DE1946146C3 - Transistor amplifier with gain control - Google Patents

Description

Die Erfindung bezieht sich auf einen Transistorver-The invention relates to a transistor arrangement

*5 stärker mit einem Emitter- und einem Kollektorwiderstand sowie einer Verstärkungsregelung mittels eines durch eine Regel- bzw. Steuerspannung veränderbaren, wechselstrommäßig wirksamen Widerstandes, bei dem wechselstrommäßig an den Kollektor und den Emitter* 5 stronger with an emitter and a collector resistor as well as a gain control by means of a variable by a regulating or control voltage, in terms of alternating current effective resistance, in which in terms of alternating current to the collector and the emitter

so des Transistors jeweils zusätzlich ein Widerstand angeschaltet ist und diese beiden Widerstände an den diesen Transistoranschlüssen abgekehrten Sehen wenigstens wechselstrommäßig miteinander verbunden sind.so the transistor is also connected to a resistor and these two resistors to the These transistor connections turned away from seeing connected to each other at least in terms of alternating current are.

In der Nachrichtentechnik besteht häufig das Problem, eine variable Eingangsspannung so zu verstärken, daß die Ausgangsspannung konstant bleibt. Zu diesem Zweck ist es notwendig, daß der Verstärker eine variable Verstärkung besitzt. Um dies zu erreichen.In telecommunications there is often the problem of using a variable input voltage in this way amplify that the output voltage remains constant. For this purpose it is necessary that the amplifier has a variable gain. To achieve this.

lassen sich, wie es beispielsweise in Röhrenverstärkern üblich ist, aktive Vierpole variabler Steilheit benutzen, Elektronenröhren haben dazu z. B. eine stetig gekrümmte Gitterspannungs-Anodenstrom-Kennlinie. Durch die geeignete Wahl der Gittervorspannungcan, for example, be used in tube amplifiers It is common to use active quadrupoles with variable steepness. B. a steadily curved Grid voltage-anode current characteristic. Through the appropriate choice of the grid prestress

^ß5 werden verschiedene Steilheiten und damit auch verschiedene Verstärkungen erreicht. Da aber die Kennlinie gekrümmt ist, darf die Röhre zur Vermeidung größerer Verzerrungen nur wenig ausgesteuert werden. ^ß 5 different steepnesses and thus different reinforcements are achieved. However, since the characteristic curve is curved, the tube may only be modulated a little to avoid major distortions.

Bei Transistoren ist grundsätzlich eine Regelung durch die gekrümmte Basisspannung-Kollektorstrom-ICennlinie ebenfalb möglich. Jedoch ist der ausnutzbare Regelbereich derartiger Transistorverstärker mit elektronischer Verlagerung des Gleichstromarbeitspunktes sehr klein und auch die Kennlinie ist in diesem Bereich verhältnismäßig stark gekrümmt, so daß die auftretenden Verzerrungen der zu übertragenden Signale im allgemeinen nicht zulässig sind.In the case of transistors, regulation is generally based on the curved base voltage-collector current characteristic curve also possible. However, the usable control range of such transistor amplifiers is electronic The shift in the DC operating point is very small and the characteristic curve is also in this range relatively strongly curved, so that the occurring Distortions of the signals to be transmitted are generally not permitted.

Eine Verstärkungsregelung ist auch durch den Einsatz _f0 variabler Widerstände, beispielsweise von Heißleitern oder Feldpbtten möglich. Dieses Prinzip ist sowohl für Röhren- als auch für Transistorverstärker anwendbar. Die Widerstände lassen sich zum einen als regelbare Dämpfungsglieder in den Verstärkungszug legen. Zum anderen kann man die Verstärker gegenkoppeln und mit den regelbaren Widerständen die Gegenkopplung verändern.Gain control is also possible through the use of _f0 variable resistors, for example thermistors or field probes. This principle can be used for both tube and transistor amplifiers. On the one hand, the resistors can be placed in the reinforcement cable as adjustable attenuators. On the other hand, the amplifiers can be fed back and the feedback can be changed with the adjustable resistors.

Verstärker mit veränderbarer Gegenkopplung werden dann vorteilhaft eingesetzt wenn eine konstante Ausgangsspannung abgenommen werden soll. Steigt nämiich die Eingängsspannung, dann wird die Gegenkopplung erhöht, um die Verstärkung auzusenken. Damit erhöht sich der Aussteuerbereich des Verstärkers und außerdem sinken die Verzerrungen. Durch Schaltungen mit derartigen variablen Widerständen lassen sich Verstärkungsregelungen von etwa 2OdB pro Regelstufe erzielen. Dieser Regelbereich wird häufig als zu niedrig angesehen, weil z. B. durch die Verwendung von Heißleitern dieser Bereich noch dadurch eingeschränkt wird, daß die Umgebungstemperaturen sehr hoch sind Ausgehend von der Raumtemperatur lassen aber die verfügbaren Heißleiter nur eine Widerstandsänderung von etwa einer Zehnerpotenz zu.Amplifiers with variable negative feedback are advantageously used when a constant Output voltage should be removed. If the input voltage increases, then the negative feedback is increased to lower the gain. This increases the dynamic range of the amplifier and also reduces the distortion. Through circuits With such variable resistors, gain controls of about 2OdB per Achieve control level. This control range is often viewed as too low, because z. B. through the use thermistors this range is still limited by the fact that the ambient temperatures are very are high Based on the room temperature, however, the available thermistors only allow a change in resistance by about a power of ten.

Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, die Verstärkungsänderung eines Regelverstärkers unter Verwendung variabler Widerstände größer zu machen als die Widerstandsänderung und somit den Regelbereich wesentlich zu erweitern.The invention is based on the object of changing the gain of a control amplifier Using variable resistors to make it larger than the change in resistance and thus the control range to expand significantly.

Gemäß der Erfindung, die sich auf einen Transistorverstärker der eingangs genannten Art bezieht, wird diese Aufgabe dadurch gelöst, daß der Emitterwiderstand und der Kollektorwiderstand in ihren Werten gleich groß sind oder geringfügig voneinander abweichen und die beiden zusätzlich an den Emitter und den Kollektor angeschalteten Widerstände in ihren Werten gleich groß sind oder geringfügig voneinander abweichen, daß ferner an der Verbindungsstelle der beiden zusätzlich an den Kollektor und Emitter angeschalteten Widerstände ein Summierungswiderstand angeschlossen ist, der die Summe der durch die an den Emitter und den Kollektor des Transistors zusätzlich angeschalteten Widerstände fließenden Ströme aufnimmt, daß außerdem der veränderbare wschselstrommäßig wirksame Widerstand mit einem der Kollektor- bzw. Emitterwiders>ände als wechselstrommäßig veränderbare Widerstandsanordnung zusammenwirkt und daß der durch den Summierungswiderstand fließende Summenslrom oder eine von diesem Strom abgeleitete proportionale Spannung dem veränderbaren Widerstand ah Regelgröße zugeführt ist. Der Erfindung liegt die wesentliche Erkenntnis zugrunde, daß sich der Regelbereich eines Transistorverstärkers erheblich erweitern läßt, wenn mit Hilfe eines zusätzlichen Widerstandsnet/.werkes der genannten Art z'vischen Emitter und Kollektor des Transistors von einer als Kompensationsschaltung wirksamen Brückensciialtung Gebrauch gemacht wird.According to the invention, which relates to a transistor amplifier of the type mentioned, is this object is achieved in that the emitter resistance and the collector resistance in their Values are the same size or differ slightly from each other and the two in addition Resistors connected to the emitter and the collector have the same values are large or differ slightly from each other, that also at the junction of the two in addition the collector and emitter connected resistors a summing resistor is connected, which the Sum of the additional resistances connected to the emitter and collector of the transistor absorbs flowing currents that also the changeable alternating current-wise effective resistance with one of the collector or emitter resistors as an alternating current variable resistor arrangement cooperates and that the total current flowing through the summing resistor or a voltage derived from this current proportional to the variable resistance ah controlled variable is fed. The invention is based on the essential knowledge that the control range of a Transistor amplifier can be expanded considerably if with the help of an additional resistance network / .werkes the called type z'vischen emitter and collector of the transistor from a compensation circuit effective bridging is made use of.

Es wird auf diese Weise ein sehr weiter Regelbereich realisiert, ohne daß die veränderbaren Widerstände einen größeren Variationsbereich haben müssen.In this way, a very wide control range is realized without the variable resistances must have a larger range of variation.

Durch die DE-AS 12 48 705 ist zwar bereits eit; in seiner Verstärkung regelbarer Transistorverstärker bekannt, der ebenfalls von einem wechselstrommäßig wirksamen zusätzlichen Emitter- und Kollektorwiderstand Gebrauch macht und bei dem die beiden air Dioden ausgebildeten Widerstände über eine geminsame veränderbare Vorspannung gegensinnig veränderbar sind. Diese Schaltung ist jedoch nicht im Sinne einer Kompensationsbrückenschaltung wirksam und kann deshalb auch nicht den großen Regelbereich nach der Erfindung aufweisen.DE-AS 12 48 705 is already time; in its amplification of controllable transistor amplifier known, which is also of an alternating current makes use of effective additional emitter and collector resistance and in which the two air Resistors formed in diodes can be changed in opposite directions via a common variable bias voltage are. However, this circuit is not and can not act as a compensation bridge circuit therefore also do not have the large control range according to the invention.

Vorteilhafte Ausgestaltungen der Erfindung sind in den Ansprüchen 2 bis 13 angegeben.Advantageous refinements of the invention are specified in claims 2 to 13.

Anhand von F i g. 1 wird das Kompensationsprinzip erläutert Die Schaltung weist zwei gleiche, aber entgegengesetzt gepolte Spannungsquellen U auf. Durch die Widerstände η und r₂ fließen die StrömeBased on FIG. 1 the compensation principle is explained. The circuit has two identical, but oppositely polarized voltage sources U. The currents flow through the resistances η and r ₂

/ι =v'i sin 01/ und b=t .^!.η(ωί+π). / ι = v'i sin 01 / and b = t. ^! .η (ωί + π).

Bei eingestellter Kompensation, d. h. bei η = ri heben sich diese beiden Ströme /j und h gerade auf, d. h., sie sind gleich groß, aber in ihrer Richtung entgegengesetzt Für einen Wechselstrom bedeutet dies, daß zu seiner Kompensation gerade ein um die halbe Wellenlänge verschobener Strom gleicher Amplitude erforderlich ist. Werden diese beiden Ströme ij und t in einem Widerstand R summiert, so ist der Spannungsabfall am Widerstand R bei gleichen Stromamplitiiden in jedem Augenblick Null, d. h., es gilt die GleichungIf the compensation is set, i.e. at η = ri, these two currents / j and h cancel each other out, i.e. they are of the same size, but opposite in direction Current of the same amplitude is required. If these two currents ij and t are added up in a resistor R , the voltage drop across the resistor R is zero at every instant for the same current amplitudes, ie the equation applies

/, 4- h = (/J - J₂) sin ωί = 0./, 4- h = (/ J - J ₂ ) sin ωί = 0.

Am Widerstand R wird dann ein Spannungsabfall erzeugt, wenn man die Stromstärke eines der beiden Ströme _/; oder ij verändert, so daß die Summe in der vorstehenden Gleichung nicht verschwindet, wenn man die Phasenbeziehungen der beiden Ströme zueinander nicht verändern will. Diese Stromamplitudenänderung kann im Ausführungsbeispiel durch Änderung der Größe des Widerstandes ri vorgenommen werden. Es ist möglich, die Verstärkung bei gleicher Stromamplitude auch durch Phasenänderungen zu realisieren, jedoch ist dies im allgemeinen schwieriger durchzuführen als die Änderung der Stromapmplituden bei gleichbleibenden Phasenverhältnissen.A voltage drop is then generated at the resistor R if the current strength of one of the two currents _ /; or ij is changed so that the sum in the above equation does not disappear if one does not want to change the phase relationships of the two currents to one another. This current amplitude change can be made in the exemplary embodiment by changing the size of the resistor ri . It is possible to implement the amplification with the same current amplitude by changing the phase, but this is generally more difficult to carry out than changing the current amplitudes with constant phase relationships.

Anhand von Fig. 2 wird die Anwendung dieses Kompensationsprinzips auf eine Transistorverstärkerschaltung für Wechselspannung näher erläutert. LJm die an den Transistorverstärker zwischen den Klemmen 1 und 2 angelegte Eingangsspannung Up. in der gewünschten Weise regeln zu können, werden zunächst zwti um 18^° phasenverschobene Teilspannungen erzeugt. Dies geschieht mit Hilfe einer Phasenumkehrstufe nach F i g. 2 mit einerr Transistor T, dessen Baiisvorspannung mit zwei Widerständen R] und /?2 eingestellt wird. Das Eingangssignal Ue wird der Basis über einen Kondensator Cl zugeführt. An den Kollektor ist ein Kollektorwiderstand R 3 und an den Emitter ein Emitterwiderstand R i angeschlossen, zwischen deren dem Transistor T abgekehrten Anschlüssen die Betriebsspannung Ub liegt. Vom Kollektor wird über einen Kondensator C2 und einen Widerstand R 5 ein Wechselstrom /j und vom Emitter über einen Kondensator C3 und einen Widerstand /?6tiu Strom h abgenommen. Diese beiden Ströme /1 und /2 werden in einem Widerstand R 7 summiert, so daß an diesem je nach Amplitude derThe application of this compensation principle to a transistor amplifier circuit for AC voltage is explained in more detail with reference to FIG. LJm is the input voltage Up applied to the transistor amplifier between terminals 1 and 2. In order to be able to regulate in the desired way, two partial voltages are generated which are phase-shifted by 18 ^ °. This is done with the aid of a phase reversal stage according to FIG. 2 with a transistor T whose base bias voltage is set with two resistors R] and /? 2. The input signal Ue is fed to the base via a capacitor C1. A collector resistor R 3 is connected to the collector and an emitter resistor R i is connected to the emitter, between whose connections remote from the transistor T the operating voltage Ub is applied. An alternating current / j is taken from the collector via a capacitor C2 and a resistor R 5 and current h is taken from the emitter via a capacitor C3 and a resistor / 6tiu. These two currents / 1 and / 2 are summed up in a resistor R 7 , so that depending on the amplitude of the

beiden Ströme /· und /.· eine Spannung ansteht. Am Kollcktorwidcrstand R3 fällt eine Spannung L/2 und am Emitterwiderstand R 4 eine Spannung U 1 ab. Durch passende Wahl der beiden Widerstände R 3 und R 4 können diese beiden Teilspannungen U1 und U2 gleich groß gemacht werden. In den Widerständen R 5 und R 6 werden durch die beiden Ströme / und /_; Spannungen erzeugt, die den Spannungen (71 und U2 proportional sind. Wenn die Phasenumkehrstufe für die Kompensation richtig eingestellt ist, fällt am Summierungswiderstand R 7 keine Spannung mehr ab.voltage is present in both currents / · and /.·. A voltage L / 2 drops across the collector resistor R3 and a voltage U 1 drops across the emitter resistor R 4. By a suitable choice of the two resistors R 3 and R 4 , these two partial voltages U 1 and U2 can be made the same. In the resistors R 5 and R 6, the two currents / and / _; Generates voltages which are proportional to the voltages (71 and U2 . If the phase reversal stage for the compensation is correctly set, no more voltage drops across the summing resistor R 7.

Die Transistorstufe ist durch den Emitterwiderstand R 4 stark gegengekoppclt und kann daher mit verhältnismäßig großen Eingangsspannungen betrieben werden. Wegen der hohen Gegenkopplung liegt die Verstärkung des Transistors bei Eins. Dieser Einstellung der Stufe entspricht die größte Dämpfung. Wird der F.mitterwiderstand R 4 kleiner gemacht, so verringert sich auch das Spannungsverhältnis LJMU2. Dadurch wird die Kompensationsbedingung gestört und am Widerstand R 7 entsteht eine Spannung, die durch die Ströme h + i\ hervorgerufen wird. Durch das Verkleinern des Emitterwiderstandes wird auch die Gegenkopplung der Slufc geringer. Das bedeutet ebenfalls eine Verkleinerung des Spannungsverhältnisses UMU2, was einen verstärkten Sirom ij zur Folge hat. Auch dadurch wird die Spannung am Widerstnd R 7 größer. Würde man den Emitterwiderstand Λ 4 zu Null machen, so würde die Stufe die halbe Spannungsverstärkung haben, die durch den Transistor T in dieser .Schallung erzielbar ist, da der aus den beiden Widerständen R 5 und /?6 bestehende Spannungsteiler die Kollcktorwechselspannung halbiert.The transistor stage has strong negative feedback through the emitter resistor R 4 and can therefore be operated with relatively high input voltages. Because of the high negative feedback, the gain of the transistor is one. This setting of the level corresponds to the greatest attenuation. If the F.mitter resistance R 4 is made smaller, the voltage ratio LJMU2 is also reduced. As a result, the compensation condition is disturbed and a voltage arises at the resistor R 7 , which is caused by the currents h + i \ . By reducing the emitter resistance, the negative feedback of the Slufc is also reduced. This also means a reduction in the voltage ratio UMU2, which results in an increased Sirom ij . This also increases the voltage across the resistor R 7 . If you were to make the emitter resistance Λ 4 to zero, the stage would have half the voltage gain that can be achieved by the transistor T in this .Schallung, since the voltage divider consisting of the two resistors R 5 and /? 6 halves the collector alternating voltage.

Die Ausgangsspannung wird am Widerstand R 7 abgenommen. Da es möglich ist. die Spannung am Widersland R 7 sehr klein zu machen, läßt sich mit der Schaltung ein sehr großer Regelbereich erzielen.The output voltage is taken from resistor R 7 . Because it is possible. To make the voltage at the opposing land R 7 very small, a very large control range can be achieved with the circuit.

Ein praktisches Ausführiingsbeispicl einer geregelten Transistorverstärkerstufe für Wechselstrom ist in F i g. 3 dargestellt. Im wesentlichen entspricht diese Schaltung derjenigen nach F i g. 2. Lediglich der Widerstand R 7 kann den Eingangswiderstand einer nachfolgenden Verstärkerstufe darstellen, nach der beispielsweise ein Teil des Wechselstromsignals gleichgerichtet wird und dann als Strom /einer Heißleiteranordnung, bestehend aus zwei Heißleiterwiderständen RS und R 9 zugeführt werden kann. Die beiden Heißleiterwiderstände RS und /?9 sind gleich groß gewählt und an ihrer Verbindungsstelle über einen Kondensator C 4 wechselsirommäßig mit dem Emitter des Transistors Tverbunden. Gleichstrommäßig ist der Heißleiterwiderstand R9 mit seinem anderen Anschluß gegen den Massepol der Betriebsspannung Ub über einen Kondensator C5 abgeblockt, während wechselstrommäßig die äußeren Anschlüsse der beiden Heißleiterwiderstände RS und 9 mit diesem Betriebspotentia! verbunden sind. Der Kollektorwiderstand R 3 ist in der Schaltung nach F i g. 3 einstellbar ausgebildet. Die beiden wechselstrommäßig parallel zum Emitterwiderstand RA liegenden Heißleiterwiderstände RS und R 9 weisen zusammen mit dem Emitterwiderstand /?4 insgesamt den gleichen Wechselstromwiderstand auf. wie der Kollektorwiderstand R 3, so daß die abgegebenen Spannungen am Kollektorwiderstand R 3 und am Erniiterwidcrsiand R 4 gleich, groß sind, solange die beiden Heißleiterwiderstände RS und /?9 nicht geheizt sind. Die beiden Brückenwiderstände R 5 und /?6 sind bei gegebenem Widerstand R 7 so klein gewählt, daß die durch sie hervorgerufene Dämpfung der maximalen Verstärkung möglichst gering ist. Die Emitter-Wechselspannung ist bei der maximalen Verstärkung sehr gering, weil die beiden Heißleiterwiderstände R 8 und R 9 im geheizten Zustand klein sind. Die Summe der beiden Widerstände RS und R 6 liegt praktisch parallel zum Kollektorwiderstand A3. Die Größe der Widerstände ist auch von dem Widerstand R 7 abhängig, welcher beispielsweise der Eingangswiderstand der nachfolgenden Verstärkerstufe sein kann. Soll die Schaltung nach der Erfindung breitbandig betrieben werden, dann muß der Transistor T eine genügend hohe Grenzfrequenz haben, damit unerwünschte Phasenverzerrungen im Transistor 7* nichtA practical embodiment of a regulated transistor amplifier stage for alternating current is shown in FIG. 3 shown. This circuit essentially corresponds to that according to FIG. 2. Only the resistor R 7 can represent the input resistance of a subsequent amplifier stage, after which, for example, part of the alternating current signal is rectified and can then be fed as a current / a thermistor arrangement consisting of two thermistor resistors RS and R 9 . The two thermistor resistors RS and /? 9 are selected to be the same size and are connected to the emitter of the transistor T at their connection point via a capacitor C 4. In terms of direct current, the thermistor resistor R9 is blocked with its other connection to the ground pole of the operating voltage Ub via a capacitor C5, while in terms of alternating current the outer connections of the two thermistor resistors RS and 9 with this operating potential! are connected. The collector resistance R 3 is in the circuit of FIG. 3 adjustable. The two thermistor resistors RS and R 9, which are parallel to the emitter resistor RA in terms of alternating current, have the same alternating current resistance together with the emitter resistor / 4. like the collector resistor R 3, so that the voltages output at the collector resistor R 3 and at the Erniiterwidcrsiand R 4 are the same, as long as the two thermistor resistors RS and /? 9 are not heated. The two bridge resistances R 5 and / 6 are selected to be so small for a given resistance R 7 that the attenuation of the maximum gain caused by them is as low as possible. The alternating emitter voltage is very low at the maximum amplification because the two thermistor resistors R 8 and R 9 are small when heated. The sum of the two resistors RS and R 6 is practically parallel to the collector resistor A3. The size of the resistors is also dependent on the resistor R 7 , which can be, for example, the input resistance of the subsequent amplifier stage. If the circuit according to the invention is to be operated broadband, the transistor T must have a sufficiently high cut-off frequency so that undesired phase distortions in the transistor 7 * do not occur

ι ^ den Regelbereich der Stufe beeinflussen.ι ^ affect the control range of the stage.

Außerdem ist zu berücksichtigen, daß Umgebungstemperaturschwankungen den Kaltwidcrstand der Heißleiterwiderstände R 8 und A'^Q beeinflussen uini damit die Verstärkung verändern. Wenn die SchaltungIn addition, it must be taken into account that fluctuations in ambient temperature influence the cold resistance of the thermistor resistors R 8 and A ' ^Q and thus change the gain. When the circuit

M so aufgebaut ist, daß die größte Dämpfung bei völlig ungeheizter Heißleitern RS und R 9 erreicht wird, verzichtet man auf einen Teil des Regelbereiches. Den Heißleitern RS und R 9 kann ein Vorstrom gegeben werHpn. Wenn nun der Brückenabgleich vorgenommenM is constructed in such a way that the greatest attenuation is achieved when the thermistors RS and R 9 are completely unheated, if part of the control range is dispensed with. The thermistors RS and R 9 can be given a bias current. If now the bridge adjustment is done

2"· wird, so ist die Abhängigkeit von der Umgebungstemperatur geringer. 2 "· , the dependence on the ambient temperature is less.

Γί lassen sich ebenso auch andere regelbare Widerstände verwenden. Für bestimmte Anwendungsfälle sind Feldplatten besonders geeignet, da ihre Γί can also be other controllable Use resistors. For certain applications, field plates are particularly suitable because their

-ίο Abhängigkeit von der Umgebungstemperatur wesent lieh geringer ist. Aufgrund ihrer Eiernbchaften muß allerdings eine höhere Leistung für ihre Steuerung aufgebracht werden.-ίο Dependence on the ambient temperature essential borrowed is less. Because of their eggshafts must however, a higher performance is required for their control.

Bei höheren Frequenzen lassen sich mit Vorteil auchAt higher frequencies can also be used with advantage

3ϊ PIN-Dioden verwenden.3ϊ Use PIN diodes.

Die Einschaltung der variablen Widerstände in den Transistorverstärker ist nicht auf den Fall des Emitterwechselstromwiderstandes beschränkt. Ohne Schwierigkeiten kann auch jeder andere der Widerständc R 3. R 5 oder R 6 der Brückenschaltung verändert werden.The inclusion of the variable resistors in the transistor amplifier is not limited to the case of the emitter alternating current resistor. Any other resistor R 3, R 5 or R 6 of the bridge circuit can also be changed without difficulty.

In F i g. 4 ist ein anderes Ausführungsbeispiel einer geregelten Transistorverstärkerstufe für Wechselstrom dargestellt. Im wesentlichen entspricht diese Schaltung derjenigen nach Fig. 3. Es sind nur statt der Widerstände R 5 und R 6 in F i g. 3 die Basis-Kollektor-Strecken zweier Transistoren Ti und 7"2 eingeschaltet Die Widerstände R 10 und R 11 verbinden die Emitter der beiden Transistoren Π und Γ2 mit Nullpotential während an die Kollektoren dieser beiden Transistorer ein gemeinsamer Widerstand R 12 angeschlossen ist der mit seinem anderen Anschluß an Betriebspotentia + Ub liegt. Das Ausgangssignal Ua wird über der Kondensator C6 abgenommen. Eine derartige Schal tung bringt den Vorteil, daß der Transistor Timmer be gleichem Kollektorwiderstand arbeitet, wobei dadurch in gewissen Aussteuerbereichen die Verzerrungen sehi klein werden. Außerdem fällt die sonst durch die beider Widerstände R 5 und R 6 entstehende Dämpfung weg Durch geeignete Dimensionierung ergibt sich fernei eine größere Verstärkung der Gesamtstufe. Auch für die integrierte Schaltkreistechnik sind mit Transistorer nach dieser oder einer ähnlichen Art aufgebaute Schaltungen besonders gut geeignet.In Fig. 4 shows another embodiment of a regulated transistor amplifier stage for alternating current. This circuit essentially corresponds to that according to FIG. 3. Instead of the resistors R 5 and R 6 in FIG. 3 the base-collector paths of two transistors Ti and 7 "2 switched on. The resistors R 10 and R 11 connect the emitters of the two transistors Π and Γ2 to zero potential while a common resistor R 12 is connected to the collectors of these two transistors other terminal to Betriebspotentia + Ub is. the output signal Vout is taken out via the capacitor C6. such TIC provides the advantage that the transistor Timmer works be the same collector resistance, thereby in certain modulation areas, the distortion Sehi be small. in addition, falls otherwise due to the attenuation resulting from both resistors R 5 and R 6. Suitable dimensioning also results in a greater amplification of the overall stage.

Statt der in F i g. 4 dargestellten Schaltung lassen sich ajch noch andere, nach Art eines Differenzverstäken arbeitende Transistorschaltungen innerhalb der geregelten Transistorverstärkerstufe verwenden.Instead of the in FIG. 4 shown circuit can ajch still others, in the manner of a differential amplification use working transistor circuits within the regulated transistor amplifier stage.

Hierzu 1 Blatt Zeichnungen1 sheet of drawings

Claims (13)

Patentansprüche:Patent claims: 1. Transistorverstärker mit einem Emitter- und einem Kollektorwiderstand sowie einer Verstärlängsregelung mittels eines durch eine Regel- bzw. Steuerspannung veränderbaren, wechselstrommäßig wirksamen Widerstandes, bei dem wechselstrommäßig an den Kollektor und den Emitter des Transistors jeweils zusätzlich ein Widerstand angeschaltet ist und diese beiden Widerstände an den diesen Transistoranschlüssen abgekehrten Seiten wenigstens wechselstrommäßig miteinander verbunden sind, dadurch gekennzeichnet, daß der Emitterwiderstand (R 4) und der Kollektorwiderstand (R 3) in ihren Werten gleich groß sind oder geringfügig voneinander abweichen und die beiden zusätzlich an den Emitter und den Kollektor angeschalteten Widerstände (R 5, R 6) in ihren Werten gleich groß sind oder geringfügig voneinander abweichen, daß ferner an der Verbindungsstelle der beiden zusätzlich an den Kollektor und Emitter angeschalteten Widerstände (R 5, R 6) ein Summierungswiderstand (Rl) angeschlossen ist, der die Summe der durch die an den Emitter und den Kollektor des Transistors (7? zusätzlich angeschalteten Widerstände fließenden Ströme (ij, £) aufnimmt, daß außerdem der veränderbare wechselstrommäßig wirksame Widerstand (Ri, R9) mit einem der Kollektor- bzw. Emitterwiderstände als wechselstrommäßig veränderbare Widerstandsanordnung (RA, RS, R^) zusammenwirkt und daß der durch den SumnverungswidvTstano (R 7) fließende Summenstrom oder eine vo.i diesem Strom abgeleitete proportionale Spannung dem ν -änderbaren Widerstand (R 8, R 9) als Regelgröße zugeführt ist.1. Transistor amplifier with an emitter and a collector resistor as well as a longitudinal gain control by means of an alternating current-wise resistor that can be changed by a regulating or control voltage, in which an alternating current-wise resistor is additionally connected to the collector and the emitter of the transistor and these two resistors to the sides facing away from these transistor connections are at least alternately connected to one another, characterized in that the emitter resistor (R 4) and the collector resistor (R 3) are the same in their values or differ slightly from one another and the two resistors additionally connected to the emitter and the collector (R 5, R 6) are the same in their values or differ slightly from each other, that a summing resistor (Rl) is connected to the junction of the two additional resistors connected to the collector and emitter (R 5, R 6), which the Sum me of the through to the emitter and collector of the transistor (7? additionally connected resistors absorbs flowing currents (ij, £), that also the changeable alternating current effective resistance (Ri, R 9) interacts with one of the collector or emitter resistors as an alternating current changeable resistor arrangement (RA, RS, R ^) and that the through the sum current flowing through the SumnverungswidvTstano (R 7) or a proportional voltage derived from this current is fed to the ν-changeable resistor (R 8, R 9) as a controlled variable. 2. Transistorverstärker nach Aspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der den Summenstrom aufnehmende Summierungswiderstand (R 7) der Eingangswiderstand einer zweiten Verstärkerstufe ist.2. transistor amplifier according to claim 1, characterized in that the summing resistor (R 7) which absorbs the total current is the input resistance of a second amplifier stage. 3. Transistorverstärker nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß der Ausgangsstrom der zweiten Verstärkerstufe gleichgerichtet wird und anschließend zur Einstellung des Widerstandswertes des veränderbaren Widerstandes (R 8, R 9) vorgesehen ist.3. Transistor amplifier according to claim 2, characterized in that the output current of the second amplifier stage is rectified and then provided for setting the resistance value of the variable resistor (R 8, R 9). 4. Transistorverstärker nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß der in seinem Widerstandswert veränderbare Widerstand (R8, /?9)ein Heißleiterwiderstand ist.4. Transistor amplifier according to one of the preceding claims, characterized in that the resistor (R 8, /? 9) which can be changed in its resistance value is a thermistor resistor. 5. Transistorverstärker nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß der Heißleiterwiderstand (RS, R 9) dem Emitterwiderstand (RA) die Gegenkopplung beeinflussend parallel geschaltet ist und daß bei nicht geheiztem Heißleiter (RS, /?9) der gesamte Wechselstromwiderstand von Heißleiterwiderstand (RS, Λ 9) und Emitterwiderstand (RA) etwa so groß ist wie der Kollektorwiderstand (R 3).5. Transistor amplifier according to claim 4, characterized in that the thermistor resistor (RS, R 9) is connected in parallel to the emitter resistor (RA) influencing the negative feedback and that when the thermistor (RS, /? 9) is not heated, the entire alternating current resistance of the thermistor resistor (RS , Λ 9) and emitter resistance (RA) is about as large as the collector resistance (R 3). 6. Transistorverstärker nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß der Heißleiterwiderstand (RS, R 9) einen Mitteläbgfiff aufweist, der wechselstrommäßig über einen Kondensator (CA) mit dem Emitter des Transistors (T) verbunden ist, daß der eine Endanschluß des Heißleiterwiderstandes (R S) an demjenigen Betriebspotential liegt, an dem auch der Emitterwiderstand (RA) liegt, und daß dem anderen Endanschluß des Heißleiterwiderstandes (R 9) eine vnm Summenstrom der durch die beiden6. Transistor amplifier according to claim 5, characterized in that the thermistor resistor (RS, R 9) has a Mitteläbgfiff, which is connected in terms of alternating current via a capacitor (CA) to the emitter of the transistor (T) , that the one end connection of the thermistor resistor (RS ) is at that operating potential at which the emitter resistor (RA) is also located, and that the other end connection of the thermistor resistor (R 9) has a total current of vnm through the two zusätzlichen Widerstände (R5, R6) fließenden Ströme (J₅ + h) abgeleitete, gleichgerichtete Stromgröße zugeführt wird, die gegen das genannte Betriebspotential über einen Kondensator (CS) abgeblockt istadditional resistors (R5, R6) flowing currents (J ₅ + h) derived, rectified current value is supplied, which is blocked against the said operating potential via a capacitor (CS) 7. Transistorverstärker nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß die beiden zusätzlichen Widerstände (R 5, RS) bei gegebenem Summierungswiderstand (R T) so bemessen sind, daß die durch sie hervorgerufene Dämpfung der maximalen Verstärkung möglichst gering ist7. Transistor amplifier according to claim 6, characterized in that the two additional resistors (R 5, RS) are dimensioned for a given summation resistance (RT) so that the attenuation of the maximum gain caused by them is as low as possible 8. Transistorverstärker nach einem der Ansprüche 4 bis 7, dadurch gekennzeichnet, daß für den Heißleiter (R 8, R 9) ein Vorstrom vorgesehen ist und bei diesem Vorstrom die minimale Verstärkung eingestellt wird.8. Transistor amplifier according to one of claims 4 to 7, characterized in that a bias current is provided for the thermistor (R 8, R 9) and the minimum gain is set at this bias current. 9. Transistorverstärker nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß der veränderbare Widerstand eine Feldplatte ist9. Transistor amplifier according to one of claims 1 to 3, characterized in that the variable Resistance is a field plate 10. Transistorverstärker nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß der veränderbare Widerstand eine PiN-Diode ist10. Transistor amplifier according to one of claims 1 to 3, characterized in that the changeable resistor is a PiN diode 11. Transistorverstärker nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß der Transistor (T) eine hohe Grenzfrequenz aufweist11. Transistor amplifier according to one of the preceding claims, characterized in that the transistor (T) has a high cutoff frequency 12. Transistorverstärker nach eimern der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß der Kollektorwiderstand (R3) einstellbar ausgebildet ist12. Transistor amplifier according to buckets of the preceding claims, characterized in that the collector resistor (R3) is adjustable 13. Transistorverstärker nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die beiden zusätzlich an den Kollektor und Emitter des Transistors (T) angeschalteten Widerstände (R 5, RS) durch Strecken zweier weiterer Transistoren (Ti, 72) gebildet sind und daß diese beiden, nach Art eines Differenzverstärkers arbeitenden Transistoren einen gemeinsamen Summierungswiderstand (R 12) aufweisen.13. Transistor amplifier according to one of the preceding claims, characterized in that the two resistors (R 5, RS) additionally connected to the collector and emitter of the transistor (T) are formed by stretching two further transistors (Ti, 72) and that these two , like a differential amplifier working transistors have a common summing resistor (R 12).