DE1904062C3 - Lichtdetektorschaltung - Google Patents
LichtdetektorschaltungInfo
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- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
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- H03K17/51—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used
- H03K17/78—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used using opto-electronic devices, i.e. light-emitting and photoelectric devices electrically- or optically-coupled
- H03K17/795—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used using opto-electronic devices, i.e. light-emitting and photoelectric devices electrically- or optically-coupled controlling bipolar transistors
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Description
Die Erfindung betrifft eine Lichtdetektorschaltung zur Verstärkung eines schwachen, durch eine Lichtquelle
erzeugten elektrischen Signals mit einem eine Basis, einen Emitter und einen Kollektor aufweisenden
Fototransistor und einem eine Kollektor-Spannungsquelle und eine Stromquelle enthaltenden Netzwerk zur
Einstellung eines ausgewählten Arbeitspunktes für den Kollektorstrom des Fototransistors.
Bei einer bekannten Schaltung dieser Art (DE-AS 39 149) ist der Arbeitspunkt für den Kollektorstrom
des Fototransistors in üblicher Weise im normalen Arbeitsbereich des Transistors gewählt, bei dem die
Kollektor-Basisdiode des Transistors in Sperrichtung vorgespannt ist. Die Basis-Emitterdiode ist durch eine
von außen zugeführte Spannung ebenfalls gesperrt. Unter der Einwirkung einer Lichtstrahlung wird diese
Sperrspannung überwunden und der Transistor durch die Intensität des einfallenden Lichtes gesteuert. Das
erzeugte Ausgangssignai hängt von der Stromverstärkung des Transistors ab. Die Temperaturstabilität der
bekannten Schaltung kann durch einen als Diode in Sperrichtung betriebenen Transistor an der Basis des
Fototransistors verbessert sein. Wegen der verhältnismäßig niedrigen Verstärkung und der verhältnismäßig
langen Ansprechzeit befriedigen solche Schaltungen jedoch in vielen Anwendungsfällen nicht.
Bei Lichtdetektorschaltungen unter Verwendung von Fotodioden ist eine Verbesserung der Empfindlichkeit
durch den Einsatz bekannter Lawinen-Fotodioden erzielt worden, und zwar wegen ihrer hohen Verstärkung
und der kurzen Ansprechzeit Es feten jedoch S Instabilitäten auf, die durch Streuungen der Durchbruchspannung
der einzelnen Fotodioden verursacht werden. Dadurch ist es außerordentlich schwierig oder
kaum möglich, eine große Zahl von Dioden mit einer gemeinsamen Spannungsquelle zu versorgen.
ίο Die Erfindung hat sich die Aufgabe gestellt eine
Lichtdetektorschaltung zu schaffen, die eine kurze Ansprechzeit hat und gleichzeitig gute Stabilität und
hohe Verstärkung aufweist
Zur Lösung der Aufgabe geht die Erfindung aus von einer Lichtdetektorschaltung der eingangs genannten
Art und ist dadurch gekennzeichnet daß zwischen die Basis des Fototransistors und einem auf einem
Bezugspotential liegenden Punkt eine in bestimmter Richtung gepolte Diode geschaltet ist und durch die
Kollektor-Spannungsquelle eine genügend große Spannung an den Kollektor des -Fototransistors gelegt ist um
den Fototransistor in Verbindung mit dem durch die Diode fließenden Basisstrom so vorzuspannen, daß er
im Lav.inenbereich arbeitet und daß die Stromquelle
2s zwischen den Emitter des Fototransistors und den auf
einem Bezugspolential liegenden Punkt geschaltet ist, um einen stabilen Arbeitspunkt für den Kollektorstrom
des "Fototransistors einzustellen.
Durch den Betrieb im Lawinenbereich ist die Verstärkung außerordentlich hoch und die Ansprechzeit
1st sehr kurz, weil die Basis-Emitterkapazität des Fototransistors nicht aufgeladen werden muß. Trotzdem
arbeitet die Schaltung außerordentlich stabil, weil durch die Stromquelle zwischen dem Emitier des
Fototransistors und dem Bezugspotential ein stabiler Arbeitspunkt eingestellt ist.
Nachfolgend wird die Erfindung an Hand eines Ausführungsheispiels beschrieben. In den Zeichnungen
zeigt
Fig 1 das Schattbild des Ausführungsbcispicls für
eine Lichtdetektorschaltung,
Fig.2 Kennlinienscharen für den Kollektorstrom in
Abhängigkeit von der Kollektorspannung bei dem Fototransistor nach F i g. 1.
Die Schaltung in Fig. 1 enthält einen Fototransistor
301, beispielsweise einen npn-Transistor, der so vorgespannt ist, daß er im Lawinenbereich arbeitet.
Dieser Betriebsbereich wird üblicherweise als derjenige Bereich definiert, in weichem die Kollektor-Emittcrspannung
für die Emitterschaltung größer als BVcko
(max. Sperrspannung zwischen Kollektor und Emitter bei offener Basis) ist. In diesem Bereich führt die durch
den Lawinendurchschlag bewirkte schnelle Vervielfachung des Stromes zu der gewünschten hohen
Stromverstärkung und dem schnellen Ansprechen. Der Lawinenbetrieb von Transistoren wird genauer von J.
Millman und H. Taub in »Puls, Digital and Switching Waveforms«, McGraw-Hill 1965, beschrieben.
Die Einstellung des Arbeitspunktes im Lawinenbereich wird durch Zuführen eines negativen Stromes zur
Basis des Fototransistors 301 über eine Diode 303 verwirklicht. Die erforderliche hohe Kollektor-Emitterspannung
wird aus einer an den Kollektor angeschalteten Quelle 302 gewonnen. Außerdem ist der Transistor
301 zur Verbesserung seines Schaltverhaltens auf einen stabilen Arbeitspunkt für einen gegebenen Kollektorstrom
vorgespannt. Dies wird durch Zuführen eines
konstanten Emitterstromes zum Transistor 301 erreicht Der Emitterstrom, der eine gewünschte Größe haben
kann, wird durch einen Transistor 310 geliefert, beispielsweise einen npn-Transistor. Die Größe des
Emhterstromes wird durch die von de. Quelle 311 an die
Basis des Transistors 310 angelegte Spannung und den •Wert des am Emitter des Transistors 310 liegenden
Widerstandes 312 bestimmt Die Diode 303 wird durch die über dem Transistor 310 und am Emitter des
Fototransistors 301 stehende Spannung in Sperrichtung vorgespannt wodurch ein konstanter negativer Basisstrom erzeugt wird, der für den Fototransistor 301 einen
Arbeitspunkt im Lawinenbereich einstellt Wenn die Basis des Fototransistors 301 beispielsweise von der
Lichtquelle 308 beleuchtet wird, so wird durch Lawinenvervielfachung am Emitter des Transistors 301
ein Signal erzeugt das über den Kondensator 314 an einen Lastwiderstand 313 ausgekoppelt wird. Die am
Widerstand 313 erzeugte Signalspannung kann nach Wunsch benutzt werden, beispielsweise zur Einstellung
eines Fhpflops 315.
Die Arbeitsweise der Schaltung nach F i g. 1 ist schemalisch an Hand der Kollektor-Kennlinien in
Fig.2 dargestellt Es ist der KoJlektorstrom des Fototransistors 301 in Abhängigkeit von der Koilektor-Emitterspannung für negative Basisströme durch die
Kennlinien 401 bis 405 sowie für positive Basisströme durch nicht bezeichnete Kennlinien dargestellt Der
Fototransistor 301 ist normalerweise so vorgespannt, daß er in einem stabilen Arbeitspunkt beispielsweise
dem Punkt 411, betrieben ist wenn kein Licht auf seine
Basis auffällt Wenn die Basis beleuchtet ist schaltet das
Ausgangssignal der Detektorschaltung wegen der
Lawinenvervielfachung schnell vom Arbeitspunkt 411 entlang der Wechseistrom-Lastlinie 410 auf einen
anderen Punkt beispielsweise den Punkt 41Z um. Die Steigung der Lastlinie wird in erster Linie durch den
Wert des Widerstandes 313 bestimmt Die Größe der A'jsgangsspannungsändening wird durch die Intensität
des Lichtes bestimmt das die Basis des Fototransistors 301 erreicht Wenn das Licht der Quelle 308
abgeschaltet wird, kehrt die Schaltung auf den stabilen
Arbeitspunkt 411 zurück. Es findet keine Verrastung
statt. Dies beruht auf der Konstantstromquelle mit dem Transistor 310, die den Fototransistor 301 zwingt im
Punkt 411 zu arbeiten.
Claims (2)
1. Lichtdetektorschaltung zur Verstärkung eines schwachen, durch eine Lichtquelle erzeugten elektrischen
Signais mit einem eine Basis, einen Emitter und einen Kollektor aufweisenden Fototransistor
und einem eine Kollektor-Spannungsquelle und eine Stromquelle enthaltenden Netzwerk zur Einstellung
eines ausgewählten Arbeitspunktes für den Kollektorstrom des Fototransistors, dadurch gekennzeichnet,
daß zwischen die Basis des Fototransistors (301) und einem auf einem Bezugspotential liegenden Punkt eine in bestimmter
Richtung gepolte Diode (303) geschaltet ist und durch die Kollektor-Spannungsquelle (302) eine
genügend große Spannung an den Kollektor des Fototransistors (301) gelegt ist, um Üen Fototransistor
(301) in Verbindung mil dem durch die Diode fließenden Basisstrom so vorzuspannen, daß er im
Lawinenbereich arbeitet, und daß die Stromquelle zwischen den Emitter des Fototransistors (301) und
den auf einem Bezugspotential liegenden Punkt geschaltet ist um einen stabilen Arbeitspunkt (411)
für den Kollektorström des Fototransistors einzustellen.
2. Lichtdetektorschaltung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die zur Einstellung
eines stabilen Arbeitspunktes (411) für den Kollektorstrom im Bereich des Lawinendurchbruchs
dienende Stromquelle einen Transistor {HO) aufweist,
dessen Basis-Emitterdiode durch eine Spannungsquelle (311) in Durchlaßrichtung vorgespannt
ist, dessen Kollektor mit dem Emitter des Fototransistors -(301) und dessen Emitter über einen
Widerstand (312) mit dem auf einem Bezugspotential liegenden Punkt verbunden ist.
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