DE1916554C3 - - Google Patents

Description

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstellen von Halbleiterglcichrichieranordnungen mit einem oder mehreren in einer Ebene liegenden Gleichrichterbauelementen, bei dem aus bandförmigem oder tlächenhaftem Leitermaterial eine Vielzahl von ebenen, geometrischen, periodisch wiederkehrenden Strukturen erzeugt wird, die jeweils aus einer Anzahl von über die eine als Transportstreifen vorgesehene Längsrandzone des Leitermaterial miteinander verbundenen Leiterteilen bestehen, und bei dem jeweils zwischen den eine kiammerl'örmige Halterung bildenden Abschnitten einander zugeordneter Leiterteile einer Struktur eine Halbleitertablette kontaktiert wird.The invention relates to a method for manufacturing semiconductor devices with one or more rectifier components lying in one plane, in the case of which from strip-shaped or planar conductor material a multitude of flat, geometric, periodically recurring Structures is generated, each from a number of over the one provided as a transport strip There are longitudinal edge zone of the conductor material interconnected conductor parts, and at each of which is assigned to one another between the sections that form a chimney-shaped holder Conductor parts of a structure a semiconductor tablet is contacted.

Mit der ständigen Erweiterung der Anwendungsmöglichkeiten für Halbleiteranordnungen in der Technik kommt auch dem Einsatz von Halbleitergleichrichieranordnungen kleiner Leistung immer größere Bedeutung zu. Dabei werden für viele Anwendungsfälle immer preisgünstigere Ausführungsformen mit kleinen Abmessungen bei möglichst gleichen oder sogar besseren elektrischen Kennwerten gefordert.With the constant expansion of the application possibilities for semiconductor arrangements in the Technology also comes to the use of semiconductor rectifying arrangements small power becomes more and more important. This will be used for many use cases always cheaper designs with small dimensions with the same or even better electrical characteristics as possible required.

Bei Halbleitergleichrichteranordnungen bekannter Ausführung wird in herkömmlicher Weise die Halbleiterlablette an ihren vorbereiteten Flächen sowohl mit einem metallischen Trägerkörper als auch mit wenigstens einem geeignet ausgebildeten Anschlußleiter kontaktiert und in einem Gehäuse angeordnet.More known for semiconductor rectifier arrangements The semiconductor tablet is carried out in a conventional manner on both its prepared surfaces with a metallic support body as well as with at least one suitably designed connection conductor contacted and arranged in a housing.

In der DT-AS 1 095 951 is! ein Verfahren zur Herstellung von Halbleiteranordnungen beschrieben, bei dem eine Fläche eines dünnen, streifenförmiges Halbleiterkörper mit dem einen lötfähigen Überzut aufweisenden Ende aller Stege eines kammförmigen metallischen Trägerkörpers flächenhaft fest verbunden wird und bei dem, bedarfsweise nach Anbrin gung weiterer Elektroden auf der cntgegengesctzien freien Oberfläche des Halbleiterkörpers, sowohl de Trägerkörper zwischen seinen Stegen als auch de Halbleiterkörper an entsprechenden Stellen durchge trennt werden.In the DT-AS 1 095 951 is! a method of manufacture of semiconductor arrangements described in which a surface of a thin, strip-shaped Semiconductor body with the end of all webs of a comb-shaped end that is solderable metallic carrier body is firmly connected over a large area and in which, if necessary, after attachment generation of further electrodes on the opposite free surface of the semiconductor body, both de Carrier body between its webs as well as de semiconductor body durchge at corresponding points be separated.

Weiterhin ist in der DT-AS 1 246 888 ein Verfah ren zur Herstellung von Gleich riehtcraiiordnungei für kleine Stromstärken beschrieben, bei dem zu nächst vorgeformte, bedarfsweise metallisierte, strei fenförmige Leiterteile sich rechtwinklig überlap pend aufeinandergelegt und anschließend zwei ode mehr Halbleilertablettcn an den Kreuzungspunkte in jeweils sinnvoller elektrischer Polung zwischengeFurthermore, in DT-AS 1 246 888 a method for the production of equalization orders is given for small currents, in which the first preformed, if necessary metallized, strip Fen-shaped conductor parts are laid on top of each other at right angles and overlap and then two ode more semiconductor tablets in between at the crossing points, each with a meaningful electrical polarity

IxIx

«ι durch cine Wärmebehandlung gleichzeitig H? U ertei cn zu einer gewünschten Gleich^d i d«Ι by a heat treatment at the same time H? U ertei cn to a desired DC ^d id

g
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i.ioncllen Herstellung einer größeren Anzahl 5 ^Lin unihlcitert'lcichrichtcranordnungen vorgeschla_von ^Η?'°'^¹^_{ο1ιβη di}e geeignet ausgebildeten undi.ioncllen production of a larger number 5 ^Lin unihlcitert'lcichrichtcranordnung proposed _by ^Η ? '°' ^ ¹ ^ _{ο1ιβη di} e suitably trained and

^SCn· h ScY Weise gegenseitig zugeordneten .„ vorbcMunm.cr w b metallischen Leiter- ^SCn · h ScY way mutually assigned. "VorbcMunm.cr wb metallic conductor

*f% "η gsin 1" e^rnHäbl'eiterlablette eingefügt ι. ^bUS, nschenhaft konlakliert wird und bei dem die ^Un äHibleltc und den als AnschlulMeiter die-Strukturen jeweils entlang der Miueliinic ^d" "¹^ f^c" häuscäußercr LcitungsanschIuB dienend Abseinils von entsprechenden Leitertcilen in eiiucim. Halbleiterbauelemente und/oder GlcichricUeranordnungcn zerteilt und/oder gegcnsc.ug getrennt wer * f% "η gsin 1" e ^rn Häbl'leitlablette inserted ι. ^bus , is similarly argued, and in which the ^un Ähibleltc and the as connection head die structures each along the miueliinic ^d "" ¹ ^ f ^c "outside of the housing serving separation of corresponding conductor parts in single semiconductor components and / or divided and / or opposite arrangement .ug separated who

den. ,!..rm^telltenthe. ,! .. rm ^ tellten

An Hand der in den Fig. bis S dargtstcm.n Using the dargtstc m.n. in FIGS

Ausführungsbeispicle werden das «f.ndunfrsg«.maßj Verfahren und der Aufbau der danach hergc el, η Halb.eitergleichrichteranordnungen au ge«cig-ιmd erläutert. Für gleiche Teile s.nd in allen H_turen gleiche Bezeichnungen gewählt.Exemplary embodiments of the process and the structure of the semiconductor rectifier arrangements produced according to it are also explained. For the same parts in all s.nd H _t acids like designations selected.

äuse anghousing spec

g■ dargesiellt. wie sieg ■ shown. as

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Herstellung erforderlicheManufacturing required

teil-part-

e _{k|ammcrfürmigc} Halle-e _{k | ammcrfürmigc Halle-}

Sn η Ter Hal'Seitertabletten einen zusätzlichen Anfvv-ind und weiterhin ist der Zusammenbau zu geiutchte'n Schaltungen umständlich und daher eben-Sn η Ter Hal'Seitertabletten an additional Initially and furthermore the assembly is to be verified Circuits cumbersome and therefore also

3S3S

Se^ftng .ag die Aufgabe zugrunde, die Nachteile der bekannten Verfahren zu vermeiden üb hiaus ein Verfahren zur besonde.s leitertab^e^ gdjWctSe ^ ftng .ag the task underlying the To avoid the disadvantages of the known processes via a process for special purposes ladder table ^ e ^ gdjWct

Die gehduscaubc n.
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_{Stromleitimgsansdllüs}se Leiterabschnii- _{Stromleitimgsansdllüs} se Leiterabschnii-

_gewünschlc„ Rasteritiem Abstand angc- _gewünschlc "Rasteritiem distance angc-

scher Schaltung zu schatten.shear circuit.

De Lösung der Aufgabe besteht crfmdun^aß darin, daß Strukturen mit einem parallel :™*Jrans-Jortstreifen verlaufenden wenigstens zwe Suuktui gemeinsamen und der entsprechenden AnzahlThe solution to the problem is crfmdun ^ aß in that structures with a parallel: ™ * Jrans-Jort stripe running at least two Suuktui common and the corresponding number

Ausbildunc der Leiterteile 1 und 2 D. ^zur Ausb.Wung d ^^^. _{üd f},_s.Training of ladder parts 1 and 2 D. ^for training d ^^^. _{üd f} , _s .

der ehe Hat _{ische und thermische} Leitfa-the marriage hat ical _{and thermal guideline}

^enhaltem^S Leitermaterial guter Verform-^ contained ^ S conductor material with good deformation

higkeji^ au Federhärte, vorzugsweise aushigkeji ^ au spring hardness, preferably from

führtenled

Rp'iniopn.Rp'iniopn.

_dar. _represent .

916 554 j916 554 j

zeigt eine Halblciterglciehriehteranordnung in Mittelpunktschaltimg, die durch ebenes, zum Plus-Anschluß spiegelbildliches Aneinanderfügen zweier Systeme gemäß Fig. I erzielt wird. Der zentrale, als Plus-Anschluß dienende 1 .eiterteil 6 wird mit seinem gehäiiscinneren, streifunförmigen und beispielsweise an den Stellen K gekröpften Abschnitt 6«, analog zum Aufbau gemäß Fig. 1, den entsprechenden l.eiterteilabschnittcn 5 α und 7 « zugeordnet. Bezüglich der Abmessungen der Lcitcrtcilc für die in den weiteren Figuren aufgezeigten Ausführungsformen und ihres gegenseitigen Abstandes gelten die entsprechenden Hinweise zu F i g. 1.shows a half-liter straight-line arrangement in center-to-center circuitry, which is achieved by joining two systems according to FIG. The central, as a plus terminal 1 serving .eiterteil 6 with its gehäiiscinneren, streifunförmigen and cranked, for example at the points K Section 6 ", analogous to the structure shown in FIG. 1, the corresponding α l.eiterteilabschnittcn 5 and 7," assigned. With regard to the dimensions of the elements for the embodiments shown in the other figures and their mutual spacing, the corresponding notes on FIG. 1 apply. 1.

Durch sinnvolle Anordnung von Baueinheiten, wie sie in F i g. 1 dargestellt sind, können auch Halb- >5 leiterglcichrichteranoidnungcn in halber Einphasen-Brüekenschallung erzielt werden (Fig. 3). Den zwischen den beiden Halblcitertablclten räumlich und elektrisch erforderlichen Wcchsclstromanschluß bildet das l.cilcrtcil 9, dessen gehäuseinnerer Ab- ao schnitt mit einem stcgförmigcn, rechtwinklig ausgebildeten Ansatz 9 r als oberes Kontaktstück für die Halblcitcitabletlc des durch den MinusansehlußS bestimmten ersten Systems und mit seinem großflächigen, eine nutcnförmigc Aussparung aufweisenden Teil 9« als Trägcrkörpcr~für die Halblcitcrlablctte des durch den Plusanschluß 10 bestimmten zweiten Systems dient. Wird das I.eitertcil9 in der Längsachse seines Abschnittes 9/) aufgetrennt, so ergeben sich zwei aneinandergereihte, in Ausbildung und Anordiiung völlig gleiche Systeme gemäß Fig. 1.By sensible arrangement of structural units, as shown in FIG. 1, semi-> 5 conductor directional rectifiers can also be achieved in half single-phase bridge sounding (Fig. 3). The electrical connection between the two half-liter tables, which is spatially and electrically necessary, is formed by the l.cilcrtcil 9, the inner section of the housing with a stcg-shaped, right-angled extension 9 r as the upper contact piece for the half-liter table of the first system determined by the minus surface, and with a groove-shaped recess having part 9 'serves as a support body for the half-cylinder plates of the second system determined by the positive connection 10. If the branch section 9 is separated in the longitudinal axis of its section 9 /), then two systems, lined up and completely identical in design and arrangement, result according to FIG. 1.

Wird spiegelbildlich zum Leiterteil 10 des Aufbaus gemäß F i g. 3 ein weiterer gleicher Aufbau angeordnet und werden die beiden Plusanschlüssc als ein einziger (6) ausgebildet, so ergibt sich jeweils eine periodisch wiederkehrende Zone, die eine FJnphascn-BrückcnschalUing gemäß F i g. 4 darstellt, wobei die beiden zunächst voneinander getrennten Minusanschlüssc vorteilhaft mit Hilfe eines Steges zwischen Trägerkörper 13 « und Tragerkörper 13 c als ein einziges l.eilcrleil 13 hergestellt werden. Dadurch wird c'iic den unterschiedlichen Forderungen der Anwender voll gerecht werdende Ausführungsforni erzielt, wobei die abwechselnde Anordnung der Gleich- bzw. Weehselsiromanschlüssc (6 und 13 bzw. 11 und 12) schaluingstechnisch keine Schwierigkeiten macht. Gemäß F i g. 4 kann mehreren Strukturen ein gemeinsames, die weitere Längsraiulzone bildendes l.eilcrteil 13 zugeordnet sein.Is a mirror image of the ladder part 10 of the structure according to FIG. 3 a further identical structure is arranged and if the two positive connections are designed as a single one (6), a periodically recurring zone results in each case, which has a five-phase bridge circuit according to FIG. 4, the two minus connections, which are initially separated from one another, are advantageously produced as a single cable clip 13 with the aid of a web between the carrier body 13 'and the carrier body 13c. As a result, an embodiment that fully meets the different requirements of the user is achieved, with the alternating arrangement of the identical or alternating connections (6 and 13 or 11 and 12) not causing any difficulties in terms of circuitry. According to FIG. 4, a common l.eilcrteil 13, which forms the further longitudinal curl zone, can be assigned to several structures.

Durch Kombination der Ausfilhrungsformen gemilIA F i u. 3 und 4 in der Weise, daß das Leiterteil 8 unmittelbar an das Leiterteil 13 anschließt und daß bc^:dc. entsprechend verbunden, einen angepaßt ausgebildeten MiiHisansehluß bilden, kanu Überraschend einfach c'ne Dreiphasen-Brüekcnsehaltuny, hcrgcstellt werden.By combining the embodiments according to Fig. 1, 3 and 4 in such a way that the ladder part 8 directly adjoins the ladder part 13 and that bc ^: dc. respectively connected, form a matched formed MiiHisansehluß, canoe Surprisingly simple c'ne three-phase Brüekcnsehaltuny, hcrgc provides be.

Hrfindiingsgemllß können die Strukturen dadurch besonders günstig uiisgcstaltcl werden, daß einem liliu'H des Lcitcrmulcrlals verlaufenden und d'c weitere Lüiutsvandzone bildenden BasIslollcrteM (13), βο mil einer die Pcriodi/.illtt der gewünschten Struktur bestimmenden Ausbildung, je Periode zwei symmetrisch /u C¹IH¹In in der Pcriodeiim'ltc liegenden dritten Leiterteil angeordnete, zweite Leiterteile zugeordnet werden. 6gHrfindiingsgemllß the structures can therefore be especially favorable uiisgcstaltcl that a liliu'H of Lcitcrmulcrlals extending and d'c further Lüiutsvandzone forming BasIslollcrteM (13), a mil βο the Pcriodi / .illtt the desired structure defining training, each period two symmetrically / u C ¹ IH ¹ In the third ladder section located in the periodic direction, second ladder sections are assigned. 6g

In Fig. 5 ist die LcilcrlcilstiukUir einer Drciphusen-Stcrnsehtillun.u daixeslellt. Ausgehend von der Aluminium einer Mitldpunktsenaliung gemllß F i g. 2 und von der Parallclvcrselzung aller oberen Kontaktstücke für drei Halblcitertablctten wird der dritte Wcchselslromanschluß als Leiterleil 17 mit seinem gehäuseinneren Abschnitt 17« zwischen die Abschnitte 14 a und 16« eingefügt und mit seinem gehäuseäußeren Abschnitt 17/) an die Leiterleile 14 /> bis 16/) angereiht. Zur llrzielung einer auch für den Hinsalz in Leiterplatten geeigneten Strukiut ergibt sich dann beispielsweise die aufgezeigte Ausbildung und Anordnung des Lcilcrtcils 15 und des gehäuseäußeren Leiterteilabschnitts 16/).In Fig. 5 the structure of a Drciphusen syndrome is shown daixeslellt. Starting from the aluminum, a middle point solution according to F i g. 2 and from the parallel connection of all upper contact pieces for three half-liter tablets the third alternating connection as conductor part 17 with its section 17 inside the housing between the sections 14 a and 16 "inserted and with its housing-outer section 17 /) to the conductor line 14 /> up to 16 /) lined up. To achieve one also for the For example, the structure shown then results in a structure suitable for printed circuit boards and arrangement of the lcilcrtcil 15 and the housing-outer conductor sub-section 16 /).

F.ine andere Ausführungsl'orm einer Schallung gemäß F i g. 5 wird dadurch erzielt, daß, bei einsprechender Ausbildung der Ilalbleilertablelten, ein gemeinsamer, großflächiger, slreifenförniigcr Plusanschluß entsprechend dem Leilerleil 1 in F i g. 1 als durchgehender Trägerkörper und die drei als Wechselsiromanschlüsse dienenden Lciterluilc in einer Reihe und ebenso wie Leiterteil 2 in F i g. 1 angeordnet werden. Auf diese Weise sind auch llalbleitcranordnungcn als sechs- bzw. /wölfpulsige (ileichriehlcrsehaltungen crziclhar.F. Another embodiment of a shuttering according to F i g. 5 is achieved by the fact that, with an appropriate design of the Ilalbleilertablelten, a common, large-area, slreifen-shaped plus connection according to Leilerleil 1 in F i g. 1 as continuous support body and the three as changeover connections serving Lciterluilc in a row and just like ladder part 2 in F i g. 1 arranged will. In this way, semiconductor arrangements are also made as six- or / or twelve-pulse crziclhar.

In den F i g. fia bis (Sh sind die bei den verschiedenen Vcrführensschrillcn zur Herstellung von HaIblcilcrglcichrichlerbauclcmentcn gemäß F i g. I erzielten Anordnungen aufgezeigt.In the F i g. fia bis (Sh are those with the different Introductory steps for the production of half-glass building elements according to FIG. I achieved arrangements shown.

Aus bandförmigem Leitermaterial mit Ausdehnungen, die durch die Hcrstellungswcisc und durch die Strombclaslbarkeil der gewünschten Ilalb'eitergleichriehlcranordiumgcn sowie durch deren l.eiterteilabmcssungen bestimmt sind, wird vorzugsweise durch Stanzen eine Reihe von Platinen gemäß Fig.da mit den als Lcitungsanschlüsscn vorgesehenen Siegen 1 /> und 2 /) erzeugt. Dabei verbleibt vom Ausgangsmatcrial ein zur Weiterverarbeitung der Platinen vorgesehener Längsstreifen IS. der beiiaiTsweise zur rationelleren Fertigung eine Perforierung 19 aufweisen kann. Deren I.oehleilungm (Fig. (u·) kann mit der Teilung der Leilerabsehnitte 1 /> und 2/) übereinstimmen und beispielsweise dem Rastermaß von Leiterplatten oder einem Vielfachen desselben entsprechen.Made of strip-shaped conductor material with expansions caused by the manufacturing process and by the Electricity class wedge of the desired Ilalb'eitergleichriehlcranordiumgcn as well as their head part dimensions are determined, is preferred by punching a number of boards according to Fig.da with those provided as cable connections Siegen 1 /> and 2 /) generated. Thereby remains of the original material for further processing of the Longitudinal strips IS provided for plates. the occasional way may have a perforation 19 for more efficient production. Their initial division (Fig. (U)) can be divided into 1 /> and 2 /) match and, for example, the grid dimension of printed circuit boards or a multiple thereof correspond.

In einem weiteren Vcrfahrensschrilt. beispielsweise ebenfalls durch Stanzen oder durch gezieltes Atzen in an sich bekannter Technik, werden i;ehäuseinncre l.eilcrabschniite 1 « und 2« gebildet, die in vorhestimmtcr Weise flächenhafl verlaufen und eine ebene. geometrische Leilerteilstruklur genial' F i g, (1 b darstellen,In a further procedural step. For example, also by punching or by targeted etching using a technique known per se, inner housing sections 1 "and 2" are formed, which run flat in a predetermined manner and are flat. Geometric part structure ingenious' Fig, (1 b represent,

Anschließend wird, wie dies in den Fig.Cie und fid in Draufsicht und in Seitenansicht aufgezeigt int. durch geeignetes Aufbiegen jedes gchliuse'mnerer Lcilerabsehnitts2fi aus der Platincnebenc und dtircl· Parallelversetzung an den Abschnitt 1« jeweils eine kliimmcrförmige Halterung zur Aufnähme cliici Halbleilcrlablette erzielt,Then, as shown in FIGS fid shown in plan view and in side view int. by appropriately bending open each closed-off Lcilerabsehnitts2fi from the platinum side and dtircl · Parallel offset to the section 1 "each a kliimmcr-shaped holder for receiving cliici Semi-chemical tablet achieved,

Der auf diese Weise gefertigte metallische Streifet mit einer Anzahl LeilerleilstrukUircn wird gemllß dci Fig. fic und fif in einer Vorrichtung 20 gehalter und vorzugsweise von der freien Längsseite der Ab schnitte 1 α her an jeder Klammer durch Niederhal ten tics Lcilerabsclinitts 1 rl jeweils mit einer Halb IciterlablelteJ in vorbestimmten vorzugsweise je weils gleicher elektrischer Orientierung bestückt. Pa bei kann zur Durchführung eines geeigneten Verfah runsiaklcs die Teilung/» der Perforierung 19 vor wendet werden. Durch geeignetes Umspannen de Leiterlellsirukturen in der Vorrichtung 20 wird bcThe metallic strip manufactured in this way with a number of LeilerleilstrukUircn is according to the Fig. Fic and fif held in a device 20 and preferably from the free long side of the Ab sections 1 α down on each bracket by holding down the tics Lcilerabsclinitts 1 rl each with a half IciterlablelteJ equipped in predetermined, preferably always the same electrical orientation. In the case of, the division / »of the perforation 19 can be used to carry out a suitable process. By suitably reclamping de Leiterlellsirukturen in the device 20, bc

darfsweise die Federwirkung zur Halterung der Halbleilcrtablcltcn noch crhöhl.May be the spring action to hold the Semi-fabricated trays are still hollow.

Gegebenenfalls kann die äußere Kontur der Platinen auch erst nach dem zur Ausbildung der klammcrförmigen Halterung vorgesehenen Verfahrensschritt hergestellt werden.If necessary, the outer contour of the blanks can also only be used after the formation of the clamp-shaped holder provided process step are produced.

Bei Verwendung von beidseitig mit Konlaktrondcn versehenen, vorbereiteten Halblcitcrtabletlcn kann die Bestückung der Leitcrtcilstrukturen unoricnticrt erfolgen, wodurch ein wirtschaftlicherer Vcrfahrcnsablauf gegeben ist.When using prepared half-glass tablets that are provided on both sides with a declaration of conformity the assembly of the Leitcrtcilstruktur unoricnticrt take place, whereby a more economical process flow given is.

Die Anordnung eines metallischen Streifens mit erfindungsgemäßen Lcitertcilstrukturcn in der Vorrichtung 20 gestattet es, auch die im Anschluß an das Bestücken erforderlichen Vcrfahrensschrittc, nämlich das Kontaktieren der Halblcitcrtabletlcn mit ihren l.cilungsanschlüsscn sowie das Ätzen, Reinigen und Obcrflächcnbchandeln der Halblcitcroberflächcn in vorteilhafter Weise gleichzeitig an einer größeren Anzahl durch Tauchen durchzuführen.The arrangement of a metallic strip with Lcitertcil structures according to the invention in the device 20 also make it possible to use those following the Equipping the necessary process steps, namely contacting the half-board tablets with their Oil connections as well as the etching, cleaning and surface covering of the half-face surfaces in advantageously to be carried out simultaneously on a larger number by diving.

Weiterhin besteht die Möglichkeit, Lciterleilstrukturcn beiderseits des perforierten Streifens 18 anzuordnen und dadurch eine weitere Rationalisierung des 1 lerstellungsverfahrcns zu erzielen.There is also the possibility of sub-structures to be arranged on both sides of the perforated strip 18 and thereby a further rationalization of the 1 production process.

Im Anschluß an die verschiedenen Verfahrcnsschrilte zur Herstellung einer größeren Anzahl von ungckapsellen Halbleiiergleichriehtcrbauclcmenien werden diese, mittels ihrer Lcitungsanschlüssc noch mit dem perforierten Streifen 18 verbunden, in geeigneter Ausdehnung durch Umpressen, Umspritzen oder Vergießen in einem Becher in eine IsolicrstoiTumhüllung4 eingebettet ( Fig.6g) und schließlich durch Kappen ihrer gehäuscäußeren Leiterteile 1 b und 2 b in gewünschter Länge vom Streifen 18 getrennt (Fig.Mi). Dabei können gleichzeitig die freien Lcilcrleilenden als Lölspießc ausgebildet werden. Die Umhüllung 4 wird in ihrer Ausdehnung sowohl durch das Verfahren zu ihrer Herstellung als auch durch die Linsalzbedingiingen für die Bauelemente bestimmt. Bedarfsweise kann die Umhüllung besonders an ihren Breitseiten sehr dünnwandig ausgeführt werden, um beidseitig eine optimale Ableitung der Vcrlusileisiungswärme zu gewährleisten.Following the various steps in the process of producing a larger number of non-encapsulated semiconducting alignment structures, these, still connected to the perforated strip 18 by means of their cable connections, are embedded in a suitable expansion by pressing, overmolding or potting in a cup in an insulating material envelope 4 (FIG. 6g) and finally separated by capping their housing outer conductor parts 1 b and 2 b in the desired length from the strip 18 (Fig.Mi). At the same time, the free ends of the oil rope can be designed as oil spikes. The envelope 4 is determined in its expansion both by the method for its production and by the Linsalzbedingiingen for the components. If necessary, the casing can be made very thin-walled, especially on its broad sides, in order to ensure optimal dissipation of the heat of the leakage on both sides.

Die an I land der Darstellungen in den F i g. ο a bis dli erläuterten Vcrfahrenssehrilte gellen in entsprechender Weise auch bei der Herstellung der in den F ig, 2 bis 5 und 7 und 8 dargestellten Ausführungslormeu von 1 lalbleilerglciehrieh'.cranordnungen.The at I land of the representations in the F i g. ο a to The sections of the procedure explained apply correspondingly This is also true for the production of the embodiments shown in FIGS. 2 to 5 and 7 and 8 of 1 lalbleilerglciehrieh'.cranorders.

Verfahrenstechnisch besonders günstig sind die in ilen F i g. 7 und 8 aufgezeigten AusfUlmingsbcispicle. Die für eine Hinphasen-lküekensehnltung bzw, eine Drcipluiscn-Hillckcnschaltung vorgesehenen Anordnungen weisen großflliehigc, gchliuscinnerc Leitcr- leilc 21 mit als oberes Kontaktstück für jeweils eine Halblcitcrtablettc dienenden Abschnitten 22 auf. die, durch geeignetes Aufbiegen aus der Platinenebcnc. spangenförmig zum zugehörigen Trägcrkörper angeordnet werden und mit diesem eine klanimcrförmigc Halterung zur Aufnahme von je einer HaIbleitcrlablellc bilden. Durch geeignete Formgebung des Abschnittes 22 ist eine ausreichende Auflagefläche für die Halblciiertablctte und damit ein gcwünschtes Bctricbsvcrhaltcn der Anordnungen gewährleistet. In terms of process technology, those in ilen F i g are particularly favorable. 7 and 8 shown AusfUlmingsbcispicle. The arrangements provided for a forward-phase plug connection or a printed circuit-back circuit have large, closed conductor elements 21 with sections 22 each serving as an upper contact piece for a half-board tray. which, by suitable bending out of the Platinenebcnc. be arranged in the form of a clasp to the associated carrier body and form with this a clamp-shaped holder for receiving one semiconductor label each. By suitably shaping the section 22, a sufficient support surface for the half-aligning tablets and thus a desired configuration of the arrangements is ensured.

Bezüglich der Ausdehnung und Ausbildung der Leiterteile sowie ihrer Herstellung gelten die zu den F i g. 1 und d a bis 6 h gemachten Ausführungen in entsprechender Weise. Zur Erhöhung der für die Hullcrung der Halbleitertablctlcn notwendigen Klammerwirkung können sowohl der durch die unterbrochenen Linien dargestellte Hilfsstcg 23 als auch der Hilfsslcg 25 dienen. Beide werden zu gegcbener Zeit abgetrennt. Die Umhüllung der dargestellten Ausführungsform gemäß F i g. 7 ist mit 24 angedeutet.Regarding the expansion and formation of the ladder parts as well as their manufacture, those apply to F i g. 1 and d a to 6 h made in a corresponding manner. To increase the for the Covering of the semiconductor tablets necessary Both the auxiliary piece 23 represented by the broken lines and the the auxiliary circuit 25 are also used. Both become more given Time separated. The casing of the illustrated embodiment according to FIG. 7 is at 24 indicated.

Durch entsprechende Zerteilung der in den F i g. 7 und 8 dargestellten Ausführungsbcispiclc können bei entsprechender Ausbildung der Lcitcrtcilabschnitte Glcichrichlerschaltungen mit weniger als vier HaIbleitertablelten hergestellt werden.By appropriate division of the FIG. 7 and 8 shown Ausführungsbcispiclc can at Corresponding design of the conductor sections, rectifier circuits with fewer than four semiconductor tables getting produced.

Die Vorteile des crfindungsgcinäßcn Verfahrens zur Herstellung von Halblcitcrglciclirichteranordnungen bestehen darin, daß durch Herstellung der samtlichen in einer Ebene liegenden, strcifcnförmigcn Leiterleile jeder Struktur insgesamt aus bandförmigem oder flächcnhaflcm Leitermaterial und der wenigstens einen aus solchen Lcitcrtcilcn vorgesehenen.The advantages of the discovery process for the production of half-glass funnel assemblies consist in the fact that through the production of all of them lying in one plane, strip-shaped Conductor parts of each structure as a whole made of strip-shaped or flat conductor material and the at least one provided from such components.

klammcrförmigen Halterung für jeweils cine HaIbleitcrlabletle gleichzeitig eine Baueinheit gebildet wird, die durch Aneinanderreihen in entsprechender Anzahl und Zuordnung zur Hrziclung von I IaIbleiiergleichrichleranordnungcn mit mehreren I IaIblciici tabletten in gewünschter elektrischer Schaltung geeignet ist, daß alternativ mit Hilfe eines zu der einen Längsraiulzone parallelen, durchgehenden, die andere l.äugsrandzonc bildenden Busisleiterteils ein Leiterteilband mit beliebig aufreihbaren Strukturen unterschiedlicher Konfiguration zur wahlweisen Hrzielung beliebiger (ileiehriehleranordiuingen herstellbar ist und daß an einer Vielzahl von Aufbauten aus einander zugeordneten Leilerteilen und jeweils zwischcngetiiglor Halbleitertablette die Veifnhrensschritte zur Kontaktierung, Reinigung, Stabilisierung und Kapselung von 1 lalblcitcrtablcttcn in besonders wirtschaftlicher Massenfertigung durchgeführt werden können. Clamp-shaped holder for each semiconducting tablet, a structural unit is formed at the same time, which by lining up in the appropriate number and assignment to the description of lead rectifier arrangements with several tablets in the desired electrical circuit is suitable that alternatively, with the help of a continuous, continuous zone, the other part of the bus conductor forming the outer edge zone is a conductor sub-band with structures of different configurations that can be lined up as required for the optional listening to any desired (ileiehriehleranordiuingen) and that on a large number of structures made up of mutually associated fan parts and in each case intervening semiconductor pellets, the processing and encapsulation steps for contacting, cleaning, stabilizing, stabilizing 1 lalblcitcrtablcttcn can be carried out in particularly economical mass production.

Hierzu 3 UInIt ZeichnungenFor this purpose 3 UInIt drawings

Claims (6)

Patentansprüche:Patent claims: I. Verfahren zum Herstellen von Halblcitcrgleichrichteranordnungen mit einem oder mehreren in einer Ebene liegenden Gleichrichterbauelementen, bei dem aus bandförmigem oder flächenhaftem Leitermaterial eine Vielzahl von ebenen, geometrischen, periodisch wiederkehrenden Strukturen erzeugt wird, die jeweils aus einer Anzahl von über die eine als Transportstreifen vorgesehene Längsrandzone des Lcitcrmulcrials miteinander verbundenen LcHerteilen bestehen, und bei dem jeweils zwischen den eine klarnmcrförmige Halterung bildenden Abschnitten einander zugeordneter Leiterteile einer Struktur eine Halbleilertablette kontaktiert wird, dadurch gekennzeichnet,I. Method of Making Half-Light Rectifier Assemblies with one or more rectifier components lying in one plane, In the case of strip-shaped or flat conductor material, a multitude of flat, geometric, periodically recurring structures is generated, each from a Number of over the one longitudinal edge zone of the Lcitcrmulcrials provided as a transport strip connected to each other, and in each case between the one clear ring-shaped Bracket-forming sections of mutually associated conductor parts of a structure Semiconductor tablet is contacted, thereby marked, daß Strukturen mit einem parallel zum Transportstreifen verlaufenden, wenigstens zwei Siruk- a° türen gemeinsamen und der entsprechenden Anzahl von klammerförmigen Halterungen zugeordneten Basisleitcrteil, welches die andere Längsrandzone des Leitermaterials bildet und eine die Periodizität der gewünschten Strukturen bestimmende Ausbildung aufweist, hergestellt werden,that structures with one parallel to the transport strip, at least two Siruk- a ° Doors common and assigned to the corresponding number of bracket-shaped brackets Base conductor part, which forms the other longitudinal edge zone of the conductor material and one the Has the periodicity of the desired structures-determining training, are produced, daß jeweils einer der beiden, jeder Halbleilertablette zugeordneten, flächenhaften Leiterteile aus der gemeinsamen Ebene heraus parallel versetzt und zur Bildung einer klammerförmigen Halterung das weitere Leiterteil überlappend angeordnet wird,that in each case one of the two planar conductor parts assigned to each semiconductor tablet offset from the common plane in parallel and to form a bracket-shaped Bracket the other ladder section is arranged overlapping, daß zwischen die derart einander zugeordneten Leilerteile Halbleilertabletlen Ln vorbestimmter elektrischer Orientierung eingefügt werden undthat between the Leilerteile so associated with one another semiconductor tablets Ln predetermined electrical orientation can be inserted and daß nach weiteren, jeweils gleichzeitig ;in der durch die Strukturen vorgegebenen Anzahl von Teilen der vorgesehenen Anordnungen durchgeführten Verfahrensschritten wie Kontaktieren. Atzen, Reinigen, Oberflächenbehandeln und Kapsein die Strukturen jeweils entlang der Mittellinie des als gehäuseäußerer Leitungsanschluß dienenden Abschnitts von entsprechenden Lciterteilen in einzelne Halbleiterbauelemente und/oder Gleichrichteranordnungen zerteilt und'octer gegenseitig getrennt werden.that after further, each at the same time; in the number of Parts of the planned arrangements carried out procedural steps such as contacting. Etching, cleaning, surface treatment and capsule the structures in each case along the center line of the line connection serving as the housing-external line connection Section of corresponding Lciter parts into individual semiconductor components and / or Rectifier arrangements divided and'octer mutually be separated. 2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das bandförmige oder fliichcnhafte, gute elektrische und thermische Leitfähigkeit aufweisende Leitermaterial vorzugsweise aus Kupfer, Messing, Eisen oder einer Eisen-Nikkel-Kobalt-Legierung hergestellt und mit einem gut lötfähigen Überzug versehen wird.2. The method according to claim 1, characterized in that the band-shaped or flat, Conductor material exhibiting good electrical and thermal conductivity is preferably made of Copper, brass, iron or an iron-nickel-cobalt alloy is produced and provided with a solderable coating. 3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2. dadurch gekennzeichnet, daß die als gehäuseäußerer Leitungsanschluß dienenden Abschnitte aller Leiterteile zueinander parallel und in vorbestimmtem, bedarfsweise einem gewünschten Rastermaß entsprechendem, gegenseitigem Abstand angeordnet werden.3. The method according to claim 1 or 2, characterized in that the line connection as the outer housing serving sections of all ladder parts parallel to each other and in a predetermined, if necessary, a desired pitch corresponding, mutual spacing arranged will. 4. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß bei jeder periodisch wiederkehrenden Zone der Struktur zwei Leiterteile symmetrisch zu einem in der Zonenmitte liegenden dritten Leiterteil angeordnet werden. 4. The method according to any one of claims 1 to 3, characterized in that at each periodic repeating zone of the structure two conductor parts symmetrical to one in the center of the zone lying third ladder part are arranged. 5. Verfahren nach einem der Ansprüche I bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß die als Transportslreifen vorgesehene Randzone des Lcitermalerials mit einer Perforierung in einer der parallel verlaufenden Leiterteihibschnitte entsprechenden Tuilunn versehen wird.5. The method according to any one of claims I to 3, characterized in that as a transport tire provided edge zone of the Lcitermalerials with a perforation in one of the parallel running ladder section is provided corresponding Tuilunn. 6. Verfahren nach einem der Ansprüche I bis6. The method according to any one of claims I to 5, dadurch gekennzeichnet, daß die Leilcrteilstiruktur durch Stanzen oder durch gezieltes Ätzen in an sich bekannter Maskcnleehnik hergestellt wird.5, characterized in that the Leilcrteilstiruktur produced by punching or by targeted etching in a masking technique known per se will. 7, Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis7, method according to any one of claims 1 to 6, dadurch gekennzeichnet, daß die Leiterteilstruktur beiderseits des Transpoitslreifcns ausgebildet wird.6, characterized in that the conductor part structure is formed on both sides of the transit ring will.