DE1774861C - A storage device comprising at least one magnetic film element - Google Patents

Description

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Pie Erfindung betrifft eine Speicheranordnung mit mindestens einem magnetischen lilnielemenl /tun Speichern von binären Digits, mit eiii-in Paar ühereinaiulerliegender, dünner Filme von untcrschiedlieher KoLT/iiivkrafi. und mit an den beiden Breitseiten des lilmpaares anliegenden, flachen, bandartigen Leitern, über die dem Filiiinaar /um Einschreiben der Digits ein starkes Magnetfeld und /um Auslesen ein schwaches Magnetfeld aufpiägbar ist.The invention relates to a memory arrangement with at least one magnetic lilnielemenl / do Storage of binary digits, with eiii-in pairs overlying, thin films of different coLT / iiivkrafi. and with on the two broad sides of the pairs of flat, ribbon-like ladders, over which the filiiinaar / um inscribe the digits a strong magnetic field and / to readout a weak magnetic field can be applied.

Aus der li.SA.-Patentschrifi .1125 743 isl ein m magnetisches Speicherelement aus zwei dünnen I-linien bekannt, das niehtlösend ausgelesen werden kann. Auf einer Unterlage aus Glas sind übereinander zwei dünne ferromagnetische l'ilme aufgebracht, die durch eine nichtmagnetische Schicht aus Magnesiumlluorid voneinander getrennt sind. Der eine IiIm isi vorzugsweise fünfmal dicker und weist daher eine vveseiiilich höhere Koer/:' vkr.ift als der andere Film auf. Mit »lieseni Filmpanr sind drei Hache, haiulariige I eiter induktiv gekoppelt, die seillich über the I lime hinaus- 2α rauen, damil bei /uführung eines I reihslroines 111 ilen I ihnen ein möglichst gleichfi'iriniges Magnetfeld aufgebaut wird. Die Leiter können ein/ein oder gemeinsam auf einer oiler beiden Seilen des I-ilmpaares ungeordnet sein und mit den I-'linien vorzugsweise einen Stapel bilden. Die drei Leiter einsprechen hinsichtlich ihrer I nnklion den drei Wicklungen der an sich bekannten !-errit-Ringkerne, über die diese im Koin/idui/verfaliren betrieben werden. Durch gleichzeitige Stromimpiilse von 600 ιτιΛ in zwei Leitern wird tlas betreffende Speicherelement innerhalb einer Matrix ausgewählt und in dieses eine binäre Fins eingeschrieben. Zum Einschreiben einer Null wird dem dritten Leiter gleichzeitig ein Blockicrstrom zugeleitet. Da sich die beiden übereinanderliegenden I-'ilnie in einem parallelen magnetischen Kreis befinden, bewirkt jede magnetische Kraftänderung im dickeren Film mit der hohen Koerzitivkraft eine Remancnzänderting des dünneren Filmes. Um die binäre F.ins aus dem Filmpaar auszulesen, werden den beiden Leitern Leseströme von etwa 200 mA in der Richtung zugeleitet, in der die Magnetisierung des dünneren Filmes umgekehrt wird, während der magnetische Zustand des dickeren Filmes wegen der zu geringen Stromstärke unverändert bleibt. Infolgedessen entsteht im dritten Leiter ein Signal, das Von einem angeschlossenen Abtastverstärker wahrgenommen wird. Sobald die Leseströme endigen, dreht der dickere Film mit der hohen Koerzitivkraft die Magnetisierung des dünneren Filmes in ihre Richtung vor dem Anlegen der Lcscströme zurück, Wodurch ein weiterer Impuls, aber von entgegengesetzter Polling, im dritten Leiter iiidu/icrt und vom Abtastverslürkei wahrgenommen wird. Falls in das I ilnipaar eine binäre Null eingeschrieben war. stimmt die Richtung des von den l.eseströnien hervorgerufenen Magnetfeldes mit der Magnctisicrungsrichtung des dünneren Filmes übcrcin, wodurch dieser lediglich weiter in die Sättigung gelrieben wird und im dritten I eiter nur ein vcrnachlässigbarcs Ausgangssignal auftritt.From the li.SA. patent specification. 1125 743 isl a m magnetic storage element made up of two thin I-lines known that can be read out non-releasingly. On a base made of glass, two thin ferromagnetic films are applied one on top of the other, which pass through a non-magnetic layer of magnesium luoride are separated from each other. The one IiIm is preferably five times thicker and therefore has a vveseiiilich higher Koer /: 'vkr.ift than the other film on. With “Lieseni filmpanr are three things, sharky ones inductively coupled, which ropes beyond the I lime- 2α rough, damil at the execution of an I series routine 111 I give them a magnetic field that is as uniform as possible is being built. The leaders can be one / one or together be disordered on one of the two ropes of the I-ilm pair and preferably with the I-lines form a stack. With regard to their inclusion, the three conductors speak to the three windings of the an known! -errit toroidal cores through which these are operated in Koin / idui / Veraliren. By simultaneous Stromimpiilse of 600 ιτιΛ in two conductors becomes tlas relevant memory element is selected within a matrix and in this a binary fins enrolled. To write a zero, a blocking current is fed to the third conductor at the same time. Since the two superimposed lines are in a parallel magnetic circuit, every change in magnetic force in the thicker film with the high coercive force causes one Remanufacturing of the thinner film. To read the binary F.ins from the film pair, the Read currents of around 200 mA are fed to both conductors in the direction in which the magnetization of the thinner film is reversed, while the magnetic state of the thicker film is reversed because of the low amperage remains unchanged. As a result, a signal arises in the third conductor that Is perceived by a connected sense amplifier. As soon as the reading streams end, the thicker film with the high coercive force turns the magnetization of the thinner film into theirs Direction back before the application of the currents, creating a further impulse, but from the opposite direction Polling, on the third conductor iiidu / icrt and from Sampling versatility is perceived. If a binary zero was written in the I ilnipaar. Right the direction of that evoked by the Eseströnien Magnetic field with the magnetic direction of the thinner film, whereby this only is driven further into saturation and in the third If only a negligible output signal occurs.

Dieses vernachlassigbare, den O-Zusland angebende Signal ist eine Besonderheit beim niehtlöscnden Auslesen der Filmpaare. F.inc wcilere Besonderheit besieht darin, daß der IiIm mit der hohen Koer/.itivkraft die Rückstellung des Magnetisierungsvektors im zweiten dünneren Film (mit geringer Koerzitivkraft) η seine Ausgangslage nach dem Abschalten der Leseströme unabhängig davon bewirkt, wie weit dieser Vektor seine Ausgangslage tutsachlich verlassen hat. Dementsprechend kann der Magnetisieruiigsveklor des dünneren Filmes (mit der geringen Koerzitivkraft) von den Leseströmen bis zu 1KO" aus der Ausgangslage herausgedreht werden, so dall nach dem Ende der Leseströme das den 1-Zustand angehende Signal eine erheblich größere Amplitude aufweist, als wenn die Riickdrehung nur üher kleinere Winkel erfolgen könnte, wie es vom nichtlöschenden Auslesen eines ein/einen dünnen Filmes her bekannt ist.This negligible, indicating the O-Zusland Signal is a peculiarity in the non-detachable reading of the film pairs. F.inc wcilere peculiarity This means that the IiIm with the high Koer / .itivkraft the restoration of the magnetization vector in the second thinner film (with low coercive force) η its starting position after switching off the read currents regardless of how far this vector has actually left its starting position. Accordingly, the Magnetisieruiigsveklor of the thinner film (with the low coercive force) of the read currents up to 1KO "from the initial position are unscrewed, so that after the end of the read currents, the signal going to the 1 state has a considerably larger amplitude than if the backward rotation only takes place via smaller angles could, as is known from the non-erasable readout of a thin film.

(ieniäß der Zeitschrift »IBM Technical Disclosure Bulletin«, Vol. 4, Nr. 6 (November 1%I), S. 39, kann ein einfaches, dünnes, ferromagnetisches Filmelement niclitlöschend ausgelesen werden, wenn die Trcihleiiung in einem Winkel von 30" zur leichten Magiieiisierungsachse des Elementes angeordnet ist. Von der Vorderllanke eines positiven Treihstromiiiipulscb winl der Magnetisierungsvektor um etwa 35
nach der Treibleitung hin aus der leichten Achse herausgedreht. Von der nachfolgenden Rückflanke diese-, Impulses, die durch die Vorderllankc eines sieh unmittelbar anschließenden Impulses von negativer Polung verlängert wird, wird der ausgelenkte Magnetisierungsvektor in die leichte Achse zurückiind in einem zusätzlichen Winkel von etwa 35 über die Achse hinausgetrieben, wobei ein starkes Ausgangssignal erhalten wird. Am Ende des zweiten Impulses von negativer Polung kehrt der Magnetisieriingsvektor wieder in seine Ausgangslage in der leichten Achse zurück. Die das Ausgangssignal herbeiführende Drehung des Magnetisierungsvektors ist also auf einen Winkel von 70 bis 80" beschränkt, der in Abhängigkeit von der Ausgangslage innerhalb der leichten Achse (0- oder 1-Zustand) in der einen oder anderen Richtung durciiiaufen wird, gemäß der das Ausgangssignal die eine oder andere Polung aufweist.(According to the magazine "IBM Technical Disclosure Bulletin", Vol. 4, No. 6 (November 1% I), p. 39, a simple, thin, ferromagnetic film element can be read out non-erasably if the transmission is at an angle of 30 " The magnetization vector is about 35 from the front flank of a positive three-phase current pulse
after the driveline turned out of the easy axis. From the following trailing edge of this pulse, which is lengthened by the leading edge of an immediately following pulse of negative polarity, the deflected magnetization vector is driven back into the easy axis at an additional angle of about 35 over the axis, with a strong output signal being obtained will. At the end of the second negative polarity pulse, the magnetizing vector returns to its starting position in the easy axis. The rotation of the magnetization vector causing the output signal is therefore limited to an angle of 70 to 80 "which, depending on the initial position, is carried out in one or the other direction within the easy axis (0 or 1 state) according to which the output signal has one or the other polarity.

Von einem Speicherelement aus einem einzelnen dünnen, ferromagnetischen Film her ist das »löschende« Auslesen bekannt, ein Vorgang, bei dem die Leseströme den Magnetisierungsvektor so beeinflussen, daß der das binäre Digit wiedergebende Speicherzustand nach dem Auslesen weder wiederhergestellt wird noch sonstwie erkennbar ist. Gemäß der Zeitschrift »British Communications and Electronics«, (Juni 1961), S. 436 bis 438, werden die einzelnen dünnen, ferromagnetischen Filmelemente in einer Matrix derart angeordnet, daß ihre leichten Achsen einen kleinen Winkel zum Treibleiter einnehmen; die beiden stabilen Zustände des Magnetisierungsvektors längs dieser leichten Achse stellen dabei die beiden binären Digits dar. Zum Auslesen wird durch die Treibleiter ein Stromimpuls hindurchgeschickt, von dessen Magnetfeld die Magnetisierungsvektoren unabhängig davon, ob sie den 1- oder 0-Zustand wiedergeben, in eine vorgegebene Richtung gedreht werden, wodurch in den Abtastleitungcn in Abhängigkeit vom 1- oder 0-Zustand ein positiver bzw. negativer Tmpuls entsteht, der dem Abtastverstärker zugeführt wird. In dem Augenblick, in dem das Magnetfeld aus dem Treibleiter verschwindet, fällt der Magnetisierungsvektor in allen Filmen auf dem kürzesten Wege in die leichte Achse zurück, so daß das eine zuvor in den Filmen gespeicherte binäre Digit nicht mehr vom anderen unterschieden werden kann. The "erasure" reading out of a storage element made of a single thin, ferromagnetic film is known, a process in which the reading currents influence the magnetization vector in such a way that the storage state reproducing the binary digit is neither restored nor otherwise recognizable after reading out. According to the magazine "British Communications and Electronics", (June 1961), pp. 436 to 438, the individual thin, ferromagnetic film elements are arranged in a matrix such that their easy axes assume a small angle to the conductor; The two stable states of the magnetization vector along this easy axis represent the two binary digits. For reading, a current pulse is sent through the drive conductor, from whose magnetic field the magnetization vectors, regardless of whether they represent the 1 or 0 state, are converted into a predetermined one Direction are rotated, whereby a positive or negative pulse arises in the scanning lines depending on the 1 or 0 state, which pulse is fed to the scanning amplifier. At the moment when the magnetic field disappears from the conductor, the magnetization vector in all films falls back on the shortest path in the easy axis, so that one binary digit previously stored in the film can no longer be distinguished from the other.

Der Lrlindung liegt die Aufgabe zugrunde, das Filmelement der eingangs bezeichneten Art in derThe purpose of the Lrlinden is to make the film element of the type described in the introduction

Weise weiterzubilden, daß zum Auslesen drei .stabile Zustände zur Verfugung stehen, damit es wahlweise nichtlöschend bzw. löschend ausgelesen werden kann.Way to further train that for reading three .stable States are available so that it can be read out either non-erasing or erasing.

Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß dadurch gelöst, daß an der dem Filmpaar abgewendeten Seite des einen Leitersein weiteres Filmpaarder bezeichneten Art derart angebracht ist, daß dem Leiter der Film mit geringer Koerzitivkraft des einen Paares u\k\ der Film mit hoher Koerzitivkraft des an deren Paares unmittelbar benachbart sind, daß an der äußeren Breitseite des weiteren Filmpaares ein dritter, bandartiger Leiter anliegt, der gemeinsam mit dem zweiten Leiter senkrecht zu dem von den Filmpaaren umhüllten ersten Leiter verläuft und mit dem zweiten Leiter elektrisch verbunden ist, und daß die leichten Achsen aller Filme zueinander parallel und in einem Winkel zur Längsrichtung des zweiten und dritten Leiters schräg gestellt sind, der gleich oder größer als der Dispersionswinkel ist.This object is achieved according to the invention in that on the side of the one conductor facing away from the film pair, another film pair of the type designated is attached in such a way that the conductor is directly connected to the film with low coercive force of one pair and the film with high coercive force of the other pair are adjacent that on the outer broad side of the further film pair rests a third, ribbon-like conductor, which runs together with the second conductor perpendicular to the first conductor covered by the film pairs and is electrically connected to the second conductor, and that the easy axes of all films are parallel to each other and inclined at an angle to the longitudinal direction of the second and third conductor, which is equal to or greater than the dispersion angle.

Das Filmelement gemäß der Gründung weist die bereits genannten Besonderheiten des Filmelementes der eingangs bezeichneten Art auf und kann darüber hinaus wahlweise nichtlöschend bzw. löschend ausgelesen werden, weil die Magnetisierung seiner Filme insgesamt drei stabile Zustände einnehmen kann.The film element according to the foundation has the special features of the film element already mentioned of the type described at the outset and can also be read out either non-erasing or erasing because the magnetization of his films can assume a total of three stable states.

Im Betrieb werden von einer Schreibimpulsquelle die VVortleitungen mit Schreibimpulsen von einer so großen Stärke, daß die Filme mit der hohen Koerzitivkraft in der Querrichtung gesättigt werden, und mit Leseimpulsen von einer geringeren Stärke gespeist, bei der sie nicht die Filme mit der hohen Koerzitivkraft umschalten; ferner werden von einer weiteren Steuerimpulsquelle der Bit/Abtastleitung steuernde Impulse zugeführt, die die Magnetisierung der Filme über einen stumpfen Winkel zur leichten Achse hin zurücklenken, damit der Speicher nichtlöschend betrieben werien kann.In operation, the V-forward lines are from a write pulse source with write pulses from a so great strength that the films are saturated with the high coercive force in the transverse direction, and with Read pulses fed by a lower strength, at which they do not affect the films with the high coercive force switch; furthermore, controlling pulses are provided by a further control pulse source of the bit / scanning line which deflect the magnetization of the films back towards the easy axis via an obtuse angle, so that the memory can be operated in a non-erasable manner.

Ausführungsbeispiele der Erfindung sind in der Zeichnung dargestellt und werden im folgenden näher erläutert. Es stellt darEmbodiments of the invention are shown in the drawing and will be described in more detail below explained. It shows

F i g. 1 einen Grundriß eines Speicherelementes der Speicheranordnung gemäß der Erfindung,F i g. 1 shows a plan view of a storage element of the storage arrangement according to the invention,

Fig. 2 und 3 Querschnitte durch das Element der F i g. 1 längs der Linien 2-2 bzw. 3-3,Fig. 2 and 3 cross sections through the element the F i g. 1 along lines 2-2 or 3-3,

F i g. 4 und 5 eine schematische Darstellung der Verfahrcnsschritte bzw. die Querschnitte durch ein Element nach den F i g. 1 bis 3 in den verschiedenen Herstellungsstufen,F i g. 4 and 5 is a schematic representation of the cross-sections or Verfahrcnsschritte g by an element according to F i. 1 to 3 in the various stages of manufacture,

F i g. 6 bis 8 die Blenden, die im Herstellungsverfahren der F i g. 4 und 5 benutzt werden, F i g. 6 to 8 the diaphragms that are used in the manufacturing process of FIG. 4 and 5 are used,

F i g. 9, 10, 11 und 14 das Speicherelement in der löschenden bzw. nichtlöschenden Arbeitsweise,F i g. 9, 10, 11 and 14 the memory element in the erasing or non-erasing mode of operation,

Fig. 12 und 13 Signalwellenzüge, die bei diesen Betriebsweisen auftreten undFigs. 12 and 13 signal wave trains used in these Operating modes occur and

Fig. 15 ein Speichersystem in Form von Blöcken, das gleichzeitig sowohl löschend als auch nichtlöschend arbeiten kann. Fig. 15 shows a memory system in the form of blocks which can operate both erasure and non-erasure at the same time .

In den F i g. 1 bis 3 ist ein einzelnes Element 10 der Speicheranordnung gemäß der Erfindung für einen Datenspeicher im Grundriß und Querschnitt dargestellt. Es ist auf einer Glasunterlage 24 ausgebildet und weist eine Bit/Abtastleitung Maus Kupfer auf, unter der und über der sich je zwei dünne, magnetische Filme 30, 32 bzw. 34, J6 befinden. Die Filme 30 und 34 besitzen eine niedrige Koerzitivkraft und die Filme 32 und 36 einen höheren Wert der Koerzitivkraft. Der Umriß der Filme ist gleich, und die Filme sind breiter als die Kupferleitung 20, so daß überstehende Bereiche 12 und 14 vorhanden sind, die den magnetischen Flußweg rund um den Leiter schließen. Die leichten Achsen der Filme liegen in einer Richtung 28, die um einen kleinen Winkel aus der Senkrechten zur Leitung 20 hinaus gedreht ist. Die dünnen, magnetischen Filme sind durch fsolieischit-'hten aus Siliciummoiioxid voneinander getrennt, und C'hromschichten sind zwischen den Kupfer- und Isolierschichten eingelegt, um die Adhäsion zu verbessern. In the F i g. 1 to 3, a single element 10 of the memory arrangement according to the invention for a data memory is shown in plan and cross-section. It is formed on a glass support 24 and has a bit / scan line mouse copper, under and over which two thin, magnetic films 30, 32 and 34, J6 are located. Films 30 and 34 have a low coercive force, and films 32 and 36 have a higher value of coercive force. The contour of the films are the same and the films are wider than the copper line 20 so that there are protruding areas 12 and 14 which close the magnetic flux path around the conductor. The easy axes of the films lie in a direction 28 that is rotated a small angle from normal to conduit 20. The thin, magnetic films are separated from one another by foils made of silicon dioxide, and layers of chromium are sandwiched between the copper and insulating layers to improve adhesion.

Das Element wird mit Hilfe eines Vakuumniederschlagsverfahrens hergestellt, dessen aufeinanderfolgende Verfahrensschritte in der Blockdarstelluiig der F i g. 4 wiedergegeben sind, und das außerdem Sehritt für Schritt mit Hilfe von Querschnitten durch den teilweise vollendeten Schichtenaufbau in der F i g. 5 anschaulich gemacht ist. Die F i g. 6 bis ,S zeigen Blenden, die (' . Grenzen der verschiedenen Schichten festsetzen.The element is manufactured using a vacuum deposition process, the successive of which Process steps in the block diagram of FIG. 4 are reproduced, and that too Step by step with the help of cross-sections through the partially completed layer structure in the F i g. 5 is made clear. The F i g. 6 bis, S show apertures which ('. Limits of the various Lay down layers.

In dem zu beschreibenden Beispiel \sird das nach den F i g. 1 bis 3 konstruierte Element 10 auf einer Unterlage 26. die aus einem ebenen Glasplättchcn von 0.15 mm Dicke besteht, im Vakuuniniederschlagsverfahren aufgebaut. Das Plättchen wird zuerst gründlich gereinigt und vorbereitet, wie es bei solchen Prozessen üblich ist, in eine Hülle gelegt, die anschließend evakuiert wird, und die nachfolgenden Schichten werden in den folgenden Schritten aufgebracht, die in den F i g. 4 und 5 dargestellt sind.In the example to be described this \ s is after the F i g. 1 to 3 constructed element 10 on a base 26. which consists of a flat glass plate from 0.15 mm thick, using the vacuum deposition process built up. The platelet is first thoroughly cleaned and prepared, as is the case with such Processes is common, placed in a shell, which is then evacuated, and the subsequent layers are applied in the following steps shown in Figs. 4 and 5 are shown.

A) Unter Verwendung einer Blende 60 (F i g. 6) mit einer rechtwinkligen öffnung 62 wird der Film 30 aus einer Legierung von etwa 81 % Nickel und 19% Eisen in einer Dicke von annähernd 2000 Ä niedeigeschlagen; seine Koerzitivkraft beträgt etwa 4 Oersted, und seire leichte Achse 28 ist gegenüber der Senkrechten zur Längsausdehnung der öffnung 62 (F i g. 6) etwas schräg gestellt.A) Using a diaphragm 60 (FIG. 6) with a right-angled opening 62, the film 30 made of an alloy of approximately 81% nickel and 19% iron is deposited to a thickness of approximately 2000 Å; its coercive force is about 4 Oersted, and seire easy axis 28 is (F i g. 6) relative to the perpendicular to the longitudinal extent of the opening 62 slightly slanting.

B) Über diesem Film 30 wird unter Anwendung derselben Blende 60 eine Isoiierschicht 40 aus Siliciummonoxid in einer Dicke von 1500 A niedergeschlagen.B) Using the same screen 60, an insulating layer 40 of silicon monoxide is deposited over this film 30 to a thickness of 1500 Å.

C) Mit Hilfe derselben Blende 60 wird auf diese Schicht der weitere Film 32 aus einer anderen magnetischen Legierung von etwa 2000 A Dicke aufgebracht, die aber aus 76% Nickel, 20% Eisen, 4% Kobalt zusammengesetzt ist und eine Koerzitivkraft von etwa 16 Otrsted hat; ihre leichte Achse zeigt in die Richtung 28 der F i g. 1.C) With the help of the same screen 60, the further film 32 made of another magnetic alloy of about 2000 Å thickness is applied to this layer, but which is composed of 76% nickel, 20% iron, 4% cobalt and a coercive force of about 16 Otrsted has; their easy axis pointing in the direction 28 of the F i g. 1.

D) Eine die Diffusion verhindernde Schicht 42 aus Siliciummonoxid von etwa 5000 Ä Dicke wird mit derselben Blende 60 niedergeschlagen. D) A diffusion-preventing layer 42 of silicon monoxide approximately 5000 Å thick is deposited with the same screen 60.

E) Unter Anwendung einer Blende 70, die zwei rechtwinklige öffnungen 72 für das Element 10 aufweist, werden Chromschichtcn 44 und 45 von etwa 500 A Dicke aufgebracht, damit für die im nächsten Schritt angewendeten Kupferstreifen eine haftende Grundlage entsteht.E) Using a screen 70, the two right-angled openings 72 for the element 10 Chromschichtcn 44 and 45 of about 500 Å thick are applied so that for The copper strips used in the next step create an adhesive base.

F) Mit derselben Blende 70 werden auf diese Schichten 44 und 45 zwei Anschlußstrei/en 22 und 24 aus Kupfer von etwa 40000 A Dicke niedergeschlagen.F) With the same screen 70, two connecting strips 22 and 24 are placed on these layers 44 and 45 deposited from copper about 40,000 Å thick.

i) Eine weitere Schicht 46 aus Chrom von etwa Winkel β schräg gestellt, der größer als der Dispersions-i) Another layer 46 of chromium inclined at an angle of approximately β , which is greater than the dispersion

5000 A Dicke wird wieder mit der gleichen winkel χ der dünnen, magnetischen Filme ist.5000 A thickness is again at the same angle χ of the thin magnetic films.

Blende 70 aufgebracht. Das Element wird von einer Wortleitung eingehüllt.Aperture 70 applied. The element is enveloped by a word line.

die aus einem oberen Leiter 9Oo und einem unterenmade up of an upper ladder 90o and a lower ladder

f) Mit Hilfe einer Blende 80 (Fig. 8), deren recht- _s Leiter 90/> besteht, die an einem Ende durch einenf) With the help of a screen 80 (Fig. 8), the right-hand _s conductor 90 /> consists, which at one end by a

winklige Öffnung 82 schmaler als die Öffnung 62 streifen 90c verbunden sind. An die Wortleitung istangled opening 82 narrower than the opening 62 strips 90c are connected. To the word line is

der Blende 60 ist. wird die Kupferleitung 20 _eine |_mpu|squelle 92 angeschlossen, die ein pul-the aperture is 60 . the copper line 20 _{becomes a} | _mpu | squelle 92 connected, which has a pulse

von etwa 400000 Λ Dicke aufgebracht, die als _sj_erendes Magnetfeld in der Querrichtung //, aufbaut.applied from about 400,000 Λ thickness //, builds as _{he s} j magnetic field in the transverse direction.

Bit/Abtastleitung im fertigen Speicher dient. Außerdem dient eine Stromquelle 98 dem AufbauBit / scan line in the finished memory is used. In addition, a power source 98 is used for the construction Die Leitung überlappt die Anschlußstreifen 22 _{l0 von} Magnetfeldimpulsen H_t in der Längsrichtung,The line overlaps the connecting _{strips 22 l0 of} magnetic field pulses H _t in the longitudinal direction,

und 24 derart, daß sich längs der gesamten EIe- _Mjt j_er Bit/Abtastleitung 20 ist ein mit Gatter ver·and 24 such that along the entire EIe _Mjt j _er bit / scan line 20 there is a gate ver.

mentreihe ein durchlaufender Leiter bildet. sehener Verstärker 104 verbunden, der dem Aus- ment series forms a continuous ladder. see amplifier 104 connected to the output

I) Eine weitere Schicht 48 aus Chrom von 500 A ^les5ⁿ ΪΜ^_Γ?^1Α?Μ«2ιΙΪΓ!?.^β«^ίθη w*"I) Another layer 48 of chrome of 500 A ^les 5 ⁿ ΪΜ ^ _Γ ? ^ 1Α? Μ «2ιΙΪΓ!?. ^β « ^ίθη w *"

Dicke wird mit der Blende 60 aufgebracht. _f$ ^JfSL Z Λ dSÄ^ ^SiAThickness is applied with the aperture 60. _{f $} ^ JfSL Z Λ dSÄ ^ ^ SiA

J) Über dem Chrom wird mit Hilfe derselben werden kann. Entweder kann es löschend oder nichtBlende 60 eine die Diffusion verhindernde löschend ausgelesen werden, oder es kann einen Teil Schicht SO aus Silieiummonoxid von etwa 5000 A eines umstellbaren Speichers bilden, in dem einige Dicke angebracht. Bereiche nichtlöschend und andere löschend arbeiten.J) Above the chrome will be made using the same. Either it can be read out erasingly or not Layer SO of silicon monoxide of about 5000 A form a convertible memory in which some Thickness attached. Work non-erasing areas and erasing others.

*o Diese verschiedenen Anwendungsmöglichkeiten seien* o These are various possible uses

K) Ben nochmaliger Benutzung derselben Blende 60 nun gesondert erläutert.K) Ben repeated use of the same aperture 60 is now explained separately.

wird der ferromagnetische Film 34 von annähernd Die nichtlöschende Arbeitsweise des Elementesthe ferromagnetic film 34 becomes approximately the non-quenching operation of the element

2000A Dicke mit der Zusammensetzung von kann an Hand der Fig. 10 bis 12 verfolgt werden.2000A thickness with the composition of can be followed with reference to FIGS. 10 to 12.

81·/, Nickel und 19·/, Eisen und mit einer Ko- Um in das Element eine Null einzuschreiben, wird81 · /, nickel and 19 · /, iron and with a Ko- To write a zero in the element, will

erzitivkraft von etwa4 Oersted aufgebracht, wobei _{a5 V}on der Impulsque'ne 92 auf die Wortleitung einapplied force of about 4 oersteds, where _a5 from the pulse que'ne 92 on the word line

die leichte Achse in die Richtung28 der F i g. 1 Impuls** gelegt, der ein impulsförmiges Magnetfeldthe easy axis in the direction 28 of FIG. 1 pulse ** placed, which is a pulse-shaped magnetic field

zeigt. von solcher Stärke hervorbringt, daß die dünnen.indicates. of such strength that the thin ones.

. _. . . , ,. .. .. ... ,. . magnetischen Filme in der Querrichtung 2-2 gesättigt. _. . . ,,. .. .. ...,. . Magnetic films saturated in the transverse direction 2-2

^L) SE .^m*S™^USK !, ¹⁵⁰^f! ⁵ ,J° m α werden. Wenn der Impuls aufhört, fällt die Magnet.-1500 A Dicke w.rd w.eder mit derselben Blende ^ _{sjerung def F)|me 32} ^ ^ _{mj| def} ^_{n Koe}* _|(|V. ^L) SE . ^m * S ™ ^USK !, ¹⁵⁰ ^ f! ⁵ , J ° m α . When the impulse ceases, the magnet. -1500 A thickness w.rd w. Each with the same aperture _{setting def F) | me 32} ^ ^ _{mj | def} ^ _{n Koe} * _{| (| V.}

60 niedergeschlagen. _{kraft jn dic Richtung der} |_{eichten Achse} 28 (gegen 60 dejected. _{by virtue of the direction of the} | _{calibrated axle} 28 (against

M) Der weitere Film 36 aus einem ferromagnetischen den Uhrzeigersinn in F i g. 9) zurück, da dir Orientie-Material von 2000 A Dicke mit der angenäherten ™"g der Achse um den Winkel β gegenüber der Zusammensetzung von 76·/, Nickel. 20·/, Eisen Längsrichtung die magnetische Drehung in dieser und 4·/, Kobalt und mit einer Koerzitivkraft 35 Richtung vorzugeben sucht. Das auf den Film mn von etwa 16 Oersted wird aufgetragen, wobei die der hohen Koerzitivkraft zurückzuführende Fei leichte Achse wie zuvor gerichtet ist. *"^rk« *>"* ^dlc angrenzenden Filme mit geringer κ- M) The further film 36 made of a ferromagnetic clockwise in FIG. 9) back, because the Orientie material of 2000 Å thickness with the approximate ™ "g of the axis at the angle β compared to the composition of 76 · /, nickel. 20 · /, iron longitudinal direction the magnetic rotation in this and 4 · / , Cobalt and with a coercive force of 35. This is applied to the film mn of about 16 oersted, with the easy axis attributable to the high coercive force being directed as before. * " ^Rk « *>"* ^dlc adjacent films with lower κ-

erzitivkraft ein und bringt ihre Magnetisierung ι. <<an excitatory force and brings its magnetization ι. <<

N) Schließlich wird eine Isolierschicht 54 aus Si- antiparallele Ausrichtung. Die Magnetisierung der liciummonoxid von etwa 2500 A Dicke durch die 4» Filme ist folglich so. wie in F ι g. 10 gezeigt ist. die Blende 60 hindurch auf den obersten magnetischen Filme 32 und 36 von hoher Koerzitivkraft sind d.iN Film 36 aufgebracht. in derselben Richtung längs der leichten Aciise und N) Finally, an insulating layer 54 is made of Si anti-parallel alignment. The magnetization of the silicon monoxide of about 2500 Å thickness through the 4 »films is consequently like this. as in FIG. 10 is shown. The aperture 60 on the uppermost magnetic films 32 and 36 of high coercive force are deposited on the iN film 36. in the same direction along the light Aciise and

die Filme 30 und 34 mit der geringen Koerzitivkraft films 30 and 34 with the low coercive force

Bei der Ausführung dieses Verfahrens soll ver- in derselben Richtung, aber entgegengesetzt zu der mieden werden, daß zwei Elemente ein gemeinsames 45 der Schichten mit der hohenKoerzitivkr.iftmagnctisiett magnetisierbares Material aufweisen, da die Silicium- Im in das Element eine Fms einzuschreiben, -.ird When carrying out this method, it should be avoided in the same direction, but opposite to that, that two elements have a common 45 of the layers with the high coercive force, since the silicon Im to write an Fms in the element. earth

monoxidschichten dazu neigen, Sprünge und röhren- der Impuls aus der Impulsquelle 92 wie zu\or rigclegt. förmige Löcher zu entwickeln, und eine elektrische dieser Impuls % (F ι g. 12) bringt die Magnetisierung Verbindung durch die magnetischen Schichten könnte der Filme in der Querrichtung zur Sättigung, .iber einen Abschnitt des Speichers kurzschließen. Ferner- 50 bevor dieser Impuls endigt, wird ein Impuls IWl hin soll die Menge an magnetischem Material in den von der Stromquelle 98 aus der Bit Abtastleitung 20 überstehenden Bereichen 12 und 14 möglichst gering- zugeleitet. Beim Verschwinden des Impulses ift <si gehalten werden, da diese einen Lberbrückungsweg ein magnetisches Restfeld in der Längsrichtung vorfür das quer verlaufende Trcibfcld bilden, das sonst handelt, das auf den Impuls 100 zurückzuführen ;-t. durch den aktiven Abschnitt der dünnen Filme hin- 55 der die Magnetisierung der Filme längs der leichter durchgehen würde. Achse 23 zurücklenkt: die iiSer der leitung 2( Monoxide layers tend to crack and tubular impulse from the pulse source 92 as too \ or rigclegt. Shaped holes develop, and an electrical pulse of this% (Fig. 12) brings the magnetization connection through the magnetic layers, could short-circuit the films in the transverse direction to saturation, .over a section of the memory. Furthermore, before this pulse ends, a pulse IW1 is supplied to the amount of magnetic material in the areas 12 and 14 protruding from the current source 98 from the bit scanning line 20 as little as possible. When the pulse disappears, ift <si must be maintained, since this forms a bridging path, a residual magnetic field in the longitudinal direction in front of the transverse direction, which otherwise acts, which can be traced back to the pulse 100 . by the active portion of the thin films which would make it easier for the magnetization of the films to pass along it. Axis 23 steers back: the iiSer of line 2 (

Nun sei die Betriebsweise des Speicherelemeiites 10 liegenden Filme 34 und 36 werden dabei in die eim in Verbindung mit der F i g. 9 erläutert. d;e eine ver- Richtung und die Filme unterhalb det I eiium: 2( cinfachtc Ansicht eines Teils des Elementes ist. in ir, die andere Richtung gelenkt, llicrduuh entsteh' der nur die aktiven Komponenten und ihre Ver- 60 ein Bild der Magnetisicrungsvektorcn. das mi F i c. 1! bindiingen dargestellt sind. zu sehen ist. in dem der Film 30 mit geringer k*>crzitivNow let the operation of the memory element 10 lying films 34 and 36 are in the eim in connection with FIG. 9 explained. d; e a ver direction and the films below det I eiium: 2 ( cinfachtc is a view of part of the element. in ir, steered the other direction, llicrduuh arise which only the active components and their 60 an image of the magnetization vectors. the mi F i c. 1! bindings are shown. you can see. in which the film 30 with low k *> crcitive

In der F" i g. 9 ist die Bit Ahtastlcilung 20 von den kraft und der Film 32 mit der hohen Kocr/imkiaf dünnen, magnetischen Filmen 30. 32. 34 und 36 um- in der einen Richtung und der Film 34 mit tier geringei geben, deren leichte Achsen in der Richtung 28 Koerzitivkraft und der Film 36 mit der hohen Ko iiegeu. Linien 2-2 und 3-3 seien ak Quer- bzw. Längs- β- crzitivkraft in der anderen Richtung magnetisiert sind richtung angeschen, und die Achse 28. die die Richtung I in die gespeicherte Information auszulesen, führG in the F "i. 9 is the bit thin Ahtastlcilung 20 of the force and the film 32 with the high Kocr / imkiaf, magnetic films 30, 32. 34 and 36 environmentally in the one direction and the film 34 with animal geringei give, whose easy axes in the direction 28 coercive force and the film 36 with the high Koiiegeu.Lines 2-2 and 3-3 are ak transverse and longitudinal β-crzitivkraft are magnetized in the other direction, and the Axis 28. read the direction I into the stored information, lead

einer mittleren leichten Achse .Un der dünnen Filme die Impulsqueile 92 der Wortleitung einen Foe darstellt, ist zur Längsrichtung um einen kleinen impuls 102 zu: wenn dieser einsetzt, öffnet ein slroboa middle easy axis .Un of the thin film, the pulse source 92 of the word line represents a foe, is to the longitudinal direction around a small pulse 102 : when this begins, a slrobo opens

Claims (5)

•kopistlicr Impuls 106 das Gatter des Verstärkers 104. Gemäß l· ig. 15 kann in einem Speicher eine Reihe• Copistical pulse 106 the gate of the amplifier 104. According to lig. 15 can be a number in a memory |>er l.cscinv_tuils 102 hui eine weil kleinere Amplitude von Elementen kombiniert werden, von denen einige|> er l.cscinv _t uils 102 hui a because smaller amplitude of elements are combined, some of which •Is die Sehreibimpulse94 und 96 und beeinflußt die in einem gegebenen Zeitpunkt löschend und andere• Is the visual frictional impulses 94 and 96 and influences those at a given point in time, canceling and others Magnetisierung der Filme .12 und 36 mit der hohen nichllöschend arbeiten.Magnetization of films .12 and 36 with the high non-quenching function. Koerzitivkraft nicht. Im Nullzusland der I i g. K) 5 NunseiendieSpcichcrelemcntcin Kcihcnangcordnct,Coercive force not. In the zero country of the I i g. K) 5 Now be the pcichcrelemcntcin Kcihcnangcordnct, Iτ? er auch nur eine geringe Wirkung auf die Magncti- die in der ΛΎ-Ebene liegen, wie durch die Koordinalcn-Iτ? it also has only a slight effect on the magnitudes which lie in the ΛΎ-plane, as lieriing der Filme 30 und 34 mit der geringen Koerzitiv- darstellung rechts in der Fig. 15 gezeigt ist. fiin lieriing of the films 30 and 34 with the low coercive representation is shown on the right in FIG. fiin jeraft und antiparallclcn Magnetisierung stark bc- Speicher 120 ist aus einem Stapel dieser Reihen auf- Jeraft and antiparallel magnetization strongly bc memory 120 is made up of a stack of these series. finflußt werden. Im nichtlöschenden I-Zustand der gebaut, wobei die Wortleitungen in der Z-Riehtungbe flowed. In the non-erasable I state the built, with the word lines in the Z direction ·' i g. 11 sind jedoch die Magnetisierungsvektoren der io hindurchgehen und in jeder Speichefebene mit einem· 'I g. 11, however, are the magnetization vectors of the io going through and in each memory plane with a •ilme mit der geringen Koerzitivkraft weniger stark Element verbunden sind. Alle Ebenen enthalten eine• They are less strongly connected to the element with the low coercive force. All levels contain one jetninden, so daß die Magnetisierung in die Quer- einzige Bit/A blasleitung 20 (fig. 9), die allen EIe-jetninden, so that the magnetization in the transverse single bit / A blow line 20 (fig. 9), which all EIe- ifehtung gedreht wird, was einen beträchtlichen Lese- menten der Ebene gemeinsam ist und am einen Endeis rotated, which is common to a considerable number of readers of the plain, and at one end fnpuls in der Bit/Abtaslleilung 30 ergibt, der vom an einem Wähler 121 für die Bitlreiher und am anderenfnpuls in the bit / section 30 results in the from on a selector 121 for the bit series and on the other Verstärker 104 wahrgenommen wird. 15 Ende am Abtastverstirker und Wähler 124 ange-Amplifier 104 is perceived. 15 at the end of the sampling amplifier and selector 124 Nachdem der siroboskopische tmpuls 106 vorüber schlossen ist. Das Kästchen für die Wähler 122 bzw.After the siroboscopic pulse 106 has passed. The box for voters 122 resp. Ui, aber während der Leseimpuls noch anliegt, wird 124 der Fig. IS enthält die Impulsquellen 98 und Ui, but while the read pulse is still present, 124 of FIG. IS contains the pulse sources 98 and from Impulsgenerator 98 noch ein Impuls in Längs- die mit Gatter versehenen Abtastverstärker 104 derfrom pulse generator 98 another pulse in the longitudinal gated sampling amplifier 104 of the (richtung der Bit/Abtastleitung 20 zugeführt, der als Γ i g. 9.(Direction of the bit / scan line 20 supplied, which is called Γ i g. 9. llückstellimpuls 108 wirkt. Dieser übt keine Wirkung *o Ein Wähler 128 der Wortlreiber, der die Impuls-Reset pulse 108 is effective. This has no effect * o A selector 128 of the word driver, which the impulse fctif die stark gebundenen Filme mit der geringen quellen 92 der F i g. 9 enthält, ist derart ausgebildet,fctif the strongly bound films with the low swelling 92 of FIG. 9 contains, is designed in such a way that koerzitivkraft aus, wenn gerade eine Null gespeichert daß einige Abschnitte von ihm für einen unterschied·coercive force from when a zero has just been stored that some sections of it for a difference Hl; aber im Falle einer Fins lenkt er die Magncti- liehen Beirieb gewählt werden können, so daß sichHl; but in the case of a Fins he directs the Magncti- borrowed operations can be chosen so that fcierungsvektoren der Filme mit der geringen Koerzitiv- entweder hei der nichtlöschenden Arbeitsweise dieThe vectors of the films with the low coercivity or the non-erasing mode of operation I raft in ihre ursprüngliche Richtung längs der leichten 15 Schreib- und Lese-/R0ckstelIimpulse nach der F i g. 12I raft in its original direction along the light 15 write and read / reset pulses according to FIG. 12th Achse 28 zurück, wodurch das Element in seinen oder bei der löschenden Arbeitsweise die Lese- undAxis 28 back, whereby the element in his or the erasing mode of operation, the reading and ursprünglichen 1-Zustand zurückgestellt wird. Schreibimpulse der Fig. 13 ergeben. Ein Sneicher-original 1-state is reset. Write pulses of FIG. 13 result. A sneezer Die löschende Arbeitsweise des Speichertementes steuergerät 126 ist vorgesehen, das die ArbeitsweiseThe erasing mode of operation of the storage element control unit 126 is provided, which is the mode of operation nach F i g. 9 sei nun in Verbindung mit den F i g. 11,13 der Einheiten 122. 124 und 128 vorgibt,according to FIG. 9 is now in connection with the F i g. 11.13 of units 122, 124 and 128 specifies, und 14 erklärt. 30 Ww nun angenommen sei, soll ein Abschnitt 120aand 14 explained. 30 Ww is now assumed, a section 120a Bevor die Digits in dieser Weise gespeichert werden, des Speichers 120 nichtläschend und ein weitererBefore the digits are stored in this way, the memory 120 non-erasing and one more ist eine vorausgehende Operation notwendig, bei der Abschnitt 1206 löschend betrieben werden. Für diesena previous operation is necessary in which section 1206 is operated to be erased. For this im Element ein Magnetisierungszustand aufgebaut Zweck muß ein entsprechender Teil 128a des Wählersa state of magnetization built up in the element purpose must have a corresponding part 128a of the selector wird, der mit dem im nichtlöschenden Betrieb auf- 128 der Worttreiber derart arbeiten, daß sich nicht-working with the word driver in non-erasing mode in such a way that Iretenden 1-Zustand gemäß der Fig. 11 identisch ist. 35 löschende Worttreibsignale gemäß der Fig. 12 er-Iretenden 1-state according to FIG. 11 is identical. 35 erasing word drive signals according to FIG. Nach der F ig. 13 geschieht dies dadurch, daß von der geben, während ein anderer Teil 128Λ löschende According to fig. 13 this happens because of the giving, while another part 128Λ deleting Impulsquelle 92 der Impuls 96 auf die Wortleitung Worttreibsignale herbeiführen muß, die in dc F i g. 13Pulse source 92, the pulse 96 on the word line must bring about word drive signals which are shown in FIG. 13th und der Steuerimpuls 100 von der Stromquelle 98 angegeben sind.and control pulse 100 from current source 98 are indicated. auf die Bit/Abtastleitung 20 gelegt wird, sobald der Zu Anfang bewirkt das Speichersteuergerät 126,is placed on the bit / scan line 20 as soon as the At the beginning causes the memory controller 126, in der Querrichtung wirkende Impuls aufgebaut ist. 40 daß die notwendigen Steuersignale dem Teil 128/) desacting in the transverse direction impulse is built up. 40 that the necessary control signals to the part 128 /) of the Wenn der letztere abklingt, fällt die Magnetisierung Wählers 128 der Worttreiber zugeführt werden, wo-When the latter dies away, the magnetization of selector 128 falls to be fed to the word driver, where- in den Zustand der Fig. 11 zurück, wie bereits be- durch ein nichtlöschendcr 1-Schreibimpuls96 (Fig.back to the state of FIG. 11, as already indicated by a non-erasing 1 write pulse96 (FIG. schrieben ist. 12) entsteht, während das Steuergerät auch bewirkt.is written. 12) arises while the control unit also effects. Sobald das Element in dieser Weise vorbereitet ist, daß der Wähler 122 für die Bittreiber in angemessenenOnce the element is prepared in this way, the voter 122 for the bit driver in appropriate erfolgt das löschende Lesen und Schreiben mit einem 45 Zeitahständen die Impuls« 100 (Fig. 13) in denthe erasing reading and writing takes place with a 45 time interval the pulse «100 (Fig. 13) in the Impuls 112 bzw. 112a von einer Amplitude, die so Bitleitungen hervorbringt, wodurch der Abschnitt 120Λ Pulse 112 or 112a of an amplitude that so produces bit lines, whereby the section 120Λ gering ist. daß die Magnetisierung der Filme 32 und 36 des Speichers in den nichtlöschenden 1-Zustand ge-is low. that the magnetization of the films 32 and 36 of the memory is in the non-erasable 1 state mit der hohen Koerzitivkraft nicht umgeschaltet winJ. bracht wird.with the high coercive force not toggled winJ. is brought. lim den mit Gatter versehenen Verstärker 104 zu AnschiieOend wirkt das Spcithcrsteuerceräl 12i lim provided with the gate amplifier 104 to the AnschiieOend acts Spcithcrsteuerceräl 12i #ffnen. wenn der Lese'/Schreibimpuls 112α aufgebaut 50 auf den Teil 128Λ des Wählers der Worttreiber und#open. when the read '/ write pulse 112α built 50 on the part 128Λ of the selector of the word driver and frird. wird ein stroboskopischer Impuls 118 heran- den Wähler 122 der Bittreiber, so daß sie die lese-; frird. If a stroboscopic pulse 118 approaches the selector 122 of the bit driver, so that they can read the; geführt, und ein Steuerimpuls 114 oder 116 bzw. 114a Schreibimpulse 112 bzw. 112a und die Steuerimpulse out, and a control pulse 114 or 116 or 114a write pulses 112 or 112a and the control pulses •der 116o der einen oder anderen Polung wird dann 114 und 114a oder 116 und 116a hervorbringen, damil• the 116o of one or the other polarity will then produce 114 and 114a or 116 and 116a , damil <er Bit'Abtastleitung 20 zugeführt, um die Magneti- der Speicherabschnitt 1206 löschend arbeitet. Das<he bit 'scanning line 20 is supplied to the magneti- the memory section 1206 works erasing. The lierung der Filme mit der geringen Koerzitivkraft 55 Steuereerät 126 beeinflußt auch den Abschnitt 128i lation of the films with the low coercive force 55 controller 126 also affects the section 128i In der einen oder anderen Richtung in die leichte des Wählers der Worttreiber und den. Wähler ί2ΐIn one direction or the other in the easy way of choosing the word driver and the. Voter ί2ΐ Achse 28 zurückzulenken. Bei jedem Lese-ZSchreib- der Bittreiber, damit sie die Schreibimpulse 94 und 96Axle 28 to steer back. With every read ZWrite the bit driver so that it sends the write pulses 94 and 96 tyklus wird nur die Magnetisierung der Filme mit die Lese-ZRückstellimpuIse 102 und die Bitimpulsc 1OX The only cycle is the magnetization of the films with the read reset pulse 102 and the bit pulse 1OX geringer Koerzitivkraft gedreht; die Amplitude der und 108 gemäß der Fig. 12 erzeugen, wobei dcilow coercive force rotated; generate the amplitude of and 108 according to FIG. 12, where dci Lesc-ZSchreibimpuke 112 und 112a ist dabei so gering. 60 Abschnitt 120a des Speichers nichtiöschend arbeiterLesc-ZSchreibimpuke 112 and 112a is so small. 60 Section 120a of the memory non-extinguishing worker daß die Filme 32 und 36 mit der hohen Koerzitiv- kann, wie in Verbindung mit der F i g. 12 erläutert ist Itraft nicht über einen beträchtlichen Winkel gedrehtthat the films 32 and 36 with the high coercive can, as in connection with FIG. 12, Itraft is not rotated through a significant angle herden. Der Magnetisierungszustand der verschie- Patentansprüche:
«lenen Filme nach dem löschenden Schreiben einerflocks. The magnetization state of the various patent claims:
«Read films after writing a deletion Null oder Hirs ist in der F i g. 14 bzw. 11 veranschau- 65 1. Speicheranordnung mit mindestens einenZero or Hirs is in the fig. 14 and 11 illustrate 65 1. Storage arrangement with at least one licht: wie bemerkt sei, ist der löschende !-Zustand magnetischen Filmelemcnt zum Speichern voi light: as noted, the erasing! state is magnetic film element for storing voi mit dem bereits erläuterten nichtlöschenden 1-Zustand binären Dipits. mit einem Paar übereinanderwith the already explained non-erasing 1-state binary dipits. with a couple on top of each other identisch. liegender, dünner Filme von unterschiedlicheidentical. lying, thin films of different Koerzitivkraft und mit an den beiden Breitseiten des Filmpaarcs anliegenden, flachen, bandartigen Leitern, über die dem Filmpaar zum Einschreiben der Digits ein starkes Magnetfeld und zum Auslesen ein schwaches Magnetfeld aufprägbar ist, dadurch gekennzeichnet, daß an der dem Filmpaar (39, 32) abgewendeten Seite des einen Leiters (20) ein weiteres Filmpaar (34, 36) der bezeichneten Art derart angebracht ist, daß dem Leiter (29) der Film (32) mit hoher Koerzitiv kraft des einen Paares und der Film (34) mit geringer Koerzitivkraft des anderen Paares unmittelbar benachbart sind, daß an der äußeren Breitseite des weiteren Filmpaares (34, 36) ein dritter, bandartiger Leiter (9Od) anliegt, der ge- is meinsnm mit dem zweiten Leiter (90b) senkrecht zu dem von den Filmpaaren umhüllten ersten Leiter (20) verläuft und mit dem zweiten Leiter (90Λ) elektrisch verbunden ist, und daß die leichten Achsen (Ma) alter Filme (30,32,34, 36) zueinander parallel und in einem Winkel (/?) zur Längsrichtung (3-3) des zweiten und dritten Leiters (9ib und 9De) schräj gjsullt sind, der gleich oder größer als der Dispersionswinkel (x) ist.Coercive force and with flat, band-like conductors lying on the two broad sides of the film pair, via which a strong magnetic field can be impressed on the film pair for writing in the digits and a weak magnetic field for reading out, characterized in that the film pair (39, 32) faces away from the film pair Side of the one conductor (20) another pair of films (34, 36) of the specified type is attached in such a way that the conductor (29) has the film (32) with high coercive force of one pair and the film (34) with low coercive force of Another pair are immediately adjacent that on the outer broad side of the further film pair (34, 36) a third, ribbon-like conductor (90d) rests, which is common to the second conductor (90b) perpendicular to the first conductor encased by the film pairs (20) and is electrically connected to the second conductor (90Λ), and that the easy axes (Ma) of old films (30,32,34, 36) are parallel to each other and at an angle (/?) To the longitudinal direction (3- 3) of the second and third conductors (9ib and 9De) are oblique, which is equal to or greater than the dispersion angle (x) . 2. Speicheranordnung nach dem Anspruch t, dadurch gekennzeichnet, daß der Leiter (20) als leitende, dünne Schicht ausgebildet und als Bit/ Abtastleitung verwendbar ist, daß zum Schließen des magnetischen Flußweges rund um den Leiter (20) Bereiche (12, 14) der Filme seitlich über den Leiter (20) hinausragen, und daß die Filme von einer Wortleitung aus dem zweiten und dritten Leiter (906 und 90a) umhüllt sind.2. Memory arrangement according to claim t, characterized in that the conductor (20) as conductive, thin layer is formed and can be used as a bit / scan line that for closing of the magnetic flux path around the conductor (20) areas (12, 14) of the films laterally across the Conductor (20) protrude, and that the films of a word line from the second and third Head (906 and 90a) are sheathed. 3. Speicheranordnung nach dem Anspruch 2, dadurch gekennzei ehrtet, daß eine Impuhquelle(92) an die Wortleitung (90) angeschlossen ist, der Schreibimpuls (94, 96) von so großer Stärke zuführbar sind, da" die Filme (32, 36) mit der hohen Koerzitivkraft in der Querrichtung (2-2) sättigbar sind, und der ferner Leseimpulse (120) von so geringer Stärke zuleitbar sind, daß die Filme (32,36) mit der hohen Koerzitivkraft nicht umgeschaltet werden, und daß eine weitere Impulsquelle (98) an die Bit/Abtastleitung (20) angeschlossen ist, der zur RUcksteuerung der Magnetisierung der Filme über einen stumpfen Winkel zur leichten Achse (Ma) Steuerimpulse (100, 108) ziifülirbar sind.3. Memory arrangement according to claim 2, characterized gekennzei honors that a pulse source (92) is connected to the word line (90), the write pulse (94, 96) of such great strength can be supplied that "the films (32, 36) with the high coercive force in the transverse direction (2-2) are saturable, and the read pulses (120) of so low strength can also be fed that the films (32,36) with the high coercive force are not switched, and that a further pulse source (98) is connected to the bit / scanning line (20), which control pulses (100, 108) can be used to control the magnetization of the films back via an obtuse angle to the easy axis (Ma). 4. Speicheranordnung nach dem Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß von der an die Bit/Abtastleitung (20) angeschlossenen tmpulsquelle (98) zum löschenden Sehreiben einer binären Null bzw. Eins Impulse der einen bzw. anderen Polung (114 bzw. 116) zuführbar sind.4. Memory arrangement according to claim 3, characterized in that from the pulse source (98) connected to the bit / scanning line (20) for erasing a binary zero or one, pulses of one or the other polarity (114 or 116) can be supplied are. 5. Speicheranordnung nach dem Anspruch t mit mehreren Filmelementen, die je einer von einer einzigen Bit/Abtastleitung durchgezogenen Matrix angeordnet sind, wobei mehrere Matrizen einen Stapel bilden, durch den Wortleitungen senkrecht hindurchlaufen, dadurch gekennzeichnet, daß von einem Wähler (128) ein Teil (128a) der als Wort treiber arbeitenden Impulsquellcn (92) derart einstellbar ist, daß von ihnen 0- und 1-Schreibimpulse (94, 96) von großer Amplitude und Lese/Rückstellimpulse (102) von geringer Amplitude den zugehörigen Wortleitungen aufprägbar sind, und ein weiterer Teil (128Λ) der Worttreiber gleichzeitig derart einstellbar ist, daß von ihnen nach einem anfänglichen Schreibimpuls (96) von großer Amplitude Lese/Schreibimpulse (112, 112a) von geringer Amplitude den zugehörigen Wortleitungen aufprägbar sind, und daß der Wähler (128) über ein Steuergerät (126) sowohl mit Abtastverstärkern (124), die am einen Ende der Bit/Abtastleiter (20) angeschlossen und jedesmal in der Lesezeitspanne (Impulse 106, 1181 einschaltbar sind, als auch mit am anderen Ende der Bit/Abtastleiter (20) angeschlossenen Wählern (122) für die Bittreiber (98) verbinden ist, von dener die Steuerimpulse (100, 108; 114 oder 116; 114c oder 116a) von großer Amplitude den Bit/Abtast !eitern (20) zuleitbar sind.5. Memory arrangement according to claim t with a plurality of film elements which are each arranged in a matrix drawn through by a single bit / scan line, a plurality of matrices forming a stack through which word lines run vertically, characterized in that a part of a selector (128) (128a) of the pulse sources (92) operating as word drivers can be set in such a way that 0 and 1 write pulses (94, 96) of large amplitude and read / reset pulses (102) of low amplitude can be impressed on the associated word lines, and a further part (128Λ) of the word drivers can be set simultaneously in such a way that, after an initial write pulse (96) of large amplitude, read / write pulses (112, 112a) of low amplitude can be impressed on the associated word lines, and that the selector (128) Via a control unit (126) both with sampling amplifiers (124), which are connected to one end of the bit / sampling line (20) and each time in the reading time tspanne (pulses 106, 1181 can be switched on, as well as can be connected to selectors (122) connected to the other end of the bit / scanning line (20) for the bit drivers (98), of which the control pulses (100, 108; 114 or 116; 114c or 116a) of large amplitude can be fed to the bit / sampling elements (20). Hierzu 2 Blatt ZeichnungenFor this purpose 2 sheets of drawings