DE19514546C2 - Elektronisches Bauteil mit einer Komposit-Struktur - Google Patents
Elektronisches Bauteil mit einer Komposit-StrukturInfo
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Description
Die Erfindung betrifft ein elektronisches Bauteil mit einer Kom
posit-Struktur, wie es aus der
Schrift von Strass, A. u. a., Titel: "Quantum-Well-Laser - Die
neue Generation der Halbleiterlaser" in: Laser und Optoelektro
nik, 1994, Vol. 26, S. 59-67 als bekannt hervorgeht.
In Fig. 4c des zugrundegelegten Artikels ist eine lineare
GRINSCH-Struktur (Graded Index Separate Confinement Heterostruc
ture) für Laser in mit einer sogenannten Single Quantum-Well-
Struktur vorgeschlagen. Eine derartige Bandstruktur weist einen
Potentialtopf für die Ladungsträger auf, der in seiner Mitte
quantisierte Ladungsträger aufweist. Die quantisierten Ladungs
träger sind in einem sogenannten Quantum-Well angeordnet. Die
Ausdehnung der Energielücke nimmt zum Quantum-Well im Zentrum
des Potentialtopfs hin kontinuierlich ab.
Aus der nicht vorveröffentlichten DE 44 15 600 A1 ist eine he
teroeptaktische Komposit-Struktur vorgeschlagen, bei der mittels CVD-
Verfahren aus der Gasphase eine undotiert abgeschiedene Diamant
schicht durch eine weitere diamantfreie und dotiert abgeschie
dene Schicht mit Ladungsträgern versehen wird. Diese Art der
Einbringung von Ladungsträgern in die undotiert abgeschiedene
Schicht mit Ladungsträgern erfolgt dadurch, daß die beiden
Schichten an ihrer zumindest mittelbaren Grenzfläche im Verlauf
der Bandkante eine Banddiskontinuität aufweisen, wobei bezüglich
der freien Ladungsträger die Bandkante derart verläuft, daß für
die Ladungsträger das energetische Niveau der Bandkante in der
undotiert abgeschiedenen Diamantschicht günstiger ist als in der
dotiert abgeschiedenen Schicht. Durch diese Maßnahme können ins
besondere unter Zuhilfenahme von n-dotiertem C-BN (kubisches
Bornitrid) Diamantschichten n-dotiert werden, da, bedingt durch
die angesprochene Banddiskontinuität an der mittelbaren Grenz
fläche zwischen der Diamantschicht und der n-dotierten C-BN-
Schicht, Ladungsträger aus der C-BN-Schicht in die Diamant
schicht abfließen. Allerdings wäre es wünschenswert, die Beweg
lichkeit der Ladungsträger in der Diamantschicht zu erhöhen.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein elektronisches
Bauteil mit der in der zugrundegelegten Schrift, Fig. 4c) dar
gestellten Bandstruktur zu entwickeln.
Die Aufgabe wird
erfindungsgemäß mit den Merkmalen des Anspruchs 1 gelöst. Aus
den zu der undotiert abgeschiedenen Diamantschicht benachbarten,
dotierten Schichten gelangen, bedingt durch die bzgl. des Va
lenz- und/oder Leitungsbandes am jeweiligen Übergang zwischen
den Schichten und der Diamantschicht, also an der Grenzfläche
zwischen diesen Schichten jeweils vorliegende, geforderte Band
diskontinuitäten, in den dotierten Schichten optisch und/oder
thermisch generierte Ladungsträger in das für diese Ladungsträ
ger einen Potentialtopf mit Quantisierungen ausbildende Valenz-
und/oder Leitungsband der Diamantschicht. Durch die Quantisie
rungseffekte der Ladungsträger ist es möglich, mit der erfindungsgemäßen
Komposit-Struktur schnelle Halbleiterbauelemente herzu
stellen. Bedingt durch die geringe Schichtdicke der undotiert
aufgewachsenen Diamantschicht bildet sich im Zusammenspiel mit
den benachbarten und die Diamantschicht dotierenden Schichten
hinsichtlich des Verlaufes der Bandkante der Komposit-Struktur
für die in die Diamantschicht abgeflossenen Ladungsträger ein
sogenannter eindimensionaler Potentialtopf aus, wobei die die
Ladungsträger einsperrenden Potentialwände des Potentialtopfs
durch die Banddiskontinuitäten gebildet werden. Da die Ladungs
träger in der Diamantschicht insbesondere nur einen energeti
schen Zustand einnehmen können, ist die Streuung der Ladungsträ
ger zumindest verringert, wodurch deren Beweglichkeit zumindest
erhöht ist.
Zum besseren Verständnis wird dieser Mechanismus im folgenden
beispielhaft anhand eines besonders sinnvollen C-BN/Diamant/C-
BN-Schichtaufbaus beschrieben, bei dem die beiden C-BN-Schichten
n-dotiert und die Diamantschicht undotiert abgeschieden sind.
Die Bandlücken der C-BN-Schichten, die auf beiden Flachseiten
der Diamantschicht angeordneten sind, weisen eine größere Band
lücke als die Diamantschicht auf. Bei der Ausbildung des Verlaufes
der Bandkante nivellieren sich die jeweiligen Bandkanten
entsprechend ihrem jeweiligen Fermi-Niveau aus. Da das Fermi-
Niveau der C-BN-Schicht aufgrund der n-Dotierung näher an dem
Leitungsband als an dem Valenzband der C-BN-Schicht liegt und da
die Bandlücke der Diamantschicht kleiner als die der C-BN-
Schicht ist, resultiert hieraus an der Grenzfläche, also am
Übergang von der Diamantschicht zur jeweiligen C-BN-Schicht hin,
eine Banddiskontinuität. Die Banddiskontinuität weist einen der
artigen Verlauf auf, daß zumindest einige der Ladungsträger aus
den C-BN-Schichten in die Diamantschicht abfließen.
Da der Verlauf der Bandkante im Bereich der Diamantschicht für
die Ladungsträger einem quantenphysikalischen
Potentialtopf zumindest ähnlich ist, liegen die Energiezustände
der Ladungsträger innerhalb des Potentialtopfs weit genug aus
einander, so daß im Idealfall für die Ladungsträger in dem Po
tentialtopf quantenmechanisch nur ein Zustand möglich ist. Durch
diesen Umstand ist die Wahrscheinlichkeit für Stöße gering, wo
durch die Beweglichkeit der Ladungsträger in der Diamantschicht
erhöht ist.
Des weiteren ist die Streuwahrscheinlichkeit durch die bean
spruchte Art der Dotierung sehr niedrig, da die Dotieratome
räumlich von den im Potentialtopf befindlichen Ladungsträgern
getrennt sind.
Zweckmäßige Ausgestaltungen der Erfindung sind den Unteransprü
chen entnehmbar. Im übrigen wird die Erfindung anhand eines in
den Figuren dargestellten Ausführungsbeispiels im folgenden er
läutert. Dabei zeigt
Fig. 1 einen Schnitt durch eine einfache Komposit-Struktur mit
fünf auf einem Wachstums-Substrat angeordneten unter
schiedlichen Schichten,
Fig. 2 eine schematische Darstellung des Verlaufs der Gitterkon
stanten der Komposit-Struktur nach Fig. 1 quer zu deren
Flachseite und
Fig. 3 eine schematische Darstellung des Verlaufes der Leitungs
bandkante der Komposit-Struktur nach Fig. 1.
In Fig. 1 ist eine Komposit-Struktur eines sogenannten Single-
Quantum-Well (SQW) mit fünf unterschiedlichen Schichten 1, 2 und
4 dargestellt, die auf einem Wachstums-Substrat 3 abgeschieden
sind, wobei in Reihenfolge vom Wachstums-Substrat 3 aus gesehen
folgende Schichtfolge vorliegt: eine dotierte, diamantfreie
Schicht 2, danach eine Zwischenschicht 4, anschließend die undo
tiert abgeschiedene Diamantschicht 1, dann abermals eine Zwi
schenschicht 4 und zuletzt eine dotierte Schicht 2. Die Abschei
dung der Schichten 1, 2 und 4 über dem Wachstums-Substrat 3 er
folgt zweckmäßigerweise mittels CVD (chemical-vapor-deposition)
und/oder MBE (molekular-beam-epitaxy) und/oder verschiedenen Ab
arten dieser Epitaxie-Verfahren.
Die dotierte Schicht 2 kann generell eine einzige Komponente,
zwei Komponenten (binäre Systeme wie bspw. InP, GaAs usw.), drei
und mehr Komponenten (ternäre oder quaternäre Systeme wie In-
GaAs, InGaAsP oder dgl.) aufweisen. Bei der Auswahl der do
tierten Schicht 2 ist es sinnvoll, solche Systeme auszusuchen,
die mit dem zweckmäßigerweise eine (1,0,0)-Orientierung aufwei
senden Wachstums-Substrat 3 eine akzeptable Gitteranpassung auf
weisen.
Eine gute direkte Gitteranpassung bedeutet, daß die Gitterkon
stante der dotierten Schicht 2 nur geringfügig von der Gitter
konstanten des Wachstums-Substrats 3 abweicht. Ferner kann zwi
schen der dotierten Schicht 2 und dem Wachstums-Substrat 3 auch
eine modifizierte Gitteranpassung vorliegen. Allgemein bedeutet
eine modifizierte Gitteranpassung, daß die Differenz eines ganz
zahligen Vielfachen der Gitterkonstanten des ersten Materials
und eines ganzzahligen Vielfachen der Gitterkonstanten des zwei
ten Materials, bezogen auf das ganzzahlige Vielfache des einen
Materials, kleiner 20%, insbesondere kleiner 10%, und günstiger
weise kleiner als 1% ist.
Das ganzzahlige Vielfache der Gitterkonstanten kann der jeweili
gen Gitterkonstanten entsprechen, wodurch es sich bei diesem
Grenzfall um die einfache, direkte Gitteranpassung handelt. Des
weiteren können die ganzzahligen Vielfachen für die jeweiligen
Gitterkonstante unterschiedlich sein. Günstig ist es hierbei,
wenn die Vielfachen der Gitterkonstanten kleiner als 10, insbe
sondere kleiner als 5 sind. Ein sinnvolles Verhältnis ist hier
bei ein 2 : 3-Verhältnis.
Auf der dotierten Schicht 2 ist zum Abbau der Gitterfehlanpas
sung zwischen der dotierten Schicht 2 und der nachfolgend abzu
scheidenden Diamantschicht 1 eine Zwischenschicht 4 abgeschie
den. Die Zwischenschicht 4 ist eine Legierung, die ein kristal
lographisch regelmäßiges, eine Diamant- oder eine Calzium
fluorid- oder eine Zinkblendestruktur oder eine diesen Kristall
gittern zumindest ähnliches aufweisendes Legierungsgitter auf
weist, wobei sich die Zusammensetzung der Legierung mit zuneh
mendem Abstand von der dotierten Schicht 2 verändert. Mit Verän
derung der Zusammensetzung der Legierung ist eine Änderung der
Gitterkonstanten des Legierungsgitters verbunden, weshalb die
Gitterkonstante der Legierung in weiten Grenzen variiert werden
kann. Durch diese große Variation der Gitterkonstanten des Le
gierungsgitters ist mittels der derartigen Zwischenschicht 4 in
einfacher Weise eine direkte oder eine modifizierte Gitteranpas
sung zwischen der dotierten Schicht 2 und der Diamantschicht 1
realisierbar.
Auf der maximal 0,1 µm Schichtdicke aufweisenden Diamantschicht
1, die bis auf unvermeidbare Verunreinigungen im wesentlichen
undotiert abgeschieden ist, ist erneut eine Zwischenschicht 4,
auf welcher wiederum eine dotierte Schicht 2 aufgebracht ist,
abgeschieden.
Das Material der Zwischenschicht 4 und der dotierten Schicht 2
ist bezüglich der Diamantschicht 1 derart abgestimmt, daß, be
dingt durch eine zwischen diesen Schichten vorliegende Banddis
kontinuität der Leitungsbänder dieser Schichten, optisch und/oder
thermisch aktivierte Ladungsträger der vorzugsweise n-dotierten
Schicht 2 unter Verringerung ihrer potentiellen Energie in das
Leitungsband der undotierten Diamantschicht 1 abfließen, wobei
die Ladungsträger der dotierten Schicht 2 über die Zwischen
schicht 4 in die Diamantschicht 1 abgeleitet werden. Dadurch ist
die Diamantschicht 1 dieser Komposit-Struktur, ohne direkte n-
Dotierung, vom n-Typ.
Auf die gleiche Weise ist es auch ohne direkte Dotierung mög
lich, Komposit-Strukturen mit Diamantschichten 1 vom p-Typ her
zustellen, wobei hier das Material der Zwischenschicht 4 und der
dotierten Schicht 2 derart abgestimmt sein muß, daß in diesem
Fall, bedingt duch die nunmehr vorliegende Banddiskontinuität
der Valenzbänder, optisch und/oder thermisch aktivierte La
dungsträger der nunmehr p-dotierten Schicht 2 unter Verringerung
ihrer potentiellen Energie durch die Zwischenschicht 4 hindurch
in das Valenzband der undotiert abgeschiedenen Diamantschicht 1
abfließen und eine Diamantschicht 1 vom p-Typ erzeugen.
Mit einer Komposit-Struktur, die einen prinzipiellen Aufbau in
Single-Quantum-Well-Struktur wie die Komposit-Struktur gemäß dem
Ausführungsbeispiel nach Fig. 1 aufweist, lassen sich u. a.
elektronische Bauteile, wie Leuchtdioden mit im Bereich des Blau
en emittierenden Licht oder Feld-Effekt-Transisitoren (FET's),
realisieren, wobei die hohe Wärmeleitfähigkeit der Diamant
schicht 1 und insbesondere deren hohe Ladungsträgerbeweglichkeit
von hohem Vorteil ist.
In Fig. 2 ist ein schematischer Verlauf der Gitterkonstanten ai
des Komposit-Substrats parallel zum Wachstum der Schichten dar
gestellt, wobei entlang der Abszisse die Schichtdicke xKS der
Komposit-Struktur und entlang der Ordinate ohne Maßstab die zu
gehörige Gitterkonstante ai der jeweiligen Schicht 1, 2 oder 4
der Komposit-Struktur aufgetragen ist. Der Verlauf der Gitterkonstanten der Kompo
sit-Struktur wird beginnend von der der Wachstumsoberfläche der
Komposit-Struktur abgewandten Oberfläche beschrieben, wobei die
Darstellung nur schematisch und keineswegs exakt ist. Als erstes
ist die Gitterkonstante des Wachstums-Substrats 3 aufgetragen.
Daran schließt sich die geringfügig kleinere Gitterkonstante der
dotierten Schicht 2 an, deren Differenz zu der Gitterkonstanten
des Wachstums-Substrats 3 kleiner als 1% sein sollte, damit ein
aktzeptables epitaktisches Wachstum der dotierten Schicht 2 er
möglicht ist. An die dotierte Schicht 2 schließt sich die Zwi
schenschicht 4 an, deren Gitterkonstante mit zunehmender
Schichtdicke sich der Gitterkonstanten des Diamanten annähert.
Ist die Gitterkonstante des Diamanten innerhalb kleiner Toleran
zen, vorzugsweise kleiner 3%, insbesondere kleiner 1%, er
reicht, wird die undotierte Diamantschicht 1 abgeschieden, so
daß die Komposit-Struktur in diesem, der Diamantschicht 1 zu
gehörigen Bereich die Gitterkonstante des kristallinen Diamanten
aufweist. Nach der eine Schichtdicke kleiner 100 nm, insbeson
dere kleiner 50 nm, aufweisenden Diamantschicht 1 folgt wiederum
eine Zwischenschicht 4, deren Gitterkonstanten sich dieses Mal
jedoch von dem Wert des Diamanten hin zu dem der dotierten
Schicht 2 ändert, damit auf ihr wiederum eine dotierte Schicht 2
epitaktisch angeordnet werden kann.
Aus dem Schichtaufbau der Komposit-Struktur nach Fig. 1 ergibt
sich also folgender idealisierte Verlauf einer Leitungsbandkan
te, wie er in Fig. 3 beispielhaft bei einer n-Dotierung
schematisch dargestellt vorliegt, wobei entlang der Abszisse die
Schichtdicke xKS der Komposit-Struktur und entlang der Ordinate der Wert ELB des
Energieniveaus der Leitungsbandkante der Komposit-Struktur auf
getragen ist.
Im vorliegenden Fall weist das Leitungsband des Wachstums-Sub
strats 3 das höchste Energieniveau auf. Dem Leitungsband des
Wachstums-Substrats 3 folgt dasjenige der dotierten Schicht 2,
dessen Energie-Niveau geringfügig unterhalb dem des Wachstums-
Substrats 3 angeordnet ist. In der darauffolgenden Zwischen
schicht 4 weist die Leitungsbandkante eine Banddiskontinuität
auf, die zu einer Absenkung des Energieniveaus auf den Wert der
Diamantschicht 1 führt. Nach der Diamantschicht 1 steigt das
Energieniveau der Leitungsbandkante der Komposit-Struktur inner
halb der Zwischenschicht 4 wieder auf den Wert der dotierten
Schicht 2 an. Wie anhand der stark vergrößerten Darstellung des
Verlaufs der Leitungsbandkante im Bereich der Diamantschicht 1
ersichtlich ist, sind die Ladungsträger, die über die Zwischen
schichten 4 aus den dotierten Schichten 2 in das Leitungsband
der Diamantschicht 1 abgeflossen sind, in einer Art Topf - einem
sogenannten Potentialtopf - eingesperrt.
Da nun, bedingt durch die geringe Schichtdicke der Diamant
schicht 1, die zweckmäßigerweise nur einige nm bis einige 10 nm
aufweist, die Breite dieses durch die Leitungsbänder der Zwi
schenschichten 4 verbreiterten Potentialtopfs dennoch gering
ist, weist der Verlauf der Leitungsbandkante im Bereich der Dia
mantschicht 1 für freie Ladungsträger geringer Energie diskrete
Energiewerte, die nicht dem Quasikontinuum eines normalen Bandes
zuzurechnen sind, auf. Daher weisen im Bereich des Potential
topfs die Energieniveaus der Ladungsträger einen großen gegen
seitigen Abstand zueinander auf, so daß die einzelnen Ladungs
träger ohne eine hohe Energiezufuhr nicht mehr zwischen den ein
zelnen Energieniveaus wechseln können.
Im Falle der anderen Bänder (Leitungs- und Valenzband), die ja
ein Quasi-Kontinuum darstellen, können die jeweiligen Ladungs
träger ohne weiteres zwischen den einzelnen Energieniveaus wech
seln, da die einzelnen Energieniveaus der Bänder einen so gerin
gen gegenseitigen Abstand aufweisen, daß sie miteinander ver
schmieren.
Bei einer Komposit-Struktur mit einer aus C-BN gebildeten do
tierten Schicht 2 beträgt der Wert der Bandlücke des C-BN's der
dotierten Schicht 2 etwa 7,2 eV, während die Bandlücke der
Diamantschicht 1 etwa 5,45 eV beträgt. Das gemeinsames Niveau,
an dem sich die beiden Bandlücken ausrichten, ist das Fermi-
Niveau. Der Bandlückenunterschied zwischen den beiden Bandlücken
verteilt sich ungefähr zu gleichen Teilen auf das Valenzband und
das Leitungsband. Der Unterschied bzgl. des Leitungsbandes bil
det die Schwelle dafür, daß thermisch angeregte freie Ladungs
träger wieder ins C-BN gelangen können, wobei bei Temperaturen
unterhalb 600°C dieser Unterschied bzgl. des Leitungsbandes
sehr viel größer ist als die thermische Energie der Ladungs
träger.
Insbesondere ist eine derartige Komposit-Struktur für Leucht
dioden (LED) sinnvoll, da auf diese Art positive wie negative
Ladungsträger frei in großer Dichte in der eigentlich undotier
ten Diamantschicht 1 vorliegen und rekombinieren können. Um die
sen Vorgang zu verbessern, kann es zweckmäßig sein, innerhalb
der Komposit-Struktur mechanische Spannungen hervorzurufen oder
einzubauen, die den Wert für dieses, diesen Übergang betreffende
Übergangsmatrixelement erhöhen.
Eine weitere Möglichkeit ist es, zwischen einer dotierten C-BN-
Schicht 2 und einer undotierten, intrinsischen Diamantschicht 1
eine dünne undotierte C-BN-Schicht (nicht eingezeichnet) anzu
ordnen. Dadurch ist die Dotierung der gesamten C-BN-Schicht über
ihre Schichtdicke inhomogen, weshalb die Streuwirkung der Majo
ritätsladungsträger reduziert ist.
Bei der Ausgestaltungsform nach Fig. 1 wird die Diamantschicht
1 von beiden Seiten mit Ladungsträgern beaufschlagt. Prinzipiell
ist es auch möglich, die Diamantschicht 1 nur von einer Seite
aus mit Ladungsträgern zu beschicken.
Claims (6)
1. Elektronisches Bauteil mit einer Komposit-Struktur, welche
wenigstens eine im wesentlichen undotiert aufgebrachte Diamant
schicht (1) aufweist,
- - die beidseitig von dotiert aufgebrachten diamantfreien Schich ten (2) bedeckt ist,
- - sowie einem Wachstums-Substrat (3) auf dem die Diamantschicht (1) und die dotierten Schichten (2) angeordnet sind,
- - wobei Leitungs- und/oder der Valenzbandkantenverlauf der Kom posit-Struktur zwischen der Diamantschicht (1) und der dia mantfreien Schicht (2) derartige Banddiskontinuitäten aufwei sen, daß durch den Verlauf der Banddiskontinuitäten in den diamantfreien Schichten (2) insbesondere optisch und/oder thermisch angeregte Ladungsträger unter Verringerung ihrer po tentiellen Energie in das Valenz- und/oder Leitungsband der undotiert aufgebrachten Diamantschicht (1) ableitbar sind, und daß der Verlauf der Bandkante im Bereich der Diamantschicht (1) einen Potentialtopf mit Quantisierungseffekt für die in die Diamantschicht (1) abgeleiteten Ladungsträger aufweist,
- - wobei zwischen den diamantfreien Schichten (2) und der Dia mantschicht (1) jeweils zusätzlich noch eine Legierung als Zwi schenschicht (4) angeordnet ist,
- - deren Legierungsgitter eine Diamantstruktur oder eine Zink blendestruktur oder eine Calziumfluoridstruktur aufweist,
- - wobei über die Zwischenschicht (4) die aus den dotierten dia mantfreien Schichten (2) stammenden Ladungsträger in die undo tierte Diamantschicht (1) ableitbar sind.
2. Elektronisches Bauteil nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet,
daß die Komposit-Struktur eine alternierende Schichtfolge aus
diamantfreier dotierter Schicht (2) und undotierter Diamant
schicht (1) aufweist.
3. Elektronisches Bauteil nach Anspruch 1 oder 2,
dadurch gekennzeichnet,
daß das Wachstums-Substrat (3) ein Silizium oder ein GaAs-
Substrat ist, dessen Wachstumsoberfläche bzgl. der Miller'schen
Indizes vorzugsweise eine (1,0,0)-Orientierung aufweist.
4. Elektronisches Bauteil nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet,
daß die diamantfreie Schicht (2) aus Bornitrid (BN), insbeson
dere aus kubischem Bornitrid (C-BN), gebildet ist.
5. Elektronisches Bauteil nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet,
daß die Zwischenschicht (4) aus einer ein Legierungsgitter in
Diamantstruktur oder Zinkblendestruktur aufweisenden Silizium-
Kohlenstoff-Legierung gebildet ist, deren Kohlenstoffanteil in
nerhalb der Zwischenschicht (4) mit zunehmendem Abstand von der
Schicht ansteigt und deren Siliziumanteil entsprechend abnimmt.
6. Elektronisches Bauteil nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet,
daß die Schichtdicke der Diamantschicht (1) zwischen 100 nm und
1 nm beträgt.
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US08/639,104 US6054719A (en) | 1995-04-20 | 1996-04-22 | Composite structure of an electronic component |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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-
1995
- 1995-04-20 DE DE1995114546 patent/DE19514546C2/de not_active Expired - Fee Related
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Title |
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DE-Z.: STRASS, A. u.a.: QUANTUM-WELL-LASER - DIE NEUE GENERATION DER HALBLEITERLASER, in: LASER UND OPTOELEKTRONIK, 1994, Vol. 26, S. 59-67 * |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE19514546A1 (de) | 1996-10-24 |
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8127 | New person/name/address of the applicant |
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D2 | Grant after examination | ||
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