DE1940450A1 - Method of making an electrical connection on a semiconductor device - Google Patents
Method of making an electrical connection on a semiconductor deviceInfo
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Description
Joseph Lucas (industries) Limited 6* August 1969 Great King Street - · v". .; ■",;■ -Joseph Lucas (industries) Limited 6 * August 1969 Great King Street - · v "..; ■",; ■ -
Birmingham / England 194Q45QBirmingham / England 194Q45Q
Verfahren zum Herstellen einer elektrischen Verbindung an einer HalbleitereinrichtungMethod of establishing an electrical connection on a semiconductor device
Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zum Herstellen einer elektrischen Verbindung an einer Halbleitereinrichtung. The invention relates to a method of making an electrical connection on a semiconductor device.
Um eine elektrische-Verbindung an einer Halbleitereinrichtung herzustellen, wurde bisher ein Leiter mit einem flachen Kopf an die oberfläche des Halbleiters angelötet. Hierzu war es erforderlich, um einen Raum für das Lötmittel zu schaffen, das zwischen .dem Kopf und der Ober-r fläche der Halbleitereinrichtung fließen muß, beim Löten den Leiter in einer Entfernung von der Oberfläche der Halbleitereinrichtung zu halten. Es hat sich gezeigt, daß es außerordentlich schwierig ist, die flache Oberfläche des Kopfes des Leiters in einer vorbestimmten Entfernung gegenüber der Oberfläche der Halbleitereinrichtung beim Anlöten zu,haiten. Die vorliegende Erfindung stellt sich zur Aufgabe, diese Schwierigkeit zu beseitigen.To make an electrical connection on a semiconductor device To produce, a conductor with a flat head was previously soldered to the surface of the semiconductor. For this it was necessary to create a space for the solder, which between .dem head and the upper r surface of the semiconductor device must flow when soldering the conductor at a distance from the surface of the To hold semiconductor device. It has been found that it is extremely difficult, the flat surface of the head of the conductor in a predetermined Distance from the surface of the semiconductor device when soldering on, haiten. The present invention addresses this problem remove.
Die Aufgabe wird dadurch gelöst, daß der Kopf des Leiters mit einer konvexen Oberfläche derart ausgebildet ist, daß eine punktförmige Berührung mit der Oberfläche der Halbleitereinrichtung hergestellt und ein imThe object is achieved in that the head of the conductor is designed with a convex surface in this way is that point-like contact with the surface of the semiconductor device and an im
23 317 , ■ '. 23 317 , ■ '.
Ma/Os ...".- 2 - 009808/1266 Ma / Os ... ".- 2 - 009808/1266
allgemeinen ringförmiger Raum zwischen dem Kopf und der Oberfläche der Halbleitereinrichtung gebildet wird, in dem das geschmolzene Lötmittel fließt.general annular space is formed between the head and the surface of the semiconductor device, in where the molten solder flows.
In der beiliegenden Zeichnung zeigt:The attached drawing shows:
Fig. 1 eine Schnittänsicht einer Halbleitereinriehtung
mit einem elektrischen Leiter, der nach dem Verfahren gemäß der Erfindung
angebracht ist,
undFig. 1 is a sectional view of a semiconductor device with an electrical conductor, which is attached according to the method according to the invention,
and
Fig. 2 eine perspektivische Ansicht des. Leiters, der in Fig. 1 dargestellt ist.2 is a perspective view of the conductor. which is shown in FIG.
In der Zeichnung besteht die Halbleitereinrichtung auseiner p-n-Scheibe li, deren eine Oberfläche an eine leitende Unterlage angelötet ist, die eine erste Klemme der Scheibe bildet, und an der entgegengesetzten Oberfläche, eine elektrische Verbindung herzustellen. Die elektrische Verbindung an die genannte andere Oberfläche der p-n-Scheibe 11 wird von einem leitenden Anschluß 12 gebildet, der im allgemeinen einenzylindrischen. Schaft 13 besitzt, der in einen vergrößerten Kopf 1.4., an einem Ende endet. Der Kopf 14 ist aus einem Stück mit dem Schaft IJ ausgebildet und geht mit einer konkaven Oberfläche 15 in den Schaft über. Entfernt .von dem Schaft Ij5 ist der Kopf 14 mit einer konvexen, im allgemeinen kugelförmigen Oberfläche 16, ausgebildet, wobei die verlängerte Achse des Schaftes IJ den Radius der Oberfläche 16 bildet. ·In the drawing, the semiconductor device consists of one p-n-disk li, one surface of which is soldered to a conductive base, which has a first terminal of the disc, and on the opposite surface to make an electrical connection. The electrical connection to said other surface of the p-n disk 11 is made by a conductive Terminal 12 is formed which is generally cylindrical. Has shaft 13, which is in an enlarged Head 1.4., Ends at one end. The head 14 is made of one Piece formed with the shaft IJ and goes with a concave surface 15 into the shaft. Removed .of the shaft Ij5 is the head 14 with a convex, generally spherical surface 16, formed, the extended axis of the shaft IJ forming the radius of the surface 16. ·
Um die erforderliche Verbindung mit der anderen Oberfläche der Scheibe 11 herzustellen, wird der Leiter mit der Seheibe 11 in Berührung gebracht, indem dieIn order to make the required connection with the other surface of the disc 11, the conductor brought into contact with the Seheibe 11 by the
, _ 3 . 0 09808/ 126 6, _ 3. 0 09808/126 6
Oberfläche 1.6 des Kopfes 14 des Leiters 12 sich auf der genannten anderen.Oberfläche der Scheibe 11 derart abstützt, daß sich der Schaft 13 im allgemeinen im rechten Winkel zur genannten anderen Oberfläche der Scheibe 11 erstreckt. Auf diese Weise stellt die Oberfläche 16 des Leiters 1.2-eine punk t form ige Berührung mit der genannten Oberfläche der Scheibe 11-her" "und ein im allgemeinen ringförmiger Spalt wird zwischen dem übrigen Teil der Oberfläche 16 und der anderen Oberfläche der Scheibe 11 gebildet. Die Tiefe dieses Spaltes erhöht sich von Null in der Nähe des Berührungspunktes bis zu einem Maximum am Umfang der Oberfläche 16. Hierauf wird geschmolzenes Lötmittel auf die andere Oberfläche der Scheibe 11 aufgebracht, das in den Spalt fließt und den ganzen Raum zwischen der Oberfläche 16 und der anderen Oberfläche der Scheibe 11 ausfüllt. Das geschmolzene Lötmittel bindet außerdem die Kante des Kopfes 14 und des Leiters 12 und fließt von der Oberfläche 15 des Kopfes l4 ab. Auf diese Weise wird, . wenn das Lötmittel erhärtet ist, der Leiter 12 körperlich und elektrisch an die andere Oberfläche der Scheibe 11 sicher befestigt.Surface 1.6 of the head 14 of the conductor 12 is on the mentioned other.Oberfläche of the disc 11 is supported in such a way that the shaft 13 is generally in the right Angle to said other surface of the disc 11 extends. In this way, the surface represents 16 of the conductor 1.2-a point-shaped contact with the called surface of the disk 11-her "" and an im general annular gap is created between the remainder of the surface 16 and the other surface the disc 11 is formed. The depth of this gap increases from zero near the point of contact up to a maximum at the periphery of the surface 16. This is where molten solder is applied to the other surface of the disc 11, which flows into the gap and the entire space between the surface 16 and the other surface of the disc 11 fills. The melted solder also bonds the edge of head 14 and conductor 12 and flows from the Surface 15 of the head l4. In this way,. when the solder has set, the conductor 12 physically and electrically to the other surface of the wafer 11 securely attached.
Das Ausbilden des Kopfes mit einer konvexen Oberfläche erleichtert ganz außerordentlich die Herstellung einer Verbindung zwischen dem Leiter und der Scheibe, da es hierbei nur erforderlich ist, den Kopf des Leiters in Berührung mit der Oberfläche der Scheibe und dann das Lötmittel in der vorgeschriebenen Weise zum Fließen zu bringen.Forming the head with a convex surface greatly facilitates the production of a Connection between the conductor and the disc as there is this only requires the head of the conductor in contact with the surface of the disc and then that To get solder to flow in the prescribed manner.
Patentansprüche:Patent claims:
-K--K-
0QS80 8712 6 60QS80 8712 6 6
Claims (1)
Applications Claiming Priority (1)
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ID=10400918
Family Applications (1)
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GB (1) | GB1263703A (en) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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US3791019A (en) * | 1971-05-05 | 1974-02-12 | Bosch Gmbh Robert | Method of soldering a conductor to a semiconductor |
Families Citing this family (1)
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- 1969-08-08 DE DE19691940450 patent/DE1940450A1/en active Pending
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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US3791019A (en) * | 1971-05-05 | 1974-02-12 | Bosch Gmbh Robert | Method of soldering a conductor to a semiconductor |
Also Published As
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ES175148U (en) | 1972-06-01 |
FR2015334A1 (en) | 1970-04-24 |
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ES175148Y (en) | 1973-02-16 |
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