DE19610322A1 - Verfahren zur Passivierungsbehandlung eines Rohrleitungssystems für hochreines Gas - Google Patents
Verfahren zur Passivierungsbehandlung eines Rohrleitungssystems für hochreines GasInfo
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Description
Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zur
Passivierungsbehandlung eines Rohrleitungssystems, wie einer Rohr
leitung für ultrahochreines Gas zur Verwendung in einer Apparatur
zur Herstellung von Halbleitern und dergleichen, und von Metall
bestandteilen oder dergleichen zur Verwendung in einer Ultra
hochvakuumapparatur.
In letzter Zeit haben die Technik zur Herstellung eines Ultra
hochvakuums und die Technik zur Gewinnung einer ultrahochreinen
druckverminderten Atmosphäre durch Einströmenlassen einer kleinen
Menge eines bestimmten Gases in eine Vakuumkammer große Bedeutung
erlangt. Diese Technologien werden weit verbreitet auf die Unter
suchung von Materialeigenschaften, die Bildung verschiedener Arten
von Dünnschichten, die Herstellung von Halbleiterbausteinen usw.
angewendet. Als Ergebnis wurde zwar ein höherer Grad von Vakuum
erreicht; es ist jedoch erforderlich, eine druckverminderte Atmo
sphäre herzustellen, in der die Kontamination durch Elementverun
reinigungen und Molekülverunreinigungen auf das Äußerste reduziert
ist.
Bei Halbleiterbausteinen zum Beispiel wurde die Größe der Einheits
elemente von Jahr zu Jahr reduziert, um die Integrationsdichte in
tegrierter Schaltkreise zu erhöhen, so daß eingehende Untersuchun
gen und Entwicklungen durchgeführt wurden, um Halbleiterbausteine
mit einer Größe von 1 µm bis zum Submikronbereich, insbesondere mit
Größen von nicht mehr als 0,5 µm, einer praktischen Verwendung
zuzuführen. Bei der Herstellung solcher Halbleiterbausteine werden
ein Verfahren zur Bildung von Dünnschichten und ein Verfahren zum
Ätzen der Dünnschichten in vorbestimmten Schaltungsmustern wieder
holt durchgeführt. Im allgemeinen werden solche Verfahren in einem
Ultrahochvakuum oder in einer druckverminderten Atmosphäre, in die
nach dem Einbringen von Siliciummikroplättchen (Wafer) in eine
Vakuumkammer ein vorbestimmtes Gas eingeführt wurde, durchgeführt.
Wenn während dieser Vorgänge Verunreinigungen in die Kammer gelan
gen, tritt zum Beispiel das Problem auf, daß die Qualität der Dünn
schichten verringert wird oder daß bei der Mikrobehandlung keine
befriedigende Genauigkeit erreicht werden kann. Deshalb benötigt
man eine ultrahochreine druckverminderte Atmosphäre, die aus einem
Ultrahochvakuum hergestellt wird.
Als einer der wichtigsten Gründe, die bisher die Herstellung des
Ultrahochvakuums und der ultrahochreinen druckverminderten Atmo
sphäre verhindert haben, wird ein Gas genannt, das aus der Ober
fläche von rostfreien Stählen austritt, die verbreitet für eine
Kammer, eine Gasrohrleitung usw. verwendet werden. Um das Austreten
des Gases zu verhindern, wurde daher herkömmlicherweise eine Tech
nik zur Oberflächenbehandlung des rostfreien Stahls vorgeschlagen,
und zwar hauptsächlich eine sogenannte Naßbehandlung, bei der eine
dünne Schicht (Passivierungsschicht) auf der Oberfläche gebildet
wird, indem man ein zu behandelndes Material, das elektrolytisch
poliert wurde, in eine heiße Salpetersäurelösung eintauchte. In
diesem Fall bleiben jedoch viel Feuchtigkeit oder viele Lösungs
bestandteile auf der Oberfläche der Schicht und/oder innerhalb der
Schicht oder in einem Grenzbereich zwischen dem rostfreien Stahl
und der Schicht, so daß diese verbleibende Feuchtigkeit und die
verbleibenden Lösungsbestandteile, insbesondere die an der Ober
fläche adsorbierte Feuchtigkeit, sich ablösen und in das Vakuum
oder die druckverminderte Atmosphäre übertreten. Diese abgelöste
Feuchtigkeit wurde daher zur wichtigsten Verunreinigungsquelle.
Daher wurde vor kurzem eine Trockenbehandlungstechnik vorgeschla
gen, bei der ein Gas, das eine Oxidschicht bilden kann, in Kontakt
mit der Oberfläche des zu behandelnden Materials gebracht wird, um
eine Chromoxidschicht zur Passivierung der Oberfläche darauf zu
bilden. Was diese herkömmliche Trockenbehandlungstechnik betrifft,
so wurde eine vorgeschlagen (offenbart in der Japanischen Offen
legungsschrift Nr. Hei 2-43353), bei der ein zu behandelndes Mate
rial (zum Beispiel ein Rohr aus rostfreiem Stahl) bis fast zur Oxi
dationstemperatur (400 bis 550°C) erhitzt und dann der Einwirkung
eines bis zur Oxidationsbehandlungstemperatur erhitzten Sauerstoff
gases ausgesetzt wird, so daß sich auf der Oberfläche des Materials
zur Passivierung die Chromoxidschicht bildet; eine andere (offen
bart in der Japanischen Offenlegungsschrift Nr. Hei 6-116632), bei
der ein rostfreies Material 1 Stunde bei etwa 500°C in einer Argon
atmosphäre behandelt wird, die durch Beimischen von 10% Wasserstoff
und 1% Feuchtigkeit gebildet wurde, so daß sich auf der Oberfläche
die Chromoxidschicht bildet; und eine weitere (offenbart in der Ja
panischen Offenlegungsschrift Nr. Hei 5-287496), bei der das rost
freie Material etwa 3 Stunden bei 200°C in einer Sauerstoffatmo
sphäre, die 5-10% Ozon enthält, behandelt wird.
Bei allen herkömmlichen Trockenbehandlungstechniken zur Bildung der
Chromoxidschicht auf der Oberfläche des rostfreien Materials wird
ein Ofen benötigt, der eine hohe Temperatur liefert, da die
Oxidschicht in einer erhitzten Atmosphäre gebildet wird, so daß das
Problem auftritt, daß die Größe des rostfreien Materials bis zu
einem gewissem Grade durch die Abmessung des Heizofens beschränkt
ist. Da das die Oxidschicht bildende Gas weiterhin in heißem
Zustand mit dem zu behandelnden Material in Kontakt gebracht wird,
tritt noch das weitere Problem auf, daß aufgrund des Verbrauchs von
Gasbestandteilen während des Strömens des Gases die Konzentration
des die Oxidschicht bildenden Gases auf der stromaufwärts gelegenen
Seite und auf der stromabwärts gelegenen Seite unterschiedlich ist,
was zu einer ungleichmäßigen Dicke der Oxidschicht führt.
Außerdem sind in einem in der Praxis zu verwendenden Rohrleitungs
system viele Rohre und Rohrverbindungsstücke so angeordnet, daß sie
eine Quelle, die hochreines Gas liefert, mit einer Apparatur ver
binden, in der das hochreine Gas verwendet wird, und die Verbindun
gen sollten geschweißt sein. Daher tritt beim Schweißen der Rohre
und Rohrverbindungsstücke, auf deren inneren Oberflächen zuvor die
Chromoxidschichten gebildet wurden, das Problem auf, daß die
Metallzusammensetzungen in den geschweißten Teilen durch die
Schweißarbeiten verändert werden, was dazu führt, daß die ge
schweißten Teile nicht mit der Chromoxidschicht überzogen sind.
Die vorliegende Erfindung betrifft die Lösung dieser Probleme. Ihr
Ziel ist es, eine Technik anzugeben, mit der sich bei Raumtempera
tur zuverlässig eine Chromoxidschicht auf einer mit Gas in Kontakt
kommenden inneren Oberfläche einer Rohrleitung bilden läßt, und
zwar nicht nur bei einzelnen Rohren und den Teilen, die zu einer
Rohrleitung zusammengesetzt werden sollen, sondern auch nach der
Fertigstellung des Rohrleitungssystems.
Ein erster Aspekt der Erfindung zur Erreichung des genannten Ziels
ist dadurch gekennzeichnet, daß eine Oxidpassivierungsschicht auf
einer Metalloberfläche gebildet wird, indem man hochkonzentriertes
Ozongas, das im Ozon/Sauerstoff-System wenigstens 50 Vol.-% Ozon
enthält, bei Raumtemperatur auf eine elektrolytisch polierte Me
talloberfläche oder eine kombiniert elektrolytisch polierte Metall
oberfläche (d. h. die gleichzeitig mit Hilfe eines Poliermaterials
und eines Elektrolyten poliert wurde, indem man das Poliermaterial
in den Elektrolyten einbringt und die Elektroden rotieren läßt)
einwirken läßt.
Ein zweiter Aspekt der Erfindung zur Erreichung des genannten Ziels
ist dadurch gekennzeichnet, daß eine Quelle, die hochreines Gas
liefern soll, und eine Apparatur, in der das hochreine Gas
verwendet werden soll, durch eine Rohrleitung miteinander verbunden
werden und dann eine mit Gas in Kontakt kommende innere Oberfläche
der Rohrleitung für das hochreine Gas passiviert wird, indem man
das hochkonzentrierte Ozongas hermetisch in die Rohrleitung
einfüllt.
Bei dem ersten Aspekt wird es durch Verwendung des hochkonzentrier
ten Ozongases, das im Ozon/Sauerstoff-System wenigstens 50 Vol.-%
Ozon enthält, möglich, die Passivierungsschicht bei Raumtemperatur
zu bilden.
Bei dem zweiten Aspekt wird es möglich, auch die geschweißten Teile
zu passivieren, da die mit Gas in Kontakt kommende Oberfläche des
Rohrleitungssystems passiviert wird, indem man eine Leitung zum
Zuführen von hochreinem Gas, die die Quelle, die das hochreine Gas
liefern soll, und die Apparatur, in der das hochreine Gas verwendet
werden soll, miteinander verbindet, vollständig zusammensetzt und
dann das hochkonzentrierte Ozongas hermetisch in die Rohrleitung
einfüllt. Da eine Oberfläche der Rohrleitung mit überlegenen
Entgasungseigenschaften und Trocknungseigenschaften erhalten werden
kann, kann dadurch das durch die Rohrleitung strömende hochreine
Gas der Apparatur, in der das hochreine Gas verwendet werden soll,
zugeführt werden, ohne daß es verunreinigt wird.
Da die durch die Passivierungsbehandlung der vorliegenden Erfindung
gebildete Oxidschicht hauptsächlich aus Chromoxid besteht, hat die
Schicht eine überlegene Korrosionsbeständigkeit, so daß es möglich
wird, eine korrosive Zersetzung der Rohrleitung, die durch ein
hochkorrosives Gas verursacht werden könnte, zu verhindern. Da eine
katalytische Wirkung der Rohrleitungsoberfläche weiterhin durch die
Passivierungsbehandlung eingeschränkt oder reduziert werden kann,
so daß die Autolyse des hochreaktiven Gases eingeschränkt wird,
wird es möglich, das Gas der Apparatur, in der das hochreine Gas
verwendet wird, zuzuführen, ohne daß die Qualität des zugeführten
Gases verringert wird.
Da die Passivierungsbehandlung bei dem zweiten Aspekt außerdem auf
die gesamte Rohrleitung angewendet wird, indem das hochkonzentrier
te Gas hermetisch in die Rohrleitung eingefüllt wird, nachdem die
Anordnung der Rohre fertiggestellt wurde, kann die Apparatur für
die Passivierungsbehandlung vereinfacht werden, und eine befriedi
gende Passivierungsschicht kann auch dann gebildet werden, wenn die
billigen elektrolytisch polierten Rohre für das Rohrleitungssystem
verwendet werden, so daß es möglich wird, das Rohrleitungssystem
für die Zuführung des hochreinen Gases billig herzustellen.
Da das hochkonzentrierte Ozongas weiterhin hermetisch in das Rohr
leitungssystem eingefüllt wird, kann die Konzentration des in die
Rohrleitung eingefüllten Gases im Unterschied zur Gasstrombehand
lung insgesamt gleichmäßig gehalten werden, so daß eine ungleich
mäßige Dicke der Oxidschicht vermieden werden kann.
Fig. 1 zeigt Profile von Elementzusammensetzungen eines unbehan
delten, elektrolytisch polierten SUS-316L-Rohres in Richtung der
Tiefe von der Oberfläche aus.
Fig. 2 zeigt die Profile der Elementzusammensetzungen in Richtung
der Tiefe von der Oberfläche aus, wenn das Rohr 40 Stunden bei 40°C
unter Verwendung von reinem Sauerstoff behandelt wurde.
Fig. 3 zeigt die Profile der Elementzusammensetzungen in Richtung
der Tiefe von der Oberfläche aus, wenn das Rohr 40 Stunden bei 40°C
unter Verwendung von Ozongas, das im Ozon/Sauerstoff-System eine
Konzentration von 5 Vol.-% Ozon aufweist, behandelt wurde.
Fig. 4 zeigt den Fall einer Behandlung mit einem Ozongas mit 100
Vol.-% Ozon bei 20°C während 20 Stunden, Fig. 4(a) zeigt die
entsprechenden Profile der Elementzusammensetzungen in Richtung der
Tiefe von der Oberfläche aus, und Fig. 4(b) ist ein Diagramm, das
die Veränderung der Ozonkonzentration während der Behandlung zeigt.
Fig. 5 zeigt den Fall einer Behandlung mit einem Ozongas mit 100
Vol.-% Ozon bei 20°C während 40 Stunden, Fig. 5(a) zeigt die
entsprechenden Profile der Elementzusammensetzungen in Richtung der
Tiefe von der Oberfläche aus, und Fig. 5(b) ist ein Diagramm, das
die Veränderung der Ozonkonzentration während der Behandlung zeigt.
Fig. 6 zeigt den Fall einer Behandlung mit einem Ozongas mit 100
Vol.-% Ozon bei 40°C während 20 Stunden, Fig. 6(a) zeigt die
entsprechenden Profile der Elementzusammensetzungen in Richtung der
Tiefe von der Oberfläche aus, und Fig. 6(b) ist ein Diagramm, das
die Veränderung der Ozonkonzentration während der Behandlung zeigt.
Fig. 7 zeigt den Fall einer Behandlung mit einem Ozongas mit 100
Vol.-% Ozon bei 40°C während 40 Stunden, Fig. 7(a) zeigt die
entsprechenden Profile der Elementzusammensetzungen in Richtung der
Tiefe von der Oberfläche aus, und Fig. 7(b) ist ein Diagramm, das
die Veränderung der Ozonkonzentration während der Behandlung zeigt.
Fig. 8 zeigt den Fall einer Behandlung mit einem Ozongas mit 100
Vol.-% Ozon bei 60°C während 20 Stunden, Fig. 8(a) zeigt die
entsprechenden Profile der Elementzusammensetzungen in Richtung der
Tiefe von der Oberfläche aus, und Fig. 8(b) ist ein Diagramm, das
die Veränderung der Ozonkonzentration während der Behandlung zeigt.
Fig. 9 zeigt den Fall einer Behandlung mit einem Ozongas mit 100
Vol.-% Ozon bei 60°C während 40 Stunden, Fig. 9(a) zeigt die
entsprechenden Profile der Elementzusammensetzungen in Richtung der
Tiefe von der Oberfläche aus, und Fig. 9(b) ist ein Diagramm, das
die Veränderung der Ozonkonzentration während der Behandlung zeigt.
Fig. 10 zeigt die Profile der Elementzusammensetzungen in Richtung
der Tiefe von der Oberfläche aus, wenn das Rohr 40 Stunden bei 20°C
mit einem Ozongas, das im Ozon/Sauerstoff-System eine Konzentration
von 50 Vol.-% Ozon aufweist, behandelt wurde.
Und Fig. 11 zeigt die Profile der Elementzusammensetzungen in
Richtung der Tiefe von der Oberfläche aus für den Fall, daß ein
geschweißter Teil 40 Stunden bei 40°C unter Verwendung von Ozongas
mit einer Konzentration von 100 Vol.-% Ozon behandelt wurde.
Eine experimentelle Apparatur für eine Vorrichtung zur Herstellung
von Halbleitern umfaßt eine Kammer und eine Rohrleitung, die beide
aus rostfreiem Stahl (SUS 316L) bestehen und deren innere Ober
flächen elektrolytisch poliert und hochglanzpoliert wurden. Nachdem
die experimentelle Apparatur für die Vorrichtung zur Herstellung
von Halbleitern in luftdicht verschlossenem Zustand evakuiert
wurde, wird ein Ozongas mit einer Reinheit von 100 Vol.-% bei Raum
temperatur (23°C) und einem Überdruck von 0,63 kg/cm² hermetisch
in die experimentelle Apparatur eingefüllt und 48 Stunden unter
diesen Bedingungen darin gelassen.
Nach Ablauf dieser Zeit wird das Ozongas aus der experimentellen
Apparatur herausgelassen, und die Bildung einer Passivierungs
schicht auf der inneren Oberfläche der experimentellen Apparatur
wird durch Analysieren und Untersuchen der Verteilung von Element
zusammensetzungen und deren Oxidation in Richtung der Tiefe von der
Oberfläche aus unter Verwendung des Röntgen-Photoelektronen-
Spektralanalyse-Verfahrens (XPS) bestätigt.
Wenn dieselbe Behandlung wie oben unter Verwendung eines Ozongases,
das im Ozon/Sauerstoff-System eine Konzentration von 50 Vol.-% Ozon
aufweist, durchgeführt wird, kann die Bildung einer Passivierungs
schicht ebenfalls bestätigt werden. Wenn ähnliche Behandlungen
unter Verwendung von Ozongas, das im Ozon/Sauerstoff-System eine
Konzentration von 5 bzw. 45 Vol.-% Ozon aufweist, durchgeführt
werden, wird bei Raumtemperatur keine befriedigende Passivie
rungsschicht gebildet.
Bei einem praktisch durchführbaren Verfahren zur Herstellung von
Halbleitern wird eine Leitung zum Zuführen von hochreinem Gas
aufgebaut, indem man einen Behälter, in dem das zu verwendende
hochreine Gas aufbewahrt wird, über elektrolytisch polierte
Gaszuleitungsrohre und Rohrverbindungsstücke aus rostfreiem Stahl
derselben Qualität mit einer Apparatur für eine Vorrichtung zur
Herstellung von Halbleitern, in der das hochreine Gas verwendet
werden soll, usw. verbindet. Diese Leitung zum Zuführen von hoch
reinem Gas umfaßt mehrere Gaszuleitungsrohre, die durch Schweißen
oder dergleichen miteinander verbunden sind, sowie verschiedene
Arten von Vorrichtungen, wie ein Stromventil und ein Druckregel
ventil, die dazwischen angeordnet sind. Nach der Fertigstellung der
gesamten Rohrleitungsverbindungen werden an der Verbindung zu dem
Behälter zum Aufbewahren des hochreinen Gases und an der Verbindung
zu der Apparatur, in der das hochreine Gas verwendet werden soll,
Blindflansche dazwischengesetzt oder Ventile angebracht, so daß das
hochkonzentrierte Ozongas, das im Ozon/Sauerstoff-System eine
Konzentration von wenigstens 50 Vol.-% Ozon aufweist, hermetisch
in die Leitung zum Zuführen des hochreinen Gases, die sich zwischen
den beiden Blindflanschen oder zwischen den beiden Ventilen befin
det, eingefüllt wird, um die innere Oberfläche der Gaszufuhrlei
tung, die Teile der inneren Oberfläche an den Schweißverbindungen
zwischen den Gaszufuhrleitungen und/oder die inneren Oberflächen
(Gaskontaktoberflächen) der Vorrichtungen zu passivieren. Danach
werden die Ventile geöffnet, oder die beiden Blindflansche werden
entfernt, um die Gaszufuhrrohre mit dem Behälter zum Aufbewahren
des hochreinen Gases und der Apparatur, in der das hochreine Gas
verwendet werden soll, zu verbinden.
Das Einfüllen/Entleeren des hochkonzentrierten Ozongases für die
Passivierungsbehandlung unter Verwendung des Ozongases nach dem
Aufbau der Rohrleitungen wird durchgeführt, indem man einen von
verschiedenen Arten von Anschlüssen verwendet, wie einen Druckmes
seranschluß oder einen Gasanalysatoranschluß, die in dem Rohr zum
Zuführen des hochreinen Gases angeordnet sind. Das heißt, die
Gaszufuhrrohrleitung wird nach dem Aufbau der Rohrleitungen
evakuiert, dann wird das hochkonzentrierte Ozongas in die Leitung
eingefüllt und während einer vorbestimmten Zeit daringelassen, und
anschließend wird das Ozongas abgesaugt. Je nach Bedarf werden
weiteres Einfüllen von neuem hochkonzentriertem Ozongas und
Entleeren nach Ablauf der vorbestimmten Zeit mehrmals wiederholt,
um das Innere der Rohrleitung zu passivieren.
Wenn diese Passivierungsbehandlung unter Verwendung des hochkonzen
trierten Ozongases bei einer hohen Temperatur, die 60°C überschrei
tet, durchgeführt wird, wird die durch Erwärmen des Ozongases
selbst verursachte Autolysereaktion gefördert; daher wird das Ein
füllen/Einwirkenlassen vorzugsweise bei Raumtemperatur oder in
einem Temperaturbereich, der nicht höher als 60°C liegt, durch
geführt. Das hochkonzentrierte Ozongas, das nach der Passivierungs
behandlung entleert werden soll, wird zersetzt, indem man es durch
eine bekannte Ozonzersetzungsapparatur leitet, und dann in die
Atmosphäre entlassen.
Unter dem hochkonzentrierten Ozongas, das für diese Passivierungs
behandlung verwendet werden soll, wird ein Ozongas verstanden, das
im Ozon/Sauerstoff-System eine Konzentration von wenigstens
50 Vol.-% Ozon aufweist. Wenn ein Gas verwendet wird, das durch
Konzentrieren mit Hilfe eines Adsorbens oder durch Vergasung von
verflüssigtem Ozon hergestellt wird, ist es möglich, eine Ozonkon
zentration in der Nähe von 100 Vol.-% zu erreichen.
Die Dicke der Oxidschichten, die bei Änderung der Temperaturbedin
gung, der Ozonkonzentration im Ozon/Sauerstoff-System und der
Behandlungszeit auf der Oberfläche des elektrolytisch polierten
SUS-316L-Rohrs gebildet werden, wurde gemessen.
Fig. 1 zeigt Profile von Elementzusammensetzungen eines unbehan
delten, elektrolytisch po1ierten SUS-316L-Rohres in Richtung der
Tiefe von der Oberfläche aus, und anhand dieser Profile ist zu
erkennen, daß sich auch auf der unbehandelten Oberfläche eine
natürliche Oxidschicht von etwa 1 nm gebildet hat.
Auch wenn reiner Sauerstoff hermetisch in das elektrolytisch
polierte Rohr eingefüllt wird und man ihn zur Behandlung 40 Stunden
bei 40°C auf das Rohr einwirken 1äßt, wird die Schicht, wie in
Fig. 2 gezeigt, nicht dicker als die natürliche Oxidschicht. Wenn
Ozongas, das im Ozon/Sauerstoff-System eine Konzentration von
5 Vol.-% Ozon aufweist, hermetisch in das elektrolytisch polierte
Rohr eingefüllt wird und man es 40 Stunden bei 40°C auf das Rohr
einwirken läßt, findet man, wie in Fig. 3 gezeigt, daß eine
Oxidschicht mit einer Dicke von etwa 2,5 nm gebildet wird. Dies ist
jedoch für eine Passivierungsschicht nicht dick genug.
In den Fig. 4 bis 9 sind Profile von Elementzusammensetzungen
in Richtung der Tiefe von der Oberfläche aus für den Fall gezeigt,
daß das elektrolytisch polierte Rohr mit Ozongas behandelt wurde,
das 100 Vol.-% Ozon enthält und durch Vergasung von verflüssigtem
Ozon erhalten wurde.
Fig. 4(a) zeigt die Profile für den Fall der Behandlung bei 20°C
während 20 Stunden, und Fig. 4(b) zeigt eine durch die Autolyse
verursachte Veränderung der Ozonkonzentration für dieselbe
Behandlungszeit. In diesem Fall kann bestätigt werden, daß eine
Oxidschicht von etwa 3 nm gebildet wurde.
Fig. 5(a) zeigt die Profile für den Fall der Behandlung bei 20°C
während 40 Stunden, und Fig. 5(b) zeigt eine durch die Autolyse
verursachte Veränderung der Ozonkonzentration für dieselbe
Behandlungszeit. In diesem Fall kann bestätigt werden, daß eine
Oxidschicht von etwa 4 bis 5 nm gebildet wurde.
Fig. 6(a) zeigt die Profile für den Fall der Behandlung bei 40°C
während 20 Stunden, und Fig. 6(b) zeigt eine durch die Autolyse
verursachte Veränderung der Ozonkonzentration für dieselbe
Behandlungszeit. In diesem Fall kann bestätigt werden, daß eine
Oxidschicht von etwa 4 bis 5 nm gebildet wurde.
Fig. 7(a) zeigt die Profile für den Fall der Behandlung bei 40°C
während 40 Stunden, und Fig. 7(b) zeigt eine durch die Autolyse
verursachte Veränderung der Ozonkonzentration für dieselbe
Behandlungszeit. In diesem Fall kann bestätigt werden, daß eine
Oxidschicht von etwa 4 bis 5 nm gebildet wurde.
Fig. 8(a) zeigt die Profile für den Fall der Behandlung bei 60°C
während 20 Stunden, und Fig. 8(b) zeigt eine durch die Autolyse
verursachte Veränderung der Ozonkonzentration für dieselbe
Behandlungszeit. In diesem Fall kann bestätigt werden, daß eine
Oxidschicht von etwa 4,5 bis 5,5 nm gebildet wurde.
Fig. 9(a) zeigt die Profile für den Fall der Behandlung bei 60°C
während 40 Stunden, und Fig. 9(b) zeigt eine durch die Autolyse
verursachte Veränderung der Ozonkonzentration für dieselbe
Behandlungszeit. In diesem Fall kann bestätigt werden, daß eine
Oxidschicht von etwa 4,5 bis 5,5 nm gebildet wurde.
Wenn das elektrolytisch polierte Rohr 40 Stunden bei 20°C mit Ozon
gas behandelt wurde, das im Ozon/Sauerstoff-System eine Konzentra
tion von 50 Vol.-% Ozon aufweist, wie es in Fig. 10 gezeigt ist,
so kann bestätigt werden, daß eine Oxidschicht von etwa 4 nm
gebildet wurde.
Die Profile von Elementzusammensetzungen in Richtung der Tiefe von
der Oberfläche aus im Falle, daß die geschweißten Teile 40 Stunden
bei 40°C mit Ozongas behandelt wurden, das 100 Vol.-% Ozon enthält,
sind in Fig. 11 gezeigt. Es kann bestätigt werden, daß eine Oxid
schicht von etwa 6 bis 8 nm gebildet wurde.
Aus diesen Ergebnissen geht hervor, daß die Dicke der Oxidschicht
bei einer Erhöhung der Behandlungstemperatur von 20°C auf 40°C im
Falle einer Behandlungszeit von 20 Stunden erhöht wird, sie wird
jedoch nicht mehr sehr erhöht, auch wenn die Temperatur auf 60°C
erhöht wird. Im Falle einer Behandlungszeit von 40 Stunden ändert
sich die Dicke der Oxidschicht nicht, auch wenn die Behandlungs
temperatur geändert wird, d. h. es werden Oxidschichten mit im
wesentlichen gleicher Dicke gebildet. Wenn die Behandlungstempera
tur erhöht wird, wird die Autolysereaktion des Ozons merklich
heftig, und die Ozonkonzentration nimmt ab. Daher spiegelt sich
eine Erhöhung der Behandlungstemperatur über 60°C hinaus nicht in
einer Erhöhung der Dicke der Oxidschicht wider.
Claims (3)
1. Verfahren zur Passivierungsbehandlung eines Rohrleitungs
systems für ein hochreines Gas, dadurch gekennzeichnet, daß
eine Oxidpassivierungsschicht auf einer Metalloberfläche
gebildet wird, indem man hochkonzentriertes Ozongas, das im
Ozon/Sauerstoff-System eine Konzentration von wenigstens
50 Vol.-% Ozon enthält, bei Raumtemperatur auf eine elek
trolytisch polierte Metalloberfläche oder eine kombiniert
elektrolytisch polierte Metalloberfläche einwirken läßt.
2. Verfahren zur Passivierungsbehandlung eines Rohrleitungs
systems für ein hochreines Gas, dadurch gekennzeichnet, daß
eine Quelle, die hochreines Gas liefern soll, und eine
Apparatur, in der ein hochreines Gas verwendet werden soll,
durch eine Rohrleitung miteinander verbunden werden und dann
eine mit Gas in Kontakt kommende innere Oberfläche der
Rohrleitung für das hochreine Gas passiviert wird, indem man
hochkonzentriertes Ozongas, das im Ozon/Sauerstoff-System
eine Konzentration von wenigstens 50 Vol.-% Ozon enthält,
hermetisch in die Rohrleitung einfüllt.
3. Verfahren zur Passivierungsbehandlung gemäß Anspruch 2,
wobei die Passivierungsbehandlung innerhalb eines Tempera
turbereichs von Raumtemperatur bis 60°C durchgeführt wird.
Applications Claiming Priority (2)
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