DE1563564C - Uberladungs Schutzeinrichtung fur eine wiederaufladbare elektrische Sammlerzelle - Google Patents
Uberladungs Schutzeinrichtung fur eine wiederaufladbare elektrische SammlerzelleInfo
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Description
Die Erfindung betrifft eine Überladungs-Schutzeinrichtung für eine wiederaufladbare elektrische
Sammlerzelle, bestehend aus einer parallel zu dieser geschalteten Halbleiter-Diode, die jenseits einer ihr
charakteristischen Spannung die Sammlerzelle nach erfolgter Aufladung überbrückt.
Bekanntlich werden bei der Wiederaufladung elektrischer Sammlerzellen die Elektroden rückformiert,
was nach einer bestimmten Zeit abgeschlossen ist. Wird nach dieser Zeit der Ladevorgang fortgesetzt,
dann können die Elektroden beschädigt werden und, falls die Sammlerzelle druckdicht versiegelt ist,
kann deren Innendruck derart ansteigen, daß diese im Extremfall sogar platzen kann. Außerdem führt
eine Überladung der Zelle zu Wärmeentwicklung. Steigt andererseits die Klemmenspannung der Zelle
über einen vorgegebenen Wert an, wird Wasserstoffgas entwickelt, das innerhalb der Zelle nicht wieder
gebunden werden kann.
Ohne besondere Einrichtungen und Kenntnisse ist es daher nicht möglich, insbesondere bei mehreren
zu einer Batterie zusammengefaßten Zellen, den Entladungszustand jeder einzelnen Zelle zu ermitteln,
sowie die für diese Zelle nötige Aufladezeit zu bestimmen und einzuhalten. Dies gilt insbesondere,
wenn ein Laie Geräte mit wiederaufladbaren elektrischen Sammlerzellen benutzt.
Durch die britische Patentschrift 936 969 ist daher schon eine Überladungs^Schutzeinrichtung der
eingangs beschriebenen Art bekannt, bei der jeder
einzelnen Zelle einer wiederaufladbaren Batterie eine Halbleiter-Diode parallel geschaltet ist, um damit die
unterschiedlichen Ladezeiten der einzelnen Zelle zu berücksichtigen und eine Überladung der Batterie zu
verhindern. Dadurch ist die Gefahr einer Überladung der Zellen zwar ganz erheblich herabgesetzt, aber
nicht vollständig ausgeschaltet, und außerdem bleibt die Wiederaufladezeit unangenehm lang, da die Aufladung nur mit verhältnismäßig geringen Stromstärken
durchgeführt werden kann, weil sich die jeder Zelle parallelgeschaltete Halbleiter-Diode mit zunehmender
Aufladung der Zelle und damit zunehmendem an ihr herrschenden Spannungsabfall erwärmt,
wodurch die ihr charakteristische Durchlaßspannung . beeinflußt wird.
ä Aufgabe der Erfindung ist es daher, eine Uberladungs-Schutzeinrichtung
für wiederaufladbare elektrische Sammler anzugeben, die die Verwendung normaler Dioden, deren Kennlinie verhältnismäßig
flach verläuft, gestattet, wobei die Ausbildung so getroffen werden soll, daß ein Stromdurchgang möglichst
lange unterdrückt wird, um dann möglichst schlagartig auf den maximalen Wert anzusteigen.
Außerdem soll die Überladungs-Schutzeinrichtung ohne Nachteil die Verwendung von gegenüber
dem bekannten wesentlich höheren Ladeströmen und damit eine Verkürzung der Ladezeit erlauben.
Ausgehend von einer Überladungs-Schutzeinrichtung der eingangs beschriebenen Art ist diese Aufgabe
erfindungsgemäß dadurch gelöst, daß die HaIb-
ao leiter-Diode, in Durchlaßrichtung gepolt, wärmeleitend
mit einem ebenfalls vom Diodenstrom durchflossenen metallischen Trägerelement verbunden ist,
das eine bei steigender Temperatur zunehmende Widerstandscharakteristik aufweist, daß das Trägerelement
mit dem größten Teil seiner Oberfläche der Umgebungstemperatur ausgesetzt und so bemessen
ist, daß der Spannungsabfall an der Diode und dem Trägerelement z-usammen einen vorbestimmten Maximalwert
nicht überschreitet, und daß die Diode und das Trägerelement von der Sammlerzelle thermisch
getrennt sind.
Durch die Zeitschriften ETZ-B, Bd. 11, 1959, S. 227 und 228 und Elektronische Rundschau, 1959,
S. 378 bis 381 ist zwar ein Halbleiter-Bauelement bekannt, bei dem der Halbleiter innen auf dem Boden
eines ebenfalls stromdurchflossenen Kupfertopfes angeordnet ist, wobei der Kupfertopf im übrigen weitestgehend
mit Gießharz ausgefüllt ist. Hier dient aber der Kupfertopf nur als gleichzeitiger Aufnahme-
und Schutzbehälter für den Halbleiter und soll im übrigen eine möglichst kleine Kühlfläche abgeben,
damit man bei der Kennung des Halbleiters jenseits der Zündspannung zu einer möglichst steilen Kennlinie
kommt. Außerdem hat hier der Halbleiter gegenüber normalen Dioden einen wesentlich höheren
Prozentsatz an Unreinheiten, was den sogenannten Zener- oder Tunneleffekt ergibt und zu einem steilen
Kennlinienverlauf führt, im übrigen aber die Gestehungskosten eines solchen Halbleiter-Bauelementes
erhöht.
Durch die erfindungsgemäßen Merkmale ist die Halbleiter-Diode derart mit einem Trägerelement
verbunden, daß sich in diesem Element bei steigender Temperatur eine Erhöhung des elektrischen
Widerstandes ergibt, womit der abnehmende Widerstand des Halbleiters zumindest teilweise durch den
zunehmenden Widerstand des Trägerelementes sowie durch dessen Wärmeabstrahiung kompensiert wird,
so daß die erfindungsgemäße Überladungs-Schutzeinrichtung einen sehr scharfen Übergang vom nichtleitenden
in den leitenden Zustand aufweist. Dadurch können höhere Aufladeströme bei vollkommener
Sicherheit gegen Überladung verwendet werden, womit sich die Aufladezeit erheblich herabsetzen
läßt. Andererseits besteht die Möglichkeit, normale, im Handel erhältliche Halbleiter trotz deren verhältnismäßig
flach verlaufender Kennlinie zu verwenden, womit sich unterschiedlichen Anforderungen an die
3 4
Ladespannung leicht Rechnung tragen läßt, ohne daß Batterie über einen Lastwiderstand 23 entladen wer-
es dazu durch Verunreinigungen in ganz bestimmter den. Während des Wiederaufladevorganges fließt der
Weise präparierten Halbleiter bedürfte. '.. Ladestrom von der Spannungsquelle 20 in Richtung
Die Erfindung ist nachfolgend an Hand eines des Pfeiles A zur positiven Seite der Sammlerzellen.
Ausführungsbeispiels näher erläutert, das in der 5 Wenn die Klemmenspannung der Zellen über einen
Zeichnung dargestellt ist. In der Zeichnung zeigt bestimmten Wert ansteigt, wird die der jeweiligen
F i g. 1 eine Draufsicht auf das mit einer Halblei- Zelle parallelgeschaltete Halbleiter-Diode leitend
ter-Diode verbundene Trägerelement, und überbrückt diese, wie dies durch den Pfeil B an-
F i g. 2 eine Seitenansicht von F i g. 1, gedeutet ist, so daß die betrachtete Zelle nicht über-
F i g. 3 ein Schaltbild einer erfindungsgemäßen io laden werden kann.
Überladungs-Schutzeinrichtung und Das Trägerelement 12 ist außerdem thermisch
Fig.4 ein Strom-Spannungsdiagramm der erfin- von der Sekundärzelle getrennt, so daß von dieser
dungsgemäß mit einem Trägerelement kombinierten Seite aus keine zusätzliche Erwärmung erfolgen
Halbleiter-Diode im Vergleich mit einer üblichen kann.
Halbleiter-Diode. 15 In Fig.4 sind auf der Abszisse Spannungen und
In F i g. 1 ist die Halbleiter-Diode mit Trägerele- auf der Ordinate Ströme aufgetragen. Die Kurve C
ment ganz allgemein mit der Bezugsziffer 10 gekenn- bezieht sich auf eine Überbrückungsdiode ohne
zeichnet. Etwa in der Mitte des Trägerelementes 12 Trägerelement und die Kurve D auf eine Überbrük-
ist eine kleine Scheibe 11 aus einem Halbleiter-Mate- kungsdiode mit Trägerelement gemäß der vorliegen-
rial, z. B. Silizium oder Germanium, so angeordnet, 20 den Erfindung.
daß die Scheibe mit einer ihrer beiden größeren Man sieht, daß in beiden Fällen zunächst der
Oberflächen mechanisch und elektrisch mit dem Diodenstrom praktisch gleich Null ist. Im Fall einer
Trägerelement 12 verbunden ist. Die Halbleiter- Überbrückungsdiode ohne Trägerelement (Kurve C)
Diode ist in geeigneter Weise am Trägerelement be- fließen mit zunehmender Spannung zunehmend grö-
festigt, z.B. angelötet. Das Trägerelement 12 besteht 25 ßer werdende Ströme über die Diode,
aus einem geeigneten, wärmeleitenden Material wie Bei Verwendung einer Halbleiter-Diode mit
z. B. eloxiertem Aluminium. Eine geflochtene Kup- Trägerelement gemäß der Erfindung (Kurve D) wird
ferlitze 13 ist mit der anderen großen Oberfläche des die Diode bei Annäherung an die der vollständigen
scheibenförmigen Trägerelementes verbunden und Wiederaufladung entsprechende Spannung nahezu
bildet mit diesem eine Sperrschicht. Das Trägerele- 30 schlagartig leitend, überbrückt deshalb die Sammler-
ment 12 ist außerdem mit einem Befestigungsbolzen zelle und verhindert so deren Überladung. Auch hier
14 direkt verbunden. Der Befestigungsbolzen kann ist der Diodenstrom praktisch gleich Null, bis die
aus einem geeigneten Metall wie beispielsweise Alu- Klemmspannung der Sammlerzelle den Wert von
minium hergestellt sein und kann außerdem mit etwa 1,5 V erreicht hat, der im betrachteten Beispiel
einem edlen Metall plattiert sein, um eine etwaige 35 dem vollständig wiederaufgeladenen Zustand der
Korrosionsgefahr auszuschalten. Zelle zugeordnet ist. Bei dieser Spannung geht die
Ein Gehäuse 15 mit Seitenflächen 16 ist mit Halbleiter-Diode praktisch schlagartig vom nicht leieinem
seiner Enden mit dem Trägerelement 12 fest tenden in den leitenden Zustand über, wobei ihr dyverbunden.
Die Seitenflächen 16 bestehen aus einem namischer Widerstand zu Null wird,
geeigneten Metal wie z. B. Kupfer. Die Kupferlitze 40 Die erfindungsgemäße Überladungs-Schutzein-13 erstreckt sich durch das Gehäuse 15 etwa in richtung erhöht wesentlich die Anzahl der möglichen gleichmäßigem Abstand von den Seitenflächen 16 Wiederaufladungen einer Sammlerzelle bzw. einer und wird in dieser Lage durch Ausfütterung des aus mehreren in Serie geschalteten Sammlerzellen geHohlraumes des Gehäuses 15 mit einem elektrisch bildeten. Batterie.
geeigneten Metal wie z. B. Kupfer. Die Kupferlitze 40 Die erfindungsgemäße Überladungs-Schutzein-13 erstreckt sich durch das Gehäuse 15 etwa in richtung erhöht wesentlich die Anzahl der möglichen gleichmäßigem Abstand von den Seitenflächen 16 Wiederaufladungen einer Sammlerzelle bzw. einer und wird in dieser Lage durch Ausfütterung des aus mehreren in Serie geschalteten Sammlerzellen geHohlraumes des Gehäuses 15 mit einem elektrisch bildeten. Batterie.
isolierenden Stoff gehalten, z.B. durch Ausgießen 45 Nickel-Cadmiumzellen mit einer Kapazität von
mit einem Epoxyharz, das die Kupferlitze 13 gegen- 1,2 Ah wurden unter Benutzung der erfindungsgemäüber
den Seitenflächen 16 des Gehäuses 15 isoliert ßen Halbleiter-Dioden mit Trägerelement wiederholt
und zugleich die Kupferlitze in der gewünschten zwei Stunden lang geladen und anschließend wäh-Lagehält.
rend 38 Minuten mit 0,5 A entladen. Eine Anzahl F i g. 3 zeigt eine Anzahl von in Serie geschalteten 50 anderer Nickel-Cadmiumzellen mit einer Kapazität
Sammlerzellen 17, 18 und 19, die eine Batterie bil- von 1,2 Ah wurden in gleicher Weise wiederholt geden,
deren Anschlußklemmen mit einer Spannungs- laden und entladen, waren aber durch Halbleiterquelle
20 für das Wiederaufladen verbunden sind. In Dioden ohne Trägerelement überbrückt. Bei den
F i g. 3 ist diese Spannungsquelle als Gleichspan- erstgenannten Sammlerzellen trat eine Verminderung
nungsquelle dargestellt. Parallel zu den Sammlerzel- 55 der Kapazität von 3 % nach 345 Aufladungen und
len 17, 18 und 19 ist je eine Halbleiter-Diode mit Entladungen ein, während die zweitgenannten Zellen
Trägerelement 10, 10' und 10" geschaltet. Ein Drei- nach der gleichen Anzahl von Ladungen und Entlafachschalter
21 liegt in Reihe mit den Sammlerzellen, düngen einen hundertprozentigen Kapazitätsverlust
so daß diese aufgeladen werden können, wenn der aufweisen. Nach 615 Aufladungen und Entladungen
Dreifachschalter mit der Anschlußklemme 22 der 60 unter Benutzung einer Halbleiter-Diode mit Träger-Spannungsquelle
20 verbunden ist. element gemäß der Erfindung zeigte sich ein Kapazi-Wird
durch den Dreifachschalter 21 eine Verbin- tätsverlust von 7%, während die Vergleichs-Sammdung
mit der Klemme 24 hergestellt, dann kann die lerzellen einen Kapazitätsverlust von 100% zeigten.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
Claims (1)
- Patentanspruch:Überladungs-Schutzeinrichtung für eine wiederaufladbare elektrische Sammlerzelle, bestehend aus einer parallel zu dieser geschalteten Halbleiter-Diode, die jenseits einer ihr charakteristischen Spannung die Sammlerzelle nach erfolgter Aufladung überbrückt, dadurch gekennzeichnet, daß die Halbleiter-Diode (11), in Durchlaßrichtung gepolt, wärmeleitend mit einem ebenfalls vom Diodenstrom durchflos-? senen metallischen Trägerelement (12) verbunden ist, das eine bei steigender Temperatur zunehmende Widerstandscharakteristik aufweist, daß das Trägerelement (12) mit dem größten Teil seiner Oberfläche der Umgebungstemperatur aus^ gesetzt und so bemessen ist, daß der Spannungsabfall an der Diode und dem Trägerelement zusammen einen vorbestimmten Maximalwert nicht überschreitet, und daß die Diode und das Trägerelement (12) von der Sammlerzelle thermisch getrennt sind.
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US47832465 | 1965-08-09 | ||
US478324A US3393355A (en) | 1965-08-09 | 1965-08-09 | Semiconductor charge control through thermal isolation of semiconductor and cell |
DEM0070476 | 1966-08-05 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
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DE1563564A1 DE1563564A1 (de) | 1971-05-27 |
DE1563564B2 DE1563564B2 (de) | 1972-11-16 |
DE1563564C true DE1563564C (de) | 1973-06-07 |
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