DE1774800C3 - Process for making a low inductance memory matrix - Google Patents

Description

gebettet.· Dabei erwärmen sich zwar die Magnet drähte 6, aber diese Erwärmung ist nicht kritisch, da die Eigenschaften der dünnen Magnetschicht zuvor bei einer höheren Temperatur stabilisiert werden· The magnet wires 6 heat up in the process, but this heat is not critical because the properties of the magnetic thin layer are previously stabilized at a higher temperature

leiten Magnetdrähte lockergehalten sind, über die
thermoplastische Schicht gesetzt wird und dabei die
Magnetdrähte etwa bis zum halben Durchmesser in
die thermoplastische Schicht eingebettet werden, daß
die thermoplastische Schicht zum Aushärten abge- 5 können,
kühlt und die aus Teilen dieser Schicht und der Ebensowenig wird die Isolierstoffschicht 7 ange-conduct magnet wires are loosely over the
thermoplastic layer is set and thereby the
Magnet wires up to about half the diameter in
the thermoplastic layer can be embedded that
the thermoplastic layer can harden to 5
cools and the parts of this layer and the same, the insulating material layer 7 is not attached.

Magnetdrähte gebildeten Oberfläche zuersi durch ein griffen. Anschließend wird die thermoplastische rein chemisches und anschließend durch ein elektro- Schicht 4 mit den darin eingebetteten Magnetdrahlytisches Verfahren mit einer elektrisch leitfähigen ten 6 langsam abgekühlt. Die von der thermoplasti-Grundplatte überzogen wird, daß die Matrixplatte io sehen Schicht 4 und den Magnetdrähten 6 gebildete von der Montageplatte abgehoben wird und aus der Oberfläche wird im nachfolgenden Herstellungsschrilt nun offenliegenden elektrisch leitfähigen Schicht in einem zuerst rein chemischen und dann ^ele£i™~ durch Wegätzen überflüssiger Teile die Wortleitungen lytischen Verfahren verkupfert. Diese Kupferschicht gebildet werden, und daß die gesamte Matrixober- bildet die Grundplatte 8 und stellt den gemeinsamen fläche auf der Wortleitungsseite durch eine magne- 15 Rückleiter für alle Matrixströme dar.
tisch leitende Schicht abgedeckt wiiΔ. Nun werden noch die senkrecht zu den Magnet-Magnetic wires formed surface zuersi by a handle. Then the thermoplastic is purely chemical and then slowly cooled by an electro-layer 4 with the Magnetdrahlytisches process embedded therein with an electrically conductive th 6. Which is covered by the thermoplastic base plate that the matrix plate io see layer 4 and the magnet wires 6 formed is lifted off the mounting plate and from the surface is now exposed electrically conductive layer in a first purely chemical and then ^ele £ i ™ in the subsequent manufacturing step ~ by etching away superfluous parts, the word lines are copper-plated using the lytic method. This copper layer is formed, and that the entire matrix upper forms the base plate 8 and represents the common area on the word line side through a magnetic return conductor for all matrix currents.
table conductive layer covered wii Δ. Now the perpendicular to the magnet

Gemäß einer Weiterbildung der Erfindung können drähten 6 verlaufenden Wortleitungen 9 gebildet. I.citungsabschlüsse kollektiv in einem Herstellungs- Dazu wird die soweit vorgefertigte Matnxplatte von schritt dadurch vergenommen werden, daß zum gal- der Montageplatte 1 abgehoben und damit die elekvaiiiscliui Vciliiiiden von Diähien und/oder Wort- 20 trisch ieitfähige Scliiclit 2 freigelegt. Daraus wi-nU-n leitungen an einer Matrixkante die elektrisch leiifä- nun mit Hilfe bekannter Verfahren die überflüssigen Iiige Schicht an den gewünschten Stellen freigelegt. Teile weggeätzt, so daß nur die Wortlcitungen die elektrische Isolierstoffschicht an den Enden der stehenbleiben In einem abschließenden Herstellungs-/u verbindenden Magnetdrähte abgenommen wird, schritt wird die Mutrisoberfläche auf der Wortlci- und daß gleichzeitig mit der Grundplatte diese Ver- 25 tungsscite durch eine magnetisch leitende Schicht IH bindungen kollektiv hergestellt werden. abgedeckt, die den Flußrückschluß (Flux-Keeper)According to a further development of the invention, word lines 9 running 6 wires can be formed. For this purpose, the prefabricated matnx plate is taken from step by the fact that the mounting plate 1 is lifted to the gal- and thus the elecvaiiiscliui Vciliiiui Vciliiiui von Diähien and / or literally conductive Scliiclit 2 exposed. From this, the superfluous layer is exposed at the desired points with the help of known methods, on a matrix edge, which electrically conducts. Parts are etched away so that only the word lines remain, the electrical insulating material layer at the ends of the magnetic wires is removed conductive layer IH bonds are collectively made. covered the back flux (flux keeper)

Weiterhin kann der Abstand /wischen den Wort- dar^ellt. Die magnetisch leitende Schicht IO Umleitungen und der als gemeinsamer Rückleiter aller steht in bekannter Weise aus Ferritpulver und be-Matrixstrome dienenden Grundplatte noch dadurch nutzt z. B. Silikongummi als organisches Bindemittel, weiter vermindert werden, daß die thermoplastische 30 Dieses magnetisch leitende Material wird nun, wie Schicht direkt auf die Montageplatte aufgebracht bereits vorgeschlagen wurde, in fließfähigem Zustand wird, die der Montageplatte zugekehrte Schichtseite auf die Wortleitungsseite der Matrix aufgebracht, nach der Herstellung der Grundplatte und dem Ab- damit die magnetische Rückschlußschicht besonders heben von der Montageplatte mit Hilfe eines chemi- eng anliegt und einen guten Rückschluß für das maschen Verfahrens verkupfert und aus dieser Schicht 35 gnetische I eld des Speichers bildet. Hin Ausschnitt die Wortleitungen ausgeätzt werden. aus einer nach dem erfindungsgemäßen VerfahrenFurthermore, the spacing / wipe can represent the word-. The magnetically conductive layer IO diversions and as the common return conductor of all is made up of ferrite powder and be matrix currents in a known manner serving base plate still uses z. B. silicone rubber as an organic binder, be further reduced that the thermoplastic 30 This magnetically conductive material is now how Layer applied directly to the mounting plate has already been proposed in a flowable state the layer side facing the mounting plate is applied to the word line side of the matrix, after the production of the base plate and thus the magnetic backing layer in particular lift from the mounting plate with the help of a chemi- cally close fitting and a good conclusion for the mesh Process copper-plated and from this layer 35 forms magnetic I eld of the memory. Towards neckline the word lines are etched out. from one according to the method according to the invention

hergestellten Magnetdrahtspeichermatrix ist in F- 1 g. _ dargestellt. Sie zeigt außerdem, wie ein Kurzschluß zwischen einem Magnetdraht 6 oder einer Wort-40 leitung 9 und der Grundplatte 8 er/eugl wird. An einer Matrixkante ist, wie bei 12 dargestellt wird, die Isolierstoffschicht 7 eines Magnetdrahtes 6 entfernt und an einer anderen Kante fehlt, wie bei 11 dargestellt, die duroplastische Schicht 2 und damit ist ein 45 Teil der Wortleitung 9 freigelegt. Beim Herstellen der Grundplatte 8 werden diese Stellen dann mitverkupfert. Auf diese Weise können alle LcitungsabrchlüsseThe magnetic wire memory matrix produced is in F-1 g. _ shown. It also shows how a short circuit between a magnet wire 6 or a word 40 line 9 and the base plate 8 he / eugl is. On a matrix edge, as shown at 12, is the Insulation layer 7 of a magnet wire 6 removed and missing at another edge, as shown at 11, the thermosetting layer 2 and thus is a 45 part of the word line 9 is exposed. When producing the base plate 8, these points are then also copper-plated. In this way, all leads can be concluded

Eine nach deren erfindungsgemäßen Verfahren hergestellte Magnetdrahtspeicnermatrix ist in der Zeichnung schematisch dargestellt und wird im folgenden näher beschrieben. Es zeigtA magnet wire storage matrix produced by its method according to the invention is shown in FIG Drawing shown schematically and is described in more detail below. It shows

F i g. 1 die schematische Darstellung eines Ausschnittes einer Magnetdrahtspeichermatrix nach den ersten Verfahrensschritten undF i g. 1 the schematic representation of a section a magnetic wire memory matrix according to the first method steps and

F i g. 2 die schematische Darstellung eines Ausschnittes einer fertigen Magnetdrahtspeichermatrix.F i g. 2 shows the schematic representation of a section of a finished magnet wire storage matrix.

Aus der Fig. i sind die ersten Verfahrensschritte zu entnehmen. Eine mit einer elektrisch leitfähigen Schicht 2 überzogene duroplastische Schicht 3 wirdThe first method steps can be seen in FIG. One with an electrically conductive one Layer 2 coated thermosetting layer 3 is

gemeinsam bei der Herstellung der Grundplatte 8 erzeugt werden.are generated together in the manufacture of the base plate 8.

mit der nach unten weisenden Schichtseife 2 auf eine -.-—_o. with the layered soap 2 pointing downwards on a -.-- _o .

Montageplatte 1 gelegt Die duroplastische Folie 3 ist 5» Gemäß einer Weiterbildung der Erfindung werden etwa f) bis 10 um und die elektrisch leitfähige Schicht die Wortleitungen auf einem anderen Weg hergestellt 2, die z. B. aus Kupfer besteht, ungefähr K) inn dick. Dabei verzichtet man auf die duroplastische Schien; ·· Auf diese duroplasiische Folie 3 wird eine thermo- und die elektrisch leitfähige Schicht 2 und bringt die plastische Schicht 4 — entweder als Folie oder als thermoplastische Schicht 4 — als Folie oder als VerVergußmasse — aufgebracht. Sie ist etwa 25 μτη stark 5s gußmasse — direkt auf die Montageplatte! aut. und besteht aus einem Kunststoff, der schon bei Nach dem F.inbcltcn der Magnetdrahte 6 werdenMounting plate 1 placed The thermosetting film 3 is 5 »According to a further development of the invention about f) up to 10 µm and the electrically conductive layer made the word lines in a different way 2, the z. B. made of copper, about K) inn thick. The thermoset splint is dispensed with; ·· On this thermosetting film 3 is a thermally and electrically conductive layer 2 and brings the plastic layer 4 - either as a film or as a thermoplastic layer 4 - as a film or as a potting compound - upset. It is about 25 μτη strong 5s casting compound - directly on the mounting plate! aut. and consists of a plastic that will be used as soon as the magnet wires 6 are closed

beide Seilen der soweit vorgefertigten Matnxplatte in einem zuerst rein chemischen und dann in einem elektrolytischen Verfahren verkupfert, eine der beiden Kupferschichten bildet wieder die Grundplatte 8, und aus der anderen werden die Wortlcitungen 9 ausgtboth ropes of the so far prefabricated Matnx plate in one first purely chemical and then copper-plated in an electrolytic process, one of the two Copper layers again form the base plate 8, and the word lines 9 are made from the other

etwa 100° C plastisch ist. Diese thermoplastische Schicht 4 wird durch Wärmezufuhr in fließfähigem Zustand gehalten und darüber ein nur schematisch dargestellter Rahmen 5 gelegt. Dieser Rahmen 5 trägt eine Vielzahl von parallel angeordneten Magnetdrähten 6, die mit einer Isolierstoffschicht 7 ummantelt sind. Die Magnetdrähte 6 können ohne große Zugspannung in dem Rahmen 5 gehalten werden, da ihre Positionierung nicht mehr kritisch ist.around 100 ° C is plastic. This thermoplastic layer 4 becomes flowable by the supply of heat Maintained state and overlaid a frame 5, which is only shown schematically. This frame 5 carries a multiplicity of magnet wires 6 arranged in parallel and coated with a layer of insulating material 7. The magnet wires 6 can without large Tensile stress are held in the frame 5, since their positioning is no longer critical.

. Beim Aufsetzen des Rahmens 5 auf die thermoplastische Schicht 4 werden die Magnetdrähte is etwa bis zur Hälfte in die thermoplastische Schicht 4 einätzt. Anschließend wird dann noch in der beschriebenen Weise die magnetisch leitende Schicht 10 als magnetische Rückschlußschicht aufgebracht.
6:5 Die Vorteile des erfindungsgemäßen Verfahrens ergeben sich aus der einfachen Technologie und den günstigen Eigenschaften der Speichermatrix. Die Magnetdrähie können ohne große mechanische Bean-. When placing the frame 5 on the thermoplastic layer 4, the magnet wires are einätzt is about half in the thermoplastic layer. 4 The magnetically conductive layer 10 is then applied as a magnetic back yoke layer in the manner described.
6: 5 The advantages of the method according to the invention result from the simple technology and the favorable properties of the memory matrix. The magnet wires can be used without great mechanical

sprudnmg in die thermoplastische Schicht 4 eingebettet werden. Wenn dabei die Temperatur von ,etwa 100 C eingehalten wird, ist auch die thermische Heanspiuduing nicht kritisch. An das Verkupfern und das Ätzen werden keine besonderen Anforderungen gestellt, und in dem hier auftretenden Umfang weiden diese Techniken beherrscht. Dies gilt auch tür das Aufbringen der magnetischen Rückschlußschieht 10.embedded in the thermoplastic layer 4 will. If the temperature is about 100 C is maintained, is also the thermal Heanspiuduing not critical. The copper plating and the etching no special requirements are made, and to the extent that occurs here have mastered these techniques. This also applies to the application of the magnetic return path 10.

Besonders vorteilhaft sind dabei auch die Eigenschaften, die sich aus dem Aufbau einer Magnetspeichennatrix ergeben, die nach dem erfindungsgcmälkn Verfahren hergestellt ist. Die tragende Grundplatte 8 wird als Rückleiter für sämtliche Matrixströme verwendet, und ihr Abstand zu den Wortleitungen ·) ist sehr gering. Er wird insbesondere dann optimal, wenn man, wie beschrieben, auf die duroplastischc Folie 3 verzichtet. Durch diesen geringen Abstand zwischen den Wortleitungen 9, bzw. den Magncldrähtcn 6 und der Grundplatte 8, wird für alle Leitungen ein niedriger Wellenwiderstand (<1 50 U) erreicht. Dabei wird die elektromagnetische Kopplung 7wischen benachbarten parallelen Leitungen oder Speicherplätzen in der horizontalen Ebene vermindert. Das bedeutet aber, daß nunmehr auch in dieser Richtung geringere Leitungsabständc ohne unerwünschte elektromagnetische Kopplung möglich sind. So werden die günstigen Eigenschaften des Magnetdrahtes als Speicherelement vorteilhaft ausgenutzt. Gegenüber den bekannten Anordnungen hat damit der erfindungsgemäße Matrixaufbau den Vorteil der geringeren Steuerimpulsleistung, der größeren Packungsdichte und insbesondere der höheren Arbeitsgeschwindigkeit. Particularly advantageous are the properties which result from the structure of a magnetic memory matrix, which according to the invention Process is established. The supporting base plate 8 is used as a return conductor for all matrix currents used, and their distance to the word lines ·) is very small. He becomes particular optimally if, as described, the thermosetting film 3 is dispensed with. Because of this little The distance between the word lines 9 or the magnetic wires 6 and the base plate 8 is A low wave impedance (<1 50 U) is achieved for all lines. The electromagnetic Coupling 7 between adjacent parallel lines or storage locations in the horizontal plane reduced. But this means that now also in this direction smaller line spacings without undesired electromagnetic coupling are possible. This is how the favorable properties of the Magnet wire advantageously used as a storage element. Has compared to the known arrangements thus the matrix structure according to the invention has the advantage of the lower control pulse power, the greater Packing density and especially the higher operating speed.

Hierzu 1 Blatt Zeichnungen1 sheet of drawings

Claims (4)

1 774 300 ι Als besondere Ausführungsformen des magneti- Patentansprüche: sehen Dünnschichtspeichers ist der Magrietdraht- Speicher bekanntgeworden. Der Magnetdraht als1 774 300 ι As a special embodiment of the magnetic patent claims: see thin-film memory, the magnet wire memory has become known. The magnet wire as 1. Verfahren zur Herstellung einer induktivi- Speicherelement wird dabei aus einem elektrisch lcitätsarmen Speichermatrix mit hoher Schaltge- 5 tenden Draht mit einem dünnen Überzug von magm schwindigkeit, die aus einer Vielzahl von Magnet- tisch anisotropem Material gebildet. Vorteile für die drähten und im wesentlichen rechtwinklig dazu Anwendung ergeben sich vor allem aus der hohen verlaufenden Wortleitungen besteht, dadurch Schaligeschwindigkeit und daraus, daß die gespeigekennzeichnet, daß auf eine Montage- cherte Information zerstörungsfrei ausgelesen werden platte (1) eine duroplastische Folie (3) gelegt wird, io kann.1. The method for producing an inductive storage element is made from an electrically low-lcity Memory matrix with high switching speed 5 wire with a thin coating of magm speed, formed from a large number of magnetically anisotropic material. Benefits for the wires and essentially at right angles to it application result mainly from the high running word lines, thereby sound speed and the fact that the stored characterizes, that information can be read out non-destructively on an assembly-secured plate (1), a thermosetting film (3) is placed, io. die auf der der Montageplatte (1) zugekehrten Um diese Vorteile des Elements in einer Speicher-the on the mounting plate (1) facing To these advantages of the element in a storage Seile eine elektrisch leitfähige Schicht (2) trägt, matrix anwenden zu können, ist eine Speicherdaß auf die duroplastische Folie (3) eine thermo- matrix bekanntgeworden, bei der viele parallele plastische Schicht (4) aufgebracht und in fließ- Magnetdrähte und eine entsprechende Anzahl von fähigem Zustand gehalten wird, daß ein Rahmen 15 Wortleitern nach Art von Kette und Schuß eines Ge-(5), in dem die parallel eingelegten, mit einer webes miteinander verbunden werden. Eine derartige elektrischen Isolierstoffschicht (7) ummantelten Matrix ist aber technologisch äußerst kritisch, denn Magnetdrähte (6) locker gehalten sind, über die der Magnetdraht ist gegenüber Zug- und Torsionsthermoplastische Schicht (4) gesetzt wird und spannung sehr empfindlich. Bei zu großer Belastung dal«.! die MujiiKtdrähtc (6) etwa bis zum halben ao ändeti et — das ergibt sich aus der Umkehrung des Durchmesser in die thermoplastische Schicht (4) magnetostriktiven Effekts — seine magnetischen eingebettet werden, daß die thermoplastische Eigenschaften.Ropes carry an electrically conductive layer (2) to be able to use a matrix is a memory that on the thermosetting film (3) a thermomatrix has become known in which many parallel plastic layer (4) applied and in flow magnet wires and a corresponding number of capable state is held that a frame 15 word lines in the manner of a chain and weft of a Ge (5), in which the parallel inserted ones are connected to each other with a weave. Such a one However, from a technological point of view, the matrix encased by an electrical insulating material layer (7) is extremely critical Magnet wires (6) are loosely held, over which the magnet wire is opposed to tensile and torsional thermoplastic Layer (4) is set and tension is very sensitive. If there is too much load «.! the MujiiKtdrähtc (6) changes by about half ao - this results from the reversal of the Diameter in the thermoplastic layer (4) magnetostrictive effect - its magnetic be embedded that the thermoplastic properties. Schicht (4) zum Aushärten abgekühlt und die aus Es ist auch ein Herstellungsverfah.en für eineLayer (4) is cooled down for hardening and it is also a manufacturing process for a Teilen dieser Schicht (4) und der Magnetdrähte Speicherma:rix mif Magnetdrähten bekanntgeworden, (6) gebildeten Oberfläche zuerst durch ein rein 25 bei dem dieser Nachteil vermieden wird. Dabei werchemisches und anschließend durch ein elektro- den -.«»genannte Pilotdrähte in eine Kunststoffschicht lytisches Verfahren mit einer ucktrisch leitfahigen eingebettet und nach dem Aushärten des Kinststotfs Grundplatte (8) überzogen wird, daß die Matrix- wieder lusgestoßen. In die so gebildeten Kanäle werplatte von der Montageplatte (I) abgehoben wird den dann die etwas dünneren Magnetdrähte einge- und aus der nun ortenliegenden leitenden Schicht 30 führt.Share this layer (4) and the magnet wires Speichererma: rix mif magnet wires become known, (6) formed surface first by a pure 25 in which this disadvantage is avoided. Thereby something chemical and then through an electrode -. «» called pilot wires into a plastic layer Lytic procedure with a ucktrisch conductive embedded and after the hardening of the Kinststotfs Base plate (8) is covered so that the matrix is lost again. Werplatte in the channels formed in this way lifted off the mounting plate (I) and then insert the somewhat thinner magnet wires. and leads out of the conductive layer 30 which is now in place. (2) durch Wegät/en überflüssiger Teile die Wort- Weiterhin ist eine Magnetdrahtspeichermatrix be-(2) By removing superfluous parts the word- Furthermore, a magnetic wire memory matrix is loaded leitungen (9) gebildet werden, und daß die ge- kanntgeworden, die aus zwei aufeinandergelegten, gesamte Matrixobcrflache auf der Wortleitungsseite rillten thermoplastischen Folien mit parallelen, irr durch eine magnetisch leitende Schicht (10) abgc- wesentlichen gleichen Radius wie die magnetbeschich deckt wird. 35 teten Drähte aufweisenden Rillen besteht, wobei dieLines (9) are formed, and that the have become known, consisting of two superimposed, entire Matrix surface on the word line side grooved thermoplastic foils with parallel, irr by a magnetically conductive layer (10) abc- substantially the same radius as the magnetic coating is covered. 35 ended wires having grooves, the 2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch ge- magnetbeschichteten Drähte in die Rillen eingek. ι kennzeichnet, daß die elektrisch leitfähige Schicht und die Bandleiter quer zu den Rillen auf die FoIu u (2) und die Grundplatte (8) aus Kupfer gebildet aufgelegt oder in dieselben eingelegt sind. Die Herwerden. Stellung dieser Speichermatrix ist technologisch eben-2. The method according to claim 1, characterized in that magnetically coated wires are inserted into the grooves. ι indicates that the electrically conductive layer and the strip conductor transversely to the grooves on the FoIu u (2) and the base plate (8) formed from copper are placed or inserted into the same. The coming. The position of this memory matrix is technologically even 3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch 40 falls problematisch, da die präzise und fehlerfreie gekennzeichnet, daß zum galvanischen Verbinden Rillengravur auf größerer Fläche und das gleichzeitige von Magnetdriihten (6) und/oder Wortleitungen oder einzelne Einbetten der Drähte nicht einfach ist, (9) mit der Grundplatte (8) an einer Matrixkante wenn dabei Zug- oder Torsionsspaunungen vermiedie elektrisch leitende Schicht (2) an den ge- den werden sollen.3. The method according to claim 1 or 2, characterized 40 if problematic, since the precise and error-free characterized that for galvanic connection groove engraving on a larger area and the simultaneous of magnetic wires (6) and / or word lines or individual embedding of the wires is not easy, (9) with the base plate (8) on a matrix edge if tensile or torsional spunings are avoided electrically conductive layer (2) to be attached to. wünschten Stellen freigelegt, die elektrische Iso- 45 Darüber hinaus werden bei den bekannten AnordThe desired locations are exposed, the electrical insulation 45 In addition, in the known arrangements lierschicht (7) an den zu verbindenden Enden der nungen die erwähnten Vorteile des Magnetspeicherslierschicht (7) at the ends of the openings to be connected the mentioned advantages of the magnetic memory Magnetdrähte (6) abgenommen wird, und daß nicht genügend ausgenützt weil sie alle, bedingt durchMagnet wires (6) is removed, and that not sufficiently exploited because they all, conditioned by gleichzeitig mit der Grundplatte (8) diese Verbin- den Aufbau der Matrix, einen zu hohen WellenwideiAt the same time as the base plate (8) these connections build up the matrix, too high a wave width düngen kollektiv hergestellt werden. stand besitzen.fertilize collectively. own stand. 4. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3, 50 Der Erfindung liegt daher die Aufgabe zugrunde, dadurch gekennzeichnet, daß die thermoplastische ein Verfahren zur Herstellung einer Speichermatrix Schicht (4) direkt auf die Montageplatte (1) auf- aus Magnetdrähten zu schaffen, bei dem einerseits gebracht wird, die der Montageplatte (1) züge- bleibende Zug- oder Torsionsspannungen vermieden kehrte Schichtseite nach der Herstellung der werden und andererseits ein Matrixaufbau erzielt Grundplatte (8) und dem Abheben von der Mon- 55 wird, bei dem sowohl die Wort- als auch die Lesetageplatte (1) zuerst durch ein rein chemisches leitungen möglichst geringen Wellenwiderstand be- und anschließend durch ein elektrolytisches Ver- sitzen. Darüber hinaus soll durch Kleinhalten der fahren mit einer elektrisch leitenden Schicht über- Streufelder eine möglichst hohe Packungsdichte erzogen werden, aus der anschließend die Wort- reicht werden.4. The method according to any one of claims 1 to 3, 50 The invention is therefore based on the object characterized in that the thermoplastic means a method of making a memory matrix Layer (4) directly onto the mounting plate (1) to be created from magnet wires, on the one hand is brought that the mounting plate (1) avoiding tensile or torsional stresses turned layer side after production of the and on the other hand a matrix structure is achieved Base plate (8) and lifting off from the 55, in which both the word plate and the reading plate (1) are first of all caused by a purely chemical line to keep the wave resistance as low as possible. and then by electrolytic exposure. In addition, by keeping the drive with an electrically conductive layer over stray fields as high a packing density as possible from which the verbal ranges are then derived. leitungen ausgeätzt werden. 60 Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß durch einlines are etched out. 60 According to the invention, this object is achieved by a Verfahren gelöst, das dadurch gekennzeichnet ist, daßMethod solved, which is characterized in that auf eine Montageplatte eine duroplastischc Folie gelegt wird, die auf der der Montageplatte zugekehrtena thermosetting film is placed on a mounting plate, the one facing the mounting plate Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfall .η zur Seite eine elektrisch leitfähige Schicht trägt, daß auf Herstellung einer induktivitätsarmen Speichermatrix 65 die duroplastische Folie eine thermoplastische Schicht mit hoher Schaltgeschwindigkeit, die aus einer Viel- aufgebracht und. in fließfähigem Zustand gehalten zahl von Magnetdrähten und im wesentlichen recht- wird, daß ein Rahmen, in dem die parallel eingelegwinklig dazu verlaufenden Wortleitungen bestehen. ten, mit einer elektrischen Isolierstoffschicht umman-The invention relates to a decay .η to the side an electrically conductive layer that carries on Production of a low-inductance storage matrix 65, the thermosetting film, a thermoplastic layer with high switching speed, which is applied from a lot of and. kept in a flowable state number of magnet wires and essentially right-will be that a frame in which the parallel inserted angles there are word lines running for this purpose. encased with a layer of electrical insulation