DE1812942B2 - Halbleiteranordnung und Schaltungsanordnung mit einer solchen Halbleiteranordnung - Google Patents

Halbleiteranordnung und Schaltungsanordnung mit einer solchen Halbleiteranordnung

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Description

Die Erfindung bezieht sich auf eine Halbleiteranordnung entsprechend dem Oberbegriff des Anspruchs 1.
Die Erfindung bezieht sich ferner auf eine Schaltungsanordnung mit einer solchen Halbleiteranordnung.
In Schaltungsanordnungen wird bekanntlich die Verstärkung, die mit derartigen Halbleiteranordnungen
2Q erreichbar ist, häufig durch innere parasitäre Impedanzen der Halbleiteranordnung, die eine unerwünschte Kopplung zwischen dem elektrischen Eingang und dem elektrischen Ausgang herbeiführen können, beeinträchtigt. In dieser Hinsicht sind z. B. Reihenselbstinduktionen der Anschlußleiter der Halbleiteranordnung von Bedeutung, zumal wenn die Schaltung zur Bearbeitung von Signalen großer Leistung und/oder Hochfrequenzsignalen bestimmt ist.
Insbesondere die effektive Selbstinduktion des gemeinsamen Anschlußleiters sowie die effektive Selbstinduktion der gemeinsamen Elektrode sind störend. Diese Selbstinduktion im gemeinsamen Teil des Eingangs- und des Ausgangskreises verursacht eine Rückkopplung zwischen dem elektrischen Eingang und dem elektrischen Ausgang der Halbleiteranordnung, wodurch die mögliche Verstärkung beeinträchtigt werden kann. Bei einem in Emitterschaltung betriebenen Transistor z. B. kann die mögliche Verstärkung verringert werden, während beim Betrieb in Basisschaltung die Verstärkung so groß werden kann, daß die Schaltung unstabil wird.
Es sei bemerkt, daß in diesem Zusammenhang der Begriff Elektrode in weitem Sinne zu verstehen ist, so daß darunter nicht nur ein leitender Kontakt mit einer Halbleiterzone, sondern auch die betreffende Halbleiterzone mit einbegriffen ist. Auch der Begriff Anschlußleiter muß im weiten Sinne aufgefaßt werden, so daß er außer Anschlußstiften und drahtförmigen Leitern auch auf einer isolierenden Unterlage angebrachte Leitbahnen umfaßt. Im allgemeinen wird hier unter Anschlußleiter jede leitende Verbindung verstanden, die ohne Zwischenschaltung aktiver oder passiver elektrischer Elemente mit dem leitenden Kontakt einer der Elektroden verbunden ist.
Es ist offensichtlich wichtig, daß die Reihenselbstinduktion des gemeinsamen Teils des Eingangs- und des Ausgangskreises klein gehalten wird. Einen erheblichen Beitrag zu dieser Selbstinduktion liefern die meisten dünnen Drähte, die bei Halbleiteranordnungen, wie Transistoren, als Verbindung zwischen Elektroden des Halbleiterkörpers und Anschlußstiften einer Hülle benutzt werden. Es wurde daher bereits vorgeschlagen, diese Drähte möglichst kurz zu halten und außerdem die gemeinsame Elektrode mit einem Metallboden der Hülle zu verbinden, mit dem Zweck, die Verbindung zwischen der gemeinsamen Elektrode und einem Punkt in der Schaltung mit Bezugspotential, meistens Erde, möglichst kurz und mit möglichst niedriger Selbstinduk-
tion auszubilden. Ferner kann der geometrische Querschnitt der Drähte möglichst günstig, z, B. mit möglichst großem Durchmesser, gewählt werden oder es können mehrere parallel verlaufende Drähte Verwendung finden.
Zwar läßt sich auf diese Weise die Selbstinduktion des Anschlußleiters verringern, aber in der Praxis stellte es sich heraus, daß der Einfluß der restlichen Selbstinduktion des Anschlußleiters noch sehr störend sein kann, während ferner auf diese Weise am Einfluß der ι ο effektiven Selbstinduktion der gemeinsamen Elektrode nichts geändert wird. Außerdem ist es nicht unter allen Umständen erwünscht, daß die gemeinsame Elektrode mit dem Gehäuse oder dem Boden der Hülle verbunden ist is
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine Halbleiteranordnung der eingangs genannten Art so auszubilden, daß die Selbstinduktion der gemeinsamen Elektrode und des mit ihr verbundenen Anschlußleiters so gering wie möglich werden.
Der Erfindung liegt u.a. auch dir Erkenntnis zugrunde, daß der schädliche Effekt der Selbstinduktion des gemeinsamen Teils des Eingangskreises wirkungsvoll dadurch verringert werden kann, daß eine geeignete Konfiguration für die Anschlußleiter gewählt wird.
Die genannte Aufgabe wird erfindungsgemäß dadurch gelöst, daß zum Ausgleich wenigstens eines Teils der effektiven Selbstinduktion der gemeinsamen Elektrode und des mit ihr verbundenen Anschlußleiters die Anschlußleiter der Eingangs- und der Ausgangselektrode sich zur Herstellung einer induktiven Kopplung dieser Anschlußleiter wenigstens auf einem Teil ihrer Länge unmittelbar nebeneinander und von einem Punkt auf ihnen her gerechnet, der der zugehörigen Elektrode elektrisch am nächsten ist, in entgegengesetzten Richtungen erstrecken.
Dadurch, daß die Anschlußleiter der Eingangselektrode und d^r Ausgangselektrode auf diese Weise nahe aneinander herangebracht werden, ergibt sich zwischen diesen Leitern eine magnetische Kopplung durch gegenseitige Induktion, die so gerichtet ist, daß der Einfluß der Selbstinduktion des gemeinsamen Teiles des Eingangs- und des Ausgangskreises ausgeglichen wird.
Weil die Impedanz der infolge der zwischen dem Eingang und dem Ausgang angebrachten Kopplung auftretenden gegenseifigen Induktion und die der Selbstinduktion des gemeinsamen Teils des Eingangsund des Ausgangskidses gleichermaßen von der Frequenz abhängen, ist die hergestellte Kopplung in hohem Maße frequenzunabhängig, so daß erfindungsgemäß ausgebildete Halbleiteranordnungen in einem breiten Frequenzband eine höhere Verstärkung aufweisen.
Es sei bemerkt, daß es die Anwendung der Erfindung mit sich bringen kann, daß die Reihenselbstinduktion der Anschlußleiter der Eingangselektrode und der Ausgangselektrode erhöht wird. Im allgemeinen handelt es sich dabei nur um eine geringe Zunahme, während außerdem diese Reihenselbstinduktionen im übrigen Teil der Schaltung meistens auf einfache Weise berücksichtigt werden können. Es kann z. B, wenn im übrigen Teil der Schaltung Selbstinduktionen als Bauelemente Verwendung finden, die erwähnte Reihenselbstinduktion als ein Teil dieser Bauelemente betrach 6ί. tet werden. Ferner kc nnen die erwähnten Selbstinduktionen mit Hilfe von Kondensatoren im übrigen Teil der Schaltung kompensiert werden.
Weitere Ausgestaltungen der Erfindung ergeben sich aus den Unteransprüchen,
Durch die Aufnahme der erfindungsgemäßen Halbleiteranordnung in eine Schaltungsanordnung entsprechend Anspruch 7 kann die Anwendung der Erfindung erst recht ausgenutzt werden, wobei die angegebene Bemessung im allgemeinen die besten Ergebnisse liefert Der zulässige Wert des Koeffizienten der gegenseitigen Induktion wird mit durch die Anforderung bestimmt daß die Halbleiteranordnung stabil sein muß. Bei einem in Emitterschaltung betriebenen Transistor, bei dem die effektive Selbstinduktion des Emitters eine Gegenkopplung und die zwischen der Basis und den Kollektor hergestellte magnetische Kopplung eine Mitkopplung herbeiführt darf der Koeffizient der gegenseitigen Induktion nicht größer als die effektive Selbstinduktion sein, sofern zwischen der Basis und dem Kollektor wenigstens nicht noch anderweitig, z. B. durch parasitäre kapazitive Kopplung, eine Gegenkopplung vorhanden ist, denn die gesamte Rückkopplung darf mit Rücksicht auf die erforderliche Stabilität keinesfalls eine Mitkopplung ergeben.
Obgleich auch eine Rückkopplung nicht-induktiver Art durch die Anwendung der Erfindung ausgeglichen weruen kann, empfiehlt es sich im allgemeinen, einen derartigen Ausgleich möglichst zu vermeiden, weil sonst der vorzusehende Ausgleich von der Belastungsirnpedanz abhängig ist, wodurch bei einer Änderung der Belastungsimpedanz Instabilität auftreten kann. Vorzugsweise wird der Koeffizient der gegenseitigen Induktion deshalb praktisch gleich der auszugleichenden effektiven Selbstinduktion gemacht.
Ausführungsbeispiele der Erfindung sind in den Zeichnungen dargestellt und werden nachstehend näher erläutert. Es zeigt
F i g. 1 schematisch einen Teil eines Ausführungsbeispiels einer Halbleiteranordnung gemäß der Erfindung.
F i g. 2 schematisch einen anderen Teil dieses Ausführungsbeispiels,
F i g. 3 schematisch und teilweise im Schnitt ein weiteres Ausführungsbeispiel einer Halbleiteranordnung gemäß der Erfindung,
Fig.4 schematisch eine Unteransicht in Fig.3 im Schnitt dargestellten Teils,
Fig.5 schematisch ein Ausführungsbeispiel einer Schaltungsanordnung nach der Erfindung.
Die Halbleiteranordnung nach den Fig. 1 und 2 enthält einen Halbleiterkörper 1 mit Abmessungen von etwa 1 mm χ 1 mm χ 0,2 mm, der mit einer Eingangselektrode 2, einer Ausgangselektrode, im vorliegenden Beispiel der Unterseite des Halbleiterkörpers 1, und einer gemeinsamen Elektrode 3, die dazu bestimmt ist um zusammen mit der Eingangselektrode 2 einen Teil eines Eingangskreises und zusammen mit der Auygangselektrode einen Teil eines Ausgangskreises zu bilden, versehen ist, wobei jede dieser drei Elektroden mit mindestens einem Anschlußleiter 4, 5 bzw. 6 versehen ist.
Der Halbleiterkörper 1, der vollständig auf übliche Weise hergestellt sein kann, kann z. B. der Halbleiterkörper eines Transistors sein, wobei die Eingangselektrode 2 die Basis (oder der Emitter) des Transistors ist während die Ausgangselektrode durch den Kollektor des Transistors gebildet wird. Dabei bildet der Emitter (bzw. die Basis) des Transistors die gemeinsame Elektrode 3.
Die Anschlußleiter 4 und 5 der Eingangselektrode 2 bzw. der Ausgangselektrode erstrecken sich auf einem
Teil 4d bzw. 5C (Fig. 1) ihrer Länge unmittelbar nebeneinander und, vom Halbleiterkörper 1 her gerechnet, in entgegengesetzten Richtungen. Infolgedessen wird wenigstens ein Teil der effektiven Selbstinduktion der gemeinsamen Elektrode 3 und des mit ihr verbundenen Anschlußleiters 6 ausgeglichen.
Die Teile 4d und 5C erstrecken sich über eine isolierende Unterlage 10, die z. B. aus Glimmer besteht und die Abmessungen von etwa
11 mm χ 9 mm χ 0,1 mm hat, an der sie auf eine übliche Weise befestigt sind. Ferner sind diese Teile ¥ und 5'' an je einem Ende mit vorstehenden Zungen 11 bzw. 12 versehen, während sie am anderen Ende in freie Enden 4e bzw. 5d auslaufen, die zum Anschluß an einen Eingangskreis bzw. einen Ausgangskreis dienen und über die Unterlage hervorstehen.
nip isol'erenf)p Unterlage 10. die Her Deutlichkeit halber in Fig. 1 gesondert dargestellt ist, ist mit Löchern versehen, durch die, wenn die Unterlage 10 auf den weiteren Teilen 4C und 5* der Anschlußleiter 4 und 5 ruht, Zungen 8 und 9 hindurchragen. Dabei verlaufen die Unterlage 10 und die Tragplatte 7 praktisch parallel zueinander. Die Zungen 8 und 11 sowie die Zungen 9 und 12 können durch Punktschweißen oder Löten miteinander verbunden werden. Bei einer etwas abgeänderten Ausführungsform fehlen die Zungen U und 12 und die Zungen 8 und 9 werden oberhalb der Unterlage 10 abgebogen und an den Teilen ¥ und 5C befestigt.
Die Teile 4C und 5* sind an einer isolierenden Tragplatte 7 befestigt, auf der sich der Halbleiterkörper 1 befindet. Sie sind über die Metalleiterbahnen 4* und 53 sowie den Draht 4* mit der Eingangselektrode 2 und der Ausgangselektrode des Halbleiterkörpers 1 verbunden.
Die isolierende Tragplatte 7 besteht z. B. aus Berylliumoxid und kann Abmessungen von etwa 8 mm χ 6 mm χ 1,3 mm haben. Auf dieser Unterlage sind auf völlig übliche Weise Leiterbahnen 4* 53 und 6*. z. B. aus Gold, angebracht.
An den Leiterbahnen 4*. 53 und 5* sind die weiteren Teile 4C, 5* und 6rf. z. B. durch Löten, befestigt. Dabei können die beiden Teile 6d durch einen Steg 6C miteinander verbunden sein.
Ferner ist der Halbleiterkörper 1 auf übliche Weise, z. B. durch Legieren, auf der Leiterbahn 53 befestigt, während die Eingangselektrode 2 und die gemeinsame Elektrode 3 des Halbleiterkörpers 1 mit Drähten 4a und 6a, die z. B. aus Gold oder Aluminium bestehen und einen Durchmesser von etwa 100 μιτι haben, mit der Leiterbahn 4* bzw. dem Steg 6C verbunden.
Die Teile 4^ <* », 56· 1^ d und 6<^ d können z. B. aus 0,4 mm starkem Kupfer hergestellt sein. Die Teile 4ce, 56dund
6 sind z. B. etwa 6 mm breit, während die Höhe der Teile4cund5*etwa4 mm betragen kann.
Es sei bemerkt daß es sich herausgestellt hat, daß der Wert der herstellten Rückkopplung auch von der Höhe der Teile 4C und 5b abhängig ist wobei mit einer Zunahme der Höhe der Wert der Rückkopplung gleichzeitig zunimmt Die Rückkopplung ist somit umso stärker, je größer der Abstand zwischen der Tragplatte
7 und der Unterlage 10 ist oder in anderen Worten je größer die Fläche ist die durch die beiden durch die Teile 4*fcc d bzw. 5**-c gebildeten halben Schleifen umschlossen wird.
Die Hülle der Halbleiteranordnung kann wie üblich ausgebildet sein und ist der Deutlichkeit halber nicht dargestellt Die Tragplatte 7 kann z. B. auf einer Metallplatte mit Abmessungen von etwa 14 mm χ 14 mm χ 2 mm befestigt sein, während das Ganze mit einem Kunststoff zu einem Block mit Abmessungen von etwa 14 mm χ 14 mm χ 10 mm umgössen sein kann. Dabei befinden sich die Teile 4rfund 5r innerhalb der Hülle, während die Anschlußleiter 4, S und 6 über die aus der Hülle herausragenden Teile 4e, 5d und 6rfdurch die Wand der Hülle hindurchgeführt sind.
Beim zweiten Ausführungsbeispiel liegen die nebeneinander geführten Teile der Anschlußleiter außerhalb
in der Hülle der betreffenden Halbleiteranordnung. F i g. 3 zeigt eine an sich übliche Halbleiteranordnung, die schematisch durch den Block 34 dargestellt ist und Anschlußstifte 35 aufweist. Diese Halbleiteranordnung z. B. ein Transistor, ist auf einer isolierenden Unterlage 30 angebracht, von der ein Teil im Schnilt dargestellt ist. Auf der Unterlage 30 befindet sich ein gedrucktes Verdrahtungsmiister. von dem dir Leiterbahnen .11. 12 und 33 einen Teil bilden. In den Leiterbahnen 31,32 und 33 und in der Unterlage 30 sind Löcher 36 zum Anschluß des Transistors angebracht. Die Anschlußstifte 35 dieses Transistors sind dabei durch die Löcher 36 hindurchgeführt und dann z. B. durch Löten befestigt, wobei Verbindungen 37 zwischen den Anschlußstiften 35 und den Leiterbahnen32 und 33 hergestellt sind.
F i g. 4 zeigt eine Unteransicht eines Teils der isolierf^den Unterlage 30, in der die Stelle des Transistors schematisch durch die dem Umfang des Transistors entsprechende gestrichelte Linie 34 angegeben ist, während die Anschlußstifte 35 und die Verbindungen 37 der Deutlichkeit halber fortgelassen sind. Zwei der vier Anschlußstifte 35 des Transistors sind mit den Leiterbahnen 31 verbunden. Diese Leiterbahnen 31 bilden zusammen mit den entsprechenden Anschlußstiften einen Teil der Anschlußleiter, welche die benachbarten Bauelemente der Schaltung mit der gemeinsamen Elektrode, z. B. der Emitterelektrode, des Transistors verbinden. Die beiden übrigen Anschlußstifte sind mit den Leiterbahnen 32 und 33 verbunden, die somit einen Teil der Anschlußleiter der Eingangselektrode, z. B. der Basiselektrode, bzw. der Ausgangselektrode, z. B. der Kollektorelektrode, bilden. Die Anschlußleiter der Eingangs- und der Ausgangselektroden erstrecken sich wenigstens über einen Teil 32 bzw. 33 ihrer Länge dicht nebeneinander und, vom Halbleiterkörper her gerechnet, in entgegengesetzten Richtungen. Dabei erstrecken sich diese Teile 32 und 33 über die isolierende Unterlage 30.
F i g. 5 zeigt eine Schaltungsanordnung gemäß der Erfindung mit einem in Emitterschaltung betrie! enen
so Transistor 50. Dabei sind die Teile der Schaltung, die für die Erläuterung der Erfindung belanglos sind, schematisch durch die Blöcke 54 und 55 angegeben. Über den Anschlußleiter 51 der gemeinsamen Elektrode (des Emitters) und der Anschlußleiter 52 einer der nicht-gemeinsamen Elektroden (der Basis) werden dem Transistor elektrische Signale zugeführt, während über den Anschlußleiter 51 und den Anschlußleiter 53 der anderen nicht-gemeinsamen Elektrode (des Kollektors) elektrische Signale entnommen werden. Der Koeffizient der gegenseitigen Induktion der Anschlußleiter 52 und 53 der beiden nicht-gemeinsamen Elektroden ist dabei infolge der Tatsache, daß diese Anschlußleiter 52 und 53 sich auf einem Teil ihrer Länge unmittelbar nebeneinander in entgegengesetzten Richtungen erstrecken, auf einen Wert eingestellt, der praktisch gleich der effektiven Selbstinduktion der gemeinsamen Elektrode und des mit ihr verbundenen Anschlußleiters 51 ist
Mit dieser Schaltungsanordnung ist in einem breiten Frequenzband eine wesentlich höhere Leistungsverstari< ung erzielbur. Dabei ist der Koeffizient der gegenseitigen Induktion so gewählt, daß die Zunahme der Leistungsverstärkung in einem weiten Frequenzbereich möglichst groß ist, während die Gefahr einer Instabilität ί,,τ Schaltungsanordnung gering ist.
An einer derartigen Schaltung, die im übrigen auf völlig übliche Weise zusammengesetzt war und in der ein Transistor aufgenommen war, der ohne die Anwendung der Erfindung bei einer Ausgangsleistung von 12 Watt und einer Frequenz von 175MHz eine Leistungsverstärkung von 5,4 dB liefert, ist unter im übrigen gleichbleibenden Umständen durch die Anwendung der F.rfindung eine Verbesserung der Leistungsverstärkung auf 7,9 dB erreicht worden. Dabei betrug (Jer Koeffizient der Selbstinduktion der Zuleitungen 52 und 53 etwa 1,1 nH.
Die Erfindung kann z. B. für Transistoren Bedeutung haben, die zum Beirieb in Kollektorschaltung bestimmt sind, während sie ferner z. B. bei Feldeffekttransistoren Anwendung finden kann, wobei die Torelektrode gegebenenfalls isoliert sein kann. Die isolierende Unterlage kann außer durch eine Platte z. B. auch durch eine isolierende Schicht gebildet werden, die z. B. auf einem Halbleiterkörper angebracht ist, wie bei integrierten Schaltungen. Ferner können für die Anschlußleiter andere Materialien, z. B. Nickel oder Aluminium, und/oder andere Formen, wie eine Drahtform, gewählt werden. Die magnetische Kopplung kann z. B. einfach dadurch hergestellt werden, daß die Anschlußstifte der Halbleiteranordnung auf geeignete Weise gebogen werden, wobei die Biegung innerhalb oder außerhalb der Hülle liegen kann.
Hierzu 2 Blatt Zeichnungen

Claims (7)

Patentansprüche:
1. Halbleiteranordnung zur Verstärkung elektrischer Signale mit einem Halbleiterkörper mit einer Eingangselektrode, einer Ausgangselektrode und einer dritten Elektrode, im folgenden als gemeinsame Elektrode bezeichnet, die bestimmt ist, zusammen mit der Eingangselektrode einen Teil eines Eingangskreises und zusammen mit der Ausgangselektrode einen Teil eines Ausgangskreises zu bilden, wobei jede dieser drei Elektroden mit mindestens einem Anschlußleiter versehen ist, dadurch gekennzeichnet, daß zum Ausgleich wenigstens eines Teils der effektiven Selbstinduktion der gemeinsamen Elektrode (3) und des mit ihr verbundenen Anschlußleiters (6) die Anschlußleiter (4,5) der Eingangs- (2) und der Ausgangselektrode sich zur Herstellung einer induktiven Kopplung dieser Ansdilußleiter wenigstens auf einem Teil (4c/, 5c) ihrer Lange unmittelbar nebeneinander und von einem Punkt auf ihnen her gerechnet, der der zugehörigen Elektrode elektrisch am nächsten liegt, in entgegengesetzten Richtungen erstrecken.
2. Halbleiteranordnung nach Anspruch 1, bei der sich der Halbleiterkörper in einer Umhüllung befindet und die Anschlußleiter durch die Wand der Umhüllung hindurchgeführt sind, dadurch gekennzeichnet, daß sich die Teile (4t/, Sc) der beiden Anschlußleiter (4, 5), die sich unmittelbar nebeneinander in enfj7cgengesetzten Richtungen erstrecken, innerhalb der Umhüllung befinden.
3. Halbleiteranordnung naoh Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß sich die Teile (4c/, 5c-, 32, 33) der beiden Anschlußiuter (4, 5), die sich unmittelbar nebeneinander in entgegengesetzten Richtungen erstrecken, auf einer isolierenden Unterlage (10,30) erstrecken.
4. Halbleiteranordnung nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß die isolierende Unterlage (10, 30) praktisch parallel zu einer Tragplatte (7) verläuft, auf der sich der Halbleiterkörper (1) befindet.
5. Halbleiteranordnung nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß die Tragplatte (7) isolierend ist und die isolierende Unterlage (10) auf weiteren Teilen (4c, 5b) der beiden Anschlußleiter (4, 5) befestigt ist, wobei die weiteren Teile (4c, 5b) an der Tragplatte (7) befestigt und mit den entsprechenden Elektroden (2, 3) des Halbleiterkörpers (1) über Metalleiterbahnen {4b,5a)verbunden sind, wobei die Teile (4c/, 5c), die sich über die isolierende Unterlage (10) erstrecken, freie Enden (4e, 5d)zum Anschluß an einen elektrischen Schaltkreis aufweisen, wobei die freien Enden (4e, 5d) über die Unterlage (10) herausragen.
6. Halbleiteranordnung nach einem der vorstehenden Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß der Halbleiterkörper (1) der Körper eines Transistors (50) ist.
7. Schaltungsanordnung mit einer Halbleiteranordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß die Halbleitervorrichtung über den Anschlußleiter (51) der gemeinsamen Elektrode und den Anschlußleiter (52) einer der nicht-gemeinsamen Elektroden elektrische Signale zugeführt werden, während über den Anschlußleiter (51) dei gemeinsamen Elektrode und den Anschlußleiter (53) der anderen nicht-gemeinsamen Elektrode elektrische Signale entnommen werden, wobei der
Koeffizient der gegenseitigen Induktion der Anschlußleiter (52, 53) der beiden nicht-gemeinsamen Elektroden dadurch, daß sich diese Anschlußleiter (52, 53) wenigstens auf einem Teil ihrer Länge unmittelbar nebeneinander in entgegengesetzten Richtungen erstrecken, auf einen Wert eingestellt ist, der praktisch gleich der effektiven Selbstinduktion der gemeinsamen Elektrode und des mit ihr verbundenen Anschlußleiters (51) ist
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