DE1932371A1 - Verfahren zum Herstellen von Halbleiterplaettchen - Google Patents

Verfahren zum Herstellen von Halbleiterplaettchen

Info

Publication number
DE1932371A1
DE1932371A1 DE19691932371 DE1932371A DE1932371A1 DE 1932371 A1 DE1932371 A1 DE 1932371A1 DE 19691932371 DE19691932371 DE 19691932371 DE 1932371 A DE1932371 A DE 1932371A DE 1932371 A1 DE1932371 A1 DE 1932371A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
film
semiconductor plate
semiconductor
breaking
stretchable
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
DE19691932371
Other languages
English (en)
Other versions
DE1932371B2 (de
Inventor
Georges Calou
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
TDK Micronas GmbH
Original Assignee
Deutsche ITT Industries GmbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Deutsche ITT Industries GmbH filed Critical Deutsche ITT Industries GmbH
Priority to DE19691932371 priority Critical patent/DE1932371B2/de
Publication of DE1932371A1 publication Critical patent/DE1932371A1/de
Publication of DE1932371B2 publication Critical patent/DE1932371B2/de
Granted legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67092Apparatus for mechanical treatment
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
    • H01L21/3043Making grooves, e.g. cutting
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67132Apparatus for placing on an insulating substrate, e.g. tape

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Dicing (AREA)
  • Formation Of Insulating Films (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)

Description

^elegoxempla
^ Λ i#it ^ändert werde;.
Deutsche ITT Industries GmbH. G. Calon 7
78 Freiburg, Hans-Bunte-Straße 19 19. Juni 1969
Go/SB
DEUTSCHE ITT INDUSTRIES GESELLSCHAFT MIT BESCHRÄNKTER HAFTUNG
FREIBURG I.B.
Verfahren zum Herstellen von Halbleiterplättchen
Bei den gegenwärtig angewendeten Verfahren zum Herstellen von Halbleiterbauelementen werden fast ausschließlich die Halbleiterelemente - beispielsweise Transistoren, Dioden, monolithische Festkörperschaltungen - gleichzeitig in bzw. an einer einkristallinen Halbleiterplatte in einer Mehrzahl von mehreren hundert bis tausend Halbleiterelementen hergestellt. Vor dem Einbringen der Halbleiterelemente in Gehäuse werden diese Halbleiterplatten in die einzelnen Elemente zerteilt. Zu diesem Zwecke wird zur Zeit fast ausschließlich die zu zertrennende Halbleiterplatte mit der Spitze eines Diamanten geritzt und anschließend zerbrochen.
Zum Zerbrechen der Halbleiterplatte sind einige Verfahren entwickelt worden, bei denen, wie beispielsweise beim Verfahren der deutschen Auslegeschrift 1 193 172, die geritzte Halbleiterplatte in eine muldenförmige Vertiefung gelegt wird und zum Zerbrechen mit einer Rolle bearbeitet wird. Eine Halbleiterplatte wird zum Zerbrechen prinzipiell einem Biegemoment ausgesetzt, welches bei der Vorrichtung nach der deutschen Auslegeschrift 1 212 848 oder der deutschen Offenlegungsschrift 1 427 749 zwischen einer Walze oder dergleichen und einer elastischen Unterlage erzeugt wird. Bei diesen bekannten Verfahren wird die Halbleiterplatte
009884/1108 - 2 -
Fl 604 G. Calon 7
vor oder nach dem Ritzen auf der Oberflächenseite einer Folie, insbesondere durch Kleben, befestigt.
Die Erfindung betrifft ein solches Verfahren zum Herstellen von Halbleiterplättchen durch Zerbrechen einer geritzten Halbleiterplatte, deren eine Oberflächenseite auf der Oberflächenseite einer Folie befestigt ist. Nach der Durchführung eines derartigen Verfahrens ist zu beobachten, daß die Halbleiterplättchen Kratzer und ausgebrochene Ränder aufweisen. Die Erfindung geht von der Erkenntnis aus, daß diese Kratzer und ausgebrochenen Ränder durch staufcförmige oder körnige, beim Zerbrechen entstandene Halbleiterteilchen hervorgerufen werden, die bei der Handhabung der zerbrochenen Halbleiterplatte mit der Folie zwischen den beweglichen Kanten und Flächen der Plättchen eingeklemmt und gerieben werden. Die nachteiligen Kratzer und.ausgebrochenen Kanten, die häufiger der Grund eines erhöhten Ausschusses sind, werden erfindungsgemäß dadurch vermieden, daß die Halbleiterplatte an einer streckbaren Folie befestigt wird und zwischen dieser Folie und einer unter Zugkraft gehaltenen Druckfolie durch Andrücken an ein Profilwerkzeug zerbrochen wird und daß die Bruchkanten der Halbleiterplättchen unmittelbar nach dem Zerbrechen durch die Profilierung des Profilwerkzeuges und/oder Streckung der streckbaren Folie auf einen größeren Abstand als beim Zerbrechen der Halbleiterplatte gebracht werden.
Unter einer streckbaren Folie soll sowohl eine plastisch bzw. bleibend verformbare als auch eine nicht bleibend verformbare Folie verstanden werden. Bei nicht bleibend verformbaren Folien muß aber zumindest gewährleistet werden, daß der Zeitraum, in dem die gestreckte Folie wieder ihren ursprünglichen Zustand erreicht hat, so groß ist, daß der Abstand zwischen den Halbleiterplättchen vor dem Ablösen der Halbleiterplättchen von der streckbaren Folie noch nicht so gering geworden ist, daß die zu vermeidenden Kratzer und ausgebrochenen Kanten wieder auftreten. Als Material für die streckbare Folie wurde Weich-Polyvinylchlorid
. - 3 ' 0098 84/1108
Pl 604 G. Galon 7
als geeignet ermittelt. Es dürfte aber keine experimentelle Schwierigkeit darstellen, weitere geeignete Materialien auszusuchen. Es ist sehr günstig, eine einseitig mit Klebstoff beschichtete Folie zu verwenden.
Die Erfindung wird im folgenden anhand der Zeichnung erläutert, in der
die Fig. 1 und 2 je ein Vorbereitungsstadium zum Zerbrechen einer Halbleiterplatte,
die Fig. 3 zwei verschiedene Profilwerkzeuge, die Fig. 4 die Anordnung von verschiedenen Folien,
der Halbleiterplatte und des Profilwerkzeuges kurz vor dem Zerbrechen der Halbleiterplatte,
die Fig. 5 ausschnittsweise den fortlaufenden Prozess des Zerbrechens der Halbleiterplatte an der Kante des Profilwerkzeuges und eine Ausführungsform des Verfahrens nach der Erfindung mit anschließender Streckung der Folie und
die Fig. 6 eine weitere Ausführungsform mit Streckung
der Folie an einem Profilwerkzeug veranschaulichen.
Die Fig. 1 zeigt schematisch die zwischen zwei Griffen eingespannte Druckfolie 3, mit deren Hilfe die Halbleiterplatte 1 an der Kante des Profilwerkzeüges zerbrochen wird. Die Druckfolie 3 soll aus einem wesentlich härteren Material bestehen als die streckbare Folie 2. Der unter dem Warenzeichen Mylar bekannte Polyesterfilm in einer Stärke von 120 yum ist geeignet. Auf dieser Druckfolie 3 wird eine Schutzfolie 9 aus Weichem Material, beispielsweise aus dem gleichen Material wie die streckbare Folie 2, aufgelegt. Diese Schutzfolie 9 dient dazu, die Elektroden oder Kontakte der Halbleiterelemente, die sich
0 0 9 8 8 4/1108
Fl 604 G. Calon 7
in diese Folie eindrücken, während des Zerbrechens zu schützen. Auf diese Schutzfolie 9 wird die Halbleiterplatte 1 gelegt, welche bereits die Ritzspuren des Diaraantwerkzeuges, wie angedeutet, zeigt. Zur Erleichterung der Handhabung der Halbleiterplatte 1 während des Ritzens kann diese bereits vor dem Ritzen mittels einer Klebstoffschicht auf der Schutzfolie 9 befestigt werden. Gemäß der Fig. 2, welche im Querschnitt den nächsten Arbeitsgang erläutert, wird auf die Anordnung aus Halbleiterplatte 1 und Schutzfolie 9 auf der Druckfolie 3 die streckbare Folie 2 gelegt und mittels eines Klebers auf einer Oberflächenseite der streckbaren Folie 2 letztere mit der gesamten Anordnung verklebt.
Die Fig. 3 zeigt zwei Ausführungsformen von Profilwerkzeugen 5 bzw. 5'. Das Profilwerkzeug 51 unterscheidet sich von dem Profilwerkzeug 5, wie ersichtlich, durch eine schärfere Kante 4 und ist zum Zerbrechen der Halbleiterplatte in relativ kleine Halbleiterplättchen vorgesehen, was einen verkleinerten Krümmungsradius an der Kante 4 des Profilwerkzeuges erfordert. Das Profilwerkzeug besteht aus einem metallischen Hohlkörper von ovalem Querschnitt und weist im Inneren eine zur Verschraubung geeignete Halterung auf, wie aus der Fig. 3 ersichtlich. Auf einem Profilwerkzeug 5' können bei geeigneter Formgebung HaIb-
leiterplatten in Plättchen von 0,4 χ 0,4 mm zerbrochen werden.
Zum Zerbrechen wird die Druckfolie 3 mit der Halbleiterplatte 1 und den weiteren Folien über die Kante 4 des Profilwerkzeuges 5
gebracht, wie die Fig. 4 veranschaulicht. Zur Verringerung der Reibung zwischen der Kante 4 und der streckbaren Folie 2 wird über die Kante 4 eine Gleitfolie 8 gespannt. Zu diesem Zweck erwies sich ebenfalls eine Mylarfolie als geeignet.
Anschließend wird, wie die Fig. 5 ausschnittsweise veranschaulicht, die Halbleiterplatte 1 in der angegebenen Pfeilrichtung mit den Folien über die Kante 4 des Profilwerkzeuges 5 unter
009884/1108 ~ 5 ~
Fl 604 G. Calon 7
Ausübung einer Zugkraft auf die Druckfolie 3 gezogen und in die einzelnen Halbleiterplättchen 6 zerbrochen. Unmittelbar nach dem Zerbrechen der Halbleiterplatte 1 an der Kante 4 wird die streckbare Folie 2 mit den daran befestigten Halbleiterplättchen 6 von der praktisch beim Zerbrechen der Halbleiterplatte nicht verformbaren Druckfolie 3 gelöst, so daß die Kanten der Halbleiterplättchen 6 auf einen solchen Abstand gebracht werden, daß ein Abbröckeln der Kanten und ein Zermahlen von Körnern aus Halbleitermaterial dazwischen ausgeschlossen ist. Die Dehnung der streckbaren Folie 2 wird zwischen der Kante 4 und dem Seitenteil 7 des Profilwerkzeuges 5 vorgenommen.
Die Halbleiterplatte 1 ist nunmehr in streifenförmige Halbleiterplättchen 6 zerbrochen. Um nun quadratische Halbleiterplättchen zu erhalten, muß die Halbleiterplatte auch noch in der Richtung senkrecht zu diesen streifenförmigen Halbleiterplättchen zerbrochen werden. Dies erfolgt dadurch, daß die streckbare Folie mit den Halbleiterplättchen 6 und der Schutzfolie 9 nach Ablösung der Druckfolie 3 um 90° zur Druckfolie 3 gedreht wird und darauf wieder befestigt wird.
Danach wird der Vorgang des Zerbrechens und Streckens in der beschriebenen Weise wiederholt. Es ergeben sich quadratische Plättchen, welche im ausreichenden Abstand nebeneinander auf der streckbaren Folie 2 angeordnet sind. Die Halbleiterplättchen, welche die Halbleiterelemente enthalten, werden von der Folie abgelöst, kontaktiert und in Gehäuse eingebracht.
Bei dem anhand der Fig. 5 veranschaulichten Verfahren werden die Kanten der einzelnen Plättchen nach dem Zerbrechen nicht mehr einander genähert, da die praktisch nicht dehnbare Druckfolie 3 unmittelbar an der Kante 4 von der Folie 2 gelöst wird,, welche sogleich einer fortlaufenden Streckung unterworfen ist.. Theoretisch und praktisch ist damit ausgeschlossen, daß ein harter Fremdkörper zwischen den Kanten eingeklemmt werden kann.
009884/110 8 " 6 "
- 6 - ■
Fl 604 G. Calon 7
Es wurde jedoch festgestellt, daß in der Praxis eine gewisse Annäherung der Bruchkanten der Plättchen nach dem Zerbrechen noch erlaubt ist. Dabei kann natürlich ein harter Körper zwischen den Plättchenkanten eingeklemmt werden. Es kommt aber nicht zu einer Beschädigung, da die plastisch verformbare Folie nachgibt. Ein derartiges Verfahren mit einer gewissen Wiederannäherung der Plättchenkanten veranschaulicht die Fig. 6.
Nach dem anhand der Fig. 6 erläuterten Ausführungsbeispiel der Erfindung wird die Halbleiterplatte 1 zunächst entsprechend der Pfeilrichtung in der Figur zwischen der Druckfolie 3, der streckbaren Folie 2 und der Gleitfolie 8 über den konvexen Flächenteil 10 des Profilwerkzeuges 5 geführt. Auf diesem konvexen Flächenteil 10 brechen bereits einige der vorgeritzten Stellen 11 der Halbleiterplatte, über der Kante 4, d.h; dem am stärksten konvex gekrümmten Teil des Profilkörpers 5, bricht die Halbleiterplatte an den restlichen Ritzspuren. Da in Bewegungsrichtung hinter der Kante 4 die Krümmung des Profilwerkzeuges abnimmt und die streckbare Folie noch kaum verformt werden kann, da die Druckfolie 3 noch nicht von den Halbleiterplättchen abgehoben ist, schließen sich die keilförmigen Spalten 12 etwas. Sie schließen sich jedoch nicht völlig, da die Halbleiterplättchen entsprechend der Fig. 6 auf einem konvex gekrümmten Teil 7 des Profilwerkzeuges 5 geführt werden. Die Führung auf diesem konvex gekrümmten Teil 7 ist bereits ausreichend, eine Beschädigung der Halbleiterplättchen an den „ Kanten bei Anwesenheit eines Fremdkörpers in den keilförmigen Spalten 12 auszuschließen.
Beim Verfahren nach der Erfindung ist also gewährleistet, daß die Spalte 12 zwischen dem Ort des Zerbrechens und dem Ort der Streckung der streckbaren Folie nicht mehr geschlossen werden und die Plättchen 6 während des weiteren Zerbrechens und der Handhabung nicht mehr miteinander in Berührung kommen. Aus
009884/1108 . "7"
Fl 604 · G. Calon
diesem Grunde wird die Folie 2 unmittelbar nach dem Zerbrechen der Halbleiterplatte 1 noch auf dem gekrümmten Teil 7 des Profilwerkzeuges gestreckt. Diese Streckung erfolgt beim Ausführungsbeispiel gemäß der Fig. 5 noch früher, da die Druckfolie schon an der Kante 4 von den übrigen Folien abgezogen wird und dort auch schon dieStreckung erfolgt. Dagegen erfolgt dieser Arbeitsgang des Abziehens und Streckens gemäß der Fig. 6 etwas später am gekrümmten Teil 7 des Profilwerkzeuges.
009884/1 108

Claims (7)

_.... nicMgu. ίζΛ Wfird. - ή(7 Fl 604 G. Calon 7 PATENTANSPRÜCHE
1. Verfahren zum Herstellen von Halbleiterplättchen durch Zerbrechen einer geritzten Halbleiterplatte, deren eine Oberflächenseite auf der Oberflächenseite einer Folie befestigt ist, dadurch gekennzeichnet, daß die Halbleiterplatte (1) an einer streckbaren Folie (2) befestigt wird und zwischen dieser Folie und einer unter Zugkraft gehaltenen Druckfolie (3) durch Andrücken an ein Profilwerkzeug (5) zerbrochen wird, und daß die Bruchkanten der Halbleiterplättchen (6) unmittelbar nach dem Zerbrechen durch die Profilierung des Profilwerkzeuges (5) und/oder Streckung der streckbaren Folie (2) auf einen größeren .· Abstand als beim Zerbrechen der Halbleiterplatte gebracht werden.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Halbleiterplatte (1) auf der Klebstoffschicht einer einseitig mit Klebstoff beschichteten plastisch verformbaren Folie (2) befestigt wird.
3. Verfahren nach Ansprüchen 1 und 2, dadurch gekennzeichnet, daß die nicht von der Halbleiterplatte (1) bedeckten Teile der Folie mit der Druckfolie (3) verklebt werden.
4. Verfahren nach Ansprüchen 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Anordnung aus der streckbaren Folie (2), der Druckfolie (3) und der Halbleiterplatte (1) über die Kante (4) eines Profilwerkzeuges (5) mit ovalem Querschnitt gezogen und nach Ablösung der Druckfolie (3) die Folie (2) unmittelbar anschließend auf einem gekrümmten Teil (7) des Profilwerkzeuges (5) gestreckt wird.
00 988 4/1108-
Fl 604 G. Calon 7
5. Verfahren nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß die Halbleiterplatte (1) mit der streckbaren Folie (2) zwischen der Druckfolie (3) und einer Gleitfolie (8) zum Zerbrechen der Halbleiterplatte (1) angeordnet wird.
6. Verfahren nach Anspruch 4 oder 5, dadurch gekennzeichnet/ daß zwischen der Druckfolie (3) und der Halbleiterplatte (1) eine Schutzfolie (9) zum Zerbrechen der Halbleiterplatte (1) angeordnet wird.
7. Verfahren nach Ansprüchen 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß die streckbare Folie (2) aus Weich-Polyvinylchlorid besteht.
0098 8-4/1108
L e e r s e i t e
DE19691932371 1969-06-26 1969-06-26 Verfahren zum herstellen von halbleiterplaettchen Granted DE1932371B2 (de)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE19691932371 DE1932371B2 (de) 1969-06-26 1969-06-26 Verfahren zum herstellen von halbleiterplaettchen

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE19691932371 DE1932371B2 (de) 1969-06-26 1969-06-26 Verfahren zum herstellen von halbleiterplaettchen

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE1932371A1 true DE1932371A1 (de) 1971-01-21
DE1932371B2 DE1932371B2 (de) 1972-11-30

Family

ID=5738053

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE19691932371 Granted DE1932371B2 (de) 1969-06-26 1969-06-26 Verfahren zum herstellen von halbleiterplaettchen

Country Status (1)

Country Link
DE (1) DE1932371B2 (de)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0182218A2 (de) * 1984-11-07 1986-05-28 Kabushiki Kaisha Toshiba Verfahren zum Schneiden von Halbleiterscheiben
EP0610657A2 (de) * 1993-01-07 1994-08-17 Texas Instruments Incorporated Verfahren zum teilweisen Sägen von intergrierter Schaltkreise

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0182218A2 (de) * 1984-11-07 1986-05-28 Kabushiki Kaisha Toshiba Verfahren zum Schneiden von Halbleiterscheiben
EP0182218A3 (en) * 1984-11-07 1988-06-22 Kabushiki Kaisha Toshiba Method for dicing semiconductor wafer
EP0610657A2 (de) * 1993-01-07 1994-08-17 Texas Instruments Incorporated Verfahren zum teilweisen Sägen von intergrierter Schaltkreise
EP0610657A3 (de) * 1993-01-07 1997-02-05 Texas Instruments Inc Verfahren zum teilweisen Sägen von intergrierter Schaltkreise.

Also Published As

Publication number Publication date
DE1932371B2 (de) 1972-11-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
AT503848B1 (de) Handhabungsvorrichtung sowie handhabungsverfahren für wafer
DE2802654B2 (de) Befestigung einer Halbleiterplatte an einer Läppscheibe
DE1752331B2 (de) Verfahren zum zerteilen eines halbleiterplaettchens
DE102018207498B4 (de) Bearbeitungsverfahren für ein werkstück
DE1602002A1 (de) Einrichtung zum Brechen plattenfoermiger Gegenstaende,insbesondere Halbleiterplaettchen
DE102017213961A1 (de) Ablöseverfahren und ablösevorrichtung
DE2007099C3 (de) Verfahren zum Zerteilen einer Scheibe aus SUicium-Halbleiterwerkstoff
DE112006002689T5 (de) Folienschneidetisch
EP1267390B1 (de) Verfahren zum Umsetzen eines im wesentlichen scheibenförmigen Werkstücks sowie Vorrichtung zum Durchführen dieses Verfahrens
DE3521450A1 (de) Entgratungsvorrichtung
DE2236936A1 (de) Pneumatische spannvorrichtung
DE1006977B (de) Verfahren zur Herstellung von Halbleiteranordnungen mit Inversionsschicht
DE1932371A1 (de) Verfahren zum Herstellen von Halbleiterplaettchen
DE1962911C3 (de) Einrichtung zur Reinigung eines Magnetbandes
DE2014246C3 (de) Verfahren zum Unterteilen einer Halbleiterplatte in mehrere Halbleiterplättchen
DE3532020C1 (de) Vorrichtung zum Aufspannen von Werkstuecken mit einem Grundkoerper und einer Beschichtung mit Dauerklebewirkung als Spannmittel
DE2127298A1 (de) Vorrichtung zum Entgraten gebrannter Bleche
DE4029973A1 (de) Brecheinrichtung zum vereinzeln von angesaegten und/oder angeritzten halbleiterwafern zu chips
DE1228819B (de) Schallplattengreifer
DE1193172B (de) Verfahren und Vorrichtungen zum Zerbrechen einer geritzten und auf einen Klebestreifen aufgeklebten Halbleiterplatte
DE3719742A1 (de) Anordnung und verfahren zur ordnungserhaltenden vereinzelung der in einem wafer enthaltenen halbleiterchips
DE2102590C3 (de) Vorrichtung zum Aufrichten von Fischen
DE332683C (de) Spannvorrichtung, insbesondere fuer Schreibmaschinenwalzen an Schleifapparaten
DE2409427C3 (de) Einrichtung zum Entfernen von Grat oder Metallbrücken vom Umfang zylindrischer Gegenstände, Insbesondere elektrischer Rundwickelkondensatoren
DE833018C (de) Verfahren zum Herstellen duenner Metallbaender, insbesondere Stahlbaender, durch Schleifen

Legal Events

Date Code Title Description
C3 Grant after two publication steps (3rd publication)