DE1564822B2 - Verfahren zur Herstellung von elektrischen Kondensatoren mit Halbleiterschicht - Google Patents
Verfahren zur Herstellung von elektrischen Kondensatoren mit HalbleiterschichtInfo
- Publication number
- DE1564822B2 DE1564822B2 DE19661564822 DE1564822A DE1564822B2 DE 1564822 B2 DE1564822 B2 DE 1564822B2 DE 19661564822 DE19661564822 DE 19661564822 DE 1564822 A DE1564822 A DE 1564822A DE 1564822 B2 DE1564822 B2 DE 1564822B2
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- layer
- semiconductor layer
- capacitor
- valve metal
- electrical
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 title claims description 23
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 23
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 22
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 9
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 42
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 42
- 239000000155 melt Substances 0.000 claims description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 6
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000010439 graphite Substances 0.000 claims description 4
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000010955 niobium Substances 0.000 claims description 4
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 3
- NUJOXMJBOLGQSY-UHFFFAOYSA-N manganese dioxide Chemical compound O=[Mn]=O NUJOXMJBOLGQSY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 3
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 3
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 3
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 2
- YADSGOSSYOOKMP-UHFFFAOYSA-N dioxolead Chemical compound O=[Pb]=O YADSGOSSYOOKMP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N lead(0) Chemical compound [Pb] WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000006641 stabilisation Effects 0.000 description 2
- 238000011105 stabilization Methods 0.000 description 2
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 2
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 101100400378 Mus musculus Marveld2 gene Proteins 0.000 description 1
- 241000158147 Sator Species 0.000 description 1
- 229910001128 Sn alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000032683 aging Effects 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010407 anodic oxide Substances 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 description 1
- VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N hafnium atom Chemical compound [Hf] VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- LQBJWKCYZGMFEV-UHFFFAOYSA-N lead tin Chemical compound [Sn].[Pb] LQBJWKCYZGMFEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001338 liquidmetal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002697 manganese compounds Chemical class 0.000 description 1
- MIVBAHRSNUNMPP-UHFFFAOYSA-N manganese(2+);dinitrate Chemical compound [Mn+2].[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O MIVBAHRSNUNMPP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 229910001936 tantalum oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005979 thermal decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
- H01G9/15—Solid electrolytic capacitors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
- H01G9/004—Details
- H01G9/04—Electrodes or formation of dielectric layers thereon
- H01G9/042—Electrodes or formation of dielectric layers thereon characterised by the material
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
- H01G9/004—Details
- H01G9/04—Electrodes or formation of dielectric layers thereon
- H01G9/042—Electrodes or formation of dielectric layers thereon characterised by the material
- H01G9/0425—Electrodes or formation of dielectric layers thereon characterised by the material specially adapted for cathode
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S205/00—Electrolysis: processes, compositions used therein, and methods of preparing the compositions
- Y10S205/917—Treatment of workpiece between coating steps
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T29/00—Metal working
- Y10T29/43—Electric condenser making
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
Description
1 2 '■ "
Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zur stellung von Kondensatoren mit dem oben beschrie-
Herstellung eines elektrischen Kondensators, bei dem benen Schichtaufbau die halbleitende Oxidschicht
ein Ventilmetallkörper mit einer dielektrischen Oxid- einer Alterung bei 300° C zu unterwerfen (deutsche
schicht versehen wird, auf die eine Halbleiterschicht Auslegeschrift 1133 037).
aufgebracht wird, die in einer Metallschmelze mit 5 Weiterhin ist es bekannt, vor dem Aufbringen der
einer Schicht aus dem Material der Schmelze über- Halbleiterschicht die Verunreinigungen aus der Oxidzogen
wird, welche die elektrische Zuleitung auf schicht bei 1700 bis 2600° C zu entfernen (deutsche
dem Ventilmetallkörper bildet. Auslegeschrift 1123 401).
Bei der Herstellung eines solchen Kondensators Es ist ferner bekannt, eine Wärmebehandlung der
wird zunächst durch anodische Oxydation eine di- io Tantaloxidschicht bei Temperaturen über 200° C
elektrische Oxidschicht auf dem Ventilmetallkörper durchzuführen (Journal of electrochemical society,
erzeugt. Der Ventilmetallkörper kann in jeder be- 1963, S. 1264 bis 1.271). Dort wird festgestellt, daß
liebigen Form, z. B. als kompakter, gesinterter dadurch zwar eine Erhöhung der Kapazität eintritt,
Blech- oder Drahtköfper, ausgebildet sein. Als aber daß gleichzeitig die elektrischen Eigenschaften
Ventilmetall wird bei solphen Kondensatoren meist 15 des Kondensators spannungsabhängiger werden.
Tantal oder Niob verwendet, obwohl auch andere Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein
Metalle in Frage kommen, wie z.B. Aluminium, Verfahren zur Herstellung von elektrischen Konden-
Titan, Zirkonium und, Hafnium. Auf der dielek- satoren mit einem Ventilmetallkörper und einem
irischen Oxidschicht des Ventilmetallkörpers wird darauf befindlichen Schichtaufbau aus dielektrischer
dann eine Halbleiterschicht aufgebracht. Diese Halb- 20 Oxidschicht, Halbleiterschicht und Metallschicht zu
leiterschicht kann z. B. aus Mangandioxid bestehen, schaffen, durch das eine Stabilisierung der elek-
das durch thermische Zersetzung einer wäßrigen trischen Eigenschaften unter Beibehaltung ihrer
Lösung von Mangannitrat erzeugt werden kann. Es vorteilhaften elektrischen Eigenschaften erzielt
können aber auch andere Halbleiter für diese Schicht wird,
verwendet werden, wie z. B. Bleidioxid. 25 Diese Aufgabe wird gemäß der Erfindung dadurch
Zum Anbringen einer Zuleitung an der Halbleiter- gelöst, daß der mit der dielektrischen Oxidschicht
schicht wird eine leitende Schicht auf die Halbleiter- und der Halbleiterschicht versehene Ventilmetallschicht
aufgebracht. Grundsätzlich ist es möglich, körper in der Metallschmelze bei mindestens 150° C
eine Metallschicht aus einem geeigneten Metall oder anodisch behandelt wird. Bei dem Verfahren gemäß
einer Legierung durch Aufspritzen, Aufdampfen 3° der Erfindung findet demnach im Unterschied zu den
oder in anderer geeigneter Weise aufzubringen. Da bekannten Verfahren eine anodische Behandlung
jedoch diese Metallschichten an der Halbleiterschicht zusammen mit einer Wärmebehandlung statt,
schlecht haften, wird auf die Halbleiterschicht zu- Durch die zusätzliche Strombehandlung werden nächst eine Graphitschicht aufgebracht, die dann mit die Nachteile, die eine reine Wärmebehandlung mit einer metallischen Schicht versehen wird. 35 sich bringt, vermieden. Das Verfahren gemäß der
schlecht haften, wird auf die Halbleiterschicht zu- Durch die zusätzliche Strombehandlung werden nächst eine Graphitschicht aufgebracht, die dann mit die Nachteile, die eine reine Wärmebehandlung mit einer metallischen Schicht versehen wird. 35 sich bringt, vermieden. Das Verfahren gemäß der
Es ist bekannt, die Metallschicht dadurch zu er- Erfindung gewährleistet somit eine Stabilisierung der
zeugen, daß ein mit einer dielektrischen Oxidschicht elektrischen Eigenschaften des Kondensators im Be-
und einer Halbleiterschicht versehener Ventilmetall- trieb ohne Beeinträchtigung der beim fertigen Konkörper
in einer Metallschmelze bei 220° C mit einer densator vorhandenen vorteilhaften elektrischen
Schicht aus dem Material der Schmelze überzogen 40 Eigenschaften. Das Verfahren gemäß der Erfindung
wird, welche die elektrische Zuleitung auf dem hat außerdem den Vorteil, daß es mit dem an sich
Ventilmetallkörper bildet (deutsche Auslegeschrift notwendigen Verfahrensschritt des Aufbringens einer
1144 848). Bei diesem Verfahren wird der mit den Metallschicht verbunden werden kann, so daß kein
genannten Schichten versehene Ventilmetallkörper zusätzlicher Verfahrensschritt zur Herstellung des
in eine Form eingesetzt und diese mit einem niedrig- 45 Kondensators erforderlich ist.
schmelzenden, flüssigen Metall gefüllt, das bei Er- Es ist zwar bereits bekannt, bei einem Verfahren
starren auf den Ventilmetallkörper aufschrumpft und zur Herstellung von Kondensatoren mit dem erwähn-
so einen nahtlosen Metallmantel bildet. Auf diese ten Schichtaufbau während der Zersetzung einer
Weise soll ein dichter Abschluß des Kondensators Manganverbindung zur Herstellung der Halbleiter-
gegen atmosphärische Feuchtigkeit erzielt und ein 50 schicht aus Mangandioxid eine Spannung anzulegen
niedriger Übergangswiderstand zu der festen Halb- (deutsche Auslegeschrift 1162 956). Jedoch werden
leiterschicht aufrechterhalten werden. die Vorteile des Verfahrens gemäß der Erfindung
Es hat sich gezeigt, daß die elektrischen Eigen- dort nicht erzielt, da es sich gezeigt hat, daß es dar-
schaften der nach den bekannten Verfahren herge- auf ankommt, die Wärme- und Strombehandlung
stellten Kondensatoren nicht stabil sind, d. h., daß 55 erst nach vollständiger Aufbringung der Halbleiter-
mit der Zeit eine Veränderung der elektrischen schicht vorzunehmen, um eine Stabilisierung der
Eigenschaften des Kondensators eintritt, und zwar elektrischen Eigenschaften zu bewerkstelligen,
wurde gefunden, daß im Betrieb die Kapazität ab- Bei dem Verfahren gemäß der Erfindung kann
nimmt und der Verlustfaktor zunimmt. Hierbei selbstverständlich die Halbleiterschicht, wie bekannt,
schwankten die Änderungen zwischen 10 und 50% 60 in mehreren Teilschichten aufgebracht werden, ge-
der entsprechenden Werte der fertigen Konden- gebenenfalls mit dazwischen durchgeführter Nach-
satoren. formierung der anodischen Oxidschicht.
Man hat diese Verschlechterung der elektrischen Als Metallschmelze kommen alle Metalle und
Eigenschaften auf verschiedene Ursachen zurück- Legierungen in Frage, die sich zur Erzeugung einer
geführt und demgemäß schon verschiedene Maß- 65 als Zuleitung dienenden Metallschicht für den Konnahmen
zur Verbesserung vorgeschlagen, die jedoch densator eignen und deren Schmelzpunkt höchstens
nicht den gewünschten Erfolg brachten. so hoch liegt wie die Temperatur, bei der die Be-
So ist es bekannt, bei einem Verfahren zur Her- handlung stattfindet. Der Schmelzpunkt des verwen-
deten Metalls oder der Legierung wird also in der Regel unter 150° C liegen.
Es ist bekannt, die metallische Zuleitungsschicht bei Kondensatoren mit Halbleiterschicht aus Blei-Zinn-Legierungen
herzustellen (USA.-Patentschrift 3 100 329) oder auch aus Metallen wie Kupfer, Silber
oder Nickel (französische Patentschrift 1 216 669).
Bei dem Verfahren gemäß der Erfindung wird der mit einer dielektrischen Oxidschicht und einer
Halbleiterschicht versehene Kondensator in die Metallschmelze eingetaucht und eine Spannung an den
Ventilmetallkörper und die Schmelze angelegt, welche etwa der Nenngleichspannung des Kondensators
entspricht.
Hierbei bildet der Kondensator die Anode.
Es hat sich gezeigt, daß bei Verwendung von Niob als Ventilmetall das Verfahren gemäß der Erfindung
vorteilhaft bei einer Temperatur von 170 bis 190° C durchgeführt wird.
Zur besseren Haftung einer Metallschicht, die aus dem Material der Schmelze gebildet wird, ist es vorteilhaft,
auf die Halbleiterschicht zunächst eine Graphitschicht und auf diese Graphitschicht eine Schicht
aus Leitsilber aufzubringen, bevor die anodische Behandlung in der Metallschmelze durchgeführt
wird.
In der Regel werden die Vorteile des Verfahrens gemäß der Erfindung schon bei einer verhältnismäßig
kurzzeitigen Behandlung erzielt. So genügt es in vielen Fällen, wenn die Behandlung 5 Minuten
lang durchgeführt wird.
Beim Herausnehmen des Kondensatorkörpers aus der Metallschmelze verbleibt eine Schicht aus dem
Material der Schmelze auf dem Kondensatorkörper und bildet die Zuleitung zu der Halbleiterschicht. An
dieser Schicht kann dann ein Zuleitungsdraht angelötet werden.
Bei der Behandlung gemäß der Erfindung werden nicht nur die elektrischen Eigenschaften stabilisiert,
sondern auch teilweise verbessert. So werden beispielsweise die Kapazität und der Reststrom auf
bessere Werte gebracht, ohne daß diese Werte jedoch spannungsabhängiger werden.
Das Verfahren gemäß der Erfindung ist bei allen Kondensatoren mit Halbleiterschicht anwendbar,
eignet sich jedoch besonders für Kondensatoren mit Tantal und Niob als Ventilmetall.
Claims (5)
1. Verfahren zur Herstellung eines elektrischen Kondensators, bei dem ein Ventilmetallkörper
mit einer dielektrischen Oxidschicht versehen wird, auf die eine Halbleiterschicht aufgebracht
wird, die in einer Metallschmelze mit einer Schicht aus dem Material der Schmelze überzogen
wird, welche die elektrische Zuleitung auf dem Ventilmetallkörper bildet, dadurch gekennzeichnet,
daß der mit der dielektrischen Oxidschicht und der Halbleiterschicht versehene Ventilmetallkörper in der Metallschmelze
bei mindestens 150° C anodisch behandelt wird.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Behandlung mit der Nenngleichspannung
des Kondensators durchgeführt wird.
3. Verfahren nach Anspruch 1 und 2, dadurch gekennzeichnet, daß bei Niob als Ventilmetall
die Behandlung bei 170 bis 190° C durchgeführt wird.
4. Verfahren nach Anspruch 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß auf die Halbleiterschicht
eine Graphitschicht und auf diese eine Leitsilberschicht aufgebracht wird und daß anschließend
die anodische Behandlung in einer Schmelze durchgeführt wird.
5. Verfahren nach Anspruch 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß eine Schicht aus dem Material
der Schmelze als Zuleitung auf dem Kondensatorkörper belassen wird.
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DEST026122 | 1966-11-16 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE1564822A1 DE1564822A1 (de) | 1970-07-16 |
| DE1564822B2 true DE1564822B2 (de) | 1970-11-19 |
Family
ID=7460860
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DE19661564822 Withdrawn DE1564822B2 (de) | 1966-11-16 | 1966-11-16 | Verfahren zur Herstellung von elektrischen Kondensatoren mit Halbleiterschicht |
Country Status (12)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US3495311A (de) |
| BE (1) | BE706560A (de) |
| CH (1) | CH474825A (de) |
| DE (1) | DE1564822B2 (de) |
| DK (1) | DK123676B (de) |
| FI (1) | FI44818C (de) |
| FR (1) | FR1552085A (de) |
| GB (1) | GB1199048A (de) |
| LU (1) | LU54856A1 (de) |
| NL (1) | NL6715486A (de) |
| NO (1) | NO119650B (de) |
| SE (1) | SE331855B (de) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE2929308A1 (de) * | 1978-07-28 | 1980-02-07 | Lignes Telegraph Telephon | Verfahren zur herstellung von tantal-festelektrolytkondensatoren |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB1388044A (en) * | 1971-03-11 | 1975-03-19 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Method of manufacturing solid electrolytic capacitors and solid electrolytic capacitors |
| FR2335028A1 (fr) * | 1975-12-12 | 1977-07-08 | Lignes Telegraph Telephon | Condensateurs a electrolyte solide |
| CN107068398B (zh) * | 2017-03-13 | 2019-01-18 | 苏州海凌达电子科技有限公司 | 一种石墨烯-银复合电极的制备方法及其应用 |
Family Cites Families (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US2731706A (en) * | 1950-12-13 | 1956-01-24 | Hunt Capacitors Ltd A | Manufacture of capacitors |
| DE1105991B (de) * | 1952-12-24 | 1961-05-04 | Standard Elektrik Lorenz Ag | Verfahren zur Herstellung von poroesen Sinterelektroden |
| US3073943A (en) * | 1954-05-11 | 1963-01-15 | Int Standard Electric Corp | Manufacture of electrical capacitors |
| GB1054613A (de) * | 1963-05-31 | 1900-01-01 | ||
| US3292053A (en) * | 1963-06-21 | 1966-12-13 | Gen Instrument Corp | Anodized-film dielectric capacitor having colloidal graphite coating on the film |
| BE658144A (de) * | 1964-01-10 | |||
| US3337429A (en) * | 1964-05-28 | 1967-08-22 | Union Carbide Corp | Solid electrolytic capacitor and process therefor |
| US3305914A (en) * | 1964-08-28 | 1967-02-28 | Westinghouse Electric Corp | Manufacturing process for electronic capacitors |
| US3345543A (en) * | 1965-03-11 | 1967-10-03 | Sato Toshio | Solid electrolytic capacitor with anodized aluminum electrode and method of making |
-
1966
- 1966-11-16 DE DE19661564822 patent/DE1564822B2/de not_active Withdrawn
-
1967
- 1967-11-07 FI FI673011A patent/FI44818C/fi active
- 1967-11-09 US US681638A patent/US3495311A/en not_active Expired - Lifetime
- 1967-11-09 GB GB51072/67A patent/GB1199048A/en not_active Expired
- 1967-11-13 LU LU54856D patent/LU54856A1/xx unknown
- 1967-11-15 NL NL6715486A patent/NL6715486A/xx unknown
- 1967-11-15 SE SE15669/67A patent/SE331855B/xx unknown
- 1967-11-15 CH CH1596967A patent/CH474825A/de not_active IP Right Cessation
- 1967-11-16 DK DK572667AA patent/DK123676B/da unknown
- 1967-11-16 NO NO170553A patent/NO119650B/no unknown
- 1967-11-16 BE BE706560D patent/BE706560A/xx unknown
- 1967-11-16 FR FR1552085D patent/FR1552085A/fr not_active Expired
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE2929308A1 (de) * | 1978-07-28 | 1980-02-07 | Lignes Telegraph Telephon | Verfahren zur herstellung von tantal-festelektrolytkondensatoren |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| FI44818C (fi) | 1972-01-10 |
| GB1199048A (en) | 1970-07-15 |
| SE331855B (de) | 1971-01-18 |
| BE706560A (de) | 1968-04-01 |
| NL6715486A (de) | 1968-05-17 |
| LU54856A1 (de) | 1968-02-05 |
| DK123676B (da) | 1972-07-17 |
| FI44818B (de) | 1971-09-30 |
| CH474825A (de) | 1969-06-30 |
| FR1552085A (de) | 1969-01-03 |
| DE1564822A1 (de) | 1970-07-16 |
| NO119650B (de) | 1970-06-15 |
| US3495311A (en) | 1970-02-17 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| DE1665555C3 (de) | Supraleiter mit einer Isolation an der Oberfläche | |
| DE2623592C2 (de) | Festelektrolyt-Kondensator und Verfahren zu seiner Herstellung | |
| DE69106467T2 (de) | Verfahren zur Herstellung eines Festelektrolytkondensators. | |
| DE1564822B2 (de) | Verfahren zur Herstellung von elektrischen Kondensatoren mit Halbleiterschicht | |
| DE1564822C (de) | Verfahren zur Herstellung von elektri sehen Kondensatoren mit Halbleiterschicht | |
| CH246109A (de) | Verfahren zur Herstellung von mit nichtleitenden Umsetzungsprodukten überzogenen Metallelektroden elektrischer Kondensatoren. | |
| DE2331919A1 (de) | Verfahren zum herstellen eines supraleiters mit einer supraleitenden intermetallischen verbindung aus wenigstens zwei elementen | |
| US4079503A (en) | Process for the production of a solid electrolytic capacitor | |
| DE2509613B2 (de) | Trocken-elektrolytkondensator | |
| DE1216434B (de) | Verfahren zum Herstellen eines Elektrolyt-Kondensators mit festem Elektrolyten | |
| DE3917427C2 (de) | ||
| DE2210728C3 (de) | ||
| DE1589799C (de) | Verfahren zur Herstellung von Festelektrolytkondensatoren | |
| DE69936151T2 (de) | Festelektrolytkondensator und herstellungsverfahren | |
| AT263171B (de) | Verfahren zur Herstellung von elektrischen Kondensatoren mit einer Oxydschicht als Dielektrikum und einem Halbleiter als Gegenelektrode | |
| AT246295B (de) | Trockenelektrolytkondensator und Verfahren zu seiner Herstellung | |
| DE1813537C3 (de) | Verfahren zum Herstellen von stabilen elektrischen Dünnschicht Widerstandselementen aus Ventilmetall | |
| DE1614295C3 (de) | Indirekt heizbare thermionische Kathode und Verfahren zur Herstellung einer derartigen Kathode | |
| DE1913133C3 (de) | Verfahren zur Herstellung eines Elektrolytkondensators mit einer Mangandioxidschicht | |
| DE1179642A (de) | (V St A) I Verfahren zur Herstel lung eines Elektrolytkondensators mit einem Sinterkörper und einem festen Elektrolyten | |
| AT224774B (de) | Verfahren zur Herstellung eines Kondensators | |
| AT233674B (de) | Verfahren zum Herstellen eines stabilisierten Metallfilm-Widerstandes | |
| DE3618929A1 (de) | Verfahren zur herstellung eines festkoerper-elektrolytkondensators | |
| DE1589799B2 (de) | Verfahren zur herstellung von fest elktrolytkondensatoren | |
| DE1241535B (de) | Verfahren zur Herstellung eines gewickelten Oxydkondensators mit einem Halbleiter als Kathode |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| E77 | Valid patent as to the heymanns-index 1977 | ||
| EHJ | Ceased/non-payment of the annual fee |