DE1958037A1 - Process for the photographic production of semiconductors by means of masks - Google Patents

Description

IBM Deutschland IBM Germany Internationale Büro-Ma$chinen Geselhdiaft mbHInternationale Büro-Ma $ chinen Geselhdiaft mbH

Böblingen, 14. November I969. ru/duBoeblingen, November 14, 1969. ru / you

Anmelderin: International Business MachinesApplicant: International Business Machines

Corporation, Armonk, N.Y. 10504Corporation, Armonk, N.Y. 10504

Amtl. Aktenzeichen: NeuanmeldungOfficial File number: New registration

Aktenzeichen der Anmelderin: Docket PI 966 O32Applicant's file number: Docket PI 966 O32

Verfahren zum photographischen Herstellen von Halbleitern mittels MaskenProcess for the photographic production of semiconductors by means of masks

Die Erfindung betrifft ein photographischee Herstellungsverfahren für Halbleiter mittels Masken, insbesondere für hoch integrierte Halbleiterschaltkreise, die im Höchstfrequenzgebiet arbeiten. The invention relates to a photographic production process for semiconductors by means of masks, in particular for highly integrated semiconductor circuits which operate in the high frequency range.

Die Halbleitertechnik gestaltet ihre Bauteile und Schaltungen immer kleiner, um bei niedrigeren Kosten dauerhafte Einheiten mit hoher elektronischer Leietungsfähigkeit, wie kleiner Verlustleistung und höchster Schaltgeechwindigkeit, zu erhalten. Die einzelnen Schaltelemente und deren Verbindungen untereinander werden dadurch gleichzeitig hergestellt, daß z.B. auf einem Siliziumplättchen, das ca. 2-6 cm Durchmesser hat, und weniger als 0,3 nun dick ist, mehrere 1000 integrierte Elemente aufgebracht werden. Bei diesem Heratellung«verfahren müssen Semiconductor technology is making its components and circuits smaller and smaller in order to obtain permanent units with high electronic conductivity, such as low power loss and the highest switching speed, at lower costs. The individual switching elements and their connections to one another are produced at the same time that several 1000 integrated elements are applied , for example, to a silicon plate that is about 2-6 cm in diameter and is now less than 0.3 thick. With this approach «have to proceed

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verschiedene Herstellungsgänge, wie Verunreinigungsdiffusion, epitaktisches Aufwachsen, Metallisierung usw. in kleinsten ausgewählten Bereichen auf dem ganzen Grundplättehen durchgeführt werden, ohne daß die übrigen Bereiche des Plattchens davon negativ beeinflußt werden. Um diese kleinsten Bereiche genau abzugrenzen, in denen ein bestimmter Herstellungsgang für einen bestimmten Zeitpunkt durchgeführt werden soll, werden photoempfindliche, meist polinäre Überzieher oder Photolackschichten über das gesamte Grundplättchen gezogen und mit ultraviolettem Licht mit Hilfe von Kontaktmasken belichtet. Nach Erfolg der Entwicklung des Photolacks können die Bereiche, die in dem gegebenen Fabrikationsgang verarbeitet werden sollen, durch Entfernen der Photolackschicht und durch Ätzen freigelegt werden. Die übrigen Bereiche bleiben von der unbelichteten Photolaekschicht bedeckt. Man verwendet heute zur Herstellung integrierter Halbleiterschaltungen in einem Herstellungsprozeß sowohl positive als auch negative Photolackschichten. Für jeden Arbeitsgang ist außerdem mindestens eine Maske erforderlich, die entweder als positive oder als negative Maske, je nach der verwendeten Lackschicht, ausgebildet ist. Diese Masken werden ebenfalls durch bekannte photographssehe Techniken hergestellt. Das vielfältige Muster aus kleinsten Figuren, das eine Maske für ein Plättchen bildet, wird von Hauptzeichnungen, die im Format von etwa 1 w Größe hergestellt wurden, durch Objektive mit hohem Auflösungsvermögen und geringer Verzerrung verkleinert und photographisch wieder gegeben. Bei den bisher bekannten Herstellungsverfahren trat vor allem der Nachteil auf, daß bei Verwendung von Negativmasken relativ viele Arbeitsschritte bzw. Prozeßschritte erforderlich waren und daß außerdem die Konturen der Leitungsmuster nicht so exakt waren, wie es insbesondere zur Herstellung von Höchstfrequenz-Halbleiterschaltungen erforderlich ist. Various manufacturing operations, such as impurity diffusion, epitaxial growth, metallization, etc., can be carried out in very small selected areas on the entire base plate without adversely affecting the remaining areas of the plate. In order to precisely delimit these smallest areas in which a certain production process is to be carried out for a certain point in time, photosensitive, mostly polar coating or photoresist layers are drawn over the entire base plate and exposed to ultraviolet light with the help of contact masks. After the development of the photoresist has been successful, the areas that are to be processed in the given production run can be exposed by removing the photoresist layer and by etching. The remaining areas remain covered by the unexposed photolacquer layer. Today, both positive and negative photoresist layers are used for the production of integrated semiconductor circuits in one production process. For each work step, at least one mask is also required, which is designed either as a positive or as a negative mask, depending on the lacquer layer used. These masks are also made by known photography see techniques. The diverse pattern of the smallest figures, which forms a mask for a plate, is reduced from main drawings, which were produced in the format of about 1w in size, by lenses with high resolution and low distortion and reproduced photographically. In the manufacturing processes known up to now, the main disadvantage was that when using negative masks, a relatively large number of work steps or process steps were required and, moreover, that the contours of the line pattern were not as precise as is required in particular for the manufacture of ultra-high frequency semiconductor circuits.

Der Erfindung liegt deshalb die Aufgabe zugrunde, das Herst&llungsverfahren für integrierte Schaltkreise, insbesondere für im Höchstfrequenzgebiet arbeitende Halbleiter, so zu verbessern, daßThe invention is therefore based on the object of improving the manufacturing method for integrated circuits, in particular for semiconductors operating in the high frequency range, in such a way that

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äußerst exakte Konturen der geätzten Flächen im Halbleiter oder im Metall entstehen, so daß dieses Verfahren insbesondere zur Herstellung von integrierten Halbleiteranordnungen, die im Höchstfrequenz gebiet arbeiten, angewendet werden kann.extremely exact contours of the etched surfaces in the semiconductor or arise in the metal, so that this process is particularly useful for the production of integrated semiconductor devices that operate in the highest frequency working area, can be applied.

Die erfindungsgemäße Lösung besteht in einem Verfahren, das dadurch charakterisiert ist, daß auf eine metallbeschichtete Halbleiterfläche ein positiver Abdecklack aufgetragen wird, der danach über eine positive Metallisierungsmaske belichtet wird, daß nach dem Belichten die belichteten Flächenteilchen mit Hilfe eines Entwicklers entwickelt werden und daß dann die belichteten Flächenteilchen des Lacks und die unmittelbar darunterliegende Metallschicht zur Herstellung eines positiven Leitungsmusters abgeätzt werden.The solution according to the invention consists in a method that thereby is characterized in that a positive masking lacquer is applied to a metal-coated semiconductor surface, which is then applied is exposed through a positive metallization mask that, after exposure, the exposed surface particles with the aid of a developer are developed and that then the exposed surface particles of the lacquer and the immediately underlying metal layer be etched away to produce a positive lead pattern.

Durch die Anwendung dieses erfindungsgemäßen Verfahrens wird die Ausschußquote in der Fertigung von Halbleitern wesentlich herabgesenkt, da insbesondere durch die Erhöhung der Qualität der Konturen der Leitungszüge wesentlich mehr gefertigte Halbleiterplättchen den geforderten Daten entsprechen.By using this method according to the invention, the The reject rate in the manufacture of semiconductors is significantly reduced, in particular due to the increase in the quality of the contours of the cable runs, significantly more manufactured semiconductor wafers correspond to the required data.

Die Erfindung wird nun anhand von in den Zeichnungen dargestellten Ausführungsbeispielen beschrieben.The invention will now be illustrated with reference to in the drawings Embodiments described.

Es zeigen:Show it:

Fig. 1 eine Ansicht einer konventionellen negativen Metallisierungsmaske, wie sie bei den bisherigen Verfahren zur Herstellung von Halbleitern verwendet wurde;1 is a view of a conventional negative metallization mask, as used in previous semiconductor manufacturing processes;

Fig. 2 eine Ansicht einer positiven Photometallisierungsmaske;Figure 2 is a view of a positive photometallization mask;

Fig. 3 eine Draufsicht auf einen Höchstfrequenz-NPN-Transistor, der nach dem vorliegenden erfindungsgemäßen Verfahren hergestellt wurde undFig. 3 is a plan view of a high frequency NPN transistor, that according to the present inventive method was made and

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Pig. 4 einen Schnitt durch eine vergrößerte Ansicht des Transistors nach Fig. 3·Pig. 4 shows a section through an enlarged view of the transistor according to Fig. 3

Bevor die Erfindung im einzelnen erklärt wird, soll noch darauf hingewiesen sein, daß für alle Pabriaktionsschritte bei der Halbleiterherstellung, die Subkollektor-Formierung, Isolationsbildung, Widerstandsherstellung, Basis- und Emitter-Diffusion usw. mit positiven Photolackmasken und mit negativem Photolack durchgeführt werden, währenddem bei den Metallisierungsschritten, wie bei der Herstellung von Leitungsmustern, eine positive Maske und ein positives Photolackmaterial verwendet wird. Bei dieser Konfiguration können die Opakbezirke einer Strahlung ausgesetzt werden ,wodurch die darunterliegenden Photoläckflachen, die der Strahlung ausgesetzt sind,löslich werden. Der Photolack wird einem Ätzprozeß ausgesetzt, und dabei werden die löslichen Flächen und das darunterliegende Metall ebenfalls weggeätzt. Die Verwendung einer positiven Maske ist wesentlich besser als die Verwendung einer negativen Maske, weil hier der Photolack mit einem schärferen und deutlicheren Abbild entwickelt werden kann. Eine positive Maske wird hergestellt, indem das Ausgangswerkstück mit einem Opakhintergrund und einem transparenten Abbild präpariert wird. Das Abbild wird dann auf eine photoempfindliche Platte übertragen und verkleinert, um die positive Maske auf diese Art und Weise herzustellen. Da der Hintergrund des Originalstückes undurchsichtig ist, wird weniger Licht zur photoempfindlichen Platte durchgelassen und daher ist das Ausmaß der Lichtstreuung wesentlich reduziert, wodurch ein scharfes Bild entsteht. Wenn das Abbild danach folgend zum Photolack durch Passieren von Strahlung durch die Maske gelangt, wird das Abbild auf dem Photolack wesentlich schärfer und deutlicher geformt und auf diese Art und Weise werden Metallkontakte erreicht, die eine sehr kritische Breite aufweisen. Eine sehr gute Möglichkeit zur Präparierung von Ausgangsstücken besteht darin, daß ein Film mit einer Polyesterfolie (Mylar) oder mit Zelluloseacetat mit einer undurchsichtigen Schicht versehen wird. Die Schicht wird geätzt, so daß die durch-Before the invention is explained in detail, it should be pointed out that for all manufacturing steps in semiconductor manufacture, the sub-collector formation, insulation formation, resistance production, base and emitter diffusion, etc. with positive photoresist masks and negative photoresist can be carried out, while in the metallization steps, such as in the preparation of wiring patterns, a positive mask and a positive photoresist material is used. With this configuration the opaque areas can be exposed to radiation, whereby the underlying photoresist surfaces that the Exposed to radiation become soluble. The photoresist will subjected to an etching process, and in the process the soluble surfaces and the underlying metal are also etched away. The usage a positive mask is much better than the use of a negative mask, because here the photoresist with a sharper and clearer image can be developed. A positive mask is made by using the starting workpiece an opaque background and a transparent image is prepared. The image is then transferred to a photosensitive plate and downsized to make the positive mask in this way. Since the background of the original piece is opaque less light is transmitted to the photosensitive plate, and therefore the amount of light scattering is important reduced, resulting in a sharp image. When the image then follows to the photoresist through the passage of radiation passes through the mask, the image on the photoresist is formed much sharper and more clearly and in this way metal contacts are achieved that have a very critical width. A very good option for preparing original pieces consists in making a film with a polyester film (Mylar) or with cellulose acetate with an opaque Layer is provided. The layer is etched so that the

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lässigen Bereiche, die den gewünschten Kontaktanordnungen entsprechen, erhalten werden. Auf dem präparierten Film wird die Schicht projiziert, indem es über eine Verkleinerungslinse geleitet wird und fokussiert auf eine photoempfindliche Platte gelangt. Die Platte wird dann entwickelt, um die gewünschten Masken zu formen.casual areas that correspond to the desired contact arrangements, can be obtained. The layer is projected onto the prepared film by passing it through a reduction lens is brought into focus on a photosensitive plate. The plate is then developed to give the desired masks to shape.

Die Maske wird nun anhand der Figuren beschrieben. Fig. 1 zeigt eine konventionelle Maske 10, worin das gewünschte Abbild als Transparentabbild 12 2u sehen ist mit einem undurchlässigen Hintergrund 14. Dagegen zeigt Fig. 2 eine positive Maske 20 deren Abbild 22 undurchlässig ist und deren Hintergrund 14 transparent oder lichtduchlässig ist.The mask will now be described with reference to the figures. Fig. 1 shows a conventional mask 10, wherein the desired image as Transparency 12 is shown with an opaque background 14. In contrast, FIG. 2 shows a positive mask 20, the image 22 of which is opaque and the background 14 of which is transparent or is translucent.

Es soll noch erwähnt sein, daß im allgemeinen eine Verkleinerung um den Faktor zwischen 100 und 1000 des Originalbildes angewendet wird. Nach der Übertragung des Abbildes vom Photolack wird die Maske einer Strahlung ausgesetzt.It should also be mentioned that a reduction of the original image by a factor of between 100 and 1000 is generally used will. After the image of the photoresist has been transferred, the mask is exposed to radiation.

Der Photolack, der beim Metallisierungsschritt entsprechend der vorliegenden Erfindung verwendet wird ist ein positiver Photolack, d.h. es handelt sich um ein Polymer, das durch Strahlung abgebaut wird. Diese Photolacle sind erhältlich als m-Kresol-formaldehydnovolakharze und Diazoketonsensibilisatoren, wie 4, 2, 3~Dihydroxybenzophenon^ester der l-Oxo-2-diazonaphthalin-5-sulfosäure. Die Festsubstanzen sind in einer Lösungsmischung aus Hydroxyäthylacetat, Butylacetat und Xylol gelöst.The photoresist used in the metallization step according to the present invention is a positive photoresist, i.e. it is a polymer that is degraded by radiation. These photolacles are available as m-cresol-formaldehyde novolak resins and diazoketone sensitizers such as 4, 2, 3-dihydroxybenzophenone-ester of l-oxo-2-diazonaphthalene-5-sulfonic acid. The solid substances are in a mixed solution of hydroxyethyl acetate, Butyl acetate and xylene dissolved.

Hier sind zusätzliche Vorteile, die bei der Verwendung einer positiven Maske und eines positiven Lacks für die Metallisierungsschritte während des Herstellungsverfahrens auftreten. Z.B. haben die photographischen Platten, die zur Herstellung von Masken verwendet werden, im allgemeinen eine willkürliehe Verteilung von Fehlerstellen, wie z.B. Löscherformationen oder sehr kleine Staubteilchen, Glaseinschlüsse oder Gelatinerückstände. Diese struktu-Here are additional benefits of using a positive one Mask and a positive lacquer for the metallization steps occur during the manufacturing process. E.g. have the photographic plates used to make masks generally have an arbitrary distribution of Defects such as erasure formations or very small dust particles, glass inclusions or gelatin residues. This struc-

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rellen Fehlstellen können sich alle außerordentlich schädigend auf das Halbleiterplättchen auswirken. Im durchsichtigen Bereich bzw. Bezirk spielen diese Effekte nur eine sehr untergeordnete Rolle, währenddem sie in den undurchsichtigen Bereichen oder Opak-Bereichen größere Probleme aufwerfen. Mit einer positiven Metallisierungsmaske werden große klare Bezirke erreicht, während mit der negativen Maske große undurchsichtige Bezirke erzielt werden; diese Defekte können wirksam durch die Verwendung einer positiven Maske verhindert werden.Real flaws can all have an extremely damaging effect on the semiconductor die. In the transparent area or district, these effects play only a very subordinate role, while they are in the opaque areas or Opaque areas pose greater problems. With a positive metallization mask, large clear areas are achieved while large opaque areas can be achieved with the negative mask; these defects can be effectively eliminated through the use of a positive mask can be prevented.

Im nachfolgenden wird nun die vorliegende Erfindung anhand von Ausführungsbeispielen beschrieben.In the following, the present invention will now be described on the basis of exemplary embodiments.

Beispiel 1example 1

Eine Mylar-Folie wird mit einem undurchsichtigen Film versehen und auf der undurchsichtigen Schicht wird eine 500-fach vergrößerte Abbildung des gewünschten Leitungszuges oder der gewünschten Halbleiter anordnung definiert. Die Schicht wird dann abgeschält, wobei die Leitungsmuster durchsichtig bleiben und der Rest der fläche wird undurchsichtig, über ein Linsensystem, das das Bild 1:500 verkleinert, wird Licht im sichtbaren Spektralbereich auf die präparierte Mylar-Folie projiziert, wodurch das Bild auf die photographische Platte übertragen wird. Ist die Platte dann entwickelt, stellt sie die Maske dar.An opaque film is applied to a Mylar sheet and a 500-fold magnification is applied to the opaque layer Mapping of the desired cable run or the desired semiconductors arrangement defined. The layer is then peeled off, leaving the wiring pattern clear and the rest of the surface becomes opaque, through a lens system that the image Reduced to 1: 500, light in the visible spectral range is projected onto the prepared Mylar film, creating the image on the photographic plate is transferred. Once the plate has been developed, it represents the mask.

Beispiel 2Example 2

Bei der Herstellung eines Höchstfrequenz-NPN-Transistors ist ein Silizium N~/N⁺-Scheibchen erforderlich. Darauf wird eine SiO_- Schicht bis zu 5000 S - Dicke aufgebracht. Ein Muster, das der Basis des Transistors entspricht, wird dann auf einen negativen Photolack aufgebracht. Eine positive Maske und eine Strahlung wird dann verwendet, um das gewünschte Muster zu formen. Der Photolack im Bereich der Basis wird nicht der Bestrahlung ausgesetzt und er wird durch die Verwendung eines Entwicklers danach aufgelöst. Eine gepufferte Lösung von F19|prwasserti-;c€fsäure wird Docket FI 966 032 009823/13B6 ^{A silicon N ~ / N +} wafer is required in the manufacture of a high frequency NPN transistor. A SiO_ layer up to 5000 S - thickness is applied to this. A pattern corresponding to the base of the transistor is then applied to a negative photoresist. A positive mask and radiation is then used to shape the desired pattern. The photoresist in the area of the base is not exposed to the radiation and it is subsequently dissolved through the use of a developer. A buffered solution of F19 | hydrous acid is Docket FI 966 032 009823 / 13B6

zum Ätzen des Basisbereichs verwendet. Der Rest des Photolacks wird dann in einem Reinigungsprozeß entfernt.used to etch the base area. The rest of the photoresist is then removed in a cleaning process.

Der Basisbereich wird durch eine p-Diffusion durch die öffnung im SiOp zu einem Verbindungssteg von 20-30 u gebildet. Im vorliegenden Beispiel wurde Boron verwendet, es ist jedoch auch möglich, daß mit anderen Diffusionen bzw. Diffusionselementen im Substrat die erforderlichen und gewünschten Charakteristiken des Endprodukts erreicht werden. Danach wird eine dünne Oxydschicht von ca. 3000 A auf dem Basisbereich aufgebracht.The base region is created by a p diffusion through the opening formed in the SiOp to a connecting web of 20-30 u. In the present Boron was used for example, but it is also possible that with other diffusions or diffusion elements in the Substrate the required and desired characteristics of the end product can be achieved. After that there is a thin layer of oxide of approx. 3000 A applied to the base area.

Wie bereits beschrieben, wird eine positive Maske verwendet und ein negativer Photolack wird auf die Oberfläche aufgebracht. Eine Emitterdiffusion wird in einem genau definierten Bereich hergestellt durch Belichten und Ablösen der Schicht und damit Herstellung einer öffnung in der SiOp-Schicht. Die Emitterdiffusion vom η-Typ wird dann über die Oxydöffnung vorgenommen. Nach der Emitterdiffusion werden die Basiskontakte geöffnet und zwar wiederum durch Verwenden einer positiven Maske und eines negativen Photolackes.As already described, a positive mask is used and a negative photoresist is applied to the surface. One Emitter diffusion is produced in a precisely defined area by exposing and removing the layer and thus production an opening in the SiOp layer. The emitter diffusion the η-type is then made through the oxide opening. After the emitter diffusion, the base contacts are opened again by using a positive mask and a negative photoresist.

Der nächste Fabrikationsschritt ist die Metallisierung. Zu diesem Zwecke wird die Oberfläche des Siliziumscheibchens gereinigt und auf einer Seite mit einer Metallschicht versehen. Im vorliegenden Beispiel wird als Metall Aluminium verwendet. Außerdem wird zusammen mit einem positiven Photolack auch eine positive Photomaske verwendet, um die Leitungsmuster genau zu definieren, die die Halbleiter mit den Lötpunkten oder dergleichen verbinden. Eine Großansicht des horizontalen Aufbaus einer Halbleiteranordnung ist sowohl in Fig. 3 als auch in Fig. 4 zu sehen.The next manufacturing step is metallization. For this purpose, the surface of the silicon wafer is cleaned and provided with a metal layer on one side. In the present example, aluminum is used as the metal. Besides, together With a positive photoresist also a positive photomask is used to precisely define the line pattern that connect the semiconductors to the solder points or the like. A close-up view of the horizontal structure of a semiconductor device is can be seen both in FIG. 3 and in FIG. 4.

Die Eigenschaften des Photolacks, des Verdünners, des Entwicklers und des Entfernungsmittels sind folgende:The properties of the photoresist, thinner, developer and remover are as follows:

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Phys xkal.Eigen
schaftenPhys xcal. Own
societies Lackpaint Verdünnerthinner EntwxeklerDeveloper Entfernungs
mittelDistance
middle Lösungsmittel
typesolvent
type Lösungs
mittelSolution
middle Lösungs
mittelSolution
middle wässriges
Alkaliwatery
alkali wässriges
Alkaliwatery
alkali Erscheinungs-
merkmalAppearance
characteristic gelbrotyellow Red Wasser
klarwater
clear Wasser
klarwater
clear KlarbraunClear brown

PeststoffPestilence

FlammpunktFlash point

19,5 % 19.5 %

64° C64 ° C

6H° C 6H ° C

Damit ist gezeigt worden, daß durch die Verwendung einer positiven Maske in Verbindung mit einem positiven Photolack für die Metallisierungsprozesse bei der Herstellung von integrierten Schaltkreisen anstatt der bisherigen negativen Photolacke und Masken ein großer Vorteil sich daraus ergibt, daß die Lichtstreuung reduziert wird, daß der Kontrast erhöht wird und daß das Abbild ebenfalls verstärkt wird, wodurch eine wesentlich bessere und schärfere Ausführung von Leitungsmustern möglich ist.It has thus been shown that by using a positive Mask in connection with a positive photoresist for the metallization processes in the manufacture of integrated circuits instead of the previous negative photoresists and masks A great advantage results from the fact that the light scattering is reduced, that the contrast is increased and that the image is also increased is reinforced, whereby a much better and sharper execution of line patterns is possible.

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Claims (1)

- 9 Patentansprüche - 9 claims Verfahren zum photographischen Herstellen von Halbleitern mittels Masken, insbesondere für hochintegrierte Halbleiterschaltkreise, die im Höchstfrequenzgebiet arbeiten, dadurch gekennzeichnet, daß auf eine metallbeschichtete Halbleiterfläche ein positiver Abdecklack aufgetragen wird, der danach über eine positive Metallisierungsmaske belichtet wird, daß nach dem Belichten die belichteten Flächenteilchen mit HiIXe eines Entwicklers entwickelt werden und daß dann die belichteten Flächenteilchen des Lacks und die unmittelbar darunterliegende Metallschicht zur Herstellung eines positiven Leitungsmusters abgeätzt werden.A method for the photographic production of semiconductors by means of masks, in particular for highly integrated semiconductor circuits which operate in the high frequency range, characterized in that a positive masking lacquer is applied to a metal-coated semiconductor surface, which is then exposed via a positive metallization mask that, after exposure, the exposed surface particles with HiIXe are developed with a developer and that then the exposed surface particles of the lacquer and the immediately underlying metal layer are etched off to produce a positive conductor pattern. 2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Abdecklack aus einem Polymerisat besteht, das zunächst nicht vom Entwickler aufgelöst wird, aber bei der Belichtung zerlegt und lösbar gemacht wird. 2. The method according to claim 1, characterized in that the cover lacquer consists of a polymer which is not initially dissolved by the developer, but is broken down and made detachable during exposure. 3. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dai der 3. The method according to claim 1, characterized in that the dai Abdeoklack au· einem m-Kresol-FonnaldehydnoYolakharz und einem Sensibilisator aus 4,2,3-Diazonaphthalen-5-Sulfonsäure besteht. Abdeoklack consists of a m-cresol-formaldehyde-yolak resin and a sensitizer of 4,2,3-diazonaphthalene-5-sulfonic acid. k. Verfahren nach den Ansprüchen 1 bis 3» dadurch gekennzeichnet, daß auf ein metallbeschichtetes Substrat ein positiver Abdecklack aufgetragen wird, wobei das Substrat zum Trocknen und zur gleichmäßigen Verteilung der Abdecklackschicht mit hoher Geschwindigkeit bewegt wird, dai dann das beschichtete Substrat zunächst bei einer Temperatur von 35 bis 4O° C eingebrannt wird und danach bei einer Temperatur von 90 bis 100° C, daß die Abdecklackschicht durch eine positive Maske belichtet und danach die belichtete Abdecklackschicht entwickelt wird, daß das entwickelte abdecklackbetchichtete Substrat danach wiederum eingebrannt wird und danach mit be- k. Process according to claims 1 to 3 »characterized in that a positive masking lacquer is applied to a metal-coated substrate, the substrate being moved at high speed for drying and for even distribution of the masking lacquer layer, since the coated substrate is then initially at a temperature of 35 is baked to 40 ° C and then at a temperature of 90 to 100 ° C, that the cover lacquer layer is exposed through a positive mask and then the exposed cover lacquer layer is developed, that the developed cover lacquer-coated substrate is then again baked and then with Docket PI 966 032 009823/1366Docket PI 966 032 009823/1366 - ίο -- ίο - kannten Lösungsmitteln abgeätzt wird, so daß sowohl der entwickelte Abdecklack als auch die darunterliegende Metallschicht entfernt werden.known solvents is etched off, so that both the developed Masking varnish as well as the underlying metal layer can be removed. 5. Verfahren nach den Ansprüchen 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß zur Herstellung eines NPN-Transistors mit Höchstfrequenzeigenschaften folgende Schritte umfaßt:5. The method according to claims 1 to 4, characterized in that for the production of an NPN transistor with maximum frequency properties includes the following steps: a) Thermisches Aufwachsen einer SiOp-Sehicht auf einem N2~/N⁺-Siliziumplättchen;a) Thermal growth of a SiOp layer on an N2 ~ / N ⁺ silicon wafer; b) Beschichten der SiOp-Schicht mit einem negativen Abdecklack zur Bildung eines Musters in der negativen Abdecklackschicht durch Belichten des Abdecklacks durch eine positive Maske;b) Coating the SiOp layer with a negative masking lacquer to form a pattern in the negative masking lacquer layer by exposing the resist through a positive mask; c) Ätzen zwecks Entfernung der nichtbeliehteten Bereiche bzw. Bezirke innerhalb der Abdecklaekschicht zur Bildung von öffnungen in der SiOg-Schicht;c) Etching to remove the unexposed areas within the masking layer for formation of openings in the SiOg layer; d) Eindiffundieren einer P-Störsubstanz in Siliziumplättchen durch die htrgetttlXten SiOg-öffnungen;d) Diffusion of a P interfering substance into silicon wafers through the htrgetttlXth SiOg openings; ·) Beschichten des Siliziumplättchans mit einer negativen Abdecklaekschicht und Belichten dieser Schicht über eine positive Maske ;·) Coating the silicon wafer with a negative cover layer and exposing this layer over a positive mask; f) Ätzen der Schicht zur Herstellung von öffnungen in der SiOg-Schicht und Eindiffundieren einer N-Störsubstanz;f) etching the layer to produce openings in the SiOg layer and diffusion of an N interfering substance; g) Bildung von Basisanschlüssen durch Kontaktieren des Plättchens mit eintm negativen Abdecklack und Belichten des Abdecklacks durch eine positive Maske;g) Formation of base connections by contacting the platelet with a negative masking lacquer and exposure the resist through a positive mask; h) Aufbringen eines Metalls auf die Oberfläche des Plättchens undh) applying a metal to the surface of the wafer and i) Festlegung eines Metallisierungsmusters unter Verwendung eines positiven Abdecklacks und einer positiven Maske. "i) Establishing a metallization pattern using a positive resist and a positive mask. " 009823/1356009823/1356 Docket PI 966 032Docket PI 966 032 6. Verfahren nach Anspruch 5» dadurch gekennzeichnet, daß das
im Schritt h) aufgebrachte Metall Aluminium ist und der Abdecklack aus einem n-Kresolformaldehydnovolakharz und 4,2,3" Dihydrooxybenzophenonester einer l-Oxo-2-Diazonaphthalen-5~ SuIfonsäure besteht.6. The method according to claim 5 » characterized in that the
The metal applied in step h) is aluminum and the cover lacquer consists of an n-cresol-formaldehyde novolak resin and 4.2.3 "dihydrooxybenzophenone ester of an 1-oxo-2-diazonaphthalene-5-sulfonic acid. 00 98 23/1356
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