DE1953433C3 - Phase discriminator for synchronizing a local oscillator - Google Patents
Phase discriminator for synchronizing a local oscillatorInfo
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- DE1953433C3 DE1953433C3 DE19691953433 DE1953433A DE1953433C3 DE 1953433 C3 DE1953433 C3 DE 1953433C3 DE 19691953433 DE19691953433 DE 19691953433 DE 1953433 A DE1953433 A DE 1953433A DE 1953433 C3 DE1953433 C3 DE 1953433C3
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Description
ähnlicher Art nach der US-PS 2 906 81S der Phasen- Schwarzweiß- oder Farbfernsehempfänger vorge-of a similar type according to US-PS 2 906 81S of the phase, black and white or color television receivers.
diskriminator mit einer Rückkopplung versehen. In sehenen Amplitudensieb abgegeben, wodurch ausdiscriminator provided with a feedback. Delivered in see the amplitude sieve, which looks like
der Rückkopplung wird ein Teil des Vergleichssignals dem Videosignal die Ilorizontal-SynchronimpulseWith the feedback, part of the comparison signal is added to the video signal, the horizontal sync pulses
einer Anzapfung eines als Spannungsteiler ausgebil- hergeleitet werden. Wie für etwa eine Zeilenperiodea tap designed as a voltage divider. Like for about a line period
deten Widerstandes in der Kathodenleitung einer 5 angegeben ist, treten im Synchronsignal 2 Impulsedeten resistance is indicated in the cathode line of a 5, occur in the synchronous signal 2 pulses
Triode zugeführt. Die Phase und die Größe sind auf, die sich in positiver Richtung von dem mit 0Triode fed. The phase and the size are on, which differ in the positive direction from the one with 0
dabei derart, daß beim Fehlen der Symhronimpulse angegebenen Massepotential erstrecken,in such a way that in the absence of the symhron impulses specified ground potential extend,
der symmetrische Transistor während der ersten Eine Emitterelektrode des Transistors 1 ist anthe symmetrical transistor during the first. An emitter electrode of transistor 1 is on
Hälfte einer Zeilenperiode in der einen und während Masse gelegt, während eine Kollektorelektrode überHalf of a line period is placed in the one and during ground, while a collector electrode is over
der zweiten Hälfte in der anderen Richtung Strom io einen Widerstand 3 mit einer ein Potential 4 V1 the second half in the other direction current io a resistor 3 with a potential 4 V 1
führt. Der gesamte Ladungstransport in einer ganzen führenden Klemme verbunden ist. Die Kollektor-leads. The entire charge transport is connected in a whole leading terminal. The collector
Zeilenperiode muß dabei Null sein, damit der M'.ttel- elektrode des Transistors liegt an einer BasiselektrodeThe line period must be zero so that the middle electrode of the transistor is connected to a base electrode
wert der Rvgelspannung am Kondensator nicht be- eines Transistors 4, von dem eine Emitterelektrodevalue of the Rvgelvoltage on the capacitor is not a transistor 4, of which one emitter electrode
einflußt wird. an Masse gelegt ist. Eine Kollektorelektrode desis influenced. is connected to ground. A collector electrode of the
Wie in der betreffenden Patentschrift bereits er- 15 Transistors 4 ist über einen Widerstand 5 mit einer
wähnt, muß für ein gutes Funktionieren des Phasen- ein Potential 4- V2 führenden Klemme verbunden,
diskriminators deT als Schalter wirksame Transistor Im Intervall zwischen den Impulsen im Synchroneine
mehr oder weniger ideale symmetrische Kenn- sigaal 2 ist der Transistor 1 gesperrt. Das Potential
linie aufweisen. Zur Verringerung des Einflusses der + V1 und der Widerstand 3 sind derart bemessen,
praktisch immer vorhandenen Asymmetrie wurde ao daß bei einem gesperrten Transistor 1 das Potential
vorgeschlagen, die Form des rückgekoppelten Ver- an der Basiselektrode des Transistors 4 höher ist als
gleichssignals anzupassen. In der Praxis läßt sich dies die Basis-Emitter-Schwelle VBF des Transistors 4, so
und jenes wegen der Streuung in dem Ausmaß der daß dieser leitend ist. Die Impulse im Synchron-Asymmetrie
der Transistoren schwer verwirklichen. signal 2 bringen den Transistor 1 in den leitendenAs already mentioned in the relevant patent specification, the transistor 4 is connected to a resistor 5 via a resistor 5, a terminal carrying a potential of 4- V 2 must be connected for proper functioning of the phase,
discriminators deT transistor effective as a switch In the interval between the pulses in a more or less ideal symmetrical characteristic signal 2, transistor 1 is blocked. Show the potential line. To reduce the influence of the + V 1 and the resistor 3 are dimensioned in such a way, practically always existing asymmetry was ao that with a blocked transistor 1, the potential was proposed to adjust the shape of the fed back voltage to the base electrode of the transistor 4 is higher than the same signal. In practice, this can be the base-emitter threshold V BF of the transistor 4, so and that because of the spread to the extent that this is conductive. The impulses in the synchronous asymmetry of the transistors are difficult to realize. signal 2 bring transistor 1 into the conductive state
Es dürfte einleuchten, daß die Amplitude des Ver- 15 Zustand. Der dabei auftretende Spannungsabfall am gleichssignals, das auf direkte Weise und über die Transistor 1 ist kleiner als die genannte Basis-Emitter-Rückkopplung dem Transistor zugeführt wird, klein Schwelle VBe des Transistors 4, so daß dieser dann sein muß. Denn aus Verluslleistungserwägungen geht gesperrt ist. Dies ergibt, daß an der Kollektorelekhervor, daß, wenn sich der Transistor während der trode des Transistors 4 ein Signal 6 mit kurzen Imganzen Zeilenperiode in dem leitenden Zustand be- 30 pulsen auftritt. Abgesehen von dem kleinen Spanfindet, die Spannung am Transistor klein sein muß. nungsabfall am leitenden Transistor 4 erstrecken sich Die Grenze dafür kann bereits bei einigen mV liegen. die Impulse im Signal 6 vom Massepotential bis etwaIt should be evident that the amplitude of the 15 state. The resulting voltage drop on the DC signal, which is fed to the transistor in a direct manner and via the transistor 1 is smaller than the base-emitter feedback mentioned, is small threshold V Be of the transistor 4, so that this must then be. Because loss performance considerations go is blocked. This results in the fact that, at the collector electrode, if the transistor pulsates during the trode of the transistor 4, a signal 6 with a short whole line period in the conductive state occurs. Apart from the small chip, the voltage across the transistor must be small. voltage drop at the conductive transistor 4 extend The limit for this can already be a few mV. the pulses in signal 6 from ground potential to about
Die Erfindung bezweckt unter anderem, die ge- das Potential 4- V2. The invention aims, among other things, to reduce the potential 4- V 2 .
nannten Nachteile auszuschalten und einen Phasen- Die Kollektorelektrode des Transistors 4 ist über diskriminator zu schaffen, der mit einem hohen Wir- 35 einen Widerstand 7 bzw. 8 mit einer Basiselektrode kungsgrad funktioniert und dessen gutes Funktionieren eines Transistors 9 bzw. 10 verbunden. Eine Emitterunabhängig von Streuungsgrößen der Komponenten elektrode des Transistors 9 ist mit einer Kollektorauf automatische Weise gewährleistet ist. elektrode des Transistors 10 mit demselben Leitfähig-mentioned disadvantages and a phase The collector electrode of transistor 4 is over To create a discriminator with a high efficiency 35 a resistor 7 or 8 with a base electrode efficiency works and its good functioning of a transistor 9 and 10 respectively. One emitter independent of dispersion sizes of the component electrode of the transistor 9 is connected to a collector automatic way is guaranteed. electrode of transistor 10 with the same conductivity
Dies wird erreicht, wenn gemäß der Erfindung das keitstyp verbunden. Die Transistoren 9 und 10 sind Vergleichssigna; mittels einer Spitzengleichrichter- 40 beispielsweise vom npn-Leitfähigkeitstyp Der Verschaltung auf einen solchen Wert geklemmt wird, daß bindungspunkt ist an eine Ausgangsklemme 11 des auch beim Fehlen der Schaltimpulse während vieler Phasendiskriminators gelegt. Eine zweite Ausgangs-Perioden der Schalter nicht durch das Vergleichs- klemme 12 des Diskriminators ist über einen Konsignal geöffnet wird. densator 13 mit der ersten Ausgangsklemme 11 ver-This is achieved if, according to the invention, the keittyp is connected. The transistors 9 and 10 are Comparison signa; by means of a peak rectifier 40, for example of the npn conductivity type is clamped to such a value that the connection point is to an output terminal 11 of the also placed in the absence of switching pulses during many phase discriminators. A second starting period the switch not through the comparison terminal 12 of the discriminator is via a consignal is opened. connect capacitor 13 to the first output terminal 11
Der Erfindung liegt die Erkenntnis zugrunde, daß 45 bunden. Die Ausgangsklemme 12 ist über einen die genannte Spitzengleichrichterschaltung automa- Widerstand 14 an eine Verbindung zwischen der tisch die günstigste Einstellung des Phasendiskrimi- KoHektorelektrode des Transistors 9 und der Emitternators gewährleistet. Der möglichst große Spitze-zu- elektrode des Transistors 10 gelegt. Das mit der Spitzenwert des Vergleichssignals darf so groß sein, Ausgangsklemme 12 verbundene Ende des Widerdaß die Kennlinie des Halbleiterschalters nahezu 50 Standes 14 ist über einen Elektrolytkondensator 15 völlig benutzt wird. Während des Fehlens von Syn- mit Masse verbunden. Das andere Ende des Widerchronimpulsen ist dabei gewährleistet, daß der Halb- Standes 14 ist an eine Emitterelektrode eines Tranleiterschalter unter allen Umständen nichtleitend ist, sistors 16 gelegt, von dem eine KoHektorelektrode so daß die Regelspannung am Kondensator konstant über einen Widerstand 17 mit einer das Potential bleibt. Das genannte Fehlen der Synchronimpulse 55 +Vs führenden Klemme verbunden ist. Eine Basiskann sich auf das Intervall zwischen zwei aufein- elektrode des Transistors 16 ist an einen Spannungsanderfolgenden Impulsen sowie auf das für mehrere teiler angeschlossen, der aus einem Widerstand 18 Perioden vorübergehende Fehlen der Impulse be- nach der das Potential 4- V2 führenden Klemme und ziehen. aus zwei in Reihe geschalteten Dioden 19 und 20The invention is based on the knowledge that 45 bound. The output terminal 12 is ensured via a said peak rectifier circuit automatic resistor 14 to a connection between the table, the most favorable setting of the phase discriminating KoHectorelectrode of the transistor 9 and the emitter nator. The largest possible tip-to-electrode of transistor 10 is placed. The end of the resistor connected to the peak value of the comparison signal may be so large that the output terminal 12 is so that the characteristic curve of the semiconductor switch is almost 50 level 14 is completely used via an electrolytic capacitor 15. In the absence of syn- connected to ground. The other end of the reverse pulse ensures that the half-level 14 is non-conductive to an emitter electrode of a Tranleiterschalter under all circumstances, sistor 16 is placed, of which a KoHektorelectrode so that the control voltage on the capacitor is constant across a resistor 17 with a potential remains. Said lack of sync pulses 55 + V s leading terminal is connected. A base can be based on the interval between two on one electrode of the transistor 16 is connected to a voltage following pulses as well as to that for several divisors, the temporary absence of pulses from a resistor 18 periods after the terminal and the potential 4- V 2 draw. of two diodes 19 and 20 connected in series
Ein Ausführungsbeispiel der Erfindung ist in der 60 nach Masse aufgebaut ist. Die Anode der Diode 19One embodiment of the invention is in which 60 is mass-built. The anode of the diode 19
Zeichnung dargestellt und wird im folgenden näher liegt am Widerstand 18, während die Kathode derDrawing shown and is closer to the resistor 18, while the cathode of the
beschrieben. Diode 20 an Masse liegt. Der Spannungsabfall andescribed. Diode 20 is connected to ground. The voltage drop on
In der Figur ist ein erfindungsgemäßer Phasen- den Dioden 19 und 20 und somit das PotentialIn the figure there is a phase diode 19 and 20 according to the invention and thus the potential
diskriminator dargestellt, in der mit 1 ein Transistor au der Basiselektrode des Transistors 16, ist mit angegeben ist. Einer Basiselektrode des Transistors 1 65 4- 2 VBE angegeben.shown discriminator, in which with 1 a transistor on the base electrode of the transistor 16 is indicated with. A base electrode of the transistor 1 65 4- 2 V BE indicated.
wird ein als Funktion der Zeit dargestelltes Synchron- Parallel zur Reihenschaltung aus dem Widerstanda synchronous parallel to the series connection of the resistor is shown as a function of time
signal 2 zugeführt. Das Synchronsignal 2 wird bei- 14 und dem Kondensator 15 ist eine Reihenschaltungsignal 2 supplied. The synchronizing signal 2 is at 14 and the capacitor 15 is a series circuit
spielsweise von einem nicht dargestellten in einem aus einem Widerstand 21 und einer Signalquelle 22For example, from a not shown in one of a resistor 21 and a signal source 22
SSSSSSKSSSSSSSKS
f3Ss asasf3Ss asas
am Kondensator 23 dg J ^g^^ niemais ^ M tential oder mit Ruck-at the capacitor 23 dg J ^ g ^^ no one ^ M tential or with jerk
" JSESf-="JSESf- =
1§1§
SSSe^S' Komponenten an der Emitterelektrode des Transistors 10 durch dieSSSe ^ S 'components at the emitter electrode of transistor 10 by the
im Phafendikrimfnator fei bemerkt, daß die Korn- so Durchbruchspannong zwischen der Emitter- und dernoted in the phase discriminator that the grain breakdown voltage between the emitter and the
^SSSSütedniSlieBüchll eine Spitzengleich- Basisschicht beschränkt. Dies hat zur Foge d ß^ SSSSütedniSlieBüchll limited a top level base layer. This has to do with the result
^torschaltung für das Vergleichssignal 25 bilden. einerseits eine hohe Vorspannung erforderlich ist^ form gate circuit for the comparison signal 25. on the one hand, a high preload is required
Die asymmetrischen npn-Transistoren 9 und 10 sind und andererseits nur eine beschrankte Änderung derThe asymmetrical npn transistors 9 and 10 are, on the other hand, only a limited change in the
al HaSdter chalter wirksam und ersetzen zusam- Amplitude des Vergleichssignals 25 zulässig ist Die men nur einen symmetrischen npn-Transistor. Die *5 Amplitudenschwankung geht unter anderem ausde Al HaSdter switch effective and replace the amplitude of the comparison signal 25 is permissible The men only a symmetrical npn transistor. The 5 * amplitude variation goes au among other sde
Basiselektrode der Transistoren 9 und 10 sind zu- Tatsache hervor, daß bei gleicher Phase und TreBase electrode of the transistors 9 and 10 are to- fact that with the same phase and Tre
farben als Steuerelektrode des Halbleiterschalters quenz des vom Zeilenoszillator abgegebenen Signalcolors as the control electrode of the semiconductor switch sequence of the signal emitted by the line oscillator
9 ^O wirksam. Die Nummern 1 bis einschließlich 8 die Amplitude der Impulse im Signal 24 je nach der9 ^ O effective. Numbers 1 to 8 inclusive, the amplitude of the pulses in signal 24 depending on the
eehören zu einer Steuerstufe, die für den Halbleiter- Belastung der Zeilenendstufe sich andern kann Zuschalter 9 10 ein Schaltsignal 6 mit kurzen Schalt- 30 gleich gilt, daß das Anordnen eines Phasendisknmi-e belong to a control stage that can change for the semiconductor load on the line output stage 9 10 a switching signal 6 with short switching 30 the same applies that arranging a phase dis-
impulsen erzeugt "at°rs in einem der in Massenfertigung hergestelltenimpulses generated " a t ° rs in one of the mass-produced
Zur Erläuterung der Wirkungsweise des Phasen- Fernsehempfänger, in dem die Toleranzen der ver-To explain the mode of operation of the phase television receiver, in which the tolerances of the
diskriminators wird von folgender Tatsache ausge- wendeten Einzelteile groß sind, zur Folge hat, daBdiscriminator is made up of the following fact that individual parts are large, has the consequence that
ganienTder Kondensator 13 gibt an den Ausgangs- die Amplitude des Vergleichssignals 25 zwischen weiklemmen 11 und 12 eine derartige Spannung ab, daß 35 ten Grenzen liegen kann.The capacitor 13 gives the amplitude of the comparison signal 25 between white terminals at the output 11 and 12 such a voltage that 35 th limits can be.
bei Zuführung an einer Frequenzregelstufe eines Os- Im erfindungsgemäßen Phasendisknminator wirawhen fed to a frequency control stage of an OS In the phase discriminator according to the invention wira
zillators einer Zeilenablenkschaltung ein daraus her- eine sich ändernde Vorspannung erzeugt, die von aerzillators of a line deflection circuit, a changing bias voltage generated from it, which is generated by aer
geleitetes Vergleichssignal 25 entsteht, das die Regel- Amplitude des Vergleichssignals 25 abhängig ist unaconducted comparison signal 25 arises, which the control amplitude of the comparison signal 25 is dependent on una
spannung am Kondensator 13 nicht ändert. Der Syn- die automatisch auf einem möglichst kleinen wen chronzustand ist erreicht. Der Fernsehempfänger ist 40 gehalten wird. In der Spitzengleichrichterschaltungvoltage on capacitor 13 does not change. The syn- thes automatically on a person as small as possible chronic state is reached. The television receiver is 40 being held. In the peak rectifier circuit
dann für die Zeilenablenkung auf die richtige Weise 14 bis 21 prägt dazu der Spannungsteiler mit aemthen for the line deflection in the correct way 14 to 21 stamps the voltage divider with aem
synchronisiert und der Zeitpunkt der Mitte eines Widerstand 18 und den Dioden 19 und 20 das Poten-synchronized and the time of the middle of a resistor 18 and the diodes 19 and 20 the potential
Imnulses im Synchronsignal 2 entspricht dem eines tial + 2VBE der Basiselektrode des Transistors 10The pulse in the synchronization signal 2 corresponds to that of a tial + 2V BE of the base electrode of the transistor 10
Impulses im Signal 24. Für das Signal 25 gilt, daß die auf. Ausgehend von einer Basis-Emitter-Schwelle von Impulse im Signal 6 auf der Hälfte der RücklaufzeU 45 +VBE wird der Transistor 16 in den leitenden £Ά- Pulse in the signal 24. For the signal 25 applies that the on. Starting from a base-emitter threshold of pulses in the signal 6 on half of the return period 45 + V BE , the transistor 16 is in the conductive £ Ά-
einer säeezahnförmigen Spannung 25 am Konden- stand geraten, wenn die Emitterelektrode ein t oten-get a säeezahnförmigen voltage 25 stood at condensation when the emitter electrode, a t oten-
sator 23 auftreten. «al + VBE führt. Dies hat zur Folge, daß das Poten-sator 23 occur. «Al + V BE leads. This has the consequence that the potential
Die Impulse im Schaltsignal 6 bieten den Tran- tial an der Klemme 26 nicht kleiner werden kamn au>The impulses in the switching signal 6 provide the tran- tial at the terminal 26 which cannot be reduced
sistoren9 und 10 die Möglichkeit, in den leitenden +VBE. Im Vergleichssignal 25 ist mit einer isestei-Zustand zu geraten. Selbstverständlich muß dazu das 50 chelten Linie das Potential + VEB dargestellt, υπ?sistors9 and 10 the possibility of being in the conductive + V BE . In comparison signal 25, an isestei state is to be expected. Of course, the 50 chelten line must show the potential + V EB , υπ?
Potential an der Kollcktorelektrode des npn-Tran- den minimalen Wert des Sägezahnes im Vergleicös-Potential at the collector electrode of the npn tran- the minimum value of the sawtooth in comparison
sistors 9 oder 10 höher sein als an der zugehörigen signal 25 herum, gerät der Transistor 16 in den lei-sistor 9 or 10 be higher than the associated signal 25, the transistor 16 gets into the conduction
Emitterelektrode. Im Synchronzustaad ist während tenden Zustand, und der Sägezahn wird abgeflaut,Emitter electrode. In the synchronous state is during the tendency state, and the sawtooth is faded,
der ersten Hälfte der Dauer eines Schaltimpulses im wie dies mit den schwarzen Dreiecken im Signal» Sienaie das Potential an der Klemme 26 auf abneh- 55 dargestellt ist Mit einer gestrichelten Linie ist anthe first half of the duration of a switching impulse like this with the black triangles in the signal » The potential at terminal 26 is shown to be decreasing. 55 A dashed line is on
mende Weise etwas höher als an der Klemme 11, Signal25 das mittlere Potential +Va angegeben,«"» The mean potential + V a given on terminal 11, Signal25, is slightly higher, «" »
so daß der Transistor9 leitend ist In der zweiten je nach der Amplitude des Säg;ezahnes im Signal*»so that the transistor9 is conductive. In the second depending on the amplitude of the saw tooth in the signal * »
Hälfte der Dauer eines Schaltimpulses wird das Po- an der mit der Ausgangsklenime 12 verbundenenHalf of the duration of a switching impulse is the Po- to the associated with the output cycle time 12
tentiai an der Klemme 26 auf zunehmende Weise Klemme des Kondensators 15 auftritt, ^sr ~*S?"tentiai occurs at terminal 26 in increasing manner terminal of capacitor 15, ^ sr ~ * S? "
etwas niedriger als das an der Klemme 11, so daß 60 widerstand des Kondensators IS wird durcn «ieslightly lower than that at terminal 11, so that the resistance of the capacitor IS is increased
der Transistor 10 leitend ist Dies hat zur Folge, daß Widerstände 14 und 21 gegeben. Die bdspebw^the transistor 10 is conductive This has the consequence that resistors 14 and 21 are given. The bdspebw ^
in der ersten Hälfte der Impulsdauer dem Konden- mit einer Wicklung auf einem Transformator 8Pj^jTin the first half of the pulse duration the condensate with a winding on a transformer 8 Pj ^ jT
satorl3 etwas Ladung zugeführt wird, die in der bildete Spannungsquelle 22 bildet einen KurzscMä».Satorl3 some charge is supplied, which forms a short SCMä »in the voltage source 22 formed.
zweiten Hüfte wieder abgeführt wird. Das während vieler Zeilenperioden F^e*J~** second hip is removed again. That during many line periods F ^ e * J ~ **
' Es dürfte einleuchten, daß im Intervall zwischen 65 Synchronimpulse im Signal 2 kann die R^rcPj^ ' It should be clear that in the interval between 65 sync pulses in signal 2, the R ^ rcPj ^
zwei Schaltimpulsen im Signale die Transistoren9 nung am Kondensator 13 nicht beeinfhoaeo- £*»two switching pulses in the signal do not affect the transistors on the capacitor 13
und 10 bestimmt nicht in den leitenden Zustand ge- Vergleichssignal 25 hält nämlich zusamme» flirt »J*and 10 definitely not in the conductive state. Comparison signal 25 holds together »flirt» J *
taten dürfen- Dies hätte nämlich zur Folge, daß die Spitzengleichrichterschaltung 14 bis 21 den Hwallowed to do - This would have the consequence that the peak rectifier circuit 14 to 21 the Hw
ieiterschalter 9, 10 nichtleitend. Dadurch wird beispielsweise beim Umschalten des Fernsehempfängers vom einen auf einen anderen Fernsehkanal die Frequenz des Zeilenoszillators konstant bleiben. Für eine gleiche Zeilenfrequenz beider Fernsehkanäle bedarf es nur einer Nachregclung der Phase der Zeilenablenkung. Conductor switch 9, 10 non-conductive. This will, for example the frequency when switching the television receiver from one television channel to another of the line oscillator remain constant. For the same line frequency, both television channels are required it is just a readjustment of the phase of the line deflection.
Der Spannungsteiler in der Spitzengleichrichtcrschaltung 14 bis 21 kann mit nur einer Diode, beispielweise Diode 19, ausgebildet werden. Dadurch wird das möglichst kleine Potential an der Klemme 26 auf Massepotential 0 fixiert werden. Ist jedoch die Basis-Einitter-Schwelle des Transistors 10 vernachlässigbair klein, während dagegen der Spannungsabfall am leitenden Transistor 4 nicht vernachlässigbar ist, so würde der Transistor 10 außerhalb der Dauer des Schaltimpulses leitend werden können. Hinsichtlich der Streuung in den Größen der verwendeten Transistoren ist die Schwelle im Vergleichssignal 25 auf das + KßC-Niveau gelegt, so daß der Einfluß der Streuung eliminiert ist.The voltage divider in the peak rectifier circuit 14 to 21 can be formed with only one diode, for example diode 19. As a result, the lowest possible potential at terminal 26 is fixed to ground potential 0. If, however, the base-one-emitter threshold of the transistor 10 is negligibly small, while, on the other hand, the voltage drop across the conductive transistor 4 is not negligible, the transistor 10 would be able to become conductive outside the duration of the switching pulse. With regard to the scatter in the sizes of the transistors used, the threshold in the comparison signal 25 is set at the + Kβ C level, so that the influence of the scatter is eliminated.
Die Anzapfung des Spannungsteilers 18 bis 20, die das Potential +2 Van führt, kann mit dem Widerstand .3 verbunden werden. Das Potential + Vx braucht nur so hoch zu sein, daß bei einem gesperrten Transistor 1 der Basiselektrode des leitenden Transistors 4 ein Potential aufgeprägt wird, das etwas höher ist als + VBF. The tap of the voltage divider 18 to 20, which carries the potential of +2 V, can be connected to the resistor .3. The potential + V x only needs to be so high that, when the transistor 1 is blocked, the base electrode of the conductive transistor 4 is impressed with a potential which is slightly higher than + V BF .
Die als Dioden 19 und 20 ausgebildeten Halbleiterelemente im Spannungsteiler 18 bis 20 sind durch einen Widerstand ersetzbar. Die Verwendung von Dioden bietet den Vorteil, daß Änderungen im Potential -f V2 die Schwelle +2 Vßfc nahezu nicht beeinflussen.The semiconductor elements in the form of diodes 19 and 20 in the voltage divider 18 to 20 can be replaced by a resistor. The use of diodes offers the advantage that changes in the potential -f V 2 have almost no effect on the +2 V ßfc threshold.
Der sägezahnförmige Teil im Vergleichssignal 25 ist mit Hilfe des integrierenden Netzwerkes mit dem Widerstand 21 und dem Kondensator 23 aus dem impulsförmigen Signal 24 hergeleitet, das von der Quelle 22 geliefert wird. Die Quelle 22 kann als eine Wicklung auf dem Transformator in der Zeilenendstufe eines Fernsehempfängers ausgebildet sein. Das \o Vergleichssignal 25 kann zugleich durch Differenzierung aus einem parabelförmigen Signal hergeleitet werden. Als Quelle für das parabelförmige Signal kann ein Tangentialkorrektui kondensator in Reihe mit einer Zeilenablenkspule in der Zeilenendstufe verwendet werden. In der Figur könnte der Kondensator 23 fortgelassen werden, und der Widerstand 21 könnte durch einen Kondensator ersetzt werden, der zusammen mit dem Widerstand 14 einen Differentiator ergibt. Parallel zum Kondensator 15 müßte ein Leckwiderstand angeordnet werden, da die Entladung über die kapazitive Quelle nicht möglich wäre.The sawtooth-shaped part in the comparison signal 25 is derived from the pulse-shaped signal 24, which is supplied by the source 22, with the aid of the integrating network with the resistor 21 and the capacitor 23. The source 22 can be formed as a winding on the transformer in the line output stage of a television receiver. The \ o reference signal 25 can be also derived by differentiation of a parabolic signal. As a source for the parabolic signal, a Tangentialkorrektui capacitor can be used in series with a line deflection coil in the line output stage. In the figure, the capacitor 23 could be omitted and the resistor 21 could be replaced by a capacitor which, together with the resistor 14, forms a differentiator. A leakage resistor would have to be arranged parallel to the capacitor 15, since the discharge via the capacitive source would not be possible.
Es dürfte einleuchten, daß die Quelle 22 ein Signal abgeben kann, das der Zeilenendstufe oder unmittelbar dem geregelten Zeilenoszillator entnommen ist. Dabei braucht das Vergleichssignal 15 keine sägezahnförmige Änderung aufzuweisen.It should be evident that the source 22 can emit a signal that the line output stage or directly is taken from the regulated line oscillator. The comparison signal 15 does not need a sawtooth shape Change.
Der Phasendiskriminator läßt sich auf einfache Weise zum größten Teil in einem Halbleiterkörper integrieren. Dazu ist der Schalter 9, 10 mit zwei npn-Transistoren in einer symmetrischen Transistorkonfiguration angegeben. Die Dioden 19 und 20 können als reihengeschaltete npn-Transistoren ausgebildet werden, wobei von jedem eine Basis mit einer Kollcktorelektrode verbunden ist. Der in der Spitzengleichrichterschaltung vorhandene Gleichrichter ist als Transistor 16 angegeben, aber kann auch als Diode ausgebildet sein. An einen beispielsweise monolytisch integrierten Kreis können die diskreten Kondensatoren 13, 15, 23 und die Widerstände 14, 21 angeschlossen werden.The phase discriminator can be for the most part in a simple manner in a semiconductor body integrate. For this purpose, the switch 9, 10 with two npn transistors is in a symmetrical transistor configuration specified. The diodes 19 and 20 can be designed as series-connected npn transistors each having a base connected to a collector electrode. The one in the peak rectifier circuit existing rectifier is indicated as transistor 16, but can also be used as a diode be trained. The discrete capacitors 13, 15, 23 and the resistors 14, 21 can be connected.
Für eine monolytisch integrierte Ausführungsform eines erfindungsgemäßen Diskriminators werden die folgenden Werte der Einzelteile gegeben:For a monolithically integrated embodiment of a discriminator according to the invention, the the following values of the individual parts are given:
Potential +V., 12 VPotential + V., 12 V
Potential + V\ +2 VBE Potential + V \ +2 V BE
Signal 25 3 Fss-SägezahnSignal 25 3 F ss - sawtooth
Widerstand 3 2,6 kOhmResistance 3 2.6 kOhm
Widerstand 5 9,2 kOhmResistance 5 9.2 kOhm
Widerstände 7, 8 1,5 kOhmResistors 7, 8 1.5 kOhm
Widerstand 14 680 OhmResistance 14 680 ohms
Widerstand 17 650 OhmResistance 17 650 ohms
Widerstand 18 8,1 kOhmResistor 18 8.1 kOhm
Widerstand 21 2,7 kOhmResistor 21 2.7 kOhm
Kondensator 13 0,068 nFCapacitor 13 0.068 nF
Kondensator 15 10 μ¥ Capacitor 15 10 μ ¥
Kondensator 23 : 0,1 μ,Έ Capacitor 23: 0.1 μ, Έ
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen «0963973661 sheet of drawings «096397366
Claims (1)
Applications Claiming Priority (2)
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---|---|---|---|
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NL6815507 | 1968-10-31 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
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DE1953433A1 DE1953433A1 (en) | 1970-07-02 |
DE1953433B2 DE1953433B2 (en) | 1975-01-02 |
DE1953433C3 true DE1953433C3 (en) | 1976-09-23 |
Family
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