DE1803406A1 - Semiconductor disc etching - Google Patents
Semiconductor disc etchingInfo
- Publication number
- DE1803406A1 DE1803406A1 DE19681803406 DE1803406A DE1803406A1 DE 1803406 A1 DE1803406 A1 DE 1803406A1 DE 19681803406 DE19681803406 DE 19681803406 DE 1803406 A DE1803406 A DE 1803406A DE 1803406 A1 DE1803406 A1 DE 1803406A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- etching
- carrier plate
- bath
- semiconductor wafers
- volume
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000005530 etching Methods 0.000 title claims description 43
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 19
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 claims description 21
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 19
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 15
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 5
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 claims description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229960000583 acetic acid Drugs 0.000 claims description 3
- 239000012362 glacial acetic acid Substances 0.000 claims description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000002985 plastic film Substances 0.000 claims description 2
- 229920006255 plastic film Polymers 0.000 claims description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims 2
- 239000003518 caustics Substances 0.000 claims 1
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 6
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 4
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 3
- -1 polyethylene Polymers 0.000 description 3
- 229920000915 polyvinyl chloride Polymers 0.000 description 3
- 239000004800 polyvinyl chloride Substances 0.000 description 3
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 3
- 239000000725 suspension Substances 0.000 description 3
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 2
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000001066 destructive effect Effects 0.000 description 2
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 2
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 2
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 description 2
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 2
- 235000011121 sodium hydroxide Nutrition 0.000 description 2
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 2
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004115 Sodium Silicate Substances 0.000 description 1
- 235000013871 bee wax Nutrition 0.000 description 1
- 239000012166 beeswax Substances 0.000 description 1
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 229910052593 corundum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010431 corundum Substances 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 1
- LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N haloperidol Chemical compound C1CC(O)(C=2C=CC(Cl)=CC=2)CCN1CCCC(=O)C1=CC=C(F)C=C1 LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 229920001343 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 description 1
- 239000004810 polytetrafluoroethylene Substances 0.000 description 1
- 150000004760 silicates Chemical class 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- NTHWMYGWWRZVTN-UHFFFAOYSA-N sodium silicate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-][Si]([O-])=O NTHWMYGWWRZVTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052911 sodium silicate Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 239000001993 wax Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23F—NON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
- C23F1/00—Etching metallic material by chemical means
- C23F1/08—Apparatus, e.g. for photomechanical printing surfaces
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03B—APPARATUS OR ARRANGEMENTS FOR TAKING PHOTOGRAPHS OR FOR PROJECTING OR VIEWING THEM; APPARATUS OR ARRANGEMENTS EMPLOYING ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ACCESSORIES THEREFOR
- G03B21/00—Projectors or projection-type viewers; Accessories therefor
- G03B21/54—Accessories
- G03B21/64—Means for mounting individual pictures to be projected, e.g. frame for transparency
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Weting (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
Abstract
Description
Verfahren zum Ätzen von Halbleiterscheiben Es ist bekannt, Scheiben aus Halbleitersubstanzen, wie sie beispielsweise als Substrate für die Herstellung epitaktisch beschichteter Scheiben verwendet werden, chemisch zu ätzen. Process for etching semiconductor wafers It is known to use wafers from semiconductor substances, such as those used, for example, as substrates for manufacture Epitaxially coated wafers are used to chemically etch.
An die Ebenheit der Oberfläche solcher Scheiben werden sehr hohe Anforderungen gestellt. So darf die Oberfläche keine Kristallstörungen aufweisen und darf weder konkav noch konvex gewölbt sein.Very high demands are placed on the evenness of the surface of such panes posed. The surface must not and must not have any crystal defects be concave or convex.
Bei einer Halbleiterscheibe, die allseitig einem chemischen Angriff ausgesetzt ist, wird die Randzone durch die dort herrschenden Strömungsverhältnisse rascher abgetragen als die Scheibenmitte. Die Scheiben werden dadurch konvex gewölbt.In the case of a semiconductor wafer that is subject to chemical attack on all sides is exposed, the edge zone is affected by the prevailing flow conditions worn away faster than the center of the pane. As a result, the disks are curved in a convex manner.
Außerdem verhindern die auf der Oberfläche entstehenden Gasblasen teilweise einen weiteren Angriff der Itzflüssigkeit, so daß weitere Unregelmäßigkeiten auftreten.In addition, prevent the gas bubbles from forming on the surface partly a further attack of the Itziquid, so that further irregularities appear.
Es ist nun versucht worden, diesen Nachteilen dadurch zu begegnen, daß die Ätzlösung durch eine Düse auf die Scheibenoberfläche gespritzt wird. Die Scheibe wird dabei schnell gedreht, wodurch die Ätzflüssigkeit wieder abgeschleudert wird (vgl. österr. Patentschrift 218 571). Die nach diesem Verfahren behandelten Scheiben weisen jedoch teilweise konkav gewölbte Oberflächen auf.Attempts have now been made to counter these disadvantages by that the etching solution is sprayed through a nozzle onto the pane surface. the The disk is rotated quickly, causing the etching liquid to be thrown off again (cf. Austrian patent specification 218 571). Those treated by this procedure However, disks have partially concavely curved surfaces.
Weiterhin wird mit der DAS 1 190 291 eine Vorrichtung zum Ätzen von Halbleiterscheiben beschrieben. Dabei werden die Scheiben, die auf einer Welle gehaltert sind, im Ätzbad gedreht. Nachteilig bei dieser Arbeitsweise ist, daß die Ränder der Scheiben stärker von der Ätzflüssigkeit angegriffen werden, wodurch die Kanten ungleichmäßig verrundet werden.Furthermore, with the DAS 1 190 291 a device for etching of Semiconductor wafers described. The disks are held on a shaft are rotated in the etching bath. The disadvantage of this method of operation is that the edges of the panes are more strongly attacked by the etching liquid, causing the edges be rounded unevenly.
Es wurde nun ein Verfahren zum Ätzen von Halbleiterscheiben gefinden, das dadurch geke=Lzeichrlet ist, daß die zu ätzenden llalbleiterscheiben auf einer Trägerpiatte befestigt werden, der freie Raum zwischen den Halbleiterscheiben mit einer ätzbadfesten Masse bis zu derselben oder annähernd der gleichen Höhe wie die Halbleiterscheiben aufgefüllt und außerdem die rägerplatte in ein kreisförmig bewegtes Ätzbad außerhalb des Drehzentrums eingetaucht und mit einer von der Baddrehung unabhängigen Drehzahl um sich selbst gedreht wird, wobei die Drehachse der Trägerpiatte gegen die Badoberfläche sowie gegen die Strömuagsrichtung der Atzflüssigkeit unter einem Winkel von mindestens 45° und höchstens 80°, vorzugsweise 60°, geneigt ist, und anschließend gegebenenfalls in bekannter Weise mechanisch nachpoliert werden.A method for etching semiconductor wafers has now been found, The result is that the semiconductor disks to be etched are on a The free space between the semiconductor wafers is attached to the carrier plate an etching bath-proof mass up to the same or approximately the same height as the Semiconductor wafers filled up and also the carrier plate in a circular motion Etching bath immersed outside the center of rotation and with a bath that is independent of the rotation of the bath Speed is rotated around itself, with the axis of rotation of the support plate against the bath surface as well as against the direction of flow the etching liquid inclined at an angle of at least 45 ° and at most 80 °, preferably 60 ° and then, if necessary, mechanically repolished in a known manner.
Durch die erfindungsgemäßen, voneinander unabhängigen Drehungen sowohl des Ätzbades als auch der Trägerplatte und durch die Neigung der Drehachse der Trägerplatte gegen die Strömungsrichtung der Ätzflüssigkeit sowie gegen die Badoberfläche wird erreicht, daß an der Oberfläche der zu ätzenden Halbleiterscheibe keine bevorzugte Strömungsrichtung der Ätzflüssigkeit auftritt, die zu einem ungleichmäßigen Abtrag und dadurch bedingten Unebenheiten der Oberfläche führen kann.By the inventive, mutually independent rotations both the etching bath as well as the carrier plate and by the inclination of the axis of rotation of the carrier plate against the direction of flow of the etching liquid and against the bath surface achieved that on the surface of the semiconductor wafer to be etched no preferred Direction of flow of the etching liquid occurs, which leads to uneven removal and the resulting unevenness of the surface.
Ein weiterer Vorteil des beanspruchten Verfahrens besteht darin, daß störende Gasblasen an der Oberfläche der zu ätzenden Scheiben, die bei manchen Ätzflüssigkeiten besonders stark am Anfang des Ätzvorgangs auftreten, durch eine entsprechend hohe Drehzahl der Trägerplatte rasch und wirksam entfernt werden können. Anschließend wird die Ätzung bei nachlassender Gasentwicklung mit geringerer Drehzahl fortgesetzt.Another advantage of the claimed method is that disruptive gas bubbles on the surface of the panes to be etched, which with some etching liquids occur particularly strongly at the beginning of the etching process, due to a correspondingly high Speed of the carrier plate can be removed quickly and effectively. Afterward the etching is continued at a lower speed as the evolution of gas decreases.
Dem erfindungsgemäßen Ätzverfahren wird in manchen Fällen noch ein mechanischer Poliervorgang, beispielsweise mit Kieselsäuresuspensionen oder Suspensionen schwerlöslicher Silikate, angeschlossen.The etching process according to the invention is in some cases still a mechanical polishing process, for example with silica suspensions or suspensions sparingly soluble silicates attached.
Gegenüber den nur mechanischen Polierverfahren hat die Kombination aus chemischer Ätzung und anschließender Politur den Vorteil der Zeitersparnis, da der Ätzvorgang einige Minuten dauert, aber ein gleicher Abtrag durch mechanisches Polieren nur in Stunden erreicht werden kann.Compared to the only mechanical polishing process, the combination has from chemical etching and subsequent polishing the advantage of time savings, since the etching process takes a few minutes, but the same removal by mechanical means Polishing can only be achieved in hours.
Der freie Raum zwischen den Halbleiterscheiben auf der Trägerplatte wird durch ein Material ausgefüllt, das gegen das Ätzbad stabil ist. Dadurch können die Scheiben von der Ätzflüssigkeit lediglich von der Oberfläche her angegriffen werden.The free space between the semiconductor wafers on the carrier plate is filled with a material that is stable against the etching bath. This allows the wafers are attacked by the etching liquid only from the surface will.
Das Verfahren erlaubt es, auch definierte Verrundungen der Scheibekanten zu erzielen. In diesem Fall wählt man die Höhe der Masse zwischen den Scheiben um den gewunschten Eriimmungsradius der Rundung kleiner. Die Ätzflüssigkeit trägt dadurch die Kanten starker ab und rundet somit die Scheiben in definierter Weise ab.The process also allows defined rounding of the pane edges to achieve. In this case the height of the mass between the disks is changed the desired radius of curvature is smaller. The etching liquid carries through it the edges more strongly and thus rounds off the panes in a defined way.
Soll dagegen eine überhöhte Kante hergestellt werden, so wird die gewünschte überhöhung durch eine entsprechend höhere Masse zwischen den Scheiben erzielt.If, on the other hand, a raised edge is to be produced, the Desired elevation through a correspondingly higher mass between the panes achieved.
Zur Ausfüllung des Raumes zwischen den Halbleiterscheiben eignen sich vorzugsweise Kunststoffolien, beispielsweise solche aus Polyvinylchlorid, Polyäthylen, Polytetrafluoräthylen. Es können jedoch auch mit gutem Erfolg streichbare Massen eingesetzt werden, z.B.To fill the space between the semiconductor wafers are suitable preferably plastic films, for example those made of polyvinyl chloride, polyethylene, Polytetrafluoroethylene. However, it can also be used with good success on paintable masses be used, e.g.
Wachse und säurefeste Kitte wie etwa Mischungen aus härtenden Epoxydharzen und Siliciumcarbidpulver. Dabei wird - falls erforderlich - die überstehende Ausfüllmasse durch Planläppen entfernt, um so eine genaue Höhengleichheit mit der Halbleiterscheibenoberfläche zu erzielen.Waxes and acid-proof putties such as mixtures of hardening Epoxy resins and silicon carbide powder. If necessary, the protruding filler material removed by flat lapping, so as to ensure an exact level with the semiconductor wafer surface to achieve.
Die Trägerplatte wird vorzugsweise aus einem porendichten Graphit, Kunststoff oder Edelstahl hergestellt. Die Drehgeschwindigkeiten der Trägerplatte sind in weiten Grenzen variierbar.The carrier plate is preferably made of a non-porous graphite, Made of plastic or stainless steel. The rotational speeds of the carrier plate can be varied within wide limits.
Bevorzugt werden während der ersten 2 oder 3 Minuten des Xtzvorgangs Umfangsgeschwindigkeiten von 50 bis 100 cm/Sek. und während der restlichen Ätzzeit von 5 bis 30 cin/Sek.Preference is given to the first 2 or 3 minutes of the etching process Circumferential speeds of 50 to 100 cm / sec. and during the rest of the etching time from 5 to 30 cin / sec.
Die Strömungsgeschwindigkeit der Ätzflüssigkeit beträgt vorzugsweise 100 bis 200 cm/Sek.The flow rate of the etching liquid is preferably 100 to 200 cm / sec.
Als Ätzflüssigkeiten kommen die an sich bekannten Mischungen für die Ralbleiterätzung in Frage. Für Silicium ist ein Gemisch aus 4 bis 6 Vol.Teilen Salpetersäure (68g), 2 bis 4 Vol.Teilen Flußsäure (40 %ig), 2 bis 6 Vol.Teilen Eisessig und 0,5 bis 2 Vol.Teilen Schwefelsäure (98 %ig) besonders geeignet. Bei III-V-Verbindungen wie z.B. Galliumarsenid sind andere Ätzbäder von Bedeutung, so z.B. ein Gemisch aus 80 Vol.Teilen 5 %iger Natronlauge und 20 Vol.Teilen 30 %igem Wasserstoffperoxid.The mixtures known per se are used as etching liquids for the Conductor etching in question. For silicon, a mixture of 4 to 6 parts by volume is nitric acid (68g), 2 to 4 parts by volume of hydrofluoric acid (40%), 2 to 6 parts by volume of glacial acetic acid and 0.5 Up to 2 parts by volume of sulfuric acid (98%) are particularly suitable. For III-V connections such as gallium arsenide, other etching baths are important, such as a mixture from 80 parts by volume of 5% sodium hydroxide solution and 20 parts by volume of 30% hydrogen peroxide.
Die nach dem erfindungsgemäßen Verfahren geätzten Halbleiterscheiben weisen eine völlig ebene, gegebenenfalls definiert abgerundete oder erhöhte Kante und eine zerstörungsfreie Oberfläche auf und sind besonders für die epitaktische Beschichtung geeignet.The semiconductor wafers etched by the method according to the invention have a completely flat, possibly defined rounded or raised edge and a non-destructive surface and are especially for the epitaxial Coating suitable.
Beispiel 1 Von einem einkristallinen Siliciumstab werden Scheiben von 0,4 mm Dicke abgesägt und mit Korund-Läppulver von etwa 5 / Korngröße auf beiden Seiten geläppt, wobei etwa 50+ pro Seite abgetragen werden. Die Scheiben werden nach einer Reinigung auf eine runde, mit Kunststoff getränkte Graphitplatte von 180 mm und 20 mm Stärke mit Bienenwachs zusammen mit einer 0,3 mm dicken ebenen Folie aus Polyvinylchlorid aiekittet. In die Folie wurden vor dem Aufkitten Löcher eingestanzt, deren Durchmesser und Form genau dem Durchmesser der Silicinlmscheiben entsprechen. Die Trägerplatte wird nun auf das Ende einer Rührwelle aufgeschraubt. Das ätzbad, bestehend aus 5 Volumteilen konz. Salpetersäure (68 %ig), 2 Volumteilen 40 %iger Flußsäure, 3 Volumteilen Eisessig und 1 Volunteil konz.Example 1 Wafers are made from a monocrystalline silicon rod of 0.4 mm thickness sawn off and with corundum lapping powder of about 5 / grain size on both Sides lapped, with about 50+ removed per side. The discs will after cleaning on a round graphite plate impregnated with plastic from 180mm and 20mm thick with beeswax along with a 0.3mm thick flat Foil made of polyvinyl chloride aiekittet. Holes were made in the foil before cementing punched in, the diameter and shape of which exactly match the diameter of the silicon film correspond. The carrier plate is now screwed onto the end of a stirrer shaft. The etching bath, consisting of 5 parts by volume, conc. Nitric acid (68%), 2 parts by volume 40% hydrofluoric acid, 3 parts by volume of glacial acetic acid and 1 part by volume of conc.
Schwefelsäure (98 %ig), befindet sich in einem runden Behälter aus Polyvinylchlorid von 500 mm und 400 mm Höhe. Der Behälter ist auf eine Grundplatte montiert, die durch ein notorgetriebe mit einer Drehzahl von 90 Umdrehungen/Minute gedreht wird. Die Rührwelle mit der Trägerplatte wird nun unter einem Winkel von hO° gegen die Bad oberfläche sowie gegen die Strömungsrichtung der Ätzflüssigkeit geneigt und möglichst nahe am Rande des Behälters so weit in das Bad eingetaucht, daß die Trägerplatte vollständig in die Atzflüssigkeit eintaucht. Dabei wird die Trägerplatte zunächst mit einer Drehzahl von 100 Umdrehungen/Minute gedreht, nach 3 Minuten Ätzdauer wird die Drehgeschwindigkeit auf 30 Umdrehungen/Minute herabgesetzt. Nach. 10 Minuten wird die Trägerplatte aus dem Bad t*^nozzen nd der Ätzvorgang durch Eintauchen der Platte zunächst in konz Salpetersäure, anschließend in deionisiertes Wasser, unterbrochen. Die Scheiben zeigen nun eine für die epitaktische Beschichtung geeignete, hochglänzende, ebene und zerstörungsfreie Oberfläche und können durch Erwärmen der Trägerplatte von dieser abgelöst und weiterverarbeitet werden.Sulfuric acid (98%), is made in a round container Polyvinyl chloride of 500 mm and 400 mm high. The container is on a base plate mounted by a notor gear with a speed of 90 revolutions / minute is rotated. The agitator shaft with the carrier plate is now at an angle of hO ° against the bath surface and against the direction of flow of the etching liquid inclined and immersed in the bath as close as possible to the edge of the container, that the carrier plate is completely immersed in the etching liquid. The Carrier plate initially rotated at a speed of 100 revolutions / minute, after After 3 minutes of etching, the speed of rotation is reduced to 30 revolutions / minute. To. The carrier plate is taken out of the bath for 10 minutes and the etching process is carried out Dip the plate first in conc nitric acid, then in deionized water, interrupted. The disks now show one for the epitaxial Coating suitable, high-gloss, flat and non-destructive surface and can be detached and processed further by heating the carrier plate will.
Beispiel 2 Von einem einkristallinen Galllumarsenidstab werden Scheiben von 0,3 mm Dicke abgesägt und mit Rorund-Läppulver von etwa 5/4 Rorngröße auf beiden Seiten geläppt. Der läppabtrag beträgt etwa 5 pro Seite. Nach Entfernung von Läppulverspuren werden die Scheiben auf einer Edelstahlplatte von 150 mm und 8 mm Stärke zusammen mit einer 0,25 mm starken Polyäthylenfolie aufgekittet. Zur Politur wird die gleiche Anordnung wie in Beispiel 1 verwendet. Das Ätzbad besteht aus 80 Volumteilen 5 %iger Natronlauge und 20 Volumteilen 30 %igem Wasserstoffperoxid. Die Ätzung erfolgt wie oben beschrieben. Die Ätzdauer beträgt 10 Minuten. Danach wird die Träge: platte herausgenommen und mit deionisiertem Wasser gründlich Fespül Anschließend wird die Folie abgezogen und mit einer Natriumsilikatsuspension auf einem Polierteller weitere 5 µ mechanisch abpoliert.Example 2 Disks are made from a monocrystalline gall lumbar arsenide rod Cut off 0.3 mm thick and with round lapping powder of about 5/4 rorn size on both Lapped sides. The lap removal is around 5 per side. After removing traces of lapping powder the discs are put together on a stainless steel plate of 150 mm and 8 mm thickness cemented with a 0.25 mm thick polyethylene film. The same is used for polishing Arrangement as used in example 1. The etching bath consists of 80 parts by volume of 5% Caustic soda and 20 parts by volume of 30% hydrogen peroxide. The etching is done like described above. The etching time is 10 minutes. Then the inertia: plate taken out and rinsed thoroughly with deionized water Foil peeled off and further with a sodium silicate suspension on a polishing plate 5 µ mechanically polished.
Die Scheiben sind unmittelbar für den epitaktischen Aufwachsprozeß geeignet.The wafers are ready for the epitaxial growth process suitable.
Claims (5)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE19681803406 DE1803406C3 (en) | 1968-10-16 | Process for etching semiconductor wafers and using this process |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE19681803406 DE1803406C3 (en) | 1968-10-16 | Process for etching semiconductor wafers and using this process |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE1803406A1 true DE1803406A1 (en) | 1970-05-21 |
| DE1803406B2 DE1803406B2 (en) | 1975-12-18 |
| DE1803406C3 DE1803406C3 (en) | 1976-07-29 |
Family
ID=
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE1179803B (en) * | 1962-02-27 | 1964-10-15 | Gevaert Photo Prod Nv | Self-adhesive sealing tape for fixing a film roll on a narrow film spool |
| DE4116392A1 (en) * | 1991-05-18 | 1992-11-19 | Itt Ind Gmbh Deutsche | Holding device for wet etching one side of semiconductor wafer - having circular support body with central window pressure contact wafer and bayonet locking disc |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE1179803B (en) * | 1962-02-27 | 1964-10-15 | Gevaert Photo Prod Nv | Self-adhesive sealing tape for fixing a film roll on a narrow film spool |
| DE4116392A1 (en) * | 1991-05-18 | 1992-11-19 | Itt Ind Gmbh Deutsche | Holding device for wet etching one side of semiconductor wafer - having circular support body with central window pressure contact wafer and bayonet locking disc |
| DE4116392C2 (en) * | 1991-05-18 | 2001-05-03 | Micronas Gmbh | Holder for one-sided wet etching of semiconductor wafers |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE1803406B2 (en) | 1975-12-18 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| DE4021044C2 (en) | ||
| DE10060697B4 (en) | Double-sided polishing method with reduced scratch rate and apparatus for carrying out the method | |
| DE4316096C1 (en) | Process for the wet chemical treatment of disk-shaped workpieces | |
| DE19746706A1 (en) | Silicon solar cell production | |
| DE2007865C2 (en) | Method and apparatus for polishing a silicon surface | |
| DE3148957C2 (en) | Method for producing rear-surface-impaired semiconductor wafers | |
| DE1216651B (en) | Process for the polishing removal of monocrystalline semiconductor bodies, in particular semiconductor wafers | |
| DE102017215047A1 (en) | WAFER AND METHOD FOR EDITING A WAFER | |
| DE1496594B1 (en) | Process for etching mechanically flattened surfaces of silicon dioxide objects to produce optically flat surfaces | |
| DE69006870T2 (en) | Device for covering a flat surface with a layer of uniform thickness. | |
| DE1803406A1 (en) | Semiconductor disc etching | |
| DE1803406C3 (en) | Process for etching semiconductor wafers and using this process | |
| DE2249142A1 (en) | METHOD OF POLISHING GALLIUM ARSENIDE SURFACES | |
| DE2441352A1 (en) | METHOD OF POLISHING ZINC SELENIDE | |
| DE2643750A1 (en) | METHOD FOR ETCHING SEMICONDUCTOR DISCS, IN PARTICULAR FOR SOLAR CELLS, AND DEVICE FOR CARRYING OUT THIS PROCESS | |
| DE2139017A1 (en) | Method and device for chemical etching of surfaces | |
| EP0264679A1 (en) | Method of applying a bevelled edge contour to a semiconductor wafer | |
| DE1521794A1 (en) | Apparatus for chemical polishing of semiconductor wafers | |
| DE10302611B4 (en) | Polished semiconductor wafer and method for its production and arrangement consisting of a semiconductor wafer and a shield | |
| DE102004063066B4 (en) | Apparatus and method for wafer leveling | |
| DE1096502B (en) | Process for the production of semiconductor arrangements with a single crystal base | |
| DE3435138A1 (en) | Improvement to a method for separating semiconductor components which are obtained by breaking semiconductor wafers | |
| DE1521728B2 (en) | Process for chemical polishing of semiconductor crystals | |
| DE102013204830B4 (en) | Method and apparatus for treating a semiconductor wafer with an etching medium | |
| DE2237825C3 (en) | Process for cleaning sawn semiconductor wafers and its use for cleaning silicon wafers |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C3 | Grant after two publication steps (3rd publication) | ||
| E77 | Valid patent as to the heymanns-index 1977 | ||
| EHJ | Ceased/non-payment of the annual fee |