DE19530517A1 - Verbundkörper und Verfahren zu dessen Herstellung - Google Patents
Verbundkörper und Verfahren zu dessen HerstellungInfo
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Description
Die Erfindung betrifft einen Verbundkörper, bestehend aus einem
Hartmetall-, Cermet-, Stahl- oder Keramik-Substratkörper und
mindestens einer Metallcarbonitrid-Hartstoffschicht.
Die Erfindung betrifft ferner ein Verfahren zur Herstellung von
Multikomponenten-, insbesondere quaternären Hartstoffschichten
mit mindestens zwei Metallen aus der Gruppe Ti, Zr, Hf, V, Nb,
Ta, Cr, Mo und W.
Mit Hartstoff beschichtete Substratkörper sind nach dem Stand
der Technik bekannt. Durch die jeweils aufgetragene Hartstoff
beschichtung, ggf. als Mehrlagenbeschichtung, kann eine ver
schleißbeständige Oberflächenschicht mit zähen, mechanisch
hochbelasteten Grundkörpern kombiniert werden. Grundsätzlich
werden zum Auftragen der Hartstoffschichten zwei verschiedene
Verfahren, die sogenannte Chemical-Vapour-Deposition (CVD) oder
die Physical-Vapour-Deposition (PVD) angewendet. Insbesondere
sind bei Schneidwerkzeugen zur spanenden Bearbeitung von
Werkstücken solche Beschichtungen zur Verlängerung der
Gebrauchsdauer der Schneidwerkzeuge bekannt. Übliche Schutz
schichten bestehen beispielsweise aus TiC, TiN und/oder Alumi
niumoxid. Es sind auch bereits Mehrlagenbeschichtungen mit der
Schichtfolge TiN, Ti(C,N), Ti(C,N), TiN auf einem Substratkör
per mit beliebigen C:N-Mischungsverhältnissen vorgeschlagen
worden.
Zur Herstellung von Verschleißschutzschichten für spanende
Werkzeuge aus Schnellarbeitsstählen werden hauptsächlich
PVD-Verfahren angewendet, während man für Werkzeuge aus Hartme
tallen vorzugsweise CVD-Verfahren benutzt. Beide Verfahren
haben Vor- und Nachteile. Während man PVD-Beschichtungen
bereits ab ca. 400°C herstellen kann, benötigt man bei den
CVD-Verfahren weitaus höhere Temperaturen, die in der Regel um
ca. 1000°C liegen. Hieraus folgt, daß temperaturempfindliche,
zu beschichtende Substrate mittels des PVD-Verfahrens beschich
tet werden, allerdings ist bei dieser Beschichtungsvariante
eine gleichmäßige Rundumbeschichtung von kompliziert geformten
Körpern schwierig und aufwendig.
In "Surface and Coatings Technology", 33, (1987) Seite 91 bis
103, werden Eigenschaften von ternären Nitriden und Carbonitri
den der Metalle Titan, Zirkon, Hafnium, Vanadium, Niob, Chrom
und Aluminium, hergestellt durch Kathodenzerstäubung (Sputtern)
untersucht. Bei Beschichtungen aus
(Zr,Ti)(C,N), (Zr,Ti)(C,N), (Nb,Ti)(C,N) sowie (Hf,Ti)C und
(Hf,Ti)C konnten große Mikrohärten erreicht werden.
Darüber hinaus ist aus der DE-A1-25 05 009 ein Verfahren zum
Beschichten von anorganischen Substraten mit Carbiden, Nitriden
und/oder Carbonitriden des Eisens, Bors, Siliciums oder der
Übergangsmetalle der Nebengruppen IVa bis VIa des Periodischen
Systemes durch direkte thermische Reaktion von den Metallen
oder Derivaten davon mit Kohlenstoff und Stickstoff liefernden
Substanzen, ggf. in Gegenwart weiterer Zusätze bekannt, bei dem
als Kohlenstoff- und Stickstofflieferanten u. a. Verbindungen
verwendet werden sollen, die Cyan-Gruppen mit einer Dreifach
bindung zwischen dem Kohlenstoff und dem Stickstoff enthalten.
Als eine dieser Verbindungen wird Acetonitril genannt. Die
Beschichtung soll mittels CVD erfolgen. Die beschriebenen Ver
bindungen sind ausschließlich Monometall-Carbide, -nitride oder
Carbonitride, wobei sich beim Versuch einer Nacharbeitung der
in dieser Schrift gegebenen Lehre ergeben hat, daß das Zr(C,N)
nach diesem Verfahren nicht herstellbar ist. In allen Fällen
liegen die Abscheideraten pro Zeiteinheit sehr niedrig.
Hiervon ausgehend ist es Aufgabe der vorliegenden Erfindung,
Verbindungskörper der eingangs genannten Art zu schaffen, deren
Beschichtung ein möglichst glatte Schichtoberfläche aufweist,
insbesondere zur Herstellung von vorgeformten gesinterten Werk
zeugen, deren Außenkonturen durch die Beschichtung möglich
unverändert bleiben sollen.
Ferner ist es Aufgabe der vorliegenden Erfindung, ein Verfahren
anzugeben, mit dem Multikomponenten-Hartstoffschichten mit min
destens zwei Metallen der IVa- bis VIa-Gruppen als Carbonitrid
schichten herstellbar sind. Angestrebt wird ein hohes Schicht
wachstum, um die Beschichtungszeit entsprechend zu minimieren.
Die auf den Verbundkörper bezogene Aufgabe wird durch die Merk
malskombination nach Anspruch 1 gelöst.
Der neue Verbundkörper besteht aus einem Hartmetall-, Cermet-,
Stahl- oder Keramik-Substratkörper und mindestens einer sauer
stofffreien Metallcarbonitrid Hartstoffschicht, wobei das
Metall aus zwei oder mehreren Elementen der IVa- bis VIa-Gruppe
besteht. Die Carbonitrid-Hartstoffschicht soll mittels CVD-Ver
fahren unter Bildung einer einphasigen Schicht mit einheitli
cher Struktur und Gitterkonstanten abgeschieden worden sein.
Vorzugsweise soll die Metallcarbonitridschicht als quaternäre
Schicht der allgemeinen Formel (M₁, M₂)(C,N) ausgebildet sein,
wobei M₁ und M₂ unterschiedliche Metalle der genannten IVa- bis
VIa-Gruppe sind, vorzugsweise der IVa- und/oder Va-Gruppe.
Nach einer konkreten Ausgestaltung der Erfindung besitzt die
abgeschiedene Schicht die in Anspruch 3 oder 4 beschriebene
Zusammensetzung.
Beispielsweise Hartstoffschichten aus dem Stoffsystem Ti-Zr-C-N
haben Eigenschaftswerte, die die Eigenschaften der einfachen
binären Verbindungen TiC, ZrC, TiN und ZrN beträchtlich über
treffen. Wie bereits in der eingangs zitierten Literaturstelle
"Surface and Coatings Technology", 33 (1987), Seiten 91 bis
103, ausgeführt, weisen bereits die ternären Mischcarbide
(Ti,Zr)C höhere Härtewerte als die binären Carbide TiC und ZrC
auf. Mischcarbide der Art (Ti,Zr)C bestehen aus einer einheit
lichen Phase und haben die gleiche kubische Kristallstruktur
wie ihre binären Komponenten. Das Titan und das Zirkonium ver
teilt sich in statistischer Weise auf die Plätze des Untergit
ters der Metallatome. Ähnlich verhält es sich mit dem Mischni
triden der Art (Ti,Zr)N, wobei besonders harte Schichten bei
einem Verhältnis der Ti- und Zr-Atome von etwa 70 : 30 Atom-%
erhalten werden. Noch höhere Härten wurden beobachtet, wenn das
Metalloid Stickstoff gleichzeitig noch teilweise durch Kohlen
stoff substituiert wurde, wobei ebenfalls einphasige Hartstoffe
der Art (Ti,Zr)(C,N) gefunden wurden, deren Metallatome stati
stisch auf einem Untergitter und deren Metalloide C und N eben
falls ungeordnet auf dem anderen Untergitter verteilt sind.
Analoge Beobachtungen konnten in dem Stoffsystem Ti-Hf-C-N
gemacht werden, in dem das Zirkonium durch das Element Hafnium
ersetzt wurde. Auch hier wurden Härtewerte beobachtet, die jene
der binären Carbide und Nitride beträchtlich übertreffen.
Allerdings konnten diese genannten Hartstoffschichten nur durch
das PVD-Verfahren als dünnlagige Schichten mit großen Aufwand
hergestellt werden. Überraschenderweise hat sich ergeben, daß
eine Abscheidung der im Anspruch 1 bezeichneten Multikomponen
ten-Hartstoffschichten auch mittels des CVD-Verfahrens möglich
ist und daß die abgeschiedenen Multikomponenten-Schichten eine
besonders niedrige Oberflächenrauhigkeit aufwiesen. Insbeson
dere sollen Verbundkörper angesprochen sein, die einen Hartme
tall-Substratkörper aufweisen, auf dem eine oder mehrere Lagen
mittels CVD aufgetragen werden sollen, wovon mindestens eine
eine Multimetall-Carbonitrid-Hartstoffschicht ist. Im Unter
schied zu Schnellarbeitsstählen können Hartmetalle ohne Schädi
gung der vorhandenen Gefügestruktur höheren Temperaturen ausge
setzt werden.
Das CVD-Verfahren ist grundsätzlich in der Literatur beschrie
ben worden. Um beispielsweise eine TiC-Schicht zu erzeugen, ist
es nach dem Stand der Technik bekannt, ein Gasgemisch aus
TiCl₄, CH₄ und H₂ (als Transportgas) bei etwa 1000°C über die
zu beschichtenden Substrate zu leiten. Entsprechendes gilt für
die Erzeugung von TiN-Schichten, bei denen anstelle des CH₄ N₂
verwendet wird. Leitet man gleichzeitig CH₄ und N₂ in die Gas
phase ein, so entsteht Ti(C,N). Bei allen in der Literatur
beschriebenen Carbid-, Nitrid- und Carbonitrid-Schichten han
delt es sich jedoch um Verbindungen mit nur einem einzigen
Metall. Dies ist dadurch zu erklären, daß die gleichzeitige
Einleitung von TiCl₄, ZrCl₄, CH₄, N₂ und H₂ in die Gasphase des
Reaktionsraumes nicht zu den gewünschten quaternären Verbindun
gen (Ti,Zr)(C,N) führt. Dies ist dadurch zu erklären, daß das
chemische Gleichgewicht der Reaktion durch die Energiebilanz
AG bestimmt wird, die man die freie Reaktionsenthalpie (oder
Gibbs′sche Energie) nennt. Fig. 1 zeigt solche AG-Werte in
Abhängigkeit von der Temperatur für CVD-Reaktionen, bei denen
die Feststoffe TiC, TiN, ZrC und ZrN entstehen. Das chemische
Gleichgewicht der jeweils dargestellten Reaktionen liegt um so
mehr auf der rechten Seite, je niedriger die betreffenden
AG-Werte sind. Bei Temperaturen von 1300 K sind diese Größen
bei den Reaktionen für TiC und TiN viel niedriger als in den
Fällen von ZrC und ZrN. Bei Einleitung des sowohl
Titantetrachlorid als auch Zirkontetrachlorid enthaltenen
Gasgemisches in den Reaktionsraum entstehen zwangsläufig TiC-
und TiN-Schichten sowie durch Festkörperreaktion Ti(C,N),
jedoch keine Carbide oder Nitride des Zirkon oder Titan-Zirkon-
Carbonitride. Wie überraschend herausgefunden wurde, sind
insbesondere quaternäre Carbonitrid-Schichten dennoch bei
Einhaltung spezieller Versuchsbedingungen mittels CVD
darstellbar.
Die vorliegende Erfindung umfaßt auch Verbundkörper mit mehre
ren Lagen aus Carbiden, Nitriden und/oder Carbonitriden des Ti,
Cr, Hf, insbesondere TiC, Ti(C,N), TiN, und/oder Al₂O₃ und min
destens einer Multimetallcarbonitridschicht. Vorzugsweise wer
den erfindungsgemäße Verbundkörper als Werkzeuge, insbesondere
Schneidwerkzeuge zur spanenden Bearbeitung verwendet.
Die das Verfahren betreffende Aufgabenstellung wird durch die
Merkmalskombination des Anspruches 7 gelöst.
Erfindungsgemäß werden die Multikomponenten-Hartstoffschichten
mittels CVD aufgetragen, wobei die Gasphase bei einer Reakti
onstemperatur zwischen 700°C und 1100°C und vorzugsweise bei
Drücken zwischen 5 kPa und 100 kPa neben H₂ und/oder Ar (als
Transportgas) sowie Metallchloriden auch Kohlenstoff- und
Stickstoffdonatoren enthält, die eine C-N-Molekülgruppe auf
weisen. Diese C-N-Molekülgruppe ist vorzugsweise eine Cyanid-
Gruppe mit einer Dreifachbindung zwischen dem Kohlenstoff und
dem Stickstoff, deren Abstand bei Raumtemperatur zwischen 0,114
und 0,118 nm liegt. Als solcher Kohlenstoff- und Stickstoffdo
nator bietet sich vorzugsweise Acetonitril an. Die Gasmischung
kann jedoch auch CN-Molekülgruppen mit einer einfachen
C-N-Bindung enthalten. In die betreffende Gasmischung, aus der
sich der Carbonitridhartstoff abscheidet, können beliebige
Verbindungen eingegeben werden, die eine Cyanid-Gruppe enthal
ten. Verbindungen dieser Art sind im Prinzip nach dem Stand der
Technik bekannt und werden beispielsweise in der
DE-A1-25 05 009 beschrieben. Es können auch andere gasförmige
Medien in das Reaktionsgefäß eingeschleust werden, die in der
Lage sind, betreffende Cyangruppen-CN bei Reaktionstemperatur
zu bilden. Unter Einhaltung dieser Verfahrensvorschrift ist es
entgegen dem nach dem Stand der Technik bestehenden Vorurteil,
bei gleichzeitigem Einleiten von zwei oder mehreren Metallchlo
riden nur dasjenige mit den günstigeren thermochemischen Daten
bei der Schichtbildung zur Reaktionsabscheidung zu bringen,
auch möglich, beide Metalle in die Hartstoffschicht unter Bil
dung entsprechender einphasiger Carbonitride einzubringen.
Überraschenderweise ergaben sich bei gleichzeitiger Anwesenheit
von beispielsweise ZrCl₄ und TiCl₄ Abscheideraten, die um ein
Vielfaches höher lagen als die Abscheideraten, die sich bei
Anwesenheit nur eines Metallchlorids in der Gasphase bei der
CVD ergaben. Das erfindungsgemäße Verfahren wird vorzugsweise
zur Abscheidung einer Hartstoffschicht (Ti,Zr)(C,N) benutzt.
Es kann jedoch ebenso erfolgreich auf das quaternäre System
(Ti,Hf)(C,N) angewendet werden. In entsprechender Weise muß
anstelle des Zirkoniumtetrachlorid Hafniumtetrachlorid in die
Gasphase eingeschleust werden. Ebenso ist es möglich, andere
Chloride der Elemente Vanadium, Niob, Tantal und Chrom zu ver
wenden. Besonders geeignete Stoffe, die bei der Reaktionstempe
ratur Cyanradikale -CN freisetzen können, sind organische Ver
bindungen wie Cyanwasserstoff CHN, Cyanamid H₂N-CN, Cyanogen
NC-CN, Cyanoazethylen HC-C-CN und das bereits erwähnte Acetoni
tril CH₃-CN. Die Bindungslängen der -CN-Gruppen liegen zwischen
0,114 und 0,118 nm.
Es konnten auch quaternäre Hartstoffschichten der Art
(Ti,Zr)(C,N) mit Stoffen hergestellt werden, deren Moleküle
einfache C-N-Bindungen aufweisen. Hierzu gehören Verbindungen
wie Methylamin H₃C-NH₂ und Ethylendiamin NH₂-CH₂-CH₂-NH₂. In
solchen Gasgemischen wird jedoch das vorhandene Zirkoniumte
trachlorid nicht vollständig umgesetzt.
Ausführungsbeispiele der Erfindung, auch im Vergleich zu
Abscheidungen, die nach dem Stand der Technik bekannt sind,
werden im folgenden beschrieben.
Für die Versuche wurde eine CVD-Apparatur mit einem Reaktions
gefäß aus einer hitzebeständigen Stahllegierung verwendet, in
dem etwa 600 Wendeschneidplatten (Abmessungen
12,4 × 12,4 × 4 mm) gleichzeitig beschichtet werden können. Die
Temperatur kann auf Werte bis zu 1100°C und der Innendruck zwi
schen 500 und 100 kPa eingestellt werden. Durch eine Gasmi
scheinrichtung können Mischungen aus unterschiedlichen Gasen
genau dosiert in das Reaktionsgefäß eingeleitet werden. Der
Hauptbestandteil der zugeführten Gase ist Wasserstoff. Gasför
miges Titantetrachlorid wird durch Verdampfen von flüssigem
Titantetrachlorid gewonnen. Gasförmiges Zirkoniumchlorid wurde
durch Überleiten von HCl-Gas über Späne aus metallischem Zirko
nium gewonnen. Das Aufheizen der Proben bis zur Beschich
tungstemperatur erfolgt jeweils in einer Inertgasatmosphäre,
z. B. aus Argon. Die Abkühlung nach erfolgter Beschichtung wird
unter einer Wasserstoffatmosphäre durchgeführt.
Bei einer Temperatur von 1010°C und einem Druck von 30 kPa
wurde ein Gasgemisch aus 1,5% TiCl₄, 1,2% ZrCl₄, 3% CH₄,
15% N₂, Rest H₂ für eine Zeitdauer von 180 Minuten in das
Reaktionsgefäß eingeleitet. Nach der Abkühlung wurden die Pro
ben entnommen und analysiert. Die auf den in dem Reaktionsgefäß
angeordneten Hartmetallsubstraten abgeschiedenen Schichten
waren abhängig von der Position im Reaktionsgefäß zwischen 7
und 10 µm dick. Durch eine Röntgenbeugungsuntersuchung und Ana
lysen mit einer Elektronenstrahlmikrosonde konnte festgestellt
werden, daß die abgeschiedenen Schichten aus Ti(C,N) bestanden.
Der Zirkoniumgehalt in dieser Schicht war kleiner als 1%.
Dagegen fanden sich in den kalten Abgasrohren feste Ablagerun
gen von Zirkoniumchlorid. Die Herstellung von quaternären Car
bonitriden ist auf diese Weise nicht möglich. Die Härte der
abgeschiedenen Titancarbonitridschicht wurde mit einem Mikro
härtetestgerät bestimmt und ergab 2350 HV05 (Vickers-Härte bei
50 g Belastung).
Im Unterschied zu Versuch 1 wurde anstelle von CH₄ und N₂ gas
förmiges Acetonitril CH₃-CN in einer Menge von 3,5% einspeist.
Der Druck betrug 8 kPa. Nach dreistündiger Beschichtung hatten
sich auf den Substraten zwischen 9 und 12 µm dicke, metallisch
graue Schichten gebildet. Durch Röntgenbildung wurde festge
stellt, daß der abgeschiedene Schichtstoff aus einer einheitli
chen kubisch flächenzentrierten Phase mit einer Gitterkonstan
ten von 0,4365 nm besteht. Durch Elektronenstrahlmikroanalysen
wurde gefunden, daß die Schichten eine formelmäßige Zusammen
setzung von (Ti0.64Zr0.36)(C0.62N0.38) haben. Außerdem wurden
noch unvermeidliche Kontaminationen an Sauerstoff (unter 0,3%)
und an Cobalt (0,6% nahe der Grenzfläche zwischen dem Hartme
tallsubstrat und der aufgetragenen Schicht) festgestellt. Im
Unterschied zu dem vorbeschriebenen Erstversuch fanden sich
keine Ablagerungen von Zirkonchlorid im Abgasrohr, so daß von
einer nahezu vollständigen Reaktion des zugeführten ZrCl₄ aus
gegangen werden kann. Die an verschiedenen Wendeschneidplatten
gemessenen Mikrohärten lagen zwischen 2800 und 3400 HV05, also
erheblich über den Mikrohärten, die die nach dem Stand der
Technik herstellbaren Ti(C,N)-Schichten haben. Die durch CVD
hergestellte quaternäre Schicht besaß eine hohe Oberflächen
güte, d. h., eine relativ glatte Oberfläche mit geringer Rauh
tiefe.
Anstelle des in Versuch 2 verwendeten Zirkonchlorids ZrCl₄
wurde Hafniumchlorid HfCl₄ in derselben Menge eingespeist. Auf
den Hartmetallsubstraten bildeten sich 9 bis 13 µm dicke Hart
stoffschichten, die ebenfalls aus einer einheitlichen, kubisch
flächenzentrierten Phase mit einer Gitterkonstanten von
0,4401 nm bestanden. Die Analyse ergab eine formelmäßige Zusam
mensetzung von (Ti0.67Hf0.33)(C0.58N0.42). Es wurden Mikrohär
ten zwischen 2920 bis 3550 HV05 gemessen.
Entsprechend den in Versuch 2 beschriebenen Bedingungen wurde
anstelle von Acetonitril ein Gas mit einer einfachen
C-N-Bindung verwendet, nämlich Methyamin. Die hergestellten
quaternären Hartstoffschichten besaßen eine kubisch flächenzen
trierte Struktur. Die der Formel (Ti0.86Zr0.14)(C0.72N0.18)
entsprechende Zusammensetzung wies jedoch im Vergleich der
Beschichtung, die nach Versuch 2 erhalten wurde, einen geringe
ren Zirkoniumgehalt auf, obwohl gleiche Ausgangsmengen ZrCl₄
verwendet worden sind.
Auf Wendeschneidplatten wurde zunächst eine ca. 1 µm dicke
Schicht aus Titannitrid aus einem Gasgemisch von 1,5% TiCl₄,
25% N₂, Rest H₂ abgeschieden. Hierauf wurde eine 8 µm dicke
Schicht aus einem Hartstoff (Ti,Zr)(C,N) entsprechend der Ver
suchsbeschreibung zu Versuch 2 abgeschieden. Die abschließende
letzte Schicht wurde aus einer Gasmischung aus 2% AlCl₃, 5%
CO₂ und 93% H₂-Gasphase abgeschieden, jeweils in Dicken zwi
schen 1 bis 5 µm. Die Schichtfolge lautete somit
TiN-(Ti, Zr) (C,N)-Al₂O₃; der Substratkörper war ein Hartmetall
(WC-Co). Die so hergestellten Wendeschneidplatten wurden für
vergleichende Schneidhaltigkeitsuntersuchungen verwendet.
Auf einer Drehmaschine wurden die in den verschiedenen Versu
chen erhaltenen beschichteten Wendeschneidplatten erprobt.
Dabei wurde ein sich abrasiv verhaltender Gußstahl mit einer
Härte von 320 HB bearbeitet. Die Wendeschneidplatten hatten die
Bezeichnung CNMG 120412. Bei Versuchen wurde mit folgenden Ein
stellungen der Drehmaschine gearbeitet:
Schnittgeschwindigkeit 100 m/min,
Schnittiefe 1,5 mm,
Vorschub 0,28 mm/Umdrehung.
Schnittiefe 1,5 mm,
Vorschub 0,28 mm/Umdrehung.
Für diese vergleichenden Tests wurden Wendeschneidplatten mit
annähernd gleicher Schichtdicke von 10 µm ausgewählt. Es wurde
die Standzeit bis zum Erreichen einer Verschleißmarkenbreite
von 0,3 mm bestimmt. Die Resultate sind im folgenden aufge
führt:
Die vorstehende Tabelle zeigt, daß die erfindungsgemäßen
Beschichtungen entsprechend Versuchen 2 bis 4 erheblich verbes
serte Standzeiten aufweisen.
In einem weiteren Versuch ist eine Reihe von Wendeschneidplat
ten hergestellt worden, die einen Hartmetallsubstratkörper und
eine Mehrlagenbeschichtung aufwiesen. Die mehrlagigen Schichten
hatten die in Versuch 5 beschriebene Schichtfolge, die Proben
körper waren Wendeschneidplatten der Geometrie CNMG 120412. Die
betreffenden Versuche unter denselben Versuchsbedingungen, wie
vorbeschrieben, erbrachten folgende Resultate:
Beschichtung | |
Standzeit (min) | |
TiN+Ti(C,N)+Al₂O₃ (Stand der Technik) | |
42 | |
TiN+(Ti0.64Zr0.36) (C0.62N0.38)+Al₂O₃ (erfindungsgemäß) | 51 |
Auch bei mehrlagigen beschichteten Wendeschneidplatten, von
denen eine Schicht eine Multikomponentenschicht - hier
(Ti,Zr)(C,N) - war, erhält man somit weitaus bessere Verschleiß
eigenschaften bei spanabhebenden Werkzeugen.
Claims (10)
1. Verbundkörper, bestehend aus einem Hartmetall-, Cermet-,
Stahl- oder Keramik-Substratkörper und mindestens einer
Metallcarbonitrid-Hartstoffschicht,
dadurch gekennzeichnet,
daß das Metall der Metallcarbonitridschicht zwei oder meh
rere Elemente der Gruppe Ti, Zr, Hf, V, Nb, Ta, Cr, Mo und
W enthält und daß das Metallcarbonitrid durch ein CVD-Ver
fahren unter Bildung einer einphasigen Schicht abgeschie
den worden ist.
2. Verbundkörper nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß
mindestens eine Metallcarbonitridschicht als quaternäre
Schicht (M₁, M₂)(C,N) ausgebildet ist, wobei M₁ und M₂
unterschiedliche Metalle sind, vorzugsweise aus der Gruppe
Ti, Zr, Hf, V, Nb und Ta.
3. Verbundkörper nach einem der Ansprüche 1 oder 2, dadurch
gekennzeichnet, daß die abgeschiedene Schicht die
Zusammensetzung (TixZr1-x) (CyN1-y) mit 0,4 < x < 0,95 und
0,2 < y < 0,9 mit einer kubisch flächenzentrierten
Gitterstruktur aufweist, deren Gitterkonstante im Bereich
zwischen 0,430 und 0,455 liegt.
4. Verbundkörper nach einem der Ansprüche 1 oder 2, dadurch
gekennzeichnet, daß die abgeschiedene Schicht die Zusam
mensetzung (TixHf1-x)(CyN1-y) mit 0,4 < x < 0,95 und 0,2 < y < 0,9
mit einer kubisch flächenzentrierten Gitterstruktur auf
weist, deren Gitterkonstante im Bereich zwischen 0,430 und
0,450 liegt.
5. Verbundkörper nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch
gekennzeichnet, daß der Substratkörper mit mehreren
Schichten aus Carbiden, Nitriden und/oder Carbonitriden
des Ti, Zr, Hf, insbesondere TiC, Ti(C,N), TiN, und/oder
AI₂O₃ und mindestens einer Multimetallcarbonitridschicht
überzogen ist.
6. Verbundkörper nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch
gekennzeichnet, daß dieser als Werkzeug, insbesondere
Schneidwerkzeug zur spanenden Bearbeitung ausgebildet ist.
7. Verfahren zur Herstellung von Multikomponenten-, insbe
sondere quaternären Carbonitrid-Hartstoffschichten mit
mindestens zwei Metallen aus der Gruppe Ti, Zr, Hf, V, Nb,
Ta, Cr, Mo und W, dadurch gekennzeichnet, daß die Hart
stoffschichten mittels CVD aufgetragen werden, wobei die
Gasphase bei einer Reaktionstemperatur zwischen 700°C und
1100°C und vorzugsweise bei Drücken zwischen 5 kPa und
100 kPa, neben H₂ und/oder Ar sowie Chloriden der obenge
nannten Metalle auch Kohlenstoff- und Stickstoff-Donatoren
enthält, die eine C-N-Molekülgruppe aufweisen.
8. Verfahren nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, daß die
C-N-Molekülgruppe eine Cyanidgruppe-CN mit einer Drei
fachbindung zwischen dem Kohlenstoff und dem Stickstoff
enthält, deren Abstand bei Raumtemperatur zwischen 0,114
und 0,118 nm beträgt, vorzugsweise unter Verwendung von
Acetonitril.
9. Verfahren nach Anspruch 7 oder 8, dadurch gekennzeichnet,
daß die CN-Molekülgruppe Molekülgruppen mit einer einfa
chen Bindung zwischen dem Kohlenstoff und dem Stickstoff
enthält.
10. Verfahren nach einem der Ansprüche 7 bis 9, dadurch
gekennzeichnet, daß die Hartstoffschicht aus (Ti,Zr)(C,N)
oder (Ti,Hf)(C,N) besteht.
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