DE1564867B2 - Verfahren zum Kontaktieren von Dioden, Planartransistoren und integrierten Schaltungen - Google Patents
Verfahren zum Kontaktieren von Dioden, Planartransistoren und integrierten SchaltungenInfo
- Publication number
- DE1564867B2 DE1564867B2 DE1564867A DE1564867A DE1564867B2 DE 1564867 B2 DE1564867 B2 DE 1564867B2 DE 1564867 A DE1564867 A DE 1564867A DE 1564867 A DE1564867 A DE 1564867A DE 1564867 B2 DE1564867 B2 DE 1564867B2
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- contacting
- rungs
- contact
- tongues
- semiconductor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 35
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 75
- 210000002105 tongue Anatomy 0.000 claims description 37
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 claims description 19
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 12
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 9
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 8
- 238000005476 soldering Methods 0.000 claims description 5
- 239000011324 bead Substances 0.000 claims description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 3
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 claims description 2
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 5
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 4
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 3
- 239000002800 charge carrier Substances 0.000 description 2
- 229910001092 metal group alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 235000003332 Ilex aquifolium Nutrition 0.000 description 1
- 241000209027 Ilex aquifolium Species 0.000 description 1
- 241001465754 Metazoa Species 0.000 description 1
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 239000003292 glue Substances 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 238000004080 punching Methods 0.000 description 1
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 1
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/34—Strap connectors, e.g. copper straps for grounding power devices; Manufacturing methods related thereto
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/48—Manufacture or treatment of parts, e.g. containers, prior to assembly of the devices, using processes not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326
- H01L21/4814—Conductive parts
- H01L21/4821—Flat leads, e.g. lead frames with or without insulating supports
- H01L21/4842—Mechanical treatment, e.g. punching, cutting, deforming, cold welding
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
- H01L23/495—Lead-frames or other flat leads
- H01L23/49541—Geometry of the lead-frame
- H01L23/49562—Geometry of the lead-frame for devices being provided for in H01L29/00
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/93—Batch processes
- H01L24/95—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
- H01L24/97—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips the devices being connected to a common substrate, e.g. interposer, said common substrate being separable into individual assemblies after connecting
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/00014—Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01005—Boron [B]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01006—Carbon [C]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01013—Aluminum [Al]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01033—Arsenic [As]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01079—Gold [Au]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01082—Lead [Pb]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/14—Integrated circuits
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T29/00—Metal working
- Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
- Y10T29/49002—Electrical device making
- Y10T29/49117—Conductor or circuit manufacturing
- Y10T29/49121—Beam lead frame or beam lead device
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Thyristors (AREA)
Description
19. Verfahren nach Anspruch 18, dadurch ge- ten der Halbleiterkörper kontaktiert, die Emitterkennzeichnet,
daß die zur Aufnahme der Halb- und die Basiselektroden müssen jedoch, wie bisher,
leiterkörper vorgesehenen Sprossen zweifach ent- mit dünnen Zuleitungsdrähten mit den zugeordneten
gegengesetzt abgewinkelt werden, und daß auf 50 Sprossen verbunden werden. Dies bedeutet, daß zwar
den parallel zur Streifenebene verlaufenden, ab- das Auflöten der Halbleiterbauelemente unter 11mgewinkelten
Teil der Sprossen die Halbleiterkör- ständen vollautomatisch erfolgen kann, zur Kontakper
aufgelötet werden. tierung der Emitter- und der Basiselektroden sind
20. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis aber nach wie vor Arbeitskräfte notwendig, die die
19, dadurch gekennzeichnet, daß entweder an 55 Kontaktierung dieser Elektroden mit Hilfe der midem
die Halbleiterkörper schützenden Isolierstoff kroskopischen Beobachtung durchführen. So muß
oder an den aus dem Isolierstoff herausragenden also jedes Element einzeln, manuell kontaktiert wer-Sprossen
eine Markierung angebracht wird, die den, wodurch sowohl ein hoher Personalbestand,
die Anordnung der Elektroden kennzeichnet. eine Vielzahl von Geräten, als auch ein relativ großer
60 Zeitaufwand erforderlich wird.
Da die äußerst feinen Zuleitungsdrähte zwischen den Kontaktierungssprossen und den Elektroden
empfindlich sind und beispielsweise bei einer Beschleunigungsbeanspruchung
leicht reißen können, 65 wurden auch bereits Überlegungen angestellt, wie Halbleiterbauelemente, insbesondere Planartransisto-
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Kontak- ren, drahtfrei kontaktiert werden können. Bei allen
tieren von Dioden, Planartransistoren und integrierten gemachten Vorschlägen wurde vorausgesetzt, daß
alle Elektroden des Halbleiterbauelements auf einer Oberflächenseite des Halbleiterkörpers kontaktiert
werden können. Bei Planartransistoren müssen also sowohl die Kollektorzone wie auch die Basis- und
die Emitterzone auf einer Oberflächenseite des Halbleiterkörpers kontaktiert werden können. Dazu wurden
Halbleiterkörper verwendet, bei denen auf die Halbleiteroberfläche eine Glaspassivierungsschicht aufgebracht
wurde. Anschließend mußten in diese Glasschicht auf photolitographischem Wege Öffnungen
eingebracht werden, durch die in einem elektrolytischen Prozeß eine Metallegierung so auf die Kontaktstellen
der Halbleiterzonen abgeschieden wurden, daß die Kontakte danach halbkugelförmig aus der
Glaspassivierungsschicht herausragen.
Unter der Voraussetzung, daß derartige Halbleiterbauelemente, bei denen die Kontaktstellen über
die Oberfläche des Halbleiterbauelementes herausragen, vorhanden sind, wurde vorgeschlagen, daß auf
die aufbauseitige, aus einem isolierenden Material bestehende Oberfläche eines herkömmlichen Gehäusesockels
so metallsiche Kontaktierungsinseln aufgedampft werden, daß diese mit den Sockeldurchführungen
verbunden, jedoch gegenseitig elektrisch voneinander isoliert sind. Die Kontaktierungsinseln ragen
nun so zur Mitte der Oberfläche des Gehäusesockels, daß das Halbleiterbauelement mit seinen Elektroden
auf diese Inseln aufgelegt und direkt mit diesen verlötet werden kann.
Auch dieses sicherlich vorteilhafte Verfahren weist noch einige Mangel auf. So ist es bei Planartransistoren
aus verschiedenen Gründen günstig, wenn die Kollektorzone auf einer Oberflächenseite kontaktiert
wird, wobei zur Kontaktierung möglichst die ganze Oberflächenseite zur Verfügung steht, während die
Emitter- und die Basiselektrode auf der gegenüberliegenden Oberflächenseite kontaktiert werden. Nur
bei dieser Kontaktierungsweise ist der Weg der Ladungsträger der kürzest mögliche, die Verluste an
Ladungsträgern durch Rekombination an den Oberflächen des Halbleiterbauelementes am kleinsten und
die Wärmeableitung gut. Wenn alle Elektroden an einer Oberflächenseite kontaktiert werden, kann die
Grenzfrequenz und die Stromverstärkung einen bestimmten Wert nicht überschreiten, die Wärmeableitung
ist denkbar schlecht, so daß die Verlustleistung auf ein Minimum beschränkt bleibt.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein Kontaktierungsverfahren für die drahtlose Kontaktierung
von Halbleiteranordnungen anzugeben, das auch für Planarbauelemente geeignet ist, bei denen
die beiden einander gegenüberliegenden Oberflächenseiten des Halbleiterkörpers mit Teilen eines
Kontaktierungsstreifens zu verbinden ist. Diese Aufgabe wird bei einem Verfahren der eingangs beschriebenen
Art erfindungsgemäß dadurch gelöst, daß ein weiterer für die Kontaktierung der auf der
anderen Oberflächenseite der Halbleiterkörper angeordneten Elektroden vorgesehener Kontaktierungsstreifen
so viele nach innen ragende Sprossen oder Zungen aufweist, wie zu kontaktierende Elektroden
auf der Oberfläche der Halbleiterkörper vorhanden sind, und daß dann die Kontaktierungsstreifen so
übereinander geklappt werden, daß alle Elektroden gleichzeitig mit den zugeordneten Zungen oder
Sprossen drahtfrei kontaktiert werden.
. Mit entsprechend ausgebildeten Kontaktierungsstreifen können Dioden, Transistoren und integrierte Schaltungen drahtfrei kontaktiert werden. Wenn der Kontaktierungsstreifen so ausgebildet wird, daß Teile des Streifens definiert auf andere Teile des Kontaktierungsstreifens geklappt werden können, ist nur eine einmalige Einjustierung der Fertigungsgeräte gegenüber den Kontaktierungsstreifen erforderlich, da alle Abstände auf dem Kontaktierungsstreifen sich stets exakt wiederholen, so daß die Halbleiterbauelemente automatisch auf Teile des Kontaktierungsstreifens aufgelötet und die übrigen Elektroden mit anderen Teilen des Kontaktierungsstreifens verbunden werden können, indem man den Streifen an einer genau definierten Stelle zusammenfaltet. Bei den genannten Teilen des Kontaktierungsstreifens handelt es sich um Sprossen, Zungen oder mit dem Streifen verbundenen Zinken. Es ist selbstverständlich, daß ein derartiger Kontaktierungsstreifen in seinen Abmessungen nur äußert kleine Toleranzen aufweisen darf. Deshalb wird es vorteilhaft sein, den Kontaktierungsstreifen mit Hilfe der Masken- und der Photoätztechnik herzustellen. Natürlich kann der Streifen auch aus einem Metallband ausgestanzt werden, wenn die Toleranzen dieser Stanzvorrichtungen klein genug gehalten werden können.
. Mit entsprechend ausgebildeten Kontaktierungsstreifen können Dioden, Transistoren und integrierte Schaltungen drahtfrei kontaktiert werden. Wenn der Kontaktierungsstreifen so ausgebildet wird, daß Teile des Streifens definiert auf andere Teile des Kontaktierungsstreifens geklappt werden können, ist nur eine einmalige Einjustierung der Fertigungsgeräte gegenüber den Kontaktierungsstreifen erforderlich, da alle Abstände auf dem Kontaktierungsstreifen sich stets exakt wiederholen, so daß die Halbleiterbauelemente automatisch auf Teile des Kontaktierungsstreifens aufgelötet und die übrigen Elektroden mit anderen Teilen des Kontaktierungsstreifens verbunden werden können, indem man den Streifen an einer genau definierten Stelle zusammenfaltet. Bei den genannten Teilen des Kontaktierungsstreifens handelt es sich um Sprossen, Zungen oder mit dem Streifen verbundenen Zinken. Es ist selbstverständlich, daß ein derartiger Kontaktierungsstreifen in seinen Abmessungen nur äußert kleine Toleranzen aufweisen darf. Deshalb wird es vorteilhaft sein, den Kontaktierungsstreifen mit Hilfe der Masken- und der Photoätztechnik herzustellen. Natürlich kann der Streifen auch aus einem Metallband ausgestanzt werden, wenn die Toleranzen dieser Stanzvorrichtungen klein genug gehalten werden können.
Mit einem derartigen Kontaktierungsstreifen können insbesondere Planartransistoren kontaktiert werden,
deren Kollektorzone auf der einen Oberflächenseite und deren Emitter- und Basiselektroden auf der
gegenüberliegenden Oberflächenseite zu kontaktieren sind. Da der Halbleiterkörper mit seiner Kollektorzone
auf eine Sprosse oder eine Zunge des Kontaktierungsstreifens aufgelötet wird, ist eine gute Wärmeableitung,
eine hohe Stromverstärkung und eine hohe Grenzfrequenz gewährleistet. Da zur Kontaktierung
der Emitter- und der Basiselektrode gleichfalls Sprossen, Sprossenteile oder Zungen auf dem Kontaktierungsstreifen
vorgesehen sind, eignet sich das Kontaktierungsverfahren besonders für Planartransistoren,
deren Emitter- und Basiselektrode aus dem Halbleiterkörper, beispielsweise halbkugelförmig
herausragen. Dazu werden die Emitter- und die Basiszone auf der Oberfläche des Halbleiterkörpers
mit Metallkontakten versehen, dann wird die Oberfläche mit einer Glaspassivierungsschicht bedeckt, in
die über den Halbleiterzonen auf photolithographischem Weg öffnungen eingebracht werden, in die
dann elektrolytisch Kontaktmaterial aus einem Metall oder einer Metallegierung abgeschieden werden,
das über die Oberfläche der Glaspassivierungsschicht oder einer anderen Isolierschicht hochragt.
Mit dem erfindungsgemäßen Verfahren können aber auch Planartransistoren kontaktiert werden, deren
Emitter- und Basiskontakt über auf dem Halbleiterkörper verlaufenden Leitbahnen mit metallisch
belegten Isolierstoffpodesten auf der Oberfläche des Halbleiterkörpers verbunden sind. Dann wird man in
die Sprossen oder Zungen, die mit diesen auf Podesten befindlichen Kontaktflächen verbunden werden
sollen, vorteilhafterweise Sicken derart einpressen, daß auf der den Kontaktflächen des Halbleiterbauelementes
zugewandten Oberfläche der Zungen oder Sprossen Erhebungen entstehen, die mit Hilfe des
Thermokompressionsverfahrens mit den Kontaktstellen auf den Isolierstoffpodesten verbunden werden.
Die Halbleiterbauelemente und ihre Kontaktstellen werden vorteilhafterweise vor dem Abtrennen der
die Sprossen oder Zungen des Kontaktierungsstreifens verbindenden Teile in einen Isolierstoff, bei-
spielsweise in Gießharz eingebettet. Erst danach werden die Bauelemente vereinzelt. Die aas dem Isolierstoff
herausragenden Streifenteile können als Elektrodenzuleitungen verwendet werden; in diesem Fall
handelt es sich um gehäuselose Subminiaturtransistoren, oder man verbindet diese Streifenteile mit den
zugeordneten Sockeldurchführungen eines Gehäusesockels zur Herstellung handelsüblicher, in Gehäuse
eingebauter Halbleiterbauelemente.
Die Erfindung soll noch an Hand eines Ausführungsbeispiels näher erläutert werden. Die
Fig. 1 und 2 zeigen zwei unterschiedlich gebaute
Kontaktierungsstreifen für Planartransistoren; in den weiteren
Fig.3 bis 15 sind verschiedene Fertigungsphasen
dargestellt.
Die F i g. 1 zeigt einen Kontaktierungsstreifen zum Aufbau von Planartransistoren, der die Form zweier
über einen gemeinsamen Holm 1 miteinander verbundenen Leitern 2 und 3 aufweist. Dabei dienen die
Sprossen 4 der Leiter 3 zur Aufnahme und Kontaktierung der Kollektorkörper 5 von Planartransistoren.
Der Kontaktierungsstreifen weist zur Erhöhung der Stabilität des dünnen Blechstreifens zwei äußere
Holme 6 und 7 auf, über die die Sprossen der beiden Leitern miteinander verbunden sind.
Auf der Leiter 2 sind für jedes zu kontaktierende Bauelement zwei Sprossen 8 und 9 vorgesehen, die
zur Kontaktierung der Basis- und der Emitterelektrode 10 und 11 des Transistorelementes verwendet
werden. Die beiden Sprossen 8 und 9 besitzen je eine nach innen ragende Zunge 12 bzw. 13, die nur durch
einen schmalen Spalt 14 voneinander getrennt und so angeordnet sind, daß beim Umklappen der Leiter 3
auf die Leiter 2 um 180° die Basis- und Emitterelektroden 10 bzw. 11 mit den Zungen 12 und 13 in Berührung
kommen und mit diesen elektrisch leitend verbunden werden.
Der mittlere Holm 1 des Kontaktierungsstreifens wurde so bearbeitet, daß die Mitte dieses Holmes
die Achse beim Zusammenklappen der Streifenteile bildet. Dazu wurde die Holmmitte mit einer Perforierung
versehen. Diese Perforierung kann in Form hintereinandergereihter, kleiner Löcher oder, wie die
Figuren zeigen, in Form sich wiederholender, schmaler Schlitze 15 ausgebildet sein. Zwischen je zwei
Sprossen 4 der Leiter 3 wurde ein Teil 16 des mittleren Holmes bis zur Holmmitte bzw. bis zur
Perforierung entfernt, um jede mit einem Bauelement 5 versehene Sprosse 4 einzeln auf den anderen
Streifenteil klappen zu können. Die Holme 1, 6 und 7 des Kontaktierungsstreifens sind mit Lochaussparungen
17 versehen, die vor allem zum Transport der Streifen in den halb- oder vollautomatischen Fertigungsgeräten
dienen. Die Löcher 17 befinden sich in gegenüber den Sprossen genau definierten Positionen,
so daß beispielsweise beim Aufsetzen der mit einer Saugpinzette antransportierten Halbleiterkörper
diese stets an der gleichen Stelle der Sprosse 4 aufgelötet werden.
Die F i g. 2 zeigt einen etwas anders ausgebildeten Kontaktierungsstreifen, bei dem auf den Holmen 7
(F i g. 1) verzichtet wurde. Die an ihrem einen Ende freien Zungen oder Zinken 18 sind zweifach entgegengesetzt
abgewinkelt, so daß der am Ende der Zinken 18 liegende, für die Aufnahme der Halbleiterkörper
5 vorgesehene Zinkenteile 19 zwar parallel zur eigentlichen Streifenebene verläuft, aber etwas
um die Höhe des Halbleiterkörpers 5 unter dessen Niveau liegt. Wenn nun die Halbleiterkörper 5 auf
den abgewinkelten Teilen 19 der Zinken 18 aufgelötet worden sind, ragen nur die Anschlußstellen für
die Emitter- und die Basiselektrode über die eigentliche Streifenebene. In die Zungen 12 und 13 der
Leiter 2 sind Sicken 20 eingepreßt, die beim Umklappen der Zinken 18 auf die Leiter 2 auf die Kontaktstellen
zu liegen kommen und an diese angelötet
ίο bzw. durch Thermokompression mit diesen verbunden
werden. Der Kontaktierungsstreifen nach F i g. 2 weist einen durchgehenden, überall gleichmäßig breiten,
mittleren Holm 1 auf, der in der Mitte wiederum eine eingeätzte oder eingeschnittene Perforierung
15 besitzt. Man kann also nach dem Auflöten der Halbleiterkörper auf die Zinken 18 entweder den
ganzen Kontaktierungsstreifen an der Perforierung 15 zusammenklappen, oder es wird nachträglich zwischen
je zwei Zinken 18 ein bis zur Perforierung reichender Einschnitt eingebracht, wodurch die Zinken
18 einzeln auf die zugeordneten Teile der Leiter 2 geklappt werden können.
Eine weitere Möglichkeit besteht darin, daß, gemäß F i g. 3, zwischen je zwei Zinken bzw. Zungen
18 ein bis zur Perforierung reichendes Stück 21 aus dem Kontaktierungsstreifen herausgeschnitten oder
herausgeätzt wird.
Der Kontaktierungsstreifen besteht vorteilhafterweise aus einem Metall, dessen Ausdehnungskoeffizient
dem des Halbleitermaterials entspricht. Ferner werden die Kontaktierungsstreifen vorteilhafterweise
vergoldet und an den Stellen der Kontaktierungssprossen oder -zinken, die für die Aufnahme der
Halbleiterkörper vorgesehen sind, mit einer Lotschicht bedeckt.
In einem ersten Fertigungsautomaten werden also die vorsortierten Halbleiterkörper auf Sprossen 4
bzw., auf Kontaktierungszinken oder -zungen 18 aufgesetzt und in einer Wärmezone des Fertigungsgerätes
auf diesen Streifenteil aufgelötet. Geht man von einem Kontaktierungsstreifen nach F i g. 1 aus, so
wird nach dem Auflöten der Halbleiterkörper, gemäß Fig.4, der zur Stabilisierung des Kontaktierungsstreifens
verwendete äußere Holm 7 vom Kontaktierungsstreifen abgetrennt. Dieser Arbeitsgang kann
gleich allen bisherigen und weiterhin erforderlichen Arbeitsgängen vollautomatisch erfolgen. Anschließend
werden, wie F i g. 5 zeigt, die Sprossen 4 in Pfeilrichtung oder, wie die Fig.6 zeigt, die abgewinkelten
Zinken 18 auf die Leiter 2 mit Hilfe einer geeigneten Klappvorrichtung um die durch die Perforierung
gebildete Achse auf dem mittleren Holm 1 geklappt, so daß die Emitter- und die Basiselektrode,
wie die F i g. 7 und 8 zeigen, mit den Zungen 12 und 13 der Sprossen 8 und 9 in Berührung kommen. Anschließend
wird beispielsweise gegen die Unterseite der Zungen 12 und 13 ein geheizter Stempel gepreßt,
der die Kontaktierungsteile derart erhitzt, daß die Elektroden des Halbleiterbauelementes mit den Zungen
12 und 13 des Kontaktierungsstreifens verlötet werden. Dabei wird vorteilhafterweise gleichzeitig
von oben ein Beschwerungsstempel auf die Sprossen 4 oder auf die Zinkenteile 19 zur Erzeugung
eines Gegendruckes aufgesetzt. In einem anderen Fall können die Zungen 12 und 13 bei einer bestimmten
Temperatur, die unter der Löttemperatur liegt, mit geeigneten Nadeln oder Stiften derart gegen
die Kontaktierungsstellen auf den Halbleiterkörpern
409 534/312
9 10
gepreßt werden, daß eine Kaltschweißung bzw. eine eingebaut werden, die sich aus auf eine Keramik-Thermokompressionsverbindung
zustande kommt. platte aufgedampften Widerständen, Kondensatoren Die übereinanderliegenden Teile des ursprünglich und anderen Bauelementen zusammensetzt. Dazu
mittleren Holmes 1 können zusammengepreßt, ge- werden die Elektrodenzuleitungen 4, 8 und 9 so abgeklemmt,
— geschweißt — oder gelötet werden, so 5 winkelt, daß sie mit auf der Platte befindlichen, zudaß
ein Auffedern des Kontaktierungsstreifens un- geordneten Leitbahnen verlötet oder verschweißt
möglich wird. werden können.
Danach wird, gemäß den Fig. 9 und 10, der au- Fig. 15 zeigt, wie ein Subminiaturtransistor 30
ßere Holm 6 abgetrennt oder abgeätzt, so daß die nach Fig. 14 in ein herkömmliches Gehäuse einge-Kontaktierungsteile
an ihrem freien Ende nicht mehr io baut wird. Der Gehäusesockel 24 weist drei Sockelkurzgeschlossen sind. Die Halbleiterkörper werden durchführungen 26, 27 und 28 auf, an deren aufbaudann
zusammen mit den Kontaktierungsstellen in seitigen Enden die abgewinkelten Elektrodenzulei-Kunststoff
eingebettet. Dazu wird der ganze Kontak- tungen 4, 8 und 9 des Subminiaturtransistors angetierungsstreifen
mit den freien Enden der Kontaktie- schweißt werden. Anschließend wird das System
rungssprossen in eine mit flüssigem Kunststoff, bei- 15 noch mit einer Gehäusekappe verschlossen,
spielsweise Gießharz, gefüllte Rinne getaucht. Nach Das erfindungsgemäße Verfahren kann auch zur dem Aushärten des Kunststoffes bildet sich eine den Kontaktierung anderer Halbleiterbauelemente ange-Fig. 11 und 12 entsprechende Anordnung, bei der wandt werden. Zur Kontaktierung von Dioden wird die empfindlichen Teile der Halbleiterelemente prak- jede der einen Kontaktierungsstreifen bildenden Leitisch unzerstörbar von einem Isolierstoff 22 umgeben 20 tern nur eine Sprosse, eine Zunge oder einen Zinken sind. zur Kontaktierung je einer Elektrode der Dioden
spielsweise Gießharz, gefüllte Rinne getaucht. Nach Das erfindungsgemäße Verfahren kann auch zur dem Aushärten des Kunststoffes bildet sich eine den Kontaktierung anderer Halbleiterbauelemente ange-Fig. 11 und 12 entsprechende Anordnung, bei der wandt werden. Zur Kontaktierung von Dioden wird die empfindlichen Teile der Halbleiterelemente prak- jede der einen Kontaktierungsstreifen bildenden Leitisch unzerstörbar von einem Isolierstoff 22 umgeben 20 tern nur eine Sprosse, eine Zunge oder einen Zinken sind. zur Kontaktierung je einer Elektrode der Dioden
Gemäß der Fig. 13 wird anschließend der die aufweisen. Zur Kontaktierung von integrierten Schal-Sprossen
4, 8 und 9 verbindende Holm 1 abge- tungen muß das Halbleiterbauelement in etwa der
trennt, so daß die Elektroden des Halbleiterkörpers Mitte einer Kontaktierungssprosse auf der einen Leivollständig
voneinander isoliert und über die aus 25 ter aufgesetzt werden, während die andere, den Kondem
Isolierstoff herausragenden Teile des Kontaktie- taktierungsstreifen ergänzende Leiter, zur Kontaktierungsstreifens
zugänglich sind. Noch während die rung der Elektroden so viele nach innen ragende
Elemente durch den sie verbindenden Kunststoff zu- Sprossen oder an Sprossen angebrachte Zungen aufsammengehalten
werden, können die Halbleiterbau- weist, wie zu kontaktierende Elektroden vorhanden
elemente gemessen und gekennzeichnet werden. Ein 30 sind, so daß beim Zusammenklappen der Streifenin
Fig. 14 vorliegendes, von den übrigen Transisto- teile alle Kontaktstellen gleichzeitig und drahtfrei
ren separiertes Einzelelement 30 bildet einen einsatz- kontaktiert werden. Auch dann werden die Halbfähigen, gehäuselosen Subminiaturtransistor, dessen leiterbauelemente und die Kontaktstellen in einen
Elektrodenzuleitung 9 durch einen Schrägschnitt 23 Isolierstoff eingegossen, und die aus dem Isolierstoff
gekennzeichnet ist. Durch diese oder eine andere 35 herausragenden Streifenteile können als Elektroden-Kennzeichnung
läßt sich leicht erkennen, welche Zuleitungen verwendet werden, wobei wiederum eine
Elektrodenzuleitung zu einer der Elektroden des Markierung der Zuleitungen oder auf dem Isolier-Transistors
gehört. Die in F i g. 14 dargestellten Sub- stoff die Orientierung bei der Verwendung der Schalminiaturtransistoren
30 können auch in Schaltungen rung erleichtert.
Hierzu 8 Blatt Zeichnungen
Claims (18)
1. Verfahren zum Kontaktieren von Dioden, Planartransistoren und integrierten Schaltungen,
bei dem die Halbleiterkörper mit ihrer einen Oberflächenseite auf Zungen oder Sprossen eines
Kontaktierungsstreifens elektrisch leitend befestigt werden und bei dem die die Sprossen und/oder
Zungen verbindenden Teile der Kontaktierungsstreifen nach dem Eingießen der Halbleiterbauelemente
und der Kontaktstellen in einen Isolierstoff derart abgetrennt werden, daß aus dem Isolierstoff
herausragende Teile der Zungen oder Sprossen als Elektrodenzuleitungen verbleiben,
dadurch gekennzeichnet, daß ein weiterer, für die Kontaktierung der auf der anderen
Oberflächenseite der Halbleiterkörper angeordneten Elektroden vorgesehener Kontaktierungsstreifen
so viele nach innen ragende Sprossen oder Zungen aufweist, wie zu kontaktierende Elektroden
auf der Oberflächenseite der Halbleiterkörper vorhanden sind, und daß dann die Kontaktierungsstreifen
so übereinander geklappt werden, daß alle Elektroden gleichzeitig mit den zugeordneten
Zungen oder Sprossen drahtfrei kontaktiert werden.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß zur Kontaktierung einer integrierten
Schaltung der die integrierte Schaltung enthaltende Halbleiterkörper etwa in der Mitte
einer Kontaktierungssprosse auf der einen Kontaktierungsleiter befestigt wird, und daß die andere
Kontaktierungsleiter, die eine der Elektrodenzahl entsprechende Anzahl von nach innen
ragenden Zungen oder Sprossen aufweist so über die erste Leiter geklappt wird, daß alle Kontaktstellen
auf dem Halbleiterkörper gleichzeitig und drahtfrei mit den Zungen oder Sprossen kontaktiert
werden.
3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß nach dem Vereinzeln der in
einen Isolierstoff eingebetteten Halbleiterbauelemente die aus dem Isolierstoff herausragenden
Streifenteile mit den Sockeldurchführungen eines Gehäusesockels elektrisch leitend verbunden werden.
4. Verfahren nach Anspruch 1, gekennzeichnet durch seine Verwendung zur Kontaktierung von
Planartransistoren, deren Kollektorzonen auf der einen Oberflächenseite des Halbleiterkörpers zu
kontaktieren ist, während die Basis- und die Emitterelektrode auf der gegenüberliegenden
Oberflächenseite halbkugelförmig aus dem Halbleiterkörper herausragen.
5. Verfahren nach Anspruch 1, gekennzeichnet durch seine Verwendung zur Kontaktierung von
Planartransistoren, deren Emitter- und Basiskontakt über auf dem Halbleiterkörper verlaufenden
Leitbahnen mit metallisch belegten Isolierstoffpodesten auf der Oberfläche des Halbleiterkörpers
verbunden sind.
6. Verfahren nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß in die Zungen oder Sprossenteile
des Kontaktierungsstreifens, die mit dem Emitter- und dem Basiskontakt der Halbleiterbauelemente
elektrisch leitend zu verbinden sind, derart Sicken eingebracht werden, daß auf der
den Kontaktierungsstellen des Halbleiterbauelementes zugewandten Oberfläche der Zungen oder
Sprossen Erhebungen entstehen, die durch Thermokompression mit den Kontaktierungsstellen
verbunden werden.
7. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 6, gekennzeichnet durch die Verwendung eines
Kontaktierungsstreifens, der die Form zweier über einen gemeinsamen Holm miteinander verbundenen
Leitern aufweist, wobei die Sprossen der einen Leiter zur Aufnahme und Kontakttierung
der Kollektorkörper von Planartransistoren vorgesehen sind und die Sprossen der anderen
Leiter zur Kontaktierung der Basis- und der Emitterzonen verwendet werden.
8. Verfahren nach Anspruch 7, gekennzeichnet durch die Verwendung eines Kontaktierungsstreifens,
dessen für die Kontaktierung der Emitter- und der Basiszonen vorgesehenen Sprossen je
eine nach innen ragende Zunge aufweist, die so angeordnet sind, daß die zu einem Bauelement
zugeordneten Zungen durch einen schmalen Spalt voneinander getrennt sind und daß beim Umklappen
des das Halbleiterbauelement tragenden Leiterteiles die Basis- und die Emitterelektroden
mit diesen Zungen in Berührung kommen und mit diesen elektrisch leitend verbunden werden.
9. Verfahren nach Anspruch 7 oder 8, gekennzeichnet durch die Verwendung eines Kontaktierungsstreifens,
der die Form zweier über einen gemeinsamen Holm miteinander verbundenen
Leitern aufweist, wobei der gemeinsame Holm in der Mitte eine Perforierung aufweist, die ein definiertes
Zusammenklappen der beiden Leitern erlaubt.
10. Verfahren nach einem der Ansprüche 7, 8 oder 9, gekennzeichnet durch die Verwendung
eines Kontaktierungsstreifens, der die Form zweier über einen gemeinsamen Holm miteinander
verbundenen Leitern aufweist, wobei der mittlere Holm in der Mitte perforiert bzw. mit
Schlitzen versehen ist und bei dem zwischen den Sprossen die für die Aufnahme der Halbleiterkörper
vorgesehen sind ein bis zur Perforierung des mittleren Holmes reichendes Einschnitt vorhanden
oder ein Teil des Holmes zwischen je zwei Sprossen bis zur Perforierung entfernt ist.
11. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis
10, dadurch gekennzeichnet, daß die Kontaktierungsstreifen aus einem Metall bestehen, dessen
Ausdehnungskoeffizient dem des Halbleitermaterials entspricht, daß die Kontaktierungsstreifen
vergoldet werden und an den Stellen, die für die Aufnahme der Halbleiterkörper vorgesehen sind
mit einer Lotschicht bedeckt werden.
12. Verfahren nach einem der Ansprüche 7 bis
11, gekennzeichnet durch die Verwendung eines Kontaktierungsstreifens für Planartransistoren,
wobei auf dem einen leiterförmigen Teil des Kontaktierungsstreifens je eine Sprosse für die Aufnahme
des Halbleiterkörpers vorgesehen ist, während auf dem anderen leiterförmigen Teil des
Kontaktierungsstreifens jeweils zwei mit Kontaktierungszungen versehene Sprossen zur Kontaktierung
der Emitter- und der Basiszone vorhanden sind.
13. Verfahren nach einem der Ansprüche 7 bis
12, dadurch gekennzeichnet, daß die Halbleiter-
3 4
körper der Planartransistoren serienweise auf die Schaltungen, bei dem die Halbleiterkörper mit ihrer
zugeordneten Sprossen der einen Leiter aufgelö- einen Oberflächenseite auf Zungen oder Sprossen
tet werden, daß anschließend der äußere, diese eines Kontaktierungsstreif ens elektrisch leitend befe-
Sprossen miteinander verbindende Holm der Lei- stigt werden und bei dem die die Sprossen und/oder
ter entfernt wird, daß jede mit einem Halbleiter- 5 Zungen verbindenden Teile der Kontaktierungsstrei-
körper versehene Sprosse um 180° um die Per- fen nach dem Eingießen der Halbleiterbauelemente
forierung im mittleren Holm auf die andere und der Kontaktstellen in einen Isolierstoff derart
Leiter geklappt wird und die übrigen Elektroden abgetrennt werden, daß aus dem Isolierstoff heraus-
des Halbleiterkörpers mit den zugeordneten Zun- ragende Teile der Zungen oder Sprossen als Elektro-
gen oder Sprossen dieser Leiter durch Löten oder io denzuleitungen verbleiben.
Thermokompression elektrisch leitend verbunden Aus der GB-PS 1 026 300 ist ein Kontaktierungswerden,
daß der andere äußere Holm des Kon- verfahren bekannt, bei dem ein Kontaktierungsstreitaktierungsstreifens
entfernt und die Halbleiter- fen verwendet wird, mit dessen Anschlußstellen die körper zusammen mit den Kontaktierungsstellen Elektroden der Halbleiteranordnung über dünne Zuin
einen Isolierstoff eingebettet werden, und daß 15 leitungsdrähte elektrisch leitend verbunden werden,
dann durch Abtrennen des ursprünglich mittleren Ferner ist aus der DT-AS 1 077 790 ein für geHolmes des Kontaktierungsstreif ens die Halb- zogene Transistoren geeignetes Kontaktierungsverleiterbauelemente separiert und ihre Elektroden fahren bekannt. Das in dieser Entgegenhaltung angeelektrisch voneinander isoliert werden, gebene Kontaktierungsverfahren eignet, sich jedoch
dann durch Abtrennen des ursprünglich mittleren Ferner ist aus der DT-AS 1 077 790 ein für geHolmes des Kontaktierungsstreif ens die Halb- zogene Transistoren geeignetes Kontaktierungsverleiterbauelemente separiert und ihre Elektroden fahren bekannt. Das in dieser Entgegenhaltung angeelektrisch voneinander isoliert werden, gebene Kontaktierungsverfahren eignet, sich jedoch
14. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 20 nicht für die Kontaktierung von Planartransistoren
13, dadurch gekennzeichnet, daß die Kontaktie- und integrierten Schaltungen.
rungsstreifen aus einem Metallband ausgestanzt In der jüngsten Zeit wurden mehrfach Überlegun-
werden. gen angestellt, wie bei der heute üblichen Serien-
15. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis fertigung von Dioden, Transistoren und integrierten
13, dadurch gekennzeichnet, daß die Kontaktie- 25 Schaltungen das Kontaktierungsverfahren so vereinrungsstreifen
mit Hilfe der Photoätztechnik aus facht werden kann, daß eine halb- oder vollautoeinem
Metallband hergestellt werden. matische Bearbeitung der Halbleiterbauelemente
16. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis möglich ist.
15, dadurch gekennzeichnet, daß in die Holme So wurde beispielsweise ein leiterförmiger Kontakder
Kontaktierungsstreifen Lochaussparungen 30 tierungsstreifen vorgeschlagen, auf dem eine Vielzahl
zum Transport der Streifen in den Fertigungsge- von Planartransistoren kontaktiert werden können,
raten eingebracht werden. Dabei weist der Kontaktierungsstreifen für jeden zu
17. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis kontaktierende Bauelement so viele Sprossen auf, wie
16, dadurch gekennzeichnet, daß während der zu kontaktierende Elektroden vorhanden sind. Der
Kontaktierung der Halbleiterkörper die Sprossen 35 Halbleiterkörper wird auf eine der Sprossen aufgelö-
oder Zungen des Kontaktierungsstreif ens gegen tet, und seine Elektroden werden mit benachbarten
die Elektroden des Halbleiterkörpers gepreßt Sprossen mittels dünner Zuleitungsdrähte elektrisch
werden. leitend verbunden. Nach der vollständigen Kontakt-
18. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis tierung werden die die Sprossen verbindenden Teile
17, gekennzeichnet durch die Verwendung eines 40 des Kontaktierungsstreifens abgetrennt; die Bauele-Kontaktierungsstreifens,
der die Form zweier mente werden zuvor entweder in einen Isolierstoff über einen gemeinsamen Holm miteinander eingegossen, oder die mit dem Bauelement verbundeverbundenen
Leitern aufweist, wobei die Spros- nen Kontaktierungssprossen werden auf Sockelsen
der einen Leiter, die zur Auf nähme der Halb- Durchführungen herkömmlicher Gehäusesockel aufleiterkörper
vorgesehen sind, nur über den mittle- 45 geschweißt. Bei diesem an sich vorteilhaften Verfahren
Holm miteinander verbunden sind. ren wird die Kollektorzone zwar bereits beim Auflö-
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DET0031493 | 1966-06-30 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE1564867A1 DE1564867A1 (de) | 1969-12-11 |
DE1564867B2 true DE1564867B2 (de) | 1974-08-22 |
DE1564867C3 DE1564867C3 (de) | 1975-04-10 |
Family
ID=7556358
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE1564867A Expired DE1564867C3 (de) | 1966-06-30 | 1966-06-30 | Verfahren zum Kontaktieren von Dioden, Planartransistoren und integrierten Schaltungen |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US3494022A (de) |
DE (1) | DE1564867C3 (de) |
Families Citing this family (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE1800192C3 (de) * | 1968-10-01 | 1975-04-30 | Telefunken Patent | Verfahren zum serienmäßigen Herstellen von Halbleiteranordnungen und Verwendung des Verfahrens zur Kontaktierung scheibenförmiger Halbleiterkörper |
AU2788671A (en) * | 1970-05-13 | 1972-10-26 | Itt Industries, Inc | Bridge rectifiers |
NL7018378A (de) * | 1970-12-17 | 1972-06-20 | ||
US3839782A (en) * | 1972-03-15 | 1974-10-08 | M Lincoln | Method for using a lead frame for the manufacture of electric devices having semiconductor chips placed in a face-to-face relation |
US3839783A (en) * | 1972-07-12 | 1974-10-08 | Rodan Ind Inc | Thermistor manufacturing method |
DE2259133C3 (de) * | 1972-12-02 | 1982-03-11 | Licentia Patent-Verwaltungs-Gmbh, 6000 Frankfurt | Verfahren zum Kontaktieren einer Halbleiteranordnung und Anwendung des Verfahrens |
JPS571896B2 (de) * | 1973-04-06 | 1982-01-13 | ||
US3950140A (en) * | 1973-06-11 | 1976-04-13 | Motorola, Inc. | Combination strip frame for semiconductive device and gate for molding |
US3936928A (en) * | 1973-10-04 | 1976-02-10 | Motorola, Inc. | Method for providing mounting assemblies for a plurality of transistor integrated circuit chips |
US4633582A (en) * | 1985-08-14 | 1987-01-06 | General Instrument Corporation | Method for assembling an optoisolator and leadframe therefor |
DE19531496C1 (de) * | 1995-08-26 | 1996-11-14 | Semikron Elektronik Gmbh | Leistungshalbleitermodul, insb. Stromumrichter mit Folienverbund als isolierendes Substrat |
JP5921072B2 (ja) * | 2011-03-05 | 2016-05-24 | 新電元工業株式会社 | 樹脂封止型半導体装置 |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3176191A (en) * | 1960-05-10 | 1965-03-30 | Columbia Broadcasting Syst Inc | Combined circuit and mount and method of manufacture |
NL280224A (de) * | 1961-06-28 | |||
US3171187A (en) * | 1962-05-04 | 1965-03-02 | Nippon Electric Co | Method of manufacturing semiconductor devices |
US3264712A (en) * | 1962-06-04 | 1966-08-09 | Nippon Electric Co | Semiconductor devices |
NL302444A (de) * | 1963-08-05 | 1900-01-01 | Semikron Gleichrichterbau | |
US3367025A (en) * | 1964-01-15 | 1968-02-06 | Motorola Inc | Method for fabricating and plastic encapsulating a semiconductor device |
DE1514822A1 (de) * | 1964-08-14 | 1969-06-26 | Telefunken Patent | Verfahren zur Herstellung einer Halbleiteranordnung |
US3423516A (en) * | 1966-07-13 | 1969-01-21 | Motorola Inc | Plastic encapsulated semiconductor assemblies |
-
1966
- 1966-06-30 DE DE1564867A patent/DE1564867C3/de not_active Expired
-
1967
- 1967-06-30 US US650299A patent/US3494022A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE1564867A1 (de) | 1969-12-11 |
US3494022A (en) | 1970-02-10 |
DE1564867C3 (de) | 1975-04-10 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE1514827C2 (de) | Verfahren zur serienmäßigen Herstellung von Halbleiterbauelementen | |
DE69028347T2 (de) | Verfahren zur Herstellung eines PTC Thermistors | |
DE69223964T2 (de) | Leiterrahmen fuer integrierte oder aehnliche schaltungen | |
DE2813968C2 (de) | Halbleiteranordnung | |
DE3329886C2 (de) | Verfahren zum Herstellen von Trocken-Elektrolyt-Kondensatoren | |
DE2225825B2 (de) | Verfahren zum Herstellen einer Anzahl plättchenförmiger Festkörper-Elektrolytkondensatoren | |
DE2363833C2 (de) | Verfahren zum elektrischen und mechanischen Verbinden einer Vielzahl von mit streifenförmigen Leitern (beamlead) kontaktierten Halbleiterchips mit jeweils einem äußeren Leiterrahmen | |
DE1564867C3 (de) | Verfahren zum Kontaktieren von Dioden, Planartransistoren und integrierten Schaltungen | |
DE2103064A1 (de) | Vorrichtung zur Herstellung von Modulelementen | |
DE3783076T2 (de) | Auf einer oberflaeche montierter hochlast widerstand. | |
DE2747393A1 (de) | Halbleiterbauelement | |
DE2855838C2 (de) | Bauteilanordnung | |
DE2315711A1 (de) | Verfahren zum kontaktieren von in einem halbleiterkoerper untergebrachten integrierten schaltungen mit hilfe eines ersten kontaktierungsrahmens | |
DE2108850A1 (de) | Vorrichtung zur Befestigung von Zulei tungen an Halbleiterbauelementen mit Hilfe einer Ausnchtplatte fur Halbleiterplatt chen | |
EP0282797A2 (de) | Baugruppe für ein elektrisches Filter sowie Filter und Gerätestecker mit einer solchen Baugruppe | |
DE1801073B2 (de) | Verfahren zum herstellen von halbleiterbauteilen | |
DE1909480A1 (de) | Halbleiterbauelement und Verfahren zu seiner Herstellung | |
DE1206043B (de) | Blockfoermige Anordnung fuer den Zusammenbau von elektrischen oder elektrischen Schaltungs-elementen und Verfahren zu ihrer Herstellung | |
DE1514883C3 (de) | Verfahren zur serienmäßigen Herstellung von Halbleiterbauelementen | |
DE2103057C2 (de) | Verfahren zur Befestigung von Elektrodenelementen an Anschlußstiften einer Gasentladungsanzeigevorrichtung | |
DE2511209C3 (de) | Verfahren zum Kontaktieren der Elektroden von scheibenförmigen Halbleiterkörpern und Metallstreifen zur Durchführung des Verfahrens | |
DE8716967U1 (de) | Flachsicherung für elektrische oder elektronische Schaltkreise | |
DE19623857C2 (de) | Elektrischer Widerstand | |
DE1800192B2 (de) | Verfahren zum serienmäßigen Herstellen von Halbleiteranordnungen und Verwendung des Verfahrens zur Kontaktierung scheibenförmiger Halbleiterkörper Aren: Telefunken Patentverwertungsgesellschaft mbH, 7900 Ulm | |
DE1591751C3 (de) | Schaltungsanordnung |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C3 | Grant after two publication steps (3rd publication) | ||
E77 | Valid patent as to the heymanns-index 1977 | ||
8339 | Ceased/non-payment of the annual fee |