DE1744070U - DEVICE FOR MEASURING THE INTENSITY OF ELECTRON RAYS. - Google Patents
DEVICE FOR MEASURING THE INTENSITY OF ELECTRON RAYS.Info
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Description
Einrichtung zur Messung der Intensität von Elektronenstrahlen Die neue Zinrichtung betrifft ein Gerät zur Messung der Intensität von Elektronenstrahlen. bei dem als Naohweiselement ein Halbleiterkörper mit p-n-ubergang vorgesehen und als Photoelement geschaltet ist und bei dem der durch die Elektronen ausgelöste Photostrom als Maß für die Elektronenintensität dient. Die Einrichtung eignet sich insbesondere zur Messung der Intensität von mittelschnellen Elektronenstrahlen. Darunter werden Elektronenstrahlen bis zu einer Energie von etwa 500 kV verstanden. Die Einrichtung ist an sich auch zur Intensittsmessung von Blektronenstrahlen höherer Energie brauchbar ; in diesen Fällen treten jedoch bereits durch die Elektronen verursachte Gitterstörungen im Halbleiterkörper in Erscheinung die mit zunehmender Elektronenenergie unter Umständen das Meßergebnis zunehmend beeinflussen. Device for measuring the intensity of electron beams Die new facility concerns a device for measuring the intensity of electron beams. in which a semiconductor body with a p-n junction is provided as the Naohweiselement and is connected as a photo element and in which the triggered by the electrons Photocurrent serves as a measure of the electron intensity. The facility is suitable especially for measuring the intensity of medium-fast electron beams. This is understood to mean electron beams up to an energy of around 500 kV. The device itself is also higher for measuring the intensity of tin electron beams Energy usable; in these cases, however, already occur through the electrons Lattice disturbances caused in the semiconductor body appear with increasing Electron energy may increasingly influence the measurement result.
Unter den bisher zur Messung der Intensität von Elektronenstrahlen gebräuchlichen Einrichtungen sind vor allem Anordnungen zu nennen. die Ionisationskammern benutzen. Weiterhin ist eine Anordnung bekannt geworden, bei der zur Messung der Intensität von Elektronenbeugungslinien ein als Photowiderstand geschalteter Cis-kristall verwendet ist. Diese Anordnung weist eine verhältnismäßig große Zeitkonstante und eine Abhängigkeit des Photostromes von der Bestrahlungzeit auf. Zur Verminderung dieser störenden Erscheinungen sind zusatzliche Maßnahmen erforderlich. Gegenüber diesen Meßverfahren und Geraten bringt die Erfindung eine wesentliche Vereinfachung.Among the previously used to measure the intensity of electron beams The most common facilities are to be named above all arrangements. the Use ionization chambers. Furthermore, an arrangement has become known at the one used to measure the intensity of electron diffraction lines as a photoresistor switched cis-crystal is used. This arrangement has a relatively large time constant and a dependence of the photocurrent on the irradiation time on. Additional measures are required to reduce these disturbing phenomena necessary. Compared to these measuring methods and devices, the invention brings one substantial simplification.
Zur weiteren Erläuterung der neuen Einrichtung wird auf die Zeichnung Bezug genommen ; es zeigt Fig. 1 eine schematische Darstellung der neuen Einrichtung, Fig. 2 ein Diagramm über die Abhängigkeit der Kurzschlußstromdichte von der einfallenden Elektronenstromdichte bei der neuen Einrichtung.For a further explanation of the new facility, refer to the drawing Referenced; it shows Fig. 1 a schematic representation of the new device, 2 shows a diagram of the dependence of the short-circuit current density on the incident Electron current density at the new facility.
In Fig. 1 ist der Halbleiterkörper mit 1 bezeichnet. Der p-n-Über-
Der Photostrom ist proportional der Flächenausdehnung des p-n-Überganges. Es empfiehlt sich also, um eine große Empfindlichkeit der Einrichtung zu erreichen, Halbleiterkörper mit möglichst großen p-n-Ubergangsflächen zu verwenden.The photocurrent is proportional to the area of the p-n junction. It is therefore advisable, in order to achieve a high degree of sensitivity of the device, To use semiconductor bodies with the largest possible p-n junction areas.
In dem Diagramm der Fig. 2 ist die Abhängigkeit der bei der neuen
Neben den obengenannten Bedingungen wird wird die Empfindlichkeit
der neuen Einrichtung noch durch die Breite der verbotenen Zone des Halbleiterkorpers
bestimmt. Je kleiner die Breite der verbotenen Zone des Halbleiterkorpers ist, desto
großer ist die Ausbeute an freien
Diese Forderung steht im Siderspruch zu der vorher genannten Forderung., Es ist daher notwendig, bei der Wahl des Halbleiterkörpers zu entscheiden. auf welchen der genannten Faktoren besonderer Wert gelegt wird. Die beiden genannten eigenschaften also die Breite der verbotenen Zone und der spezifische Widerstand des Ealbleiterkörpersbezogen auf gleiche stõrstellenkonzentration-werden durch die große Zahl der zur Verfügung stehenden halbleitenden Aj-By-Verbindungen, zu denen auch das oben bereits erwähnte &aAs gehörte in einem weiten Bereich erfaßt ; sie gestatten daher durch entsprechende Auswahl eine Anpassung an die speziellen Anforderungen, die an das Gerät gestellt werden Die obengenannten halbleitenden Verbindungen vom Typ e e worunter allgemein Verbindungen verstanden werden aus einem Element der 111.This requirement is in contradiction to the previously mentioned requirement., It is therefore necessary to make a decision when choosing the semiconductor body. on which particular importance is attached to the factors mentioned. The two properties mentioned i.e. the width of the forbidden zone and the specific resistance of the semiconductor body related due to the large number of available standing semiconducting Aj-By connections, to which the above mentioned & aAs belonged to a wide area covered; they therefore permit by appropriate Selection of an adaptation to the special requirements that are placed on the device The abovementioned semiconducting compounds of type e e including general Compounds are understood from an element of III.
Gruppe des Periodischen Systems and einem Element der V. Gruppe des
Durch die Emission von Sekundärelektronen aus dem Halbleiterkristall können Meßfehler entstehen. Die Sekundäremission kann in bekannter Weise dadurch unterdrückt werden, daß vor dem Halbleiterkörper in Richtung der einfallenden Elektronenstrahlen eine negativ vorgespannte Elektrode angeordnet wird, wie es z. B. bei den Faraday-Auffängern üblich ist.Through the emission of secondary electrons from the semiconductor crystal measurement errors can occur. The secondary emission can thereby be achieved in a known manner be suppressed that in front of the semiconductor body in the direction of the incident electron beams a negatively biased electrode is placed as shown e.g. B. Faraday interceptors is common.
Die neue Einrichtung eignet sich besonders zur Messung der Intensität von Beugungsdiagrammen in Elektronenbeugungeapparaturen. Dies kann z. B. in der Weiseerfolgen, daß ein dem allgemeinen Verlauf der Beugunglinien geometrisch mbglichet angepaßter Kristalle z. B. ein bogenförmiger oder langgestreckter Kristalle mit konstanter Geschwindi.-keit über das Beugungsdiagramm hinweggeführt und dabei der Kurzschluß-' strom mit einem Schreiber registriert wird. In ähnlicher Weise kann das Gerät zur Messung von Intensitätsunterschieden bei elektronenmikroskopischen Abbildungen und/oder zur Ermittlung der Beliëhtungszeit von elektronenmikroskopischen Aufnahmen verwendet und entsprechend ausgebildet werden. 7 Schutzansprüche 2 FigurenThe new device is particularly suitable for measuring intensity of diffraction diagrams in electron diffraction apparatus. This can e.g. B. in the In such a way that the general course of the diffraction lines is geometrically possible adapted crystals z. B. an arcuate or elongated crystals with constant speed over the diffraction diagram and thereby the Short-circuit 'current is registered with a recorder. Similarly, can the device for measuring intensity differences in electron microscopy Images and / or to determine the exposure time of electron microscopic Recordings are used and trained accordingly. 7 claims for protection 2 figures
Claims (1)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DES20350U DE1744070U (en) | 1956-05-09 | 1956-05-09 | DEVICE FOR MEASURING THE INTENSITY OF ELECTRON RAYS. |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DES20350U DE1744070U (en) | 1956-05-09 | 1956-05-09 | DEVICE FOR MEASURING THE INTENSITY OF ELECTRON RAYS. |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE1744070U true DE1744070U (en) | 1957-05-02 |
Family
ID=32746020
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DES20350U Expired DE1744070U (en) | 1956-05-09 | 1956-05-09 | DEVICE FOR MEASURING THE INTENSITY OF ELECTRON RAYS. |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE1744070U (en) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE1232275B (en) * | 1962-02-02 | 1967-01-12 | Ass Elect Ind | Semiconductor radiation detector made of an AB compound for gamma spectroscopy |
-
1956
- 1956-05-09 DE DES20350U patent/DE1744070U/en not_active Expired
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE1232275B (en) * | 1962-02-02 | 1967-01-12 | Ass Elect Ind | Semiconductor radiation detector made of an AB compound for gamma spectroscopy |
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