DE1614846A1 - Halbleiteranordnung - Google Patents

Halbleiteranordnung

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DE1614846A1 DE1967T0034412 DET0034412A DE1614846A1 DE 1614846 A1 DE1614846 A1 DE 1614846A1 DE 1967T0034412 DE1967T0034412 DE 1967T0034412 DE T0034412 A DET0034412 A DE T0034412A DE 1614846 A1 DE1614846 A1 DE 1614846A1
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Description

Te le funken Patentverwertungsgesellschaft
m. b. II.
Ulm / Donau, Elisabethenstr. 3
Heilbronn, den 18.7,1967 FE/PT-Ma/Na HN 9/67
"Halblei teranordnung"
Die Erfindung betrifft eine Halbleiteranordnung aus Dioden mit mindestens zwei Zonen xmterschiedlichen Leitungstyps. Die Erfindung besteht darin, daß auf einem Trägerkörper mindestens eine Diode so angeordnet ist, daß ihre Sperrschicht, senkrecht zu der die Diode tragenden Oberflächenseite des Trägerkörp ers verlauf t.
Die vorliegende Erfindung findet vor allem dann vorteilhafte Anwendung, wenn auf dem Trägerkörper eine Vielzahl räumlich voneinander getrennte planare Dioden angeordnet sind .und wenn diese Dioden als LASER-Dioden betrieben und entsprechend ausgebildet werden.
Der LASER-Strahl hat dank seiner Breitbandigkeit, durch die er praktisch einen theoretisch idealen Übertragungsträger bildet, mehr und mehr Interesse für einen Einsatz zur Nachrichtenübertragung gefunden. Zur Erzeugung des für die Nachrichten-
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Übermittlung benötigten LASER-Strahles eignen sich besondf't? LASER-Dioden» die auch als Injektionslaser beze i chri" t werden. Zum Aufbau der LASER-Dioden wird besonders das ij.iibl π ί ι .-j material Galllum-Arsenid verwendet. Wird eine ons Gallium-Arsenid aufgebaute Flächendiode in Durchlaßrichtung betrieben, so emittiert sie bei kleinen Strömen zunächst inkohärentes Infrarotlicht innertalb eines relativ schmalen Spektralbereiches. Wird der Durchlaßstrom einer GaAs-Diod·* über einen bestimmten Wert hinaus vergrößert, so kommt eiu-> induzierte Strahlungsemission zustande. Die Intensität der Strahlung Ist dabei sehr viel höher als bei der Tnfrarotemission, die Breite der emittierten Spektrallinie reduziert sich entsprechend. Damit induzierte Strahlungsemission zustande kommt, muß die Diode mit einem Fabry-Perot-Resonator versehen werden, dessen Eigenresonanz innerhalb des Spektralbereiches liegt, in dem die erzwungene Strahlungsemission zustande kommt.
Bei LASER-Dioden wird die Erzeugung kohärenten Lichtes im wesentlichen mit Rekombinationsübergängen der injizierten Elektronen(LÖcher)" zwischen dem Energieniveau des Leitungsbandes und dem Niveau des Valenzbandes erklärt. Es sind jedoch noch andere Übergänge möglich, durch die eine RekombinntIonsstrahlung zustande kommt. Die Strahlung rührt aus der Umgebung der Sperrschicht zwischen der n~ und der p-le.itenden-
j BAD ORDINAL
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Zone de· Halbleiterkörper· her, ao daß der LASER-Strehl die Diode in einer Richtung verläßt, die in der durch dtn pnübergang gebildeten Fläche liegt.
Ea ist neuerdings der Vorschlag gemacht worden, den von einer LASER-Diode ausgesandten Lichtstrahl in LichtKellenfaserleitern zu übertragen« Die Übertragungeeinrichtungen bestehen somit aus einer LASER-Diode, einem Licht^ellenfa- »erleiter und einem Photoelement, durch das der Lichtstrahl wieder in elektrisch· Energie am Empfangsort umgewandelt wird. Der Lielitweilenfaserleiier hat den Wesentlichen Vorteil, daß mit ihm eine beliebige Streckenführung möglich ist, da sich Lichtwellenfaserlelter praktisch allen Geländegegebenheiten anpassen lassen.
Dioden wurden bisheretets so auf einen Trlgerkörper aufgebracht, daß der die Diode bildende pn-Übergang im wesentlichen parallel zu der Oberfläche des Trägerkörperβ verläuft. Eine derartige Anordnung 1st für LASIR-Dioden denkbar ungeeignet. Dies gilt besonders dann, wenn in eine« Kabel eine Vielzahl von Lichtwellenfaserieitern untergebracht sind, von denen jedem.einzelnen eine LASER-Diode am Sendeort und eine Photodiode am Smpfangsort zugeordnet »ein sraA.
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Wird dagegen nach dar Erfindung eine oder mehrere Dioden derart auf eines Tra'gerkörper angeordnet, daß die den LASER-Strahl emittierenden pn-Übergänge senkrecht zu der Oberfläche de* Trägerkörpers durch die Dioden verlaufen, kann auf einfache Weise eine Anpassung der LASER-Dioden an die in einem Kabel untergebrachten Lichiwellenfaserleiter vorgenommen werden. Hierzu wird die Trägerplatte derart al« Abschluß dea Kabele verwendet, daß jeder durch die Trägerplatte hindurch tretende LASER-Strahl auf das Ende einos Faserleiter· trifft und diesen anregt.
Die Erfindung soll im weiteren anhand mehrerer Figuren näher beschrieben werden.
Figur 1 seigt. eine erfindingsgemäß« LASER-Diode auf einem isolierenden oder halb isolierenden TrMgerkörρer. Figur 2 seigt die Anpassung einer Trägerplatte mit einer Vielsah! von LASER-Dioden an ein Kabel mit den Lichtwellen-1eitern.
Figur 3 seigt den Aufbau eines Kabels mit einer Vielzahl einseiner Lichtwellenleiter.
Figur % seigtr wie auf besonders vorteilhafte Weise die LASBS-Dl««eci kontaktier« und mit elektrischen Anschlüssen ▼ersehe* varAea kflnaen.
BAD ORIGINAL
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Anhand der Figuren 5 bis ? <rird ein Verfahren zur Herstellung einer Vielzahl von LASER-Dioden auf einen Trägerkörper beschrieben» während anhand der ■ Figuren 8 bis Io ein anderes vorteilhaftes Herstellungsverfahren erläutert wird.
Figur 1 zeigt einen Teil eines Trägerkörpers 1, auf dea eine einzelne LASER-Diode angeordnet ist. Der Trägerkörper besteht aus einem isolierenden oder halb isolierenden, lichtdurchlässigen Material· Hierfür eignet sich besonders hoch- . ohaiges Galliun-Areenid oder einkristallines Aluminiuaoxyd (ALnO.) das heißt ein Saphir. Auf dea Trägerkörper 1 befindet •Ich Tin Halbleiterkörper 2, der sich aus einer n-leitenden Zone 3 und einer ρ-leitenden Zone % zusassaensetzt. Der Halbleiterkörper besteht vorzugsweise aus eine· Verbindungshalbleiter der III. und der V. Gruppe des periodischen Systeas. Hierfür eignen sich beispielsweise die Verbindungen Galliua-Arsenid und GaIlium-Phoephid. Zur Erfüllung der LASER-Be-' din^ . igen benötigt ban einen hochdotierten pn-übergang. Für die nleitende Seite sind bei GaAs Tellurdotierungen von 5.I017 bis 3-Ό18 Störstellen /ce3 charekteristisch, während auf der p-leitenden Seite Zinkdotierungen bis zu 5*Io ' Störstellen/cub^ auftreten. *
Dar X.n lalbleitericSrper verlaufende pa-Obergang 3 ί·* planar «ad verll«ft senkrecht zu der die Diode tragenden Oberfläche
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des Trägerkörpers 1. Der Halbleiterkörper 2 ist auf seinen parallel zu der Oberfläche dee Trägerkörpers verlaufenden Oberflächenseiten mit Schichten 6 und 7 versehen, die zusäumen mit dem Halbleiterkörper einen Fabry-Perot-Resonator bilden. Der Fabry-Perot-Resonator sorgt dafür» daß nur Strahlung derselben Phase ausgesendet wird. Er besteht daher aus den zwei parallelen Schichten 6 und 7 mit hohem Reflexionsvermögen. Das Licht passiert das aktive Medium zwischen den reflektierenden Schichten viele mal und kann daher mit den Atomen der aktiven Substanz wirksam in Wechselwirkung treten. Da Licht: ~ahlen, deren Wellenfronten gegen die Begrenzungsfläche des Resonators geneigt sind, das System bereits nach wenigen Reflexionen verlassen, hat der Resonator praktisch nur tut die Lichtstrahlen Resonanzeigenschaften, deren Wellenfront genau parallel zu den Endflächen des Resonators verlaufen.
In einer vorteilhaften Ausführungsform setzen sich die Resonatorschichten 6 und 7 au« jeweils mehreren Einzelschichten zusammen, die in Figur 1 nicht im einze ien dargestellt sind. So besteht beispielsweise jede Schicht 6 und 7 wechselweise aus mehreren Calciumfluorid- und Glaseinzelschichten· Hierbei haben die genannten dielektrischen Einzelschichten unterschiedliche Brechungsindices, wobei der Brechungsindex von Calciumfluorid größer ist als der der Glasschichten. Die Dicke
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jeder Einzelschicht betrügt vorzugsweise ein Viertel der Wellenlänge des LASER-Lichtstrahles.
Der Fabry-Perot-Resonator kann auch dadurch gewonnen werden, daß die des Halbleiterkörper 2 abgewandte Oberflächenseite des TrSgerkörpors 1 und die dem Trägerkörper abgewandte OberflSchenseite des Halbleiterkörper» mit reflektierenden Schichten versehen werden. Hierdurch wird der Trägerkörper in den Resonator einbezogen,' so daß die Resonatorlänge künstlich vergrößert wird. Weiterhin besteht die Möglichkeit, <iie OberflSchanseiten des Halbleitfrkörpers selbst als. Resonatorbegrenzungof IKcIan zu verwenden, wenn der pn-Ubergang in einer Xoo.-Netzebene liegt, da die hierzu senkrechten llo-Ebenen, die dann den Fabry-Perot-Resenator bilden, die natürlichen Spaltflächen bei GaAs und anderen Ill/V-Verbindungen sind. '
Die beiden Zonen 3 und kdes Halbleiterkörper» sind mit oha»chen Kontakten 9 und Io versehen, über die die Diode so alt Stroa versorgt wird, daß dieser die Diode zur Erzeugung «ine· LASER-Strahles in Durchlaßrichtung durchfließt.
Figur 2 ieigt, wie die scheib«nför«ige Trägerplatt· 1 auf vorteilhaft« Vei·· Bit dea Lichtleiterkabel 11 kombiniert
wird. Dae Lichtleiterkabel enthält nach Figur 3 eine Vielzahl von Lichtwelienfaeerleitern 12, die beispielsweise au· (alas oder Quarz bestehen, und einen Durchmesser von einigen ,um besitzen. Die Lichtwellenleiter sind von einen licntundurchla'seigen Material umgeben oder sind in bekannter Velse als dielektrische Hehrschicht-Wellenleiter ausgebildet. An dem einen, in Figur 3 dargestellten Ende des Kabels 12 wird nach Figur 2 die Trägerplatte mit einer Vielzahl von LASER-Dioden 2 so aufgesetzt, daß dem pn-Ühergang jeder Diode ein Lichtwellenfaserleiter zugeordnet 1st, der von dem am pn-übergang emittierten LASEIi-Lichtstrahl getroffen und optimal angeregt wird. An dem in Fisr 2 und 3 nicht dargestellten Ende des Kabele 11 wird vorteilhafterweise «ine der Trägerplatte 1 entsprechende Platte befestigt, die die Eapfangsphctodioden trägt. Wim der LASEn-Lichtstrahl, wie dies bisher vorausgesetzt wurde, durch die Trägerplatte hindurch auf dl· Lichtwellenleiter trifft, darf die nach Figur 1 auf der Trägerplatte angeordnete Sohlcht 6 des Fabry-Perot-Reeonatore nicht vollständig reflektierend sein, sondern der LASBR-Lichtstrahl snifl den Resonator aaoh einer bestisaten Anzahl von Reflexionen verlassen kSimen. Zn dieses Pail besteht die andere Schiebt 7 des Resonators aus elnesi lootf reflektierenden Mat «rial· 01·' 'Refloktionsverhlltnlsse dor Pabry-Perot-Resonator-Schichten
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jedoch auch umgekehrt sein, wenn der LASER-Lichtstrahl aus der dem Trägerk8rpar abgewandtonOberflächenseite des Halbleiterkörper austreten soll. Dann müßte allerdings auch der Lichtwellenleiter an dieser Oberflachenseite des Halbleiterkörpers an den pn-übergang der Diode angekoppelt sein. ,
Figur k zeigt eine vorteilhafte Kontakt!erungswelse der LASER-Dioden. Auf einem Teilstück des Tragerkörpers 1 sind zwei würfelförmige Halbleiterkörper 2 mit j «wells einer n- und einer p-leitenden Zone dargestellt. Die n-leitexide Zone 3 jeder Diode ist auf dar dem Trägerkörper abgewandten Oberflächenseite des Halbleiterkörpers mit einer metallischen Elektrode ohmisch kontaktiert. Diese Elektrode hat die Form einer flächenhaften Leitbahn 13, die sich über die Halbleiteroberfläche und d«rtn Seitenflächen auf dc.i Trägerkörper 1 erstreckt· Auf dieser ersten Leitbahn befindet sich eine dielektrische Schicht 14, die zusätzlich den pn-übergang
•a der HaIbI«iteroberfliehe abdeckt. Auf dar dielektrischen Sehieht 14 ist dann die LaitbcJm &5 anff«ordnet, durch die die p-1eitende Zone 4 gleichfalls an ihren senkrecht zur Trägerober fliehe verlaufenden Seitenflächen ohmiach kontaktiert wird. Bei diesem Aufbau der Leitbahnen erhält Man eine an dan Rand dar Trägerplatte geführte Bandlaitungeetrtikturi Über dl· ein· Anateuerung·der Dioden bis zu sehr hohen Frequenzen
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- Io -
(QHe.-Bereich) Möglich ist. Durch Pfeile l6 ist in Figur 4 die Austritteriehtung der LASBIl-3 trahl en durch die Trägerplatte hindurch angedeutet.
Anhand 'der 5ohnlttdarsteilungen der Figuren 5 bis 7 wird ein erstes Verfahren zur Herstellung der erfindungsgemäßen Dioden erlSutert. Auf einen TrägarkSrper 1 vird nach Figur eine erste dielektrische Resonatorschicht 6 aufgebracht, die ihrerseits aus Hehreren Sinzelsehichten bestehen kann. Auf diese Sehloht 6 werden voneinander rüumlich getrennte τι-leitende Halblalterbereiche 17 beispielsweise auf epitaktisch··! Weg unter Verwendung von Aufdampf masken gebildet. Diese Halbleiterbereiche werden an ihrer Oberfläche mit einer amorphen Schutzschicht l8 bedeckt, die beispielsweise aus Siliziumdioxyd besteht. Danach werden die sich zwischen den n-leltenden Halbleiterbereichen 17 befindlichen freien Teile dee TrSferkSrpers - nach Figur 6 - mit einem p-leitenden Halbleitermaterial 19 ausgefüllt. Hierzu eignet sieh wiederum die epitkatieohe Abscheidung, wobei, die amorphe Schutzschicht l3 eine. Abecheidung auf dea B-leitenden Halbleiterbereiehen 17 rerbindert« Aas ohl led end wird die muueehr zusammenhlngend· Halbleiterschicht aus einander abwechselnden n- und p-leltenden Bereichen - nach Figur 7 - to durch SHgen, Frff«en oder Ätsen aufgeteilt, dafl räualich voneinander jetrennte HalbJLeiterbereiohe 2 mit Jewell« eiiser a- msid einer p-leitea*
. 1
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- 11 - ■ ..
den Zone entstehen, wobei die pn-Übergänge senkrecht zur Oberfläche des Trägerkörpers verlaufen und der aus dem pn-übergang tretende LASER-Liehtstrahl auf einen Lichtwellenleiter 12 des an die Trägerplatte angekoppelten Kabels 11 trifft. Auf der oberfläche der einzelnen Dioden wird dann die Isolierschicht l8 durch eine zweite Resonatorschicht 7 ersetzt und die einzelnen Zonen der Dioden werden mit ohmschen, zu Leitbahnen erweiterten Kontakten versehen, die vorzugsweise aufgedampft werden»
Ein weiteres Verfahren zur Herstellung der LASER-Dioden wird anhand der Schnittdarstellungen der Figuren 8bis Io beschrieben. Auf einen Trägerkörper 1 wird eine erste dielektrische Resonatorschicht 6 aufgebracht. Anschließend wird auf die Resonatorschicht eine beispielsweise n-leitqnde Halbleiterschicht 2o, deren Flächenausdehnungder des Trägerkörpers entspricht, epitaktisch abgeschieden. Durch die Bildung einer weiteren Resonator schicht 7 auf der Halbleit eisschicht 2 ο werden die Auf dampf- oder Abscheiaepro^csse beendet. Danach muß aus der Halbleiterschicht eine rasterförmige Struktur derart her aus geätzt oder herausgesagt werden, daß einzelne η-leitende Halbleiterbereiche entstehen. Setzt man voraus, daß das Material, der Resonator schicht en und «je» Trägerkörpers undurchlässig für eine Dotierungssubstanz ist,
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die im Halbleiterkörper p-Leitung hervorruft, bilden sich in einem nachfolgenden Diffusionsprozeß durch die seitliche Eindiffusion der Störstellensubstanz in dem Halblei terkörpr.r nach Figur 9 - p-leitende Zonen 21, die von dem ursprünglich η-leitendem Halbleitermaterial durch senkrecht zur Oberfläche dee Trägerkörpere verlaufende pn-Übergänge getrennt sind« Nun bedarf es nur noch eines weiteren Ätzoder Sägeprozesees, damit - nach Figur 3 - auf der Trägeroberfläche einzelne Halbleiterbereiche 2 entstehen, die aus zwei durch einen pn-übergang voneinander getrennten Halbleiterzonen bestehen. Pie Diffusion«- und Ätz- oder Sägeprozease werden so gesteuert, daß der in Jeder Oi de 2 vorhandene pn-übergang 5 einem Lichtwellenleiter 12 des an die Trägerplatte ar: - ' op el ten Kabels 11 gegenüber so angeordnet ist, daß dieser durch den aus der Diode austretenden LASER-Lichtstrahl 16 optiaal angeregt wird.
Wesentlich ist bei der vorliegenden Halbleiteranordnung, daß unter Ausnutzung der bekannten Vorzüge der Planar- ' technlk auf eines TrlgerkSrper eine Vielzahl von LASER-Dioden untergebracht werden können« wobei zugleich Jede Diode einen Lichtwellenleiter der in eine* Kabel befindlichen beliebigen Zahl dichtbenachbarter Lichtwellenleiter durch die ausgesan&e Laserstrahlung anregt. Dadurch ist ea siöglich, Vachrieilten', rHuallch voneinander getrennt, auf einzelnen,
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einander benachbarten Kanälen weiterzuleiten.. Die, Verwendung; planarer Halbleiterdioden, deren pn-übergang senk» recht zur Oberfläche des die Diode tragenden Trägerkörpers verläuft, beschränkt sich nicht allein auf LASER-Dioden, sondern kann auch bei Photo- oder Lumineszenzdioden vorteilhafte Anwendung finden. . > , ·
Die Herstellung der beschriebenen.LASER-Änordnungen beschränkt sich natürlich nicht nur auf die angegebenen Verfahren. Es besteht beispielsweise, auch die Möglichkeit, separat hergestellte Dioden mit planaren pn.-Übergangen so auf einen Trägerkörper aufzukleben, daß die pn-^Übergänge senkrecht zur Trägerpberflache verlaufen.
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Claims (1)

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Patentansprüche
1) Halbleiteranordnung aus Dioden mit mindestens zwei
Zonen unterschiedlichen Leitungstyps, die durch eine
Sperrschicht voneinander getrennt sind, dadurch gekennzeichnet, daß auf einem Trägerkörper mindestens eine Diode
so angeordnet ist, daß ihre Sperrschicht senkrecht zu
der die Diode tragenden Oberflächenseite des Trägerkö.rpers
verläuft.
2) Halbleiteranordnung" nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß auf einem elektrisch Isolierenden Trägerkörper eine' Vielzahl von Dioden in räumlich voneinander getrennter Form mit senkrecht zur Oberfläche des Trägerkörpers verlaufenden pn-Übergängen angeordnet sind.
3) Halbleiteranordnung nach Anspruch 1 und 2.% gekennzeichnet durch ihre Vervrendung als LASER-Diodenanordnung.
k) Halbleiteranordnung nach Anspruch 1 bis 3» gekennzeichnet durch die Anwendung der LASER-Dioden zur Anregung von Lichtwellenleitern.
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5) Halbleiteranordnung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet* daß die 'Halbleiterkörper der JLASER-Dioden auf ihren senkrecht zur Sperrschicht irerlaufenden Oberflächenseiten mit einem Fabry-Perot-Resonator versehen sind.
6) Halbl 'teranordnung nach einem der Ansprüche 1 bis, k, da durch gekfcnnzeiclinet, daß die dem trägerlcorper abgewandte Oberflächenseite des Trägerkörx>ers mit reflektierenden
Schichten versehen sind, dip mit den Piodehnnd dem Trägerkörper Fabry-Perot-Resonatoren bilden. r
7) Haibleiteranordnung nach Anspruch 5 und 6, dadurch gekennzeichnet, daß die laicht reflektierenden Resona^orschichten mehrschichtig ausgebildet sind.
8) Halbleiteranordnung nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, dafr eine Resonatorschicht wechselweise aus
CaI c ium fluor id und Glasschichten zusammengesetzt ist, ι<ό-b«i der Brechungsindex der Calciumfluoridschichten größer ist als der der Glasschichten, und daß jede Schicht eine
Dicke von /4 der LaserstrabVellenlänge beträgt.
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.16 H
9) Halbleiteranordnung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die LASER-Dioden aus Verbindungshalbleitern der III. und der V. Gruppe des periodischen Systems bestehen.
10) Halbleiteranordnung nach Anspruch 9» dadurch gekennzeichnet, daß die LASER-Dioden aus Galliumarsenid oder aus Galliumphosphid bestehen.
11) Halbleiteranordnung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß der Trägerkörper aus hochohmigem Galliumarsenid oder aus einkristallinem Aluminiumoxyd (AlpO_) besteht.
i - ■
12) Halbleiteranordnung nach einem'der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die LASER-Dioden aus epitaktisch aufgebrachtem Halbleitermaterial bestehen.
13) Halbleiteranordnung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die die Dioden bildenden Halbleiterzonen vom einander entgegengesetzten Leitungstyp mit elektrischen Kontakten versehen und diese Kontakte mit auf dem Trägerkörper verlaifenden elektrischen Leitbahnen verbunden sind.
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Ik) Halbleiteranordnung nach Anspruch 131 dadurch gekennzeichnet, daß die Dioden aus einer p-leitenden und aus einer η-leitenden Zone bestehen, daß die auf dem Trägerkörper verlaufende Leitbahn für die eine Halbleiterzonc über der Leitbahn für die andere Halbleiterzone angeordnet ist, wobei die beiden Leitbahnen durch eine dielektrische Zwischenschicht voneinander getrennt sind.
15) Halbleiteranordnung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnot, daß die pn-Übergänge der LASBR-Dioden so auf dem Trägerkörper angeordnet sird, daß der jeweils von einem pn-übergang emittierte LASER-Lichtstrahl durch die Trägerplatte auetritt und auf einen der jeweiligen Diode zugeordneten Lichtwellenleiter in einem an die Trägerplatte angeschlossenen Lichtkabel trifft, so daß der Lichtwellenleiter durch den Lichtstrahl angeregt wird.
16) Halbleiteranordnung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß der LASER-Lichtatrahl aus der dem Trägerkörper abgewandten Oberflächenseite aus der Diode austritt und der der jeweiligen Diode zugeordnete Lichtwellenleiter an der Austrittesteile des LASER-Strahles an die Diode angeschlossen 1st.
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17) Halbleiteranordnung nach Anspruch 13, dadurch gekennzeichnet, daß die die Dioden bildenden ι. . blei terzonen vom einander entgegengesetzten Leitungstyp an der dem Trägerkörpar abgewandten Oberflächenseite der Halbleiterkörper oder en senkrecht zur Oberfläche des Trägerkörpers verlaufenden Seitenflächen der Halbleiterkörper mit metallischen Kontakten versehen sind.
18) Verfahren zum Herstellen einer Halbleiteranordnung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß auf einen einkristall, nen Trägerkörper eine den LASEIl-Strahl reflektierende Schicht aufgebracht und auf diese Schicht anschließend eine Halbleiterschicht vom einen Leitungstyp epitaktisch abgeschieden wird, daß die Halblsitarsehieht mit einer amorphen Schutzschicht bedeckt und Teile der mit der Schutzschicht versehenen Halbleiterschicht wieder entfernt werden, daß anschließend auf die nicht vom Halbleitermaterial bedeckten Teile des Trägerkörpers eine Halbleiterschicht vom anderen Leitungstyp epitaktisch derart abgeschieden wird, daß sich an den Grenzflächen zwischen den beiden Halbleiterschlchten senkrecht zur Oberfläche des Trägerkörpers verlaufende pn-Übergänge ergeben, und daß schließlich das auf dem Trägerkörper befindliche Halbleitermaterial derart aufgeteilt wird,, daß voneinander räumlich getrennte Halbleiterbereiche mit Jeweils einer n- und p-laltenden Halbleiterzone entstehen.
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19) Verfahren nach Anspruch iß,dslurch gekennzeichnet, ^ daß die amorphe Schutzschicht aus Siliziuittdioxyd besteht.
2o). Verfahren zum Herstellen einer Halbleiter anordnung'nach einem der Ansprüche 1 bis 17, dadurch gekennzeichnet, daß auf einen einkristallinen Trägerkörper eine den.LASER-Strahl reflektierende Schicht aufgebracht und auf diese Schicht anschließend eine Halbleiterschicht vom einen Leitung* typ* epitaktisch abgeschieden wird, daß die Halbleiterschicht alt einer dlffusionshemmenden Schicht bedeckt und Teile beider Schichten anschließend entfernt werden, daß in die nicht von der diffusionahemmenden Schicht bedeckten, restlichen Teile der Halbleiterschicht eine Dotierungseubstanz so eindiffundiert wird, daß senkrecht zur Oberfläche des Trägerkörper· verlaufende pn-Übergänge entstehen, und daß schließlich die auf dem Trägerkörper befindlichen Teile der Halbleiterechicht derart aufgeteilt werden, daß voneinander räumlich getrennte Halhleiterbereiche mit jeweils einer n- und p-leitenden Halbleiterzone entstehen.
21) Verfahren nach einem der Ansprüche 18 und 2o, dadurch gekennzeichnet, daß Teile der auf dem Halbleiterkörper epitaktisch abgeschiedenen Halbleiterschicht durch Ätxven oder Fräsen entfernt werden.
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2ö -
22) Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß Dioden rait planeren pn-Übergängen so auf eine Trägerplatte aufgeklebt werden» daß die pn-Übergünge tenkrecht stur Trägeroberflächfr verlaufen»
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2402717A1 (de) * 1973-01-22 1974-08-08 Tokyo Shibaura Electric Co Lichtemittierende anzeigevorrichtung und verfahren zu ihrer herstellung

Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2092896A1 (en) * 1970-06-29 1972-01-28 North American Rockwell Epitaxial film growth - of semiconducting material, by decomposition of organo metallic cpds
US3865653A (en) * 1971-10-12 1975-02-11 Karl Goser Logic circuit having a switching transistor and a load transistor, in particular for a semiconductor storage element
US3890170A (en) * 1972-02-29 1975-06-17 Motorola Inc Method of making a multicolor light display by graded mesaing
US4011575A (en) * 1974-07-26 1977-03-08 Litton Systems, Inc. Light emitting diode array having a plurality of conductive paths for each light emitting diode
US4143940A (en) * 1975-05-09 1979-03-13 U.S. Philips Corporation Device for coupling a radiation source to a monomode optical transmission fiber with the aid of a resonant cavity
US4088389A (en) * 1976-04-01 1978-05-09 Gte Laboratories Incorporated Large bandwidth optical communication systems utilizing an incoherent optical source
DE2641540C2 (de) * 1976-09-15 1981-10-29 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Lumineszenzdiodenzeile zur Erzeugung eines sehr feinen Rasters von Lichtpunkten
US4157926A (en) * 1977-02-24 1979-06-12 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Method of fabricating a high electrical frequency infrared detector by vacuum deposition
US4231053A (en) * 1979-03-05 1980-10-28 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy High electrical frequency infrared detector
DE3410051A1 (de) * 1984-03-19 1985-09-19 Max-Planck-Gesellschaft zur Förderung der Wissenschaften e.V., 3400 Göttingen Verfahren und einrichtung zum synchronen modenkoppeln der longitudinalen lasermoden eines halbleiterdiodenlasers
JP2780981B2 (ja) * 1988-06-27 1998-07-30 三菱電機株式会社 多点発光型半導体レーザ及びその製造方法

Family Cites Families (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2403685A (en) * 1941-03-31 1946-07-09 Rca Corp Light filter
US2379790A (en) * 1942-03-31 1945-07-03 Rca Corp Dichroic reflector
US2758510A (en) * 1949-04-28 1956-08-14 Alois Vogt Interference filter for sunglasses
US2869010A (en) * 1955-04-28 1959-01-13 Rca Corp Interference type optical filters utilizing calcium fluoride
BE639066A (de) * 1962-10-24 1900-01-01
BE639365A (de) * 1962-10-30
US3284722A (en) * 1963-03-22 1966-11-08 Rca Corp Light coupling device
US3283207A (en) * 1963-05-27 1966-11-01 Ibm Light-emitting transistor system
US3361988A (en) * 1963-12-09 1968-01-02 Bell Telephone Labor Inc Laser matrix device
US3349174A (en) * 1964-02-03 1967-10-24 Raytheon Co Beam scanning device
US3359507A (en) * 1964-02-19 1967-12-19 Gen Electric Semiconductor junction laser device
US3359509A (en) * 1964-02-19 1967-12-19 Gen Electric Semiconductive junction laser with temperature compensation
GB1040792A (en) * 1964-02-24 1966-09-01 Nat Res Dev Optical systems for lasers
US3300671A (en) * 1964-03-10 1967-01-24 Gen Electric Surface-adjacent junction electroluminescent device
US3431437A (en) * 1964-05-25 1969-03-04 Rca Corp Optical system for performing digital logic
US3431512A (en) * 1964-06-29 1969-03-04 Union Carbide Corp Junction laser with controlled output
US3429733A (en) * 1965-03-29 1969-02-25 Monsanto Co Method of making a transparent laminate which selectively transmits and reflects radiation over extended spectral ranges
US3289101A (en) * 1965-04-15 1966-11-29 Technical Operations Inc Laser system with optical coherence coupling means
US3417246A (en) * 1965-07-26 1968-12-17 Gen Electric Frequency modulated semiconductor junction laser
US3303432A (en) * 1966-04-18 1967-02-07 Gen Electric High power semiconductor laser devices
US3471923A (en) * 1966-12-09 1969-10-14 Rca Corp Method of making diode arrays
US3492549A (en) * 1968-04-17 1970-01-27 Ncr Co Bistable electroluminescent insulated gate field effect semiconductor device

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2402717A1 (de) * 1973-01-22 1974-08-08 Tokyo Shibaura Electric Co Lichtemittierende anzeigevorrichtung und verfahren zu ihrer herstellung

Also Published As

Publication number Publication date
US3614661A (en) 1971-10-19
GB1228989A (de) 1971-04-21
FR1572873A (de) 1969-06-27
DE1614846B2 (de) 1976-09-23

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Legal Events

Date Code Title Description
C3 Grant after two publication steps (3rd publication)
E77 Valid patent as to the heymanns-index 1977
EHJ Ceased/non-payment of the annual fee