DE19615481C5 - Arched metal-ceramic substrate - Google Patents

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Abstract

Gewölbtes Metall-Keramik-Substrat ausschließlich bestehend aus einer Keramikschicht (2) und jeweils einer an der Oberseite und an der Unterseite der Keramikschicht (2) vorgesehenen Metallisierung (3, 4), wobei das Substrat um wenigstens eine Achse (Q') parallel zur Ebene des Substrates gekrümmt ist, und zwar zur Ausbildung einer konvex gekrümmten Unterseite und einer konkav gekrümmten Oberseite, wobei die Dicke der Metallisierungen (3, 4) an der Oberseite und Unterseite der gewölbten Keramikschicht (2) gleich ist, dadurch gekennzeichnet, dass die Krümmung des Substrates ohne Einwirkung äußerer Kräfte beständig und in vorgegebenen Grenzen derart ausgebildet ist, dass der Abstand (x), den ein parallel zur Krümmungsachse liegender Rand (2') des Substrates (1, 14, 15, 16) von einer die Mitte der Krümmung oder des Substrates (1, 14, 15, 16) tangential berührenden Ebene (6) aufweist, zwischen etwa 0,1–0,8% der Längenabmessung ist, die das Substrat (1, 14, 15, 16) oder die Keramikschicht (2) in Richtung senkrecht zur...A curved metal-ceramic substrate exclusively consisting of a ceramic layer (2) and one each at the top and at the bottom of the ceramic layer (2) provided metallization (3, 4), wherein the substrate about at least one axis (Q ') parallel to Level of the substrate is curved, namely to form a convex curved bottom and a concave curved top, wherein the thickness of the metallizations (3, 4) at the top and bottom of the curved ceramic layer (2) is the same, characterized in that the curvature of the substrate without the action of external forces resistant and formed within predetermined limits such that the distance (x), a parallel to the axis of curvature lying edge (2 ') of the substrate (1, 14, 15, 16) of a the center of the curvature or the substrate (1, 14, 15, 16) tangentially contacting plane (6) is between about 0.1-0.8% of the length dimension, the substrate (1, 14, 15, 16) or the Ke ramikschicht (2) in the direction perpendicular to the ...

Description

Die Erfindung bezieht sich auf ein gewölbtes Metall-Keramik-Substrat gemäß Oberbegriff Patentanspruch 1.The invention relates to a curved metal-ceramic substrate according to the preamble of claim 1.

Bekannt ist die Herstellung von Metall-Keramik-Substraten, die jeweils aus einer Keramikschicht mit einer Metallisierung an beiden Oberflächenseiten der Keramikschicht bestehen, und zwar mit Hilfe des sogenannten ”DCB-Verfahrens” (Direct-Copper-Bond-Technology) und unter Verwendung von Metallisierung bildenden Metall- bzw. Kupferfolien oder Metall- bzw. Kupferblechen, die an ihren Oberflächenseiten eine Schicht oder einen Überzug (Aufschmelzschicht) aus einer chemischen Verbindung aus dem Metall und einem reaktiven Gas, bevorzugt Sauerstoff aufweisen. Bei diesem beispielsweise in der EP 0 144 866 A2 oder in der DE 42 33 073 A1 beschriebenen Verfahren bildet dieser Überzug (Aufschmelzschicht) ein Eutektikum mit einer Schmelztemperatur unter der Schmelztemperatur des Metalls (z. B. Kupfers), so dass durch Auflegen der Folie auf die Keramik und durch Erhitzen sämtlicher Schichten diese miteinander verbunden werden können, und zwar durch Aufschmelzen des Metalls bzw. Kupfers im wesentlichen nur im Bereich der Aufschmelzschicht bzw. Oxidschicht.The production of metal-ceramic substrates is known, each of which consists of a ceramic layer with a metallization on both surface sides of the ceramic layer, by means of the so-called "DCB method" (Direct Copper Bond Technology) and using Metallization forming metal or copper foils or metal or copper sheets having on their surface sides a layer or coating (reflow layer) of a chemical compound of the metal and a reactive gas, preferably oxygen. In this example, in the EP 0 144 866 A2 or in the DE 42 33 073 A1 As described, this coating (melting layer) forms a eutectic with a melting temperature below the melting temperature of the metal (eg copper), so that by laying the film on the ceramic and by heating all the layers they can be joined together, by melting of the metal or copper essentially only in the region of the melting layer or oxide layer.

Bekannt ist auch ein Metall-Keramik-Substrat ( EP 0 279 601 A2 ), welches aus einer Keramikschicht und jeweils einer Metallisierung an jeder Oberflächenseite der Keramikschicht besteht, wobei die Metallisierungen mit Hilfe des DCB-Prozesses auf die Keramikschicht aufgebracht sind. Eine der beiden Metallschichten besitzt eine größere Dicke als die andere Metallschicht, so dass sich beim Abkühlen nach Beendigung des DCB-Prozesses aufgrund unterschiedlicher mechanischer Spannungen eine Wölbung des Metall-Keramik-Substrates entsprechend einem Biegemetalleffekt einstellt.Also known is a metal-ceramic substrate ( EP 0 279 601 A2 ), which consists of a ceramic layer and a respective metallization on each surface side of the ceramic layer, wherein the metallization by means of the DCB process are applied to the ceramic layer. One of the two metal layers has a greater thickness than the other metal layer, so that settles on cooling after completion of the DCB process due to different mechanical stresses a curvature of the metal-ceramic substrate according to a Biegemetalleffekt.

Das Substrat wird im Verwendungsfall mit seiner konvex gewölbten Unterseite gegen einen Kühlkörper angelegt und angedrückt, so dass es dann flach und angepresst gegen den Kühlkörper anliegt. Hierdurch soll ein verbesserter Wärmeübergang zwischen Substrat und dem Kühlkörper erreicht werden. Nachteilig ist aber, dass die Anpresswirkung des Substrates allein durch die unterschiedlich dicken Metallschichten bewirkt wird, während die durch die unterschiedlichen mechanischen Spannungen in den Metallschichten, d. h. durch Einwirkung äußerer Kräfte verformte Keramikschicht dieser Anpresswirkung entgegenwirkt. Außerdem gehen insbesondere bei Verwendung von Kupfer als Metall die Anpresswirkung und damit die angestrebte Verbesserung des Wärmeübergangs durch Alterung und Fließen des Metalls verloren, ebenso auch bei größerer Erwärmung der konkaven Oberseite des Substrats durch Verlustwärme der auf dem Substrat vorgesehenen Bauelemente.The substrate is applied in the case of use with its convexly curved bottom against a heat sink and pressed so that it then flat and pressed against the heat sink. As a result, an improved heat transfer between the substrate and the heat sink to be achieved. The disadvantage, however, is that the pressing action of the substrate is effected solely by the metal layers of different thicknesses, while those caused by the different mechanical stresses in the metal layers, d. H. counteracted by the action of external forces deformed ceramic layer of this contact pressure. In addition, especially when using copper as the metal, the contact pressure and thus the desired improvement in heat transfer through aging and flow of the metal are lost, as well as greater heating of the concave top of the substrate by heat loss of the components provided on the substrate.

Bekannt ist weiterhin ein Halbleitermodul mit einem Metall-Keramik-Substrat ( EP 0 144 866 A2 ), welches an der Oberseite mit Halbleiterbauelementen bestückt ist und mit seiner Unterseite gegen eine Bodenfläche eines Gehäuses anliegt. Um beim Erhitzen der Bauelemente und des Substrates ein Verformen dieses Substrates durch den Bimetall-Effekt zu vermeiden, ist das Substrat an seiner Unterseite konkav und an seiner Oberseite konvex gewölbt und mit der an der Unterseite vorgesehenen Metallisierung mit einer Basisplatte aus Kupfer verbunden, die zur Absorbierung von Spannungen aus dem Bimetall-Effekt des DCB-Substrates eine ausreichende Dicke aufweist.Also known is a semiconductor module with a metal-ceramic substrate ( EP 0 144 866 A2 ), which is equipped at the top with semiconductor devices and rests with its underside against a bottom surface of a housing. In order to avoid deformation of this substrate by the bimetallic effect when heating the components and the substrate, the substrate is concave on its underside and curved convexly on its upper side and connected to the provided at the bottom metallization with a base plate made of copper, the Absorbing of stresses from the bimetallic effect of the DCB substrate has a sufficient thickness.

Bekannt ist weiterhin ( JP 07 202 073 A ), ein Metall-Keramik-Substrat bestehend aus einer Aluminium-Nitrid-Keramikschicht und aus an beiden Oberflächenseiten der Keramik mit Hilfe des DCB-Verfahrens aufgebrachten Metallisierungen unter Einwirkung einer äußeren Kraft zu krümmen, und zwar für Testzwecke in der Form, dass die Durchbiegung zwischen zwei 30 mm voneinander beabstandeten Abstützpunkten 0,1 bis 0,5 mm beträgt.It is also known ( JP 07 202 073 A ) to bend a metal-ceramic substrate consisting of an aluminum nitride ceramic layer and metallizations deposited on both surface sides of the ceramic by the DCB method under the action of an external force, for test purposes in the form that the deflection between two 30 mm spaced support points is 0.1 to 0.5 mm.

Bekannt ist weiterhin ein Verfahren zum Herstellen eines Halbleiter-Modulaufbaus ( DE 42 33 073 A1 ) bestehend aus einem Metallboden und einem mit diesen Metallboden verbundenen Metall-Keramik-Substrat. Für die Herstellung werden der Metallboden und das beidseitig mit einer Metallisierung versehene Metall-Keramik-Substrat in eine Elastomerform eingelegt. Auf die Bodenplatte wird dann ein Druckstempel mit konkaver Stempelfläche aufgesetzt und die beiden Teile werden unter Temperatur derart verformt, dass die Bodenplatte und das Keramiksubstrat miteinander verbunden und konvex gekrümmt sind. Die Wölbung wird dem Metall-Keramik-Substrat durch die verformte Bodenplatte aufgeprägt, die damit ein integrativer Bestandteil des Metall-Keramik-Substrats ist.Also known is a method for producing a semiconductor module structure ( DE 42 33 073 A1 ) consisting of a metal bottom and connected to this metal bottom metal-ceramic substrate. For the preparation of the metal bottom and provided on both sides with a metallization metal-ceramic substrate are inserted into an elastomeric form. On the bottom plate, a plunger is then placed with konkaver stamp surface and the two parts are deformed under temperature such that the bottom plate and the ceramic substrate are interconnected and convexly curved. The camber is impressed on the metal-ceramic substrate by the deformed bottom plate, which is thus an integral part of the metal-ceramic substrate.

Aufgabe der Erfindung ist es, ein Metall-Keramik-Substrat aufzuzeigen, welches bei einer vereinfachten Herstellung, beispielsweise mit Hilfe der DCB-Technik, eine optimale Kühlwirkung gewährleistet.The object of the invention is to show a metal-ceramic substrate, which ensures an optimal cooling effect in a simplified production, for example by means of the DCB technique.

Zur Lösung dieser Aufgabe ist ein Metall-Keramik-Substrat entsprechend dem Patentanspruch 1 ausgebildet.To solve this problem, a metal-ceramic substrate is formed according to claim 1.

Die Krümmung des erfindungsgemäßen Substrats besteht ohne äußere Kräfte oder Krafteinwirkung. Hierfür besitzen die beiden, jeweils unter Verwendung der DCB-Technik auf die Oberflächenseiten der Keramikschicht aufgebrachten Metallisierungen die selbe Dicke, so dass sowohl bei der Herstellung des Substrates, als auch bei der späteren Verwendung dieses Substrates ein Bimetall-Effekt bei Temperaturänderungen weitgehend vermieden werden kann. Durch die Krümmung des Substrates ist es möglich, dieses im Verwendungsfall elastisch derart in eine ebene Form zu biegen, dass es aufgrund der elastischen Spannung der Keramikschicht dicht und fest gegen eine Fläche einer wärmeableitenden Metallfläche anliegt und sich hierdurch eine verbesserte Wärmeableitung ergibt, insbesondere auch bei Verwendung einer Kühlpaste zwischen dem Substrat und der Metallplatte. Das Anliegen des Metall-Keramik-Substrates gegen die Metallfläche wird somit in erster Linie durch die elastischen Eigenschaften der Keramikschicht erreicht.The curvature of the substrate according to the invention is without external forces or force. For this purpose, the two have each applied to the surface sides of the ceramic layer using the DCB technique Metallizations the same thickness, so that a bimetallic effect with temperature changes can be largely avoided both in the preparation of the substrate, as well as in the subsequent use of this substrate. Due to the curvature of the substrate, it is possible, in the case of use, to elastically bend this into a planar shape so that it rests tightly and firmly against a surface of a heat-dissipating metal surface due to the elastic stress of the ceramic layer, resulting in improved heat dissipation, in particular also Use of a cooling paste between the substrate and the metal plate. The concern of the metal-ceramic substrate against the metal surface is thus achieved primarily by the elastic properties of the ceramic layer.

Bei dem Krümmungsgrad, welchen die Erfindung vorsieht, ist auch ein Brechen der Keramikschicht mit Sicherheit vermieden. Weiterbildungen der Erfindung sind Gegenstand der Unteransprüche. Die Erfindung wird im Folgenden anhand der Figuren an einem Ausführungsbeispiel näher erläutert. Es zeigen:At the degree of curvature which the invention provides, breaking of the ceramic layer is certainly avoided. Further developments of the invention are the subject of the dependent claims. The invention will be explained in more detail below with reference to the figures of an embodiment. Show it:

1 in vereinfachter Darstellung und in Seitenansicht ein Substrat gemäß der Erfindung, zusammen mit einer unter dem Substrat angeordneten Metallplatte; 1 in a simplified representation and in side view, a substrate according to the invention, together with a metal plate arranged under the substrate;

2 eine Draufsicht auf das Substrat der 1; 2 a plan view of the substrate of 1 ;

3 in vergrößerter Detaildarstellung einen Schnitt durch den in einem Gehäuse eingespannten Rand des Substrates; 3 in enlarged detail a section through the clamped in a housing edge of the substrate;

4 in Draufsicht verschiedene Formen eines Substrates der Erfindung. 4 in plan view various forms of a substrate of the invention.

Das in den Figuren dargestellte Substrat 1 besteht im Wesentlichen aus einer Keramikschicht bzw. Keramikplatte 2, die beispielsweise eine Aluminiumoxid-Keramik ist und die an beiden Oberflächenseiten mit jeweils einer Metallisierung 3 bzw. 4 versehen ist. Die Metallisierungen 3 und 4 sind jeweils von einer Kupferfolie gebildet, die mit Hilfe der dem Fachmann bekannten DCB-Technik flächig mit der Keramikschicht 2 verbunden ist.The substrate shown in the figures 1 consists essentially of a ceramic layer or ceramic plate 2 , which is for example an alumina ceramic and on both sides of the surface, each with a metallization 3 respectively. 4 is provided. The metallizations 3 and 4 are each formed by a copper foil which, with the aid of the DCB technique known to the person skilled in the art, has a planar surface with the ceramic layer 2 connected is.

Bei der dargestellten Ausführungsform besitzt die Keramikschicht 2 in Draufsicht einen rechteckförmigen Zuschnitt mit der längeren Längsachse L und der hierzu senkrecht verlaufenden kürzeren Querachse Q. Die Keramikschicht 2 ist bei der dargestellten Ausführungsform um eine Achse parallel zur Querachse gewölbt oder gekrümmt, so dass die Oberseite der Keramikschicht 2 konkav und die Unterseite konvex ist. In gleicher Weise sind auch die dortigen Metallisierungen 3 und 4 gewölbt. Die Krümmungsachse ist in der 1 mit Q' angedeutet, besitzt aber tatsächlich einen wesentlich größeren Abstand vom Substrat 1, als in dieser Fig. gezeigt. Die Metallisierung 3 an der Oberseite ist strukturiert und bildet Leiterbahnen sowie Kontaktflächen, und zwar letztere insbesondere auch zum Befestigen, z. B. zum Auflöten von elektronischen Bauteilen 5. Die Metallisierung 4 an der Unterseite ist durchgehend ausgebildet.In the illustrated embodiment, the ceramic layer has 2 in plan view, a rectangular blank with the longer longitudinal axis L and perpendicular to this shorter transverse axis Q. The ceramic layer 2 is curved or curved in the illustrated embodiment about an axis parallel to the transverse axis, so that the top of the ceramic layer 2 concave and the bottom is convex. In the same way are the local metallizations 3 and 4 arched. The axis of curvature is in the 1 indicated by Q ', but actually has a much greater distance from the substrate 1 , as shown in this figure. The metallization 3 at the top is structured and forms conductor tracks and contact surfaces, the latter in particular also for fastening, for. B. for soldering electronic components 5 , The metallization 4 at the bottom is continuous.

Die Wölbung der Keramikschicht 2 ist derart, dass dann, wenn das Substrat mit der unteren Metallisierung 4 in der Mitte zwischen den beiden senkrecht zur Längsachse L und parallel zur Krümmungsachse Q' liegenden Querseiten 2' auf einer ebenen Fläche, beispielsweise auf der Oberseite einer ebenen Metallplatte 6 aufliegt, die Unterseite der Keramikschicht 2 an jeder Querseite 2' einen Abstand x von der Oberseite der Metallplatte 6 aufweist, der etwa 0,1–0,8% derjenigen Länge ist, die die gewölbte Keramikschicht 2 zwischen den beiden Seiten 2' besitzt, und zwar zzgl. der Dicke der unteren Metallisierung 4. Es gilt also (0,001·y + d) ≤ x ≤ (0,008·y + d) wobei y der Abstand der beiden Seiten 2' und die Dicke des Materials der Metallisierung 4 sind.The curvature of the ceramic layer 2 is such that when the substrate with the lower metallization 4 in the middle between the two transverse sides perpendicular to the longitudinal axis L and parallel to the axis of curvature Q ' 2 ' on a flat surface, for example on top of a flat metal plate 6 rests on the underside of the ceramic layer 2 on each transverse side 2 ' a distance x from the top of the metal plate 6 which is about 0.1-0.8% of the length of the domed ceramic layer 2 between the two sides 2 ' owns, plus the thickness of the lower metallization 4 , So it applies (0.001 · y + d) ≤ x ≤ (0.008 · y + d) where y is the distance between the two sides 2 ' and the thickness of the metallization material 4 are.

Es hat sich gezeigt, dass die thermische Leitfähigkeit zwischen dem Substrat 1 und der Metallplatte 6, die beispielsweise Bestandteil einer Wärmesenke oder eines Gehäuses ist, wesentlich verbessert werden kann. Das Substrat 1 wird auf die an ihrer Oberseite mit einer Schicht aus einer Kühlpaste 7 versehene Platte 6 aufgelegt und dann am Rand und damit auch an den Schmalseiten 2' auf die Platte 6 gedrückt, womit durch die elastische Verformung der Keramikschicht 2 ein dichtes Anliegen der unteren Metallisierung 4 an der Metallplatte 6 und ein gleichmäßiges Verteilen der Kühlpaste 7 über die gesamte von der unteren Metallisierung 4 eingenommene Fläche der Metallplatte 6 erfolgt.It has been shown that the thermal conductivity between the substrate 1 and the metal plate 6 , which is part of a heat sink or a housing, for example, can be significantly improved. The substrate 1 gets on top of it with a layer of a cooling paste 7 provided plate 6 applied and then on the edge and thus also on the narrow sides 2 ' on the plate 6 pressed, whereby by the elastic deformation of the ceramic layer 2 a dense concern of the lower metallization 4 on the metal plate 6 and evenly distributing the cooling paste 7 over the entire of the lower metallization 4 occupied area of the metal plate 6 he follows.

Der Erfindung liegt die Erkenntnis zugrunde, dass bei einer Krümmung, die im Rahmen der vorstehend genannten Grenzen liegt, die Keramikschicht 2 ohne Probleme, insbesondere auch ohne die Gefahr eines Bruches in eine ebene Form zurückgebogen werden kann, und zwar insbesondere auch dann, wenn die obere, an der konkaven Seite der Keramikschicht vorgesehene Metallisierung 3 strukturiert ist und somit zumindest in einem großen Teil der Oberseite der Keramikschicht keine durchgehende Metallisierung bildet, sondern in der Achsrichtung senkrecht zur Krümmungsachse nur jeweils kurze Abmessungen aufweist. Über die obere Metallisierung 3 können somit beim Rückbiegen des Substrates 1 in die ebene Form auch keine übermäßig hohen Zugkräfte zwischen der Keramikschicht 2 und der Metallisierung 3 auftreten.The invention is based on the finding that at a curvature which is within the aforementioned limits, the ceramic layer 2 without problems, in particular even without the risk of breakage can be bent back into a planar shape, in particular even if the upper, provided on the concave side of the ceramic layer metallization 3 is structured and thus at least in a large part of the top of the ceramic layer does not form a continuous metallization, but in the axial direction perpendicular to the axis of curvature has only short dimensions. About the upper metallization 3 can thus during the bending back of the substrate 1 in the planar form no excessively high tensile forces between the ceramic layer 2 and the metallization 3 occur.

3 zeigt die Einspannung des Substrates 1 am Rand, d. h. insbesondere auch im Bereich der beiden Schmalseiten 2' an dem einen rechteckförmigen Rahmen bildenden Teil 8 eines Gehäuses 9, mit dem das Substrat 1 dann an der den Teil der Wärmesenke bildenden Platte 6 unter Verwendung der Kühlpaste 7 befestigt werden kann. Zur Aufnahme des Randes des Substrates 1 besitzt das Gehäuseteil 8 eine falzartige Ausnehmung 10, die u. a. eine Anlagefläche 11 für die Abstützung der Oberseite der Keramikschicht 2 im Bereich des Randes bildet. Die Falz- oder Anlagefläche 11, aber auch die Unterseite 12 des Gehäuseteils 8 besitzen einen gekrümmten Verlauf, und zwar entsprechend der Wölbung des Substrates 1 bzw. der Keramikschicht 2. Zusätzlich zu dem vorstehend bereits beschriebenen Vorteil eines verbesserten Wärmeübergangs zwischen dem Substrat 1 und der Metallplatte 6 besteht auch der Vorteil, dass Spannungen zwischen dem Substrat 1 und dem Gehäuse 9 vermieden sind, insbesondere auch bei der Montage des Substrates 1 am Gehäuse 9. Erst beim Befestigen auf der Metallplatte 6 werden das Substrat 1 und das Gehäuse 9 elastisch verformt. 3 shows the clamping of the substrate 1 on the edge, ie especially in the area of the two narrow sides 2 ' on the part forming a rectangular frame 8th a housing 9 with which the substrate 1 then at the part of the heat sink forming plate 6 using the cooling paste 7 can be attached. For receiving the edge of the substrate 1 owns the housing part 8th a fold-like recess 10 , including a contact surface 11 for supporting the top of the ceramic layer 2 forms in the area of the edge. The folding or contact surface 11 , but also the bottom 12 of the housing part 8th have a curved course, in accordance with the curvature of the substrate 1 or the ceramic layer 2 , In addition to the already described advantage of improved heat transfer between the substrate 1 and the metal plate 6 There is also the advantage that stresses between the substrate 1 and the housing 9 are avoided, especially during assembly of the substrate 1 on the housing 9 , Only when fixing on the metal plate 6 become the substrate 1 and the case 9 elastically deformed.

Wie die 3 zeigt, ist zwischen dem Rand der Keramikschicht 2 und der Falzfläche 11 eine Zwischenschicht 13 aus einer dauerelastischen Masse, vorzugsweise aus einem dauerelastischen Kleber vorgesehen.As the 3 shows is between the edge of the ceramic layer 2 and the folding surface 11 an intermediate layer 13 from a permanently elastic mass, preferably provided from a permanently elastic adhesive.

Bei der vorbeschriebenen Ausführungsform wurde davon ausgegangen, dass das Substrat 1 nur um die Achse Q' gekrümmt ist. Grundsätzlich ist es aber auch möglich, das Substrat so auszuführen, dass es um zwei senkrecht zueinander verlaufende Achsen, nämlich um die Achse Q' parallel zur Querachse Q und zugleich auch um eine Achse parallel zur Längsachse L gekrümmt ist, und zwar wiederum um beide Achsen konkav an der Oberseite, so dass das Substrat beispielsweise an der Unterseite bzw. an der dortigen Metallisierung 4 eine konvex gewölbte Fläche entsprechend einer Teilfläche einer Kugeloberfläche besitzt.In the embodiment described above, it has been assumed that the substrate 1 only curved about the axis Q '. In principle, however, it is also possible to design the substrate in such a way that it is curved around two mutually perpendicular axes, namely around the axis Q 'parallel to the transverse axis Q and at the same time about an axis parallel to the longitudinal axis L, again about both axes concave at the top, so that the substrate, for example, at the bottom or at the local metallization 4 has a convexly curved surface corresponding to a partial surface of a spherical surface.

Erfindungsgemäß besitzen die Metallisierungen 3 und 4 jeweils die gleiche Dicke.According to the invention, the metallizations have 3 and 4 each the same thickness.

Bei der vorgeschriebenen Ausführungsform wurde weiterhin davon ausgegangen, dass das Substrat einen rechteckförmigen Zuschnitt, d. h. in Draufsicht eine rechteckförmige Ausbildung aufweist. Auch andere Formen sind für das Substrat denkbar, beispielsweise das in der 4 wiedergegebenen Substrat 14, dessen Form sich aus einer rechteckförmigen oder quadratischen Grundform mit Vorsprüngen an zwei gegenüberliegenden Seiten zusammensetzt, oder das rechteckförmige Substrat 15 mit abgerundeten und/oder abgeschrägten Ecken und/oder das runde Substrat 16.In the prescribed embodiment, it was further assumed that the substrate has a rectangular cut, ie a rectangular shape in plan view. Other forms are conceivable for the substrate, for example, in the 4 reproduced substrate 14 , whose shape is composed of a rectangular or square basic shape with projections on two opposite sides, or the rectangular substrate 15 with rounded and / or beveled corners and / or the round substrate 16 ,

BezugszeichenlisteLIST OF REFERENCE NUMBERS

11
Substratsubstratum
22
Keramikschichtceramic layer
2'2 '
Querseitetransverse side
3, 43, 4
Metallisierungmetallization
55
HalbleiterbauelementSemiconductor device
66
Metallplattemetal plate
77
Kühlpastecooling paste
88th
Gehäuseteilhousing part
99
Gehäusecasing
1010
GehäusefalzGehäusefalz
1111
Falzflächerebate surface
1212
Unterseitebottom
1313
dauerelastische Massepermanently elastic mass
14, 15, 1614, 15, 16
Substratsubstratum
L, Q, Q'L, Q, Q '
Achseaxis
xx
Abstanddistance
yy
Längelength

Claims (9)

Gewölbtes Metall-Keramik-Substrat ausschließlich bestehend aus einer Keramikschicht (2) und jeweils einer an der Oberseite und an der Unterseite der Keramikschicht (2) vorgesehenen Metallisierung (3, 4), wobei das Substrat um wenigstens eine Achse (Q') parallel zur Ebene des Substrates gekrümmt ist, und zwar zur Ausbildung einer konvex gekrümmten Unterseite und einer konkav gekrümmten Oberseite, wobei die Dicke der Metallisierungen (3, 4) an der Oberseite und Unterseite der gewölbten Keramikschicht (2) gleich ist, dadurch gekennzeichnet, dass die Krümmung des Substrates ohne Einwirkung äußerer Kräfte beständig und in vorgegebenen Grenzen derart ausgebildet ist, dass der Abstand (x), den ein parallel zur Krümmungsachse liegender Rand (2') des Substrates (1, 14, 15, 16) von einer die Mitte der Krümmung oder des Substrates (1, 14, 15, 16) tangential berührenden Ebene (6) aufweist, zwischen etwa 0,1–0,8% der Längenabmessung ist, die das Substrat (1, 14, 15, 16) oder die Keramikschicht (2) in Richtung senkrecht zur Achse (Q') der Krümmung oder in Richtung senkrecht zum Rand (2') besitzt und das Substrat abgestützt auf seiner Unterseite elastisch in die ebene Form zurückgebogen werden kann, so dass es aufgrund der elastischen Spannung der Keramikschicht dicht und fest gegen eine Fläche einer Metallplatte anliegt, wobei aus dem Merkmalsteil ”ohne Einwirkung äußerer Kräfte beständig und in vorgegebenen Grenzen” keine Rechte hergeleitet werden können.Corrugated metal-ceramic substrate consisting exclusively of a ceramic layer ( 2 ) and one at the top and at the bottom of the ceramic layer ( 2 ) provided metallization ( 3 . 4 ), wherein the substrate is curved about at least one axis (Q ') parallel to the plane of the substrate, to form a convexly curved bottom side and a concavely curved top side, wherein the thickness of the metallizations ( 3 . 4 ) at the top and bottom of the domed ceramic layer ( 2 ) is the same, characterized in that the curvature of the substrate without the action of external forces is resistant and formed within predetermined limits such that the distance (x), a lying parallel to the axis of curvature edge ( 2 ' ) of the substrate ( 1 . 14 . 15 . 16 ) of one the center of the curvature or of the substrate ( 1 . 14 . 15 . 16 ) tangentially touching plane ( 6 ) is between about 0.1-0.8% of the length dimension of the substrate ( 1 . 14 . 15 . 16 ) or the ceramic layer ( 2 ) in the direction perpendicular to the axis (Q ') of the curvature or in the direction perpendicular to the edge ( 2 ' ) and the substrate supported on its underside can be elastically bent back into the planar shape, so that it tightly and firmly abuts against a surface of a metal plate due to the elastic stress of the ceramic layer, from the feature part "without the action of external forces resistant and predetermined Borders "no rights can be derived. Substrat nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass das Substrat (1, 14, 15) und/oder die Keramikschicht (2) und/oder die wenigstens eine Metallisierung (3, 4) einen rechteckförmigen oder im wesentlichen rechteckförmigen Zuschnitt aufweist, und dass die Krümmungsachse (Q') parallel zu den kürzeren Seiten (2') dieses Zuschnitts verläuft.Substrate according to claim 1, characterized in that the substrate ( 1 . 14 . 15 ) and / or the Ceramic layer ( 2 ) and / or the at least one metallization ( 3 . 4 ) has a rectangular or substantially rectangular blank, and that the axis of curvature (Q ') parallel to the shorter sides (Q') 2 ' ) of this blank runs. Substrat nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass das Substrat (15, 16) und/oder die Keramikschicht (2) und/oder die wenigstens eine Metallisierung (3, 4) einen rechteckförmigen oder im wesentlichen rechteckförmigen Zuschnitt mit abgerundeten und/oder abgeschrägten Ecken oder einen runden Zuschnitt aufweist.Substrate according to claim 1 or 2, characterized in that the substrate ( 15 . 16 ) and / or the ceramic layer ( 2 ) and / or the at least one metallization ( 3 . 4 ) has a rectangular or substantially rectangular blank with rounded and / or beveled corners or a round blank. Substrat nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Metallisierung (3) an der Oberseite des Substrates strukturiert ist.Substrate according to one of the preceding claims, characterized in that the metallization ( 3 ) is structured at the top of the substrate. Substrat nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Metallisierungen (3, 4) von Metallfolien, vorzugsweise von Kupferfolien gebildet sind, die mittels der DCB-Technik an der Keramikschicht flächig befestigt sind.Substrate according to one of the preceding claims, characterized in that the metallizations ( 3 . 4 ) are formed of metal foils, preferably of copper foils, which are attached to the ceramic layer by means of the DCB technique. Substrat nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Metallisierungen (3, 4) durch Aktivlöten flächig mit der wenigstens einen Keramikschicht (2) verbunden sind.Substrate according to one of the preceding claims, characterized in that the metallizations ( 3 . 4 ) by active soldering surface with the at least one ceramic layer ( 2 ) are connected. Substrat nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die wenigstens eine Keramikschicht (2) eine Aluminiumoxid-, eine Aluminiumnitrid- oder eine Siliziumnitrid-Keramik ist.Substrate according to one of the preceding claims, characterized in that the at least one ceramic layer ( 2 ) is an alumina, an aluminum nitride or a silicon nitride ceramic. Substrat nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass es um zwei senkrecht zueinander verlaufende Achsen gekrümmt ist.Substrate according to one of the preceding claims, characterized in that it is curved about two mutually perpendicular axes. Substrat nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Metallisierung (4) an der Unterseite des Substrates durchgehend ausgebildet istSubstrate according to one of the preceding claims, characterized in that the metallization ( 4 ) is formed continuously on the underside of the substrate
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP3263537A1 (en) 2016-06-27 2018-01-03 Infineon Technologies AG Metal-ceramic substrate and method for producing the same

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE19715540C2 (en) * 1997-04-15 2002-02-07 Curamik Electronics Gmbh Method of manufacturing a domed metal-ceramic substrate
DE19808518C1 (en) * 1998-02-27 1999-08-05 Rockwool Mineralwolle Coating and impregnation of mineral wool for the production of insulation boards
DE10024111B4 (en) * 2000-05-18 2006-02-23 Robert Bosch Gmbh Method for producing a component from plates which have been stacked and soldered to one another
US8154114B2 (en) 2007-08-06 2012-04-10 Infineon Technologies Ag Power semiconductor module
US8018047B2 (en) 2007-08-06 2011-09-13 Infineon Technologies Ag Power semiconductor module including a multilayer substrate
EP2674971B1 (en) 2011-02-08 2021-04-07 Fuji Electric Co., Ltd. Method for manufacturing heat dissipating plate for semiconductor module, said heat dissipating plate, and method for manufacturing semiconductor module using said heat dissipating plate
JP6395530B2 (en) 2014-09-11 2018-09-26 三菱電機株式会社 Semiconductor device
DE102016118784A1 (en) 2016-10-04 2018-04-05 Infineon Technologies Ag Chip carrier, configured for delamination-free encapsulation and stable sintering

Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0069901A2 (en) * 1981-07-11 1983-01-19 BROWN, BOVERI & CIE Aktiengesellschaft Current rectifier module
EP0144866A2 (en) * 1983-11-25 1985-06-19 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor device comprising a substrate
DE2947270C2 (en) * 1978-11-25 1986-12-11 Kyocera Corp., Kyoto Ceramic substrate
EP0205746A2 (en) * 1985-06-15 1986-12-30 Asea Brown Boveri Aktiengesellschaft Semiconductor power module comprising a ceramic substrate
EP0254692A1 (en) * 1986-07-17 1988-01-27 STMicroelectronics S.r.l. Semiconductor device mounted in a highly flexible, segmented package, provided with heat sink
EP0279601A2 (en) * 1987-02-19 1988-08-24 Marconi Electronic Devices Limited Electrical conductor arrangement
DE4004844C1 (en) * 1990-02-16 1991-01-03 Abb Ixys Semiconductor Gmbh Copper metallisation on ceramic substrate - obtd. by bonding copper foil directly to whole surface of substrate, then masking and etching
DE3935792A1 (en) * 1989-10-27 1991-05-02 Bosch Gmbh Robert Encapsulated electronic circuit on substrate - has ceramic green sheet foil, forming wall(s) encapsulating housing
DE4233073A1 (en) * 1992-10-01 1994-04-07 Siemens Ag Semiconductor modular structure prodn. - by convexly shaping and bonding in single hot pressing operation
EP0627760A1 (en) * 1993-06-03 1994-12-07 Jürgen Dr.-Ing. Schulz-Harder Subdivisible substrate and method of making the same
JPH07202073A (en) * 1993-12-28 1995-08-04 Toshiba Corp Ceramic circuit board

Patent Citations (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2947270C2 (en) * 1978-11-25 1986-12-11 Kyocera Corp., Kyoto Ceramic substrate
EP0069901A2 (en) * 1981-07-11 1983-01-19 BROWN, BOVERI & CIE Aktiengesellschaft Current rectifier module
EP0144866A2 (en) * 1983-11-25 1985-06-19 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor device comprising a substrate
EP0205746A2 (en) * 1985-06-15 1986-12-30 Asea Brown Boveri Aktiengesellschaft Semiconductor power module comprising a ceramic substrate
EP0254692A1 (en) * 1986-07-17 1988-01-27 STMicroelectronics S.r.l. Semiconductor device mounted in a highly flexible, segmented package, provided with heat sink
EP0279601A2 (en) * 1987-02-19 1988-08-24 Marconi Electronic Devices Limited Electrical conductor arrangement
DE3935792A1 (en) * 1989-10-27 1991-05-02 Bosch Gmbh Robert Encapsulated electronic circuit on substrate - has ceramic green sheet foil, forming wall(s) encapsulating housing
DE4004844C1 (en) * 1990-02-16 1991-01-03 Abb Ixys Semiconductor Gmbh Copper metallisation on ceramic substrate - obtd. by bonding copper foil directly to whole surface of substrate, then masking and etching
DE4233073A1 (en) * 1992-10-01 1994-04-07 Siemens Ag Semiconductor modular structure prodn. - by convexly shaping and bonding in single hot pressing operation
EP0650189A1 (en) * 1992-10-01 1995-04-26 Siemens Aktiengesellschaft Method of manufacture of a semiconductor module
EP0627760A1 (en) * 1993-06-03 1994-12-07 Jürgen Dr.-Ing. Schulz-Harder Subdivisible substrate and method of making the same
JPH07202073A (en) * 1993-12-28 1995-08-04 Toshiba Corp Ceramic circuit board

Non-Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
C. G. Goetzel, English-German Dictionary of Materials and Process Engineering, Hansers Publishers, Munich Vienna New York, S. 64, Stichwort ''camber'' *
''Specification for substrates of Rubalit 708'', Firmenprospekt von Hoechst CeramTec, ''2. April 1991'' *
Webster's New World Dictionary of the American Language Second College Edition, Simon and Schuster, S. 203, Stichwort ''camber'' *

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP3263537A1 (en) 2016-06-27 2018-01-03 Infineon Technologies AG Metal-ceramic substrate and method for producing the same

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DE19615481A1 (en) 1997-10-09
DE19615481B4 (en) 2006-10-05
DE59711737D1 (en) 2004-08-05

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