DE1809242A1

DE1809242A1 - Verfahren zur Herstellung von monokristallinen Koerpern von Halbleitermaterialien

Info

Publication number: DE1809242A1
Application number: DE19681809242
Authority: DE
Inventors: Knudsen Poul Elgaard
Original assignee: Haldor Frederik Axel Frydenlundsvej
Current assignee: Haldor Frederik Axel Frydenlundsvej
Priority date: 1967-11-16
Filing date: 1968-11-15
Publication date: 1969-07-24
Also published as: US3644097A; DK124861B; GB1246262A

Description

Patentanwalt*

ipping. A- Gfönefer ς

Dr.-Ing. H. Kinkeldey j J. j J.

I. W. SlQckmair 1 8 O 9 ? Λ

22, Maximians«. 43 . I Ö U 3 I k

P 2206

EALBOR I¹EEDERIK AXEL· 2OPS0E

Prydenlundsvey, Veöbaek, Dänemark

Verfahren zur Herstellung von monokristallinen Körpern von Halbleitermaterialien

Die vorliegende Erfindung betrifft die Herstellung von mono· | krietallinen Körpern von Halbleitermaterialien, insbesondere» jedoch nicht ausschließlich, von Materialien wie Silicium« in einem sehr gereinigten Zustand, die nur eine kleine Zahl» die sich Null nähert, an Dislokationen besitzen (ausgedruckt pro Flächeneinheit). ErfindungsgemäQ wird ein verbessertes Verfahren zur Herstellung derartiger Materialien und eine Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrene geschaffen»

909830/ 1 176

'6AD ORfGINAL

Dies© Materialien werden häufig'mit Hilfe des sogena&nten ZonenschmelsverfahrenB erzeugt» "bei dem eine erhitzte Zonv-, die. geschmolzenes Material e&^hält, relativ au einem Stab aus kristallinem Halbleitermaterial bewegt wird» wobsi ausgehend von einem Impfkristall begonnen wird,' der an sinem 35nde des Stabs angeordnet und mit clsm Rest des Stabs -vereinigt ist» welcher die Beschickung genannt wird· Has Impfmaterial muß ein Sinkristall sein und kann durch ein .vorhergehendes Eonenschraelzverfahren hergestellt worden sein« EIe Beschickung kann entweder aus polykristallinem Material oäs:?

_Ä aus einem Einkristall bestehen, bei dem die Verminderung cle;?

™ Anzahl von Dislokationen erwünscht ist»

Die erhitzte 2one kann der Richtung nach aufwärts, wobei üb:: Impfkristall sich am mteren Ende dss Stabes be£ladet, odtT der Bichtung nach abwärts geführt werden» w@lb@i der Impfkristall sich am oberen Ende lief ludet» Ms relative Beweg uuß zwischen der erhitzten Zone rad ä<sw Stab lcaaa durch Bewegung der oder dea einea dairon odex° &u@h tos beiden "bewirkt weif lan <

Wann nachfolgend Töei der Beschreibung der vorliegenden !χν,Ίη·= dung ohne weitere Erklärung von "aufwärts" und "abwärts" ge--» sprechen wird, so beziehen sieh äi€?se Ausdrücke auf die In- Jk oröaangj, Tbe5. der der Impfkristall eich en unteren Ende "kei'in-det« Außerdem' wird aus Gründen ä®r Vereinfscshung file Erfindung unter B©sugaatojoae auf die Anordnung erü-iaturtg bei der die erhitzte Zone bewegt wird und der Stab ütatiönär· lßt_r obwohl dmrcliaiie mSglich, ist» daß äisee AnorSnimg nicht di« zweckmäßigste und am üblichsten vex-wesiete Ist«,

In der erhitzten Zone liegt das Material teilweise im geschmolzenen und teilweise Ia festen Instand v©r« In einen

909830/1178 BAD ORIGINAL

Abstand von nur einigen Zentimetern von dem Impfkristall ist die Zahl der Dislokationen in dem umkristallisierten Stab unabhängig von der Zahl der Dislokationen, die in d?m Impfkristall vorkommen, und es stellt sich von selbst eiα Gleichgewicht ein, bei dem die Zahl, der erzeugten Dislokationen gleich der Zahl ist, die aus dem Kristall verschwindet. Das Ausmaß, in dem sich derartige neue Dislokationen, bilden, hängt von der Konfiguration der Zwischenflache zwischen der geschmolzenen und der kristallinen Oberfläche _f die die Verfestigungsoberfläche genannt wird, und den TeJiperaturgradienten in radialer bzw. axialer Richtung innerhalb der "kritischen Zone" ab, die das leraperaturintervall definiert, wo Dislokationen durch plastische Deformierung gebildet werden können. Venn der radiale Gradient Hull ist und der axiale Gradient in dieser kritischen Zone konstant ist und wenn gleichzeitig die Konfiguration der Verfestigungsoberfläche planar ist, ergibt sich die geringste Anzahl an Dislokationen.

Es hat sich jedoch als schwierig erwiesen, in dieser kritischen Zone den Zustand zu erzeugen und aufrechtzuerhalten, bei dem ideale Bedingungen vorliegen, um eine niedrige -Anzahl von Dislokationen in dem Einkristall zu erhalten.

Das Erhitzen des Materials, um Schmelzen innerhalb einer erhitzten Zone zu erreichen, die entlang dem Stab geführt wird, kann bewirkt werden, indem in dem Halbleitermaterial selbst Wärme gebildet wird, indem darin mit Hilfe von einer oder mehreren Induktionsspulen, die den Stab umgeben und einen Strom mit hoher Frequenz befördern, d.h. mit 200 kHz bis 500 MZ, ein elektrischer Strom erzeugt wird. Auf diese Weise wird die Wärme Im wesentlichen innerhalb einer Hülle des Materials erzeugt, die die äußere ten wenigen

909830/1176

"IVNIEHÜO QV9

umfaßt, während die Erhitzung der verbleibenden zentralen feil® des Stabes von dessen Wtaneleitung abhängt«, .Das erzeugte Feld ist auf verschiedene Weise, beispielsweise durch Verwendung von zw&i Induktionsepulea mit versohle« denem Durchmesser_f wobei die größere in Kleinen» AlbBtead unter der kleineren aisgeordnet wird₉ derart gestaltet, daß die pro Flächeneinheit dee Stabquerschnitts erzeugte Wärme nach unten abnimmt» Denn hat es sich durch Einstellimg des Stromes und der f$esGhwiiidigkelt_f mit der die erhitzte Zone durch, den Stab aufwärts wandert , für möglich erwiesen₉ ©iae annä« hemd planare ferfeetignngsoberiläclie zu erhalten«. Die Annäherung» mit der dies erreicht worden ist, ia.t derart,, daß der fertige Einkristall zwischen IO OOO * und 50 000 - Dislokationea pro cm enthält.

Der vorliegenden Erfindung liegt die Aufgabe siag»aide_s diese Dielotetionsläiiifiglceit weiter zu v©rringera_& iiadem in der kritischen Zoae OberflachentemperattirbedimgraigtB, er~ izeiagt werden, die den oben erwltat©n idealen näherkommen als ee bieJier möglich war*

In der kritischen Zone findet Abkühlung des S Ableitung von Wärme durch das Stabmaterial na@fo mates tasd durch, luBstraWLntag voa der Staboberfläche ia statt. Dieser AbkUhlVorgang ist für die gestrebten Temperaturgradienten nicht die Terfestiguiigsolberiläclie planar ist

BrfindiuiigsgeiÄB wird in einem VerfaÄres ζατ I monokristallinen Körpers aus Halblaitermaterial hltzte Zone* die geaeltaiolzenee Material enthalte relativ durch den Körper geftthrt₉ ntährefnd die von der

909830/1176 BAD ORIGINAL

des Körpers ausgestrahlte Wärme innerhalb der oben definierten kritischen Zone, die an die erhitzte Zone angrenzt, reguliert wird.

Die Konfiguration der Verfestigungsoberfläche nach dem geschmolzenen Material der erhitzten Zone wird auch in einer sehr planaren ?orm gehalten.

Torzugsweise wird die von der Oberfläche dee Körpers in der kritischen Zone ausgestrahlte Wärme duroh susätsliohe Wärmeatrahlungsaittel reguliert» die den Körper zumindest teilweise usageben. (j

Die erflndungsgeoäöe Vorrichtung zur Reinigung «Ines monokristallinen Körpers aus Halbleitermaterial, die Soaaneräitzungselnriohtungen umfaßt» die für die Bewegung relativ 3ü dem Körper geeignet sind, wobei eine erhitzta 2one, die geschmolzenes Material enthält» sich duroh den förpgr bewegt, ist gekennzeichnet durch ssuaätaliche mittel, die den Körper suzoindest teilweise umgaben, wodurch im Betrieb die Wärme reguliert wird, die fen der Oberfläche des Körpers in der oben definierten kritischen Zone, die der erhitzten Zone benachbart ist» ausgestrahlt wir·,,

BIe zusätzlichen Wäirmestrahlungsmittel, normalerweise ein Ofen, erhöhen die Omgobungstemperatur in der kritischen Zonst vermindern so die Wärmemenge, die von der Oberfläche des Körpers in dieser kritischen Zone ausgestrahlt wird, und kompensieren in einem gewünschten AuomaS den Wärmeverlust» der sonst durch die Abstrahlung auftreten würde«

S0 9830/1176

BAD ORiGiNAL

Dme» C¹¹⁷Jt iittr-Ί Vn caasoa ü\» ^

Heute Sonn nil la* Sem·,

1Ιωΐ·τ ©Ατι trass,

?r233 wenig mäkr als dia toi«

;1*λ 7oÄifictasg alt der eriilta-

le ltte te

c — olcfiTTXcclii el ο j I₅Ct -I^ Joioo ©a?Mtat

Ia-I

3?

qs©

βίο Se

C 3 UJT¹OO

'c ^s~

Lr , Di

Ji

Dt

ί»

Ix¹D

JlC

dor

.duif öq ^Ioü aiioli

dox loaflg.erstioa eier

-909830/ 1 1 76 BAD ORlGJNAt

Aus diesem Grund ist der ringförmige Körper vorzugsweise entlang einer Mantellinie durchgeschnitten, wodurch Stromzirkulation in einer Ebene parallel asu der der Induktionsspule verhindert wird. Andererseits verhindert dies nicht, daß der ringförmige Körper durch Ströme erhitzt wird,, äiü durch die Hochfrequenzspule induziert werden, da es we-itortiin möglich ist, geschlossene Kreise zu definieren, die fluSlinien aus dem Feld der Spule schneiden.

Obwohl die so· erzeugten Ströme in gewissem Ausmaß noch ütw Feld deformieren, das durch die Induktionsspule erzeugt wird, die der Verfestigimgsoberflache benachbart ist_P ein« schließlich der kritischen Zone unmitteltbar unterhalb lit;« ser Oberfläche, so ißt doch dieser unerwünschte Effekt n:.cht so ungünstig wie im Falle eines ununterbrochenen ringi'öxnigen Körpers. Tatsächlich ist dies gewöhnlich völlig -1ϊθ1β3.·4er bar, da es sich als möglich erwiesen hat, auf diese Weiße eine gewisse Abnahme in der Zahl der Dislokationen zu ex· halten«,

Die beste Wirkung wird jedoch erhalten, Indem ©in ringförmiger Körper verwendet wird, der in der oben erwäiüiteii Weise entlang einer Hantellinie durchgeschnitten ist und Is den zusätzliche Schlitze in axialen Ebenen eingeschnitten sind, wobei sich diese Schlitze von der oberen Kante herab nach unten bis zu einer bestimmten Tiefe erstrecken, wodurch das Material des oberen Teiles des Körpers in eine Anzahl von Laschen aufgetrennt wird. Vorzugsweise erstrecken sich die Laschen nach auswärts und definieren so einen konischen Teil mit etwa 45° zu der Achse des Körpers. Wenn während der Bewegung entlang des Stabes den Induktionseinriohtungen, die eine oder mehrere Spulen umfassen, ein derarti-

909830/1 176

BAD ORfGINAL

ger Körper nachfolgt, dessen unterster Teil die Form eines entlang einer Mantellinie durchgeschnittenen Zylinders hat und dessen oberer !Teil die Porm von Laschen besitzt, die von 6.em Zylinder in der oben beschriebenen Weise weggerichtet eind, werden Wirbelströme erzeugt, nicht nur in dem Zylinder, sondern auch in den Laschen, ohne daß ein© merkliehe Ab« nähme in der Dichte des Teiles des Hochfrequensfeldes eintritt, das durch das halbleitende Material in der kritischen Zone unmittelbar bei oder unter der Verfestigungsoberflache hindurchtritt« Tatsächlich werden die Wirbelströme innerhalb der einzelnen Laschen durch einen Teil des elektrischen -Feldes erzeugt, der auf Grund der Diversion der Laschen in Auswärtsrichtung he&ilgtloh der Achse von dem Stab entfernter ist» Die V/irbelstrÖme erhitzen die Laschen» die ihrerseits die Wärme auf die Oberfläch© des Stabes ausstrahlen«, Der zylindrische Teil des Körpers wird durch Wärmeleitung aus den Laschen und durch einen Strom erhitzt, der in diesem Teil dee Materials des Körpers aus der oder den Induktionsspulen induziert v/lrä. In jeder Lasche wird ein getrennter Kreisstrom von beträchtlicher Stärke induziert, insbesondere wenn die Spitzen der Laschen noch weiter nach außen gebogen einet, wobei In diesem Falle der Spitzenteil der Laschen etwa senkrecht zu den Feldlinien liegen kann. Dieser Strom erzeugt in den Laschen eine hohe Temperatur, jedoch ist im Gegensatz am 'dem Jail_$ wenn das Kopfende des Zylinders nicht derart eingeschnitten ist , die Richtung der Kreisströme in dem unteren Teil der Laschen, der dem Stab am nächsten ist, die gleiche wie in. der Spule und auf diese Weise wird das durch den Stab verlaufende PeId nicht geschwächt. Sie tragen im 6-egenteil auf Grund der Tatsache, daß sie mit Hilf© einee Teils des Feldes erzeugt werden, der sonst nutzlos ist, dazu bei, den Strom innerhalb des Kristalles in der kritischen Zone unmittelbar unter der Wanderzone aufrechtzuerhalten oder zu erhöhen.

909830/1176 6AD ORfGINAL

Gleichzeitig müssen natürlich die Spitzen der Laschen Ströme befördern, die in der entgegengesetzten Richtung verlaufen (da die Ströme Kreisströme sind), jedoch Bind diese Teile von dem Kristallstab weiter entfernt und ihr schwächender Einfluß auf den darin induzierten Strom ist vernachlässigbar ο Der axiale Temperaturgradient in dem zylindrischen !Teil kann reguliert werden, indem die Dicke der Wand eingestellt wird oder indem eine Hilfeinduktionsspule vorgesehen wird, die den .ringförmigen Körper in einem geeigneten Maß umgibt.

Der ringförmige Körper muß aus einem leitfähigen Material % mit einem hohen Schmelzpunkt bestehen. Wenn ein Metall verwendet wird, muS dafür gesorgt werden, daß es keine Dämpfe bildet, die jsu Verunreinigung des Halbleitermaterials führen· In manchen Pällen sind deshalb nicht-metallische Substanzen, wie pyrolytiflcher Graphit oder Silicium, zu bevorzugen.

Monokristallines Silicium mit einer Dislokationszahl, die praktisch Null ist, ist unter Verwendung des erfindungsgemäßen Verfahrens und der erfindungsgemäßen Vorrichtung hergestellt worden, unter der Voraussetzung, daß die Beschikkung ein Stab mit einem Durchmesser von 2,2 bis 2,5 cm ist, ä kann die kleinere Spule einen Durchmesser von 2,5 bis 3,0 cm und die größere Spule einen Durchmesser von 4,0 bis 6,0 cm besitzen. Das obere Ende des konischen feile des Drehkörpers kann einen größeren Durchmesser, wie beispielsweise 4,2 bis 6,5 em, besitzen und der untere zylindrische Teil kann einen Innendurchmesser von 3,0 bis 5,0 cm haben« Die axiale Vortriebsgeschwindigkeit kann 0,5 bis 5,0 mm/Min, betragen, es wird jedoch darauf hingewiesen, daß diese

909830/1176

ßAD ORIGINAL

Dimensionen all© von den in der.vorstehenden allgemeinen Beschreibung der Erfindung sowie beim Stand der Technik erwähnten Faktoren .abhängen und daß sie derart aein müssen, daß ein© annähernd ebene Yerfestigungsoberfläche erzeugt wird,, Jedoch ist es bei Dimensionen dieser toÖSenoränung bevorzugt, daß der ringförmig© K8rper eine axiale Länge von 7 cm oder mehr hat und der ober© Teil davon bei einer !Temperatur von mindestens 1400⁰G arbeitet.

Nachfolgend wird eine bevorzugte Ausführungsfoxm ier vorliegenden Erfindung anhand der Zeichnimg weiter veranschaulichtg die eine schematises© Anordnung für die Reinigung eines Sill« ciumstabee aaeh dem ZonenscImelaYerfalarea darstellt _a

Ein SiIieiuraetab 1,2 mit einem Durchmesser von etwa 2 ₉5 cm umfaßt die Beschickung 1 rad den gereinigtem Einkristall 2 während des Zonenecbm^XzenB · Es sind Erhitzuä^ssinrichtungen, die die Spule 5 wiü. di© Spul© 4 laifassitsig angeordnet und derart angepaßt₉ daß si® aaelßi iteslglieÄ dos Siliciumstalbee bewegt weräea können· Des» Staus ist vertikal gehalten. und die Erhitzungseinrichtungen werden während des Eeini« giiageverfahrens aufwärts Ibeiiregt. Di© obere Spule 3 hat einen kleineren Durchaeeeer als Spule 4 sM beiae eint »It einer (nicht gezeigte»)' Hochfrequenselektsieitätsquelle ibeuBO wie die Spulen 3» 4 ist äer
befestigt, der aus einem: sylindrischen teil 5 und einem di-=> .vergierenden feil 6 besteht· Bine Vidlsahl ψ@μ Sehlitzen 7 mit eiaer Länge von 1 e» ist Bit Istervell®» ψ@ά 1 em read «a die Heripliesrie dee feiles 6 ausgebildet» vodmräb. Basclxea 8 gebildet werden, die magebogen eiad_f ras mit 45° vom der axiales Eichtiaig des Körpers su divergieren«, ä Betriefe werden ia den lasciiea 8 Wirbeistr3ae exisetigt, wödissoh die 5seg©&©a

ORIGINAL

309830/ 1 176

/U

Energie erhitzt werden« die sonst verloren wäre. Bei der Reinigung von Silicium werden die Laschen 8 voreugswelee auf eine Temperatur von etwa 140O⁰O erhltst.

Im «ylindrisohen !eil 5 des Körpers ist ein Schlitz 9 vorgesehen, um darin die Bildung von Strömen zu verhindern, die den Betrieb der Vorrichtung nachteilig beeinflussen wurden»

Biese Vorrichtung kann natürlich im Detail aodlfisiert werden, ohne daß dadurch :,,.: .iuaen der Erfindung verlassen wird. Beispielsweise kann die Dicke des Materials, das den sylindrlechen XeIl 5 bildet» von dessen Boden bis sum oberen Ende zunehmen, oder Zeil 5 kann von einer weiteren (nicht gezeigten) Induktionsspule umgeben sein.

Im Betrieb werden die Spulen 3 und 4- und der Körper, der aus den Teilen 5 und 6 bestellt, langsau über den Silicium« stab aufwärts bewegt, so daß eine erhitzte Zone, wie oben beschrieben, langsam durch den Stab aufwärts bewegt wird, wobei die Bedingungen eine Yerfestigungsoberflache ergeben, die in hohem HaS planar ist. Unter Verwendung des erfindungs gemäßen Verfahrens und der erfindungsgemäöen Vorrichtung sind Siliciumeinkristalle mit nur 2 000 Dislokationen/cm in den Kern- und Hautteilen des Kristallee und überhaupt keinen feststellbaren Dislokationen in dem übrigen Seil der Kristalle hergestellt worden. Im Vergleich dazu liegen in Siliciumkristallen, die nach den herkömmlichen Zonensehmelzverfahren gereinigt worden sind, 50 000 Disloka«

2
tionen pro cm vor, so daß der erfindungsgemäS erzielte technische Fortschritt auf der Hand liegt.

- 11 -

909830/1176

BAD ORIGINAL

Claims

Patentansprüche

1. Verfahren zur Reinigung eines monokristalliaen Körpers aus Halbleitermaterial» dadurch gekennzeichnet, da© man eine erhitzte Zone, die geschmolzenes Material enthält» relativ durch den Körper bewegt» während die von der Oberfläche des Körpers ausgestrahlte Wärme in der an die erhitzte Zone angrenzenden kritischen Zone, die das Temperaturintervall darstellt, worin Dislokationen durch plastische Deformierung gebildet werden können, reguliert und die Verfestigungsoberfläehe hinter der erhitzten Zone in einer in hohem MaS planaren Konfiguration gehalten wird.

2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die von der Oberfläche des Körpers in der kritischen Zone ausgestrahlte Wärme durch zusätzliche Wärmestrahlungsmittel reguliert wird, die den Körper zumindest teilweise umgeben.

3. Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß die erhitzte Zone und die zusätzlichen Wärmestrahlungsmittel gemeinsam bewegt und mit Energie aus einer einzigen Quelle beliefert werden.

4. Vorrichtung zur Reinigung eines monokristallinen Körpers aus Halbleitermaterial mit Zonenerhitzungseinrichtungen, die für Bewegung relativ zu dem Körper geeignet sind, wodurch eine erhitzte Zone, die geschmolzenes Material enthält, durch den Körper bewegt werden kann, dadurch gekennzeichnet , daß zusätzliche Wärmestrahlungsmittel

-12-909830/1176 ^ßAD ORIGINAL

den Körper «umludest teilweise umgeben., wodurch la Betrieb die von der Oberfläche des Körpers ausgestrahlte Wärme in der an die erhitzte Zone angreneenden kritischen Zone, dl· das Temperaturintervall darstellt, vorin Dislokationen durch plastische Deformlerung gebildet werden können, reguliert wird.

5· Vorrichtung nach Anspruch 4» dadurch gekennzeichnet, daß die zusätzlichen Waroestrahlungemittel aus leitfähigem Material gebildet und gemeinsam mit den Zonenerbitsungselnrlchtungen. befestigt sind·

6. Vorrichtung nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß mindestens eine Induktionsspule vorliegt, die so angeordnet und dafür geeignet ist, daß sie lot Betrieb die Energie sowohl für die Zonenerhitsungseinrlchtungen als auch für die zusätzlichen Wärjeestrahlungemittel liefert.

7. Vorrichtung zur Reinigung eines monokristallinen Körpers aus Halbleitermaterial nit Zonenerhitzungseinrichtungen, die für Bewegung relativ su dem Körper geeignet sind, wodurch eine erhitzte Zone» die geschmolzenes Material enthält, durch, den Körper bewegt werden kann, dadurch gekennzeichnet, daß die Zonenerhltzungseinrlchtungen mindeatens eine Induktionsspule umfassen und gemeinsam mit zusätzlichen Wärmeetrehlungsmltteln befestigt sind, die eine einen Drehkörper bildende ringförmige Wand enthalten, der bezüglich seiner Achse mit der. des Körpers aus zu reinigendem Halbleitermaterial gleich angeordnet 1st, wobei die Wand entlang ihrer Langseratreokung durch einen Sohliti geteilt let, der su der Achse parallel liegt, und an einem Endteil in. kleine Laschen aufgeteilt ist, die von der ge-

- 13 -

909830/ 1 1 78

SAD ORlGIh(AL.

Jl*

meinsamen Achse divergieren/ was eichr im Betrieb so aus-* wirkt, daß die Induktionsspule die erhitzte Zone durch Induktionsströme erhitzt und auch den suaätslichen Wärmestrahlungsmitteln in der gleichen Weise Wärme zuführt, wodurch die von der Oberfläche des Körpers ausgestrahlte Wärme in der an die erhitzte.Zeus angrenzenden kritisches Zone* die das TemperaturIntervall darstellt, worin Dislokationen durch plastische BefoaEmierung gebildet werden können, reguliert wird.

8. Körper aus gereinigtem monokrletallinera Halbleitermaterial. hergestellt nach dem Verfahren gantäB Anspruch 1.

9. Körper aus gepeinigtem monokristallinem Halt&eltexmaterlal hergestellt mittels der Yorricht.mg gemäß Mepruch 4«

10. Körper aus gereinigtem aionofeistalllnea Halbleitermaterial hergestellt mitteXe der Vorrichtung gsmSS Anspruch 7·

™ 14 - ■ 9098307117S

βΑΟ ORIGINAL