DE1614238B1 - Photoempfindliche Halbleitervorrichtung und Verfahren zu deren Herstellung - Google Patents
Photoempfindliche Halbleitervorrichtung und Verfahren zu deren HerstellungInfo
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Description
1 ".
■:■-■. '."■ λ i,~ - ■
Die Erfindung betrifft photoempfindliche Halb- empfindlicher Vorrichtungen homogener Beschaffenleitervorrichtungen,
insbesondere Photowiderstände, '- heit. *. ... Photozellen, Photowiderstandsmatrizen u.dgl., bei 2. Die relativ geringen Kosten einer eloxierten
denen eine dünne, biegsame, eloxierte Aluminium- AluminiumfoHe pro Flächeneinheit im Vergleich zu
folie den Träger für das photoempfindliche Element 5 den Kosten herkömmlicher Träger ermöglicht die
der Vorrichtung bildet. Ferner betrifft die Erfindung kommerzielle -HerstellungundΓ den Vertrieb großein
Verfahren zur Herstellung photoempfindlicher flächiger photoempfindlicher Vorrichtungen. Bisher
Vorrichtungen. ". ■ wirkten sich die Kosten für großflächige Träger sehr Im Handel erhältliche photoleitende Vorrichtungen verkauf shindernd aus, wodurch die Weiterentwicklung
sind einfach aufgebaut und bestehen im allgemeinen ίο auf diesem Gebiet gehemmt wurde. Von besonderer
aus einem starren Träger aus Isolationsmaterial, einer Bedeutung ist in diesem Zusammenhang die Tatsache,
auf diesem aufgebrachten photoempfindlichen Halb- daß die Kosten für großflächige Keramikträger exleiterschicht
oder -ablagerung, einer mit der Halb-~ ponentiell mit der Flächengröße steigen, während die
lederschicht in elektrischem Kontakt stehenden dün- Folienkosten linear mit ihr steigen,
nen Elektrode sowie einem Gehäuse zum Schutz und 15 3. Im Vergleich zu Vorrichtungen mit herkömmzum
Zweck der leichten Handhabung. Bei bekannten liehen Trägern besitzen die erfindungsgemäßen VorVorrichtungen dieser Art besteht der Träger im allge- richtungen mit eloxierter Müminiumfolie stark vermeinen
aus Glas, Quarz,.Keramik oder ähnlichem besserte Wärmeübertragungseigenschaften. Demzuwärmebeständigem
Material. Das Gehäuse kann aus folge können erfindungsgemäße Vorrichtungen in
verschiedenem Material hergestellt werden, besteht 20 Verbindung mit einer geeigneten Wärmesenke mit
jedoch im allgemeinen aus Metall oder Kunststoff. größeren Leistungen betrieben werden als vergleich-Die
allgemein bekannte photoleitende Vorrichtung bare bekannte Vorrichtungen.
besteht aus einem Metallgehäuse mit einem durch- 4. Die Aluminiumfolie und die damit hergestellten
sichtigen Fenster. Vorrichtungen sind sehr biegsam, woraus sich eine
JPhotozellen sind im allgemeinen etwas komplizier- 25 Vielzahl neuer Anwendungsarten ergibt. So kann
teriin Aufbau als Photowiderstände und bestehen beispielsweise eine Photozelle mit Folienträger um
mindestens aus einem wärmebeständigen Träger, eine Lichtquelle gewickelt öder in Falten um diese
einer Halbleitersperrschicht, mindestens zwei Elek- gelegt werden, um einen besseren Wirkungsgrad zu
troden, von denen eine transparent ist, sowie einem erhalten. Es ist möglich, Photoelemente mit Folienfür
die beabsichtigten Verwendungszwecke geeigneten 30 träger mit einer Vielzahl von Elementen in Form
Gehäuse. kleiner, kompakter Einheiten herzustellen.
Es hat sich als vorteilhaft erwiesen, eine eloxierte 5v In vielen: Anwendungsgebieten, bei denen Ge-
Aluminiumfolie als isolierenden Träger der Vorrich- _.. wicht und/oder Größe von Bedeutung sind, sind Vortung
zu verwenden. Dies bietet viele Vorteile, von richtungen mit Folienträger eindeutig von Vorteil. Es
denen die wichtigsten im folgenden genannt werden: 35 hat sich gezeigt, daß erfindungsgemäße Solar- oder
1. Auf Grund der Biegsamkeit der Folie kann ein photözellen mit eloxierter Aluminiumfolie im Verkontinuierliches
Herstellungsverfahren für die Ferti- gleich zu den bekannten Zellen vergleichbarer Größe
gung einer solchen Vorrichtung angewandt werden, : mindestens das doppelteLeistung-Gewicht-Verhältnis
wobei die verschiedenen Fertigungsstellen, z.B. haben. Die hohe Gewichtsersparnis ist in erster Linie
DünnscMchtaufsprühung, Wärmebehandlung, Auf- 40 auf das niedrige spezifische Gewicht der FoHe zurückbringung
von Bildmasken, Ausstanzen usw., entlang zuführen. Nichtaluminiumträgerfolie besteht aus
der Folie angeordnet sind, die mit genau program- einer 25 μΐη starken Phosphor-Bronze-Folie mit dünmierter
Geschwindigkeit bewegt wird. Da die Folie nen CdS- und Cu^Sy-Beschichtungen und hat bei
mittels Saugluft gleichmäßig gegen die erwärmte einer Größe von 76 mm2 ein Gewicht von 1,6 g, wäh-Platte
gehalten werden/kann, läßt sich eine beträcht- 45 rend Aluminiumfolie gleicher Größe nur 0,58 g
liehe Verbesserung der Gleichmäßigkeit der Träger- schwer ist.
temperatur während des Sprühens erzielen. Dieses 6. Photoempfindliche Schichten in Form kleiner
Merkmal ist für den Fachmann von größter Bedeu- einzelner Zellen oder einer komplexen Matrix lassen
rung. Mit Ausnahme sehr kleiner Träger ist es sich in jeder gewünschten Form herstellen und könschwierigjWenn
nicht sogar unmöglich, bei bekannten 5o mn aUg der Folie unmittelbar in einem fortlaufenden
starren Glas-und Keramikträgern eine gleichmäßige Herstellungssystem ausgeschnitten oder ausgestanzt
Oberflächentemperatur zu erzeugen. Diese Ungleich- werden. Die einfache Herstellung von Vorrichtungen
mäßigkeit der Oberflächentemperatur verursacht . aus eloxierter Aluminiumfolie ist ein weiterer wesentfehlerhaft
abgelagerte Schichten, in denen Bereiche Hcher Grund, um dieses Material in einem automatiunterschiedlicher·
Kriställstruktur auftreten. Bei un- 55 sierten Bandsystem zu-bearbeiten". Infolge der Foliengünstiger Kristallmorphologie wird das betreffende eigenschaften ist die Herstellung photoempfindlicher
Teil unbrauchbar. Mit der erfindungsgemäßen An- Vorrichtungen somit kontinuierlich möglich.
Wendung von eloxierter Folie kann eine größere qt Photoempfindliche Vorrichtungen mit Folien-
Gleichmäßigkeit der Ablagerungen erzielt werden als träger können in beliebiger Weise und mit bekannten
mit den bekannten starren Glas-und Keramikträgern. 60 Materialien überzogen, verkapselt oder schichtförmig
Diese erzielte Gleichmäßigkeit bewirkt eine Verbes- angeordnet werden. Außerdem ist bei Vorrichtungen
serung der elektrischen, physikalischen und optischen mit eloxierfem Aluminiumträger eine'selbständige
Eigenschaften der photoempfindlichenVorrichtungen, polymere »Verpackung« möglich". Ist die Aluminium-Durch
die Verwendung der erfindungsgemäßen Folie fo^e feuchtigkeitsundurchlässig, dann kann ein
werden somit die Nachteile der bekannten Träger 63 Photoelement mit Folienträger durch Wärmebindung
vermieden. eines durchsichtigen Kunststoffilms an der oberen
Die erfindungsgemäße Anwendung dieser Träger lichtempfindlichen Oberfläche der Folie befestigt
ermöglicht somit die Herstellung großflächiger photo- werden.
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3 4
Bei einigen Fertigungssystemen, besonders für oder Aufstreichen. Das für die Erfindung bevorzugte
Photowiderstände und Photozellen, wird durch die Verfahren ist in der deutschen Patentanmeldung
Verwendung biegsamer Aluminiumfolie eine wesent- N22018 VIb/32b beschrieben, in der das Herstellen
liehe Verkürzung der Herstellungszeit erzielt. Bei der dünner Filme durch Aufsprühen einer Lösung des
Herstellung von Photozellen werden beispielsweise 5 filmbildenden Materials gezeigt ist und aus folgenden
mindestens zwei Galvanisierungsschritte gespart, die Schritten besteht: (a) gleichmäßiges Erwärmen des
normalerweise bei der Herstellung einer Legierungs- Trägers auf eine optimale Temperatur, normalerweise
zwischenschicht auf einer Phosphor-Bronze-Folie er- über 93° C; (b) Aufsprühen einer Lösung des film-
forderlich sind. Weiterhin wird die durch den Wegfall bildenden Materials; (c) Wärmenachbehandlung des
der beiden Galvanisierungsschritte erzielte Einspa- io abgelagerten Filmes bei einer Temperatur von 482
rung noch dadurch erhöht, daß alle erforderlichen bis 650° C und entsprechendem atmosphärischem
Elemente der Zelle durch aufgesprühte Schichten Druck. Aus der genannten Patentanmeldung geht
oder Filme ersetzt werden können. hervor, daß die Trägertemperatur von der Zusammen-
Gegenstand der Erfindung ist somit eine photo- Setzung des photoleitenden Filmes und der Wärmeempfindliche
Halbleitervorrichtung, die durch eine 15 Übertragungseigenschaft des Trägers abhängig ist. Die
dünne, biegsame eloxierte Aluminiumfolie als Träger erforderliche Trägertemperatur zum Besprühen von
für eine photoempfindliche Halbleitervorrichtung ge- Trägermaterialien mit großer Wärmeleitfähigkeit,
kennzeichnet ist. z. B. Alurniniumoxyd, ist wesentlich niedriger als bei
Die Erfindung wird im folgenden an Hand der einem Glasträger. Demzufolge ist die Temperatur
Zeichnungen beschrieben, und zwar zeigt 20 einer eloxierten Aluminiumfolie während des Auf-
Fig. 1 eine Draufsicht auf ein Aluminiumfolien- Sprühvorganges im allgemeinen niedriger als die in
segment, wobei schematisch die beiden Arten von der vorgenannten Patentanmeldung angegebenen
Photozellenformen und eine bildliche Darstellung des Temperaturen. Die optimale Temperatur einer sol-
Aufbaues dargestellt wird, in der die einzelnen Filme chen Folie kann ohne weiteres bestimmt werden.. Die
an einer Ecke zurückgerollt werden, 25 bevorzugte Trägertemperatur liegt zwischen 204 bis
Fig. 2 eine Querschnittsansicht der in Fig. 1 ge- 232° C, während die Temperatur der Wärmenach-
zeigten Folie entlang der Linie 2-2, . ■ behandlung zwischen etwa 538 und 593° C liegt. ".
F i g. 3 eine Querschnittsansicht eines photoleiten- Die genannten Merkmale des Aufsprühverfahrens
den Elementes eines Ausführungsbeispiels, werden deswegen hervorgehoben, weil dieses den her-
Fig. 4 eine perspektivische Ansicht einer kontinu- 30 kömmlichen Verfahren in den meisten Punkten weit
ierlichen Fertigungsbahn, wobei die Folie an einem überlegen ist und in bezug auf die in der Erfindung
Ende in die Fertigungsbahn gefördert und die fertigen verwendete eloxierte Aluminiumfolie besondere VorGegenstände
am anderen Ende erhalten werden, teile bietet, wenn dieses Verfahren und die Folie
Fig. 5 eine Querschnittsansicht einer Photozelle gleichzeitig verwendet werden. Eloxierte Aluminiumeines
Ausführungsbeispiels nach der Erfindung, 35 folie ist in verschiedenen Breiten in Rollenform er-
F i g. 6 eine auseinandergezogene Ansicht eines hältlich, in der sie sich sehr gut für ein kontinuier-
Potentiometers mit einer gefalteten Aluminiumfolie liches Herstellungsverfahren verschiedenster Arten
nach der Erfindung, von Photowiderständen, Photozellen u. dgl. eignet.
Fig. 7 eine Draufsicht auf eine photoempfindliche "Die Wärmenachbehandlung von photoleitenden
Schaltmatrix, deren Träger eine biegsame Folie nach 40 Vorrichtungen bei Temperaturen um 593° C ist eine
der Erfindung ist, der bekannten Methoden zur Verbesserung von
Fig. 7a eine Querschnittsansicht der Matrix nach Photoleitungseigenschaften, z.B. des Hell-Dunkel-
Fig. 7 entlang der Linie7a-7a. Verhältnisses usw. Eine Erweiterung der vorgenann-
In Fig. 1 ist ein Stück einer Alumimumfolie 1 ge- ten einfachen Wärmebehandlung ist das als »Aktiviezeigt,
die Filme oder Schichten 2 und 3 trägt,"die an 45 rung« bekannte Verfahren, kombiniert mit der
einer Ecke abgebogen sind. Ferner sind Elektroden, Wärmebehandlung. Bei letzterem wird ein photowie
bei 4 und 5 gezeigt, auf der Oberfläche angeord- empfindlicher Film stark erhitzt, der mit einem
net. Die Schicht 2 ist eine sehr dünne, gut isolierende »Deckpulver« überstreut wurde, das in geeigneter
Schicht aus Al2O3, die durch ein bekanntes Eloxier- Weise dotierte Wirtskristalle enthält. Als Dotierungsverfahren
auf der Aluminiumoberfläche hergestellt 50 elemente können z. B. Kupfer und/oder Chlor verwurde. Vom wirtschaftlichen Standpunkt betrachtet wendet werden. Diese Wärmebehandlungs-und Aktiist
es jedoch günstiger, die Eloxierung nicht selbst vierungsverfahren können für die erfindungsgemäßen
durchzuführen, sondern im Handel erhältliche elo- Vorrichtungen angewandt werden, jedoch sei auf ein]
xierte Aluminiumfolie als Trägermaterial zu verwen- bevorzugtes Wärmebehandlungs- und Aktivierungsden.
Die Folie ist in Blatt-oder Rollenform mit einer 55 verfahren, das in der deutschen Patentanmeldung
Dicke von 25 bis 250 μΐη lieferbar. Im allgemeinen N27111IVc/12g beschrieben ist, hingewiesen, woist
der eloxierte Film zwischen 1,2 bis 12,5 ^m dick, nach eine optimale Wirkung dadurch erzielt wird,
während die Gesamtdicke der Folie plus eloxiertem daß das oder die Werkstücke etwa 15 Minuten lang
Film etwa 43 μπι beträgt. Die Schicht 3 nach Fig. 1 auf 565° C erhitzt werden.
ist ein aus üblichen photoleitenden Materialien be- 60 In Fig. 1 sind zwei Elektrodenformen gezeigt,
stehender photoleitender Film. Die am häufigsten und zwar die Halbkreisform der Elektrode 4 und die
verwendeten photoleitenden Verbindungen sind Ver- gezahnte Form der Elektrode 5. Die Elektroden werbindungen
der Gruppen II bis IV des Periodischen den durch Aufdampfen, Siebdruck oder Aufstreichen
Systems, z. B. Zink, Quecksilber und Cadmium, und_ auf die Oberfläche der photoleitenden Schicht 3 aufSulfide
und Selenide oder Mischungen von Verbin- 65 gebracht. Vorzugsweise werden sie durch Aufdampfen
düngen, die diese Elemente enthalten. Für die Ab- von Indium mit Hilfe einer geeigneten Maske mittels
lagerung photoempfindlicher Filme sind eine Reihe bekannter Techniken aufgebracht,
von Verfahren bekannt, z. B. Aufdampfen, Siebdruck In dem in F ig. 1 gezeigten Streifen sind die durch
von Verfahren bekannt, z. B. Aufdampfen, Siebdruck In dem in F ig. 1 gezeigten Streifen sind die durch
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die beiden Elektrodenformen 4 und 5 gezeigten Be- des Photoleiterfilms gegeben. Das Muster wird 15 bis
reiche aus dem Folienstreifen ausgeschnitten oder 20 Minuten lang bei etwa 565° C in einer Cu- und
ausgestanzt. An den Elektroden sind durch Löten Cl-Atome enthaltenden Aktivierungsatmosphäre er-
oder andere geeignete Verfahren Anschlußleitungen wärmt. Die Cu- und Cl-Atome werden von einer Bebefestigt,
und die gesamte Vorrichtung wird in einem 5 Schichtung geliefert, die auf der Innenseite einer
geeigneten Gehäuse, z. B. einer Metalldose mit einem Keramikwanne od. dgl. angebracht ist, die während
Fenster aus transparentem Kunststoff, Glas od. dgl., der Wärmebehandlung über den zu aktivierenden
untergebracht. : Film gestülpt wird; 2. werden Elektroden der ge-
F ig. 2 zeigt, daß der eloxierte Film! und der wünschten Form und Größe (z.B. Elektroden 4 und 5
photoleitende Film3 auf dem Aluminiumfolienträ- io der Fig. 1) auf dem aktivierten Film abgelagert,
ger 1 übereinander angeordnet sind. Die Elektroden 5 Eine die Elektrodenform enthaltende Maske wird mit
sind auf der photoleitenden Schicht 3 angebracht, der lichtempfindlichen Seite der Folie ausgerichtet
wobei die Elektrodenform so gewählt ist, daß ein ent- und das ausgerichtete Paar in eine Vakuumkammer
sprechender Leitfähigkeitsbereich geschaffen wird. gegeben. Nach Evakuieren der Kammer auf minde-
Fig. 3 zeigt im Querschnitt ein in einem Kunst- 15 stens 10~4 Torr wird Indium durch die Maskenstoffgehäuse untergebrachtes photoempfindliches EIe- Öffnungen auf die abgedeckte hchtempfindliche
ment. Dieses besteht im allgemeinen aus verschiede- Schicht aufgedampft; 3. Anschlußleitungen werden
nen Schichten, die sich leicht in dem im Beispiel4 an die Elektroden angebracht (z. B. die Leitungen 6a
veranschaulichten automatischen kontinuierlichen in Fig. 3). Verzinnte Kupferleitungen werden mit
Verfahren nach der Erfindung zusammenfügen lassen. 2a Silber enthaltendem Epoxydharz mit den Elektroden
Die photoempfindliche Komponente nach Fig. 3 verbunden; 4. ein Kunststoffüberzug gleich dem Film
enthält einen eloxierten Film 2α, der auf dem Alumi- la der Fi g. 3 wird durch Bildung von transparentem
.niumfolienträger la haftet. Der Film 3α ist ein auf Epoxydharz auf der Oberfläche des Elementes mittels Λ
dem Film 2 α haftend aufgebrachter Halbleiterfilm. Wärme und/oder Druck auf dessen photoempfind- ™
Die Anschlußleitungen 6a sind mit den Elektroden 25 licher Seite aufgebracht.
Sa verbunden, wobei letztere Kontakt mit der photo- In Fig. 4 ist in perspektivischer Darstellung eine
leitenden Oberfläche des Fumes 3 a haben. Diese An- automatisierte Fertigungsbahn mit kontinuierlicher
Schlußleitungen bestehen vorzugsweise aus flachen Arbeitsweise zum wirtschaftlichen Herstellen lichtverzinnten Kupferleitungen, die mit den Elektroden empfindlicher Vorrichtungen der im vorangegangenen
5 a verbunden, d. h. an ihnen angelötet, angeschweißt 30 beschriebenen Art gezeigt. Auf dieser Fertigungsbahn
oder angeklebt, sein können. Besonders geeignet ist werden lichtempfindliche Stoffe auf einen eloxierten
das Ultraschall-Lötverfahren. Bei einem anderen Aluminiumträger aufgebracht.
Verfahren verwendet man leitenden Epoxydklebstoff In Fi g, 4 wird eine besonders geeignete und günals
Bindemittel. Die Oberfläche des Fumes Ία besteht stige Anordnung der einzelnen Bearbeitungsstationen
aus einem polymeren Schutzfilm. Hierfür geeignete 35 zur Herstellung der in Fig. 1 und 3 dargestellten
polymere Stoffe sind transparente, isolierende, in photoleitenden Elemente gezeigt. Im allgemeinen
Wärme ausgehärtete und thermoplastische Polymere. umfaßt eine Fertigungsbahn der vorgenannten Art
Stoffe mit den gewünschten Eigenschaften sind dem die Bearbeitungsstationen A bis E, wie in Fig. 4 ge-Fachmann
auf dem Gebiet der Polymere geläufig, so zeigt ist. Wie bereits gesagt, ist eine Vorrichtung zum
daß im folgenden nur einige Polymere als Beispiele 40 Fördern der Aluminiumfolie mit genau programmiergenannt
werden sollen, zu denen vorzugsweise trans- ter Geschwindigkeit von der Speicherrolle 14 vorgeparente
Epoxydharze, Polystyrol sowie Polyvinyl-, sehen, durch die es ermöglicht wird, daß ein gegebener
Polyacryl- und Polystyrol-Mischpolymerisate gehÖ- Folienbereich die zur Bearbeitung erforderliche Zeit
ren. Sowohl Mischpolymerisate als auch Homopoly- an einer Bearbeitungsstation verbleibt. Sowohl elo- JB
merisate der vorgenanntenPolymerarten sindverwen- 45 xierte als auch normale Aluminiumfolie in Rollenform ™
dungsfähig. Der Film7α kann durch herkömmliche sind vom Handel beziehbar. Wird normale Alumi-.
Verfahren hergestellt werden, z. B. Trocknen einer niumfolie als Träger verwendet, dann wird in der
Lösung des Polymers, Aufsprühen einer Polymer- Eloxierstation 15 ein 1,2 bis 12,5 μΐη starker Al2O3-dispersion
mit nachfolgender thermischer Verschmel- Isolierfilm auf der einen Oberfläche der Folie aufgezung,
sowie Aufbringen einer Lage eines dünnen 50 bracht. Dies ist mittels herkömmlicher Eloxierverfah-Polymerfilms
auf die Oberfläche des photoleitenden ren möglich.
Films 3α durch Wärmebindung. Weitere Verfahren Die Station A (Fig. 4) enthält eine Vorrichtung
sind Walzen und Tauchlackieren, beispielsweise mit zum Aufsprühen eines Halbleiterfilms 16 auf einen
Plastisolen und Organosolen von Vinylharzen. erwärmten Teil ..der eloxierten Folie. Der "Film 16
Ein in Fig. 3 veranschaulichtes Ausführungs- 55 wird durch .Aufsprühen einer filmbildenden Halbbeispiel
der Erfindung besteht aus folgenden Teilen:; leiterlösung durch einen Sprühkopf 13 hergestellt.
1. eine photoleitende Schicht aus CdS auf einer elo- Die Lösung gelangt durch das Rohr 12 in den Sprühxierten
Aluminiumfohe einer Größe von 76 mm2, kopf und wird mit Hufe der aus dem Rohr 11 ströwobei
die Dicke der Aluminiumfolie 127 μηι und die menden Luft versprüht. Der zu besprühende Folien-Dicke
des Aluminiumoxydüberzuges (Al3O3) 7,6 μΐη 6o bereich wird durch Anlage an einer mit Heizstäben
beträgt.Die photoleitende Schicht von CdS wird durch 17a beheizten ebenen Platte 17 auf eine bestimmte
Auf sprühen einer Lösung 0,01MoIUxCdCl2 · 2,5H2O Temperatur erwärmt. Wie bereits erwähnt, wird die
und 0,01 Mol in Thioharnstoff auf die Oberfläche der Folie während des Sprühvorganges gleichmäßig mit
Folie erzeugt. Während des Sprühvorganges wird die Hufe des an den Löchern des Plattenblocks 17 wir-Folie
auf einer Temperatur von etwa 221° C gehal- 65 kenden Vakuums gegen die Platte 17 gehalten. Nähere
ten. Die Sprühgeschwindigkeit beträgt 5 bis 10 mm/ Einzelheiten betreffend die verwendeten Stoffe, Temmin.
Die 76 mm2 große Folie wird dann in einen peraturen usw. im Zusammenhang mit dem Sprüh-Ofen
zur Wärmenachbehandlung und Aktivierung Vorgang an der Station A ergeben sich aus dem vor-
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angehenden und im Hinblick auf die bereits erwähnte einander Ubergangsschichten 43 und 44 haftend abdeutsche
Patentanmeldung N 22018 VIb/32b. gelagert. In einem Ausführungsbeispiel besteht die
Die Stationß der Anordnung nach Fig. 4 dient Schicht 43 aus einem sehr dünnen Film CdS, von
zur Wärmenachbehandlung und umfaßt einen Heiz- einer Dicke von 1 μπι, während die Schicht 44 aus
block 18 mit Heizelementen 18 α, die im vorliegenden 5 einer noch dünneren Übergangsschicht, einer etwa
Ausführungsbeispiel vorzugsweise als elektrische 0,1 μΐη starken Cu^-Schicht (Digenit), besteht, die
Heizstäbe ausgebildet sind, an deren Stelle jedoch gleichmäßig auf der Oberfläche der Schicht 43 verteilt
auch andere geeignete Heizvorrichtungen verwendet ist. Die Schicht 45 stellt in Schnittansicht den Kollekwerden
können. Wie bereits erwähnt, sind zur Wärme- tor des Ausführungsbeispiels der Photo- oder Solarnachbehandlung
Temperaturen zwischen 538 und io zelle dar. Die Kollektorschicht 45 hat im allgemeinen
593° C normalerweise ausreichend. die Form eines aus feinen Leitern, z. B. Zinn, Silber,
Ein bestimmter Bereich der beschichteten Folie Kupfer oder Gold, bestehenden Gittermusters. Besonwird
an der Vakuumelektrodenstation C mit einer ders geeignet ist Gold. Es wurde beispielsweise fest-Elektrodemnaske
bedeckt und ein entsprechendes gestellt, daß Kollektoren aus Zinn die Neigung Metallelektrodenmuster auf der Folie abgelagert. Im 15 haben, die Zelle bei einer Temperatur um etwa
wesentlichen enthält die Station C eine Vakuumkam- 200° C kurzzuschließen. Bei der gleichen Temperatur
mer 19, eine Glasglocke oder eine andere, nicht zeigen Goldkollektoren noch ausreichende Eigengezeigte,
zur Metallaufdampfung geeignete, geschlos- schäften. Je dünner die Leiter und je geringer deren
sene Vorrichtung sowie eine Maskenhalte- und Ein- Anzahl pro Zentimeter, desto größer ist die Flächenstellvorrichtung
20 und eine Metallaufdampfvorrich- 20 ausnutzung. Die optimale Leiterzahl hängt von der
tung21. Diese und weitere Einheiten der Station C Oberflächenleitfähigkeit der Übergangsschicht ab.
sind in der Metallaufdampfungstechmk allgemein be- Metallgittermuster der im vorangegangenen beschriekannt
und werden deshalb hier nicht näher be- benen Art werden durch allgemein bekannte Verfahschrieben,
. . ren, z. B. Aufdampfen, Siebdruck, galvanische Ab-
Je nach der Art und Form der herzustellenden 25 lagerung od. dgl., aufgebracht.
photoleitenden Vorrichtung wird die Zahl der Bear- Die Kunststoffschicht 46 ist ein wesentliches Merkbeitungsstationen
der kontinuierlich arbeitenden Fa- mal der Erfindung. Sie kann vorteilhaft auch bei einer
brikationsbahn erhöht oder verringert. So wird bei- Anzahl weiterer hier, beschriebener Ausführungsspielsweise
an der StationD (Fig. 4) ein Polymer- beispiele verwendet werden. Gemäß der bevorzugten
schutzüberzug auf die Oberfläche einer photoempfind- 30 Ausführung der Erfindung ist es zweckmäßig, die
liehen Vorrichtung aufgebracht. Die Station D besteht Oberfläche der Schicht 44 und die Metallgitterschicht
aus einem Sprühkopf 22, der eine ein verdampfbares 45 mit einem transparenten Überzug 46 aus organi-Lösungsmittel
enthaltende Polymerlösung auf den schem Lack oder polymerem Stoff zu versehen. Der
unmittelbar neben dem Heizelement 23 befindlichen Überzug dient nicht nur zum Schutz der Schicht 44
Folienoberflächenbereich sprüht. In dem kontinuier- 35 gegenAbnutzung, Kratzer, Feuchtigkeit usw., sondern
liehen Herstellungsverfahren wird das Heizelement verleiht außerdem dem durch die Metallgitterschicht
23 auf eine hohe Temperatur erwärmt, die ein Ver- 45 und die Anschlußleitungen 47 gebildeten empfinddampfen
des Lösungsmittels der Polymerlösung be- lichen Element Stabilität. Die letztgenannten Kompowirkt,
wodurch ein Polymerschutzfilm auf den in dem nenten werden mit den oberen und unteren Zellenbesprühten Folienbereich befindlichen ■ Halbleiter- 40 elektroden 45 und 42 durch allgemein bekannte Verelementen24abgelagertwird.Weitere»Verpackungs«-
fahren, wie sie beispielsweise bei der Beschreibung und/oder Beschichtungsmittel sind dem Fachmann des Ausführungsbeispiels nach Fig. 3 genannt wurgeläufig.
den, aufgebracht. Die zur Herstellung der Polymer-
Die Station E stellt eine Stanz- oder Schneidvor- schicht 46 geeigneten Polymerzusammensetzungen
richtung zum Abtrennen eines polymerbeschichteten 45 und Verfahren sind gleich oder ähnlich der im Zuphotoempfindlichen
Bereiches, z.B. des durch die sammenhang mit Fig. 3 beschriebenen,
vorangehende Bearbeitung erhaltenen Bereiches 24, Die leitende SnOx- oder Zinnoxydschicht 42 und von dem dünnen Streifen der Aluminiumfolie dar. die halbleitenden CdS- bzw. Cu^S^-Schichten 43 bzw. Die entstandenen photoempfindlichen Bereiche wer- 44 lassen sich mit unterschiedlichen Ergebnissen durch den durch herkömmliche Stanzpressen und zugeord- 50 eine Vielzahl in dieser Technik bekannter Verfahren nete Vorrichtungen aus der Folie ausgestanzt, wie in herstellen. Ein bevorzugtes Herstellungsverfahren der der Station E durch die Stanze 25 und den Metall- genannten Schichten besteht jedoch in einem Aufblock 26 veranschaulicht wird, wobei die Folie zwi- sprühverfahren. Die CdS- und CuxSj,-Schichten werschen die Stanze und den Metallblock mit entspre- den jeweils wie in der bereits genannten deutschen chend hohem Druck gepreßt wird, um eine Schneid- 55 Patentanmeldung N22018 VIb/32b hergestellt, wähwirkung zu erhalten. rend die SnOx- oder Zinnoxydschicht 42 in einem der
vorangehende Bearbeitung erhaltenen Bereiches 24, Die leitende SnOx- oder Zinnoxydschicht 42 und von dem dünnen Streifen der Aluminiumfolie dar. die halbleitenden CdS- bzw. Cu^S^-Schichten 43 bzw. Die entstandenen photoempfindlichen Bereiche wer- 44 lassen sich mit unterschiedlichen Ergebnissen durch den durch herkömmliche Stanzpressen und zugeord- 50 eine Vielzahl in dieser Technik bekannter Verfahren nete Vorrichtungen aus der Folie ausgestanzt, wie in herstellen. Ein bevorzugtes Herstellungsverfahren der der Station E durch die Stanze 25 und den Metall- genannten Schichten besteht jedoch in einem Aufblock 26 veranschaulicht wird, wobei die Folie zwi- sprühverfahren. Die CdS- und CuxSj,-Schichten werschen die Stanze und den Metallblock mit entspre- den jeweils wie in der bereits genannten deutschen chend hohem Druck gepreßt wird, um eine Schneid- 55 Patentanmeldung N22018 VIb/32b hergestellt, wähwirkung zu erhalten. rend die SnOx- oder Zinnoxydschicht 42 in einem der
Fig.5 zeigt in vergrößerter Querschnittsansicht für die Herstellung elektrisch leitender Filme allge-
aktive und inaktive Schichten in einem bevorzugten mein bekannten Aufsprühverfahren erzeugt wird.
Ausführungsbeispiel einer Photo- oder Solarzelle Vorzugsweise wird die Schicht 42 durch Auf sprühen
nach der Erfindung. Die Vorrichtung nach Fig. 5 60 einer Lösung, die 12,85MoI SnCl4 pro Liter enthält,
besteht aus mehreren über der Aluminiumträger- auf die eloxierte Aluminiumschicht 41 hergestellt. Zur
schicht 40 angeordneten Schichten. Die Schicht 41 Erzielung optimaler Ergebnisse wird die eloxierte
befindet sich auf der Trägerschicht40 und die Schicht Folie während der Zinnoxydaufsprühung auf eine
42 auf der Schicht 41, wobei letztere aus einem dün- Temperatur von etwa 500° C erwärmt,
nen Isolierfilm (Al2O3) und die Schicht 42 aus einem 65 Die Halbleiterschicht 43 erhält durch Aufsprühen
leitenden dünnen Film (Zinnoxyd SnOx) besteht, der einer Lösung, die 0,01MoICdCl2 und 0,0IMoITMo-
auf der Oberfläche der Schicht 41 haftend abgelagert harnstoff pro Liter enthält, auf die Schicht 42 bei
ist. Auf der leitenden Zinnoxydschicht 42 sind auf- einer Temperatur von etwa 325° C eine Dicke von
Claims (1)
- 9 10etwa 1 μτη. Das gleiche Aufsprühverfahren wird zur 51 zum anderen. Durch die beschriebene Bewegung Herstellung der Cu^-Schicht angewandt. Hierbei des Lichtschlitzes 56 entsteht ein leitender Pfad im wird eine 0,1 μαιι dicke Schicht aus CuxSj, durch. Auf- Halbleiterbereich 52, der kreisförmig über den als sprühen einer Lösung (0,0025 Mol pro Liter sowohl Widerstandsbereich 51 dienenden Streifen verschoben in Kupferacetat als auch in η,η-Dimethylthioharn- 5 werden kann. Vorrichtungen zum Drehen des Innenstoff) auf die auf einer Temperatur von 125° C gehal- körpers 54, elektrische Meßvorrichtungen u. dgl., die tene CdS-Schicht 43 gebildet. . .-. in herkömmlicher oder geeigneter Form angebrachtNach Ablagerung der CuxS31-ScMChI werden die werden können, sind in Fi g. 6 nicht gezeigt,photoleitenden Zellen dieses Ausführungsbeispiels Von besonderer Bedeutung für das erfmdungs-1 bis 20 Minuten bei einer Temperatur von 260° C, io. gemäße Ausführungsbeispiel der Fig. 6 ist die Ver-oder vorzugsweise 1 Minute bei 250° C, wärme- wendung dünner."biegsamer eloxierter Alumimum-behandelt. folie als Träger für eine photoleitende Vorrichtung,In Fig. 6 ist ein Ausführungsbeispiel gezeigt, bei die ohne weiteres in eine gewünschte Form gebogendem sich die Biegsamkeit der eloxierten Aluminium- werden kann.folie als besonders zweckmäßig erweist. Dieses ausge- 15 Der photpleitende Bereich 52 läßt sich durch herzogen gezeichnete Ausführungsbeispiel stellt eine kömmliche Verfahren mit bekannten h'chtempfindphotoempfindliche Vorrichtung aus einer biegsamen liehen Stoffen, z.B . CdS3 ZnS, CdSe usw., herstellen. Aluminiumfolie dar, die als sogenanntes kontaktloses Im hier behandelten Ausführungsbeispiel werden aufPotentiometer verwendet werden kann, gesprühte CdS-, CdSer-Filme u. dgl. mit Wärmenach-Die Vorrichtung besteht aus einem Außenkörper 20 behandlung bevorzugt als photoleitende Stoffe des57 und einem Innenkörper 54, wobei letzterer aus -Bereiches 52 verwendet. ; -Übersichtsgründen in einer herausgezogenen Stellung Fig. 7 zeigt eine Draufsicht auf einen Abschnitt dargestellt ist. Der Innenkörper 54 wirkt als Licht- einer photoleitenden Matrix. Erfindungsgemäß sind schirm und besteht aus einem zylindrischen uhdurch- eine Vielzahl photoempfindlicher Bereiche 66 am sichtigen Körper mit Vorrichtungen, z. B. der Licht- 25 Schnittpunkt waagerechter und senkrechter Leiterquelle 55, zum Beleuchten des Lichtschlitzes 56. Er- systeme 65 bzw. 66 angeordnet. Die photoempfindfindungsgemäß ist der Außenkörper 57 mit einer liehen Bereiche können nach beliebigem Muster oder Photowiderstandsanordnung versehen, die an seiner Anordnung aufgebaut werden und sind nicht auf das Innenfläche dünne leitende Bereiche 51, 52 und 53 Muster nach Fig. 7 beschränkt. Die Bereiche 66 beaufweist. Erfindungsgemäß sind die leitenden Be- 30 stehen aus einem Teil eines dünnen phptoleitenden reiche 51, 52 und 53, wie in Fig. 6 gezeigt, auf Films 62, der einer eloxierten Aluminiumfolie übereinem Streifen biegsamer eloxierter Aluminiumfolie lagert ist, und bestimmen das funktionsmäßige Verangeordnet, die, wie in dieser Figur dargestellt, so halten der Matrix. Auf dem Aluminiumfolienträger bemessen wird, daß sie straff in den Außenkörper 57 60 in Fig. 7 ist eine Aluminiumoxydschicht 61 abpaßt. Die aus den Bereichen51, 52, 53 bestehende 35 gelagert. Fig. 7a ,zeigt eine Schnittansicht der Widerstandskombination ist so angeordnet, daß Fig. 7. Die waagerechten Leiter 65 und die senkdurch den Lichtschlitz 56 übertragenes Licht auf den rechten Leiter 63 bilden Schnittpunkte, in denen die photoempfindlichen Bereich 52 fällt. In einem Span- beiden Leiter durch Pfade der photoleitenden Benungsteiler oder kontaktlosen Potentiometer der jua reiche verbunden werden. Zwischen den an den Fig. 6 gezeigten Art sind die Widerstände der ge- 4.0: Schnittpunkten sich kreuzenden Leitern wird ein nannten Bereiche verschieden groß. Der Bereich 53 stark isolierendes Dielektrikum vorgesehen, lh ist leitend und besitzt einen Endpunkt für einen Kon- Fi g. 2 ist das Isoliermaterial 64 ein schmaler senktakt, der als Leitung & der Kontaktpunkte 50 gezeigt rechter Streifen, der die senkrechten Leiter 63 vollist. Der leitende Bereich53 kann beispielsweise aus ständig überdeckt. In der Fig. 7a ist im Schnitt ein Indium bestehen, das dureh Aufdampfen des Metalls 45 senkrechter Leiter. 63 gezeigt, der durch die genannte oder durch Eintauchen eines Beteichs der Alumi- Isolierschicht 64 von dem Leiter 65 isoliert ist Zur niumfolie in geschmolzenes Indium aufgebracht wer- Herstellung der Isolierschicht 64 eignen sich bekannte den kann. Leitende Indiumbereiehe" der beschriebenen Isonermaterialien. Ein geeignetes Isoliermaterial Art haben einen niedrigen spezifischen Widerstand, kann beispielsweise aus einer 'Vielzahl bekannter z.B. etwa 0,06 Ohm pro cm2. Im Gegensatz zu dem 50 Polyvinylformaldehydharze ausgewählt werden. Weiniederohmigen Bereich 53 ist der Bereich 51, ein ent- tere Isoliermaterialien, 2. "Bi- SiO2, Glas u. dgl., sind lang einer Fläche der eloxierten Aluminiumfplie anr ebenfalls für die Herstellung der Schicht 64 geeignet, geordneter Film, verhältnismäßig ;hochöhmig. Die Die photoleitende Schicht 62 und die Leiter 63 und Leitungen α und c führen jeweils zu den Enden des 65 der Fig. 7 und 7 a sind nach dem im voran-Widerstandsbereiches 51. Letzterer kann aus einem 55 gegangenen beschriebenen Verfahren und insbeson'-getrockneten Streifen Farbe oder einer im Siebdruck- dere nach dem als bevorzugt beschriebenen Verfahren verfahren aufgebrachten Keramik-Metall-Verbund- herstellbar,
masse od. dgl. bestehen, wobei bekannte Verfahrenund Stoffe angewandt werden können. Widerstands- Patentansprüche:werte des Filmbereiches 51 variierenin der Größenr 60 . ' .Ordnung 1000 Ohm bis 1 Megohm. . * ' 1. Photoempfindliche Halbleitervorrichtung,Der Halbleiterbereich52 befindet sich sowohl mit dadiir cli gekennzeichnet, daß als Träger dem leitenden Bereich 53 als auch mit dem Wider- für den 'photoempfindlichen- Halbleiterfilm eine Standsbereich 51 in Kontakt. Der Bereich 52 bildet dünn&f biegsame, eloxierte- Aluminiumfolie vereinen Strompfad zwischen.den,Bereichen53 und 51. 65 wendetwird. ' "Wird der Innenkörper 54 um seine senkrechte Achse ■ 2. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gegedreht, dann bewegt sich der Lichtschlitz 56-um kennzeichnet, daß der Halbleiterfilm durch Äuf-360°, d.h. von einem Ende des Widerstandsbereiches sprühen hergestellt wird.3. Vorrichtung nach. Anspruch I oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß der Film aus zwei einander überlagerten Schichten verschiedener Halbleitermaterialien besteht, die so angeordnet sind, daß sie einen Sperrschichtübergang bilden.4. Vorrichtung nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß die photoempfindliche Seite der Vorrichtung mit einem, transparenten Polymerschutzüberzug versehen ist. ίο5. Vorrichtung nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß der beschichtete Träger in einem hermetisch geschlossenen Gehäuse mit transparenten Fenstern neben dem photoempfindlichen Film untergebracht ist.6. Vorrichtung nach einem oder mehreren der vorangehenden Ansprüche, gekennzeichnet durch als Metallablagerung auf dem Film hergestellte Elektroden.7. Vorrichtung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch siekennzeichnet, daß auf der Oberfläche desphotoleitenden Films Elektroden in Form länglicher, sich schneidender senkrechter und waagerechter Leiter angeordnet sind, die an den Schnittpunkten mittels eines stark isolierenden Dielektrikums voneinander getrennt sind.8. Vorrichtung nach Anspruch 1. dadurch gekennzeichnet, daß die eloxierte Aluminiumfolie auf der Innenseke eines zylindrischen Hohlkörpers angebracht ist, in dem eine Lichtquelle so angeordnet ist, daß sie Teile des photoempfindliclicn Filmes wahlweise beleuchtet.9. Kontinuierliches Verfahren zum Herstellen photoempfmdlicher Halbleitervorrichtungen nach Anspruch 2. dadurch gekennzeichnet, daß eine dünne, biegsame, eloxierte Aluminiumfolie mit programmierter Geschwindigkeit durch mehrere nacheinander angeordnete Bearbeitungsstationen einschließlich Aufsprüh- und Wärmebehandlungsstation bewegt wird, um einen photoempfindlichen Film auf der Folie abzulagern und beschichtete photoempfindliche Bereiche von der Folie abzutrennen.Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
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Families Citing this family (58)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3684368A (en) * | 1968-07-10 | 1972-08-15 | Hitachi Ltd | Xerographic apparatus |
US3807305A (en) * | 1968-07-15 | 1974-04-30 | Itek Corp | Metal photographic plate comprising a silver halide process |
US3807304A (en) * | 1968-07-15 | 1974-04-30 | Itek Corp | Photographic process for producing coherent metallic image bonded to a roughened support and products produced thereby |
US3620847A (en) * | 1969-05-05 | 1971-11-16 | Us Air Force | Silicon solar cell array hardened to space nuclear blast radiation |
US3767992A (en) * | 1971-08-23 | 1973-10-23 | Lewis Eng Co | Servo apparatus |
US3790795A (en) * | 1972-07-26 | 1974-02-05 | Nasa | High field cds detector for infrared radiation |
US3902920A (en) * | 1972-11-03 | 1975-09-02 | Baldwin Co D H | Photovoltaic cell |
DE2313997C3 (de) * | 1973-03-21 | 1975-08-28 | Intermadox Ag, Zug (Schweiz) | Lichtelektrische Potentiometeranordnung unter Vermeidung beweglicher Strom Zuführungen |
USRE30147E (en) * | 1974-01-08 | 1979-11-13 | Photon Power, Inc. | Method of coating a glass ribbon on a liquid float bath |
US3998659A (en) * | 1974-01-28 | 1976-12-21 | Texas Instruments Incorporated | Solar cell with semiconductor particles and method of fabrication |
FR2286508A1 (fr) * | 1974-09-24 | 1976-04-23 | Baldwin Cy Dh | Cellule photovoltaique et son procede de realisation par croissance microcristalline |
US3961997A (en) * | 1975-05-12 | 1976-06-08 | The United States Of America As Represented By The Administrator Of The National Aeronautics And Space Administration | Fabrication of polycrystalline solar cells on low-cost substrates |
US4137096A (en) * | 1977-03-03 | 1979-01-30 | Maier Henry B | Low cost system for developing solar cells |
FR2386111A1 (fr) * | 1977-04-01 | 1978-10-27 | Bonohm Sa | Potentiometre a curseur optique |
US4239809A (en) * | 1978-03-15 | 1980-12-16 | Photon Power, Inc. | Method for quality film formation |
US4224355A (en) * | 1978-03-15 | 1980-09-23 | Photon Power, Inc. | Method for quality film formation |
DE2822477C3 (de) * | 1978-05-23 | 1980-11-20 | Heimann Gmbh, 6200 Wiesbaden | Optoelektrischer einstellbarer Spannungsteiler |
US4284885A (en) * | 1978-05-26 | 1981-08-18 | Honeywell Inc. | Optical potentiometer |
JPS55127074A (en) * | 1979-03-26 | 1980-10-01 | Canon Inc | Photoelectric transfer element with high molecular film as substrate |
US4271354A (en) * | 1979-08-09 | 1981-06-02 | Shs Research Labs, Inc. | Manual belt electro-optical control |
US4546245A (en) * | 1979-11-19 | 1985-10-08 | Joseph A. Barbosa | Electronic controller |
DE8034894U1 (de) * | 1980-12-31 | 1981-06-04 | Basf Ag, 6700 Ludwigshafen | Verpackung fuer Aufzeichnungstraeger |
US4401839A (en) * | 1981-12-15 | 1983-08-30 | Atlantic Richfield Company | Solar panel with hardened foil back layer |
US4947665A (en) * | 1989-03-23 | 1990-08-14 | Rockford Manufacturing Group, Inc. | Apparatus for the electrical control of an in-line drawing machine |
US5176755A (en) * | 1990-02-14 | 1993-01-05 | Armco Inc. | Plastic powder coated metal strip |
US5439704A (en) * | 1993-10-27 | 1995-08-08 | Hunter Engineering Company, Inc. | Combined coil and blank powder coating |
US5674325A (en) * | 1995-06-07 | 1997-10-07 | Photon Energy, Inc. | Thin film photovoltaic device and process of manufacture |
US6295818B1 (en) * | 1999-06-29 | 2001-10-02 | Powerlight Corporation | PV-thermal solar power assembly |
US7053294B2 (en) * | 2001-07-13 | 2006-05-30 | Midwest Research Institute | Thin-film solar cell fabricated on a flexible metallic substrate |
US20050072461A1 (en) * | 2003-05-27 | 2005-04-07 | Frank Kuchinski | Pinhole porosity free insulating films on flexible metallic substrates for thin film applications |
US20050046312A1 (en) * | 2003-09-01 | 2005-03-03 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Laminated structure, piezoelectric actuator and method of manufacturing the same |
US8372734B2 (en) * | 2004-02-19 | 2013-02-12 | Nanosolar, Inc | High-throughput printing of semiconductor precursor layer from chalcogenide nanoflake particles |
US20070163639A1 (en) * | 2004-02-19 | 2007-07-19 | Nanosolar, Inc. | High-throughput printing of semiconductor precursor layer from microflake particles |
US8329501B1 (en) | 2004-02-19 | 2012-12-11 | Nanosolar, Inc. | High-throughput printing of semiconductor precursor layer from inter-metallic microflake particles |
US20070163641A1 (en) * | 2004-02-19 | 2007-07-19 | Nanosolar, Inc. | High-throughput printing of semiconductor precursor layer from inter-metallic nanoflake particles |
US7700464B2 (en) * | 2004-02-19 | 2010-04-20 | Nanosolar, Inc. | High-throughput printing of semiconductor precursor layer from nanoflake particles |
US20070163642A1 (en) * | 2004-02-19 | 2007-07-19 | Nanosolar, Inc. | High-throughput printing of semiconductor precursor layer from inter-metallic microflake articles |
US8642455B2 (en) * | 2004-02-19 | 2014-02-04 | Matthew R. Robinson | High-throughput printing of semiconductor precursor layer from nanoflake particles |
US20070169809A1 (en) * | 2004-02-19 | 2007-07-26 | Nanosolar, Inc. | High-throughput printing of semiconductor precursor layer by use of low-melting chalcogenides |
US7605328B2 (en) | 2004-02-19 | 2009-10-20 | Nanosolar, Inc. | Photovoltaic thin-film cell produced from metallic blend using high-temperature printing |
US7663057B2 (en) * | 2004-02-19 | 2010-02-16 | Nanosolar, Inc. | Solution-based fabrication of photovoltaic cell |
US8623448B2 (en) * | 2004-02-19 | 2014-01-07 | Nanosolar, Inc. | High-throughput printing of semiconductor precursor layer from chalcogenide microflake particles |
US8309163B2 (en) * | 2004-02-19 | 2012-11-13 | Nanosolar, Inc. | High-throughput printing of semiconductor precursor layer by use of chalcogen-containing vapor and inter-metallic material |
US20060060237A1 (en) * | 2004-09-18 | 2006-03-23 | Nanosolar, Inc. | Formation of solar cells on foil substrates |
US7306823B2 (en) * | 2004-09-18 | 2007-12-11 | Nanosolar, Inc. | Coated nanoparticles and quantum dots for solution-based fabrication of photovoltaic cells |
US7604843B1 (en) | 2005-03-16 | 2009-10-20 | Nanosolar, Inc. | Metallic dispersion |
US8846141B1 (en) | 2004-02-19 | 2014-09-30 | Aeris Capital Sustainable Ip Ltd. | High-throughput printing of semiconductor precursor layer from microflake particles |
US7732229B2 (en) * | 2004-09-18 | 2010-06-08 | Nanosolar, Inc. | Formation of solar cells with conductive barrier layers and foil substrates |
US8541048B1 (en) | 2004-09-18 | 2013-09-24 | Nanosolar, Inc. | Formation of photovoltaic absorber layers on foil substrates |
US7838868B2 (en) * | 2005-01-20 | 2010-11-23 | Nanosolar, Inc. | Optoelectronic architecture having compound conducting substrate |
US20090032108A1 (en) * | 2007-03-30 | 2009-02-05 | Craig Leidholm | Formation of photovoltaic absorber layers on foil substrates |
US8927315B1 (en) | 2005-01-20 | 2015-01-06 | Aeris Capital Sustainable Ip Ltd. | High-throughput assembly of series interconnected solar cells |
US8361019B2 (en) | 2006-05-15 | 2013-01-29 | Hillios Christopher H | Injection aid and stability disk for syringe or insulin pen |
KR20090131841A (ko) * | 2008-06-19 | 2009-12-30 | 삼성전자주식회사 | 광전 소자 |
FR2943805A1 (fr) * | 2009-03-31 | 2010-10-01 | Da Fact | Interface homme-machine. |
US8247243B2 (en) * | 2009-05-22 | 2012-08-21 | Nanosolar, Inc. | Solar cell interconnection |
US20100307567A1 (en) * | 2009-06-05 | 2010-12-09 | Huang Min-Hsun | Variant packaging structure for a solar module |
CN114700697B (zh) * | 2022-04-21 | 2023-07-07 | 重庆三航新材料技术研究院有限公司 | 一种TiAl系层状复合板材制备方法 |
Family Cites Families (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3188476A (en) * | 1965-06-08 | Karmiggelt etal photo-electric cell | ||
US3258601A (en) * | 1966-06-28 | Photosensitive variable resistance device | ||
US1514123A (en) * | 1922-04-26 | 1924-11-04 | Vytold A Bacevicz | Amplifier |
NL40172C (de) * | 1933-09-25 | |||
US2196830A (en) * | 1937-05-29 | 1940-04-09 | Gen Electric | Photoelectric cell |
US2776357A (en) * | 1955-04-04 | 1957-01-01 | Gen Electric | Photosensitive layer cell |
DE1054371B (de) * | 1955-05-31 | 1959-04-02 | Frame Sa | Spundlochfassung |
US3169892A (en) * | 1959-04-08 | 1965-02-16 | Jerome H Lemelson | Method of making a multi-layer electrical circuit |
NL236209A (de) * | 1958-02-17 | |||
GB914860A (en) * | 1960-02-26 | 1963-01-09 | Ass Elect Ind | Improvements relating to variable electrical impedances |
US3202591A (en) * | 1961-11-24 | 1965-08-24 | Electralab Printed Electronics | Method of making an electric circuit structure |
US3074546A (en) * | 1962-06-14 | 1963-01-22 | Morningstar Corp | Reel case |
GB1015677A (en) * | 1962-10-01 | 1966-01-05 | Ass Elect Ind | Improvements relating to fastening devices for location in a plate aperture |
US3246274A (en) * | 1963-10-02 | 1966-04-12 | Sylvania Electric Prod | Photoconductive device and fabrication process |
US3317653A (en) * | 1965-05-07 | 1967-05-02 | Cts Corp | Electrical component and method of making the same |
US3315111A (en) * | 1966-06-09 | 1967-04-18 | Gen Electric | Flexible electroluminescent device and light transmissive electrically conductive electrode material therefor |
-
1966
- 1966-04-21 US US544193A patent/US3449705A/en not_active Expired - Lifetime
-
1967
- 1967-03-08 GB GB10912/67A patent/GB1116676A/en not_active Expired
- 1967-04-18 CH CH560467A patent/CH465079A/fr unknown
- 1967-04-19 BE BE697209D patent/BE697209A/xx unknown
- 1967-04-19 SE SE05463/67A patent/SE332464B/xx unknown
- 1967-04-20 DE DE1967N0030383 patent/DE1614238B1/de not_active Withdrawn
- 1967-04-21 NL NL6705667.A patent/NL160117C/xx active
- 1967-04-21 NL NL6705687A patent/NL6705687A/xx unknown
- 1967-04-28 AT AT402967A patent/AT278636B/de not_active IP Right Cessation
- 1967-04-29 DE DEM73788A patent/DE1300058B/de active Pending
- 1967-05-01 GB GB20141/67A patent/GB1187844A/en not_active Expired
-
1968
- 1968-08-20 US US812479*A patent/US3539816A/en not_active Expired - Lifetime
- 1968-08-20 US US812477*A patent/US3586541A/en not_active Expired - Lifetime
Non-Patent Citations (1)
Title |
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US3539816A (en) | 1970-11-10 |
US3586541A (en) | 1971-06-22 |
AT278636B (de) | 1970-02-10 |
DE1300058B (de) | 1969-07-24 |
NL160117C (nl) | 1979-09-17 |
GB1187844A (en) | 1970-04-15 |
GB1116676A (en) | 1968-06-12 |
SE332464B (de) | 1971-02-08 |
NL6705667A (de) | 1967-10-23 |
NL6705687A (de) | 1967-11-03 |
BE697209A (de) | 1967-10-02 |
CH465079A (fr) | 1968-11-15 |
US3449705A (en) | 1969-06-10 |
NL160117B (nl) | 1979-04-17 |
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