DE1614834B1 - METHOD OF MANUFACTURING A SEMICONDUCTOR ARRANGEMENT - Google Patents

Description

Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zum Tiefe größer als der halbe Durchmesser des darin Herstellen einer Halbleiteranordnung, bei welchem aufzunehmenden Anschlußdrahtes ist, und deren die Anschlußdrähte in fester gegenseitiger Lage ge- Breite kleiner als der Durchmesser des Anschlußhalten werden, das Halbleiterelement auf einem der drahtes ist und daß jeder Anschlußdraht in eine Anschlußdrähte befestigt und mit den anderen An- 5 der Nuten so eingepreßt wird, daß er darin durch schlußdrähten verbunden wird, und anschließend das Reibung festgehalten wird und sein Ende freitragend Halbleiterelement eingekapselt wird. von dem Trägerblock absteht.The invention relates to a method for depth greater than half the diameter of the inside Manufacture of a semiconductor device in which there is to be received lead wire, and the the connection wires in a fixed mutual position- width smaller than the diameter of the connection holder be, the semiconductor element is on one of the wires and that each connecting wire is in one Connecting wires attached and pressed in with the other 5 of the grooves so that it goes through connecting wires is connected, and then the friction is held and its end cantilevered Semiconductor element is encapsulated. protrudes from the support block.

Nach einem älteren Vorschlag besteht ein Ver- Das gleichzeitige Einkapseln einer größeren Anfahren dieser Art darin, daß eine ganze Reihe von zahl von Halbleiteranordnungen wird nach einer voreingekapselten Halbleiterbauelementen auf einem io teilhaften Ausgestaltung des erfindungsgemäßen VerTransportband gefertigt werden, das aus den noch fahrens dadurch erreicht, daß mehrere Trägerblöcke, zusammenhängenden Anschlußdrähten der Halb- von denen jeder eine Anzahl von abstehenden Anleiterbauelemente besteht. Zu diesem Zweck werden schlußdrähten mit einem auf einem der freitragenden die Anschlußdrähte in der erforderlichen Anzahl Enden montierten und elektrisch mit den anderen durch Bohrungen eines Fonnkörpers vorgeschoben, 15 freitragenden Enden verbundenen Halbleiterplätt- und in bestimmten Abständen wird jeweils ein Halb- chen aufweist, nebeneinander in zwei parallelen leiterbauelement auf einem der Anschlußdrähte be- Reihen so angeordnet werden, daß die freitragenden festigt und mit den anderen Anschlußdrähten ver- Anschlußdrähte in jeder Reihe zur anderen Reihe bunden. Diese Anordnung wird dann in einen Hohl- hin gerichtet sind, und in zugehörige getrennte Formraum des Formkörpers zurückgezogen, eingekapselt 20 hohlräume ragen, die in zwei nebeneinanderliegen- und dann so weit aus dem Formkörper herausge- den Reihen angeordnet sind, und daß ein fließfähiger schoben, daß das nächste Halbleiterbauelement in wärmehärtbarer Kunststoff aus einem einzigen Zuder gleichen Weise angebracht und eingekapselt wer- fuhrkanal, der sich zwischen den beiden Reihen der den kann. Dieses Verfahren ist auf Halbleiterbau- Formhohlräume erstreckt, in jeden der Formhohlelemente beschränkt, bei denen die Anschlußdrähte 25 räume eingeführt wird.According to an older proposal, there is a simultaneous encapsulation of a larger start-up of this type in that a whole series of number of semiconductor devices is pre-encapsulated after one Semiconductor components on a partial configuration of the conveyor belt according to the invention are manufactured, which is achieved from the still driving by the fact that several carrier blocks, contiguous connecting wires of the half- each of which has a number of protruding conductor components consists. For this purpose, connecting wires are attached to one of the self-supporting the connecting wires assembled in the required number of ends and electrically connected to the others advanced through holes in a shaped body, 15 cantilevered ends connected semiconductor wafers and at certain intervals there is a half-square, next to each other in two parallel ones The conductor component is arranged on one of the connecting wires in such a way that the self-supporting and with the other connecting wires connecting wires in each row to the other row bound. This arrangement will then be directed into a cavity, and into an associated separate mold space of the molding withdrawn, encapsulated 20 cavities protrude, which are located in two adjacent- and then so far out of the molding the rows are arranged, and that a flowable pushed that the next semiconductor device in thermosetting plastic from a single Zuder attached and encapsulated in the same way, which runs between the two rows of can. This process extends to semiconductor device mold cavities in each of the mold cavity members limited, in which the connecting wires 25 spaces are introduced.

vollkommen gerade und parallel zueinander durch Dies wird dadurch erreicht, daß eine Vielzahlperfectly straight and parallel to each other by this is achieved by having a plurality

die ganze Einkapselung hindurch verlaufen können. von Trägerblöcken Seite an Seite in zwei Reihen socan run through the entire encapsulation. of support blocks side by side in two rows like this

Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein ausgerichtet wird, daß sich die ZuleitungsdrähteThe invention has for its object to be aligned that the lead wires

Verfahren der eingangs angegebenen Art zu scharfen, jeweils auf die andere Reihe zu in zwei Reihen vonTo sharpen the method of the type specified above, each on the other row in two rows of

bei dem keine Einschränkungen hinsichtlich der Art 30 Formausnehmungen erstrecken. Dann wird durchwhere there are no restrictions on type 30 mold recesses. Then through

und Form der Anschlußdrähte bestehen, und mit einen einzigen Kanal zwischen den beiden Reihenand shape of the leads, and with a single channel between the two rows

dem eine beliebige Anzahl von Halbleiteranordnun- von Formausnehmungen und durch Zuleitungen inwhich any number of semiconductor arrangements from mold recesses and through leads in

gen gleichzeitig eingekapselt werden können. jede der Ausnehmungen Kunststoff gepreßt, so daßgenes can be encapsulated at the same time. each of the recesses pressed plastic so that

Nach der Erfindung wird dies dadurch erreicht, der Kunststoffabfall verringert wird,
daß die Anschlußdrähte durch Reibung in einem 35 Ein Ausführungsbeispiel der Erfindung ist in der Trägerblock derart festgehalten werden, daß das eine Zeichnung dargestellt. Darin zeigen
Ende jedes Anschlußdrahts freitragend von dem Fig. 1 bis 6 perspektivische Ansichten einzelner Trägerblock absteht, daß das Halbleiterelement mit Schritte des Herstellungsverfahrens nach der Erfinden freitragenden Enden der Anschlußdrähte ver- dung,According to the invention, this is achieved by reducing the plastic waste,
that the connecting wires by friction in a 35 An embodiment of the invention is held in the support block such that a drawing is shown. Show in it
End of each connecting wire protrudes self-supporting from the Fig. 1 to 6 perspective views of individual support blocks, that the semiconductor element with steps of the manufacturing process according to the invention of self-supporting ends of the connecting wires,

bunden wird, und daß das Halbleiterelement in einer 40 Fig. 7 eine perspektivische Ansicht eines nach Form neben dem Trägerblock in ein Plastikmaterial dem Verfahren von Fig. 1 bis 6 hergestellten Traneingeschlossen wird. sistors, is bonded, and that the semiconductor element in a 40 Fig. 7 is a perspective view of a after Mold next to the support block is encased in a plastic material made by the process of Figures 1-6. sistors,

Das erfindungsgemäße Verfahren ermöglicht das Fig. 8 bis 11 den Ansichten von Fig. 1 bis 6The method according to the invention enables FIGS. 8 to 11 to show the views of FIGS. 1 to 6

unmittelbare Verbinden von Halbleiteranordnungen ähnliche perspektivische Ansichten einer anderenDirect connection of semiconductor devices to similar perspective views of another

mit den Anschlußdrähten ohne Verwendung von 45 Ausführungsform des erfindungsgemäßen Verfahrens,with the connecting wires without using an embodiment of the method according to the invention,

Zwischenträgern, wobei die Anschlußdrähte beliebig Fig. 12 eine perspektivische Ansicht eines nachIntermediate carriers, the connecting wires as desired

geformt sein können und nicht notwendigerweise in dem Verfahren von Fig. 8 bis 11 hergestelltenmay be shaped and not necessarily made in the process of FIGS. 8-11

einer Ebene liegen müssen, und sofort anschließend Transistors,must lie on one level, and immediately afterwards transistor,

das Einkapseln, ohne daß dazwischen ein Hand- Fig, 13 eine Ansicht einer bevorzugten Ausfüh-encapsulation without a hand in between.

haben der Anordnung erforderlich ist. Insbesondere 5° rungsform des in dem Verfahren von Fig. 1 bis 6have the arrangement required. In particular, the embodiment of the method used in FIGS. 1 to 6

kann das Einkapseln durch Preßspritzen mit einem verwendeten Trägerblocks,can encapsulate by transfer molding with a carrier block used,

wärmehärtbaren Kunststoff erfolgen, wodurch Bau- Fig. 14 eine Seitenansicht des in Fig. 13 dar-thermosetting plastic, whereby construction Fig. 14 is a side view of the in Fig. 13 dar-

elemente mit großer mechanischer Festigkeit erhalten gestellten Trägerblocks,elements with high mechanical strength are provided with support blocks,

werden. Die Zahl der benötigten Verfahrensschritte Fig. 15 eine Stirnansicht des in Fig. 13 darist gering, und das für die Einkapselung verwendete 55 gestellten Trägerblocks,will. The number of process steps required. FIG. 15 is an end view of the one in FIG low, and the 55 provided support blocks used for encapsulation,

Kunststoffmaterial kann gut ausgenutzt werden. Das Fig. 16 eine Stirnansicht einer bevorzugten Aus-Verfahren eignet sich besonders gut für eine weit- führungsform des in dem Verfahren von Fig. 8 bis gehend automatisierte Massenfertigung. 11 verwendeten Trägerblocks,Plastic material can be put to good use. 16 is an end view of a preferred Aus process is particularly well suited for a further implementation of the method in FIGS. 8 to going automated mass production. 11 used carrier blocks,

Eine Ausführungsform des erfindungsgemäßen Fig. 17 eine Ansicht einer Stützplatte für mehrereAn embodiment of FIG. 17 according to the invention is a view of a support plate for several

Verfahrens besteht darin, daß jeder der Anschluß- 60 der Trägerblöcke von Fig. 13 bis 15, wobei TeileMethod is that each of the terminal 60 of the carrier blocks of Figs. 13-15, with parts

drahte zur Bildung eines Federabschnitts teilweise zur Verdeutlichung der Konstruktion weggebrochenwires partially broken away to form a spring section to illustrate the construction

verformt und so in dem Trägerblock angeordnet dargestellt sind,are shown deformed and so arranged in the support block,

wird, daß dieser den Federabschnitt durch Reibung Fig. 18 eine Schnittansicht längs der Linie 18-18is that this the spring portion by friction Fig. 18 is a sectional view taken along the line 18-18

erfaßt und festhält. von Fig. 17,grasps and holds. of Fig. 17,

Eine andere Ausführungsform des erfindungsge- 65 Fig. 19 eine Hinteransicht der in Fig. 17 darmäßen Verfahrens besteht darin, daß ein Trägerkör- gestellten Stützplatte,Another embodiment of the invention is shown in FIG. 19 a rear view of the intestine in FIG The method consists in that a support plate provided with a carrier body,

per aus einem elastischen Material verwendet wird, Fig. 20 eine Ansicht der unteren Hälfte einer mitis used from an elastic material, Fig. 20 is a view of the lower half of a with

der an einer Seite mehrere Nuten aufweist, deren mehreren Ausnehmungen versehenen Form, die ge-which has several grooves on one side, the shape of which is provided with several recesses, the

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maß der Erfindung zur Durchführung des erfindungs- Enden der Zuleitungsdrähte gleichzeitig gegen einenmeasure of the invention to carry out the invention ends of the lead wires against one at the same time

gemäßen Verfahrens aufgebaut ist, geeignet angebrachten Anschlag gestoßen werden.is constructed according to the method, a suitably attached stop can be pushed.

Fig. 21 eine Ansicht eines durch die untere und Als nächstes werden die Zuleitungsdrähte auf einerFig. 21 is a view of one through the bottom and next, the lead wires are placed on one

die obere Hälfte der in Fig. 20 dargestellten Form Heizeinrichtung angebracht, und ein kleines, rechtgeführten Schnittes, 5 eckiges Stückchen einer Goldfolie 20 wird auf demthe upper half of the mold heater shown in Fig. 20 is attached, and a small one on the right Cut, 5 angular piece of gold foil 20 is on the

Fig. 22 eine vergrößerte Schnittansicht einer ein- abgeflachten Ende 13α des mittleren Zuleitungs-22 is an enlarged sectional view of a flattened end 13 α of the middle feed line

zelnen Ausnehmung der in Fig. 20 dargestellten drahtes 13 angebracht. Die Goldfolie schmilzt dannIndividual recess of the wire 13 shown in Fig. 20 is attached. The gold foil then melts

Form, und und haftet an dem Zuleitungsdraht. Nun wird einForm, and and adheres to the lead wire. Now becomes a

Fig. 23 bis 26 vereinfachte Ansichten einer wei- Halbleiterplättchen22 auf die Goldfolie gelegt. Die teren Ausführungsform des erfindungsgemäßen Ver- io Zuleitungsdrähte werden dabei so erhitzt, daß sich23 to 26 simplified views of a white semiconductor plate 22 placed on the gold foil. the Lower embodiment of the inventive Verio lead wires are heated so that

fahrens. das Plättchen durch das Gold an das abgeflachtedriving. the platelet through the gold to the flattened one

Eine Ausführungsform des erfindungsgemäßen Ende 13 α des mittleren Zuleitungsdrahtes anlegiert. Verfahrens ist in Fig. 1 bis 6 dargestellt. Ein Bei einem Transistor wird gewöhnlich der Kollektor Trägerblock 10 hält drei Zuleitungsdrähte 12,13 und durch diesen Vorgang mit dem Zuleitungsdraht ver-14 parallel zueinander so fest, daß die Enden der 15 bunden. Ein Kontaktdraht 24 aus Gold mit kleinem Zuleitungsdrähte freitragend vom Trägerblock 10 Durchmesser wird dann mit dem verbreiterten Basisabstehen. Der Trägerblock 10 ist aus einem elasti- kontakt auf dem Halbleiterplättchen und dem abgesehen Material hergestellt, und er ist mit parallelen flachten Ende 14 α verbunden, während ein Kontakt-Nuten 16,17 und 18 versehen, die die Zuleitungs- draht 26 mit dem verbreiterten Emitterkontakt und drähte 12,13 und 14 in einem engen Paßsitz auf- 20 dem abgeflachten Ende 12 α verbunden wird,
nehmen, so daß sie durch Reibung im Trägerblock Die freitragenden Enden der Zuleitungsdrähte 12 festgehalten werden. Dies wird dadurch erzielt, daß bis 14 werden nun zusammen mit dem Halbleiterdie Breite der Nuten 16,17 und 18 kleiner als der plättchen 22 und den Kontaktdrähten 24 und 26 in Durchmesser der Zuleitungsdrähte 12,13 und 14 ge- einer geeigneten Ausnehmung einer Transferform macht wird und daß der Trägerblock 10 aus einem 25 angebracht, wo die Enden der Zuleitungsdrähte 12 elastischen Material hergestellt wird. Die Nuten sind bis 14 in einem Kunststoffkörper 28 eingekapselt zumindest tiefer als der Radius der Zuleitungsdrähte; werden, wie in F i g. 6 dargestellt ist. Nachdem die sie sind vorzugsweise beträchtlich tiefer. Vorrichtung aus der Form herausgenommen ist,An embodiment of the end 13 according to the invention α of the middle lead wire is alloyed. The method is illustrated in FIGS. 1-6. In the case of a transistor, the collector carrier block 10 holds three lead wires 12, 13 and, through this process, ver-14 with the lead wire parallel to one another so that the ends of the 15 are connected. A contact wire 24 made of gold with small lead wires cantilevered from the support block 10 diameter will then protrude with the widened base. The carrier block 10 is made of an elastic contact on the semiconductor wafer and the apart material, and it is connected to parallel flat ends 14 α , while a contact grooves 16, 17 and 18 are provided, which widen the lead wire 26 with the Emitter contact and wires 12, 13 and 14 are connected in a tight fit on the flattened end 12 α ,
take so that they are held by friction in the support block The cantilevered ends of the lead wires 12. This is achieved in that up to 14, together with the semiconductor, the width of the grooves 16, 17 and 18 are smaller than the plate 22 and the contact wires 24 and 26 in diameter of the lead wires 12, 13 and 14 make a suitable recess of a transfer mold and that the support block 10 is attached from a 25, where the ends of the lead wires 12 elastic material is made. The grooves are encapsulated up to 14 in a plastic body 28 at least deeper than the radius of the lead wires; as shown in FIG. 6 is shown. After that they are preferably considerably deeper. Device is removed from the mold,

Der Trägerblock 10 ist in typischer Weise aus kann sie noch im Trägerblock 10 durch Anlegen von einer körnigen Mischung aus 25% Glas und 75% 30 Tastköpfen an die Zuleitungsdrähte 12 bis 14 geprüft Tetrafluoräthylen geformt, obwohl auch andere Ma- werden, da der Trägerblock 10 ein elektrischer Isoterialien mit ähnlichen Eigenschaften verwendet lator ist. Die Vorrichtung kann dann dadurch leicht werden können. Das glasfaserverstärkte Tetrafluor- aus dem Trägerblock 10 entfernt werden, daß auf äthylen kann mit den nötigen Toleranzen geformt dem Kunststoffkörper 28 eine Zugkraft ausgeübt wird, werden und es ist zwar genügend elastisch, daß die 35 damit sich die Zuleitungsdrähte in Längsrichtung aus Zuleitungsdrähte in die Nuten hineingedrückt wer- den Nuten 16 bis 18 herausbewegen. Das fertige den können, aber doch starr genug, daß es bei wie- Bauelement kann im wesentlichen so aussehen, wie derholtem Gebrauch seine Form beibehält. Das glas- in Fig. 7 dargestellt ist, obwohl das Kunststofffaserverstärkte Tetrafluoräthylen ist auch gegen die material undurchsichtig und nicht wie in der Dar-Temperaturen widerstandsfähig, die bei den Ver- 40 stellung, durchsichtig ist.The carrier block 10 is typically made from it can still be in the carrier block 10 by applying a granular mixture of 25% glass and 75% 30 probes on the lead wires 12 to 14 tested Tetrafluoroethylene is formed, although other dimensions are also possible, since the support block 10 is an electrical isoterial with similar properties used lator is. The device can then easily can be. The glass fiber reinforced tetrafluorine can be removed from the support block 10 that on ethylene can be molded with the necessary tolerances the plastic body 28 exerts a tensile force, and it is sufficiently elastic that the 35 so that the lead wires in the longitudinal direction Lead wires pressed into the grooves will move grooves 16 to 18 out. The finished one den can, but still rigid enough that it can look like a component essentially like retains its shape after repeated use. The glass is shown in Fig. 7, although the plastic fiber reinforced tetrafluoroethylene is also opaque to the material and not as in the Dar temperatures resistant, which is transparent in the case of the adjustment.

fahrensschritten auftreten, wie noch beschrieben Es ist zu erkennen, daß die Zuleitungsdrähte 12 wird. bis 14 in keinem Verfahrensschritt zugeschnitten Die Zuleitungsdrähte 12,13 und 14, die gleich- werden müssen, so daß kein Verlust an Drahtmateartig sein können, sind auf die für das fertige Bau- rial auftritt. Außerdem sind keine Zuleitungsdrähte element benötigte Länge abgeschnitten. Die Zulei- 45 vorhanden, die am Kunststoffkörper abgeschnitten tungsdrähte 12 bis 14 werden dadurch in die züge- und dann mit einem Isoliermaterial überzogen werhörigen Nuten 16 bis 18 eingeschoben, daß sie oben den müssen. Die Zuleitungsdrähte sind wegen der in die Nuten eingelegt und durch ein keilförmiges abgeflachten Enden 12 α bis 14 α sicher in dem Werkzeug in die Nuten gedrückt werden, das sich Kunststoffkörper verankert, so daß sie nicht gedreht im wesentlichen in der Länge der Drähte erstreckt 50 oder aus dem Kunststoffkörper herausgezogen wer- und eine Spitze besitzt, die ebenfalls in die Nuten den können. Darüber hinaus liegen die Enden ein paßt. Wenn die Zuleitungsdrähte einmal in die Nuten beträchtliches Stück von der angrenzenden Endfläche gedrückt sind, dann werden sie dort sowohl gegen des zur Abkapselung verwendeten Kunststoffs enteine Drehung als auch gegen eine Längsbewegung in fernt, so daß sie gegen die Umgebung gut isoliert einem zur Durchführung der restlichen Verfahrens- 55 und geschützt sind.Driving steps occur, as described below. It can be seen that the lead wires 12 are. up to 14 are not cut to size in any process step. The lead wires 12, 13 and 14, which have to be the same so that no loss of wire mat-like, occurs for the finished building material. In addition, no lead wires are cut to the required length. The supply line 45 is present, the processing wires 12 to 14 cut from the plastic body are pushed into the tensile grooves 16 to 18 that are then covered with an insulating material, so that they must be at the top. The lead wires are because of the inserted into the grooves and are pressed securely into the grooves by a wedge-shaped flattened ends 12 α to 14 α in the tool, which is anchored in plastic body, so that it does not extend 50 or substantially rotated in the length of the wires be pulled out of the plastic body and has a tip that can also be in the grooves. In addition, the ends are a fits. Once the lead wires have been pushed into the grooves a considerable distance from the adjacent end face, they are there entein rotation as well as against longitudinal movement, so that they are well insulated from the surroundings for the passage of the rest Procedural 55 and are protected.

schritte ausreichenden Maß festgehalten. Dreh- In Fig. 8 bis 11 ist ein Verfahren zur Herstellung bewegungen und insbesondere Längsbewegungen der eines Transistors dargestellt, bei dem die Zuführungs-Drähte können aber trotzdem bei Anwendung von drähte längs eines Kreises angeordnet sind, wie es Kraft erzielt werden. bei hermetisch abgedichteten Hüllen üblich ist, die Nun werden die Zuleitungsdrähte 12 bis 14 in eine 60 aus einem Metallsockel und einem Metallbecher herkömmliche Presse eingeführt, die Formwerkzeuge bestehen. Bei diesem Verfahren wird ein Trägerbesitzt, die die Enden 12 a, 13 α und 14 α der Zu- block 30 verwendet, der Zuführungsdrähte 32 bis 34 leitungsdrähte so abflacht, wie in Fig. 2 im we- parallel und freitragend in parallelen Nuten36 und sentlichen dargestellt ist. Während dieses Verfahrens- 38 trägt, wie es oben bereits beschrieben wurde. Der Schrittes werden die Enden der Drähte auch auf den 65 Trägerblock 30 kann aus dem gleichen Material gerichtigen Abstand von der Stirnfläche 10 α des Trä- formt sein wie der Trägerblock 10. Die Zuleitungsgerblocks 10 ausgerichtet, indem der Trägerblock 10 drähte 32 bis 34 werden dabei entsprechend der gegen einen Anschlag gestoßen wird, während die obigen Beschreibung in einem Reibungssitz in densteps recorded in sufficient measure. Rotary In Fig. 8 to 11 a method for producing movements and in particular longitudinal movements of a transistor is shown, in which the lead wires can be arranged but nevertheless when using wires along a circle, as it force can be achieved. is common in hermetically sealed casings, the Now the lead wires 12 to 14 are inserted into a 60 conventional press consisting of a metal base and a metal cup, the forming tools. In this method, a carrier is possessed, which uses the ends 12 a, 13 α and 14 α of the block 30, the supply wires 32 to 34 flatten the lead wires as shown in FIG is shown. During this procedure, 38 carries as described above. The step, the ends of the wires are also on the support block 30 can be formed from the same material correct spacing from the end face 10 α of the support block 10 as the feeder block 10 aligned by the support block 10 wires 32 to 34 are thereby corresponding to being struck against a stop while the above description is in a friction fit in the

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Nuten 36 bis 38 festgehalten. Der Boden der mitt- Nuten 16 bis 18 angebracht, die sich zwischen den leren Nut 37 liegt hier jedoch ein beträchtliches beiden Stirnflächen 58 und 60 erstrecken, an denen Stück über dem Boden der zwei äußeren Nuten 36 sie auch offen sind. Es sei bemerkt, daß die Böden und 38, so daß die an den Böden der Nuten ange- der Nuten in einer gemeinsamen Ebene ausgerichtet brachten Zuleitungsdrähte an den gewünschten 5 sind. Auf jeder Seite der Haltenut 62 ist jeweils eine Punkten im wesentlichen an den Eckpunkten eines von zwei Ausrichtnuten 64 in jeder Seitenfläche 56 rechtwinkligen, gleichschenkligen Dreiecks Hegen. und 54 angebracht. Diese Ausrichtnuten 64 er-Grooves 36 to 38 held. The bottom of the mitt grooves 16 to 18 attached, which extend between the Leren groove 37 is here, however, a considerable two end faces 58 and 60 extend on which Piece above the bottom of the two outer grooves 36 they are also open. It should be noted that the floors and 38, so that the grooves on the bottoms of the grooves are aligned in a common plane brought lead wires to the desired 5. There is one on each side of the retaining groove 62 Points essentially at the corner points of one of two alignment grooves 64 in each side surface 56 right-angled, isosceles triangle Hegen. and 54 attached. These alignment grooves 64

Die Zuleitungsdrähte 33 und 34 können gleich strecken sich dabei von der unteren Fläche 52 vorlang und anfangs exakt gerade sein, damit die zugsweise zu der oberen Fläche 50. Die Ausricht-Schwierigkeiten der Lagerhaltung verringert werden. 10 nuten 64 besitzen einen im allgemeinen halbkreis-Der Zuleitungsdraht 32 ist jedoch vorzugsweise ein förmigen Querschnitt, sie sind jedoch nicht ganz so wenig länger als die Zuleitungsdrähte 33 und 34. tief wie ein Halbkreis, damit die Trägerblöcke durch Wenn die Zuleitungsdrähte entsprechend der obigen einen zwischen zwei benachbarte Trägerblöcke geBeschreibung in die Nuten eingeführt werden, dann drückten Ausrichtstift ein wenig voneinander gesteht das Ende des Zuleitungsdrahtes 32 weiter vor 15 trennt werden.The lead wires 33 and 34 can equally stretch from the lower surface 52 forwards and be exactly straight at the beginning so that the closest to the top surface 50. The alignment difficulties storage can be reduced. 10 grooves 64 have a generally semicircular der However, lead wire 32 is preferably shaped in cross section, but they are not quite so little longer than the lead wires 33 and 34. deep as a semicircle to allow the carrier blocks through If the lead wires are placed between two adjacent carrier blocks according to the above description to be inserted into the grooves, then squeezed the alignment pin a little confessing from each other the end of the lead wire 32 can be further cut before 15.

als die Enden der Zuleitungsdrähte33 und34. Dieses Wie aus Fig. 15 hervorgeht, sind die Nuten 16than the ends of the lead wires 33 and 34. As is apparent from FIG. 15, the grooves 16 are

weiter vorstehende Ende wird dann in einer Hori- bis 18 an ihren oberen Enden 16 α bis 18 α erweitert, zontalebene rechtwinkelig umgebogen, die im wesent- damit das Eindrücken der Zuleitungsdrähte 12 bis 14 liehen in Fig. 8 dargestellt ist. Die Enden der drei in die zugehörigen Nuten erleichtert wird. Die unte-Zuleitungsdrähte 32 bis 34 werden dann einer Presse 20 ren Abschnitte der Nuten 16 bis 18 besitzen vorzugsausgesetzt, die ein Formwerkzeug besitzt, das das weise parallele Seiten, die einen Abstand voneinan-Ende des mittleren Zuleitungsdrahtes 33 nach unten der besitzen, der ein wenig kleiner als der Durchin die gleiche Ebene wie die Zuleitungsdrähte 32 messer der Zuleitungsdrähte 12 bis 14 ist, damit und 34 biegt und gleichzeitig die Enden 32 α bis 34 α diese Zuleitungsdrähte in einem engen Reibungssitz als Vorbereitung für die Aufnahme eines Halbleiter- 25 in den Nuten gehalten werden,
plättchens und der sehr dünnen Kontaktdrähte ab- Der bei dem Verfahren von Fig. 8 bis 11 verflacht. Jede weitere erwünschte Drahtanordnung oder wendete Trägerblock 30 kann die gleiche Draufsicht Drahtform ebenso wie eine andere Anzahl von Zu- und die gleiche Seitenansicht wie in Fig. 13 bzw. leitungsdrähten kann untergebracht werden, solange Fig. 14 besitzen, aber er besitzt eine Stirnansicht eine Formtannlinie erzeugt werden kann. Unter 30 wie in Fig. 16. Es ist aus Fig. 16 zu erkennen, daß Verwendung einer Goldfolie wird nun ein Halbleiter- die mittlere Nut 37 höher Hegt als die beiden äußeren plättchen 39 entsprechend der obigen Beschreibung Nuten 36 und 38, wie es bereits im Zusammenhang an das abgeflachte Ende32α anlegiert, und ein Kon- mit dem Verfahren von Fig. 8 bis 11 beschrieben taktdraht 40 wird zwischen dem verbreiterten Basis- wurde.The end protruding further is then expanded in a horizontal to 18 at its upper ends 16 α to 18 α , bent at a right angle in the zontal plane, which is essentially shown in FIG. The ends of the three are eased into the associated grooves. The lower lead wires 32 to 34 are then a press 20 ren sections of the grooves 16 to 18 have preferably exposed, which has a molding tool, the wise parallel sides that have a distance from one another end of the central lead wire 33 down the one little smaller than the through in the same plane as the lead wires 32 is the lead wires 12 to 14, so that and 34 bends and at the same time the ends 32 α to 34 α these lead wires in a tight friction fit in preparation for the inclusion of a semiconductor 25 in the Grooves are held,
plate and the very thin contact wires flattened in the method of Fig. 8 to 11. Any other desired wire assembly or inverted support block 30 may have the same plan view wire shape as well as a different number of feed and side views as in Fig. 13 or lead wires as long as Fig. 14 has an end view of a shape fir line can be generated. Under 30 as in Fig. 16. It can be seen from Fig. 16 that the use of a gold foil is now a semiconductor - the middle groove 37 is higher than the two outer plates 39 as described above, grooves 36 and 38, as it has already been in connection with the flattened end 32α, and a clock wire 40 described with the method of FIGS. 8 to 11 is between the widened base.

kontakt des Halbleiterplättchens und dem abgeflach- 35 In F i g. 17 bis 19 ist eine zum Halten von zwanzig ten Ende 33 α angeschlossen, ebenso wie auch zwi- Trägerblöcken 10 bestimmte Stützplatte 80 dargeschen dem verbreiterten Emitterkontakt des Halb- stellt, die gemäß der Erfindung konstruiert ist. Die leiterplättchens und dem abgeflachten Ende 34 α ein Stützplatte 80 besteht im wesentlichen aus einem Kontaktdraht angebracht wird, wie in F i g. 10 im Längenstück eines Spritzgußteils 82 aus Aluminium, wesentlichen dargestellt ist. Die freitragenden Enden 40 das einen in Fig. 18 dargestellten Querschnitt besitzt, der Zuleitungsdrähte 32 bis 34 werden dann in eine Das Spritzgußteil 82 besitzt eine Grundplatte 84 mit Transferform eingeschoben, wo das Halbleiterplätt- einer vorderen und einer hinteren Kante 87 bzw. 88 chen und die Kontaktdrähte 40 und 41 in einen sowie eine Oberplatte 90, die mit einem von der Kunststoffkörper 42 eingekapselt werden, wie in Grundplatte 84 aus dicht bei deren hinterer Kante 88 Fig. 11 im wesentlichen dargestellt ist. Der Tran- 45 nach oben ragenden Steg 86 verbunden ist. Die sistor kann dann noch im Trägerblock 30 geprüft Oberplatte 90 ist mit einem nach vorn ragenden werden. Ist dies vollendet, dann kann er durch eine Flansch 92 versehen, der sich über einen Abschnitt auf den Kunststoffkörper 42 ausgeübte Zugkraft so der Grundplatte 84 erstreckt. Außerdem besitzt die aus dem Trägerblock 30 entfernt werden, daß sich Oberplatte 90 einen nach hinten ragenden Flansch die Zuleitungsdrähte in Längsrichtung aus den Nuten 50 94, der auf der oberen und auf der unteren Fläche 36 bis 38 bewegen. Der so entstandene Transistor mit Riffelungen 96 und 98 versehen sein kann, durch ist in Fig. 12 dargestellt, obwohl der Kunststoff- die das Anfassen des Flansches mit den Fingern körper auch hier wieder undurchsichtig und nicht erleichtert wird,
durchsichtig ist, wie in der Zeichnung dargestellt ist. Die Grundplatte 84 ist mit einer in Längsrichtungcontact of the semiconductor wafer and the flattened 35 In F i g. 17 to 19, a support plate 80 intended for holding the twentieth end 33 α , as well as between carrier blocks 10, is connected to the widened emitter contact of the half-figure, which is constructed according to the invention. The printed circuit board and the flattened end 34 α a support plate 80 consists essentially of a contact wire attached, as in F i g. 10 is shown in the length of an injection molded part 82 made of aluminum, essentially. The cantilevered ends 40, which has a cross-section shown in FIG. 18, of the lead wires 32 to 34 are then pushed into a The injection molded part 82 has a base plate 84 with a transfer mold, where the semiconductor wafer has a front and a rear edge 87 and 88, respectively the contact wires 40 and 41 in one and a top plate 90, which are encapsulated with one of the plastic body 42, as shown in the base plate 84 from close to the rear edge 88 of FIG. 11 essentially. The transom 45 protruding web 86 is connected. The sistor can then still be checked in the carrier block 30. Top plate 90 has a protruding forward. Once this has been completed, it can then be provided with a flange 92, which extends over a section of the tensile force exerted on the plastic body 42 in such a way as to extend the base plate 84. In addition, the top plate 90 has a rearwardly protruding flange, the lead wires in the longitudinal direction from the grooves 50 to 94, which move on the upper and lower surfaces 36-38. The transistor formed in this way can be provided with corrugations 96 and 98, is shown in Fig. 12, although the plastic body that grips the flange with the fingers is again opaque and not made easier,
is transparent as shown in the drawing. The base plate 84 has a longitudinal direction

Aus einer spezielleren Betrachtung der Erfindung 55 zu ihr verlaufenden Halterippe 100 versehen, die von geht hervor, daß jeder der Trägerblöcke 10 so her- der Haltenut 62 des Trägerblocks 10 und natürlich gestellt ist, wie in Fig. 13 bis 15 dargestellt ist. Der auch des Trägerblocks 30 aufgenommen werden Trägerblock 10 besitzt im allgemeinen eine recht- kann, der in Fig. 18 mit gestrichelten Linien darwinklige Form und er besitzt allgemein flache obere gestellt ist. Der Steg 86 ist genügend weit hinter der und untere Flächen 50 bzw. 52, allgemein flache 60 Halterippe 100 angebracht, daß das Hinterende des Seitenflächen 54 und 56 sowie allgemein flache Stirn- Trägerblocks 10 nicht berührt wird. Der nach vorn flächen 58 und 60. In der unteren Fläche 52 ist eine ragende Flansch 92 der Oberplatte erstreckt sich so quer zum Trägerblock 10 verlaufende Haltenut 62 über das Ende des Trägerblocks 10, daß dieser in angebracht. Der Trägerblock 10 ist dabei zu dieser seiner Stellung auf der Halterippe 100 gehalten wird. Haltenut 62 vorzugsweise symmetrisch, damit die 65 Durch die Anordnung aus der Halterippe 100, dem nützliche Lebensdauer des Blocks verlängert wird. Flansch 92 und dem Steg 86 kann der Trägerblock In der oberen Fläche 50 sind die parallel zueinander 10 sehr frei gleiten und Flatterbewegungen durchüber die ganze Länge des Trägerblocks verlaufenden führen.From a more specific consideration of the invention 55 provided retaining rib 100 extending to it, which is shown by it can be seen that each of the support blocks 10 is so close to the retaining groove 62 of the support block 10 and of course is set, as shown in Figs. 13-15. The support block 30 can also be received Support block 10 generally has a right angle, which is shown in FIG. 18 with dashed lines Shape and it has a generally flat upper position. The web 86 is far enough behind the and lower surfaces 50 and 52 respectively, generally flat 60 retaining rib 100 attached to the rear end of the Side surfaces 54 and 56 and generally flat end support blocks 10 is not touched. The one forward surfaces 58 and 60. In the lower surface 52 is a protruding flange 92 of the top plate so extends transverse to the support block 10 extending retaining groove 62 over the end of the support block 10 that this in appropriate. The carrier block 10 is held in this position on the holding rib 100. Retaining groove 62 preferably symmetrical so that the 65 By the arrangement of the retaining rib 100, the useful life of the block is extended. Flange 92 and web 86 can be the support block In the upper surface 50, the parallel to each other 10 slide very freely and flutter movements through over run the entire length of the support block.

Im Steg 86 ist eine Schwalbenschwanzführung 102 angebracht, die die vergrößerten Basisabschnitte 104 von zwei Blattfedern 106 in einem engen Sitz aufnehmen kann. Der restliche Teil der Blattfedern 106 ist genügend eng, daß er frei aus der Schwalbenschwanzführung 102 herausragen kann. Wie in Fig. 17 am besten zu erkennen ist, bilden die Enden der Blattfedern 106 Spitzen 108, die über die Vorderfläche des Stegs 86 hinausragen und auf die HinterA dovetail guide 102 is attached in the web 86, which the enlarged base sections 104 record from two leaf springs 106 in a tight fit can. The remainder of the leaf springs 106 is tight enough that it is free from the dovetail guide 102 can protrude. As best seen in Figure 17, the ends form of leaf springs 106 tips 108 across the front surface of the web 86 protrude and on the rear

werden, die Stützplatten 80 und die zwanzig Trägerblöcke zu einer Transferform befördert, die nun beschrieben wird.the support plates 80 and the twenty carrier blocks are conveyed to a transfer mold which will now be described will.

In Fig. 20 und 21 ist eine Transferformvorrichtung 120 zur Durchführung des erfindungsgemäßen Verfahrens dargestellt. Die Transferformvorrichtung besitzt eine untere Formhälfte 122 und eine obere Formhälfte 124. Die untere Formhälfte 122, die in20 and 21 there is a transfer molding apparatus 120 for carrying out the inventive method Procedure shown. The transfer molding apparatus has a lower mold half 122 and an upper one Mold Half 124. The lower mold half 122 shown in

Trägerblöcken gleichzeitig geformt werden. Dann wird jeweils ein Quadrat aus Goldfolie von Hand auf den Zuführungsdrähten 13 angebracht. Bei diesem Verfahrensschritt ist im allgemeinen keine Aus-5 richtung erforderlich, obwohl die Zuführungsleitungen auf eine geheizte Fläche gelegt werden, damit die Goldfolie schmilzt. Als nächstes wird die Stützplatte 80 auf einer Maschine angebracht, die einen Transportschlitten mit Ausrichtstiften für jedes derCarrier blocks are molded at the same time. Then a square of gold foil is made by hand attached to the lead wires 13. In this process step there is generally no Off-5 direction required, although the supply lines are placed on a heated surface so the gold foil melts. Next, the support plate 80 is mounted on a machine that has a Transport carriage with alignment pins for each of the

enden der Trägerblöcke 10 einwirken, so daß diese io Führungslöcher 112 besitzt. Die Trägerblöcke werdaran gehindert werden, aus den Enden der von der den hier nacheinander an einer Heizstelle mit einem Halterippe 100, der Grundplatte 84 und dem Flansch Mikroskop vorbeibewegt, an der die Halbleiterplätt-92 gebildeten Haltekammer zu gleiten. Die Basis- chen 22 nacheinander von Hand oder durch andere abschnitte 104 werden durch die Stäbe 110 in den Einrichtungen auf die Goldquadrate gelegt und an Schwalbenschwanzführungen gehalten. Wenn die 15 die Zuführungsdrähte anlegiert werden. Nun wird Blattfeder 106 zurückgezogen wird, wie in Fig. 17 die Stützplatte 80 auf den Transportschlitten einer auf der linken Seite der Stützplatte 80 dargestellt ist, Tröpfchenverbindungsmaschine gelegt, die ebenfalls dann können die Trägerblöcke 10 in die Stützplatte mit allen einundzwanzig Ausrichtstiften versehen sein eingeführt oder aus ihr herausgenommen werden. kann. Hier werden die Trägerblöcke nacheinanderends of the support blocks 10 act, so that this 10 has guide holes 112. The carrier blocks are attached are prevented from the ends of the here one after the other at a heating point with a Retaining rib 100, the base plate 84 and the flange microscope moved past on which the semiconductor wafer 92 to slide formed holding chamber. The small bases 22 one after the other by hand or by others Sections 104 are laid and attached to the gold squares through the rods 110 in the facilities Dovetail guides held. When the 15 the lead wires are alloyed on. Well will Leaf spring 106 is withdrawn, as in Fig. 17, the support plate 80 on the transport carriage a is shown on the left side of the support plate 80, placed droplet combination machine, which is also then the support blocks 10 in the backing plate can be provided with all twenty one alignment pins be introduced or removed from it. can. Here are the carrier blocks one after the other

Wenn zwanzig Trägerblöcke zwischen den Spitzen 20 an der Verschweißstelle vorbeibewegt, so daß die 108 der zwei Blattfedern 106 auf der dargestellten Katzenhaardrähte 24 und 26 an ihrer Stelle befestigt Stützplatte angebracht sind, dann ist immer noch ein
kleiner Abstand zwischen zwei benachbarten Trägerblöcken 10 vorhanden. Vor der Halterippe 100 sind
durch die Grundplatte 84 in gleichen Abständen ein- 25
undzwanzig Führungslöcher 112 gebohrt. Die Abstände sind so bemessen, daß sie mit den von den
Ausrichtnuten 64 zwischen zwei benachbarten Trägerblöcken 10 gebildeten Bohrungen übereinstimmen.
Wie bereits erwähnt wurde, ist jede der Ausricht- 30 Fig. 20 in der Draufsicht dargestellt ist, enthält die nuten 64 nicht ganz so tief wie ein voller Halbkreis. untere Hälfte eines einzelnen Zufuhrkanals 126, Sie besitzen aber den gleichen Krümmungsradius wie durch den über eine Zuleitung 132 einer Reihe von die Führungslöcher 112. An jeder Stelle, an der an einzelnen Formausnehmungen 128 auf einer Seite den Enden der Zuleitungsdrähte 12 bis 14 Arbeits- und über eine Zuleitung 134 einer Reihe von einzelvorgänge durchgeführt werden sollen, werden Aus- 35 nen Formausnehmungen 130 auf der anderen Seite richtstifte 114 durch eines oder mehrere der Füh- ein fließfähiger Kunststoff zugeführt wird. Die untere rungslöcher 112 und zwischen die benachbarten Formhälfte 122 besitzt Halteeinrichtungen, die zwei Paare von Trägerblöcken 10 geschoben. Wenn in Stützplatten 80 α und 80 & an der richtigen Stelle jedes der Führungslöcher 112 ein Ausrichtstift 114 halten, so daß die Enden der von jedem der zwanzig eingeschoben ist, dann ist jeder der Trägerblöcke 40 Trägerblöcke 30 in der Stützplatte gehaltenen Zuexakt eingestellt und jedes Spiel der Trägerblöcke leitungsdrähte 32 bis 34 über den Formausnehmunist im wesentlichen ausgeschlossen. Dadurch wird gen 128 bzw. 130 liegen. Die Vorderkanten jeder ermöglicht, daß an den nun an exakt vorbestimmten Stützplatte werden beispielsweise von einer Reihe Stellen liegenden freitragenden Enden der Zufüh- von in den Körper der unteren Formhälfte gerungsdrähte 12 bis 14 Präzisionsarbeitsvorgänge 45 schraubten Ständern gehalten, die mit dünneren durchgeführt werden können. Auch verschiedene Ausrichtstiften 114 α und 114 & versehen sind, die soIf twenty support blocks are moved past the weld point between the tips 20 so that the 108 of the two leaf springs 106 are attached in place on the illustrated cat hair wires 24 and 26, then there is still a support plate
there is a small distance between two adjacent carrier blocks 10. In front of the retaining rib 100 are
through the base plate 84 at equal intervals
and twenty pilot holes 112 are drilled. The distances are dimensioned so that they with the
Alignment grooves 64 between two adjacent support blocks 10 formed holes match.
As already mentioned, each of the alignment 30 Fig. 20 is shown in plan view, contains the grooves 64 not quite as deep as a full semicircle. lower half of a single feed channel 126, but they have the same radius of curvature as through the guide holes 112 via a feed line 132 of a row If a series of individual processes are to be carried out via a supply line 134, alignment pins 114 are supplied to the other side through one or more of the guides. A flowable plastic is supplied to the openings. The lower holes 112 and between the adjacent mold halves 122 has holding devices which two pairs of support blocks 10 are pushed. If in support plates 80 α and 80 & each of the guide holes 112 hold an alignment pin 114 in the correct position so that the ends of each of the twenty is inserted, then each of the support blocks 40 support blocks 30 held in the support plate is precisely adjusted and there is no play of the carrier blocks lead wires 32-34 over the mold recess is substantially excluded. This will result in 128 and 130 respectively. The front edges each allow that on the now exactly predetermined support plate, for example, cantilevered ends of the supply rods screwed into the body of the lower mold half 12 to 14 precision work processes 45 are held, which can be carried out with thinner stands. Various alignment pins 114 are provided α and 114, the so-

angebracht sind, daß sie sich durch jedes vierte Führungsloch 112 der jeweiligen Stützplatten 80 α und 80 b erstrecken. Die hinteren Kanten der Stützplatten 50 werden von Schraubenköpfen 136 und 138 gehalten, die am besten in F i g. 21 zu erkennen sind.are attached that they extend through every fourth guide hole 112 of the respective support plates 80 α and 80 b . The rear edges of the support plates 50 are held in place by screw heads 136 and 138, best shown in FIG. 21 can be seen.

Die untere Formhälfte 122 besitzt Führungseinsätze 140 α und 140 b, die mit einer Reihe von V-förmigen Schlitzen zur Aufnahme und exakten Ein-The lower mold half 122 has guide inserts 140 α and 140 b, which are provided with a series of V-shaped slots for receiving and exact insertion

in bezug auf den Ort exakt ausgerichtet und sehr 55 stellung jedes der Zuführungsdrähte versehen sind, ruhig gehalten werden. Bei der Durchführung des in die von jedem der Trägerblöcke 30 aus in halbkreis-Fig. 1 dargestellten Verfahrensschrittes werden üb- förmige Schlitze in den Rändern von Dichtungsemlicherweise alle Trägerblöcke 10 gleichzeitig mit den sätzen 142 α und 142 b ragen. Die Dichtungseinsätze Zuleitungsdrähten durch die Verwendung eines ein- 142 α und 142 b passen so mit gleichartigen Dichzigen Vakuumaufnehmerkopfes beschickt. Die Stütz- 60 tungseinsätzen 144 α und 144 b in der oberen Formplatte wird nun unter Verwendung aller Ausricht- hälftel24 zusammen, daß ein Dichtungsabschluß stifte in eine Presse eingeführt, wo alle Zuführungs- um jeden der Zuführungsdrähte und die Enden der drähte gleichzeitig auf die Böden der zugehörigen Formausnehmungen gebildet werden. Es sei bemerkt, Nuten 16 bis 18 gedrückt werden. Dann wird die daß zwischen den Trägerplatten 30 noch ein wenig Stützplatte 80 zu einer Presse weiterbewegt, bei der 65 Spiel bleibt, wenn die Ausrichtstifte 114 α und 114 b sie auf einer neuen Gruppe von Ausrichtstiften an- nur in jedes vierte Führungsloch gesteckt werden, so gebracht wird und bei der die abgeflachten Enden daß die Zuführungsdrähte durch die V-förmigen 12 α bis 14 α der Zuführungsdrähte in allen zwanzig Schlitze in den Führungseinsätzen 140 α und 140 b with respect to the place exactly aligned and very 55 position provided each of the feeder wires are kept still. When performing the in the from each of the support blocks 30 in semicircular Fig. The method step shown 1 10 α usual shaped slots in the edges of Dichtungsemlicherweise all support blocks simultaneously with the sets 142 and 142 b extend. The sealing inserts lead wires through the use of a single 142 α and 142 b fit so loaded with similar sealed vacuum pick-up head. The support 60 tung inserts 144 α and 144 b in the upper mold plate is now using all alignment hälftel24 together that a sealing closure pins in a press introduced where all feeding to each of the lead wires and the ends of wires simultaneously on the soil the associated recesses are formed. It should be noted that grooves 16 to 18 are pressed. Then that between the carrier plates 30 a little support plate 80 is moved to a press, in which 65 play remains when the alignment pins 114 α and 114 b they are only inserted into a new group of alignment pins in every fourth guide hole, so is brought and in which the flattened ends that the lead wires through the V-shaped 12 α to 14 α of the lead wires in all twenty slots in the guide inserts 140 α and 140 b

109546/262109546/262

Grade der Ausrichtung können dadurch erzielt werden, daß gewisse Ausrichtstifte 114 weggelassen
werden, wo eine geringe Bewegung der freitragenden
Zuleitungsdrähte erwünscht ist.Levels of alignment can be achieved by eliminating certain alignment pins 114
be where there is little movement of the cantilever
Lead wires is desirable.

Bei dem in Fig. 1 bis 5 dargestellten Verfahren
wird die Stützplatte 80 üblicherweise auf einer Reihe
von einundzwanzig Ausrichtstiften angebracht, so
daß die Enden jedes Satzes von ZuleitungsdrähtenIn the method shown in FIGS
the support plate 80 is usually on a row
attached by twenty-one alignment pins so
that the ends of each set of lead wires

9 109 10

exakt in den richtigen Schlitzen der Dichtungsein- Wenn die obere Formhälfte 124 angehoben wird,exactly in the correct slots in the seal- When the upper mold half 124 is raised,

sätze 142 σ und 142 & angebracht werden können. bleiben die Stangen 162 α, 162 & und 164 an ihrer Die Seitenwände der Formausnehmungen 128 und Stelle, so daß die geformten Teile aus der oberen 130 werden von Einsätzen 146« und 146 b gebildet, Formhälfte gestoßen werden. Zusätzliche Hebestangen und die anderen Stirnwände der Formausnehmungen, 5 heben die Stiitzplatten und die darin enthaltenen die untere Hälfte des Zufuhrkanals 126 und die un- Trägerblöcke gleichzeitig an, damit die Zuführungsteren Hälften der Zuleitungen 132 und 134 werden drähte während des Ausstoßens aus den Formausnehvon einem Mitteleinsatz 150 gebildet. Die obere mungen nicht verbogen werden. Nachdem die obere Formhälfte 124 besitzt ebenso mit den Führungsein- Formhälfte 124 freigegeben worden ist, stoßen die Sätzen 140 α und 140 b zusammenpassende Führungs- io Stangen 158«, 158 b und 160 die geformten Teile aus einsätze 152 α und 152 &, mit den Dichtungseinsätzen der unteren Formhälfte 122. Zu diesem Zeitpunkt 142 a und 142 & zusammenpassende, oben bereits können die einzelnen Transistoren leicht von den erwähnte Dichtungseinsätze 144 α und 144 h, Ein- Zuleitungen 132 und 134 getrennt werden, ohne daß sätze 154 α und 154 b, die die oberen Hälften der sie aus den Trägerblöcken herausgenommen werden Seitenwände der einzelnen Formausnehmungen 128 15 müssen. Die einzelnen Transistoren können dabei vor und 130 bilden, sowie einen Einsatz 156, der die dem Herausnehmen aus den Trägerblöcken elektrisch oberen Hälften des Zufuhrkanals 126 und der Zu- geprüft werden, wie oben bereits erwähnt wurde,
leitungen 132 und 134 bildet. Eine andere Ausführungsform des erfindungs-sets 142 σ and 142 & can be attached. stay the rods 162 α, 162 & 164 in their The side walls of the mold recesses 128 and place, so that the molded parts from the upper 130 are formed by inserts 146 "and 146 b , butted mold halves. Additional lifting rods and the other end walls of the mold recesses, 5 raise the support plates and the lower half of the feed channel 126 and the un-support blocks contained therein at the same time so that the feeder upper halves of the leads 132 and 134 become wires during ejection from the mold recess from a center insert 150 formed. Do not bend the upper mung. After the upper mold half 124 has also been released with the guide mold halves 124, the sets 140 α and 140 b mating guide rods 158 ", 158 b and 160 push the molded parts from inserts 152 α and 152 &, with the Sealing inserts of the lower mold half 122. At this point in time 142 a and 142 & matching, above, the individual transistors can easily be separated from the mentioned sealing inserts 144 α and 144 h, single leads 132 and 134, without sentences 154 α and 154 b that the upper halves of them are removed from the support blocks, side walls of the individual mold recesses 128 15 must. The individual transistors can form in front of and 130, as well as an insert 156, which, after being removed from the carrier blocks, electrically upper halves of the supply channel 126 and the inspection can be checked, as already mentioned above,
lines 132 and 134 forms. Another embodiment of the invention

Durch die untere Formhälfte 122 erstrecken sich gemäßen Verfahrens ist in Fi g. 23 bis 26 dargestellt. Stangen 158 α und 158 b nach oben in die Formaus- 20 Bei diesem Verfahren werden die Zuleitungsdrähte nehmungen 128 bzw. 130 und in den Zufuhrkanal 200 auf die richtige Länge abgeschnitten und an einem 126 erstreckt sich eine Stange 160, damit die ge- Ende so verformt, daß eine Arretierungsfeder entformten Teile aus der unteren Formhälfte gedrückt steht. Das Ende kann beispielsweise durch die gleiche werden können. Ebenso erstrecken sich durch die Schubbewegung, die die Drähte auf die gewünschte obere Formhälfte 124 Stangen 162 α und 162 b in die 25 Länge abschneidet, so abgeflacht werden, daß eine Formausnehmungen 128 bzw. 130 nach unten und Feder 202 mit ersten und zweiten Abschnitten 202 a eine Stange 164 erstreckt sich nach unten in den Zu- bzw. 202 b entsteht, die über den Durchmesser des fuhrkanal 126, damit die geformten Teile aus der Zuleitungsdrahtes 200 hinausragen, wie in Fig. 24 oberen Formhälfte gedrückt werden können. am besten zu erkennen ist. Drei dieser Zuleitungs-According to the method extending through the lower mold half 122 is shown in FIG. 23 to 26 shown. Rods 158 α and 158 b upward into the Formaus- 20 In this process, the lead wires 128 and recesses 130 and cut off in the supply channel 200 to the proper length and a rod on a 126 extends 160, so that the overall end so deformed that a locking spring is pressed demolded parts from the lower mold half. The end can be for example by the same. Likewise, the pushing movement, which cuts the wires onto the desired upper mold half 124, extends rods 162 α and 162 b into length, flattening them so that mold recesses 128 and 130 downward and spring 202 with first and second sections 202 a is a rod 164 extending downwards in the feed and 202 b is formed which can be of the driving passage 126, so that the molded parts protrude from the lead wire 200 as shown in Fig. 24 upper mold half forced over the diameter. can best be seen. Three of these supply lines

Das fließfähige Kunststoffmaterial wird so in jede 30 drähte werden dann durch Löcher 204 in einen der einzelnen Formausnehmungen eingeführt, wie im Trägerblock 206 eingeschoben,
wesentlichen in Fig. 22 dargestellt ist. Die Zuleitung Der Trägerblock 206 besitzt Nuten 208 und 210The flowable plastic material is so in each 30 wires are then inserted through holes 204 in one of the individual mold recesses, as inserted in the carrier block 206,
is shown essentially in FIG. The supply line The carrier block 206 has grooves 208 and 210

134 liegt so unterhalb der Enden der Zuleitungs- auf den Ober- und Unterseiten, die zur Befestigung drähte, und sie verläuft im wesentlichen parallel zu des Trägerblocks in einer Stützplatte verwendet werden Kontaktdrähten 40 und 41, so daß diese Kon- 35 den können, die der Stützplatte 80 ähnlich ist. Bei taktdrähte infolge des mit relativ großer Geschwin- einer solchen Stützplatte würde die hintere Stirnfläche digkeit einströmenden Kunststoffs nicht brechen. 212 des Trägerblocks 206 jedoch offengelassen, da-Beim Einkapseln der in Fig. 5 dargestellten Vor- mit die Zuführungsdrähte 200 von der hinteren Stirnrichtung sind die Zuleitungen aus diesem Grund an fläche in Löcher 204 eingeschoben werden können, den Seiten der einzelnen Ausnehmungen und nicht 40 In der hinteren Stirnfläche 212 ist eine Nut 214 angean den Enden angebracht, wie in Fig. 20 dargestellt bracht, die die Löcher 204 überschneidet. Die Wände ist, so daß der fließfähige Kunststoff immer noch der Nut 214 sind so dimensioniert, daß die Abparallel zu den sehr dünnen Kontaktdrähten 24 und schnitte 202 α und 202 b der Feder 202 an ihnen 26 einströmt. angreifen können, so daß der Zuleitungsdraht 200134 is so below the ends of the supply line on the upper and lower sides, which wires for fastening, and it runs essentially parallel to the carrier block in a support plate the support plate 80 is similar. In the case of tact wires, as a result of the relatively high speed of such a support plate, the plastic flowing in at the rear end face would not break. 212 of the carrier block 206, however, is left open, since when encapsulating the lead wires 200 from the rear face direction shown in FIG In the rear face 212, a groove 214 is made at the ends, as shown in FIG. 20, which intersects the holes 204. The walls are so that the flowable plastic still the groove 214 are dimensioned so that the Abparallel to the very thin contact wires 24 and cuts 202 α and 202 b of the spring 202 flows into them 26. can attack, so that the lead wire 200

Beim Betrieb der Transferformvorrichtung 120 45 durch Reibung in dem Loch durch den Trägerblock werden also zwei Stützplatten 80 α und 80 b, die an seiner Stelle sicher gehalten wird und daß eine jeweils mit zwanzig Trägerblöcken 30 bestückt sind, Drehung des Zuleitungsdrahtes verhindert wird,
von denen jeder einen Transistor in dem in F i g. 10 Die Enden 200 α der Zuleitungsdrähte 200 werdenWhen the transfer molding device 120 45 is operated by friction in the hole through the carrier block, two support plates 80 α and 80 b, which are securely held in place and that are each equipped with twenty carrier blocks 30, prevent rotation of the lead wire,
each of which has a transistor in the one shown in FIG. 10 The ends 200 α of the lead wires 200 are

dargestellten Herstellungsstadium trägt, über die dann durch Abflachen, Anlegieren des Halbleiter-Ausrichtstifte 114 α und 114 & der unteren Form- 50 plättchens an einen Draht, Verbinden der anderen hälfte 122 geschoben. Durch die V-förmigen Schlitze Drähte mit dem Halbleiterplättchen und durch Einin den Führungseinsätzen 140 α und 140 b wird jeder kapseln weiter verarbeitet, wie es bereits im Zusam-Zuleitungsdraht exakt in die zugehörige Nut in den menhangmitFig. 1 bis 6 oder Fig. 8 bis 11 beschrie-Dichtungseinsätzen 142 α und 142 & eingelegt. Die ben wurde. Der feste Kunststoffkörper 216 kann dann Formhälften sind kontinuierlich auf die benötigte 55 gegen die Vorderfläche des Trägerblocks 206 zurück-Aushärtungstemperatur des Kunststoffs aufgeheizt. geschoben werden, so daß die Feder 202 aus der Nut Nun wird ein heißer, hitzehärtbarer Kunststoff mit 214 geschoben wird, wie im wesentlichen in Fig. 26 verhältnismäßig großer Geschwindigkeit in den Zu- dargestellt ist. Zum Herausnehmen des fertigen Tranfuhrkanal 126 unter Druck hineingepreßt. Der fließ- sistors aus dem Trägerblock können die Federn 202 fähige Kunststoff strömt nun bis zum Ende des Zu- 60 dann von den Zuleitungsdrähten 200 abgeschnitten fuhrkanals 126 und füllt dann nacheinander die werden. Ein Nachteil dieses Verfahrens ist es, daß ein Formausnehmungen 128 und 130. Die Formausneh- kleiner Teil dieser Zuleitungsdrähte als Abfall aufmungen sind in weniger als 15 Sekunden gefüllt. Sie tritt.The manufacturing stage shown is then pushed over by flattening, alloying the semiconductor alignment pins 114 and 114 & the lower die 50 to a wire, connecting the other half 122. Through the V-shaped slots wires with the semiconductor chip and through the guide inserts 140 α and 140 b , each capsule is processed further, as it is already in the associated lead wire exactly in the associated groove in the context of FIG. 1 to 6 or FIGS. 8 to 11 described-sealing inserts 142 α and 142 & inserted. The ben was. The solid plastic body 216 can then mold halves are continuously heated to the required 55 back-curing temperature of the plastic against the front surface of the support block 206. so that the tongue 202 is pushed out of the groove. Now a hot, thermosetting plastic is pushed with 214, as shown essentially in FIG. 26 at a relatively high speed. In order to remove the finished transport channel 126, it is pressed in under pressure. The flow sistor from the support block, the springs 202-capable plastic now flows to the end of the feed duct 126, then cut off from the feed wires 200, and then fills the ducts one after the other. A disadvantage of this method is that there are mold recesses 128 and 130. The mold recesses, small part of these lead wires, are filled as waste in less than 15 seconds. She kicks.

können dann etwa 30 Sekunden backen, damit die Aus der obigen genauen Beschreibung der bevor-can then bake for about 30 seconds so that the

Aushärtung des Kunststoffs sichergestellt wird. Die 65 zugten Ausführungsform der Erfindung geht hervor, einzelnen Formausnehmungen 128 und 130, die Zu- daß ein verbessertes Verfahren zur Herstellung von leitungen 132 und 134 sowie der Zufuhrkanal 126 kunststoffverkapselten Transistoren und anderer sind nun mit gehärtetem Kunststoff gefüllt. Halbleiterbauelemente zusammen mit einer Vorrich-Hardening of the plastic is ensured. The 65 ferred embodiment of the invention emerges, individual mold recesses 128 and 130, the addition that an improved method for the production of lines 132 and 134 as well as the feed channel 126 plastic encapsulated transistors and others are now filled with hardened plastic. Semiconductor components together with a device

tung zur Durchführung des Verfahrens und ein neuartiges Produkt beschrieben worden sind. Bei den bevorzugten Ausführungen des Verfahrens werden 100% des Materials für die Zuleitungsdrähte verwendet. Außerdem wird ein weitaus höherer Prozentsatz des Kunststoffs, wie etwa 52 % im Vergleich zu 18 °/o, auf Grund der Tatsache ausgenutzt, daß nur ein einziger Zufuhrkanal 126 wenigstens zweimal so viele Formausnehmungen 128 und 130 mit Kunststoff beschickt. Die Zuleitungsdrähte sind nicht mehr an Laschen, festgeschweißt und die überschüssigen Zuleitungsdrähte müssen nicht mehr an dem Kunststoffkörper abgeschnitten und mit einem Isoliermaterial beschichtet werden. Die einzelnen Trägerblöcke können wiederholt verwendet werden, und sie sind von Anfang ziemlich billig, da sie aus Kunststoff geformt werden können. Der fertige Transistor ist vorzüglich, weil die Enden der Zuleitungsdrähte nicht in der Nähe der Oberfläche des aus Kunststoff bestehenden Einkapselungsmaterials liegen und da die Zuleitungsdrähte während des gesamten Herstellungsprozesses durch die Trägerblöcke geschützt und daher exakt gerade sind.device for carrying out the process and a novel product have been described. Both In preferred embodiments of the method, 100% of the material is used for the lead wires. It also uses a far higher percentage of the plastic, such as 52% compared to 18%, exploited due to the fact that only a single supply channel 126 is at least twice as many recesses 128 and 130 filled with plastic. The lead wires are no longer on Tabs, welded in place and the excess lead wires no longer have to be attached to the plastic body cut off and coated with an insulating material. The individual support blocks can can be used repeatedly, and they are pretty cheap to start with as they are molded from plastic can be. The finished transistor is excellent because the ends of the lead wires are not close the surface of the plastic encapsulation material and there the lead wires during the entire manufacturing process are protected by the carrier blocks and are therefore exactly straight.

Obwohl die hier beschriebene Ausführungsform der Erfindung die Herstellung von Transistoren betrifft, ist doch zu erkennen, daß das Verfahren auch auf die Herstellung vieler anderer Arten von Halbleiterbauelementen mit einer kleineren oder größeren Anzahl von Zuleitungsdrähten angewendet werden kann. Bei der Verwendung einer größeren Anzahl von Zuleitungsdrähten können diese winkelförmig zueinander stehen, so daß sie an einem Mittelpunkt zusammenlaufen und eine oder mehrere der Bauelemente können an eine oder mehrere Zuleitungsdrähte und an die verschiedenen Zuleitungsdrähte angeschlossen werden. Dann können alle Bauelemente und Zuleitungsdrähte in einen gemeinsamen Kunststoffkörper eingekapselt werden.Although the embodiment of the invention described here relates to the manufacture of transistors, it can be seen that the process can also be applied to the manufacture of many other types of semiconductor components be used with a smaller or larger number of lead wires can. If a larger number of lead wires are used, these can be angled are to each other so that they converge at a center point and one or more of the components can be connected to one or more lead wires and to the various lead wires be connected. Then all components and lead wires can be in a common plastic body be encapsulated.

Claims (9)

Patentansprüche: 40Claims: 40 1. Verfahren zum Herstellen einer Halbleiteranordnung, bei welchem die Anschlußdrähte in fester gegenseitiger Lage gehalten werden, das Halbleiterelement auf einem der Anschlußdrähte befestigt und mit den anderen Anschlußdrähten verbunden wird, und anschließend das Halbleiterelement eingekapselt wird, dadurchgekennzeichnet, daß die Anschlußdrähte durch Reibung in einem Trägerblock derart festgehalten werden, daß das eine Ende jedes Anschlußdrahts freitragend von dem Trägerblock absteht, daß das Halbleiterelement mit den freitragenden Enden der Anschlußdrähte verbunden wird und daß das Halbleiterelement in einer Form neben dem Trägerblock in ein Plastikmaterial eingeschlossen wird.1. A method for manufacturing a semiconductor device, in which the connecting wires in fixed mutual position are held, the semiconductor element on one of the connecting wires attached and connected to the other lead wires, and then the semiconductor element is encapsulated, characterized in that the connecting wires are held in place by friction in a support block be that one end of each connecting wire protrudes in a cantilevered manner from the support block, that the Semiconductor element is connected to the cantilevered ends of the connecting wires and that the Semiconductor element encased in a plastic material in a mold next to the support block will. 2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Anschlußdrähte im wesentlichen in der gleichen Ebene angeordnet werden und daß die überstehenden Enden der Anschluß- So drähte abgeflacht werden.2. The method according to claim 1, characterized in that the connecting wires are substantially be arranged in the same plane and that the protruding ends of the connection So wires are flattened. 3. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der mittlere Anschlußdraht oberhalb der äußeren Anschlußdrähte angeordnet wird.3. The method according to claim 1, characterized in that the middle connecting wire is arranged above the outer connecting wires. 4. Verfahren nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß der Endabschnitt eines der äußeren Anschlußdrähte so abgebogen wird, daß er neben dem mittleren Anschlußdraht und dem anderen äußeren Anschlußdraht zu liegen kommt, und daß das Halbleiterelement auf diesem Endabschnitt befestigt wird.4. The method according to claim 3, characterized in that the end portion of one of the outer connecting wires is bent so that it is next to the middle connecting wire and the other outer connecting wire comes to rest, and that the semiconductor element on this end portion is attached. 5. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß das Halbleiterelement in ein Plastikmaterial eingekapselt wird, das einen wärmehärtbaren Kunststoff enthält, und daß ein Transferformverfahren angewendet wird.5. The method according to any one of claims 1 to 4, characterized in that the semiconductor element is encapsulated in a plastic material containing a thermosetting plastic, and that a transfer molding process is used. 6. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß jeder der Anschlußdrähte zur Bildung eines Federabschnitts teilweise verformt und so in dem Trägerblock angeordnet wird, daß dieser den Federabschnitt durch Reibung erfaßt und festhält. 6. The method according to any one of claims 1 to 5, characterized in that each of the connecting wires is partially deformed to form a spring section and is arranged in the carrier block that it grips and holds the spring section by friction. 7. Verfahren nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß zur Bildung des Federabschnitts das dem freitragenden Ende entgegengesetzte Ende jedes Anschlußdrahtes abgeflacht wird, daß jeder Anschlußdraht mit dem freitragenden Ende voran durch eine Bohrung des Trägerkörpers vorgeschoben wird, bis der Federabschnitt von einem entsprechend geformten Ende der Bohrung erfaßt wird, und daß zum Entfernen der fertig eingekapselten Anordnung aus dem Trägerblock die Anschlußdrähte ein Stück durch die Bohrungen zurückgeschoben werden, die Federabschnitte von den Anschlußdrähten abgeschnitten werden und dann die Anschlußdrähte aus den Bohrungen herausgezogen werden.7. The method according to claim 6, characterized in that to form the spring portion the end of each connecting wire opposite the cantilevered end is flattened, that each connecting wire advanced with the cantilevered end first through a bore in the support body is until the spring portion is captured by a correspondingly shaped end of the bore is, and that for removing the finished encapsulated assembly from the support block, the connecting wires pushed back a little through the bores, the spring sections of cut off the connecting wires and then pulling the connecting wires out of the holes will. 8. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß ein Trägerkörper aus einem elastischen Material verwendet wird, der an einer Seite mehrere Nuten aufweist, deren Tiefe größer als der halbe Durchmesser des darin aufzunehmenden Anschlußdrahtes ist und deren Breite kleiner als der Durchmesser des Anschlußdrahtes ist, und daß jeder Anschlußdraht in eine der Nuten so eingepreßt wird, daß er darin durch Reibung festgehalten wird und sein Ende freitragend von dem Trägerblock absteht.8. The method according to any one of claims 1 to 4, characterized in that a carrier body made of an elastic material is used, which has several grooves on one side, the Depth is greater than half the diameter of the connecting wire to be received therein and their Width is smaller than the diameter of the connecting wire, and that each connecting wire in one the grooves is pressed in so that it is held therein by friction and its end cantilevered protrudes from the support block. 9. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 8, dadurch gekennzeichnet, daß mehrere Trägerblöcke, von denen jeder eine Anzahl von abstehenden Anschlußdrähten mit einem auf einem der freitragenden Enden montierten und elektrisch mit den anderen freitragenden Enden verbundenen Halbleiterplättchen aufweist, nebeneinander in zwei parallelen Reihen so angeordnet werden, daß die freitragenden Anschlußdrähte in jeder Reihe zur anderen Reihe hin gerichtet sind und in zugehörige getrennte Formhohlräume ragen, die in zwei nebeneinanderliegenden Reihen angeordnet sind, und daß ein fließfähiger wärmehärtbarer Kunststoff aus einem einzigen Zufuhrkanal, der sich zwischen den beiden Reihen der Formhohlräume erstreckt, in jeden der Formhohlräume eingeführt wird.9. The method according to any one of claims 1 to 8, characterized in that a plurality of carrier blocks, each of which has a number of protruding leads with one on one of the cantilever ends assembled and electrically connected to the other cantilever ends Having semiconductor wafers, are arranged side by side in two parallel rows so that that the cantilevered connecting wires in each row are directed towards the other row and protrude into associated separate mold cavities in two adjacent rows are arranged, and that a flowable thermosetting plastic from a single feed channel, extending between the two rows of mold cavities into each of the mold cavities is introduced. Hierzu 1 Blatt Zeichnungen1 sheet of drawings