene Lichtbogen- und Überspannungs
zustände erfaßt und der automatisch Schritte vornimmt, um solche Zustände zu
beenden.
Es ist eine weitere Aufgabe der vorliegenden Erfindung, einen mechanisch hervorgeru
fenen Lichtbogen und eine Überspannung daran zu hindern, daß sie Komponenten der
Plasmaenergieversorgung beschädigen.
Gemäß einem Aspekt der vorliegenden Erfindung wird ein gepulster DC-Sputterprozeß
durch Absputtern von Targetmaterial von einem leitfähigen Target in einer Plasmakam
mer durchgeführt. Eine DC-Spannung wird zwischen dem Target und einer Anode in der
Plasmakammer angelegt, was bewirkt, daß Edelgasionen, die in der Kammer vorhanden
sind, auf das Target aufprallen. Die Edelgasionen sputtern Atome von dem Targetmate
rial weg. Die DC-Energieversorgung legt eine Impulswellenform an das Target unter
einer vorbestimmten Rate an. Jeder Zyklus der Impulswellenform umfaßt einen negati
ven Spannungsimpulsbereich unter einem vorbestimmten, negativen Spannungspegel,
z. B. -300 bis -700 Volt, und eine erste Impulsbreite, und einen positiven Spannungspe
gel relativ zu der Anode, z. B. +50 bis +300 Volt, und unter einer vorbestimmten zweiten
Impulsbreite.
Ein Überspannungsfühlschaltkreis, der einen Stapel oder eine Reihe Zener-Dioden auf
weisen kann, erfaßt, wenn die angelegte Spannung einen vorbestimmten, negativen
Spannungspegel übersteigt. Normalerweise wird sich ein Überspannungszustand selbst
in einem Zyklus durch Wirkung des Umkehr-Vorspannungs-Impulses beseitigen. Aller
dings wird, wenn der Überspannungszustand für zwei aufeinanderfolgende Zyklen be
steht, die Spannungsversorgung für eine gewisse, vorbestimmte Zeitperiode unterbro
chen werden. Die Kette Zener-Dioden blockiert bzw. klemmt irgendwelche Spannungs
überschüsse auf einen maximalen Pegel, um Schalttransistoren in der Energieversor
gung zu schützen.
Die angelegte Spannung wird auch kontinuierlich auf einen mechanisch hervorgerufe
nen Lichtbogen-Zustand überwacht. Um dies vorzunehmen, wird die angelegte Span
nung während einer Fensterperiode bei ungefähr 80% der Impulsbreite des negativen
Impulsbereichs jedes Zyklus abgefragt. Typischerweise wird ein Plasma einen Span
nungsabfall von einigen hundert Volt produzieren, wogegen der Spannungsabfall sehr
klein ist, wenn ein Lichtbogen auftritt, typischerweise ein paar Volt bis zwanzig Volt,
oder dergleichen. Demgemäß wird während der Fensterperiode die angelegte Span
nung überwacht, um zu bestimmen, wann sich die Spannung in einem niedrigen Span
nungsbereich, der charakteristisch für einen Lichtbogen ist, befindet. Wenn der niedrige
Spannungszustand für zwei Zyklen in Folge vorhanden ist, dann wird die DC-Energie
versorgung für eine gewisse Zeitperiode, von einigen Mikrosekunden bis einige Millise
kunden, unterbrochen, um den Lichtbogen zu beseitigen.
Alternativ kann die Unterbrechung initiiert werden, wenn ein Überspannungs- oder Licht
bogen-Zustand für einen Zyklus, drei Zyklen oder eine bestimmte andere Zahl von Zy
klen in Folge vorhanden ist.
Wenn diese Technik verwendet ist, vermeidet der Sputterprozeß die Probleme, die ei
nem Lichtbogen zugeordnet sind, wie beispielsweise eine Lichtbogen-Beschädigung in
Bezug auf das Substrat und Partikel in der gesputterten Beschichtung. Die Technik ver
hindert auch eine Beschädigung an der Plasmakammer und an der Energieversorgung
und an der Impulsgebereinheit. Dasselbe Element erfaßt sowohl den Überspannungs-
Zustand und blockiert irgendeine Überspannung, um die Ausrüstung zu schützen. Die
Verbesserung dieser Erfindung erfaßt verschiedene Typen von Erscheinungen und be
seitigt sie, um den Qualitätsgrad der Beschichtung auf dem Substrat zu verbessern.
Die vorstehenden und viele Aufgaben, Merkmale und Vorteile dieser Erfindung werden
aus der nachfolgenden Beschreibung einer bevorzugten Ausführungsform ersichtlich,
die in Verbindung mit den beigefügten Zeichnungen gelesen werden sollte.
Fig. 1 zeigt eine Schaltkreis-Schematik einer sputternden Energieversorgung mit einer
mechanischen Lichtbogen- und Überspannungserfassung gemäß einer Ausführungs
form dieser Erfindung.
Fig. 2 zeigt eine Schaltkreis-Schematik eines Steuerschaltkreises dieser Ausführungs
form zum Unterbrechen der Energieversorgung unter erfaßten Zuständen eines mecha
nisch hervorgerufenen Lichtbogens oder einer Überspannung.
Fig. 3A bis 3E zeigen Wellendiagramme zum Erläutern der Betriebsweise dieser
Ausführungsform.
Wie die Figuren, und zunächst die Fig. 1, zeigen, setzt eine gepulste DC-Sputteranord
nung eine DC-Plasma-Energieversorgung 10 ein, um DC-Energie zu einer Plasmakam
merlast 12 zuzuführen. Plasmakammern dieses Typs sind ausreichend bekannt und die
selben sind im Detail zum Beispiel in der veröffentlichten EPA-Anmeldung 0692 550 A1
mit dem Titel "Preferential Sputtering of Insulators from Conductive Targets" beschrie
ben und die unter Bezug darauf hier eingeschlossen wird. In diesem Beispiel besitzt die
DC-Versorgung einen positiven Anschluß 14 und einen negativen Anschluß 16, wobei
Energie einer ausgewählten DC-Spannung, z. B. zwischen 300 Volt und 700 Volt, zuge
führt wird. Mit der Energieversorgung 10 ist ein Umkehr-Impuls-Generator 18, der hier
so dargestellt ist, daß er eine Umkehrvorspannungsquelle 20, einen FET 22, der als ein
Schalter dient, und einen Steuerschaltkreis 24 zum Betätigen des Schalter-FET 22 um
faßt, verbunden. Die Betriebsweise des Umkehr-Impuls-Generators ist auch in der vor
stehend erwähnten Patentanmeldung beschrieben.
Ein Erfassungsschaltkreis 26 für einen mechanisch hervorgerufenen Lichtbogen ist mit
dem Eingang der Plasmakammerlast 12 verbunden, um einen Spannungszustand, der
charakteristisch für einen Lichtbogen ist, zu erfassen. Das bedeutet, daß unter Plasma
bedingungen der Spannungsabfall über das Plasma in der Größenordnung von einigen
hundert Volt sein wird. Allerdings erscheint ein Lichtbogen-Zustand als ein Kurzschluß
schaltkreis über das Plasma und liefert einen Spannungsabfall von einigen Volt bis etwa
100 Volt. Um einen niedrigen Spannungszustand zu erfassen, umfaßt der Schaltkreis ei
ne Reihe Widerstände 28a bis 28e, die als Spannungsteiler 28 dienen, und er ist mit ei
nem Eingang eines Spannungskomparators 30 verbunden, dessen anderer Eingang mit
einer Referenzspannungsquelle 32, hier ein Spannungsteiler, verbunden ist. Ein Aus
gang des Komparators 30 wird zu einer Opto-Übertragungseinrichtungsvorrichtung 34,
die hier als eine LED dargestellt ist, zugeführt.
Ein Überspannungserfassungs- und Blockierschaltkreis 36, der auch mit dem Eingang
der Plasmakammerlast 12 verbunden ist, umfaßt eine Kette bzw. einen String aus Ze
ner-Dioden 38 in Reihe, wobei die Kette an einem Ende mit der positiven DC-Energie
und an dem anderen Ende mit einem Überspannungs-Opto-Übertrager, der hier als eine
LED 44 dargestellt ist, einem Kondensator 20, einer eine Schutzspannung begrenzen
den Zener-Diode 42 und einem Widerstand verbunden ist. Die Zener-Dioden 38 sind so
ausgewählt, daß die Summe deren Umkehr-Durchbruchsspannungen gleich einem vor
bestimmten Überspannungsschwellwert ist. Eine alternative Spannungsbegrenzungs
technologie könnte anstelle der Zener-Dioden eingesetzt werden, z. B. MOV′s. Der Kon
densator 40, die Zener-Diode 42 und die LED 44 verbinden sich mit einer negativen DC
(-Schiene), die als ein momentaner Stromverbraucher für irgendwelche extremen Span
nungsausschläge dienen. Immer wenn die Spannung an dem Eingang zu der Last 12
diesen Schwellwert übersteigt, wird Strom durch die Kette 38 und durch die LED 44 flie
ßen, um einen Überspannungszustand zu signalisieren. Auch blockiert die Zener-Di
odenkette 38 irgendwelche Spannungsspitzen zu diesem Überspannungsschwellwert
und schützt demzufolge den Impulsgeber 18 und die Energieversorgung 10 ebenso wie
die Plasmakammer und das Substrat darin, das beschichtet werden soll.
Der Steuerschaltkreis 24 für die gepulste DC-Energieversorgung ist in weiterem Detail
in Fig. 2 dargestellt. Ein Systemtaktschaltkreis 46 weist eine einstellbare Spannungsan
stiegsquelle bzw. (lineare) Sägezahnspannungsquelle oder einen -generator 48, eine
Referenzspannungsquelle 50 und einen Komparator 52, dessen Ausgang ein Taktsignal
SYS CLOCK erzeugt, auf. Das Anstiegssignal von dem Anstiegsgenerator 48 wird zu ei
nem Eingang eines Tastverhältnis-Komparators 54 zugeführt, dessen anderer Eingang
mit einem Referenzspannungsteiler 56 gekoppelt ist. Der Ausgang dieses Komparators
54 liefert ein Impulssignal DUTY CYCLE, das die Impulsbreiten der positiven und nega
tiven Bereiche des gepulsten DC-Energiezyklus regelt. Der Anstiegsgenerator 48 und
der Referenzspannungsteiler 56 sind hier mit herkömmlichen (analogen) Komponenten
ausgeführt dargestellt, allerdings sollte verständlich werden, daß diese digital ausge
führt und mittels Software eingestellt werden könnten. Die Impulssignale SYS CLOCK
und DUTY CYCLE werden zu Eingängen eines Schaltersteuerschaltkreises 60 oder Im
pulsgebers zugeführt. Dies erzeugt ein Impulssignal, das zu einem Energieversorgungs
steuerschaltkreis 62 zugeführt wird, und definiert die positiven und negativen Impulsbereiche
der Impuls- und DC-Energie, wie dies z. B. in Fig. 3A dargestellt ist. Der Steuer
schaltkreis 24 führt eine gesteuerte Anschnitts- bzw. Torschaltungsspannung zu dem
Schalt-Transistor 22 (Fig. 1) zu.
Das Schaltkreisansprechverhalten zu einem mechanischen Lichtbogen ist auch in Fig. 2
dargestellt. Hier umfaßt ein Empfänger 66 für mechanisch hervorgerufene Lichtbogen
einen Photosensor, der optisch mit einem Opto-Transmitter 34 gekoppelt ist, und in der
Praxis können zwei Elemente zusammen als eine Opto-Isolator-Vorrichtung gepackt
werden. Ein Ausgang des Empfängers 66 läuft zu einem Eingang eines Lichtbogen-Er
fassungsschaltkreises 68. Ein Zeitabstimmungskomparator 72 wird mit dem Signal
RAMP und einem Referenzpegel versorgt. Der Komparator 72 ist so vorgespannt, um
einen Torschaltungsfensterimpuls 80% CLOCK zu liefern, wenn ein vorbestimmter Be
reich des negativen Impulsbereichs (z. B. 80 Prozent) des gepulsten DC-Energiezyklus
abgelaufen ist. Der Torschaltungsfensterimpuls 80% CLOCK wird zu einem anderen
Eingang des Lichtbogenerfassungsschaltkreises 68 zugeführt. Der Ausgang des
Lichtbogenerfassungsschaltkreises 68 geht zu hoch über, wenn, während das Auftreten
des Torschaltungsfensters, die angelegte Spannung, die an der Plasmakammerlast 12
auftritt, weniger negativ als der vorbestimmte, negative Schwellwert ist. Der Lichtbo
generfassungsausgang wird zu einem Lichtbogenfehlerzählerschaltkreis 70 zugeführt.
Das Taktsignal SYS CLOCK wird zu einem Takteingang des Zählerschaltkreises 70 zu
geführt. Wenn der Lichtbogenerfassungsausgang für zwei Zyklen in einer Reihe hoch
verbleibt, wird ein Signal zu einem Zeitgeberschaltkreis 74 zugeführt. Der letztere wird
betätigt, wenn der Ausgang des Lichtbogenfehlerzählers 70 hoch ist, und dies erzeugt
ein Verhinderungssignal SD, das zu dem Schaltersteuerschaltkreis 60 und dem Ener
gieversorgungssteuerschaltkreis 62 zugeführt wird. Der Effekt hiervon ist derjenige, die
gepulste DC-Energie für eine Zeitperiode, wie beispielsweise 200 Mikrosekunden, zu
unterbrechen, wenn eine Lichtbogenbildung in zwei aufeinanderfolgenden Zyklen der
angelegten Energie erfaßt wird. Dies kann unter Bezugnahme auf die Fig. 3B und 3D er
läutert werden.
Wie in Fig. 3B dargestellt ist, zeigt, während normaler, stabiler Zustände für jeden ins
Negativ laufenden Impulsbereich, die angelegte Spannung einen negativen Überschuß
und dann einen Anstieg bis zu dem nächsten, darauffolgenden Umkehr-Vorspannungs-
(positiven) Impuls. In diesem Fall übersteigt der negative Impulsbereich immer ein paar
hundert Volt, was typisch für einen Plasmazustand ist. Allerdings würden, wenn eine
Lichtbogenbildung auftreten sollte, die Spannungspegel, die während des negativen Impulsbereichs
der angelegten Spannung aufgetreten sind, sehr viel kleiner sein. Tatsäch
lich würde ein Lichtbogen, der in der Plasmakammer 12 auftritt, als eine niedrige Impedanz
oder ein Kurzschlußschaltkreis wirken und würde einen kleinen Spannungsabfall
über die Kammer 12 liefern.
Wie nun auch die Fig. 3D und 3E zeigen, tasten der Erfassungsschaltkreis 34 für me
chanisch hervorgerufene Lichtbogen, der Empfänger 66 und der zugeordnete logische
und Zeitabstimmungsschaltkreis 68 bis 74 die angelegte Energie (Fig. 3D) während Auf
tretungen der Torschaltungsfensterimpulse 80% CLOCK (Fig. 3E) ab. Wenn die ange
legte Spannung zu diesem Zeitpunkt innerhalb eines Bereichs, der charakteristisch für
eine Lichtbogenbildung ist, liegt, die weniger negativ als eine Schwellwertspannung -Varc
ist, dann leuchtet der Opto-Transmitter 34 und kommuniziert optisch mit dem Empfänger 66.
Wenn dies nur für einen einzelnen Zyklus auftritt, fährt die gepulste DC-Energie nor
mal fort. In den meisten Fällen werden die Umkehr-Vorspannungs-Impulse irgendein
Problem beseitigen und es ist kein Erfordernis vorhanden, die an die Plasmakammer
angelegte Energie zu unterbrechen. Dies wird durch den zweiten und den dritten Zyklus,
der in Fig. 3D gezeigt ist, dargestellt. Wenn nur ein einzelner Fall einer Lichtbogenbil
dung auftritt, dann setzt sich der Lichtbogenfehlerzähler 70 zurück und der Ausgang
verbleibt niedrig. Die Schwellwertspannung -Varc kann z. B. 50 Volt, 100 Volt oder ein an
derer, geeigneter Wert sein.
Allerdings wird, wenn eine Lichtbogenbildung während des Impulses 80% CLOCK für
zwei Zyklen in Folge vorhanden ist, wie dies in dem vierten und fünften Zyklus, der in
Fig. 3D dargestellt ist, angezeigt ist, gibt der Lichtbogenfehlerzähler 70 einen hohen Pe
gel aus. Dies aktiviert den Zeitgeberschaltkreis 74, was den Steuerschaltkreis 60 und
den Versorgungssteuerschaltkreis 62 (z. B. 24, Fig. 1) sperrt. Diese Wirkung schaltet ef
fektiv die angelegte Energie für eine vorbestimmte Zeitperiode (vorzugsweise ein paar
hundert Mikrosekunden) ab und legt eine Umkehrvorspannung für diese Periode an, um
schnell den Lichtbogen aufzulösen. Danach kann die normal gepulste DC-Energie wie
der aufgenommen und an die Plasmakammer angelegt werden.
In dieser Ausführungsform wird die DC-Energie abgeschaltet, wenn eine Lichtbogenbil
dung in zwei Zyklen in Reihe vorhanden ist. Falls es bevorzugt ist, könnte der Schalt
kreis so angeordnet werden, daß er eine Lichtbogenbildung über einen Zyklus, drei Zy
klen in Folge, drei Zyklen von fünf, oder über irgendein anderes Schema erfordert.
Wie wiederum Fig. 2 zeigt, ist ein Überspannungsempfänger 76 mit der Überspan
nungs-Transmitter-LED 44 optisch gekoppelt. Ein Ausgang des Empfängers 76 wird zu
einem Ausgang eines Überspannungs-Fehler-Zählerschaltkreises 78 verbunden und
das Taktsignal SYS CLOCK wird zu einem Takteingang davon zugeführt. Der Ausgang
des Überspannungs-Fehler-Zählerschaltkreises 78 wird mit einem Eingang eines Über
spannungs-Fehler-Zeitgeberschaltkreises 80 gekoppelt, wobei letzterer ein Unterbre
chungssignal zu dem Schaltsteuerschaltkreis 60 (z. B. 24, Fig. 1) und dem Versorgungs
schaltkreis 62 immer dann liefert, wenn ein Überspannungszustand für zwei Zyklen in
Folge der angelegten Energie vorhanden ist. Das Zeitgeberschaltkreis-Unter
brechungssignal kann eine typische Dauer von 200 Mikrosekunden haben. In dieser
Ausführungsform geht der Überspannungs-Fehlerzähler zu hoch über, wenn er ein
Überspannungssignal von dem Überspannungsempfänger 76 nach jedem von zwei auf
einanderfolgenden Erscheinungen des Taktsignals SYS CLOCK empfängt, allerdings
wird er niedrig unter allen anderen Zuständen verbleiben.
Eine Betriebsweise der Überspannungserfassungs- und -schutzanordnung kann unter
Bezugnahme auf Fig. 3C erläutert werden. Wie zuvor erwähnt ist, ist ein negativer
Spannungsüberschuß, der zu Beginn eines negativen Spannungsimpulsbereichs für je
den Zyklus der angelegten Spannung auftritt, vorhanden. Dies ist in dem ersten Zyklus
in Fig. 3C dargestellt und ist auch in ähnlicher Weise in Fig. 3B dargestellt. Die ange
legte Spannung kann in dem Bereich von etwa minus 50 bis minus 4000 Volt liegen, und
zwar in Abhängigkeit von den Betriebsbedingungen und dem Plasmaprozeß, der einge
setzt wird, und der zulässige Überschuß kann ein großer Bruchteil hiervon sein. Aller
dings kann unter bestimmten Bedingungen das Plasma ausbrennen bzw. nachlassen,
vorhanden zu sein, oder sich abnormal verhalten, und die Plasmakammerlast 12 kann
eine infinite Impedanz darstellen. Dies kann einen klopfenden Zustand erzeugen. In die
sem Fall werden, wie in dem zweiten oder dritten Zyklus in Fig. 3C dargestellt ist, Span
nungsauswanderungen über den zulässigen Bereich hinaus auftreten. In diesem Fall
kann die Zener-Kette 38 so ausgewählt sein, daß sie einen Überspannungsschwellwert
Vov in der Größenordnung von tausend bis ein paar tausend Volt besitzt. Wenn die an
gelegte Spannung, die über die Last 12 erscheint, diesen Schwellwert Vov übersteigt,
wird der Überspannungs-Transmitter 34 erleuchtet und der Überspannungs-Empfänger
76 sendet einen hohen Pegel zu dem Überspannungs-Fehlerzähler 78. Wenn ein Über
spannungszustand für nur einen einzelnen Zyklus vorhanden ist, fährt der Steuerschalt
kreis 60 (24, Fig. 1) fort, zu normal zu schalten, und in den meisten Fällen wird sich das
Überspannungsproblem selbst beseitigen. Allerdings kommuniziert, wenn der Überspan
nungszustand für zwei Zyklen in Folge vorhanden ist, dann der Zeitgeber 80 einen Ver
hinderungs- bzw. Sperr-Befehl SD sowohl zu dem Steuerschaltkreis 60 (24, Fig. 1) als
auch zu der Versorgungssteuerung 62, und die angelegte Energie wird für die vorbe
stimmte Zeit, die gerade vorstehend erwähnt ist, unterbrochen. Alternativ könnte die
Energie unterbrochen und die Umkehrspannung für die Zeit der Aus-Periode angelegt
werden. Hierbei wird wiederum in dieser Ausführungsform die Energie abgeschaltet
werden, wenn ein Überspannungszustand für zwei Zyklen in Folge vorhanden ist, und
der Impulsgeber wird auch in einem Aus-Zustand gehalten werden. In anderen mögli
chen Ausführungsformen könnten andere Schemata verwendet werden, wie beispiels
weise ein Zyklus, drei Zyklen in Folge, oder drei Zyklen von fünf.
Hier nimmt wiederum, wie bei der Erfassung der mechanisch hervorgerufenen Lichtbo
gen und einen Schutz dafür, nach der Unterbrechungsperiode, wie sie durch den Zeit
geberschaltkreis 80 bestimmt wird, der Steuerschaltkreis 24 (z. B. 60, Fig. 2) normale
Betriebszustände an und erwartet das Auftreten von zwei aufeinanderfolgenden Zyklen
mit Überspannungsauswanderungen oder zwei aufeinanderfolgende Zyklen mit einer
Lichtbogenbildung.
Claims (9)
1. Gepulster DC-Sputterprozeß, wobei ein Targetmaterial von einem leitfähigen Tar
get in einer Plasmakammer abgesputtert wird und das abgesputterte Material auf
einem Substrat in der Kammer niedergeschlagen wird, in der eine angelegte DC-
Spannung zwischen dem Target und einer Anode in der Kammer bewirkt, daß
Edelgasionen, die in der Kammer vorhanden sind, auf das Target auftreffen, um
Atome von dem Targetmaterial abzusputtern, wobei die angelegte Spannung eine
Impulswellenform mit einer vorbestimmten Impulsrate besitzt, wobei jeder Zyklus
davon einen negativen Vorwärts-Spannungsbereich unter einem vorbestimmten,
negativen Pegel relativ zu der Anode und eine vorbestimmte, erste Impulsbreite,
und einen positiven Umkehrspannungspegel relativ zu der Anode und eine vorbe
stimmte zweite Impulsbreite besitzt; gekennzeichnet dadurch, daß die angelegte
Spannung zwischen dem Target und der Anode automatisch hinsichtlich einer
Überspannung überwacht wird, und, falls die angelegte Spannung einen vorbe
stimmten, negativen Überspannungsschwellwert während des negativen Span
nungsbereichs über eine vorbestimmte Vielzahl aufeinanderfolgender Zyklen über
steigt, dann automatisch die angelegte DC-Spannung unterbrochen wird; und daß
die angelegte Spannung zwischen dem Target und der Anode hinsichtlich einer
Lichtbogenbildung an einem vorbestimmten Fensterintervall während jedes negati
ven Impulsbereichs überwacht wird, und falls die angelegte Spannung in einem
Bereich einer Charakteristik von Spannungen einer Lichtbogenbildung in dem Fen
sterintervall über eine vorbestimmte Anzahl aufeinanderfolgenden Zyklen liegt,
dann automatisch die angelegte DC-Spannung unterbrochen wird.
2. Gepulster DC-Sputterprozeß nach Anspruch 1, der weiterhin dadurch gekenn
zeichnet ist, daß der Schritt eines Überwachens der angelegten Spannung hin
sichtlich einer Überspannung ein Blockieren der angelegten Spannung an dem
Überspannungsschwellwert umfaßt, wenn die angelegte Spannung den Schwell
wert erreicht oder ihn übersteigt.
3. Gepulster DC-Sputterprozeß nach Anspruch 1 oder 2, der weiterhin dadurch ge
kennzeichnet ist, daß für den Schritt eines Erfassens der angelegten Spannung
hinsichtlich einer Überspannung die vorbestimmte Mehrzahl von Zyklen zwei Zy
klen in Folge beträgt.
4. Gepulster DC-Sputterprozeß nach Anspruch 1, 2 oder 3, der weiterhin dadurch ge
kennzeichnet ist, daß für den Schritt eines Erfassens der angelegten Spannung für
eine Lichtbogenbildung die vorbestimmte Mehrzahl von Zyklen zwei Zyklen in Fol
ge ist.
5. DC-Plasma-Anordnung für ein DC-Sputtern, wobei eine Plasmakammer eine An
ode, ein Substrat und ein Target aufnimmt und das Targetmaterial von dem Target
abgesputtert und auf dem Substrat niedergeschlagen wird, wobei eine gepulste
DC-Energieversorgung (10) zu dem Target eine angelegte, negative Spannung un
ter einem vorbestimmten Pegel liefert, was bewirkt, daß ein Plasma aus Edelgasio
nen in der Kammer auf das Target mit einer ausreichenden Energie auftrifft, um
Targetmaterial von dem Target derart freizugeben, daß sich das Targetmaterial
selbst auf dem Substrat niederschlägt, die einen periodischen Umkehrvorspan
nungsschaltkreis (18, 24) zum Anlegen der negativen Spannung an das Target un
ter dem vorbestimmten Pegel für Impulsintervalle einer vorbestimmen Impulsdauer
und Anlegen von Impulsen einer positiven Spannung an das Target relativ zu der
Anode zwischen den Auftretungen der negativen Spannung umfaßt, so daß be
nachbarte Impulse der negativen Spannung und der positiven Spannung einen Zy
klus definieren, der eine vorbestimmte Impulsrate besitzt; und gekennzeichnet ist
dadurch, daß eine Überspannungsschutzanordnung (36) die angelegte Spannung
zwischen dem Target und der Anode überwacht, und falls die angelegte Spannung
einen vorbestimmten negativen Überspannungsschwellwert während des negati
ven Spannungsbereichs über eine vorbestimmte Anzahl aufeinanderfolgender Zy
klen übersteigt, er dann automatisch die DC-Spannung unterbricht; und daß eine
Lichtbogen-Beseitigungsanordnung (26, 28, 30, 32, 34) die angelegte Spannung
zwischen dem Target und der Anode hinsichtlich einer Lichtbogenbildung an ei
nem vorbestimmten Fensterintervall während jedes negativen Impulsbereichs über
wacht, und falls die angelegte Spannung in einem Bereich von Spannungen, die
charakteristisch für eine Lichtbogenbildung sind, in dem Fensterintervall über eine
vorbestimmte Anzahl von aufeinanderfolgenden Zyklen liegt, dann die Lichtbogen-
Beseitigungsanordnung automatisch die DC-Spannung unterbricht und eine Um
kehr-Vorspannungs-Spannung an das Target für eine verlängerte Zeitperiode
anlegt.
6. DC-Plasma-Anordnung nach Anspruch 5, die weiterhin dadurch gekennzeichnet
ist, daß die Überspannungs-Schutzanordnung einen Blockierschaltkreis (42) zum
Blockieren der angelegten Spannung an dem Überspannungsschwellwert umfaßt,
wenn die angelegte Spannung den Schwellwert erreicht oder übersteigt.
7. DC-Plasma-Anordnung nach Anspruch 6, die weiterhin dadurch gekennzeichnet
ist, daß die Überspannungs-Schutzeinrichtung einen Reihenstapel aus Zener-Di
oden (38) umfaßt, die zwischen Ausgangsanschlüssen der gepulsten DC-Energie
versorgung verbunden sind.
8. DC-Plasma-Anordnung nach Anspruch 6 oder 7, die weiterhin dadurch gekenn
zeichnet ist, daß die Überspannungs-Schutzanordnung einen Opto-Transmitter
(44), der zwischen dem Stapel Zener-Dioden (38) und einer Stromsenke verbun
den ist, einen Opto-Empfänger (76), der optisch mit dem Transmitter (44) verbun
den ist, und eine Schaltkreisanordnung (78, 80), die durch den Opto-Empfänger
betätigt wird, um die DC-Energieversorgung zu unterbrechen, wenn der Opto-Emp
fänger eine Überspannung für die Anzahl aufeinanderfolgender Zyklen anzeigt,
umfaßt.
9. DC-Plasma-Anordnung nach einem der Ansprüche 5-8, die weiterhin dadurch ge
kennzeichnet ist, daß eine Lichtbogenbeseitigungsanordnung einen Spannungs
komparator (30), der einen Ausgang und Eingänge besitzt, die mit einem Ausgang
der DC-Energieversorgung und mit einer Referenzspannungsquelle (32) gekoppelt
sind, einen Opto-Transmitter (34), der durch den Ausgang des Komparators (30)
angesteuert ist, einen Opto-Empfänger (66), der optisch mit dem Transmitter (34)
verbunden ist, einen Fenster-Zeitgeber (72) zum Erzeugen eines Fenstersignals
während des vorbestimmten Fensterintervalls für jeden negativen Impulsbereich
jedes Zyklus, einen logischen Schaltkreis (68-74), der mit dem Opto-Empfänger
und dem Fenster-Zeitgeber (72) zum Erfassen, ob die charakteristische Spannung
während des Fensterintervalls für die vorbestimmte Anzahl von Zyklen vorhanden
ist, und eine Unterbrecheranordnung (60, 62), die mit dem logischen Schaltkreis
(68-74) zum Unterbrechen der DC-Energieversorgung gekoppelt ist, wenn die cha
rakteristische Spannung während des Fensterintervalls für die vorbestimmte An
zahl von Zyklen vorhanden ist, umfaßt.
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