DE1574757C - Speichervorrichtung mit einem magne tischen Dünnschicht Speicherelement - Google Patents

Description

Die Erfindung betrifft eine Speichervorrichtung mit einem magnetischen Dünnschicht-Speicherelement mit einer Achse leichter Magnetisierbarkeit (leichte Achse), mit einem Magnetfeldgenerator zur Erzeugung eines Schreibfeldes parallel zur leichten Achse und mit einem Magnetfeldgenerator zur Erzeugung eines Lesefeldes, das nur in einem abgegrenzten Bereich des Speicherelements wirksam und senkrecht zur leichten Achse ausgerichtet ist.

Dünnschicht-Speicherelemente dieser Art sind in »Instruments & Control Systems«, März 1961, S. 451 bis 454 sowie in »electronics«, 17. Februar 1961, S. 126 bis 129, beschrieben. Diese Dünnschicht-Speicherelemente_;nutzen die Drehung von Domänenbereichen aus. Solche, .Drehprozesse in Dünnschicht-Speicherelementen "'sind auch in »Elektronische Rechenanlagen«, 1961, S. 167 bis 175, beschrieben.

Die Anwendung dieser Technik ermöglicht zwar ein mehrfaches 'Auslesen·'der Information, doch ist das Abfragen eines Domänenbereichs nicht ganz ohne Einfluß auf die benachbarten Domänenbereiche, so daß nach mehrfachem Auslesen die gespeicherte Information allmählich verschwindet. Außerdem kommt es auf eine sehr genaue Ausrichtung der im Betrieb angewandten Magnetfelder auf die einzelnen Domänen an, damit nicht unerwünschte Störungen auftreten.

Aufgabe der Erfindung ist eine solche Ausbildung eines Dünnschicht-Speichers der genannten Art, daß derselbe gegenüber Größe und Ausrichtung der im Betrieb angewandten Magnetfelder weniger kritisch ist.

Diese Aufgabe wird nach der Erfindung dadurch gelöst, daß der abgegrenzte Bereich, der von dem übrigen Teil des: Speicherelements verschieden, ist, jedoch unmittelbar an denselben anschließt, einen kleineren Wert der Anisotropiefeldstärke als der übrige Teil, jedoch eine gleiche Ausrichtung der leichten Achse aufweist.

Dadurch, daß ein abgegrenzter Bereich eine geringere Anisotropiefeldstärke wie der übrige Teil des Speicherelements hat, kann man die Feldstärke des Lesefeldes so wählen, daß hierdurch nur der abgegrenzte Bereich beeinflußt wird. Infolgedessen wird der übrige Bereich des Dünnschicht-Speicherelements nicht gestört, auch wenn die Lage des Lese-, leiters geringfügig schwankt. Eine Beeinflussung des übrigen Teils des Speicherelements durch das Lesefeld ist nicht möglich, so daß die gespeicherte Information innerhalb des abgegrenzten Bereichs in vollem Umfang erhalten bleibt.

Wenn das Dünnschicht-Speicherelement ursprünglich vollständig in ein und denselben Zustand magnetisiert ist, verhält es sich im wesentlichen wie eine einzige große magnetische Domäne. Diese Domäne bleibt so lange stabil, wie kein äußeres Feld zur Anwendung kommt. Die Einwirkung eines Feldes quer zur leichten Achse mit einer Feldstärke, die ungefähr gleich H_Kl ist, veranlaßt die magnetischen Dipole des abgegrenzten Bereichs, sich in die Querrichtung (schwere Achse) zu drehen. Wird dieses Querfeld entfernt, so bleiben die Dipole in einer unstabilen Stellung zurück. Das Entmagnetisierungsfeld der benachbarten Domäneil·aus H_Ko -Material veranlaßt die Dipole, sich in den entgegengesetzten Zustand zu drehen. Dadurch wird innerhalb der ursprünglich einheitlichen Domäne eine stabile Domäne von entgegengesetztem Zustand durch das Einwirkenlassen und Wiederentfernen des Querfeldes gebildet. Dabei

V ist zu . bemerken, daß die Fläche .".'dieser stabilen Domäne im wesentlichen dem abgegrenzten Bereich entspricht. Wiederholtes Einwirkenlassen und Wiederentfernen des Querfeldes beim Lesen der in dem magnetischen Element gespeicherten Informationen kann die Magnetisierung dieser neu gebildeten Domäne nicht ändern.

Die anisotropischen Eigenschaften dünner magne-

tischer Filme halten den Magnetisierungsvektor M parallel zu der bevorzugten Magnetisierungsrichtung. Diese Stellung entspricht dem Zustand mit, der geringsten anisotropischen Energie und dem Größtwert der anisotropischen Feldstärke. Wenn der Vektor M um 90° gedreht wird, durchwandert er ein Gradientenfeld, in dem die anisotropische Energie bis zu ihrem Größtwert zunimmt und die anisotropische Feldstärke bis zum Wert Null abnimmt.

Von den Dipolen innerhalb einer Domäne geht ein Entmagnetisierungsfeld aus. Das Entmagnetisierungsfeld hängt an jedem Punkt der Oberfläche eines dünnen Filmes von der Domänen-Verteilung um diesen Punkt herum ab. Für gewöhnlich wird angenommen, daß das Entmagnetisierungsfeld parallel zu der bevorzugten Richtung in der Ebene des Filmes wirkt, wenn alle Dipole parallel oder antiparallel zu der bevorzugten Richtung liegen. Die Größe des Entmagnetisierungsfeldes hängt von der Fläche der Domäne und dem magnetischen Widerstand des Pfades zwischen den Polen ab. Experimente haben gezeigt, daß das Entmagnetisierungsfeld einer großen einzelnen Domäne eine Kraft ausüben kann, welche groß genug ist, um 0,762 mm weit entfernte Dipole abzulenken. Diese Eigenschaft des Entmagnetisie- -35 rungsfeldes stellt die Grundlage für den zerstörungsfreien Lesevorgang dar.

Für eine Drehung des Vektors M in die 90°-Stell'ung ist es nötig, daß ein äußeres Feld auf dem magnetischen Film einwirkt. Dieses Querfeld wirkt in Richtung der schweren Achse. Als Vormagnetisierungsfeld muß das Querfeld größer als H_K2 sein. Wenn das Querfeld auf einen kleinen Bereich des Films begrenzt ist, drehen sich die Dipole in diesem Bereich in die schwere Richtung und bilden dabei einen 90°-Wall. Dies entspricht jedoch nur teilweise der Wahrheit, da die umgebenden, von dem Querfeld nicht beeinflußten Dipole ein Entmagnetisierungsfeld erzeugen und die 90°-Domäne beeinflussen. Dieses Feld lenkt die Vektoren M oder die Dipole von der 90°-Stellung ab.

Das Entmagnetisierungsfeld der benachbarten Domänen, das Querfeld und die anisotropischen Eigenschaften bestimmen die Orientierung jedes., einzelnen Dipols in der Domäne. Dabei ist die Mitte des Bereiches durch das angrenzende Entmagnetisierungsfeld weniger beeinflußt als die Kanten. Ein äußeres Feld, welches parallel zu der leichten Achse angewendet wird, addiert oder subtrahiert sich von den Entmagnetisierungsfeldern. Dieses äußere Feld veranlaßt die Vektoren M von Domänen in dem mittleren Bereich, sich von der 90°-Lage in die Richtung ■ des äußeren Feldes zu drehen. Die Domänen in der Nähe der Kanten drehen sich nur dann, wenn die Kraft dieses Feldes zuzüglich des Entmagnetisierungsfeldes ausreichend groß ist, um das Anisotropie-Feld zu überwinden. Wenn dies der Fall ist, dreht sich der Vektor M über die 90° hinaus in den entgegengesetzten Zustand.

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; Wenn das auf den magnetischen Film angewandte barren. Ein starkes Entmagnetisierungsfeld· wirkt, auf

Querfeld wieder entfernt wird, bleiben die Dipole in 4j^e Dipole der Mittendomäne in einer !ßachtuflg ein,

einem unstabilen Zustand in der Nähe der schweren welche entgegengesetzt der' Magnetisierühgsnchtung

Richtung zurück und die resultierenden Kräftej der Sperrdomäne ist. Wenn das äußere Feld wieddr

welche auf diese Dipole einwirken, bestimmen deren 5 entfernt wird, drehen sich die Dipole in der Mittenr

Rückkehr nach Null oder 180° in Richtung der leich- domäne zurück in den negativen Zustand.' Weit die

ten Achse. ' Mittendomäne dieses Verhalten zeigt, wird sie stabile

Ein Wall zwischen benachbarten Domänen bleibt Domäne genannt. Dabei ist zu beachten, daß der maso lange stabil, wie die Dipole auf beiden Seiten sich gnetische Widerstand des Pfades für das Entmagnetiin einem Zustand geringster Energie befinden. Man io sierungsfeld gering ist, wenn zwei benachbarte Dokann sich vorstellen, daß einem Domänenwall eine manen sich in entgegengesetzten Zuständen befinden. Richtung zukommt, und der Winkel dieser Richtung Der magnetische Widerstand dieses Pfades nimmt zu, auf die leichte Achse bezogen wird. Stabile Do- wenn die Dipole nach 90° gedreht werden, und das mänenwall-Winkel für Filme mit den in dieser An- Entmagnetisierungsfeld ist proportional dem . mameldung beschriebenen Eigenschaften liegen zwischen 15 gnetischen Widerstand. ■■ ■ '■'' plus und minus 45°. Einige Domänen haben einen ~ Wenn der dünne Film ursprünglich in den negatigekrümmten Wall. Der Domänenwall-Winkel eines ven Zustand magnetisiert worden ist, wird eine stabile gekrümmten Domänenwalls wird definiert als der Win- Domäne Von positivem Zustand gebildet, wenn ein kel zwischen der leichten Achse und der Tangente an 'Querfeld zur Einwirkung gebracht und wieder entdie Kurve. Diejenigen Domänenwälle, ■ welche mit 20 .ferrit wird.. Dies geschieht im wesentlichen auf die Winkeln von mehr als 45° vorkommen, scheinen zu · gleiche Weise wie es oben für den ursprünglich in den wachsen, bis der Winkel kleiner als 45° geworden ist. positiven Zustand magnetisierten Film beschrieben Ein Feld in der leichten Achse, welches etwas größer wurde. '.'"".; als H_c ist, die Koerzitivkraft des Films, wie sie aus /In den Zeichnungen ist eine Ausführungsform des der rechteckigen B-H-Kuxve, welche mit einem in der 25 erfindungsgemäßen Speichers dargestellt. . ' bevorzugten Richtung angewandten Feld aufgetragen Fig. 1 ist eine perspektivische Ansicht eines Speiist, entnommen ist, remagnetisiert einen engen Be- cherelements zusammen mit einer typischen Leiter reich des Films durch eine Domänenwall-Bewegung. anordnung; . Das obenerwähnte Feld wird durch einen Stromfluß V Fig. 2a zeigt 2?-/7-Kennlinien eines Teils des main einem flachen Leiter in der Nähe des magnetischen 30 gnetischen Materials mit dem geringen Wert der AnFilms erzeugt. Die Grenzlinien der Domänenwälle isotropie-Feldstärke, nämlich H_{K Λ}; bilden in Übereinstimmung mit dem Leiter 45°-Wälle Fig. 2b zeigt die 5-ii-Kennlinien für die übrigen in einem Sägezahn-Muster. Teile des magnetischen Materials mit dem größeren

Wenn das parallele Feld wieder entfernt wird, Wert der Anisotropie-Feldstärke H_K2;

bricht die neu gebildete Domäne in kleine Insel- 35 F i g. 3 stellt in Blockform eine bevorzugte Anord-

domänen auseinander. Diese Inseln sind stets langer nung von Material mit verschiedenen Werten der An-

in der bevorzugten Richtung als in der schweren isotropie-Feldstärke dar;

Richtung. Das Auseinanderbreohen dieser Domänen . Fig.-4a, 4b und 4c stellen in Blockform die Richscheint auf das Entmagnetisierungsfeld zurückzufüh- tungen der magnetischen Dipole in einem Dünaren zu sein, welches geschlossene magnetische Pfade 4P schicht-Speicherelement der Magnetisierung des EIein dem Film aufrechtzuerhalten sucht. Dort, wo die- ments in den positiven Zustand dar; ses Feld größer als H_c ist, findet eine Umkehr der . F i g. 4 d ist ein Vektordiagramm, welches die Rich-Magnetisierung statt, und die erwähnten Inseln wer- tungen der verschiedenen, die Magnetisierung des den gebildet. · Elements 'beeinflussenden Felder darstellt;

Wenn ein dünnes Filmelement mit einem mittleren 45 Fig. 5a, 5b und 5c stellen in Blockform die Rich-J3ereich aus /fyj-Material und daran anstoßenden tungen der magnetischen Dipole in einem Dünn-Bereichen aus H_K ,-Material zunächst in den positiven schicht-Speicherelement während der Bildung einer Zustand magnetisiert wird, und dann ein Querfeld stabilen Domäne von negativem Zustand dar, welche angewendet wird, dessen Größe etwa gleich H^₁ ist, von Domänen mit positivem Zustand umgeben ist; drehen sich die Dipole in dem mittleren Bereich um 50 F i g. 5 d stellt das zugehörige Felddiagramm dar; 90°. Wenn dann das Querfeld wieder entfernt wird, F i g. 6 ist ein Diagramm, welches die Aufeinanderdreht die magnetomotorische Kraft, welche durch das folge der Felder zu den verschiedenen Erregungs-JEntmagnetisierungsfeld entsteht, die Dipole in den leitern des Speicherelements bei Speicherung des binegativen Zustand. Wenn ein schwaches äußeres nären Zeichens »L« darstellt;

paralleles Feld in derselben Richtung auf den Film 55 Fig. 7a, 7b und 7c stellen in Blockform die Richangewendet wird wie das Entmagnetisierungsfeld, tung der magnetischen Dipole in einem Speicherwird das Umschalten der gewünschten Anzahl Dipole element während der Magnetisierung desselben in den in den negativen Zustand erleichtert. Auf diese Weise negativen Zustand dar; wird eine Domäne von negativem Zustand in dem Fig. 7d ist das zugehörige Felddiagramm; H_K j-Material, umgeben von positiven Domänen, ge- 60 F i g. 8 a, 8 b und 8 c stellen in Blockform die Rich-'bildet. Die Entmagnetisierungsfelder des ursprünglich turig der magnetischen Dipole in einem Speicherpositiv magnetisierten Elements, welches jetzt in zwei element während der Bildung einer stabilen Domäne _;die Mittendomäne umgebende Teile aufgespalten ist, von positivem Zustand dar, welche von Domänen mit wirken derart, daß sie diese Mittendomäne in einen .negativem Zustand umgeben ist; Dauerzustand sperren. Die Dipole in der Mitten- 65 Fig. 8d ist das zugehörige Felddiagramm; ■ domäne können durch ein von außen angewandtes F i g. 9 ist ein Diagramm, welches die Aufeinander-FeId in die schwere Richtung gedreht werden, wäh- .folge der Felder in den verschiedenen Erregungsrend die Dipole in der Sperrdomäne ungestört ver- „leitern bei Speicherung des binären Zeichens »0« zeigt;

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Fig. 10 ist eine Anordnung von Speicherelemen- schicht in der leichten Achse charakteristisch ist, und

ten mit den dazugehörigen Leitern und Anschluß- eine gestreckte Schleife T in der schweren Richtung,

geräten. Die Koerzitivkraft H_c in der leichten Achse ist für

Fig. 1 stellt eine Einheit eines Dünnschicht-Spei- beide Dünnschichten im wesentlichen gleich. Jedoch cherelements mit den zugehörigen Leitern dar, so wie 5 besteht ein beträchtlicher Unterschied der Sättigungssie in einem Datenspeicher für datenverarbeitende magnetisierungen in der schweren Richtung, die mit Maschinen zur Anwendung kommt. Das Speicher- Anisotropie-Feldstärke bezeichnet werden; so ist der element 22 ist rechteckig. In der Praxis kann die geo- Wert von H_K2 in Fig. 2b ungefähr doppelt so groß metrische Form des Elements von der rechteckigen wie H_K1 in F i g. 2 a.

abweichen. Die Leiter oder Teile der Leiter, welche io Die Herstellung magnetischen Materials mit dedie Magnetisierung des Speicherelements 22 selbst be- finierten Werten der Anisotropie kann auf verschieeinflussen oder dadurch beeinflußt werden sollen, ver- dene Weise bewerkstelligt werden. Eine brauchbare laufen parallel zum und in unmittelbarer Nähe des Methode nutzt den Auftreffwinkel-Effekt beim Auf-Speicherelements. Die leichte Achse des Speicher- dampfen aus. Bringt man Material derselben Zusamelements 22 ist durch die Pfeile 30 angedeutet und 15 mensetzung aus zwei Quellen auf eine Unterlage auf, liegt in der Zeichenebene. Der Leiter 24 liegt parallel welche während dieser Aufbringung bei konstanten 'zu der leichten Achse und wird zur Erzeugung eines Bedingungen gehalten wird, so hat das unter dem gröqu'erlaufenden Vormagnetisierungsfeldes benutzt, ßeren Auftreffwinkel aufgebrachte Material einen welches je nach der Feldstärke entweder mit H_Tl höheren Wert der Anisotropie als das durch den oder H_Tv bezeichnet wird. Der Leiter verläuft im 20 Dampfstrahl senkrecht zu der Unterlage aufgedampfte rechten Winkel zur leichten Achse und ist in zwei Material. Die Aufdampfung geht unter dem Einfluß parallele Leiter aufgeteilt. Jeder dieser Leiter führt eines passenden magnetischen Feldes vor sich, um eine Hälfte des Stromes, welcher zur Erzeugung eines auf diese Weise in dem magnetischen Film eine ein-Schreibfeldes +H₁, oder — H_p erforderlich ist. Zwi- achsige Anisotropie herzustellen,
sehen den Leitern 26 liegt der Leseleiter 28. Der 25 Der Wert der Anisotropie-Feldstärke ist außerdem Grund für die Aufteilung der Schreibleiter ist haupt- eine Funktion der Temperatur der Unterlage während sächlich die kapazitive Kopplung zwischen den par- der Auftragung, und es muß sorgfältig darüber geallelen Vormagnetisierungsleitern und dem Leseleiter wacht werden, daß diese Temperatur einen sogenannherabzusetzen und damit die Erzeugung von Stö- ten kritischen Wert nicht überschreitet. Darüber hat rungssignalen in dem Leseleiter zu unterdrücken. 30 nämlich der Auftreffwinkel keine Wirkung mehr auf Eine Unterlage 20 dient als Träger für die anderen den Wert der Anisotropie-Feldstärke.
Bestandteile. . ' Auc'h eine andere Methode der Herstellung ma-■ In einer Ausführungsform der Erfindung hat das gnetischen Materials mit verschiedener Anisotropie Element die folgenden Maße. Das Speicherelement verwendet den Auftreffwinkel-Effekt. Bei dieser Mehät die Form eines Rechtecks von 3,05 · 2,29 mm, 35 thode wird ein Material wie z. B. Aluminium auf ausist ungefähr 2000 A dick und besteht aus einer Nik- gewählte Flächen einer beheizten Glasunterlage unter kel-Eisen-Legierung, welche durch Aufdampfen auf einem schiefen Auftreffwinkel aufgedampft. Die Alueine Glasunterlage im Vakuum gebildet ist. Die Ko- miniumablagerung wird dann mit einem im Vakuum erzitivkraft H_c aller das Speicherelement bildenden "aufgebrachten Isolator überzogen. Schließlich wird Bereiche des magnetischen Materials ist ungefähr 40 dann das magnetische Material unter dem Einfluß 1 Oersted; H_Kv die geringere Anisotropie-Feldstärke eines passenden magnetischen Orientierungsfeldes auf ist 1,5 Oersted, H_K2, die größere Anisotropie ist den Isolator aufgedampft.

^:3 Oersted. Die rechtwinklig verlaufenden Vormagne- Die Aufdampfung von Aluminium und anderen getisierungsleiter und der Leseleiter sind auf .einer, ge^- eigneten Materialien unter einem schiefen Auf treffdruckten Schaltungstafel eingeätzt. Aus Einfachheits- 45 winkel hat zur Folge, daß die Oberfläche des abgegründen sind die Schreib- und Leseleiter auf einer lagerten Materials eine ganz bestimmte geometrische Seite der Tafel und der Vormagnetisierungsleiter auf Gestalt annimmt. Diese Gestalt verursacht die Bilder anderen Seite angeordnet. Das stärkere Querfeld dung gerichteter Kristallketten. Das auf das AIu- H_Tl ist gleich oder größer als H_K2 gewählt. Das minium aufgebrachte magnetische Material weist wesch wachere Querfeld H_{T 2} ist etwa gleich H_Kl ge- 50 gen der geometrischen Gestalt der Oberfläche einen wählt. Die Ströme in den verschiedenen Leitern hän- hohen Wert der Anisotropie-Feldstärke auf. Magnetigen ab von den Parametern des magnetischen Mate- sches Material, welches unter einem rechten Auftreffrials, aus dem das Speicherelement gebildet ist, und winkel auf die glatte Oberfläche der mit dem Isolator ihre Amplituden hängen von der Breite der Leiter überzogenen Glasunterlage aufgedampft wird, hat und dem Abstand zueinander und dem Element ab. 55 einen bei weitem geringeren Wert der Anisotropie-Es leuchtet ein, daß die oben angeführten Abmessun- Feldstärke. Hierbei ist zu bemerken, daß jegliche gen und Amplituden für das beschriebene Ausfüh- Vorbereitung der Unterlage zur Herstellung einer rungsbeispiel entsprechend dem Material, der Kon- Oberflächengestalt, wie sie oben beschrieben wurde, struktion oder der Anwendung wechseln können und vor der Aufbringung des magnetischen Materials ähnnur zur Illustration als Beispiel angeführt sind. 60 liehe anisotropische Wirkungen zeitigt. Es ist be-

Die F i g. 2 a und 2 b stellen die Unterschiede in kannt, daß auch andere Faktoren den Wert der Anden magnetischen Parametern der Koerzitivkraft und isotropie-Feldstärke beeinflussen, so z. B. die Zusamder Anisotropie-Feldstärke für das magnetische Ma- mensetzung des Materials selbst und anisotropische terial dar, aus dem das Speicherelement gemäß der Spannungen.

Erfindung aufgebaut ist. Beide Figuren zeigen B-H- 65 Die beschriebenen Methoden zur Beeinflussung der

Kennlinien für das magnetische Dünnschichtungs- Anisotropie magnetischer Filme sind nur als erläu-

material, nämlich eine im wesentlichen rechtwinklige ternde Beispiele aufgeführt worden und sollen in kei-

mit L bezeichnete Schleife, welche für die Dünn- ner Weise eine beschränkende Vorschrift darüber

darstellen, auf welche Weise das Dünnschicht-Speicherelement im Speicher gemäß der Erfindung herzustellen ist.

F i g. 3 stellt eine bevorzugte, jedoch nicht unbedingt günstigste Anordnung des Materials dar, aus dem das in F i g. 1 beschriebene Element 22 aufgebaut ist. Wie die F i g. 3 zeigt, besteht der mittlere Bereich des Elements aus Material mit der geringeren Anisotropie H_{K v} während die benachbarten Bereiche aus Material mit der höheren Anisotropie H_{K 2} gebildet sind. Die Richtung der leichten Achse verläuft in Richtung der Pfeile 30.

Die großen Rechtecke der F i g. 4, 5, 7 und 8 stellen je ein Dünnschicht-Speicherelement dar. Die Pfeile in den Rechtecken geben die Orientierung der magnetischen Dipole in der unmittelbaren Nachbarschaft der Pfeile an. Die Pfeile kennzeichnen daher die Magnetisierungsrichtung, welche in jeder Figur einen positiven Zustand (+) darstellt, wenn der Pfeil nach oben zeigt, und einen negativen Zustand (—), wenn der Pfeil nach unten zeigt. Verschieden lange Pfeile sind verwendet worden, wie z. B. in F i g. 4 c, um dadurch die unterschiedlichen Werte der Anisotropie-Feldstärke zu kennzeichnen. Die kürzeren Pfeile bezeichnen magnetisches Material mit der Anisotropie Hk j, die längeren Pfeile H_K ,-Material. Es ist angenommen, daß die leichte Achse in jedem Rechteck aufrecht innerhalb der Zeichenebene liegt. Pfeile, weiche eine Richtung quer oder annähernd quer zur leichten Achse haben, stellen einen instabilen Zustand dar. Die schmalen Rechtecke innerhalb der großen Rechtecke, wie sie durch dicke Linien abgetrennt sind, stellen Domänen dar. Die Richtung des Pfeiles innerhalb der Domäne kennzeichnet jeweils deren Zustand. Zur besseren Übersicht sind die in den positiven Zustand magnetisierten Flächen schraffiert dargestellt, während instabile Zustände oder in den negativen Zustand magnetisierte Gebiete nicht schraffiert wurden.

Die Felddiagramme der Fig. 4d, 5d, 7d und 8d geben in Vektordarstellung die Richtung der verschiedenen Felder, sowohl der inneren als auch der äußeren an, die einen Einfluß auf die Magnetisierung des Dünnschicht-Speicherelements nehmen. Wegen der großen Unterschiede in der Feldstärke, die bei der Anwendung der Erfindung auftreten, erschien es nicht praktisch, die Felder maßstabgetreu darzustellen. Die Diagramme haben daher nur im Hinblick auf die Richtung oder Polarität des jeweiligen Feldes Gültigkeit.

Die F i g. 4 und 5 sollen jetzt im Zusammenhang mit dem Impulsdiagramm der F i g. 6 betrachtet werden. Fig.4a zeigt ein magnetisiertes Speicherelement, dessen Domänen abwechselnd im positiven und negativen Zustand verharren. Das Speicherelement der Fig. 4a soll in den positiven Zustand magnetisiert werden, damit innerhalb des Elements ein zerstörungsfreies Domänenmuster gebildet wird, welches die Speicherung einer binären »L« darstellt. Wenn ein starkes quergerichtetes Vormagnetisierungsfeld H₇ j, welches gleich oder größer als H_{K 2} ist, wie es in Fig. 6 dargestellt ist, zur Zeit t_t auf das Element der Fig. 4 a einwirkt (z.B. durch einen Stromfluß von oben nach unten durch den Leiter 24 in Fi g. 1), wird, wie in Fig. 4b dargestellt, ein großer Bereich magnetischer Dipole um 90° gedreht. Die Richtung des Feldes H_Tl ist in Fig. 4d angegeben. Zur Zeit I₁' gelangt ein zweites vergleichsweise schwaches, paralleles Schreibfeld +H₁, zur Einwirkung auf das Element der Fig. 4b. Dieses Feld wird erzeugt durch einen Stromfluß von links nach rechts durch den Leiter 26 und ist mit positiver Richtung in F i g. 4 d eingetragen. Zur Zeit f₂ endet die Wirkung von H_{T t} und im wesentlichen alle magnetischen Dipole verhalten sich wie eine einzige große Domäne und drehen sich, wie in Fig. 4c angedeutet, in den positiven Zustand. Auf diese Weise ist im wesentlichen zwischen den

ίο Zeitpunkten I₁ und i₂ eine positive Sperrdomäne gebildet worden. Die Flußänderungen, welche durch die Drehung der magnetischen Dipole bei der Anwendung oder Entfernung der Felder entstehen, rufen Lesesignale in einem Leseleiter, z. B. dem Leiter 28 in F i g. 1 hervor; diese Lesesignale sind ebenfalls in Fi ig. 6 dargestellt.

Darauf läßt man zur Zeit t₃ zur Bildung einer negativen Mittendomäne ein schwächeres Vormagnetisierungsfeld H_T2, in der Größe etwa gleich H_Kl, auf das magnetische Element der F i g. 5 a einwirken, und die magnetischen Dipole in dem Bereich des #£ !-Materials werden im Uhrzeigersinn um einen Winkel gedreht, welcher etwas größer als 90° ist. Wie schon oben beschrieben wurde, wirkt ein mit H_M in F i g. 5 d bezeichnetes Feld in einer Richtung ein, daß es die Dipole veranlaßt, sich über 90° hinaus in den negativen Zustand zu drehen. Wenn zu diesem Zeitpunkt H_T<, entfernt wird, gelangt das Entmagnetisierungsfeld ~H_M zur Wirkung und dreht den H_Kl-Bereich des Elements in den negativen Zustand.

Man hat festgestellt, daß die Anwendung eines negativen parallelen Schreibfeldes — H_p (indem man wieder den Leiter 26 für einen Stromfluß von rechts nach links benutzt), welches in derselben Richtung wie H_M wirkt, die Bildung dieser Mittendomäne erleichtert. Dementsprechend wird zur Zeit t₃' das Feld —H„ auf das Element angewendet, und bei der Entfernung von H_T2 zur Zeit i₄ drehen sich die Dipole in einem mittleren Bereich in den negativen Zustand, wie es in Fig. 5c dargestellt ist. Das Feld — H_v ist nun nicht mehr erforderlich und wird daher entfernt. Damit ist also eine Mittendomäne von negativem Zustand im wesentlichen in dem Zeitintervall zwischen t_s und i₄ gebildet worden. Der gesamte Schreibvor-

gang einer binären »L« in das Element fand demnach während der Zeit ^₁ bis t_i statt.

Die Zeichnung stellt wiederholtes Ablesen des Speicherelements zwischen den Zeiten t₅ und t_s dar. Dieses wiederholte Lesen wird durch aufeinanderfolgende Anwendung von 77_T2-Feldern vollzogen. Jedesmal, wenn das Feld H_{T 2} auf das Speicherelement zur Einwirkung kommt, z. B. zu den Zeitpunkten i₅ und ί_Ί, drehen sich die Dipole in dem mittleren Bereich im Gegenuhrzeigersinn etwa in 90°-Richtung und erzeugen ein positives Lesesignal. Die Dipole in den Sperrdomänen aus ff ^-Material werden im wesentlichen von dem ff_T2-Feld nicht beeinflußt. Das Entmagnetisierungsfeld von der im positiven Zustand befindlichen Sperrdomäne übt ein Moment auf die Dipole aus und lenkt sie nach dem negativen Zustand hin ab. Wenn H_{T 2} entfernt wird, wie es z. B. zu den Zeitpunkten t_G und t_p geschieht, fallen die Dipole zurück in den negativen Zustand. Die Dipole in dem mittleren Bereich kehren stets in ihren ursprünglichen Zustand zurück, ungeachtet der Anzahl der Ablesungen durch einen ffyg-Impuls. Das Auftreten eines positiven Impulses, der von einem negativen Impuls auf der Leseleitung gefolgt wird,

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kann als Lesesignal einer binären »L« gedeutet wer- Jedesmal, wenn das TJ₇₂-FeId auf das Element einden. In einigen Anwendungsfällen ist nur der positive wirkt, also z. B. zu den Zeitpunkten t₅ und t₇, drehen Impuls für die Auswertungsvorrichtung nützlich, sich die Dipole in der Mittendomäne dm Uhrzeigerwährend der negative Impuls unnötig und vielleicht sinn nach 90° und erzeugen ein negatives Lesesignal, sogar lästig sein kann. In diesen Fällen dienen geeig- 5 Die Dipole in der negativen Sperrdomäne werden im nete Torschaltungen dazu, die negativen Impulse her- wesentlichen von dem /2V₂-FeId nicht beeinflußt. Das auszufiltern. Entmagnetisierungsfeld der Sperrdomäne übt ein Es folgt jetzt eine Betrachtung der Fig. 7 und 8 in Moment auf die Dipole aus, welche diese zu dem Verbindung mit dem Impulsdiagramm der Fig. 9. positiven Zustand ablenkt. Wenn H_T2 wieder entfernt F i g. 7 a stellt ein Dünnschicht-Speicherelement mit io wird, z. B. zu den Zeitpunkten t₆ bzw t₈, fallen die einer Mittendomäne. von negativem Zustand und Dipole in den positiven Zustand zurück. Man beobeiner Sperrdomäne von positivem Zustand dar. Das achtet, daß die Dipole in der Mittendomäne stets in Element der Fig. 7a.soll in den negativen Zustand ihren ursprünglichen Zustand zurückkehren, und magnetisiert und danach innerhalb des Elements ein zwar ungeachtet der Anzahl der Ablesungen durch zerstörungsfreies Domänenmuster gebildet werden, 15 einen H₇ ,-Impuls. Das Auftreten eines negativen welches die Speicherung einer binären »0« darstellt. Impulses, gefolgt von einem positiven Impuls, wie es Ein starkes, quergerichtetes Vormagnetisierungsfeld auf der Ableseleitung beobachtet wird, kann als Aus- H_T j, wie es in F i g. 9 gezeigt ist, wird zur Zeit J₁ auf leseergebnis einer binären »0« gedeutet werden, das Element der F i g. 7 a zur Einwirkung gebracht. Wenn der positive Impuls nicht erwünscht ist, kann Dieses Feld zwingt einen großen Bereich magneti- 20 er in bekannter Weise herausgefiltert werden,
scher Dipole, sich in die 90°-Richrung zu drehen, wie Die Fig. 10 zeigt zwölf Dünnschicht-Speicheraus Fig. 7b hervorgeht. Die Richtung des Uf₇₃-FeI- elemente mit Leiteranordnungen, die denen in Fig. 1 des ist in Fig. 7d angezeigt. Zur Zeit t/ wird das ähnlich sind, und Hilfseinrichtungen, die als Daten-Parallelfeld —H₁, auf das magnetische Element der speicher dienen sollen. Nur die Speicherelemente des Fig. 7b angewandt. Dieses Feld wird durch einen 25 ersten Speicherworts sind mit den Bezugszeichen 221, Stromfluß von rechts nach links durch den Leiter 26 222 und 223 versehen worden, da die Betrachtung erzeugt und ist mit seiner negativen Richtung in dieser Elemente zur Erklärung der Wirkungsweise der Fig. 7<d dargestellt. Zur Zeit t₂ wird H_Tt entfernt, so Speicheranordnung nach Fig. 10 ausreicht. Ebenso daß sich alle magnetischen Dipole wie eine einzige ist nur der Vormagnetisierungsleiter für das Wort große Domäne in den negativen Zustand drehen, wie 30 Nr. 1 mit einem Bezugszeichen, nämlich 241, veres in F i g. 7 c gezeigt ist. Zwischen den Zeiten t_t und sehen worden. Die Schreibleiter für die Zifferstellen 1, t_s ist also eine negative Sperrdomäne gebildet wor- 2 und 3 sind entsprechend mit 261, 262 und 263 beden. Die Spannungen, welche in der Leseleitung in- zeichnet; die Leseleiter für jede Zifferstelle sind beduziert werden, sind als Lesesignale in Fig. 9 dar- zeichnet mit 281 für Zifferstelle 1, 282 für Ziffergestellt. 35 stelle 2 und 283 für Ziffe.rstelle 3. Die beiden ersten Zum Zeitpunkt t_s läßt man, um eine positive Ziffern jedes Bauteils stimmen mit denjenigen für die Mittendomäne zu bilden, ein Querfeld H_{T 2} auf das Bauteile in Fig. 1 überein und nur die dritte Ziffer magnetische Element der Fig. 8 a einwirken, und die kennzeichnet ihre Lage in der Anordnung. Die leichte magnetischen Dipole in dem H_K j-Bereich werden im Achse jedes Elements in der Anordnung verläuft auf-Gegenuhrzeigersinn bis zu einem Winkel gedreht, 40 recht in der Zeichenebene.

welcher etwas größer als 90° ist. Ein in Fig. 8d mit Für den Vormagnetisierungsleiter 241 und den

H_M bezeichnetes Entmagnetisierungsfeld veranlaßt Schreib- und Leseleiter 261 bzw. 281 sind die Rück-

die Dipole, die sich über 90° hinaus in den positiven leiter dargestellt, indem sie an der Unterseite der Ba-

Zustand zu drehen. Wenn in diesem Zeitpunkt H_{T 2} sis oder Unterlage 201 entlanglaufen. Alle anderen

wieder entfernt wird, kommt das Entmagnetisierungs- 45 anderen Leiter sollen auf ähnliche Weise zurückge-

feld H_M zur Wirkung und dreht den H_K j-Bereich des führt sein.

Elements in den positiven Zustand. Um jedoch die Jedes Paar Leseleiter ist mit einem Differentialver-Bildung einer positiven Mittendomäne zu erleichtern, stärker verbunden, um die Rauschsignale zurückzubringt man ein positives paralleles Schreibfeld +H_n weisen. Deshalb sind die Leseleiter 281, 282 und 283 (wie man es durch einen Stromfluß von links nach 50 jeweils mit der Primärwicklung der Transformatoren rechts in dem Leiter 26 erhält) zur Einwirkung, wel- 601, 602 und 603 verbunden. Die Sekundärwicklunches dann in derselben Richtung wirkt, in welcher H_M gen der Transformatoren sind ihrerseits je mit den auf das Element der Fig. 8b angewendet wird. Ent- L'eseverstärkern 701, 702 und 703 verbunden,
sprechend wird zur Zeit t/ das Feld +H_n auf das Der Block 300 stellt eine Steuersignalschaltung dar, Element angewandt, und nach der Beendigung von 55 deren Steuersignale wahlweise über Kanäle weiterge- H_T2 zur Zeiti₄ drehen sich die Dipole in dem mitt- leitet werden. Die Steuersignale gelangen über die leren Bereich im Gegenuhrzeigersinn in den in Leitung 301 zu einem Lese-Schreib-Befehlsblock 400 Fig. 8c dargestellten positiven Zustand. Das Feld und über die Leitung 302 zu einem Schreibbefehls- +H₁, ist jetzt nicht mehr erforderlich und wird daher block 303. Die Steuersignalschaltung 300 vollführt entfernt. Hierdurch ist eine Mittendomäne von posi- 60 ihre Steuerfunktion in Übereinstimmung mit den lotivem Zustand gebildet worden, und zwar im wesent- gischen Erfordernissen der Gesamtaufgabe, die von liehen in dem Zeitintervall von ^₃ bis I₁. Der Schreib- dem Rechner gelöst werden soll. Die Funktionen der Vorgang einer binären »0« in das Element der Steuersignalschaltung 3CO sollen nur insoweit zur Fig. 7a fand in dem Zeitraum zwischen Z₁ und i₄ Sprache kommen, als sie unmittelbar für die Wirstatt. 65 kungsweise des Gegenstandes der Erfindung von Bein dem Zeitintervall zwischen t_s und t₈ wird das deutung sind.

Speicherelement der Fig. 8c zweimal durch die An- Es sei angenommen, daß eine Information in den

Wendung aufeinanderfolgender H_{7 2}-Felder abgelesen. Speicher eingeschrieben werden soll und daß diese

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Information in dem Speicherregister 500 enthalten ein Verstärker eine »0« abfragt, liefert er einen negaist. Das Register 5CO dient als Puffer zwischen der tiven Impuls für — H_p zur Zeit t_x und einen positiven Eingabe von Informationen in den Speicher und der Impuls für +H_p zur Zeit t_s' (Fig. 9).
Ausgabe von Informationen aus dem Speicher. Das In dem vorliegenden Beispiel erzeugt der Infor-Speicherregister 500 umfaßt drei Stufen, es kann also 5 mationsverstärker 101 für die Zifferstelle 1 zur Zeit zu jedem Zeitpunkt drei Zifferwerte speichern. Die t( einen positiven Stromimpuls auf dem Schreiblnformation kann von irgendwoher aus den lo- leiter 261, um das Feld +H_p zu erzeugen; der Vergischen Schaltungen des Rechners oder einem An- stärker 102 sendet einen negativen Impuls zum Lei-•schlußgerät über die Leitungen 501, 502 und 503 in ter 262 für — H_p; der Verstärker 103 sendet einen das Register gelangen. Umgekehrt ist die in dem Re- io positiven Impuls zum Leiter 263.
gister gespeicherte Information zu jedem Zeitpunkt Zur Zeit t₂ beendet die Auswahlmatrix 600 den für den Gebrauch in den erwähnten logischen Schal- starken Vormagnetisierungsstrom, und kurz danach tungen oder einem Anschlußgerät über die Leitungen enden die Informations-Schreibimpulse.
901, 902 und 903 verfügbar. Zur Zeit t_s erfaßt die Auswahlmatrix 600 den Be-

Es sei weiterhin angenommen, daß die in den Spei- 15 fehl für die zweite Hälfte des Schreibvorgangs aus eher einzuschreibende Information die binäre Zahl dem Lese-Schreib-Befehlsblock 400, und der Ver- »L0L« sei und daß sie als Wort Nr. 1 in den Spei- stärker schickt über die Leitung 241 einen niedrigen eher eingeschrieben werden soll. Die Steuersignal- Strom zur Erzeugung von H_{T 2}.
schaltung 300 bringt über die Leitung 301 zwei Zur Zeit t_s' sorgen die Informationsverstärker 101, Steuerimpulse zur Einwirkung auf den Lese-Schreib- 20 102 bzw. 103 dafür, daß ein —H_p-, +Hp- bzw. ein Befehlsblock 4CO, um den Schreibvorgang zu bewerk- — fl>Feld auf die Elemente 221, 222 und 223 zur stelligen, und außerdem einen dritten Impuls, wel- Einwirkung gelangt. Zur Zeit t_i beendet die Auscher den Adreßbefehl verkörpert. Die Vormagneti- wahlmatrix 600 den niedrigen Vormagnetisierungssierungs-Auswahlmiatrix 600, welche je nach der be- strom und kurz danach enden die Informationstreffenden Anwendung entweder eine Dioden-, eine 25 Schreibimpulse. Damit ist der Schreibvorgang beTransformatoren- oder eine Transistorenmatrix um- endet und Wort Nr. 1 des Speichers speichert nun faßt, fühlt die in dem Lese-Schreib-Befehlsblock 400 eine »L« als Zifferwert Nr. 1, eine »0« als Ziffergespeicherte Adresse ab. Die Auswahl eines ge- wert Nr. 2 und eine »L« als Zifferwert Nr. 3. Beim wünschten Worts erfolgt durch Koinzidenz eines Ver- Auslesen von Informationen aus dem Speicher stärkers und eines Schalters. Der Schalter legt dann 30 sendet die Steuersignalschaltung 300 zwei Befehle zu eine Klemme der Auswahlmatrix an ein vorbestimm- dem Lese-Schreib-Befehlsblock 400, und zwar einen tes Speisepotential, und der Stromkreis wird ge- für die Adresse und den anderen für das Lesen, schlössen, sobald der entsprechende Verstärker wirk- Nimmt man einmal an, daß die Adresse sich noch sam wird. immer auf das Wort Nr. 1 bezieht, dann erfragt die

In dem vorliegenden Beispiel wählt die Auswahl- 35 Auswahlmatrix 600 die in dem Block 400 gespeicher-

matrix 600 die mit dem Wort Nr. 1 verbundenen Ver- ten Befehle und läßt einen schwachen Strom durch

stärker und Schalter aus, um so das Einschreiben der den Vormagnetisierungsleiter 241 fließen, um das

in dem Speicherregister 500 gespeicherten Zifferwerte Feld H₇-₂ zu erzeugen, und die in den magnetischen

in die drei Speicherelemente 221, 222 und 223 zu er- Elementen 221, 222 und 223 befindliche Information

möglichen. 4° wird zerstörungsfrei abgelesen, wie es weiter oben im

Ein Vergleich mit der F i ig. 6 zeigt die zeitliche Zusammenhang mit den F i g. 6 und 9 beschrieben

Aufeinanderfolge der Einwirkung von Feldern auf die wurde.

Speicherelemente, um das Schreiben und Lesen einer Als Ergebnis des Lesevorgangs erscheint ein posi-

binären »L« zu bewerkstelligen. Auf ähnliche Weise tiver Impuls, der von einem negativen gefolgt wird,

gibt F i g. 9 Auskunft über das Schreiben und Lesen 45 auf jedem der Leseleiter 281 und 283 und ein nega-

einer binären »0«. tiver Impuls, der von einem positiven Impuls gefolgt

Benutzt man einmal dieselbe Darstellung der Zeit wird, erscheint auf dem Leseleiter 282. Die Signale

wie in F i g. 6 und 9, so erfragt die Auswahlmatrix auf den Leseleitern 281, 282 und 283 werden jeweils

600 zur Zeit Z₁ die erste Hälfte des Schreibbefehls aus über die Transformatoren 601, 602 und 603 in die

dem Befehlsblock 4C0 und läßt einen starken quer- 50 Leseverstärker 701, 702 und 703 gekoppelt. Es sei

gerichteten Vormagnetisierungsstrom durch den Lei- angenommen, daß die Leseverstärker geeignete Tor-

ter 241 fließen, wodurch das die Speicherelemente be- schaltungen enthalten, um die in den Leseleitern

einflussende Feld H₇ , erzeugt wird. Zu einem späte- induzierten Signale von unerwünschter Polarität aus-

ren Zeitpunkt t_t pulst die Steuerquelle 300 den zufiltern. Die Ausgänge der Leseverstärker werden

Schreibbefehlsblock 303 über die Leitung 302. Alle 55 über die Leitungen 801, 802 und 803 parallel zu den

Informationsverstärker 101, 102 und 103 fühlen be- entsprechenden Stellen in dem Speicherregister 500

ständig über die Leitungen 401, 402 und 403 die In- geleitet, wo die Information gespeichert wird und

formationen in ihren jeweiligen Zifferstellen in dem dann entweder von den logischen Schaltungen des

Speicherregister 5CO ab. Bei Empfang eines Impulses Rechners oder Anschlußgeräten verwendet werden

von der Steuersignalschaltung 300 durch den Schreib- 60 kann.

befehlsblock 303 werden über ein Signal auf der Lei- Es können nun Informationen in die Wort-Nr. 2-

tung 304 alle Verstärker gleichzeitig zum Schreiben und Wort-Nr. 3-Abteilungen des Speichers dadurch

gebracht. Wenn ein bestimmter Verstärker eine »L« eingeschrieben werden, daß die gewünschten Infor-

in dem Speicherregister abfragt, so liefert dieser Ver- mationen in dem Speicherregister eingestellt und die

stärker zur Zeit i/ einen positiven Impuls zur Erzeu- 65 Schreibbefehle, wie oben beschrieben, eingeleitet

gung des +H_p-Feldes, gefolgt von einem negativen werden. Es kann auch eine neue Information in der

Impuls, um das — H_n-FeId zu einer späteren Zeit, gleichen Weise in das Wort Nr. 1 eingeschrieben wer-

z.B. tg in Fig. 6, zu erzeugen. Wenn andererseits den. In diesem Fall wird die durch den vorhergehen-

den Schreibvorgang gespeicherte Information durch den neuen Schreibvorgang zerstört. Wenn eine neue Information entweder durch die logischen Schaltungen des Rechners oder die Leseverstärker in dem Speicherregister 500 gespeichert wird, wird die zuvor darin gespeicherte Information zerstört, und nur die neue Information bleibt übrig.

Claims (9)

Patentansprüche:

1. Speichervorrichtung, mit einem magnetischen Dünnschicht-Speicherelement mit einer Achse leichter Magnetisierbarkeit (leichte Achse), mit einem Magnetfeldgenerator zur Erzeugung eines Schreibfeldes parallel zur leichten Achse und mit einem Magnetfeldgenerator zur Erzeugung eines Lesefeldes, das nur in einem abgegrenzten Bereich des Speicherelements wirksam und senkrecht zur leichten Achse ausgerichtet ist, dadurch gekennzeichnet, daß der abgegrenzte Bereich, der von dem übrigen Teil des Speicherelements verschieden ist, jedoch unmittelbar an denselben anschließt, einen kleineren Wert der Anisotropiefeldstärke als der übrige Teil, jedoch eine gleiche Ausrichtung der leichten Achse aufweist.

2. Speichervorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der abgegrenzte Bereich in der Mitte von dem übrigen Teil des Speicherelements Hegt.

3. Speichervorrichtung nach einem der Ansprüche 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Mittel zur Einstellung einer Bezugsmagnetisierung so ausgelegt sind, daß ein Vormagnetisierungsfeld (Hj₁) zusammen mit einem Schreibfeld (H₁,) erzeugt werden, und daß hierbei die Stärke des Vormagnetisierungsfeldes größer als die Anisotropiefeldstärke (H_K2) des übrigen Teils des Speicherelements ist.

4. Speichervorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Feldstärke des Lesefeldes größer als die Anisotropiefeldstärke (H_Kl) des abgegrenzten Bereichs, jedoch kleiner als die Anisotropiefeldstärke(H_K2) des übrigen Teils des Speicherelements ist.

5. Speichervorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß das Lesefeld und das Schreibfeld gemeinsam zur Einwirkung kommen.

6. Speichervorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß die Dünnschicht aus einer ferromagnetischen Legierung einer Dicke von höchstens 5000 A besteht.

7. Speichervorrichtung nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß das Bezugsfeld in einer ersten Richtung längs der leichten Achse wirksam ist, daß das Vormagnetisierungsfeld für den abgegrenzten Bereich im wesentlichen quer zu dieser ersten Richtung ausgerichtet ist und daß die in dem übrigen Teil nach Abschluß der Magnetisierung des abgegrenzten Bereichs wirksamen Entmagnetisierungskräfte zu einem Magnetisierungszustand des abgegrenzten Bereichs mit einer Restflußdichte entgegengesetzt zu der erstgenannten Richtung führen.

8. Speichervorrichtung nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, daß eine Abfrageschaltung zur Abfrage der Richtung des Restfeldes in dem abgegrenzten Bereich gegenüber der Magnetisierungsrichtung in dem übrigen Teil vorgesehen ist.

9. Speichervorrichtung nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, daß die Abfrageschaltung ein Magnetfeld zur Drehung der Dipole in dem abgegrenzten Bereich in eine Richtung quer zur leichten Achse erzeugt, wobei dieses Magnetfeld die Magnetisierungsrichtung des übrigen Teils nicht merklich verdreht.

Hierzu 2 Blatt Zeichnungen