DE1808238A1 - Elektrolumineszenzspeicher - Google Patents
ElektrolumineszenzspeicherInfo
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Description
~*Pat*ntam*<e Dijl.-Ing. F. Wei ckm αν ν, 1900238
Dulling. H. Wb ι c km αν ν, Difl-Phts. Dk. K.Finckk
Dipl.~Ing. F. A.WiicKUANN, Dipl.-Chem. B. Hum
SBPO
Elektrolumineszenzspeicher
Die Erfindung betrifft elektrolumineszente Anordnungen
insbesondere zur Speicherung elektrischer Signale. Im engeren Sinne bezieht sich die Erfindung auf eine elektrolumineszente
Anordnung zur Speicherung eines optischen Bildes durch Erzeugung eines elektrostatischen Ladungsmusters
auf der Oberfläche eines Feldeffekt-Halbleiterstoffes r der den. Stromfluß durch die Speicheranordnung
reguliert und damit eine Bilderzeugung bewirkt.
Bs sind verschiedene Arten von Pestkörper-Abbildungsanordnungen
bekannt, die jedoch keine besondere Anwendung gefunden haben, da bei ihrer Herstellung und Benutzung Probleme
verschiedener Art auftreten. Die Speicherwirkung dieser Anordnungen hängt unter anderen Erscheinungen von dem
langsamen Abfall der Leitfähigkeit nach Anregung eines fotoleitfähxgen Stoffes, dem Hysterese-Effekt der Fotoleiter
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und der optischen Rückkopplung ab. Einige der praktischen Anwendung entgegenwirkende Faktoren sind gerinne Empfindlichkeit
für Eingangsstrahlung, geringe Lichtabgabe,
schlechte oder keine Halbtönungseigenschaften, schwierige
Bildlöschung und ein relativ geringes Verhältnis von abgegebenem Licht zu Hintergrundlicht„
Eine bekannte Bildwiedergabevorrichtung.besteht aus einem
Sichtfeld, das aus einer Schicht eines Stoffes mit variabler
Impedanz und einer elektrolumineszenten Schicht besteht und in den US-Patentschriften 2 768 310 und 2 949 527 beschrieben
ist· Das Bald wird auf dieser Anordnung durch den Anstieg der Leitfähigkeit in denjenigen Teilen des
Stoffes mit variabler Impedanz, im vorliegenden Falle eines
Fotoleiters, erzeugt, auf die die einfallende Strahlung auftrifft. Ein derartiger Leitfähigkeitsanstieg erzeugt
entsprechend eine Lumineszenz in der benachbarten elektrolumineszenten Schicht.
In der belgischen Patentschrift 703 461 ist eine verbesserte
alektrolumineszente Speicheranordnung beschrieben, die nicht
die Nachteile zuvor bekannter Sichtfelder aufweist· Sie arbeitet mit einem Anzeigefeld, das aus einer Anzahl zueinander
mit Abstand angeordneter Elektroden auf der einen.
Fläche einer Unterlage, einer Schicht eines elektrol»-
mineszenten Stoffes auf den Elektroden als deren teilweise
elektrische Verbindung und einer Schicht eines Feldeffekt-
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Halbleiterstoffes auf der elektrolumineszenten Schicht als
' .weiterer Teil der elektrischen Verbindung zwischen den Elektroden, besteht. Dieses Sichtfeld hat eine ladungsspeichernde
Oberfläche, auf die ein elektrostatisches Ladungsmuster aufgebracht werden kann. Es wird zusammen
mit einer Vorrichtung zur Erzeugung und/oder Ablagerung eines Ladungsmusters auf der ladungsspeichernden Oberfläche
verwendet. Hierbei wird eine Wechselspannung an die Elektroden angeschaltet, die eine Induktion von
Elektrolumineszenz im Zustand geringen Widerstandes des Feldeffdekt-Halbleiters bewirkt· Ss zeigte eich, daß das
.. Aufbringen einer elektrostatischen Ladung auf die ladungsspeicherad·
Oberfläch· des Aniseigefeldea zur Steuerung
des Stromflusaes von Elektrode zu Elektrode ausgenutzt
werden kann. Die Impedanz des Feldeffekt-Halbleiters wird dadurch erhöht, womit der Stromfluß in den benachbarten
ELächenteilen verringert oder unterbrochen wird. Dadurch wird eine entsprechende Verringerung der Licht·»
abgabe aus der elektrolumineszenten Schicht bewirkt,
so daß sich ein Halbtonrerhalten ergibt. Wird der Strom unter denjenigen Wert abgesenkt, der die Elektrolumineszenz
bewirkt, so tritt keine Lumineszenz auf und der jeweilige
Flächenbereich der Speichervorrichtung erscheint dunkel. Wird die Impedanz verringert und der Stromfluß
duroh Neutralisierung oder Entfernung der Ladungen von
der Oberfläche erhöht, so tritt eine Lichtabgabe in den
entsprechenden Flächenteilen auf·. Duroh selektlr« Anordnung
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.bzw. Erzeugung eines Ladungsmu3ters auf der Oberfläche des
Anzeigefeldes kann ein Bild erzeugt und für längere Zeit gespeichert v/erden.
Sie Impedans des Feldeffekt-Halbleiters kann ferner verringert
und der StromfluÜ erhöht werden» wenn Ladungen
einer geeigneten Polarität auf die ladungsspeichemde Oberfläche aufgebracht werden. let der Stromfluß anfangs
für eine Lumineszenz nicht ausreichend, so kann er durch Aufbringen derartiger Ladungen erhöht werden, wodurch eine
Liohtabgabe au3 den entsprechenden Teilen dter Speichervorrichtung
erreicht wird. Der Stromfluß zwischen den Elektroden kann durch Neutralisierung oder Entfernung der Oberflächenladung
verringert werden, wodurch bei Absinken unter einen bestimmten Schwellwert die Lichtabgabe unterbrochen
wird. Auf diese Weise können Bilder für längere Zeit erzeugt und gespeichert werden.
Obwohl diese Speicheranordnung iflLcht die Nachteile früherer
Anordnungen aufweist, ist ihre praktische Anwandung jedoch nooh eingeschränkt. Werden Elektrodenstreifen aus durchsichtigem,
leitfähigem Zinnoxid (im Handel erhältlich van der Pittsburgh Plate Glass Company, Pittsburgh, Pennsylvania,
unter der Bezeichnung NEäA-Glas) verwendet, so daß
die Lichtabgabe des Anzeigefeldes von der der Eingangsseite entgegengesetzten Seite betrachtet werden kann, so können
nur relativ kleine Aiizeigefeider, beispielsweise von
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30 χ 30 bis 60 χ 60 cm Größe hergestellt werden, bedingt
durch den elektrischen Widerstand der leitfähigen Elektrodenstreifen«
Dies bedeutet, daß durch die begrenzte Oberflächenleitfähigkeit
der NESA-Streifen eine praktische Grenze für
die Länge der leitfähigen Streifen einer vorgegebenen Breite
besteht, wenn diese auf die tragende Unterlage aufgebracht sind und durch diese der für einen. Betrieb der Anordnung
erforderliche Strom fließt. Die Verwendung besser leitfähiger
Elektroden ist nicht günstig, da jede Verringerung des Widerstandes einen starken Abfall der lichtdurchlässigkeit
der NESA-Elektrode verursacht. Ähnliche Probleme bestehen
bei aufgedampften Metallfilmen als Elektrodenstreifen. Außerdem treten bei der Herstellung großflächiger Anzeigefelder.große
Anforderungen an die Genauigkeit der Elektrodenstreifen
auf. Jegliche Fläohenkratzer oder andere Schaden
wie z.B. unterbrochene Leitungen machen die benachbarten Teile des Anzeigefeldes unwirksam. Zur Herstellung eines
Anzeigefeldes größerer Ausmaße ohne derartige Defekte sind unverhältnismäßig hohe Anforderungen an die Genauigkeit
der Stoffe und der Herstellungsverfahren zu stellen, wodurch sich ungerechtfertigt hohe Herstellungskosten ergeben.
Die Aufgabe der Erfindung besteht deshalb darin, eine neuartige
elektrolumineszente Speicheranordnung zu schaffen,
die die vorstehend genannten Nachteile vermeidet und die
lei.chte Herstellung relativ großflächiger Anzeigefelder
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ermöglicht. Diese sollen eine gute Helligkeitsausbeute,
lange Speicherfähigkeit und gutes Halbtonverhalten sowie
•ine einfach· Bildherstellung und schnelle Bildlöschung
ermöglichen·
Ein zur Lösung dieser Aufgabe vorgesehener Elektrolumineszenzspeicher
zeichnet sich erfindungsgemäß aus durch eine Unterlage mit einer jpg;ahl schmaler undurchsichtiger Leiter
auf ihrer einen Oberfläche, durch jeweils einen auf jeden Leiter aufgebrachten leitfähigen Streifen» 'durch jeweila
ein zwiiohen benachbarten Streifen angeordnet·» iiolierem·»
des Segment und duroh einen auf jeden leitfähigen Streiket*
aufliegenden e^ektroluinineszenten Stoff» auf den eine
Schicht eines Jeldeffekt-Halblaitera aufgebracht ist.
Der elektrolumineszente Stoff kann als Schicht ausgeführt
sein, die die leitfähigen Streifen und isolierenden Segmente toedeokt oder es ist ein Segment des elektrolumineszenten
Stoffes auf jeweils einem leitfähigen Streifen aufgebracht,
wobei die einzelnen Segmente von den ihnen jeweils benachbarten Segmenten durch die isolierenden Segmente getrennt
sind.
Die erste Ausführungeform unterscheidet eioh von der zweiten
dadurch, daß sie eine durchgehende Schicht eines elektrolumineszenten
Stoffes aufweist, während die zweite aus duroh isolierende Segmente voneinander getrennten elektro-»
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lumineszenzen Segmenten besteht. In beiden Fällen soll jeder
leitfähige Streifen vorzugsweise denjenigen Teil eines j»den undurchsichtigen Leiters berühren, der nicht mit der
Hater lage in Verbindung steht.
Eine Yerwendung der zweiten Aueführungsform ist günstiger,
da der 4as Bild erzeugende Strom während der Bildabgab«
durch die Feldeffekt-Halbleitersohicht fließen nuß. Dies
erfordert eine maximale Stromsteuerung durch ladungsablagerung
und/oder Neutralisation. Dies trifft nicht unbedingt für die erste Ausfuhrungefora zu, bei der gemäß
Fig. 2 ein Stromfluß durch die elektrolumineszente Schicht auftritt. Dieser Stromfluß ist nicht in der Weise einer
äußeren Steuerung durch Ladungsablagerung und/oder Neutralisation ausgesetzt wie derjenige durch die Feldeffekt-Halbleiter
schicht. Der Stromfluß durch die elektrolumineszente
Schicht erhöht das Hintergrundlicht und verringert damit den Kontrast zwischen BiIA und Hintergrund. Da dies unerwünscht
ist» wird die Anordnung gemäß Fig. 1 verwendet, bei der eine maximale Steuerung «Lee Stromflussea erreicht
werden kann.
Die undurchsichtigen Leiter liefern die erforderliche Leitfähigkeit längs dar Elektrodenstreifen. Die Leitfähigkeit
der leitfähigen Streifen muß lediglich zur Piihrung
eines Stromes von dem mittleren undurchsichtigen Leiter zur
Kante des leitfähigen Streifens ausreichen. Daher kann ein- :, Vi 909843/ US6 BAD
l.eitfähiger Streifen verwendet v/erden, desaen Leitfähigkeit
um viel· Größenordnungen geringer ist als die der Elektroden-•streifen,
wie dies auch in den vorgenannten Idteraturstellen
beschrieben ist. Leitfähige Stoffe für diese Elektrodenotreifen
mit OberfLioIienwiderstünden von weniger als ca« 10 Ohm/cm
sind zur Herstellung des erfindungsgemäßen Anzeigefeldes geeignet. Derartige Anordnungen v/eisen dann nicht mehr die
vorstehend genannten Nachteile auf, da die undurchsichtigen Leiter leicht mit ausreichender mechanischer Festigkeit hergestellt
werden können und eine Verkratzung oder Beschädigung während der Herateilung nur schwer möglich ist. Ferner ermöglicht
die hohe Leitfähigkeit eine Herstellung von .Anzeigefeldern beliebiger Größe, da ein entsprechender Stromfluß
auch bei großen Abständen von der Spannungequelle aufrechterhalten
werden kann«
Geeignete undurchsichtige Leiter sind dünne Kupferdrähte t
Silberfarbe in einem. Plastikbindemittel usw. Wird ein leitfähiger
Färbst off verwendet, so können die dünnen leitfähigen.
Leitungen in dem gewünschten Muster aufgebracht werden oder die gesamte Oberfläche der Unterlage kann bedeckt v/erden,
wonach die Zwischenbereiche aus dem leitfähigen Farbstoff
entfernt werden.
Soll die Speicheranordnung von der der Feldeffekt-Halbleiterschicht
entgegengesetzten Seite betrachtet werden, so sollen
die Unterlage und die leitfähigen Streifen lichtdurchlässig
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TtOWJI
sein. Wahlwelse können die isolierenden Segmente gleichfalls
durchsichtig sein« line geeignete Kombination aus Unterlage und Elektroden ist optisch transparentes Glas mit dünnen,
undurchsichtigen Drähten oder Streifen aus Silberfarbatoff, auf denen optisch transparente, leitfähige Streifen aus
Zinnoxid oder aufgedampftem G-old aufgebracht sind· Beispielsweise
können die durchsichtigen, leitfähigen Streifen mittels einer Maske durch Aufbringen von Zinnoxid hergestellt werden,
welches durch Dampfreaktion von Zinnsäure, Wasser und
Methanol gebildet ist·
Die erfindungsgemäße Speicheranordnung 1st insbesondere zur
Serstellung von Sichtfeldern geeignet, die sich auf Plastikunterlagen
wie s.B« aus "Mylar" befinden und beliebig groß
und flexibel eein können. Da geeignete Verfahren zur Herstellung
von NBSA ζ Zinnoxid)-Überzügen auf Kunststoffunterlagen nicht geläufig sind, werden durchsichtige, leitfähige
Streifen auf die Plastikunterlage aufgebracht, die aus
Mischungen von Zinkoxid» oder Indiumoxid (In2O5)-Pulver
in einem transparenten, elektrisch isolierenden Kunstharstblndeial-ttel
bestehen». Zum Aufbringen auf die Plastikunterlage 1st beispielsweise ein Epoxyharz geeignet. Sine derartige
Mischung er It ca. 60 $ bia oa· 95 Ί» leitfähiges
Pulver· Abhängig von den verwendeten Stoffen wird für optimale Ergebnisse vorzugsweise eine Menge von oa· 80 %
bis ca. 90 $ leitfähigea Pulver verwendet» $i«se Mieolningen
9098*3/ U56
Btu.esen nicht la. Vakuum auf die Unterlage amfgebrachii wenden,,
ao daß das gesamte Anzeigefeld mit Plastikunterlage ohne
Valcuuffi-Äufdampfungaverfahren und ontopreehende Einrichtungen
hergestellt werden kann»
Falls erwünscht* kann das Sichtfeld you der Seite der
Feldeffekt-Halbleiterschient aus betrachtet werden. Hierzu
kann es auf einer undurchsichtigen,, nichtleitenden Unterlage
unter Verwendung undurchsichtiger, leitfähiger Streifen
aufgebracht sein» Die Feldeffekt-Halbleiterschicht soll jedoch für das von der ®lektroluminess®nteii Schicht abgegebene
Licht durchlässig aein»
Da» öichtiwid wird suaenmen. mit einer ¥orrlehtung zum Aufbringen einaa l&
Obarfiäoh© ¥erw«id«t» "IseiaaeBii ©la
lumiiitsziattn Stoffes bildet aia* elektrische
zwischen tinanäer benaelibaxttm.Elektrodsii, (eine Elektrode.
let ein düsxuir» unänrdisiöIrSiger iseiter mit ©inaa darauf
Ttil d«r olektrisohen. ?«Äi»ii?iig tefeli .einen. -fell der feld» .,
«ffekt-Halblei'torsoIiicli-ii geMMf,t fitrie Mas -bedeutete,.
daß der Strom von einer üiktrota to?@h einei Teil d©@
®lekt.roliimiaaBaeE-taa Stoffes 9 «iasn feil i@r feldeffakt- ..
Ealblexterechicfrt mad @lnan weiteren.. feil -des elektrolusd.x*©BS5@iSLt«'ii
Stoffes m· smohiätea BlektiOde flieBt» Bureh
"ficzeugung und/oder änderung eines elektrostatischen Ladunge-
9098^3/14Sß BAP ORIGINAL
!808239
masters auf der ladungsspeichernden Oberfläche kann ein entsprechende· BUd auf der elektrolueineszenten Anordnung erzeugt und gespeichert werden.
In der vorliegenden Beschreibung bezieht eioh die Bezeichnung
"Feldeffekt-Halbleiter" auf einen Stoff, der elektrischen
Strom leitet, jedoch eine Änderung seiner Leitfähigkeit durch Einwirkung eines elektrischen Feldes senkrecht zum
Stromfluß erfährt», wodurch ein Bereich erzeugt wird, der
den 1eitfähigen Querschnitt oder die Leitfähigkeit de·
Stoffes selbst ändert. In der vorzugsweisen Auaführungsför* der »rfladung soll der Vtldeff«kt-Halblelter die
Fähigkeit besltswi, ein elektrostatisches Ladungemuater
auf βeiner Oberfläche für längere Zeit zu speichern und
eine Stromleitang ohne wesentliche Änderung des Oberfläehenladungsmusters zu ermöglichen. Hat ein einzelner Stoff diese
beiden physikalischen Eigenschaften, so wird er als "speichernder Feldeffekt-Halbleiter" bezeichnet. Br ist dann zur Speicherung eines elektrostatischen Ladungsmusters auf seiner
Oberfläche geeignet, welches das senkrechte elektrische Feld zur Beeinflussung der Leitfähigkeit erzeugt. Geeignete..
Stoffe mit diesen Eigenschaften sind Zinkoxid, Bleioxid und Kadmiumoxii.
Wird ein "speichernder feldeffekt-Halbleiter" verwendet,
eo ist die l*dungsspeichernde Oberfläche des Sichtfeldes
auch die zu belichtende Fläche des Feldeffekt-Halbleiters·
909643/ USg
1803238
Kann der Feldeffekt-Halbleiter jedooh auf seiner belichteten
Oberfläche ein elektrostatisches Ladungsmuster nicht für die erwünschte Zeit speichern, so wird eine dünne, elektrisch
isolierende Schicht aufgebracht, und deren freie Oberfläche dient als ladungsspeichernde Fläche· Auf diese Weise können
viele Halbleiter, die ein Feldeffekt-Yerhalten zeigen, für
die Erfindung geeignet gemacht werden, auch wenn sie anfangs ein elektrostatisches Ladungsmuster für die erwünschte Zeit
nicht speichern können. Typische Halbleiter wit Feldeffekt-Eigenschaften, die derart abgewandelt werden können, sind
Kadmiumsulfdd, Zinksulfid, Kadmiumstlenid usw· Ferner kann
auf Zinkoxid und dl· anderen, speichernden Feldeffekt-Halbleiter ein·" Isolierstoffschicht aufgebracht werden, falle
die» erwUnseht ist. Außerdem kann «ine Sperrschicht auf
der Außenfläche dta Halbleiterstoffee erzeugt werden, indem dar Halbleiter zur Bildung eines p-n-tfaergangee dotiert
wird·' Dieser Übergang wirkt als Sperrschicht und verhindert
dan Durchgang ron Oberfläohenladungen in die darunter liegend· Schicht.
Dar Birze haibar werden alia formen das leldeffekt-Halbleltar«
stoffes in dar vorliegenden Besehreibung als Halbleiterstoff
oder Feldeffekt-Halbleiterstoff bezeichnet, wobei vorausgesetzt wird, daß die Speicheranordnung eine freie, nicht
zur phterlage gehörende Oberfläche hm*, die ein elektroatatischβs Ladungsmueter für längere Zeit speichern kann·
909943/US§ BADOBiGiNAL
ti MIJi
Ii* Bezeichnung "Feldefftlct-Halbleiter" schließt also Slnsel·
schichten eowle auch Doppelschienten ein, bei denen der
Halbleiter in der Tosstehend beschriebenen Weise modifiziert ist« Biese Stoffe gehören alle zu einer Stoffgruppe,
sind sich jedoch nicht völlig gleich, da in vielen fällen
eine andere Wirkungsweise vorliegt, wie noch beschrieben
wird. Obwohl im Hinblick auf die Betriebsweise die mit den
verschiedenen Strukturen erhaltenen Ergebnisse äquivalent sind» sei darauf hingewiesen, daß die Möglichkeit zur Erzielung eines erwünschten Ergebnisses einen bestimmten Stoff
gegenüber einem anderen Stoff geeigneter erscheinen läßt, da dieser hierzu zunächst in beschriebener Weise modifiziert
werden muß·
Bei einer vorzugsweise^ Betriebsart wird eine Wechselspannung an tie mit Abstand zueinander angeordneten Elektroden angelegt, die sur Srzetagung einer lialrtrolnBlneszens
im Zustand geringem Widerstandes dee Halbleiteret of fee
ausreicht» Bs zeigte eich, daß das Aufbringen und die
Speicherung eines elektrostatischen ladungsmustere auf
der ladungsepeloheraden. Oberfläche dee «let trolumineasenten Sichtfeldas eine. Steuerung des Stroaflusaes von Elektrode zu Elektrode 'v"wirkt· KLe Ablagerung elektrostatischer
ladung erhöht die Impedanz des Halbleiters, wodurch der
Stronflufi in den benachbarten KLäehenteilen verringert
oder unterbrochen wird·. Davit wird eine ent sprechende
Verringerung der Idchtabgabe aus der eiektrolumineeeeaateit
»09843/1*6$ bad OBlGlNAL
ScMcht bewirkt, wodurch sich ein Halbtonverhalten ergibt·,
Y/ird der Strom unter den Wert verringert» der eine Erzeugung
der Elektrolumineszenz bewirkt9 so tritt keine Lumineszenz
auf und der entsprechende Teil der Sρeieheranordnung erscheint
dunkel« Andererseits wird bei Neutralisierung oder
Entfernung der Ladungen von der Oberfläche die Impedanz
verringert und der Stromfluß erhöht. Durch selektives -Aufbringen
und Beibehalten eines Ladungsmusters auf der Oberfläche
des elektroltnaineszenten Sichtf«Idea kann also ein
Bild erzeugt und gespeichert werden.
Bei einer anderen Betriebsart wfect eine Wechselspannung
an die mil; Abstand mtlmader angeordneten Elektroden
angeschaltet» die ms 'BsrzmhgüMg der ELektrolumineasen«
gerade noch nicht aussticht, wenn der Halbleiterstoff
in seinem normalen Xaptdanzsustahd ist* Duron Erzeugung
einer elektrostatisches Ladung geeigneter Polarität auf'
der ladungsspeichernden Oberfläche des elektroluaineszenten
Sichtfeldes kann din Impsda&si .dta HaXblelterstoffes derart
verringert werden» &&& Strom swisohen &%& fflektroden durch
die elektrolumiÄ®satnte BoM-^M fliest»-wodurch «ine-Üdoht*-
abgabe auftritt» Andererseits wird die Impedanz «rhuht
und der StromfluS irtrsingert:» wenn diese'Ladungen geeigneter
Polarität neatraliaiert Μ®τ von fier Iftdumgsspeioherndeii
O1»exfläoh· eattearl ?iei?Siiö.· Steigt die !iipeiaaa bis zu
eis« ÄBJtt aa& iss ie© ums Stseca imter. i®n »ine KLekjbrö-. .
bewlrksindessi Wert veafrija^ert-wird, so tritt _ ;
fiiii4|| 14iS - bad original . ■.'
180123·
keine Lumineszenz auf und der entsprechende Teil der Speicheranordnung erscheint dunkel. Auf diese Weise können mit der
Speicheranordnung durch selektives Aufbringen und Beibehalten eines Ladungsmueters auf der ladungsspeichernden Oberfläche
Bilder erzeugt und gespeichert werden.
Die Polarität der Oberflächenladung, die die Leitfähigkeit in der/Peldeffekt-Halbleiterschicht verringert, entspricht
der Polarität derjenigen Ladungen, die vorzugsweise durch
die Schicht geleitet werden. Dies bedeutet» daß ein n-Halbleiter eine Verringerung der Leitfähigkeit durch Ablagerung
negativer Ladungen auf der ladungsspeiohernden Oberfläche
erfährt. Andererseits erfährt ein p-Halbleiter eine Verringerung 4er Leitfähigkeit durch die Ablagerung positiver Ladungen auf der ladungsspeichernden Oberfläche· Die Leitfähigkeit kann duroh Ablagerung von Ladungen jeweils entgegengesetzter Polarität auch erhöht werden. Durch richtige Einstellung der Betriebsbedingungen» und durch Aufbringen von
Ladungen mit einer der Vorzugspolarität des Halbleiters entgegengesetzten Polarität kann die Speicheranordnung
in den entsprechenden Plächenteilen zu einem helleren
Leuchten oder zur Abgabe von Licht aus vorher dunklen Plächenteilen angeregt werden. Soll ein weißes Bild auf
dunklem Hintergrund erzeugt werden, so wird eine elektrostatische Ladung gleichmäßig auf die gesamte ladungsspeichernde Häohe aufgebracht. Die Seutralisierung oder Entfernung
eines Teiles der Ladung erzeugt einen Stromfluß in den ent-
1601239
sprechenden Flächenteilen, wodurch eine Lumineszenz der
Leuchtetoffschicht in denjenigen Flächenteilen auftrittr
wo die Ladung neutralisiert bew· entfernt wurde. Bin weißes
Bild auf schwarzem Hintergrund kann auch durch Ablagerung .eines entsprechend ausgebildeten elektrostatischen Ladungsmusters
erreicht werden, wobei dunkle Hintergrundteile den Bereichen der Ladungsablagerung entsprechen. Sie Lumineszenz
der Leuchtstoffschicht unter den flächenteilen der Hai bleiterschient, auf denen sich keine Ladung befindet,
erzeugt ein weißes Bild auf schwarzen Hintergrund·,
Soll ein schwarzes Bild auf weißem Hintergrund erzeugt werden.,
eo wird ein elektrostatisches L*dungsmuat«r auf die
ladongseielohernde Oberfläche aufgebracht. Dadurch ergibt
sich «in Anetieg Aar Impedanz der Halbleiter schicht, wodurch
d«r Stromfluß in dm entsprechenden Flächenteilen
unterbrochen wird· Fällt der Strom unter den zur Erzeugung
der Elektrolumineszenz erforderlichen Wert ab, so erscheint
derjenige Teil der Speicheranordnung dunkel, auf dem sich die Ladung befindet, und es ergibt sich ein schwarzes Bild
auf weißem Hintergrund· Ferner kann auch eine gleichmäßige elektrostatische Ladung auf die laduagsspeichern.de Oberfläche
aufgebracht werden, wonach ein dem weißen Hintergrund ent» sprechender Teil der Ladung entfernt oder neutralisiert
wird· Dadurch, ergibt sich gleichfalls ein schwarzes Bild auf weißem Hintergrund«
BAD ORIGINAL 909S43/UIÖ
ΐβΟβίϊβ
Sas abgegebene Bild kann auch durch Anschaltung einer Wechselspannung
an die Elektroden erreicht werden. Die Spannung
soll zur Elektrolumineszenz im normalen Impedanzzustand
des Halbleiters noch nicht ausreichen. Eine Ablagerung von Ladung geeigneter Polarität verursacht einen Abfall der Impedanz
und eine Lichtabgabe in den entsprechenden Flächenteilen.
Die Erzeugung eines schwarzen Bildes auf weißem Hintergrund
oder umgekehrt hangt in beschriebener Weise von den Schritten der Ladungsablagerung und/oder Ladungsentfernung
ab*
Di« Erfindung wird im folgenden an Hand der in den Figuren
dargestellten Au*führung8beiapi«le beschrieben. Es zeigern
Mg. 1 einen Querschnitt ά®τ vorzugsweise verwendeten
Aueführungeform einer erfiiidungsgemäöen Speicheranordnung
und
gift. 2 einen Querschnitt einer anderen Ausführungsform
der erfindungsgemäBen Speicheranordnung.
In fig* 1 ist ein· Speicheranordnung dargestellt, die
eine Anzahl dünner, undurchsichtigerρ parallel zueinander
angeordneter Lnit^ .1 auf einer tragenden Unterlage 12
enthält* Auf 4*4·* undurchsichtigen Leiter UL ist ein
Streifen 15 aus leitfähigem Stoff vorgesehen. M«se If&t«
fähigen Streit*» 23 stehen mit der gesamten Oberfläche der
undurchsichtigen Leiter 11 in Berührung, die der tragenden
3Q8IU3/U5S
- ' . BAD ORIGINS
1801238
τ·· 16 -
unterlage 12 abgewandt ist. Auf jedem leitfähigen Streifen
13 befindet sich ein Segment aus elektrqlumineasentem Stoff
14· Zwischen jeweils zwei Anordnungen aus. undurchsichtigem
Leiter llf leitfähigem Streifen 15 und ©lektroliasAneszentern
Stoff 14 befindet sich ein elektrisch isolierendes Segment
15, Die oberen Flächen der Segmente 14 und 15 liegen in einer
gemeinsamen Ebene, so daß eine Feldeffekt-Halbleiterschicht
16 gleichmäßig aufgelegt werden kann. Die elektrischen Leitungen 17 sind an die Elektroden U angeschaltet und dienen
zur Zuführung einer Spannung. Die Elektroden sind abwechselnd
ndt jeweils einem Pol einer Wechaelstromquell® 18 verbunden.
Soll das Bild auf dem Siohtfeld von der der Feldeffekt-Halb-Ititersohioht
entgegengesetzten Seite betrachtet werden, ao sollen die tragend® Unterlag® 12 wad die. ledtfähigen Streifen
für die von dt» elciktroluadJiesaenten Stoff
dtoxehläeslg
In Fig. 2 ist -eine andere Ausfütaangsfora der erfinchxngage
mäßen SpeißlieranorcliKS^ dsrgeatellt» wobei for üit
aus ]^ig· 1 üb#x-®laa'iiMüiiMi* f®ll@ gleiche
Te^weiidet aiaä* li« 8p©ieli#s:f®iri§viptlsiiaif \§ ©ntMlt eilte An
zahl dümier,. undu?ehsioiitiger9 p©s?allel
neter Leiter II auf eines? -fes'agenäesi Ifcterlag© 12· Auf
Leiter U ist iim. teüsutiee ι»ι©'ο®3»μϊ ©ia Stu?@lfen, 13
leltfäMgem Stoff Torgeaejaitt· Jades1 Streif®a 13 ist von.
dm 4Jm benaohbartea-StT^fMIi duroli ^Sjpamte 15 uns el®ktrie©a
Stoff isoliert. Bis ©le^as&^ Mäehea ä&x
ORIGINAIi
13 und der Segmente 15 bilden eine gemeinsame Ebene, eö daß
eine Schicht 14 aus elektrolumlneaztntem Stoff aufgelegt
werden kann. Sine Schicht aus einem Feldeffekt-Halbleiterstoff 16 befindet sich auf der Schicht 14 aus elektroluminesz ent em Stoff. Sie elektrischen Anschlüsse entsprechen denen
aus Pig. 1, "und bei Betrachtung des erzeugten Bildes von der
der Feldeffekt-Halbleiterschicht abgewandten Seite sollen die entsprechenden Stoffe wie bei der Anordnung in Fig. 1
durchlässig für die abgegebene Strahlung sein.
Beim Betrieb der Anordnung wird an einander benachbarte Elektroden eine Wechselspannung angeschaltet. Abhängig
von der jeweiligen Leitfähigkeit der Feldeffekt-Halbleitersohicht fließt auf den in Fig. 1 und 2 gestrichelt dargestellten Wegen »in mehr oder weniger starker We cha eist rom
von einer Hektrode sur anderen« Aus Flg. 1 ist zu ersehen»
daß der Strom von der einen Elektrode durch die elektroluminetzente Schicht, die Feldtffekt-Balbleiterschient so- '
wie durch die elektrolumineazente Schicht zur benachbarten
Elektrode fließt und damit einen Stromkreis bildet. Bei ausreichender Stromstärke gibt die elektrolumineezente
Schicht in den Bereichen, die den stromführenden Elektroden
benachbart sind» Licht ab.
Zur Verwendung einer Anordnung der vorstehend- beschriebenen.
Art mit einer ladungsspeichernden Oberfläche 19 1st gemäß
der Erfindung ferner ein Bilderzeugungsverfahren vorgesehen.
908843/1458 bad original
1800238
Wie bereits beschrieben, ist die ladungsspeichernde Oberfläche
entweder die freie Oberfläche des Feldeffekt-Halbleiterstoffes, wenn dieser ein "speichernder Feldeffekt-Halbleiterstoff"
ist, oder die freie Oberfläche einer dünnen* elektrisch isolierenden Schicht auf dem Halbleiterstoff,
wenn dieser nicht ein "speichernder Feldeffekt-Halbleiter· stoff" ist. Das elektrostatische Ladungsrauster 20 steuert
den Stromfluß zwischen benachbarten Elektroden. Bei einer Betriebsart verringert das elektrostatische Laduagsmuster
die Leitfähigkeit der Feldeffekt-Halbleiterschicht, und bei richtiger Einstellung der Betriebsgrößen wird der Stromfluß
zwischen benachbarten Elektroden entweder geschwächt oder ganz unterbrochen. Sie entsprechenden Teile der Speicheranordnung erscheinen dunk·!· Wo keine ladung aufgebracht
ist, fließt der Strom jedoch ohne Unterbrechung von einer
Elektrode zur anderen,,wobei aus den entsprechenden Teilen
des elektrolumineszenten Stoffes Licht Abgegeben wird·
Bei der anderen beschriebenen Betriebsart erhöht das elektrostatische Ladungsmuster die Leitfähigkeit der Feldeffekt-Halbleiterschicht,
und bei richtiger Bineteilung der Betriebsgrößen
wird der Stromfluß unter den eine Ladung enthaltenden Bereichen zwischen benachbarten Elektroden verstärkt. Die entsprechenden Teile der Speicheranordnung leuchten
heller und/oder geben eine Strahlung ab. Wo keine Ladung aufgebracht ist, fließt jedoch kein Strom von. einer Elektrode
zur anderen, und die entsprechenden Teile der Speicheranord-
909843/1410
BAD
ming bleiben dunkel.
Baa elektrostatische Ladungsmuster kann auf der Oberfläah·
der elektrolumiii.es zent en Anordnung durch jede geeignete
Vorrichtung erzeugt werden. Beispielsweise können optische oder elektrische Einrichtungen zum Aufbringen des erwünschten
Ladungsmusters verwendet werden.
Bin Verfahren zur Erzeugung eines Ladungsmusters besteht in einer gleichmäßigen Ablagerung von Iqnen auf der ladüngespeichernden
Oberfläche und Ableitung eines Teiles dieser Ionen« wodurch eich entweder ein Positiv oder ein Negativ
dee zu. reproduzierenden Bildes ergibt. Hat beispielsweise
der Peldeffekt-Halbleit erst off auch JOtoleitfähigkeitseigenschäften
wie es bei Zinkoxid der fall ist, so kann die gleichnamige elektrostatische Ladung z.B. durch eine
Koroaa-Entladung aufgebracht werden. Eine selektive Ableitung eines Teiles einer Oberflächenladung kann durch
Belichtung nur ausgewählter Teile der Feldeffekt-Halbleiterschioht
mit aktivierender Strahlung erreicht v/erden. Das sich ergebende elektrostatische latente Bild bewirkt eiae
Steuerung des Stromflusses awiaahori btir;,{*öhbarten Elektroden.
la -iügenaatz zu «jiaer Voli.bii:ii #". ■- r- f .<*..*&}. auch eine
oder aei-jrere punk^f ömULgii Idöhtoa*,.. «κ sur ir*n»-tfang der
laäungespeiöherndim Obtir/'äche -r*r*^?i,r,*'it war-d«D.. Wuam
Modulation der Lichtstärke ergibt : λ atrsöu^uiie eines
909843/U5S
^ BAD ORIGINAL
- 22 entsprechenden Halbtonbildes.
ferner kann auch eine Vorrichtung zum Aufbringen von Ionen
in dem gewünschten Ladungsrauster vorgesehen sein. Beispielsweise können elektrostatische Ladungen durch eine Vorrichtung
der in der US-Patentschrift 3 023 731 beschriebenen Art aufgebracht werden. Insbesondere können die Schreibköpfe gemäß
Pig· 5 und 7 oder die Schriftzeichentrommel gemäß ?ig. 3
dieser Patentschrift in der dort beschriebenen Weise zum Aufbringen eines selektiven ionischen Ladungsmusters auf
die ladungsspeichernde Überfläche dor erfindungsgeeäßea
Speicheranordnung "verwendet werden« Bin Ladungamuster kann
ferner &.B>« durch Kor on*-Entladung mittels einer entsprechend
ausgebildeten llaake aufgebracht werden. Außerdem kann die in Hg« β der vorstehend genannten Patentschrift gezeigte
Korona-Entladungseinrichtung nacheinander längs vertikalen
und horizontalen Leitern bewegt werden, so daß an ausgewählten Verbindungspunkten eine Korona-Saission auftritt
und damit eine selektive Ladung von Teilen einer darunter liegenden. Speicheranordnung erreicht wird® Eine weitere Vorrichtung
zur Ablagerung des elektrostatischen Ladungsmusters
besteht in einer oder mehreren Einrichtungen zur pfunktförmigen
Korona-Entladung, mit denen eins Abtastung der ladungsepeichernden
Oberfläche durchgeführt wird. Die gleichzeitige Zuführung elektrischer Eingangssignale zu den Koronapunkten
mit der Ablagerung elektrostatischer Ladungen bewirkt entweder
909963/USg BAD ORIGINAL
eine Erzeugung oder eine Modifizierung eines Bildes auf der
elektrolumineezenten Speicheranordnung. Bai dieser Ausführung«-
form kann entweder daa Koronaeyetem oder die Speicheranordnung
selbst in «ine Abtastbewegung versetzt werden.
Das von der Speicheranordnung abgegeben· Bild kann modifiziert vrerden, indem das gespeicherte Ladungeeueter abgeändert
wird. Serartige Änderungen sind eine vollständige Neutrali- _
sation, «ine teilweise Neutralisation oder eine HinzufUgung
neuer Flächenladungen zu dem bereits vorhandenem Ladung·-
muster· . ' * ' '
Sie physikalischen Eigenschaften von Zinkoxid» Bleioxid
und Xadmitmoxid ermöglichen «ine Speicherung negativer ionischer Ladungsmuster auf der Oberfläche und eine Steuerung
des Stromflusses durch die Speicheranordnung mit dem Iadungsmuster ohne dessen Änderung. Negative Sauerstoffatome,
wie sie durch die Korona-Entladung oder die in der vorste- m
hend genannten Patentschrift beschriebene elektrostatische
Entladung erzeugt werden, sind zur Steuerung des Stromflusses geeignet. Es zeigte sich jedoch, daß die Ablagerung
von positiven ionischen Ladungsmustern keine Steuerwirkung zur Folge hat, da der Feldeffekt-Halbleiterstoff eine derartige Ladung auf seiner Oberfläche nicht hält. Äiteprechend
kann es erforderlich sein, eine Isolierstoffschicht auf die
Feldeffekt-Halbleiterschicht aufzubringen, wenn eine Steuerung
des Stromflusses durch Elektronen positiver .ionischer Ladung·-
muster erzielt werden soll·
909843/ USS BAD original
Das folgende Beispiel dient zum besseren Verständnis der Erfindung sowie deren Anwendung. Bs soll nicht einschränkend, sondern lediglich als Ausführungsform verstanden werden.
Eine Unterlage aus Plexiglas (Polymethylmethacrylat-Polyaer) mit ca. 15 x 15 cm Größe wird zunächst mit einer 1eitfähigen
Schicht aus 90 Gewichtsprozent Silberblättchen in einem Epoxyharzbindemittel überzogen. Nach der Aushärtung wird
ein Teil des Silberüberzuges entfernt, so daß Silberleitungen von 0,13 mm Breite und 1,3 mm Mittenabstand auf der
gesamten Oberfläch· zurückbleiben. Eine Schicht aus 80
Gewichtsprozent Indiumoxid (In2O,) in eine» Epoxybind·-
mittel wird dann auf die Oberfläch· aufgesprüht, so daß
sioh «in· Schicht von ca· 0,08 mm Stärk· ergibt« Kaoh der
Aushärtung wird di· Oberfläche mit «iner elektrolumineseentea
Sohicht aus 75 Gewichtaproetnt Zinksulfid in «in·* Ipoxybind«mitt*l bis zu einer Stärke von 0,08 mm aufgebracht.
Nach der Aushärtung wird ein Seil der Indiumoxidschicht und der Zinksulfidschicht entfernt, so daß Streifen aus
Indiumoxid mit darauf aufgebrachtem Zinksulfid von 0,65 mm Breite und 1,3 min Mittenabstand übrig bleiben, die zentrisch
auf den O913 mm breiten Silberleitungen angeordnet sind·
XL.-3 durch Entfernen von Teilen der Indiumoxidschicht und
der Zinksulfidschicht gebildeten Zwischenräume werden mit einem klaren Epoxyharz zur Bildung einer durchgehenden
flachen Oberfläche ausgefüllt· Die Oberfläch· wird dann
■--■ —' 9O0843/U56 BAD original
mit einer Feldeffekt-Halbleiteraohicht überzogen, die aua
90 $ ZinkoxLd-Pulver in einem Styrol-Butadien-Copolymerharz besteht· Schließlich werden die Silberleitungen an
den Kanten des Sichtfeldes abwechselnd untereinander verbunden, ao daß zwei Leitungsgruppen entstehen, an die die
Wechselspannungaquelle angeschaltet wird. Beim Betrieb beträgt die an di· Silber-Indiumoxidelektroden angeschaltete
Wechselspannung 600 ToIt, und es ergeben sich gespeicherte %
Bilder mit einer Leuchtdichte von 37 960 Stilb auf der Seite
der Peldeffekt-Halbleitersohicnt sowie von Oa* 29 200 Stilb
auf der Seite der Plastikunterlag·.
Die wf 1 nrhincsgemft Be Speicheranordnung wird in der in den
Patentanmeldungen US.Ser.Ho. 582 856 voa 29« September 1966
und US.Ser.Ho. 514 860 vom 20. Dezember 1965 beschriebenen
Weise verwendet· Beispielsweise kann sie als ein BUdsohlm
für eine Speicherröhre verwendet werden, wie sie in Pig. 9 M
der Patentanmeldung US.Ser.Ko. 562 856 dargestellt ist,
wobei vorzugsweise eine neutrale Unterlage wie z.B. Glas
und ein anorganischer Stoff als Bindemittel für das leitfähige Pulver verwendet wird. Auch kann die Speicheranordnung
in der dort beschriebenen Weise hergestellt sein.
Die Erfindung wurde an Hand vorzugsweiser Auaführungaformen
beschrieben, dem Pachmann sind jedoch weitere Ausführungabeispiele ohne Abweichung vom Grundprinzip der Erfindung
möglich. Beispielsweise körnen die undurchsichtigen Leiter
900143/14SS
1806238
in feinen, parallelen Vertiefungen innerhalb der Unterlage als Silbtrfüllungen oder entsprechend bemessene Drähte usw.
vorgesehen sein. Weitere Ausführungsformen können zur Anpassung an. verschiedenste Erfordernisse oder Bestandteile
verwirklicht werden, ohne vom Grundgedanken der Erfindung abzuweichen.
BAD
Claims (1)
- - 27 - ' Patentansprüche1. Elektrolumineszenzspeioher, gekennzeichnet durch eine unterlage(12) mit einer Anzahl schmaler, undurchsichtiger Leiter (11) auf ihrer einen Oberfläche, durch jeweils einen auf jeden Leiter (11) aufgebrachten leitfähigen Streifen (13), durch jeweils ein zwischen benachbarten Streifen (13) angeordnetes isolierendes Segment (15)» und durch einen auf jedem leitfähigen Streifen (13) aufliegenden elektrolumlneszenten Stoff (14), auf den eine Schicht (16) eines Feldeffekt-Halbleiters aufgebracht ist.2. Elekteolumlneszensapeieher nach Anepruoh I, dadurch gekennzeichnet, daß der elektrolumineszente Stoff (14) als Schicht ausgebildet ist, die auf den leitfähigen Streifen(13) und den isolierenden Segmenten (13) aufliegt.3. Eleictrolumineszenzspeicher nach Anspruch lr dadurch gekennzeichnet, daß der elektrolumineszente Stoff (14) aus jeweils einem auf jedem leitfähigen Streifen (13) liegenden Segment besteht, und daß diese Segmente (14) gleichfalls von den ihnen benachbarten Segmenten (14) durch die nichtleitenden Segmente (15) getrennt sind.4. Elektrolumineszenzspeicher nach einem der Ansprüche 1 bia 3, dadurch gekennzeichnet, daß jeder leitfähige Streifen (13) mit demjenigen Teil des undurchsichtigen909043/1416 bad originalLeiters (11) in Berührung steht, der der Unterlage (12) abge· wandt ist.5. Elektrolumineszenzspeicher nach einem der Ansprüche 1 bis 4» dadurch gekennzeichnet, daß die Leitfähigkeit eines jedes leitfähigen Streifens (13) zumindest zur Leitung eines
Stromes von dem mit ihm in Berührung stehenden undurohsichtigen Leiter (11) zu seiner Kante ausreicht·6. Elektrolumineszenzspeicher naoh einem der Ansprüche 1 Isis 5, dadurch gekennzeichnet, daß die Unterlage (12) und die leitfähigen Streifen (IJ) lichtdurchlässig sind.7* Elektrolumineszengispeicher naoh einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß die feldeffekt-Halbleitersohicht (16) lichtdurchlässig ist.8. Elektrolumineszenzspeicher nach einem der Ansprüche 1 bis7» dadurch gekennzeichnet, aaß ferner eine dünne, elektrisch isolierende Schicht auf der Feldeffekt-Halbleiterschicht
(16) vorgesehen ist.9. Elektrolumineszenzspeicher nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, daß die isolierende Schicht eine fotoleitfähige Isolierstoffschicht ist.10. Elektrolumineszenzspeicher nach einem der Ansprüche 1 bis.9, dadurch gekennzeichnet, daß die undurchsichtigen Leiter (11) dünnt, leitfähige Draht· sind.11. Elektrolumineazenzspeicher nach «inem der Ansprüche 1 bis 9, dadurch gekennzeichnet, daß die undurchsichtigen Leiter QJL) schmale Linien aus Silberfarbstoff sind·12· Elektrolumineszenzspeicher nach einem der Ansprüohe 1 bis 1I9 dadurch gekennzeichnet, daß die leitfähigen Streifen (13) aus einem in einem Kunstharzbindemittel dispergieren leitfähigen Pulver bestehen. *13· Elektrolumineszenzβρticher nach Anapruoh 12, daduroh gekennzeichnet, daß das leitfähige Pulver Zinkoxid 1st.Blektrolumineazenzspeicher nach Anspruch 12, daduroh gekenn zeichnet, daß das leitfähige Pulver Indiumoxid ist.15. Elektrolumineszenzspeicher nach einem der Ansprüche 12 bis 14, dadurch gekennzeichnet, daß das Kunstharzbindemittel ein Epoxyharz ist.16. Elektrolumineszenzspeicher nach einem der Ansprüche 12 bis 15, daduroh gekennzeichnet, daß die leitfähigen Streifen (13) 6Ό bis 95 Saw.-# leitfähiges Pulver ent-90 9843/USS bad orig.nau17· Elektrolumineszenzspeicher nach Anspruch 16, dadurch gekennzeichnet, daß die leitfähigen Streifen 80 bis 90 Gew.-# leitfähiges Pulver enthalten.18· Elektrolumineszenzspeicher nach einem der Ansprüche 1 Ma 17» dadurch gekennzeichnet, daß der Feldeffekt-Halbleiterstoff ein speichernder Feldeffekt-Halbleiterstoff ist.19· Elektroluminesztneepeiohtr naoh Anspruch 18, dadurch gekennzeichnet, daß der speichernde Feldeffekt-Halbleiterstoff Zinkoxid ist.20· Elektroluaineezenzspeicher nach Anspruch 18, dadurch gekennzeichnet, daß der speichernde Feldtffekt-Halbleiterstoff Bleioxid ist«21. Elektrolumineszenzspeioher nach Anspruch 18, dadurch gekennzeichnet, daß der speichernde Feldeffekt-Halbleiterstoff Kadmiumoxid ist.22· Elektrolumineszenzspeicher nach einem der Ansprüche 1 bis 7, dadurch gekennzeichnet, daß er eine zur Speicherung eines elektrostatischen Ladungsiausters geeignete Oberfläche hat, die nicht ein Teil der Unterlage (12) ist, und daß eine Vorrichtung zur Erzeugung eines elektrostatischen Ladungsmuaters auf dieser Oberfläche vorgesehen, ist.USSBAD ORIGINAL23. Elektrolumineszenzspeicher nach Anspruch 22, dadurch gekennzeichnet, daß die Vorrichtung zur Erzeugung eines elektrostatischen Ladungsmusters aus einer Einrichtung zur Erzeugung einer gleichmäßigen elektrostatischen Ladung auf der ladungsspeichernden Oberfläche und einer Einrichtung zur wahlweisen Entfernung eines Teils dieser Ladung btsteht.24· Elektrolumineszenzspeicher nach Anspruch 22, dadurch gekennzeichnet, daß die Vorrichtung zur Erzeugung eines elektrostatischen Ladungsmusters auf der ladungsspeichernden Oberfläche aus einer Einrichtung zur Ablagerung elektrostatischer Ladung in einem Bildmuster besteht·25· Slektroluminteienrspticher nach Anspruch 22, dadurch gekennzeichnet, daß die Vorrichtung zur Erzeugung eine· elektrostatischen ladungeoruetera auf der ladungsspeichernden Oberfläche aus einer evakuierten Speicherröhre mit dem Elektrolumineszenzspeicher als Bildfeld besteht, die eine Einrichtung zur Erzeugung eines Elektronenstrahls und eine Schreibvorrichtung zur Ausbildung eines elektronischen Ladungsmusters auf der ladungsspeichernden Oberfläche enthält.26. Elektrolumineszenzspeicher nach Anspruch 22, dadurch gekennzeichnet, daß der Peldeffekt-Halbleiterstoff (16) ein fotoleitfähiger Isolierstoff ist, und daß die Vorrichtung zur Erzeugung eines elektrostatischen Ladungsmusters eine Einrichtung zur gleichmäßigen Ladung der ladungsspeichernden909843/1456 badOberfläche und eine optische Einrichtung zur Bestrahlung der ladungsspeichernden Oberfläche mit elektromagnetischer Strahlung enthält, di· den fotöleitfähigen Feldeffekt« Haibleiterstoff (16) aktiviert.27. Elektrolumineszenzspeieher nach einem der Ansprüche 1 bis 21, dadurch gekennzeichnet, daß die Unterlage (12) mit einer Anzahl parallel zueinander verlaufender Vertiefungen versehen ist, die jeweils einen undurchsichtigen Leiter (11) enthalten· .26. Verfahren zur Erzeugung eines sichtbaren Bildes mit einem gemäß einem der Ansprüche 1 bis 27 ausgebildeten Blektrolumineszenzepeicher, dadurch gekennzeichnet, daß auf «umindest einem Teil der ladungsspeichernden Oberfläche ein elektrostatisches Ladungsbild erzeugt wird, und daß zwischen einander benachbarten Elektroden, die aus den undurchsichtigen Leitern (11) und den darüber liegenden leitfähigen Streifen (13) gebildet sind, über die Feldeffekt-Halbleiterschicht (16) und den elektrolumineszenten Stoff (14) ei» Stromfluß erzeugt wird.29· Verfahren nach Anspruch 28, dadurch gekennzeichnet, daß' der zwischen den Elektroden erzeugte Stromfluß zur Erzeugung einer Lumineszenz in denjenigen Teilen des elektroluain.eezenteh Stoffes (14) ausreicht, die unter den nicht geladenen Bereichen der ladungsspeichernden Oberfläche liegen.900843/ U66 bad ORteiNAL30. Verfahren nach Anspruch 28, dadurch gekennzeichnet, daß der zwischen den Elektroden erzeugte Stromfluß unter dem für eine Lumineszenz erforderlichen Wert liegt, und daß ein elektrostatisches Ladungsmuster mit einer dem Leitungstyp des Peldeffekt-Halbleiterstoffes entgegengesetzten Polarität auf die ladungsspelchemde Oberfläche aufgebracht, wird, so daß der Stromfluß zur Erzeugung einer Lumineszenz in denjenigen Teilen des elektrolumineszenten Stoffes verstärkt wird, die unter den elektrostatisch geladenen Flächenteilen der ladungsspeichemden Oberfläche liegen.31· Verfahren nach Anspruch 28, dadurch gekennzeichnet, daß ein Feldeffekt-Halbleiterstoff mit lotoleitfähigkeitseigenschaften verwendet wird und mit seiner Oberfläche di· Iadungsapeicherade Oberfläche des Slektrolumineszenzspeiohers bildet und daß das elektrostatische Ladungemuster durch gleichmäßige Aufladung der ladungsspeichemden Oberfläche und Entfernung eines Teils dieser Ladung durch Bestrahlung mit sensitivierender elektromagnetischer Strahlung erzeugt wird»32·. Yerfahren nach einem der Ansprüche 28 bis 31» dadurch gekennzeichnet, daß das elektrostatische Ladungsmuster mit negativ geladenen Ionen erzeugt wird·S09S43/US6180623833» Verfahren naoh eine» der Ansprüche 26 bis 31» dadurch gekenn· zeichnet, daß das elektrostatische Ladungeimister auf zumindest einem Teil der ladungsspeichernden Oberfläche durch modulierte Abtastung mit einem Elektronenstrahl erzeugt wird.• OMO/UfS
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