DE1602001A1

DE1602001A1 - Anreissverfahren zum Teilen eines Halbleiterplaettchens in Pillen

Info

Publication number: DE1602001A1
Application number: DE19661602001
Authority: DE
Inventors: Takayuki Yanagawa
Original assignee: Nippon Electric Co Ltd
Current assignee: NEC Corp
Priority date: 1965-04-30
Filing date: 1966-04-26
Publication date: 1970-04-09
Also published as: DE1602001C3; DE1602001B2; US3392440A

Description

Anmelderin;

Nippon Electric Company Ltd.

7-15* 5-chome, Shiba, Minato-ku

Tokio/Japan

Stuttgart, den 22. April I966

p 1810 51/52

Vertreter:

Patentanwalt Dipl.-Ing. Max Bunke 7OOO Stuttgart 1 Schloßstraße 73 B

Anreißverfahren zum Teilen eines Halbleiterplättchens in Pillen

Die Erfindung betrifft ein Anreißverfahren zum Teilen eines Halbleiterplättchens in Pillen.

Solche Anreißverfahren dienen zur Vorbereitung der Teilung großer Plättchen in kleinere Plättchen einer gewünschten Umrißform oder zum Teilen in i-iürfelförmige Halbleiterpillen.

Bei der Herstellung von Mesa- oder Planartransistoren findet eine serienweise Herstellung Anwendung, wobei gleichseitig innerhalb

/0234

eines Halbleiterplättchens eine Vielzahl einzelner Halbleiterbaugruppen gleicher Form unter Verwendung der Störstellendiffusionstechnik gebildet werden. Diese jeweils eine Vielzahl von Halbleiterbaugruppen umfassenden Halbleiterplättchen werden nacheinander geschnitten, im allgemeinen als Anreißen bezeichnet, und dann in einzelne Halbleiterpillen gebrochen. Das Anreißen erfolgt in zwei Gruppen paralleler Linien, die normalerweise im Randbereich der vorzugsweise kleinen, festgelegten, homogenen Baugruppen senkrecht zueinander verlaufen. Während des Anreißens wird eine Kraft bestimmter Größe auf den Anreißkopf ausgeübt, dessen Härte größer als die des Halbleiterstoffes ist und der bspw. als konischer Diamant mit einem Krümmungsradius von etwa 1Oy** ausgebildet ist. Hernach wird in Bezug auf jede geschwächte Anreißlinie eine Brechkraft angewandt, bspw. durch Krümmen des Plättchens um diese Linie, so daß sich längs dieser Linien als Vorbereitung für das endgültige Abbrechen eine Spaltung ausbildet. Somit erfolgt das Anreißen nach Art eines Glasschneiders. Wenn, wie bei der Herstellung von Planartransistoren, auf der Plättchenoberfläche zumindest der Anreißbereich mit einer Schutzschicht, bspw. einer Siliziumdioxydschicht bedeckt ist, deren Härte größer als die des Halbleiterstoffes ist, muß offensichtlich die Härte des Anreißkopfes größer als die der Schutzschicht sein. Deshalb hat man in vielen Fällen die Schutzschicht innerhalb des Anreißbereichs entfernt. Jedoch unabhängig davon, ob die Schutzschicht oder die Halbleiterfläche unmittelbar angerissen wird, ist das herkömmliche Anreißverfahren nicht frei von verschiedenen, im folgenden erläuterten Nachteilen.

Der anfänglich halbkugelförmige oder konische Anreißkopf nutzt sich oder bricht leicht ab, so daß er eine abgeflachte oder sehr spitz zulaufende Form nach dem Anreißen von bspw. zehn oder mehr Siliziumplättchen erhält. Da der Optimalwert der statischen Belastung des Anreißkopfes von vielen Faktoren abhängt, bspw. Art oder Dicke des Halbleiterplättchens, Härte des Anreißkopfes und Krümmungsradius des letzteren, kann dieser Optimalwert nur durch Versuche ermittelt werden. Unter idealen Verhältnissen, wo der Anreißkopf eine optimale Form hat, wo die statische Belastung auf den Bestwert eingestellt ist und wo die Sjhreibkopfachse unter einem Winkel von 70° bis 8o° gegenüber der Plättchenoberfläche geneigt ist, kann man eine gj eichi.;äßige, homogene und feine Linie auf der Plättchenoberfläche anreißen., ohne daß ein Verlust durch Abbröckeln auftritt. Wenn jedoch αlese idealen Verhält-

00981S/0234

nisse nicht mehr erfüllt sind oder das Plättchen eine rauhe oder unregelmäßige Oberfläche besitzt, bilden sich gerne unmittelbar nach dem Anreißen quer zur Anreißlinie Haarrisse aus, die zum Ausbrechen bzw. Abspalten der Oberflächenschicht in Pulver- oder Flockenform führen. Versuche zeigen, daß der Anreißkopf auf und ab zu schwingen beginnt, sobald einmal solche Haarrisse längs der Anreißlinie aufgetreten sind, was zur Bildung weiterer schädlicher Haarrisse führt. Als weiterer Nachteil des herkömmlichen Anreißverfahre.ns ist die Ausbildung von Anreißschäden infolge der hohen Brüchigkeit des Halbleiterstoffes anzusehen. Eine strenge Gütekontrolle der gleichmäßigen Form des Anreißkopfes und eine sorgfältige Einstellung der statischen Belastung desselben wurden zur Ausschaltung der genannten Nachteile eingeführt. Trotz großer Bemühungen zur Ausschaltung dieser Nachteile zeigte es sich, daß die Ausschaltung dieser Nachteile bei dem bekannten Anreißverfahren aus folgenden Gründen unmöglich war: die genaue Einhaltung derselben geometrischen Form für eine Gruppe von Anreißköpfen ist gänzlich unmöglich; der Anreißkopf verformt sich im Laufe des Gebrauchs; die optimale statische Belastung für den Anreißkopf kann nicht theoretisch vor dem Anreißen festgelegt werden, d. h. sie muß an Hand von Versuchen ermittelt werden und schwankt stark in Abhängigkeit von der Form., eier Dicke sowie anderen Bestimmungsgrößen des anzureißenden Plättchens» Wenn das Plättchen unregelmäßig gestaltet war, erwies es sich in der Praxis als unmöglich, Anreißschäden auszuschalten. Wenn aktive Zonen der Halbleiterbaugruppen bspw. pn-Übergänge in solche beschädigten Bereiche zu liegen kommen, ist selbstverständlich die Brauchbarkeit dieser Halbleiterbaugruppen nach dem Ausbrechen aus dem Plättchen sehr stark herabgesetzt oder zerstört. Mit anderen Worten^ bestimmt die Maximalbreite des geschädigten Bereichs der Halbleiterplättchenoberfläche den zulässigen Minimalabstand zwischen benachbarten Halbleiterbaugruppen innerhalb des Plättchens oden anders ausgedrückt, die maximale Anzahl von Baugruppen, die aus einem Plättchen gewonnen werden können. Auch wenn das Auftreten mehr oder weniger geschädigter Bereiche zulässig ist, so ist man doch bestrebt, die Länge der Haarrisse möglichst gering zu halten.

Aufgabe der Erfindung ist somit die Ausarbeitung eines neuen und verbesserten Anreißverfahrens zum Teilen eines Halbleiterplättchens, bei dem das Auftreten von Haarrissen verhindert bzw. die Größe etwa doch

009815/0234

BAD

auftretender Risse in solchen Fällen, wo die genannten idealen Verhältnisse nicht eingehalten oder die Gestalt des Plättchens uneben · oder· unregelmäßig sind, so klein als möglich gehalten wird.

In weiterer Zielsetzung soll das erfindungsgemäße Verfahren für das Anreißen am besten geeignet sein, d. h. der Anreißbereich auf der Plättchenoberfläche soll sich leicht ausmachen lassen, so daß dieses Verfahren für die Serienproduktion anwendbar ist.

Dieses wird nach der Erfindung dadurch erreicht, daß auf einer Fläche des Halbleiterplattchens mindestens ein Bereich, in dem das Anreißen erfolgen soll, mit einem Überzugsstoff abgedeckt wird, dessen Härte geringer und dessen Viskosität größer als die entsprechenden Größen des Halbleiterstoffes sind, wobei der Überzugsstoff in Form eines dünnen Films unmittelbar auf dem Halbleiterstoff aufliegt, und daß das Anreißen des Halbleiterplattchens durch den Überzugsstoff hindurch erfolgt.

Nach der vorigen Festlegung ist die Härte des Überzugsstoffes geringer als die des Halbleiterstoffes, einer etwaigen Schutzschicht sowie des Anreißkopfes. Die Viskosität muß größer als die des Halbleiterstoffes sowie der Schutzschicht sein, doch andererseits nicht so groß, daß der Überzugsstoff durch den sich bewegenden Anreißkopf mitgenommen oder in anwachsender Menge gesammelt wird. Neben anderen Anforderungen muß der Überzugsstoff nach dem Anreißvorgang zumindest soweit leicht entfernbar sein, daß die Wirksamkeit jeder Pille nicht merklich beeinträchtigt wird und daß die optimale Wirksamkeit jeder Pille nach Entfernung des Überzugsstoffes von der Pillenoberfläche erhalten bleibt.

Die Erfinder führten ausgedehnte Versuche mit verschiedenen Überzugsstoffen durch, die die genannten Bedingungen erfüllen. Im Ergebnis bestätigte sich, wie noch unten erläutert wird, daß man im Vergleich zu dem herkömmlichen Anreißverfahren einen reibungslosen Anreißvorgang durchführen und die Anreißschäden außerordentlich gering halten kann. Dieses vorteilhafte Ergebnis läßt sich auf folgende Ursachen zurückführen: Jeder dieser Überzugsstoffe dient als Schmiermittel bei der Bewegung des Anreißkopfes. Weiterhin dient der Überzug als Stoßabsorber für statische Spitzenbelastungen, die auf den Anreißkopf einwirken körinen/ oder für übergroße vertikale Bewegungen des Anreißkopfes, die

009815/0234

jeweils zu Haarrissen führen können. Ferner verhindert der Überzug eine Ausbreitung einmal gebildeter Haarrisse, da die Viskosität des Überzugsstoffes die Erweiterung der vorhandenen Haarrisse weitgehend eindämmt. Nach den durchgeführten Versuchen erweisen sich verschiedene Wachse sowie Metalle, bspw. Gold oder Aluminium, als zureichend für die Verwendung als Überzugsstoffe, doch sind die verwendbaren Überzugsstoffe keinesfalls auf diese Stoffe beschränkt. Alle anderen Stoffe sind als Uberzugsstoffe geeignet, wenn sie einen vorteilhaften Abdeckeffekt für den Anreißvorgang zeigen.

Zum besseren Verständnis der Ziele und Merkmale der Erfindung sollen nunmehr die Grundgedanken der Erfindung an Hand von zwei Ausführungsbeispielen erläutert werden.

Im Rahmen einer ersten Ausführungsform der Erfindung sind verschiedene Wachse als Überzugsstoffe benutzt. Allgemein gesagt soll ein geeignetes Wachs in einem flüchtigen Lösungsmittel löslich sein. Zu den diese Forderung erfüllenden Wachsen gehören das unter dem Handelsnamen "Apiezon Wax" (Associated Electrical Industries, England) bekannte Wachs, das in Trichloräthylen vollständig löslich ist, und das unter dem Handelsnamen "Electron Wax" bekannte Wachs (Mune Electronic Industries, Japan), das in Äthylalkohol sowie in Trichloräthylen vollständig löslich ist. Im Rahmen der ersten, Ausführungsform der Erfindung wird zunächst eine Lösung aus pastenförmigem Apiezon-Wachs und Trichloräthylen im Verhältnis von 1 g auf 20 cnr zubereitet. Ein anzureißendes Halbleiterplättchen wird völlig in die Lösung eingetaucht und dann gleich herausgenommen. Dann wird das Plättchen auf einer Grundplatte (vorzugsweise aus nachgiebigem Stoff) mit der An^ reißoberflache nach oben ausgerichtet. Beim Stehen in Luft verdampft das Trichloräthylen und das Plättchen wird mit einem gleichmäßigen etwa *iyu, dicken Wachsüberzug bedeckt und verbindet sich gleichzeitig unter dem Einfluß des Wachses fest mit der Grundplatte. Nach Anreißen der Plättchenoberfläche in an sich bekannter Weise wird das angerissene Plättchen in einzelne Baugruppen zerbrochen, indem man bspw. die Grundplatte aufbiegt. Das Plättchen ifird dann in Trichloräthylen eingetaucht, um das Wachs vollständig von den Halbleiterbaugruppen zu entfernen. Die Halbleiterpillen werden dann durch Abbrechen und Ablösen der Grundplatte würfelförmig bearbeitet und sammeln sich am Boüen des Behälters. Es zeigte sich, daß die beschädigten Oberfläohen-

•3 ij-9 8 1 5 / 0 21 k BAD o

•bereiche des Plättchens, das nach diesem Verfahren angerissen ist, sehr klein sind und daß die Pillenausbeute wesentlich erhöht wurde. Es zeigt sich, daß die Dicke des Wachsüberzugs, die zwar beliebig sein kann, vorzugsweise geringer als 1Ox* sein soll, damit die Plättchenoberfläche deutlich sichtbar bleibt und der Anreißbereich leicht erkannt werden kann. Es spricht nichts dagegen, den Wachsüberzug nur auf einer Oberfläche des Plättchens vorzusehen, doch das gleichzeitige Überziehen gegenüberliegender Oberflächen hat sich als vorteilhaft erwiesen/ da das Wachs als Bindemittel gegenüber der Grundplatte dienen kann. Das Verfahren zum Bedecken eines Plättchens mit einem Wachsüberzug ist nicht auf das Tauchverfahren beschränkt; vielmehr ist jeder andere Verfahrensweg, bspw. ein Sprühverfahren, anwendbar. Pur die beschriebene Ausführungsform war angenommen, daß auf der Plättchenoberfläche keine Schutzschicht vorhanden ist, doch lassen sich nach diesem Verfahren gleichwertige Ergebnisse erzielen, auch wenn eine Schutzschicht vorhanden ist.

Die Bedeckung des Anreißbereichs (eines gitterförmigen Bereichs aus zwei Gruppen kreuzweise zueinander unter einem gegebenen Winkel verlaufender paralleler Anreißlinien und der jeweiligen Nachbargebiete) oder die Bedeckung der gesamten Plättchenoberfläche mit einem Metallüberzug hat sich ebenfalls als brauchbar erwiesen,

Ein Metallüberzug kann auf die anzureißende Plättchenoberfläche in an sich bekannter Weise, bspw. durch Vakuumbedampfung, Aufsprühen oder Plattierung mittels einer Schablone aufgebracht werden, worauf das Anreißen der Metallfläche erfolgt. Der Metallüberzug bedeckt normalerweise nur den Anreißbereich und reicht nicht über die Gesamtoberfläche. Der Metallüberzug kann sich unmittelbar auf dem Halbleiterstoff oder auf der Schutzschicht befinden. Wenn der Metallüberzug von der Plättchenoberfläche entfernt werden muß, kann dies nach jedem an sich bekannten Verfahren, bspw. durch chemisches Ätzen oder elektrolytisches Ätzen erfolgen. Es kann jedes Metall als Oberzugsstoff benutzt werden, das nur eine geringe Härte und eine hohe Viskosität hat, bspw. Gold oder Aluminium. Die Bildung des Anreißmetallüaerzugs auf dem Anreißbereich gleichzeitig mit der Metallisierung der jewail: gen Baugruppenelektroden unter Verwendung eines einzigen Metalls ergibt ein wirt-

00 38 15/02 34

schaftliches Verfahren. Eine zweite Ausführungsform des erfindungsgemäßen Verfahrens soll nunmehr unter Bezugnahme auf die anliegenden .Zeichnungen erläutert werden. Es stellen dar:

Fig. 1 ein Halbleiterplättchen mit einer großen Zahl von Planartransistoren im Grundriß,

Fig. 2 einen vergrößerten Ausschnitt des Teils A in Fig, I und Fig. 3 einen Schnitt nach der Linie B - B^! in Fig. 2.

Fig. 1 zeigt ein kreisförmiges Siliziumplättchen 3 mit einem Durchmesser von etwa 25 mm und einer Dicke von etwa 0,2 mm, in dessen innerer Zone 1 eine große Anzahl einander ähnlicher Planartransistoren nach einem Muster angeordnet sind. Das die Quadrate bildende Maschennetzwerk entspricht dem genannten Anreißbereich. Der Anreißbereich ist mit einem Metallüberzug 4 in geeigneter Weise überzogen, bspw.' nach einem bekannten Schablonenverfahren oder einem Photoüberzugsverfahren. Von den vielen Siliziumtransistoren der inneren Zone 1 sind die meisten der Einfachheit halber weggelassen, und die gestrichelte Linie bezeichnet die äußere Berandung der Anordnung. Der Aufbau jeder Planartransistorpille, der schematisch in dem Grundriß der Fig. 2 und dem Schnitt der FIg. 3 eu erkennen ist, kann durch die folgenden Verfahrensstufen a) bis äj erhalten werden:

a) Zunächst werden einander gegenüberliegende Oberflächen des Silizium plättchens, in dem nach einem Diffusionsverfahren eine Kollektorzone eine Basiszone 6 und eine Emitterzone 7 gebildet sind, mit einer Siliziumdioxydschicht 11 bedeckt.

b) Die Siliziumdioxydschicht 11 wird in den Bereichen 8, 9 und 10, wo die Kollektor-, Basis- und Emitterelektroden aufgebracht werden sollen, sowie in dem Anreißbereich in an sich bekannter Weise entfernt.

c) Die gesamte kopfseitige Oberfläche des Plättchens 3 wird mit Aluminium in einer Dicke von lyi*· durch Vakuumbedampfung überzogen.

d) Das bekannte Photoschablonen- bzw. Photoätzverfahren unter Verwendung einer Glasschablone wird sodann auf das aluminiumbezogene Platt- «o chen angewandt. Auf dem Aluminiumüberzug bleiben photosensitive Schich

1» ten aus organischen Verbindungen in den Bereichen entsprechend der

' ί^ Basis- und Emitterelektroden sowie der Anreißbereiche zurück. Dann' . ° · wird durch Tauchen des aluminiumbezogenen Plättchens in eine 10-proco zentige Natriumhydroxydlösung der freiliegende Aluminiumbezug weggeätzt. Damit erhält man ein Siliziumplättchen, das schematisch im Querschnitt nach Fig. 3 dargestellt ist. Somit können Basiselektrode 12,

BAD ORiQiNAl.

Emitterelektrode 13 und Anreißbereich 4 gleichzeitig in Form eines etwa 1 λ*' dicken Aluminiumüberzuges gebildet werden, worauf die auf den Elektroden und dem Anreißbereich verbliebene photosensitive organische Verbindung in entsprechender Weise entfernt wird. Der Anreißbereich 4 wird sodann mittels des Anreißkopfes angerissen. Das Plättchen wird zerbrochen und in die einzelnen Pillen geteilt. Der auf den Pillen verbleibende Aluminiumbezug braucht nicht entfernt zu werden.

Übrigens gibt es keinen Vorbehalt gegen eine Beschichtung des Anreißbereichs mit einem Aluminiumüberzug 4, ohne daß die den Anreißbereich bedeckende Siliziumdioxydschicht entfernt wird. Das Verfahren zum Aufbringen des Anreißüberzuges 4 ist nicht auf die Anwendungen dieser Ausführungsform beschränkt; es ist auch bspw. eine Aluminiumbedampfung des Anreißbereiches mittels einer Metallschablone möglich.

Die zweite Ausführungsform der Erfindung zeichnet sich durch ein leichtes Anreißen und durch die Möglichkeit aus, in dem Plättchen infolge des Anreißens auftretende Haarrisse zu unterdrücken. Ein weiterer Vorteil dieser Ausführungsform liegt darin, daß die Bildung des Anreißüberzuges keine Änderung des gesamten Fertigungsablaufs erforderlich macht. Wenn bspw. eine Schablone benutzt wird, benötigt man lediglich zusätzliche Ausschnitte der Elektrodenschablone für die Bildung des Aluminiumüberzuges 4. Ein weiterer Vorteil dieser Ausführungsform liegt darin, daß der auf den Pillen zurückbleibende Aluminiumüberzug nicht entfernt werden muß. Somit tritt keine Steigerung des Herstellun^aufwands trotz der erzielten Vorteile ein.

Ein weiterer Vorteil dieses Verfahrens liegt in der Schnelligkeit, mit der das Anreißen erfolgen kann, da man den Anreißbereich durch den vorhandenen Metallüberzug leicht unterscheiden kann, ohne daß die Bestrahlungsrichtung überwacht werden muß, wie dies im Rahmen des herkömmlichen Anreißverfahrens erforderlich ist. Da die Oberfläche eines nach der Serientechnik hergestellten Planartransistorplattchens einen spiegelartigen Glanz zeigt, ist es schwierig, unter dem Mikroskop den Anreißbereich auf dem Plättchen zu erfassen, wenn die Einfallsrichtung ,des Beleuchtungslichtbündels nicht entsprechend eingestellt ist. Infolge des vorhandenen Aluminiumüberzuges kann dieser Bereich jedoch leicht unterschieden werden, ohne daß es auf die Bestrahlunga.--rJ?ichtung ankommt, da die Unregelmäßigkeiten der Oberfläche des Aluminium-

009815/0 234

Überzugs das Licht in alle Richtungen reflektieren. Offenbar trägt dieses Merkmal sehr dazu bei, Fehler beim Anreißen auszuschließen und die Ausbeute an Halbleiterbaugruppen zu verbessern.

Ein weiterer durch diese Ausführungsform bewirkter Vorteil liegt in folgendem; Normalerweise werden das Photoschablonenverfahren unter Verwendung einer photosensitiven organischen Verbindung und das elektrolytische Ätzverfahren gemeinsam bei Formierung der Metallschichtelektroden der gewünschten Ausdehnung auf den Halbleiterpillen angewandt. Dieses herkömmliche Verfahren setzt sich im einzelnen aus den Stufen der Beschichtung der· gesamten Halbleiterplättchenoberfläche mit einer Metallschicht nach einem bekannten Verfahren, bspw. der Vakuumbedampfung, der Bedeckung der Metallschicht entsprechend der vorgesehenen Elektrodenform mit einer photosensitiven organischen Verbindung, dem Kontaktieren einer Elektrode auf dem freiliegenden Metallschichtbereich und dem Eintauchen des Plättchens in ein Elektrolysebad zwecks elektrolytischer Ätzung durch Anlegen einer Spannung zwischen der betreffenden Elektrode als Kathode und der anderen in den Elektrolyten eingetauchten Elektrode, damit der unbedeckte Bereich der Metallschicht abgebaut wird und die bedeckte Metallschicht in der vorgesehenen Form zurückbleibt. Nach diesem Verfahren wird die Metallschicht als eine Elektrode nach und nach weggeätzt. Damit wird der Fortgang der Elektrolyse notwendigerweise ungleichförmig. Sollte sich ein Metallschichtteil aus irgendeinem Grund von der Elektrode abtrennen, so wird derselbe nicht abgebaut. Im Gegensatz dazu/Liegt ein Merkmal der Erfindung in dem Vorhandensein eines netzwerkartigen Metallüberzugs mit einer darauf befindlichen photosensitiven organischen Verbindung, welche sich im Randbereich jeder einzelnen Halbleiterbaugruppe befindet. Deshalb erfolgt die Elektrolyse gleichmäßig, ohne daß möglicherweise abgetrennte Metallüberzugsbereiche zurückbleiben können.

Durch Anwendung irgendeines Verfahrensganges, der in Verbindung mit den beiden Ausführungsformen der Erfindung beschrieben ist, kann man die Anreißschäden vermindern, auch wenn die Form des Anreißkopfes nicht dem Idealzustand entspricht, die statische Belastung des Anreißkopfes von dem Optimalwert abweicht oder das Plättchen unregelmäßig oder ungleichmäßig geformt ist. Da zwei benachbarte Halbleiterbaugruppen auf dem Plättchen infolge der Verminderung der Anreißschäden nahe genug nebeneinander gelegt werden können, kann der Halbleiter-

009815/0 234

ertrag je Plättchen durch das erfindungsgemäße Verfahren merklich gesteigert werden. Die Herstellungskosten von Halbleiterbaugruppen nach der Serientechnik sind pro Plättchen kalkuliert. Demzufolge tritt durch die Steigerung des Ertrages pro Plättchen eine Senkung der Herstellungskosten für die einzelne Halbleiterbaugruppe ein.

Wenn auch im Rahmen der zweiten Ausführungsform der Erfindung die Herstellung von Planartransistoren beschrieben ist, ist das erfindungsgemäße Anreißverfahren nicht auf diese Ausführungsbeispiele beschränkt; es ist in' gleicher Weise auf die Herstellung von Halbleiterbauelementen im allgemeinen, bspw. Dioden oder Mesatransistoren oder einer Halbleiterbaugruppe nach der Mikrotechnik anwendbar. Die obige Beschreibung erläutert das Verfahren nach der Erfindung an Hand der Serientechnik, doch ist das Anreißverfahren nach der Erfindung bei allen Arten von Anreißvorgängen an Halbleiterplättchen anwendbar, bspw. unbehandelten oder rohen Plättchen, die bpsw. in kleinere Plättchen bestimmter Form geteilt werden sollen.

009815/0234

Claims

Patentansprüche

Anreißverfahren zum Teilen eines Halbleiterplättchens in Pillen, "dadurch gekennzeichnet, daß auf einer Fläche des Halbleiterplättchens mindestens ein Bereich, in dem das Anreißen erfolgen soll, mit einem Überzugsstoff abgedeckt wird, dessen Härte geringer und dessen Vis~ kosität größer als die entsprechenden Größen des Halbleiterstoffes sind, wobei der Überzugsstoff in Form eines dünnen Films unmittelbar auf dem Halbleiterstoff aufliegt, und daß das Anreißen des Halbleiterplättchens durch den Überzugsstoff hindurch erfolgt.
2) Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Überzugsstoff auf einer den Halbleiterstoff bedeckenden Schutzschicht aufliegt.
3) Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, gekennzeichnet durch ein Wachs als Überzugsstoff.
k) Verfahren nach Anspruch J>_s dadurch gekennzeichnet, daß das HaIbleiterplättchen in eine Wachslösung eingetaucht, daß hernach das Lösungsmittel verdunstet wird und daß schließlich nach dem Anreißen und Teilen eine Reinigung der Pillen in dem Lösungsmittel erfolgt.
5) Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, gekennzeichnet durch ein weiches Metall als Überzugsstoff.
6) Verfahren nach Anspruch 5* gekennzeichnet durch Gold oder Aluminium als Überzugsstoff.«
7) Verfallren nach Anspruch 5 oder 6, dadurch gekennzeichnet, daß die gesamte Fläche des Plättchens bzw. der dasselbe bedeckenden Schutzschicht mit dem Metallüberzug bezogen wird und daß der Metallüberzug mit Ausnahme der die Anreißlinien enthaltenden Flächenbereiche sowie gegebenenfalls weiterer Flächenbereiche abgeätzt wird, worauf das Anreißen erfolgt.

09 815/0234

Leerseite