DE1564567C3 - Halbleiteranordnung - Google Patents
HalbleiteranordnungInfo
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Description
gesehen ist. Dieser becherförmige Teil besteht aus einem metallischen zylinderförmigen Mantelteil 4,
welcher anteilig am Boden der Becherform an der Bildung einer elektrischen isolierenden Durchführung
beteiligt ist, z. B. einer Druckglasdurchführung, deren Isoliermaterialkörper mit 5 und deren metallischer
Innenleiter durch das Rohr 6 gebildet wird, welches sich über die äußere Fläche des Isolierkörpers
5 hinaus freiausladend erstreckt. Der becherförmige Gehäuseteil ist an seinem freien Rand mit dem
Grundplattenteil an einem Absatz la z.B. elektrisch mittels Widerstandsverschweißung gasdicht durch
Ringbuckelschweißung verschweißt. In dieses Metallrohr 6 ist bei der Montage des Halbleiterbauelementes
ein von einer Anschlußstelle am Halbleiterelement 2 ausgehender elektrischer, drahtförmiger Anschlußleiter
7 mit einer solchen Länge eingeführt worden, daß er sich bis in den Längenbereich 8 erstreckte,
an welchen dann eine derartige äußere Einwirkung mittels eines Preß- oder Druckwerkzeuges
auf die äußere Mantelfläche des Metall rohrs 6 stattgefunden hat, welche eine gegenseitige dichte Anlage
zwischen einer verformten Außenmantelfläche von 7 und einer verformten Innenmantelfläche von 6 entstehen
läßt. Bei dieser Verquetschung wird noch ein rohrförmiger äußerer Restlängenanteil 6 a unverformt
gelassen, der für das Einführen und Befestigen z. B.
durch Festlöten oder Anschweißen eines äußeren elektrischen Anschlußleiters 9 benutzt werden kann.
Der Längenbereich 8 besteht aber nun erfindungsgemäß aus zwei Strecken 8 a und 8 b, die, wie die
vergrößerte Teildarstellung nach F i g. 2 noch deutlieher erkennen läßt, auf Grund je eines unterschiedlichen
Verquetschungsmaßes zur Entstehung gelangt sind. An der Strecke 8 a sind der Anschlußleiter 7
und das Metallrohr 6 viel stärker miteinander verquetscht worden als an der Strecke Sb, an welcher
nur noch eine solche gegenseitige mechanische Verbindung erzeugt worden ist, welche eine zugentlastung
für den Anschlußleiter 7 in Richtung auf das Halbleiterelement 2 gewährleistet, während an der
Stelle 8 a eine gasdichte gegenseitige Verbindung zwischen 7 und 6 erzeugt sein soll, welche somit
einen gasdichten Abschluß des das Halbleiterelement einschließenden Raumes des Halbleiterbauelementes
gegenüber der umgebenden Atmosphäre sichern soll.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
Claims (4)
1. Halbleiteranordnung mit einer elektrischen Vorgang das Gefüge derartig versprödet wird, daß ein
Anschlußstelle, an welcher ein vom eingeschlos- 5 Bruch der frei liegenden Anschlußleiterteile beim
senen Halbleiterbauelement ausgehender elektri- Einsatz des Halbleiterelementes eintreten kann,
scher, vorzugsweise biegsamer Anschlußleiter in Der vorliegenden Erfindung liegt die Aufgabe zudas innere Metallrohr einer elektrisch isolieren- gründe, eine Halbleiteranordnung der eingangs erden Durchführung eingeführt oder durch diese wähnten Art so weiterzubilden, daß solche Brüche hindurchgeführt ist und dann der Anschlußleiter ίο vermieden werden. Dies wird dadurch erreicht, daß in dem freiausladenden Metallrohrteil an dessen der Betrag der Verquetschung über die Längenaus-Innenmantelfläche durch eine an diesem von dehnung der Verquetschungsstelle an verschiedenen außen durchgeführte Verquetschung mit seiner Längenanteilen bzw. -strecken derselben derart verMantelfläche festgespannt ist, dadurch ge- schieden groß gewählt ist, daß auf eine Stelle bzw. kennzeichnet, daß der Betrag der Verquet- 15 Strecke größter Verquetschung mindestens in Richschung über die Längenausdehnung der Verquet- tung auf das eingeschlossene Halbleiterbauelement schungsstelle an verschiedenen Längenanteilen eine oder mehrere Strecken mit geringerer Verquet- bzw. Strecken derselben derart verschieden groß schung folgen.
scher, vorzugsweise biegsamer Anschlußleiter in Der vorliegenden Erfindung liegt die Aufgabe zudas innere Metallrohr einer elektrisch isolieren- gründe, eine Halbleiteranordnung der eingangs erden Durchführung eingeführt oder durch diese wähnten Art so weiterzubilden, daß solche Brüche hindurchgeführt ist und dann der Anschlußleiter ίο vermieden werden. Dies wird dadurch erreicht, daß in dem freiausladenden Metallrohrteil an dessen der Betrag der Verquetschung über die Längenaus-Innenmantelfläche durch eine an diesem von dehnung der Verquetschungsstelle an verschiedenen außen durchgeführte Verquetschung mit seiner Längenanteilen bzw. -strecken derselben derart verMantelfläche festgespannt ist, dadurch ge- schieden groß gewählt ist, daß auf eine Stelle bzw. kennzeichnet, daß der Betrag der Verquet- 15 Strecke größter Verquetschung mindestens in Richschung über die Längenausdehnung der Verquet- tung auf das eingeschlossene Halbleiterbauelement schungsstelle an verschiedenen Längenanteilen eine oder mehrere Strecken mit geringerer Verquet- bzw. Strecken derselben derart verschieden groß schung folgen.
gewählt ist, daß auf eine Stelle bzw. Strecke groß- Für die Verwirklichung dieses Merkmales bei
ter Verquetschung mindestens in Richtung auf 30 einer Halbleiteranordnung können im Rahmen der
das eingeschlossene Halbleiterbauelement eine Erfindung verschiedene Lösungswege beschritten
oder mehrere Strecken mit geringerer Verquet- werden,
schung folgen. So kann für den Anschlußleiter auf anteiligen
2. Halbleiteranordnung nach Anspruch 1, da- Strecken, welche der Stelle bzw. Strecke der größten
durch gekennzeichnet, daß von der Stelle bzw. 35 Verquetschung folgen, das Maß der Verquetschung
Strecke größter Verquetschung des Metallrohres stufenweise abnehmend gewählt werden.
aus an den nachfolgenden Längenanteilen eine Ein ähnlicher Lösungsweg ergibt sich, wenn von
stufenweise abnehmende Verquetschung vorhan- dem Längenanteil der Verquetschungsstelle mit der
den ist. größten Verquetschung aus die Verquetschung' in
3. Halbleiteranordnung nach Anspruch 1, da- 30 Richtung auf das Ende der Verquetschungsstelle, zu
durch gekennzeichnet, daß von der Stelle bzw. stetig abnimmt.
Strecke größter Verquetschung aus an dem nach- Nach einem dritten Lösungsweg kann die Verquetfolgenden
Längenanteil der Verquetschungsstelle schungsstelle derart gestaltet werden, daß der Ander
Betrag der Verquetschung allmählich bzw. Schlußleiter an seiner Außenmantelfläche und das
stetig abnimmt. 35 umschließende Rohr an seiner Innenmantelfläche zur
4. Halbleiteranordnung nach Anspruch 1 bis 3, flachigen gegenseitigen, vorzugsweise unmittelbar
dadurch gekennzeichnet, daß der geringste be- gasdichten Anlage kommen, während an der nachfolnutzte
Verquetschungsbetrag an der Verquet- genden Strecke des Anschlußleiters nur noch beide
schungsstelle derart bemessen ist, daß die an die- Teile für eine Bildung gegenseitiger Eingriffsstellen
ser Verquetschungsstelle noch gewährleistete Ein- 40 z. B. mittels einer Einkerbung mechanisch durch ein
spannung des Anschlußleiters für diesen eine Schlag- oder Preßwerkzeug bearbeitet werden.
Zugentlastung ergibt, der größte Verquetschungs- Bei einem solchen Aufbau einer Halbleiteranordbetrag jedoch eine gasdichte gegenseitige Anlage. nung an einer Anschlußstelle kann derjenige Anschlußleiteranteil, welcher dem erfindungsgemäß ein-
Zugentlastung ergibt, der größte Verquetschungs- Bei einem solchen Aufbau einer Halbleiteranordbetrag jedoch eine gasdichte gegenseitige Anlage. nung an einer Anschlußstelle kann derjenige Anschlußleiteranteil, welcher dem erfindungsgemäß ein-
45 gespannten nachfolgt, an der Übergangsstelle von der
Einspannung zum freigetragenen Leiterteil kaum
eine merkliche mechanische Beanspruchung erfahren, so daß also nachteilige Gefügeänderungen an jenem
freigetragenen Anschlußleiterteil nicht zur Ent-
Die Erfindung bezieht sich auf eine Halbleiteran- 50 stehung gelangen können, sondern dieser Anschlußordnung
mit mindestens einer elektrischen Anschluß- leiterteil behält vielmehr seine einwandfreie und
stelle, an welcher ein vom eingeschlossenen Halb- leichte Biegsamkeit und somit können auch betriebsleiterbauelement
ausgehender elektrischer, Vorzugs- mäßig auf die Halbleiteranordnung gelangende nachweise
biegsamer Anschlußleiter in das innere Metall- teilige Schwingungserscheinungen nicht mehr solche
rohr einer elektrisch isolierenden Durchführung ein- 55 angeführten Brucherscheinungen an einer solchen
geführt oder durch diese hindurchgeführt ist und Stelle des Anschlußleiters hervorrufen,
dann in dem Metallrohr mit seiner äußeren Mantel- Zur näheren Erläuterung der Erfindung an Hand
dann in dem Metallrohr mit seiner äußeren Mantel- Zur näheren Erläuterung der Erfindung an Hand
fläche an dessen Innenwand durch eine an diesem eines entsprechenden Ausführungsbeispieles wird
Metallrohr von außen durchgeführte Verquetschung, nunmehr auf die Figuren der Zeichnung Bezug ge-
und zwar im letzteren Falle vorzugsweise gasdicht 60 nommen.
festgespannt ist. In F i g. 1 ist ein Halbleiterbauelement, ζ. Β. eine
Eine solche Halbleiteranordnung ist beispielsweise Siliziumdiode, dargestellt mit einem Grundplattenaus
der DT-AS 1 266 886 bekanntgeworden. Beim teil 1, der z. B. aus Stahl besteht. An der inneren
Festspannen des aus Draht bestehenden Anschlußlei- Fläche dieses Grundplattenteiles ist das Halbleiterters
hat sich unter Anwendung des gleichen Verquet- 65 element 2 durch Lötung, gegebenenfalls innerhalb
schungsmaßes auf der ganzen Länge der Verquet- einer an der Platte 2 vorgesehenen Aussparung, befeschungsstrecke
ergeben, daß beim betriebsmäßigen stigt. Das Halbleiterelement 2 ist gasdicht gekapselt,
Einsatz der Halbleiteranordnung am Anschlußleiter indem ein zweiter becherförmiger Gehäuseteil 3 vor-
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DES0103225 | 1966-04-16 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE1564567A1 DE1564567A1 (de) | 1969-09-25 |
DE1564567B2 DE1564567B2 (de) | 1974-08-08 |
DE1564567C3 true DE1564567C3 (de) | 1975-03-27 |
Family
ID=7525011
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19661564567 Expired DE1564567C3 (de) | 1966-04-16 | 1966-04-16 | Halbleiteranordnung |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE1564567C3 (de) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4249034A (en) * | 1978-11-27 | 1981-02-03 | General Electric Company | Semiconductor package having strengthening and sealing upper chamber |
DE102004050588B4 (de) * | 2004-10-16 | 2009-05-20 | Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg | Anordnung mit einem Leistungshalbleiterbauelement und mit einer Kontakteinrichtung |
-
1966
- 1966-04-16 DE DE19661564567 patent/DE1564567C3/de not_active Expired
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE1564567A1 (de) | 1969-09-25 |
DE1564567B2 (de) | 1974-08-08 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C3 | Grant after two publication steps (3rd publication) | ||
E77 | Valid patent as to the heymanns-index 1977 | ||
EHJ | Ceased/non-payment of the annual fee |