DE1614846A1 - Halbleiteranordnung - Google Patents
HalbleiteranordnungInfo
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Description
Te le funken Patentverwertungsgesellschaft
m. b. II.
Ulm / Donau, Elisabethenstr. 3
Ulm / Donau, Elisabethenstr. 3
Heilbronn, den 18.7,1967
FE/PT-Ma/Na HN 9/67
"Halblei teranordnung"
Die Erfindung betrifft eine Halbleiteranordnung aus Dioden
mit mindestens zwei Zonen xmterschiedlichen Leitungstyps.
Die Erfindung besteht darin, daß auf einem Trägerkörper mindestens
eine Diode so angeordnet ist, daß ihre Sperrschicht, senkrecht zu der die Diode tragenden Oberflächenseite des
Trägerkörp ers verlauf t.
Die vorliegende Erfindung findet vor allem dann vorteilhafte
Anwendung, wenn auf dem Trägerkörper eine Vielzahl räumlich voneinander getrennte planare Dioden angeordnet sind .und wenn
diese Dioden als LASER-Dioden betrieben und entsprechend ausgebildet
werden.
Der LASER-Strahl hat dank seiner Breitbandigkeit, durch die
er praktisch einen theoretisch idealen Übertragungsträger bildet, mehr und mehr Interesse für einen Einsatz zur Nachrichtenübertragung
gefunden. Zur Erzeugung des für die Nachrichten-
009852/1763
16U846
Übermittlung benötigten LASER-Strahles eignen sich besondf't?
LASER-Dioden» die auch als Injektionslaser beze i chri" t werden.
Zum Aufbau der LASER-Dioden wird besonders das ij.iibl π ί ι .-j
material Galllum-Arsenid verwendet. Wird eine ons Gallium-Arsenid
aufgebaute Flächendiode in Durchlaßrichtung betrieben,
so emittiert sie bei kleinen Strömen zunächst inkohärentes Infrarotlicht innertalb eines relativ schmalen
Spektralbereiches. Wird der Durchlaßstrom einer GaAs-Diod·*
über einen bestimmten Wert hinaus vergrößert, so kommt eiu->
induzierte Strahlungsemission zustande. Die Intensität der Strahlung Ist dabei sehr viel höher als bei der Tnfrarotemission,
die Breite der emittierten Spektrallinie reduziert
sich entsprechend. Damit induzierte Strahlungsemission
zustande kommt, muß die Diode mit einem Fabry-Perot-Resonator
versehen werden, dessen Eigenresonanz innerhalb des Spektralbereiches liegt, in dem die erzwungene Strahlungsemission
zustande kommt.
Bei LASER-Dioden wird die Erzeugung kohärenten Lichtes im
wesentlichen mit Rekombinationsübergängen der injizierten Elektronen(LÖcher)" zwischen dem Energieniveau des Leitungsbandes
und dem Niveau des Valenzbandes erklärt. Es sind jedoch
noch andere Übergänge möglich, durch die eine RekombinntIonsstrahlung
zustande kommt. Die Strahlung rührt aus der Umgebung der Sperrschicht zwischen der n~ und der p-le.itenden-
j BAD ORDINAL
003852/176^3 ~:,
Zone de· Halbleiterkörper· her, ao daß der LASER-Strehl
die Diode in einer Richtung verläßt, die in der durch dtn pnübergang gebildeten Fläche liegt.
Ea ist neuerdings der Vorschlag gemacht worden, den von
einer LASER-Diode ausgesandten Lichtstrahl in LichtKellenfaserleitern zu übertragen« Die Übertragungeeinrichtungen
bestehen somit aus einer LASER-Diode, einem Licht^ellenfa-
»erleiter und einem Photoelement, durch das der Lichtstrahl
wieder in elektrisch· Energie am Empfangsort umgewandelt wird. Der Lielitweilenfaserleiier hat den Wesentlichen Vorteil,
daß mit ihm eine beliebige Streckenführung möglich ist, da
sich Lichtwellenfaserlelter praktisch allen Geländegegebenheiten anpassen lassen.
Dioden wurden bisheretets so auf einen Trlgerkörper aufgebracht, daß der die Diode bildende pn-Übergang im wesentlichen parallel zu der Oberfläche des Trägerkörperβ verläuft.
Eine derartige Anordnung 1st für LASIR-Dioden denkbar ungeeignet. Dies gilt besonders dann, wenn in eine« Kabel eine
Vielzahl von Lichtwellenfaserieitern untergebracht sind,
von denen jedem.einzelnen eine LASER-Diode am Sendeort und
eine Photodiode am Smpfangsort zugeordnet »ein sraA.
Ü098S2./V763
16U&A6
Wird dagegen nach dar Erfindung eine oder mehrere Dioden
derart auf eines Tra'gerkörper angeordnet, daß die den
LASER-Strahl emittierenden pn-Übergänge senkrecht zu der
Oberfläche de* Trägerkörpers durch die Dioden verlaufen,
kann auf einfache Weise eine Anpassung der LASER-Dioden
an die in einem Kabel untergebrachten Lichiwellenfaserleiter vorgenommen werden. Hierzu wird die Trägerplatte derart
al« Abschluß dea Kabele verwendet, daß jeder durch die Trägerplatte hindurch tretende LASER-Strahl auf das Ende einos
Faserleiter· trifft und diesen anregt.
Die Erfindung soll im weiteren anhand mehrerer Figuren näher
beschrieben werden.
Figur 1 seigt. eine erfindingsgemäß« LASER-Diode auf einem
isolierenden oder halb isolierenden TrMgerkörρer.
Figur 2 seigt die Anpassung einer Trägerplatte mit einer Vielsah! von LASER-Dioden an ein Kabel mit den Lichtwellen-1eitern.
Figur 3 seigt den Aufbau eines Kabels mit einer Vielzahl einseiner Lichtwellenleiter.
Figur % seigtr wie auf besonders vorteilhafte Weise die
LASBS-Dl««eci kontaktier« und mit elektrischen Anschlüssen
▼ersehe* varAea kflnaen.
BAD ORIGINAL
009852/1763
16U846
Anhand der Figuren 5 bis ? <rird ein Verfahren zur Herstellung einer Vielzahl von LASER-Dioden auf einen Trägerkörper
beschrieben» während anhand der ■
Figuren 8 bis Io ein anderes vorteilhaftes Herstellungsverfahren erläutert wird.
Figur 1 zeigt einen Teil eines Trägerkörpers 1, auf dea
eine einzelne LASER-Diode angeordnet ist. Der Trägerkörper besteht aus einem isolierenden oder halb isolierenden, lichtdurchlässigen Material· Hierfür eignet sich besonders hoch- .
ohaiges Galliun-Areenid oder einkristallines Aluminiuaoxyd
(ALnO.) das heißt ein Saphir. Auf dea Trägerkörper 1 befindet
•Ich Tin Halbleiterkörper 2, der sich aus einer n-leitenden
Zone 3 und einer ρ-leitenden Zone % zusassaensetzt. Der
Halbleiterkörper besteht vorzugsweise aus eine· Verbindungshalbleiter der III. und der V. Gruppe des periodischen Systeas.
Hierfür eignen sich beispielsweise die Verbindungen Galliua-Arsenid und GaIlium-Phoephid. Zur Erfüllung der LASER-Be-'
din^ . igen benötigt ban einen hochdotierten pn-übergang. Für
die nleitende Seite sind bei GaAs Tellurdotierungen von
5.I017 bis 3-Ό18 Störstellen /ce3 charekteristisch, während
auf der p-leitenden Seite Zinkdotierungen bis zu 5*Io '
Störstellen/cub^ auftreten. *
Dar X.n lalbleitericSrper verlaufende pa-Obergang 3 ί·* planar
«ad verll«ft senkrecht zu der die Diode tragenden Oberfläche
009852/1763
16H846
des Trägerkörpers 1. Der Halbleiterkörper 2 ist auf seinen
parallel zu der Oberfläche dee Trägerkörpers verlaufenden
Oberflächenseiten mit Schichten 6 und 7 versehen, die zusäumen mit dem Halbleiterkörper einen Fabry-Perot-Resonator
bilden. Der Fabry-Perot-Resonator sorgt dafür» daß nur Strahlung derselben Phase ausgesendet wird. Er besteht
daher aus den zwei parallelen Schichten 6 und 7 mit hohem Reflexionsvermögen. Das Licht passiert das aktive Medium zwischen den reflektierenden Schichten viele mal und
kann daher mit den Atomen der aktiven Substanz wirksam in
Wechselwirkung treten. Da Licht: ~ahlen, deren Wellenfronten
gegen die Begrenzungsfläche des Resonators geneigt sind, das
System bereits nach wenigen Reflexionen verlassen, hat der Resonator praktisch nur tut die Lichtstrahlen Resonanzeigenschaften, deren Wellenfront genau parallel zu den Endflächen
des Resonators verlaufen.
In einer vorteilhaften Ausführungsform setzen sich die
Resonatorschichten 6 und 7 au« jeweils mehreren Einzelschichten
zusammen, die in Figur 1 nicht im einze ien dargestellt sind.
So besteht beispielsweise jede Schicht 6 und 7 wechselweise
aus mehreren Calciumfluorid- und Glaseinzelschichten· Hierbei
haben die genannten dielektrischen Einzelschichten unterschiedliche Brechungsindices, wobei der Brechungsindex von
Calciumfluorid größer ist als der der Glasschichten. Die Dicke
009852/1763
■-'■■- 7 -
jeder Einzelschicht betrügt vorzugsweise ein Viertel der
Wellenlänge des LASER-Lichtstrahles.
Der Fabry-Perot-Resonator kann auch dadurch gewonnen werden,
daß die des Halbleiterkörper 2 abgewandte Oberflächenseite
des TrSgerkörpors 1 und die dem Trägerkörper abgewandte OberflSchenseite des Halbleiterkörper» mit reflektierenden Schichten versehen werden. Hierdurch wird der Trägerkörper in den
Resonator einbezogen,' so daß die Resonatorlänge künstlich
vergrößert wird. Weiterhin besteht die Möglichkeit, <iie
OberflSchanseiten des Halbleitfrkörpers selbst als. Resonatorbegrenzungof IKcIan zu verwenden, wenn der pn-Ubergang
in einer Xoo.-Netzebene liegt, da die hierzu senkrechten
llo-Ebenen, die dann den Fabry-Perot-Resenator bilden, die
natürlichen Spaltflächen bei GaAs und anderen Ill/V-Verbindungen sind. '
Die beiden Zonen 3 und kdes Halbleiterkörper» sind mit
oha»chen Kontakten 9 und Io versehen, über die die Diode
so alt Stroa versorgt wird, daß dieser die Diode zur Erzeugung «ine· LASER-Strahles in Durchlaßrichtung durchfließt.
Figur 2 ieigt, wie die scheib«nför«ige Trägerplatt· 1 auf
vorteilhaft« Vei·· Bit dea Lichtleiterkabel 11 kombiniert
wird. Dae Lichtleiterkabel enthält nach Figur 3 eine Vielzahl von Lichtwelienfaeerleitern 12, die beispielsweise
au· (alas oder Quarz bestehen, und einen Durchmesser von einigen ,um besitzen. Die Lichtwellenleiter sind von
einen licntundurchla'seigen Material umgeben oder sind in
bekannter Velse als dielektrische Hehrschicht-Wellenleiter
ausgebildet. An dem einen, in Figur 3 dargestellten Ende des Kabels 12 wird nach Figur 2 die Trägerplatte mit einer
Vielzahl von LASER-Dioden 2 so aufgesetzt, daß dem pn-Ühergang jeder Diode ein Lichtwellenfaserleiter zugeordnet 1st, der von dem am pn-übergang emittierten LASEIi-Lichtstrahl getroffen und optimal angeregt wird. An dem
in Fisr 2 und 3 nicht dargestellten Ende des Kabele 11 wird
vorteilhafterweise «ine der Trägerplatte 1 entsprechende
Platte befestigt, die die Eapfangsphctodioden trägt. Wim
der LASEn-Lichtstrahl, wie dies bisher vorausgesetzt wurde,
durch die Trägerplatte hindurch auf dl· Lichtwellenleiter trifft, darf die nach Figur 1 auf der Trägerplatte angeordnete Sohlcht 6 des Fabry-Perot-Reeonatore nicht vollständig
reflektierend sein, sondern der LASBR-Lichtstrahl snifl den
Resonator aaoh einer bestisaten Anzahl von Reflexionen verlassen kSimen. Zn dieses Pail besteht die andere Schiebt 7
des Resonators aus elnesi lootf reflektierenden Mat «rial· 01·'
'Refloktionsverhlltnlsse dor Pabry-Perot-Resonator-Schichten
009852/17 63
jedoch auch umgekehrt sein, wenn der LASER-Lichtstrahl aus der dem Trägerk8rpar abgewandtonOberflächenseite des Halbleiterkörper austreten soll. Dann müßte allerdings auch der Lichtwellenleiter an dieser Oberflachenseite
des Halbleiterkörpers an den pn-übergang der Diode angekoppelt sein. ,
Figur k zeigt eine vorteilhafte Kontakt!erungswelse der
LASER-Dioden. Auf einem Teilstück des Tragerkörpers 1 sind
zwei würfelförmige Halbleiterkörper 2 mit j «wells einer n-
und einer p-leitenden Zone dargestellt. Die n-leitexide Zone 3
jeder Diode ist auf dar dem Trägerkörper abgewandten Oberflächenseite des Halbleiterkörpers mit einer metallischen
Elektrode ohmisch kontaktiert. Diese Elektrode hat die
Form einer flächenhaften Leitbahn 13, die sich über die
Halbleiteroberfläche und d«rtn Seitenflächen auf dc.i Trägerkörper 1 erstreckt· Auf dieser ersten Leitbahn befindet sich
eine dielektrische Schicht 14, die zusätzlich den pn-übergang
•a der HaIbI«iteroberfliehe abdeckt. Auf dar dielektrischen
Sehieht 14 ist dann die LaitbcJm &5 anff«ordnet, durch die die
p-1eitende Zone 4 gleichfalls an ihren senkrecht zur Trägerober fliehe verlaufenden Seitenflächen ohmiach kontaktiert
wird. Bei diesem Aufbau der Leitbahnen erhält Man eine an
dan Rand dar Trägerplatte geführte Bandlaitungeetrtikturi Über
dl· ein· Anateuerung·der Dioden bis zu sehr hohen Frequenzen
009852/176
16U846
- Io -
(QHe.-Bereich) Möglich ist. Durch Pfeile l6 ist in Figur 4
die Austritteriehtung der LASBIl-3 trahl en durch die Trägerplatte hindurch angedeutet.
Anhand 'der 5ohnlttdarsteilungen der Figuren 5 bis 7 wird
ein erstes Verfahren zur Herstellung der erfindungsgemäßen
Dioden erlSutert. Auf einen TrägarkSrper 1 vird nach Figur
eine erste dielektrische Resonatorschicht 6 aufgebracht, die ihrerseits aus Hehreren Sinzelsehichten bestehen kann. Auf
diese Sehloht 6 werden voneinander rüumlich getrennte τι-leitende Halblalterbereiche 17 beispielsweise auf epitaktisch··! Weg unter Verwendung von Aufdampf masken gebildet.
Diese Halbleiterbereiche werden an ihrer Oberfläche mit einer amorphen Schutzschicht l8 bedeckt, die beispielsweise aus
Siliziumdioxyd besteht. Danach werden die sich zwischen den n-leltenden Halbleiterbereichen 17 befindlichen freien Teile
dee TrSferkSrpers - nach Figur 6 - mit einem p-leitenden
Halbleitermaterial 19 ausgefüllt. Hierzu eignet sieh wiederum
die epitkatieohe Abscheidung, wobei, die amorphe Schutzschicht l3 eine. Abecheidung auf dea B-leitenden Halbleiterbereiehen 17 rerbindert« Aas ohl led end wird die muueehr zusammenhlngend· Halbleiterschicht aus einander abwechselnden
n- und p-leltenden Bereichen - nach Figur 7 - to durch SHgen,
Frff«en oder Ätsen aufgeteilt, dafl räualich voneinander jetrennte HalbJLeiterbereiohe 2 mit Jewell« eiiser a- msid einer p-leitea*
. 1
009652/1763
16U846
- 11 - ■ ..
den Zone entstehen, wobei die pn-Übergänge senkrecht zur
Oberfläche des Trägerkörpers verlaufen und der aus dem
pn-übergang tretende LASER-Liehtstrahl auf einen Lichtwellenleiter
12 des an die Trägerplatte angekoppelten Kabels 11 trifft. Auf der oberfläche der einzelnen Dioden wird dann
die Isolierschicht l8 durch eine zweite Resonatorschicht 7
ersetzt und die einzelnen Zonen der Dioden werden mit ohmschen, zu Leitbahnen erweiterten Kontakten versehen, die
vorzugsweise aufgedampft werden»
Ein weiteres Verfahren zur Herstellung der LASER-Dioden wird anhand der Schnittdarstellungen der Figuren 8bis Io beschrieben. Auf einen Trägerkörper 1 wird eine erste dielektrische
Resonatorschicht 6 aufgebracht. Anschließend wird auf die Resonatorschicht eine beispielsweise n-leitqnde Halbleiterschicht
2o, deren Flächenausdehnungder des Trägerkörpers
entspricht, epitaktisch abgeschieden. Durch die Bildung einer weiteren Resonator schicht 7 auf der Halbleit eisschicht 2 ο werden die Auf dampf- oder Abscheiaepro^csse beendet. Danach muß aus der Halbleiterschicht eine rasterförmige
Struktur derart her aus geätzt oder herausgesagt werden,
daß einzelne η-leitende Halbleiterbereiche entstehen. Setzt
man voraus, daß das Material, der Resonator schicht en und «je»
Trägerkörpers undurchlässig für eine Dotierungssubstanz ist,
009852/1765
die im Halbleiterkörper p-Leitung hervorruft, bilden sich
in einem nachfolgenden Diffusionsprozeß durch die seitliche
Eindiffusion der Störstellensubstanz in dem Halblei terkörpr.r
nach Figur 9 - p-leitende Zonen 21, die von dem ursprünglich
η-leitendem Halbleitermaterial durch senkrecht zur Oberfläche dee Trägerkörpere verlaufende pn-Übergänge
getrennt sind« Nun bedarf es nur noch eines weiteren Ätzoder Sägeprozesees, damit - nach Figur 3 - auf der Trägeroberfläche
einzelne Halbleiterbereiche 2 entstehen, die aus zwei durch einen pn-übergang voneinander getrennten
Halbleiterzonen bestehen. Pie Diffusion«- und Ätz- oder Sägeprozease werden so gesteuert, daß der in Jeder Oi de 2 vorhandene
pn-übergang 5 einem Lichtwellenleiter 12 des an die Trägerplatte ar: - ' op el ten Kabels 11 gegenüber so angeordnet
ist, daß dieser durch den aus der Diode austretenden
LASER-Lichtstrahl 16 optiaal angeregt wird.
Wesentlich ist bei der vorliegenden Halbleiteranordnung,
daß unter Ausnutzung der bekannten Vorzüge der Planar- ' technlk auf eines TrlgerkSrper eine Vielzahl von LASER-Dioden untergebracht werden können« wobei zugleich Jede
Diode einen Lichtwellenleiter der in eine* Kabel befindlichen beliebigen Zahl dichtbenachbarter Lichtwellenleiter durch die
ausgesan&e Laserstrahlung anregt. Dadurch ist ea siöglich,
Vachrieilten', rHuallch voneinander getrennt, auf einzelnen,
IAD 009852/1763
16U846
einander benachbarten Kanälen weiterzuleiten.. Die, Verwendung; planarer Halbleiterdioden, deren pn-übergang senk»
recht zur Oberfläche des die Diode tragenden Trägerkörpers
verläuft, beschränkt sich nicht allein auf LASER-Dioden,
sondern kann auch bei Photo- oder Lumineszenzdioden vorteilhafte
Anwendung finden. . > , ·
Die Herstellung der beschriebenen.LASER-Änordnungen beschränkt sich natürlich nicht nur auf die angegebenen Verfahren.
Es besteht beispielsweise, auch die Möglichkeit, separat hergestellte Dioden mit planaren pn.-Übergangen
so auf einen Trägerkörper aufzukleben, daß die pn-^Übergänge
senkrecht zur Trägerpberflache verlaufen.
009852/1763
Claims (1)
16U846
Patentansprüche
1) Halbleiteranordnung aus Dioden mit mindestens zwei
Zonen unterschiedlichen Leitungstyps, die durch eine
Sperrschicht voneinander getrennt sind, dadurch gekennzeichnet, daß auf einem Trägerkörper mindestens eine Diode
so angeordnet ist, daß ihre Sperrschicht senkrecht zu
Zonen unterschiedlichen Leitungstyps, die durch eine
Sperrschicht voneinander getrennt sind, dadurch gekennzeichnet, daß auf einem Trägerkörper mindestens eine Diode
so angeordnet ist, daß ihre Sperrschicht senkrecht zu
der die Diode tragenden Oberflächenseite des Trägerkö.rpers
verläuft.
verläuft.
2) Halbleiteranordnung" nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet,
daß auf einem elektrisch Isolierenden Trägerkörper eine' Vielzahl von Dioden in räumlich voneinander getrennter
Form mit senkrecht zur Oberfläche des Trägerkörpers verlaufenden
pn-Übergängen angeordnet sind.
3) Halbleiteranordnung nach Anspruch 1 und 2.% gekennzeichnet
durch ihre Vervrendung als LASER-Diodenanordnung.
k) Halbleiteranordnung nach Anspruch 1 bis 3» gekennzeichnet
durch die Anwendung der LASER-Dioden zur Anregung von Lichtwellenleitern.
0098 52/176 3
1614046
5) Halbleiteranordnung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet* daß die 'Halbleiterkörper
der JLASER-Dioden auf ihren senkrecht zur Sperrschicht irerlaufenden
Oberflächenseiten mit einem Fabry-Perot-Resonator
versehen sind.
6) Halbl 'teranordnung nach einem der Ansprüche 1 bis, k, da
durch gekfcnnzeiclinet, daß die dem trägerlcorper abgewandte
Oberflächenseite des Trägerkörx>ers mit reflektierenden
Schichten versehen sind, dip mit den Piodehnnd dem Trägerkörper Fabry-Perot-Resonatoren bilden. r
Schichten versehen sind, dip mit den Piodehnnd dem Trägerkörper Fabry-Perot-Resonatoren bilden. r
7) Haibleiteranordnung nach Anspruch 5 und 6, dadurch gekennzeichnet,
daß die laicht reflektierenden Resona^orschichten
mehrschichtig ausgebildet sind.
8) Halbleiteranordnung nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet,
dafr eine Resonatorschicht wechselweise aus
CaI c ium fluor id und Glasschichten zusammengesetzt ist, ι<ό-b«i
der Brechungsindex der Calciumfluoridschichten größer
ist als der der Glasschichten, und daß jede Schicht eine
Dicke von /4 der LaserstrabVellenlänge beträgt.
Dicke von /4 der LaserstrabVellenlänge beträgt.
O03B5 2/1763
.16 H
9) Halbleiteranordnung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die LASER-Dioden
aus Verbindungshalbleitern der III. und der V. Gruppe des
periodischen Systems bestehen.
10) Halbleiteranordnung nach Anspruch 9» dadurch gekennzeichnet,
daß die LASER-Dioden aus Galliumarsenid oder
aus Galliumphosphid bestehen.
11) Halbleiteranordnung nach einem der vorhergehenden
Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß der Trägerkörper aus hochohmigem Galliumarsenid oder aus einkristallinem
Aluminiumoxyd (AlpO_) besteht.
i - ■
12) Halbleiteranordnung nach einem'der vorhergehenden
Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die LASER-Dioden
aus epitaktisch aufgebrachtem Halbleitermaterial bestehen.
13) Halbleiteranordnung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die die Dioden bildenden Halbleiterzonen vom einander entgegengesetzten Leitungstyp
mit elektrischen Kontakten versehen und diese Kontakte
mit auf dem Trägerkörper verlaifenden elektrischen Leitbahnen
verbunden sind.
009852/1763
16U846
Ik) Halbleiteranordnung nach Anspruch 131 dadurch gekennzeichnet,
daß die Dioden aus einer p-leitenden und aus einer
η-leitenden Zone bestehen, daß die auf dem Trägerkörper
verlaufende Leitbahn für die eine Halbleiterzonc über der
Leitbahn für die andere Halbleiterzone angeordnet ist, wobei die beiden Leitbahnen durch eine dielektrische Zwischenschicht voneinander getrennt sind.
15) Halbleiteranordnung nach einem der vorhergehenden
Ansprüche, dadurch gekennzeichnot, daß die pn-Übergänge der LASBR-Dioden so auf dem Trägerkörper angeordnet sird,
daß der jeweils von einem pn-übergang emittierte LASER-Lichtstrahl
durch die Trägerplatte auetritt und auf einen der jeweiligen
Diode zugeordneten Lichtwellenleiter in einem an die Trägerplatte angeschlossenen Lichtkabel trifft, so daß
der Lichtwellenleiter durch den Lichtstrahl angeregt wird.
16) Halbleiteranordnung nach einem der vorhergehenden Ansprüche,
dadurch gekennzeichnet, daß der LASER-Lichtatrahl aus der dem
Trägerkörper abgewandten Oberflächenseite aus der Diode austritt
und der der jeweiligen Diode zugeordnete Lichtwellenleiter
an der Austrittesteile des LASER-Strahles an die Diode
angeschlossen 1st.
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17) Halbleiteranordnung nach Anspruch 13, dadurch gekennzeichnet,
daß die die Dioden bildenden ι. . blei terzonen vom einander entgegengesetzten Leitungstyp an der dem Trägerkörpar
abgewandten Oberflächenseite der Halbleiterkörper oder en senkrecht zur Oberfläche des Trägerkörpers verlaufenden
Seitenflächen der Halbleiterkörper mit metallischen
Kontakten versehen sind.
18) Verfahren zum Herstellen einer Halbleiteranordnung
nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß auf einen einkristall, nen Trägerkörper eine
den LASEIl-Strahl reflektierende Schicht aufgebracht und
auf diese Schicht anschließend eine Halbleiterschicht vom
einen Leitungstyp epitaktisch abgeschieden wird, daß die
Halblsitarsehieht mit einer amorphen Schutzschicht bedeckt und Teile der mit der Schutzschicht versehenen Halbleiterschicht
wieder entfernt werden, daß anschließend auf die nicht vom Halbleitermaterial bedeckten Teile des Trägerkörpers
eine Halbleiterschicht vom anderen Leitungstyp epitaktisch
derart abgeschieden wird, daß sich an den Grenzflächen zwischen den beiden Halbleiterschlchten senkrecht zur Oberfläche
des Trägerkörpers verlaufende pn-Übergänge ergeben, und daß schließlich das auf dem Trägerkörper befindliche
Halbleitermaterial derart aufgeteilt wird,, daß voneinander räumlich getrennte Halbleiterbereiche mit Jeweils einer n-
und p-laltenden Halbleiterzone entstehen.
009852/1763
19) Verfahren nach Anspruch iß,dslurch gekennzeichnet, ^
daß die amorphe Schutzschicht aus Siliziuittdioxyd besteht.
2o). Verfahren zum Herstellen einer Halbleiter anordnung'nach
einem der Ansprüche 1 bis 17, dadurch gekennzeichnet, daß
auf einen einkristallinen Trägerkörper eine den.LASER-Strahl reflektierende Schicht aufgebracht und auf diese
Schicht anschließend eine Halbleiterschicht vom einen Leitung* typ* epitaktisch abgeschieden wird, daß die Halbleiterschicht alt einer dlffusionshemmenden Schicht bedeckt und
Teile beider Schichten anschließend entfernt werden, daß in
die nicht von der diffusionahemmenden Schicht bedeckten, restlichen Teile der Halbleiterschicht eine Dotierungseubstanz
so eindiffundiert wird, daß senkrecht zur Oberfläche des
Trägerkörper· verlaufende pn-Übergänge entstehen, und daß
schließlich die auf dem Trägerkörper befindlichen Teile der
Halbleiterechicht derart aufgeteilt werden, daß voneinander
räumlich getrennte Halhleiterbereiche mit jeweils einer n-
und p-leitenden Halbleiterzone entstehen.
21) Verfahren nach einem der Ansprüche 18 und 2o, dadurch
gekennzeichnet, daß Teile der auf dem Halbleiterkörper epitaktisch abgeschiedenen Halbleiterschicht durch Ätxven oder
Fräsen entfernt werden.
0098S2/1763
2ö -
22) Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche,
dadurch gekennzeichnet, daß Dioden rait planeren pn-Übergängen
so auf eine Trägerplatte aufgeklebt werden» daß die pn-Übergünge
tenkrecht stur Trägeroberflächfr verlaufen»
-009862/176
Lee rse i f e
Priority Applications (4)
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EHJ | Ceased/non-payment of the annual fee |