DE1767667C3 - Verfahren zur Reinigung von Chlorsilanen - Google Patents

Verfahren zur Reinigung von Chlorsilanen

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DE1767667C3 DE19681767667 DE1767667A DE1767667C3 DE 1767667 C3 DE1767667 C3 DE 1767667C3 DE 19681767667 DE19681767667 DE 19681767667 DE 1767667 A DE1767667 A DE 1767667A DE 1767667 C3 DE1767667 C3 DE 1767667C3
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Description

Gegenstand der Erfindung ist ein Verfahren zur Reinigung von Chlorsilanen. welches dadurch gekenuzeichnet ist, daß man den Chlorsilanen cyclische und/oder polymere Acetafe, in Mengen von 0,05 - 5,0 Gew.-%, vorzugsweise 0,01 - 2,0 Gew.-%. bezogen auf die Menge Chlorsilan, zusetzt und das resultierende Gemisch anschließend durch Destillation trennt.
Silicium für Halbleiierzweckc muß besonders rein sein. Spuren von Begleitstoffen beeinträchtigen die Halbleitereigenschaften des Siliciums erheblich. Solche störenden Spurenverunreinigungen sind beispielsweise die Elemente Bor, Aluminium, Titan, Phosphor, Arsen. Eisen etc. Sie stammen hauptsächlich aus den zur Herstellung von Reinsilicium üblicherweise verwendeten Chlorsilanen. aus denen sie bei dem gebräuchlichen Reduktionsverfahren mit Wasserstoff bei erhöhter Temperatur mitabgeschieden werden.
Während die meisten Störelemente durch Zonenschmelzen entfernbar sind, führt diese Maßnahme bei einigen Verunreinigungen, wie bei Bor. nicht zum Ziel. Das Bor ist in beiden Phasen des Siliciums beim Zonenschmelzen löslich. Es besteht dahei großes Interesse, das Bor mittels geeigneter Reinigungsmethoden aus den Chlorsilanen zu entfernen.
Bekanntlich konnten die für die Halbleiterherstellung benötigten Reinheitsgrade bisher nicht durch eine Extraktions- oder Destillationsmethode erreicht werden. Daher sind Verfahren entwickelt worden, die die Abtrennung der Begleitstoffe auf chemischem Wege erreichen sollen. So ist es beispielsweise bekannt, einige der Begleitstoffe mit Hydrogensilanen in flüchtige Hydride zu überführen. Es werden dabei jedoch nicht alle Elemente erfaßt und die Hydrierung verläuft auch nicht vollständig. Außerdem werden die Anlagen von den Hydriden cor-.taminiert. Der Reinigimgseffekt reicht daher nicht aus. Ein besonderer Nachteil dieses Verfahrens ist die meist hohe Giftigkeit der betreffenden Hydride.
Nach einem anderen Verfahren werden Zusätze, 2. B. Salze der Äthylendiamintetraessigsäure und der Pyrrolidinodithiocarbaminsäure verwendet und unter Anwen- s.s dung längerer Reaktionszeiten teilweise unter Druck und erhöhter Temperatur zur Reaktion gebracht. Diese Zusätze bewirken Fällungen, welche bei einer kontinuierlichen Betriebsweise vorder Destillation erst entfernt werden müssen, um eine Verlegung der Destillationsko- Oo lonne zu verhindern.
Weiterhin ist ein Verfahren bekanntgeworden, nach dem Wasserdampf zusammen mit einem Trägergas in die zu reinigenden Chlorsilane geleitet wird. Dieses Verfahren führt jedoch zur Verkieselung. Außerdem entstehen Substanzverluste, weil die Rückgewinnung von mit dem Gasstrom mitgerissenem Chlorsilan aufwendig ist und meist auch nur unvollständig gelingt.
Gegenüber einfacher Destillation erfordern alle bekannten Methoden einen erheblich größeren Aufwand an Zeit und Betriebsmitteln.
Es wurde nun gefunden, daß man Chlorsilane auf einfache Weise bhne die geschilderten Nachteile reinigen kann, indem man den Chlorsilanen cyclische und/oder polymere Acetale in Mengen von 0,005 - 5,0 Gew.-%, vorzugsweise 0,01 - 2,0 Gew.-%, bezogen auf die Menge Chlorsilan, zusetzt und das resultierende Gemisch anschließend durch Destillation trennt Neben allen anderen anorganischen Fremdstoffen der Chlorsilane werden, insbesondere Borverbindungen, bis zu analytisch nicht mehr erfaßbaren Konzentrationen, entfernt.
Durch das Verfahren gemäß der vorliegenden Erfindung ist es möglich, technische Chlorsilanqualitä- ten auf Halbleiterqualität zu reinigen. Geeignete Chlorsilane sind beispielsweise Tretrachlorsilan, Trichlorsilan. Dichlorsilan. Hexachlorodisilan und ähnliche Verbindungen. Diese Verbindungen können auch durch die folgende allgemeine Formel umschrieben werden:
Cl- Si -Cl
worin X Chlor oder Wasserstoff und Y gleich X oder -Si-(Cl)3 sein kann. Als reinigende Zusätze können beispielsweise die folgenden cyclischen Acetale verwendet werden: Trioxan.Tetroxan. Metaldehyd. Paraldehyd
Geeignete polymere Acetale sind: Polyoxymethylene. Polyglyoxal u. a. Das Molekulargewicht der Polyacetale ist nicht kritisch. Die verwendeten polymeren Acetale können endgruppenverschlossen oder auch endgruppenunverschlossen sein. Zweckmäßigerweise werden niedermolekulare Polyacetale verwendet, die mit den Verunreinigungen lösliche Komplexe bilden.
Die erfindungsgemäße Reinigung erfolgt durch Zugabe des Komplexbildners zusammen mit den Rohsilanen entweder in die Destillationsblase oder in die Kolonneneingabe. Temperatur- und Druckbedingungen können beliebig gewählt werden. Ohne weitere Behandlung kann dann die destillative Aufarbeitung angeschlossen werden. Die anorganischen Begleitstoffe gehen mit den Reinigungszusätzen in nichtflüchtiger Form in den Destillationssumpf, der zweckmäßigerweise nicht ganz ausdestilliert wird. Es kann sowohl im Chargenbetrieb als auch kontinuierlich gearbeitet werden. Als besonderer Vorteil des Verfahrens wäre noch zu erwähnen, daß technische Chlorsilane mit hohen Konzentrationen an verunreinigenden Fremdstoffen ohne Vorbehandlung eingesetzt und nach dem erfindungsgemäßen Verfahren auf die geforderte hohe Reinheit gebracht werden können.
Die nachstehenden Beispiele sollen die Erfindung erläutern.
Beispiel I
In einen 101-Kolben aus Geräteglas wurden 5 kg Trichlorsilan, 10 g Trioxan und weitere 5 kg Trichlorsilan eingefüllt und die Mischung über eine 30-Boden-Kolonne mit dem Rücklaufverhältnis 10 destilliert. Es wurde technisches Trichlorsilan mit einem Bor-Gehalt von 90 ppm und einem Eisen-Gehalt von 0,02 Gew.-% eingesetzt. Im Destilla' waren weder Eisen noch Bor
nachweisbar. Dagegen waren die Reaktionen auf Eisen und Bor im DestillationsrQckstand, der 340 g wog, sehr stark.
Beispiel 2
Analog vorstehendem Beispiel wurde technisches Triohlorsilan der gleichen Zusammensetzung mit 2 g Paraldehyd behandelt In dem klaren Destillat war kein Bor mehr nachweisbar. Der Destillationsrückstand von 510 g enthielt einen hohen Anteil Bor.
Beispiel 3
Wiederholung des Beispiels2 mit Ig Metaldehyd anstelle des Paraldehyds brachte das gleiche Ergebnis,

Claims (1)

  1. Patentanspruch:
    Verfahren zur Reinigung von Chlorsilanen durch Destillation, dadurch gekennzeichnet, daß man den Gjilorsllanen cyclische und/oder polymere Acetale in Mengen von 0,005 - 5,0 Gew.-%, vorzugsweise 0.01-2,0 Gew.-%, bezogen auf die Menge Chlorsilan, zusetzt und das resultierende Gemisch anschließend durch Destillation trennt
    IO
DE19681767667 1968-06-01 Verfahren zur Reinigung von Chlorsilanen Expired DE1767667C3 (de)

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DE1767667A1 DE1767667A1 (de) 1971-09-23
DE1767667B2 DE1767667B2 (de) 1976-12-09
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