DE1562283C - Electronic gate circuit - Google Patents

Description

Kollektorpotential des Ansteuertransistors kann in dessem durchlässigen Zustand zwischen dem Potential der ihn ansteuernden Elektrode des Schalttransistors und dem Potential der positiven Speisespan-5 nungsquelle durch entsprechend bemessene Emitter- und Kollektorwiderstände beliebig festgelegt werden, während das Kollektorpotential in dem gesperrten Zustand des Ansteuertransistors durch das Potential der seinen Kollektorwiderstand beaufschlagendenThe collector potential of the drive transistor can in its permeable state between the potential the electrode of the switching transistor that drives it and the potential of the positive supply voltage-5 voltage source can be determined arbitrarily by appropriately dimensioned emitter and collector resistances, while the collector potential in the blocked state of the drive transistor by the potential the one acting on its collector resistance

zeichnet. Anwendungsmöglichkeiten dieser Torschal- io Gleichspannungsquelle bestimmt ist. Zwischen diesen tungen bestehen in der Regelungstechnik bei söge- beiden Werten des Kollektorpotentials kann sich nannten hybriden Regelkreisen, bei denen sowohl mit
binären als auch mit analogen Signalen gearbeitetdraws. Possible applications of this gate circuit io DC voltage source is determined. Between these two functions exist in the control technology with so-called two values of the collector potential can be called hybrid control loops, in which both with
binary as well as analog signals

wird. Auch eignen sich Torschaltungen zum Aufbauwill. Gate circuits are also suitable for setting up

Weise ist es möglich, die beiden genannten Transistoren mit einer gemeinsamen Spannungsquelle in der günstigen Emitterschaltung zu betreiben.Way, it is possible to use the two transistors mentioned with a common voltage source in to operate the cheap emitter circuit.

Bei dem binären Schaltkreissystem ist in der Regel zusätzlich' zu der Speisespannung eine zweite Spannungsquelle vorgesehen zur sicheren Sperrung der Schalttransistoren. In weiterer Ausgestaltung der Erfindung kann es sich empfehlen, die Kollektorspanwendung em er ohnehin vorhandenen Spannungsquelle eine besonders aufwandsarme Ansteuerung des Tortransistors ergibt.In the binary circuit system there is usually a second voltage source in addition to the supply voltage intended for safe blocking of the switching transistors. In a further embodiment of the invention it may be advisable to use the collector voltage from an already existing voltage source a particularly low-cost control of the gate transistor results.

Weitere Einzelheiten und Ausgestaltungen der Erfindung sollen nachfolgend im Zusammenhang mit der Figurenbeschreibung erläutert werden.Further details and refinements of the invention are to be explained below in connection with the description of the figures.

Es sei zunächst der obere Teil der Figur betrachtet, wobei die mit 1, 2 und 3 bezeichneten Schalt-Let us first consider the upper part of the figure, with the switching functions labeled 1, 2 and 3

dann die durchzuschaltende Fremdspannung beliebig bewegen.then move the external voltage to be switched through at will.

Nach einem weiteren Merkmal der Erfindung weistAccording to a further feature of the invention

von Digital-Analog-Wandlern. 15 der Ansteuertransistor den entgegengesetzten Leit-of digital-to-analog converters. 15 the control transistor has the opposite conduction

Es ist üblich, digitale Schaltkreissysteme unter An- fähigkeitstyp auf wie der Schalttransistor. Auf diese Wendung von einheitlich ausgelegten Schalttransistoren aufzubauen. Dadurch sind bei jedem Schaltglied
zwei normierte Signalzustände möglich, wobei der
eine Zustand durch den durchlässig gesteuerten so
Schalttransistor und' der andere Zustand durch den
gesperrten Schalttransistor gegeben ist. In Abhängigkeit von den sich dabei an den Kollektorelektroden
der Schalttransistoren einstellenden Potentialen erfolgt dann die Steuerung der ihnen nachgeordneten as nung des Ansteuertransistors von dieser Sperrspan-Schalttransistoren, deren Steuerstrecken dabei ent- nungsquelle abzuleiten, wodurch sich infolge Verweder jeweils von der an dem vorgeordneten Transistor abfallenden Spannung in Durchlaßrichtung beaufschlagt werden oder, wie nach der deutschen Auslegeschrift 1 081 049 bekannt, von der am Lastwider- 30
stand des ihnen vorgeordneten Transistors abfallenden Spannung. Wesentlich ist dabei, daß durchweg
im gesamten Schaltkreissystem stets mit zwei Steuerpotentialen gearbeitet wird, nämlich meist mit demIt is common to use digital circuit systems under capability type on like the switching transistor. To build on this turn of uniformly designed switching transistors. This means that with every switching element
two standardized signal states possible, whereby the
a state controlled by the permeable so
Switching transistor and 'the other state through the
blocked switching transistor is given. Depending on what happens to the collector electrodes
of the potentials setting the switching transistors, the control of the downstream as voltage of the drive transistor is then carried out by these blocking-voltage switching transistors, whose control path derives from the source, whereby the voltage drop across the upstream transistor is applied in the forward direction as a result of each other, or, as after the German Auslegeschrift 1 081 049 known, of which on Lastwider- 30
the voltage of the dropping transistor upstream of them. It is essential that throughout
two control potentials are always used in the entire circuit system, namely mostly with the

Erd- oder Massepotential und einem positiven oder 35 brücken in ihrer waagerechten Stellung liegend aneinem negativen Potential, dessen Wahl von dem genommen werden sollen. Mit 4 ist in allgemeinster Leitfähigkeitstyp der verwendeten Schalttransistoren Form ein binäres Schaltkreissystem dargestellt, das abhängt. Die von der Torschaltung durchzuschaltende beliebige, beispielsweise mit & (und), V (oder), schaltkreisfremde Spannung wird sich nun in den σ (Summieren) bezeichnete logische Funktion realimeisten Fällen nicht ohne weiteres in diesen Poten- 40 sieren kann. Dies geschieht unter Verwendung von tialhub einfügen. Sie wird ihn insbesondere bei wech- Schalttransistoren, deren letzter mit seinen hier interessierenden Einzelheiten dargestellt und mit 5 bezeichnet ist. Dem Schaltkreissystem 4 wird außer dem Erdpotential eine mit P bezeichnete, gegenüber dem 45 Erdpotential positive Spannung und eine mit N bezeichnete, gegenüber dem Erdpotential negative Spannung zugeführt. Bei dem Schalttransistor 5 handelt es sich um einen in Emitterschaltung betriebenen npn-Transistor. Im durchlässigen Zustand liegt an ernden Transistor. Ihr Kennzeichen besteht darin, daß 50 seinem Kollektor das Potential von 0 V, während die Steuerstrecke des Ansteuertransistors in an sich dieser im gesperrten Zustand des Schalttransistors 5 bekannter Weise von der am Lastwiderstand des das Potential der Spannungsquelle P aufweist. Bei Schalttransistors abfallenden Spannung in Durchlaß- diesem Zustand stellt die gegenüber dem Erdpotential richtung beaufschlagt wird und der Kollektor des An- negative Spannung N die vollständige Sperrung des Steuertransistors über einen Widerstand mit einer 55 Schalttransistors 5 sicher.Earth or ground potential and a positive or 35 bridge lying in their horizontal position at a negative potential, the choice of which should be taken from. With 4 a binary circuit system is shown in the most general conductivity type of the switching transistors used, which depends. Any voltage external to the circuit, for example & (and), V (or), to be switched through by the gate circuit will now in most cases not be able to easily sum itself up in these potentials in the σ (summing) denoted logical function. This is done using insert tialhub. It is particularly important in the case of interchangeable switching transistors, the last of which is shown with the details of interest here and denoted by 5. In addition to the earth potential, the circuit system 4 is supplied with a voltage denoted by P which is positive with respect to the earth potential and a voltage denoted by N and is negative with respect to the earth potential. The switching transistor 5 is an npn transistor operated in an emitter circuit. In the permeable state it is due to the transistor. Their characteristic is that 50 its collector has the potential of 0 V, while the control path of the drive transistor in itself this in the blocked state of the switching transistor 5 has the potential of the voltage source P at the load resistor. With the switching transistor dropping voltage in the on state, the direction of the earth potential and the collector of the negative voltage N ensure the complete blocking of the control transistor via a resistor with a switching transistor 5.

Gleichspannungsquelle verbunden ist, deren Potential Die erfindungsgemäße Torschaltung besteht nunDC voltage source is connected, the potential of which The gate circuit according to the invention now exists

stets tiefer liegt als das Emitterpotential des Schalt- aus einem Ansteuertransistor 6 und einem von diesem transistors, und daß der Emitter des Ansteuertran- angesteuerten sogenannten Tortransistor 7, welcher sistors mit der Basis des Tortransistors und über als möglichst idealer Schalter die Aufgabe hat, je einen Widerstand solcher Bemessung mit der Speise- 60 nach den an seiner Basis herrschenden Potentialverspannung des Schalttransistors verbunden ist, daß das hältnissen eine an die Ausgangsklemme 12 ange-Kollektorpotential des Ansteuertransistors in seinem schlossene Fremdspannung auf den mit R bezeichnedurchlässig gesteuerten Zustand höher ist als das der ten Widerstand durchzuschalten oder diese Spannung maximalen Fremdspannung. Wesentlich ist dabei, daß von dem Widerstand R abzuschalten. Die Fremdunabhängig von den Potentialverhältnissen im Fremd- 65 spannung U soll dabei, wie angegeben, sowohl posispannungskreis der den Tortransistor ansteuernde tive als auch negative Werte annehmen können. Transistor stets gleichzeitig mit dem Schalttransistor Befindet sich der Schalttransistor 5 in seinemis always lower than the emitter potential of the switching from a drive transistor 6 and one of this transistor, and that the emitter of the drive transistor-driven so-called gate transistor 7, which sistor with the base of the gate transistor and as the ideal switch has the task of each one Resistance of such a dimension is connected to the supply 60 according to the potential voltage of the switching transistor prevailing at its base that the conditions of a collector potential of the control transistor connected to the output terminal 12 in its closed external voltage to the state denoted by R is higher than that of the th To switch through resistance or this voltage maximum external voltage. It is essential that the resistor R switch off. The external-independent of the potential relationships in external voltage U should, as indicated, be able to assume both positive and negative values for the gate transistor driving the gate transistor. The switching transistor 5 is in its transistor always at the same time as the switching transistor

des binären Schaltkreissystems gesperrt bleibt. Das durchlässig gesteuerten Zustand, so tritt an seinemof the binary circuit system remains locked. The permeable controlled state occurs at his

selnder Polarität in einer Richtung übersteigen. Dies führt zu Schwierigkeiten bei der Aussteuerung der Torschaltung, welche durch die Erfindung mit einer einfachen Schaltung behoben werden sollen.of different polarity in one direction. This leads to difficulties in modulating the Gate circuit, which should be remedied by the invention with a simple circuit.

Die Erfindung bezieht sich auf eine elektronische, von einem Schalttransistor betätigbare Torschaltung, bestehend aus einem eine Fremdspannung durchschaltenden Tortransistor und einem diesen ansteu-The invention relates to an electronic gate circuit that can be actuated by a switching transistor, consisting of a gate transistor that switches through an external voltage and a

Lastwiderstand 8 eine Spannung auf, welche so gerichtet ist, daß die Steuerstrecke des Ansteuertransistors 6 über die Entkopplungsdiode 9 durchlässig gesteuert wird. Dann stellt sich am Kollektor des Transistors 6 ein positives Potential ein, welches durch die Dimensionierung der Widerstände 10 und 11 bestimmt ist. Erfindungsgemäß wird dieses Potential nun so gewählt, daß es mit Sicherheit höher ist als eine positive Fremdspannung +U. In diesem Fall sperrt der Transistor? sowohl die positive Fremdspannung + U als auch eine beliebig große negative Fremdspannung — U, wobei die Grenze für letztere durch die Emitter-Basis-Sperrung des Transistors 7 gegeben ist.Load resistor 8 has a voltage which is directed in such a way that the control path of the control transistor 6 is controlled to be permeable via the decoupling diode 9. A positive potential is then established at the collector of transistor 6, which potential is determined by the dimensioning of resistors 10 and 11. According to the invention, this potential is now chosen so that it is definitely higher than a positive external voltage + U. In this case does the transistor block? both the positive external voltage + U and any negative external voltage - U, the limit for the latter being given by the emitter-base blocking of the transistor 7.

Für den Fall, daß der Schalttransistor 5 gesperrt wird, kann kein oder jedenfalls nur ein vernachlässigbar kleiner Strom über die Emitter-Basis-Steuerstrecke des Ansteuertransistors 6 fließen, der Transistor 6 wird damit gesperrt, und die Basis des Transistors 7 steht praktisch nur über dem Widerstand 11 mit der negativen Sperrspannungsquelle N in Verbindung. Bei positiv gepolter Fremdspannung + U wird die Kollektor-Basis-Strecke des Tortransistors 7 in Durchlaßrichtung beaufschlagt, so daß sich an der Basis des Transistors 7 das Potential + U einstellt. Die in Durchlaßrichtung durchflutete Kollektor-Basis-Strecke des Transistors 7 verursacht durch die Transistorwirkung ein Leitendwerden der Emitter-Kollektor-Strecke, so daß die Spannung + U auf den mit R bezeichneten Lastwiderstand durchgeschaltet ist und damit zwischen den Ausgangsklemmen 13 und 14 erscheint. Der Tortransistor 7 wird bei dieser Polung der Fremdspannung als Schalttransistor invers betrieben, d. h., die Funktionen des Emitters und Kollektors sind gegenüber dem Normalbetrieb vertauscht. Der invers betriebene Schalttransistor zeichnet sich bekanntlich dadurch aus, daß sein Reststrom im gesperrten Zustand sowie seine Restspannung in seinem durchlässig gesteuerten Zustand besonders klein werden. Liegt an der mit 12 bezeichneten Ausgangsklemme der Torschaltung eine negative Fremdspannung — U, deren Potential dem Betrag nach geringer, also positiver ist als dasjenige der Spannungsquelle N, so werden sowohl die Kollektor-Basis-Strecke als auch die Emitter-Basis-Strecke des Tortransistors 7 in Durchlaßrichtung beaufschlagt, so daß wiederum die Spannung — U in voller Höhe am Belastungswiderstand R bzw. an den Ausgangsklemmen 13 und 14 liegt.In the event that the switching transistor 5 is blocked, no or at least only a negligibly small current can flow through the emitter-base control path of the drive transistor 6, the transistor 6 is blocked, and the base of the transistor 7 is practically only above the Resistor 11 with the negative reverse voltage source N in connection. In the case of a positive external voltage + U , the collector-base path of the gate transistor 7 is acted upon in the forward direction, so that the potential + U is established at the base of the transistor 7. The collector-base path of the transistor 7 through which it flows in the forward direction causes the emitter-collector path to become conductive due to the effect of the transistor, so that the voltage + U is switched through to the load resistor denoted by R and thus appears between the output terminals 13 and 14. With this polarity of the external voltage, the gate transistor 7 is operated inversely as a switching transistor, ie the functions of the emitter and collector are interchanged with respect to normal operation. As is known, the inversely operated switching transistor is distinguished by the fact that its residual current in the blocked state and its residual voltage in its permeable controlled state are particularly small. If there is a negative external voltage - U at the output terminal labeled 12 of the gate circuit, the potential of which is lower in magnitude, i.e. more positive than that of the voltage source N, both the collector-base path and the emitter-base path of the gate transistor become 7 is applied in the forward direction, so that again the voltage - U is in full at the load resistor R or at the output terminals 13 and 14.

Die erfindungsgemäße Torschaltung eröffnet also die Möglichkeit, eine Fremdspannung wechselnder Polarität mit dem Tortransistor 7 durchzuschalten, wobei die Grenzen der durchzuschaltenden Fremdspannung beliebig zwischen den durch die Spannungen P und N gegebenen Potentialgrenzen liegen können.The gate circuit according to the invention thus opens up the possibility of switching an external voltage of alternating polarity through with the gate transistor 7, the limits of the external voltage to be switched through being able to be anywhere between the potential limits given by the voltages P and N.

Im folgenden soll die Verwendung der erfindungsgemäßen Torschaltung für den Aufbau eines Digital-Analog-Wandlers veranschaulicht werden. Hierzu sind die Schaltbrücken 1, 2 und 3 in ihre gestrichelt gezeichnete senkrechte Stellung gebracht zu denken. Damit ist der Steuereingang E₁ mit einem Ausgangskreis eines digitalen Zählers 15 verbunden, wobei dieser Ausgangskreis genauso wie der Ausgangskreis des mit 4 bezeichneten Schaltkreissystems einen Schalttransistor 5 enthalten möge. Die Eingänge E₂ und E₃ zweier mit der bisher besprochenen Torschaltung gleichartiger Torschaltungen sind an zwei weitere Ausgangskreise des digitalen Zählers 15 geschaltet, welche mit 2¹ und 2² bezeichnet sind. Bei dem Zähler 15 handelt es sich also um einen dreistelligen Zähler mit den Stellengewichten 1, 2 und 4. Aufgabe des aus den drei erfindungsgemäßen Torschaltungen bestehenden.Digital-Analog-Wandlers ist es, entsprechend den in den Ausgarigskreisen des Zählers 15 auftretenden verschieden bewichteten binären Signalen einen entsprechenden Stromfluß in der gemeinsamen Ausgangsleitung 16 zu bewirken. Hierzu sind die Ausgangsklemmen 12, 17 und 18 der drei Torschaltungen miteinander verbunden und gemeinsam an eine Fremdspannungsquelle geführt. Durch Anordnung einer entsprechenden Anzahl von Lastwiderständen R zwischen den Klemmen 19 und 21 bzw. 20 und 22, deren Widerstandswerte jeweils dem des Widerstands R in der obersten Torschaltung entspricht, wird erreicht, daß. die St'rombeiträge Z₁, i₂ und i₃ der einzelnen Torschaltungen sich beim Durch-The use of the gate circuit according to the invention for the construction of a digital-to-analog converter will be illustrated below. For this purpose, the jumpers 1, 2 and 3 are to be thought of as being brought into their vertical position, shown in dashed lines. The control input E ₁ is thus connected to an output circuit of a digital counter 15, this output circuit containing a switching transistor 5 just like the output circuit of the circuit system denoted by 4. The inputs E ₂ and E _{3 of} two gate circuits of the same type as the gate circuit discussed so far are connected to two further output circuits of the digital counter 15, which are labeled ^{2 1} and 2 ^2. The counter 15 is a three-digit counter with the digit weights 1, 2 and 4. The task of the digital-to-analog converter consisting of the three gate circuits according to the invention is to correspond to the differently weighted binary values occurring in the output circuits of the counter 15 Signals to cause a corresponding current flow in the common output line 16. For this purpose, the output terminals 12, 17 and 18 of the three gate circuits are connected to one another and jointly led to an external voltage source. By arranging a corresponding number of load resistors R between the terminals 19 and 21 or 20 and 22, the resistance values of which correspond in each case to that of the resistor R in the top gate circuit, it is achieved that. the electricity contributions Z ₁ , i ₂ and i _{3 of} the individual gate connections are

ao lässigsteuern ihrer Tortransistoren wie 1:2:4 verhalten. Die bei den einzelnen Torschaltüngen parallel angeordneten Widerstände können selbstverständlich auch zu einem einzigen Widerstand mit entsprechendem Widerstandswert zusammengefaßt werden. Derao casually control your gate transistors like 1: 2: 4. The parallel for the individual gate switches arranged resistors can of course also to a single resistor with a corresponding Resistance value can be summarized. the

as Summenstrom der drei Torschaltungen kann einem Addierverstärker 23 zugeführt werden, so daß an dessem Ausgang ein der von dem digitalen Zähler 15 ausgegebenen digitalen Ziffer Z_d entsprechendes analoges Signal erscheint.The total current of the three gate circuits can be fed to an adding amplifier 23 so that an analog signal corresponding to the digital digit Z _{d output by the digital counter 15 appears at its output.}

Die Fremdspannung wird bei der zuletzt besprochenen Variante der Erfindung an dem Schleifer eines mittengeerdeten Potentiometers 24 abgenommen, welches an eine Gleichspannung 2 U angeschlossen" ist. Bezeichnet i.ian mit ρ den Abstand des Schleifers von der Potentiometermitte, so wird durch Verändern desselben das Ausgangssignal des Digital-Analog-Wandlers mit dem Faktor ρ multipliziert. Im dargestellten Beispiel kann sich ρ von +1 bis —1 verändern, wobei sich die durchzuschaltende Fremdspannung zwischen den Grenzen + U und — U bewegt. Je nach dem eingestellten Multiplikationsfaktor ρ wird ein der vom digitalen Zähler 15 ausgegebenen Ziffer Z_d analoges und moduliertes Signal ρ·Ζ_α am Ausgang des Verstärkers 23 erscheinen. Es ist selbstverständlich möglich, diese Modulation der Fremdspannung auch auf andere Weise zu bewirken, beispielsweise, indem sie die Ausgangsspannung eines Gleichspannungsverstärkers mit variablem Eingangssignal ist. Auf diese oder andere Weise läßt sich unter Verwendung der erfindungsgemäßen Torschaltung eine zwanglose Multiplikation eines Digitalwertes mit ejner analogen Größe bewerkstelligen.The external voltage is removed at the last discussed embodiment of the invention at the wiper of a center tap potentiometer 24, which is "connected 2 U to a DC voltage. Designates i.ian with ρ the distance of the grinder of the Potentiometermitte, so by varying the same, the output signal of the digital-to-analog converter is multiplied by the factor ρ . In the example shown, ρ can change from +1 to -1, with the external voltage to be switched between the limits + U and - U. Depending on the set multiplication factor ρ , one of the digit Z _d output by digital counter 15 analog and modulated signal ρ · Ζ _{α appear} at the output of amplifier 23. It is of course possible to effect this modulation of the external voltage in other ways, for example by using the output voltage of a DC voltage amplifier with a variable input signal In this way or another we can use reference nd the gate circuit according to the invention accomplish an unconstrained multiplication of a digital value with an analog variable.

Claims (7)

Patentansprüche:Patent claims: 1. Elektronische, von einem Schalttransistor betätigbare Torschaltung, bestehend aus einem eine Fremdspahnung durchschaltenden Tortransistor und einem diesen ansteuernden Transistor, dadurch gekennzeichnet, daß die Steuerstrecke des Ansteuertransistors (6) in an sich bekannter Weise von der am Lastwiderstand (8) des Schalttransistors (5) abfallenden Spannung in Durchlaßrichtung beaufschlagt wird und der Kollektor des Ansteuertransistors mit der Basis des Tortransistors (7) und über einen Widerstand (11) mit einer Gleichspannungsquelle (N) verbunden ist, deren Potential stets tiefer liegt als das Emitterpotential des Schalttransistors, und daß1. Electronic gate circuit that can be operated by a switching transistor, consisting of a gate transistor which switches through an external voltage and a transistor which controls it, characterized in that the control path of the control transistor (6) depends in a manner known per se from that of the load resistor (8) of the switching transistor (5 ) falling voltage is applied in the forward direction and the collector of the control transistor is connected to the base of the gate transistor (7) and via a resistor (11) to a DC voltage source (N) whose potential is always lower than the emitter potential of the switching transistor, and that der Emitter des Ansteuertransistors über einen Widerstand (10) solcher Bemessung mit der Speisespannung (P) des Schalttransistors verbunden ist, daß das Kollektorpotential des Ansteuertransistors in seinem durchlässig gesteuerten Zu- s stand höher ist als das der maximalen Fremdspannung (+U). the emitter of the control transistor is connected to the supply voltage (P) of the switching transistor via a resistor (10) such that the collector potential of the control transistor in its permeable controlled state is higher than that of the maximum external voltage (+ U). 2. Torschaltung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Ansteuertransistor von entgegengesetztem Leitfähigkeitstyp wie der Schalttransistor ist.2. Gate circuit according to claim 1, characterized in that the control transistor of the opposite Conductivity type like the switching transistor is. 3. Torschaltung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Kollektorspannung des Ansteuertransistors (6) von einer die Sperrspannung eines emittergeerdeten Schalttransistors (5) liefernden Spannungsquelle (N) abgeleitet ist.3. Gate circuit according to claim 1 or 2, characterized in that the collector voltage of the control transistor (6) from a reverse voltage of an emitter-grounded switching transistor (5) supplying voltage source (N) is derived. 4. Torschaltung nach den Ansprüchen 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß der Tortransistor (7) invers betrieben ist.4. gate circuit according to claims 1 to 3, characterized in that the gate transistor (7) is operated inversely. 5. Torschaltung nach den Ansprüchen 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß im Eingangskreis des Ansteuertransistors (6) eine Entkopplungsdiode (9) liegt. 5. gate circuit according to claims 1 to 4, characterized in that the input circuit of the control transistor (6) is a decoupling diode (9). 6. Torschaltung nach den Ansprüchen 1 bis 5, gekennzeichnet durch ihre Verwendung bei einem Digital-Analog-Wandler.6. Gate circuit according to claims 1 to 5, characterized by its use in a Digital-to-analog converter. 7. Digital-Analog-Wandler nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß die Ausgangskreise von einer den digitalen Stellen entsprechenden Anzahl von Torschaltungen mit entsprechend gestuften Lastwiderständen (R) parallel an die Fremdspannung (U) angeschlossen sind.7. Digital-to-analog converter according to claim 6, characterized in that the output circuits are connected in parallel to the external voltage (U) from a number of gate circuits corresponding to the digital points with correspondingly graded load resistors (R) . Hierzu 1 Blatt Zeichnungen1 sheet of drawings