DE1564867B2 - Verfahren zum Kontaktieren von Dioden, Planartransistoren und integrierten Schaltungen - Google Patents

Verfahren zum Kontaktieren von Dioden, Planartransistoren und integrierten Schaltungen

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Description

19. Verfahren nach Anspruch 18, dadurch ge- ten der Halbleiterkörper kontaktiert, die Emitterkennzeichnet, daß die zur Aufnahme der Halb- und die Basiselektroden müssen jedoch, wie bisher, leiterkörper vorgesehenen Sprossen zweifach ent- mit dünnen Zuleitungsdrähten mit den zugeordneten gegengesetzt abgewinkelt werden, und daß auf 50 Sprossen verbunden werden. Dies bedeutet, daß zwar den parallel zur Streifenebene verlaufenden, ab- das Auflöten der Halbleiterbauelemente unter 11mgewinkelten Teil der Sprossen die Halbleiterkör- ständen vollautomatisch erfolgen kann, zur Kontakper aufgelötet werden. tierung der Emitter- und der Basiselektroden sind
20. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis aber nach wie vor Arbeitskräfte notwendig, die die 19, dadurch gekennzeichnet, daß entweder an 55 Kontaktierung dieser Elektroden mit Hilfe der midem die Halbleiterkörper schützenden Isolierstoff kroskopischen Beobachtung durchführen. So muß oder an den aus dem Isolierstoff herausragenden also jedes Element einzeln, manuell kontaktiert wer-Sprossen eine Markierung angebracht wird, die den, wodurch sowohl ein hoher Personalbestand, die Anordnung der Elektroden kennzeichnet. eine Vielzahl von Geräten, als auch ein relativ großer
60 Zeitaufwand erforderlich wird.
Da die äußerst feinen Zuleitungsdrähte zwischen den Kontaktierungssprossen und den Elektroden
empfindlich sind und beispielsweise bei einer Beschleunigungsbeanspruchung leicht reißen können, 65 wurden auch bereits Überlegungen angestellt, wie Halbleiterbauelemente, insbesondere Planartransisto-
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Kontak- ren, drahtfrei kontaktiert werden können. Bei allen tieren von Dioden, Planartransistoren und integrierten gemachten Vorschlägen wurde vorausgesetzt, daß
alle Elektroden des Halbleiterbauelements auf einer Oberflächenseite des Halbleiterkörpers kontaktiert werden können. Bei Planartransistoren müssen also sowohl die Kollektorzone wie auch die Basis- und die Emitterzone auf einer Oberflächenseite des Halbleiterkörpers kontaktiert werden können. Dazu wurden Halbleiterkörper verwendet, bei denen auf die Halbleiteroberfläche eine Glaspassivierungsschicht aufgebracht wurde. Anschließend mußten in diese Glasschicht auf photolitographischem Wege Öffnungen eingebracht werden, durch die in einem elektrolytischen Prozeß eine Metallegierung so auf die Kontaktstellen der Halbleiterzonen abgeschieden wurden, daß die Kontakte danach halbkugelförmig aus der Glaspassivierungsschicht herausragen.
Unter der Voraussetzung, daß derartige Halbleiterbauelemente, bei denen die Kontaktstellen über die Oberfläche des Halbleiterbauelementes herausragen, vorhanden sind, wurde vorgeschlagen, daß auf die aufbauseitige, aus einem isolierenden Material bestehende Oberfläche eines herkömmlichen Gehäusesockels so metallsiche Kontaktierungsinseln aufgedampft werden, daß diese mit den Sockeldurchführungen verbunden, jedoch gegenseitig elektrisch voneinander isoliert sind. Die Kontaktierungsinseln ragen nun so zur Mitte der Oberfläche des Gehäusesockels, daß das Halbleiterbauelement mit seinen Elektroden auf diese Inseln aufgelegt und direkt mit diesen verlötet werden kann.
Auch dieses sicherlich vorteilhafte Verfahren weist noch einige Mangel auf. So ist es bei Planartransistoren aus verschiedenen Gründen günstig, wenn die Kollektorzone auf einer Oberflächenseite kontaktiert wird, wobei zur Kontaktierung möglichst die ganze Oberflächenseite zur Verfügung steht, während die Emitter- und die Basiselektrode auf der gegenüberliegenden Oberflächenseite kontaktiert werden. Nur bei dieser Kontaktierungsweise ist der Weg der Ladungsträger der kürzest mögliche, die Verluste an Ladungsträgern durch Rekombination an den Oberflächen des Halbleiterbauelementes am kleinsten und die Wärmeableitung gut. Wenn alle Elektroden an einer Oberflächenseite kontaktiert werden, kann die Grenzfrequenz und die Stromverstärkung einen bestimmten Wert nicht überschreiten, die Wärmeableitung ist denkbar schlecht, so daß die Verlustleistung auf ein Minimum beschränkt bleibt.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein Kontaktierungsverfahren für die drahtlose Kontaktierung von Halbleiteranordnungen anzugeben, das auch für Planarbauelemente geeignet ist, bei denen die beiden einander gegenüberliegenden Oberflächenseiten des Halbleiterkörpers mit Teilen eines Kontaktierungsstreifens zu verbinden ist. Diese Aufgabe wird bei einem Verfahren der eingangs beschriebenen Art erfindungsgemäß dadurch gelöst, daß ein weiterer für die Kontaktierung der auf der anderen Oberflächenseite der Halbleiterkörper angeordneten Elektroden vorgesehener Kontaktierungsstreifen so viele nach innen ragende Sprossen oder Zungen aufweist, wie zu kontaktierende Elektroden auf der Oberfläche der Halbleiterkörper vorhanden sind, und daß dann die Kontaktierungsstreifen so übereinander geklappt werden, daß alle Elektroden gleichzeitig mit den zugeordneten Zungen oder Sprossen drahtfrei kontaktiert werden.
. Mit entsprechend ausgebildeten Kontaktierungsstreifen können Dioden, Transistoren und integrierte Schaltungen drahtfrei kontaktiert werden. Wenn der Kontaktierungsstreifen so ausgebildet wird, daß Teile des Streifens definiert auf andere Teile des Kontaktierungsstreifens geklappt werden können, ist nur eine einmalige Einjustierung der Fertigungsgeräte gegenüber den Kontaktierungsstreifen erforderlich, da alle Abstände auf dem Kontaktierungsstreifen sich stets exakt wiederholen, so daß die Halbleiterbauelemente automatisch auf Teile des Kontaktierungsstreifens aufgelötet und die übrigen Elektroden mit anderen Teilen des Kontaktierungsstreifens verbunden werden können, indem man den Streifen an einer genau definierten Stelle zusammenfaltet. Bei den genannten Teilen des Kontaktierungsstreifens handelt es sich um Sprossen, Zungen oder mit dem Streifen verbundenen Zinken. Es ist selbstverständlich, daß ein derartiger Kontaktierungsstreifen in seinen Abmessungen nur äußert kleine Toleranzen aufweisen darf. Deshalb wird es vorteilhaft sein, den Kontaktierungsstreifen mit Hilfe der Masken- und der Photoätztechnik herzustellen. Natürlich kann der Streifen auch aus einem Metallband ausgestanzt werden, wenn die Toleranzen dieser Stanzvorrichtungen klein genug gehalten werden können.
Mit einem derartigen Kontaktierungsstreifen können insbesondere Planartransistoren kontaktiert werden, deren Kollektorzone auf der einen Oberflächenseite und deren Emitter- und Basiselektroden auf der gegenüberliegenden Oberflächenseite zu kontaktieren sind. Da der Halbleiterkörper mit seiner Kollektorzone auf eine Sprosse oder eine Zunge des Kontaktierungsstreifens aufgelötet wird, ist eine gute Wärmeableitung, eine hohe Stromverstärkung und eine hohe Grenzfrequenz gewährleistet. Da zur Kontaktierung der Emitter- und der Basiselektrode gleichfalls Sprossen, Sprossenteile oder Zungen auf dem Kontaktierungsstreifen vorgesehen sind, eignet sich das Kontaktierungsverfahren besonders für Planartransistoren, deren Emitter- und Basiselektrode aus dem Halbleiterkörper, beispielsweise halbkugelförmig herausragen. Dazu werden die Emitter- und die Basiszone auf der Oberfläche des Halbleiterkörpers mit Metallkontakten versehen, dann wird die Oberfläche mit einer Glaspassivierungsschicht bedeckt, in die über den Halbleiterzonen auf photolithographischem Weg öffnungen eingebracht werden, in die dann elektrolytisch Kontaktmaterial aus einem Metall oder einer Metallegierung abgeschieden werden, das über die Oberfläche der Glaspassivierungsschicht oder einer anderen Isolierschicht hochragt.
Mit dem erfindungsgemäßen Verfahren können aber auch Planartransistoren kontaktiert werden, deren Emitter- und Basiskontakt über auf dem Halbleiterkörper verlaufenden Leitbahnen mit metallisch belegten Isolierstoffpodesten auf der Oberfläche des Halbleiterkörpers verbunden sind. Dann wird man in die Sprossen oder Zungen, die mit diesen auf Podesten befindlichen Kontaktflächen verbunden werden sollen, vorteilhafterweise Sicken derart einpressen, daß auf der den Kontaktflächen des Halbleiterbauelementes zugewandten Oberfläche der Zungen oder Sprossen Erhebungen entstehen, die mit Hilfe des Thermokompressionsverfahrens mit den Kontaktstellen auf den Isolierstoffpodesten verbunden werden.
Die Halbleiterbauelemente und ihre Kontaktstellen werden vorteilhafterweise vor dem Abtrennen der die Sprossen oder Zungen des Kontaktierungsstreifens verbindenden Teile in einen Isolierstoff, bei-
spielsweise in Gießharz eingebettet. Erst danach werden die Bauelemente vereinzelt. Die aas dem Isolierstoff herausragenden Streifenteile können als Elektrodenzuleitungen verwendet werden; in diesem Fall handelt es sich um gehäuselose Subminiaturtransistoren, oder man verbindet diese Streifenteile mit den zugeordneten Sockeldurchführungen eines Gehäusesockels zur Herstellung handelsüblicher, in Gehäuse eingebauter Halbleiterbauelemente.
Die Erfindung soll noch an Hand eines Ausführungsbeispiels näher erläutert werden. Die
Fig. 1 und 2 zeigen zwei unterschiedlich gebaute Kontaktierungsstreifen für Planartransistoren; in den weiteren
Fig.3 bis 15 sind verschiedene Fertigungsphasen dargestellt.
Die F i g. 1 zeigt einen Kontaktierungsstreifen zum Aufbau von Planartransistoren, der die Form zweier über einen gemeinsamen Holm 1 miteinander verbundenen Leitern 2 und 3 aufweist. Dabei dienen die Sprossen 4 der Leiter 3 zur Aufnahme und Kontaktierung der Kollektorkörper 5 von Planartransistoren. Der Kontaktierungsstreifen weist zur Erhöhung der Stabilität des dünnen Blechstreifens zwei äußere Holme 6 und 7 auf, über die die Sprossen der beiden Leitern miteinander verbunden sind.
Auf der Leiter 2 sind für jedes zu kontaktierende Bauelement zwei Sprossen 8 und 9 vorgesehen, die zur Kontaktierung der Basis- und der Emitterelektrode 10 und 11 des Transistorelementes verwendet werden. Die beiden Sprossen 8 und 9 besitzen je eine nach innen ragende Zunge 12 bzw. 13, die nur durch einen schmalen Spalt 14 voneinander getrennt und so angeordnet sind, daß beim Umklappen der Leiter 3 auf die Leiter 2 um 180° die Basis- und Emitterelektroden 10 bzw. 11 mit den Zungen 12 und 13 in Berührung kommen und mit diesen elektrisch leitend verbunden werden.
Der mittlere Holm 1 des Kontaktierungsstreifens wurde so bearbeitet, daß die Mitte dieses Holmes die Achse beim Zusammenklappen der Streifenteile bildet. Dazu wurde die Holmmitte mit einer Perforierung versehen. Diese Perforierung kann in Form hintereinandergereihter, kleiner Löcher oder, wie die Figuren zeigen, in Form sich wiederholender, schmaler Schlitze 15 ausgebildet sein. Zwischen je zwei Sprossen 4 der Leiter 3 wurde ein Teil 16 des mittleren Holmes bis zur Holmmitte bzw. bis zur Perforierung entfernt, um jede mit einem Bauelement 5 versehene Sprosse 4 einzeln auf den anderen Streifenteil klappen zu können. Die Holme 1, 6 und 7 des Kontaktierungsstreifens sind mit Lochaussparungen 17 versehen, die vor allem zum Transport der Streifen in den halb- oder vollautomatischen Fertigungsgeräten dienen. Die Löcher 17 befinden sich in gegenüber den Sprossen genau definierten Positionen, so daß beispielsweise beim Aufsetzen der mit einer Saugpinzette antransportierten Halbleiterkörper diese stets an der gleichen Stelle der Sprosse 4 aufgelötet werden.
Die F i g. 2 zeigt einen etwas anders ausgebildeten Kontaktierungsstreifen, bei dem auf den Holmen 7 (F i g. 1) verzichtet wurde. Die an ihrem einen Ende freien Zungen oder Zinken 18 sind zweifach entgegengesetzt abgewinkelt, so daß der am Ende der Zinken 18 liegende, für die Aufnahme der Halbleiterkörper 5 vorgesehene Zinkenteile 19 zwar parallel zur eigentlichen Streifenebene verläuft, aber etwas um die Höhe des Halbleiterkörpers 5 unter dessen Niveau liegt. Wenn nun die Halbleiterkörper 5 auf den abgewinkelten Teilen 19 der Zinken 18 aufgelötet worden sind, ragen nur die Anschlußstellen für die Emitter- und die Basiselektrode über die eigentliche Streifenebene. In die Zungen 12 und 13 der Leiter 2 sind Sicken 20 eingepreßt, die beim Umklappen der Zinken 18 auf die Leiter 2 auf die Kontaktstellen zu liegen kommen und an diese angelötet
ίο bzw. durch Thermokompression mit diesen verbunden werden. Der Kontaktierungsstreifen nach F i g. 2 weist einen durchgehenden, überall gleichmäßig breiten, mittleren Holm 1 auf, der in der Mitte wiederum eine eingeätzte oder eingeschnittene Perforierung 15 besitzt. Man kann also nach dem Auflöten der Halbleiterkörper auf die Zinken 18 entweder den ganzen Kontaktierungsstreifen an der Perforierung 15 zusammenklappen, oder es wird nachträglich zwischen je zwei Zinken 18 ein bis zur Perforierung reichender Einschnitt eingebracht, wodurch die Zinken 18 einzeln auf die zugeordneten Teile der Leiter 2 geklappt werden können.
Eine weitere Möglichkeit besteht darin, daß, gemäß F i g. 3, zwischen je zwei Zinken bzw. Zungen 18 ein bis zur Perforierung reichendes Stück 21 aus dem Kontaktierungsstreifen herausgeschnitten oder herausgeätzt wird.
Der Kontaktierungsstreifen besteht vorteilhafterweise aus einem Metall, dessen Ausdehnungskoeffizient dem des Halbleitermaterials entspricht. Ferner werden die Kontaktierungsstreifen vorteilhafterweise vergoldet und an den Stellen der Kontaktierungssprossen oder -zinken, die für die Aufnahme der Halbleiterkörper vorgesehen sind, mit einer Lotschicht bedeckt.
In einem ersten Fertigungsautomaten werden also die vorsortierten Halbleiterkörper auf Sprossen 4 bzw., auf Kontaktierungszinken oder -zungen 18 aufgesetzt und in einer Wärmezone des Fertigungsgerätes auf diesen Streifenteil aufgelötet. Geht man von einem Kontaktierungsstreifen nach F i g. 1 aus, so wird nach dem Auflöten der Halbleiterkörper, gemäß Fig.4, der zur Stabilisierung des Kontaktierungsstreifens verwendete äußere Holm 7 vom Kontaktierungsstreifen abgetrennt. Dieser Arbeitsgang kann gleich allen bisherigen und weiterhin erforderlichen Arbeitsgängen vollautomatisch erfolgen. Anschließend werden, wie F i g. 5 zeigt, die Sprossen 4 in Pfeilrichtung oder, wie die Fig.6 zeigt, die abgewinkelten Zinken 18 auf die Leiter 2 mit Hilfe einer geeigneten Klappvorrichtung um die durch die Perforierung gebildete Achse auf dem mittleren Holm 1 geklappt, so daß die Emitter- und die Basiselektrode, wie die F i g. 7 und 8 zeigen, mit den Zungen 12 und 13 der Sprossen 8 und 9 in Berührung kommen. Anschließend wird beispielsweise gegen die Unterseite der Zungen 12 und 13 ein geheizter Stempel gepreßt, der die Kontaktierungsteile derart erhitzt, daß die Elektroden des Halbleiterbauelementes mit den Zungen 12 und 13 des Kontaktierungsstreifens verlötet werden. Dabei wird vorteilhafterweise gleichzeitig von oben ein Beschwerungsstempel auf die Sprossen 4 oder auf die Zinkenteile 19 zur Erzeugung eines Gegendruckes aufgesetzt. In einem anderen Fall können die Zungen 12 und 13 bei einer bestimmten Temperatur, die unter der Löttemperatur liegt, mit geeigneten Nadeln oder Stiften derart gegen die Kontaktierungsstellen auf den Halbleiterkörpern
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gepreßt werden, daß eine Kaltschweißung bzw. eine eingebaut werden, die sich aus auf eine Keramik-Thermokompressionsverbindung zustande kommt. platte aufgedampften Widerständen, Kondensatoren Die übereinanderliegenden Teile des ursprünglich und anderen Bauelementen zusammensetzt. Dazu mittleren Holmes 1 können zusammengepreßt, ge- werden die Elektrodenzuleitungen 4, 8 und 9 so abgeklemmt, — geschweißt — oder gelötet werden, so 5 winkelt, daß sie mit auf der Platte befindlichen, zudaß ein Auffedern des Kontaktierungsstreifens un- geordneten Leitbahnen verlötet oder verschweißt möglich wird. werden können.
Danach wird, gemäß den Fig. 9 und 10, der au- Fig. 15 zeigt, wie ein Subminiaturtransistor 30 ßere Holm 6 abgetrennt oder abgeätzt, so daß die nach Fig. 14 in ein herkömmliches Gehäuse einge-Kontaktierungsteile an ihrem freien Ende nicht mehr io baut wird. Der Gehäusesockel 24 weist drei Sockelkurzgeschlossen sind. Die Halbleiterkörper werden durchführungen 26, 27 und 28 auf, an deren aufbaudann zusammen mit den Kontaktierungsstellen in seitigen Enden die abgewinkelten Elektrodenzulei-Kunststoff eingebettet. Dazu wird der ganze Kontak- tungen 4, 8 und 9 des Subminiaturtransistors angetierungsstreifen mit den freien Enden der Kontaktie- schweißt werden. Anschließend wird das System rungssprossen in eine mit flüssigem Kunststoff, bei- 15 noch mit einer Gehäusekappe verschlossen,
spielsweise Gießharz, gefüllte Rinne getaucht. Nach Das erfindungsgemäße Verfahren kann auch zur dem Aushärten des Kunststoffes bildet sich eine den Kontaktierung anderer Halbleiterbauelemente ange-Fig. 11 und 12 entsprechende Anordnung, bei der wandt werden. Zur Kontaktierung von Dioden wird die empfindlichen Teile der Halbleiterelemente prak- jede der einen Kontaktierungsstreifen bildenden Leitisch unzerstörbar von einem Isolierstoff 22 umgeben 20 tern nur eine Sprosse, eine Zunge oder einen Zinken sind. zur Kontaktierung je einer Elektrode der Dioden
Gemäß der Fig. 13 wird anschließend der die aufweisen. Zur Kontaktierung von integrierten Schal-Sprossen 4, 8 und 9 verbindende Holm 1 abge- tungen muß das Halbleiterbauelement in etwa der trennt, so daß die Elektroden des Halbleiterkörpers Mitte einer Kontaktierungssprosse auf der einen Leivollständig voneinander isoliert und über die aus 25 ter aufgesetzt werden, während die andere, den Kondem Isolierstoff herausragenden Teile des Kontaktie- taktierungsstreifen ergänzende Leiter, zur Kontaktierungsstreifens zugänglich sind. Noch während die rung der Elektroden so viele nach innen ragende Elemente durch den sie verbindenden Kunststoff zu- Sprossen oder an Sprossen angebrachte Zungen aufsammengehalten werden, können die Halbleiterbau- weist, wie zu kontaktierende Elektroden vorhanden elemente gemessen und gekennzeichnet werden. Ein 30 sind, so daß beim Zusammenklappen der Streifenin Fig. 14 vorliegendes, von den übrigen Transisto- teile alle Kontaktstellen gleichzeitig und drahtfrei ren separiertes Einzelelement 30 bildet einen einsatz- kontaktiert werden. Auch dann werden die Halbfähigen, gehäuselosen Subminiaturtransistor, dessen leiterbauelemente und die Kontaktstellen in einen Elektrodenzuleitung 9 durch einen Schrägschnitt 23 Isolierstoff eingegossen, und die aus dem Isolierstoff gekennzeichnet ist. Durch diese oder eine andere 35 herausragenden Streifenteile können als Elektroden-Kennzeichnung läßt sich leicht erkennen, welche Zuleitungen verwendet werden, wobei wiederum eine Elektrodenzuleitung zu einer der Elektroden des Markierung der Zuleitungen oder auf dem Isolier-Transistors gehört. Die in F i g. 14 dargestellten Sub- stoff die Orientierung bei der Verwendung der Schalminiaturtransistoren 30 können auch in Schaltungen rung erleichtert.
Hierzu 8 Blatt Zeichnungen

Claims (18)

P? tentansprüche:
1. Verfahren zum Kontaktieren von Dioden, Planartransistoren und integrierten Schaltungen, bei dem die Halbleiterkörper mit ihrer einen Oberflächenseite auf Zungen oder Sprossen eines Kontaktierungsstreifens elektrisch leitend befestigt werden und bei dem die die Sprossen und/oder Zungen verbindenden Teile der Kontaktierungsstreifen nach dem Eingießen der Halbleiterbauelemente und der Kontaktstellen in einen Isolierstoff derart abgetrennt werden, daß aus dem Isolierstoff herausragende Teile der Zungen oder Sprossen als Elektrodenzuleitungen verbleiben, dadurch gekennzeichnet, daß ein weiterer, für die Kontaktierung der auf der anderen Oberflächenseite der Halbleiterkörper angeordneten Elektroden vorgesehener Kontaktierungsstreifen so viele nach innen ragende Sprossen oder Zungen aufweist, wie zu kontaktierende Elektroden auf der Oberflächenseite der Halbleiterkörper vorhanden sind, und daß dann die Kontaktierungsstreifen so übereinander geklappt werden, daß alle Elektroden gleichzeitig mit den zugeordneten Zungen oder Sprossen drahtfrei kontaktiert werden.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß zur Kontaktierung einer integrierten Schaltung der die integrierte Schaltung enthaltende Halbleiterkörper etwa in der Mitte einer Kontaktierungssprosse auf der einen Kontaktierungsleiter befestigt wird, und daß die andere Kontaktierungsleiter, die eine der Elektrodenzahl entsprechende Anzahl von nach innen ragenden Zungen oder Sprossen aufweist so über die erste Leiter geklappt wird, daß alle Kontaktstellen auf dem Halbleiterkörper gleichzeitig und drahtfrei mit den Zungen oder Sprossen kontaktiert werden.
3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß nach dem Vereinzeln der in einen Isolierstoff eingebetteten Halbleiterbauelemente die aus dem Isolierstoff herausragenden Streifenteile mit den Sockeldurchführungen eines Gehäusesockels elektrisch leitend verbunden werden.
4. Verfahren nach Anspruch 1, gekennzeichnet durch seine Verwendung zur Kontaktierung von Planartransistoren, deren Kollektorzonen auf der einen Oberflächenseite des Halbleiterkörpers zu kontaktieren ist, während die Basis- und die Emitterelektrode auf der gegenüberliegenden Oberflächenseite halbkugelförmig aus dem Halbleiterkörper herausragen.
5. Verfahren nach Anspruch 1, gekennzeichnet durch seine Verwendung zur Kontaktierung von Planartransistoren, deren Emitter- und Basiskontakt über auf dem Halbleiterkörper verlaufenden Leitbahnen mit metallisch belegten Isolierstoffpodesten auf der Oberfläche des Halbleiterkörpers verbunden sind.
6. Verfahren nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß in die Zungen oder Sprossenteile des Kontaktierungsstreifens, die mit dem Emitter- und dem Basiskontakt der Halbleiterbauelemente elektrisch leitend zu verbinden sind, derart Sicken eingebracht werden, daß auf der den Kontaktierungsstellen des Halbleiterbauelementes zugewandten Oberfläche der Zungen oder Sprossen Erhebungen entstehen, die durch Thermokompression mit den Kontaktierungsstellen verbunden werden.
7. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 6, gekennzeichnet durch die Verwendung eines Kontaktierungsstreifens, der die Form zweier über einen gemeinsamen Holm miteinander verbundenen Leitern aufweist, wobei die Sprossen der einen Leiter zur Aufnahme und Kontakttierung der Kollektorkörper von Planartransistoren vorgesehen sind und die Sprossen der anderen Leiter zur Kontaktierung der Basis- und der Emitterzonen verwendet werden.
8. Verfahren nach Anspruch 7, gekennzeichnet durch die Verwendung eines Kontaktierungsstreifens, dessen für die Kontaktierung der Emitter- und der Basiszonen vorgesehenen Sprossen je eine nach innen ragende Zunge aufweist, die so angeordnet sind, daß die zu einem Bauelement zugeordneten Zungen durch einen schmalen Spalt voneinander getrennt sind und daß beim Umklappen des das Halbleiterbauelement tragenden Leiterteiles die Basis- und die Emitterelektroden mit diesen Zungen in Berührung kommen und mit diesen elektrisch leitend verbunden werden.
9. Verfahren nach Anspruch 7 oder 8, gekennzeichnet durch die Verwendung eines Kontaktierungsstreifens, der die Form zweier über einen gemeinsamen Holm miteinander verbundenen Leitern aufweist, wobei der gemeinsame Holm in der Mitte eine Perforierung aufweist, die ein definiertes Zusammenklappen der beiden Leitern erlaubt.
10. Verfahren nach einem der Ansprüche 7, 8 oder 9, gekennzeichnet durch die Verwendung eines Kontaktierungsstreifens, der die Form zweier über einen gemeinsamen Holm miteinander verbundenen Leitern aufweist, wobei der mittlere Holm in der Mitte perforiert bzw. mit Schlitzen versehen ist und bei dem zwischen den Sprossen die für die Aufnahme der Halbleiterkörper vorgesehen sind ein bis zur Perforierung des mittleren Holmes reichendes Einschnitt vorhanden oder ein Teil des Holmes zwischen je zwei Sprossen bis zur Perforierung entfernt ist.
11. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis
10, dadurch gekennzeichnet, daß die Kontaktierungsstreifen aus einem Metall bestehen, dessen Ausdehnungskoeffizient dem des Halbleitermaterials entspricht, daß die Kontaktierungsstreifen vergoldet werden und an den Stellen, die für die Aufnahme der Halbleiterkörper vorgesehen sind mit einer Lotschicht bedeckt werden.
12. Verfahren nach einem der Ansprüche 7 bis
11, gekennzeichnet durch die Verwendung eines Kontaktierungsstreifens für Planartransistoren, wobei auf dem einen leiterförmigen Teil des Kontaktierungsstreifens je eine Sprosse für die Aufnahme des Halbleiterkörpers vorgesehen ist, während auf dem anderen leiterförmigen Teil des Kontaktierungsstreifens jeweils zwei mit Kontaktierungszungen versehene Sprossen zur Kontaktierung der Emitter- und der Basiszone vorhanden sind.
13. Verfahren nach einem der Ansprüche 7 bis
12, dadurch gekennzeichnet, daß die Halbleiter-
3 4
körper der Planartransistoren serienweise auf die Schaltungen, bei dem die Halbleiterkörper mit ihrer
zugeordneten Sprossen der einen Leiter aufgelö- einen Oberflächenseite auf Zungen oder Sprossen
tet werden, daß anschließend der äußere, diese eines Kontaktierungsstreif ens elektrisch leitend befe-
Sprossen miteinander verbindende Holm der Lei- stigt werden und bei dem die die Sprossen und/oder
ter entfernt wird, daß jede mit einem Halbleiter- 5 Zungen verbindenden Teile der Kontaktierungsstrei-
körper versehene Sprosse um 180° um die Per- fen nach dem Eingießen der Halbleiterbauelemente
forierung im mittleren Holm auf die andere und der Kontaktstellen in einen Isolierstoff derart
Leiter geklappt wird und die übrigen Elektroden abgetrennt werden, daß aus dem Isolierstoff heraus-
des Halbleiterkörpers mit den zugeordneten Zun- ragende Teile der Zungen oder Sprossen als Elektro-
gen oder Sprossen dieser Leiter durch Löten oder io denzuleitungen verbleiben.
Thermokompression elektrisch leitend verbunden Aus der GB-PS 1 026 300 ist ein Kontaktierungswerden, daß der andere äußere Holm des Kon- verfahren bekannt, bei dem ein Kontaktierungsstreitaktierungsstreifens entfernt und die Halbleiter- fen verwendet wird, mit dessen Anschlußstellen die körper zusammen mit den Kontaktierungsstellen Elektroden der Halbleiteranordnung über dünne Zuin einen Isolierstoff eingebettet werden, und daß 15 leitungsdrähte elektrisch leitend verbunden werden,
dann durch Abtrennen des ursprünglich mittleren Ferner ist aus der DT-AS 1 077 790 ein für geHolmes des Kontaktierungsstreif ens die Halb- zogene Transistoren geeignetes Kontaktierungsverleiterbauelemente separiert und ihre Elektroden fahren bekannt. Das in dieser Entgegenhaltung angeelektrisch voneinander isoliert werden, gebene Kontaktierungsverfahren eignet, sich jedoch
14. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 20 nicht für die Kontaktierung von Planartransistoren 13, dadurch gekennzeichnet, daß die Kontaktie- und integrierten Schaltungen.
rungsstreifen aus einem Metallband ausgestanzt In der jüngsten Zeit wurden mehrfach Überlegun-
werden. gen angestellt, wie bei der heute üblichen Serien-
15. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis fertigung von Dioden, Transistoren und integrierten 13, dadurch gekennzeichnet, daß die Kontaktie- 25 Schaltungen das Kontaktierungsverfahren so vereinrungsstreifen mit Hilfe der Photoätztechnik aus facht werden kann, daß eine halb- oder vollautoeinem Metallband hergestellt werden. matische Bearbeitung der Halbleiterbauelemente
16. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis möglich ist.
15, dadurch gekennzeichnet, daß in die Holme So wurde beispielsweise ein leiterförmiger Kontakder Kontaktierungsstreifen Lochaussparungen 30 tierungsstreifen vorgeschlagen, auf dem eine Vielzahl zum Transport der Streifen in den Fertigungsge- von Planartransistoren kontaktiert werden können, raten eingebracht werden. Dabei weist der Kontaktierungsstreifen für jeden zu
17. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis kontaktierende Bauelement so viele Sprossen auf, wie
16, dadurch gekennzeichnet, daß während der zu kontaktierende Elektroden vorhanden sind. Der Kontaktierung der Halbleiterkörper die Sprossen 35 Halbleiterkörper wird auf eine der Sprossen aufgelö- oder Zungen des Kontaktierungsstreif ens gegen tet, und seine Elektroden werden mit benachbarten die Elektroden des Halbleiterkörpers gepreßt Sprossen mittels dünner Zuleitungsdrähte elektrisch werden. leitend verbunden. Nach der vollständigen Kontakt-
18. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis tierung werden die die Sprossen verbindenden Teile
17, gekennzeichnet durch die Verwendung eines 40 des Kontaktierungsstreifens abgetrennt; die Bauele-Kontaktierungsstreifens, der die Form zweier mente werden zuvor entweder in einen Isolierstoff über einen gemeinsamen Holm miteinander eingegossen, oder die mit dem Bauelement verbundeverbundenen Leitern aufweist, wobei die Spros- nen Kontaktierungssprossen werden auf Sockelsen der einen Leiter, die zur Auf nähme der Halb- Durchführungen herkömmlicher Gehäusesockel aufleiterkörper vorgesehen sind, nur über den mittle- 45 geschweißt. Bei diesem an sich vorteilhaften Verfahren Holm miteinander verbunden sind. ren wird die Kollektorzone zwar bereits beim Auflö-
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