DE1519837A1 - Kristall-Schmelzverfahren - Google Patents
Kristall-SchmelzverfahrenInfo
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Description
., ix«. B. HÖLZER
89 A ϊ!<; S B IT-H Γ.
Augsburg, den 28. Juli 1965
National Research Development Corporation, Kingsgate
House, 66 - 74-, Victoria Street, London S.W. 1, England
Kristall-Schmelzverfahren
Die Erfindung betrifft die Herstellung und/oder die Behandlung von Kristallwerkstoffen»
Bei der Herstellung und/oder Reinigung von Kristall-
- werkstoffen treten im allgemeinen dann beträchtliche Schwierigkeiten
auf, wenn Stoffe behandelt werden sollen, welche entweder als Verunreinigungen bezeichnete Zusätze enthalten,
welche ausdampfen oder aber einen oder mehrere Bestandteile aufweisen, in denen ausdampfende Verunreinigungszusätze enthalten
sein können, wie dies beispielsweise bei Halbleiter-
00981 1/iue
COPY
material der Fall ist· ...... . v
Ein bevorzugtes Verfahren zur ,Behandlung von homogenem
Kristallwerkstoff in Stabform ist das sogenannte Ziehen aus
der Schmelze, bei welchem unter vorgegebenen Bedingungen
eine Kristallisation des betreffenden ".Merkstoffes aus dem ■:
flüssigen Zustand, stattfindet· Es ist eine Reihe, von Ver- ,
fahren zur Ausführung dieses Kristallisationsvorgsnges bekannt.
Beim Zonenziehverfahren wird in einem Stab aus dem
betreffenden Stoff eine flüssige Zone errichtet und das
gewünschte Auskristallasieren wird dadurch erreicht, daß
diese Zone längs des Stabes bewegt wird. Durch dieses Verfahren können Verunreinigungen entweder gleichmäßig oder
in einer anderen vorherbestimmbaren v/eise in dem Stab verteilt werden. Die Zonenraffination ist ein Zonenziehverfahren,
bei welchem eine oder mehrere Zonen mehrmals und
Jeweils nur in einer Richtung durch den ο tab des betreffenden
Werkstoffes geführt werden, um eine Konzentration von
Dotierungen oder Verunreinigungen;, aneinem JSnde des Stabes
zu erzielen» Beim senkrechten Tiegelziehverfahren hingegen
wird ein Einkristall aus einer Schmelze des betreffenden Werkstoffes gezogen, indem eine kleine Einkristallnadel
in die Schmelze eingetaucht und dann unter langsamer Umdrehung aus dieser zurückgezogen wird.
00981 1/1U6
ISItS3?
tepisiJäIi~SöhM&izverfähreii können im allgemeinen
mit reinen öder nahezu reinen, nicht ausdampfenden Werkstoffen
ausgeführt worden* ist «Jedoch einer oder mehrere
Siöitiaifi. Bestandteile des Werkstoffes flüchtig oder
te betriffefide iörkstoff ausdampfende Verunreihigühgen*
so iauß mit größim technischen Aufwand und großem
Öescliiiil irirfähreit wlrdeäj um §in Ausdampfen zu verhinderh
und unerwünschte iinderuhgen der Zusammensetzung in dem
t/erkstöff zu vermeiden. ·
I§r britischen i*ät eilt schrift 853 975 ist hierzu
biiipiiii#§is£ ausgeführt j daß bei indiumantimonid die
iirüsäiliifc der Reinigung durch Zonenraffination dadurch
eingeschränkt wird, daß während des Zonenziehens ein unkontrolliertes
Ausdampfen der flüchtigen Verunreinigung!
i böiipiöisweise Sink üna Kadmiumt stattfindet. In der
d§ir genanntön britiischen Patentschrift ist
ä öiit förfährön beschrieben j oei welchem äu?er-
reihSs intiüiöäntiibhid dadurch hergestellt wird<
iäüäifetst öiile g&riau gesteuerte Äusdampfung flüchtiger
föiüÜttiiistaRbfeii üfetisi' Ve'riföndung einer genau bögreiissten
und gekühlten Oberfläche zugelassen wird, an welch letzterer
sich M.G ausdampfeMin V§rtinreiäi£uhgen in. iorm einer
niederschlagen.! worauf durch allmähliche
*. 3 & ■ .
BADOR1G1NÄL
Zonenraffination des Indiumantimonides die nichtausdampfenden
Verunreinigungen entfernt werden.
Durch die vorliegende Erfindung wird ein anderes, bedeutend einfacheres Verfahren zur Herstellung und/oder
Reinigung von Elementen und/oder Verbindungen mit Zusätzen ausdampfender Verunreinigungen vorgeschlagen, wobei das
betreffende Element oder die Bestandteile der Verbindung selbst flüchtig sein können oder nicht.
Auch die Herstellung und Reinigung flüchtiger Elemente
öder von Stoffen mit flüchtigen Bestandteilen mit aus-'
dampfenden oder nichtausdampfenden Verunreinigungen bereitet große technische Schwierigkeiten. Die sogen. Ill-V-Verbindungen,
insbesondere die Arsenide und Phosphide sind Beispiele für Stoffe dieser Art. Insbesondere seien hier
Indiumarsenid und Galliumarsenid genannt und es sei darauf hingewiesen, daß der Dampfdruck von Arsen über Schmelzen
dieser Verbindungen mit stSchiometrischer Zusammensetzung
in 4jer' Größenordnung von 0,3 at bzw* von 1,0 at liegt*
Wird iaher dieses Llaterial in einem innerhalb eines abgeschlossenen.
Behälters angeordneten Tiegel 4'e schmolz en, so
verdampft Arsen sehr rasch und schlägt sich an kalten Stellen
des umgebenden Behälters nieder. Um dieses Verdampfen und
0 0 9 8 1 1 /1 U 6 - Bm ORIGINAL:
Niederschlagen zu verhindern, müssen die Wände dieses
Behälters auf so hohe Temperaturen gebracht werden, daß sich das Arsen nicht niederschlagen kann. Die Wandungstemperatur
des Behälters muß in.diesem Falle für Arsenverbindungen
der III-V-Gruppe im Bereich von 575 C
bis 600° 0 liegen und für Phosphide annähernd 600° C
bis 700 G betragen, um die Kondensation von Arsen bzw.
von Phosphor zu verhindern. Die Anwendung derartig hoher Mindesttemperaturen des umgebenden Behälters bereitet bei
der Behandlung von Kristallwerkstoffen mit ausdampfenden Bestandteilen und mit ausdampfenden oder nichtausdampfenden
Verunreinigungszusätzen außerordentlich große Schwierigkeiten.
Trotzdem wurden bekanntermaßen unter Anwendung des
obengenannten Grundgedankens Kristallziehverfahren für
Werkstoffe entwickelt, welche ausdampfende Bestandteile enthalten. Bei einem bekannten Horizontalziehverfahren sind
besondere Beheizungseinrichtungen erforderlich, mittels welcher die Lage des in der Nähe einer bestimmten Vorratsmenge des flüchtigen Bestandteiles befindlichen Bereiches
der niedrigsten Temperatur des den Kristallwerkstoff umgebenden Behältnisses genau und im wesentlichen unabhängig
von der Heizeinrichtung zur Errichtung der Zone geregelt werden kann. Beim bekannten senkrechten Tiegelziehverfahren
- 5 _
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treten aufgrund der Notwendigkeit, den Kristall mit Bezug auf die Schmelze zu bewegen, noch größere Schwierigkeiten
auf. Diese Helativbewegungen können entweder mittels
eines verwickelten, magnetischen Koppelsystems oder mittels einer spritzenähnlichen Zieheinrichtung erreicht werden,
bei welcher eine Stopfbuchse für hohe Temperaturen Dreh-
und Rückziehbewegungen ermöglicht, während das Ausdampfen auf ein I.Iindestmaß beschränkt wird. Diese bekannten Verfahren
sind gegenwärtig zur Herstellung und Behandlung von Indiumarsenid und Galliumarsenid im 'Jebrauch und die hierzu
erforderlichen Einrichtungen sind naturgemäß verwickelter und schwieriger zu handhaben als früher üblich Zonenziehanlagen
und Tiegelziehanlagen, welche im allgemeinen zur Behandlung nichtausdampfender Werkstoffe, wie üeispiels-,
weise Germanium, verwendet werden·
Durch die vorliegende ürfinciung wird die Möglichkeit
geschaffen, herkömmliche Anlagen zu verwenden, ohne daß die Schwierigkeiten in Kauf genommen v/erden müssen, welche
Anlagen anhaften, bei welcnen das umhüllende Gefäß auf er—
hohter Temperatur gehalten werden muß, wie dies bei den oben beschriebenen Verfahren zur behandlung von Kristall-*
werkstoffen mit flüchtigen Bestandteilen und gegeoenenfalls
- 6 -_ '
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ebenfalls flüchtigen Verunreinigungszusätzen auftritt»
In der folgenden Jeschreibung und in aen Ansprüchen
bedeutet die jiezeichnung "zumindest teilweise ausdampfende
Krlstallwerkstoffe" sowohl ausdampfende Elemente als auch
Mferkstoffe mit ausdampfenden ^eatau-teilen oder Verunreini—
gungszusätzen und Verfahren zur Behandlung derartiger
Materialien umfassen iia Zuge der folgenden Darlegungen
sowohl Verfaliren zur Reinigung als auch Verfahren zum
Ziehen von Einkristallen.
Eb wurde bereits ein ICristsllziehverfahren zur
Herstellung von Kristnllen der ausdampfenden dtoffe
Bleißelenid und Bleitelluridaus entsprechenden Schmelzen
unter Boröxyd vorgeschlagen. Durch die Srfindung wird
ein auf verschiedene ICristall-Schmelzverfehren sowie
für verschiedene Kristallwerkstoffe mit ausdampfenden
Verunreinigungszusatzen und/oder Bestandteilen anwendbares
Beaandiuögsverfahren vorgeschlagen»
lii wesentlichen wird bei dem erfindungsgemäßen Verfahren
die öchmelzssone von einem neutralen flüssigen otoff
geringerer Dichte umschlossen und die ausdampfenden Bestandteile oder Verunreinigungszusätze werden in der Schmelzzone
des zu behandelnden Werkstoffes durch einen Druck festgehalten,
00981 1/1 US . - 7 -
welcher durch ein neutrales Gas ausgeübt wird und welcher
etwas größer als der Dampfdruck des am stärksten ausdampfenden
Bestandteiles oder Verunreinigungszusatzes des gesamten Systems über der Schmerze ist.
Die Erfindung beinhaltet demgemäß ein Kristall-Schmelz
verfahren zur Herstellung und/oder Reinigung zumindest teilweise ausdampfender Kristallwerkstoffe, welches dadurch gekennzeichnet
ist, daß die zur Bildung einer den Werkstoff durchwandernden Fest-Flüssig-Riasengrenze errichtete
Schmelzzone in eine neutrale Flüssigkeit eingeschlossen
wird, welche unter einem Druck steht, der größer als der
Dampfdruck des am stärksten ausdampfenden Bestandteiles des betreffenden .Merkstoffes ist.
Das erfindungsgemäße Verfahren wird zweckmäßigerweise
Flüssigkeitshüllen-Schmelzverfahren genannt.
Im folgenden werden einige Ausführungsbeispiele des
erfindungsgemäßen Verfahrens unter Bezugnahme auf die beiliegenden Zeichnungen näher erläutert. In den Zeichnungen
stellen dar:
- 8 0 0 9 8 1 1 / T U S
Figur 1
einen schematischen Querschnitt durch eine Zonenzieheinrichtung
zur Ausführung des erfindungsgemäßen Verfahrens, ■
Figur 2
einen schematischen Querschnitt durch eine senkrechte Tiegelziehanlage
zur Ausführung des erfindungsgemäßen Verfahrens und
die Figuren 3, 4 und 5
schematische Querschnitte durch.ELi
richtungen zur Ausführung des senkrechten Zonenziehverfahrens unter
Anwendung des Verfahrens nach der Erfindung.
Indiumarsenid und Galliumarsenid sind Verbindungen der Gruppe IH-V mit dem ausdampf enden Bestandteil Arsen,
Aus diesem Grunde können Indiumarsenid und Galliumarsenid nicht in den gebräuchlichen, für Germanium geeigneten
Horizontal- oder Vertikalziehanlagen behandelt werden, es
sei denn, es werden besondere Vorkehrungen getroffen. Tatsächlich
wurde bisher reines Indiumarsenid und reines Galliumarsenid im allgemeinen aus hochreinem Indium und
— Q _
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hochreinem Arsen (Heinheitsgrade von 99*9999 %) unter
Verwendung einer besonders aufgebauten Heizeinrichtung
hergestellt. Eine Zonenraffination wird danach im allgemeinen nicht mehr vorgenommen, da nach der Zonenraffination
alle ausdampfenden Verunreinigtmgszusätze gleichförmig über
die betreffende Werkstoffprobe verteilt wären·
Die in Figur 1 der Zeichnungen, im Querschnitt gezeigte
Zonenzieheinrichtung ist für die Eeinigung von Indiumars enid bestimmt. Bei dem erfindungsgemäßen Behandlungsverfahren
für Indiumarsenid werden Indium und Arsen in bekannter Weise
zu einer Probe 1 vorgeformt (hierbei brauchen nicht die
teuersten und reinsten Ausgangswerkstoffe verwendet zu werden)· Ein genaues Einhalten bestimmter Grenzen ist hierbei
ebenfalls nicht notwendig· Die Probe 1 wird dann in ein Schiffchen 3 aus Kohlenstoff in glasartiger Formation oder
aus Quarzglas gesetzt und darüber werden Stücke aus Boroxyd geschichtet, welche vorher bei Temperaturen von ungefähr
1000° C in einem Platinschiffchen im Vakuum gebrannt worden
sindο *
Gemäß einem abgewandelten Alisführungsbeispiel des erfindungsgemäßen
Verfahrens können anstelle der Boroxydstücke auch Bariumchloridstücke verwendet werden (welche ebenfalls
- 10 -009811/1U6
bei ungefähr 1000° 0 im Vakuum gebrannt worden sind).
pie Seltenwände des Schiffchens 3 sollen so hoch sein,
daß das Indiumarsenid ungefähr einen Zentimeter mit Boroxyd bedeckt ist, wenn letzteres geschmolzen ist, wie
bei 5 angedeutet· Bas Boroxyd 5 wirkt als Gettermaterial
für metallische Verunreinigungen und verhindert zusätzlich unerwünschte Kelmbildustgen aufgrund von Oxydationen· Das
Schiffchen 3 wird zusammen mit den aufgeschichteten Boroxydstitcken in eine normale Germanium-Zonenzieheinrichtung
7 gesetzt· Hierauf wird ein neutrales Spülgas (beispielsweise
Stickstoff oder Argon) durch die Anlage geleitet und der Druck dieses Spülgases auf über 0,3 at und
im allgemeinen auf 1,0 at eingestellt. Ist es bekannt, daß in dem betreffenden Stoff leicht ausdampfende Verunreinigungszusitze
enthalten sind, so wird der Spülgasdruck zweckmäßigerweise so eingestellt, daß er größer als der
Dampfdruck der am stärksten ausdampfenden Verunreinigung
über der Indiumarsenidschmelze ist. Hierauf wird die Probe in der irom Germanium her bekannten .<eise einer Zonenraffination
unterzogen· Vorteilhafterweise wird ein Indiumarsenid-ELnkristallkeim
verwendet, um die Zonenraffination an dem Sinkristall durchzuf uhren.
11 -
0JIS811/1 US
Beim horizontalen Ziehen von Einkristallen kann es
vorteilhaft sein, das Schiffchen 3 mit Boroxyd auszukleiden.
Der sich dann beim Aufschmelzen des Boroxyds bildende Flüssigkeitsfilm kann als Gettermaterial für Metalloxyde
wirksam werden, verhindert unerwünschte Kristallkeimbildung
und vermindert oder verhindert Beeinflussungen zwischen dem Stoff f. aus welchem das schiffchen gefertigt ist, und
dem zonengezogenen Kristallwerkstoff.
In ähnlicher Weise kann Galliumarsenid durch Zonenraffination
behandelt werden,, jedoch geht hierbei das .rioroxyd 5 durch Verdampfung allmählich verloren und muß
daher ergänzt werden. Durch eine Mischung von Bariumoxyd und
Boroxyd - vorzugsweise je 50 Molprozent beider Verbindungen kann
der Verlust ^n Boroxyd vermindert werden. In diesem Falle ist ein Schiffchen aus glasiger Kohle einem Quarzschiffchen vorzuziehen. Der Druck des neutralen Spülgases
seilte auf nicht unter 1,1 at eingestellt werden.
Gemäß einem weiteren Ausführungsbeispiel der Erfindung
können JSinkristalle aus Indiumarsenid oder Galliumarsenid
in einer gebräuchlichens für die Behandlung von Germanium
geeigneten Senkrecht-Siegelzieheinrichtung, wie sie in
Figur 2 der Zeichnungen dargestellt ist, hergestellt werden.
- .12 0 09 81 1/1U6
In einem Tiegel 11 aus glasartigem Kohlenstoff oder aus
Quarz wird eine bestimmte Menge 9 von Indiumarsenid oder
Galliumarsenid mit oder ohne einen-Gehalt an Verunreinungszusätzen
eingebracht» Außerdem wird eine genügende Menge
von im Vakuum gebranntem Boroxyd hinzugefügt, um sicherzustellen, daß die Schmelze ungefähr 1 cm mit flüssigem
Boroxyd 13 bedeckt ist, Me Einrichtung wird hierauf mit
einem neutralen Gas gespült und der Druck des Spülgases
wird hierauf mit Bezug auf den bekannten Dampfdruck einer ausdampfenden Verunreinigung über der Indiumarsenid— oder
der Galliumarsenidschmelze derart eingestellt,.daß der
Spülgasdruck über dem höchsten Dampfdruck oder bei mindestens
1,1 at liegt. Hierauf wird in der üblichen weise ein
Kristall gezogen,, indem ein Einkristall 15 durch das
flüssige -rioroxyd oder Bariumchlorid oder Boroxyd/Bariumoxydgemisch hindurch in die Indiumars-enid- oder Galliumarsenidschmelze
eingetaucht und hierauf in der üblichen Weise unter langsamer Umdrehung zurückgezogen wird, JSs ist von
Wichtigkeit, eine -genügende Tiefe der einschließenden Flüssigkeit
vorzusehen, um zu verhindern, daß Arsenid von der Oberfläche des Kristalles. ausdampft* Wird Boroxyd als einschließende Flüssigkeit verwendet, so bildet dieses während
des Ziehvorganges eine Haut auf der Kristalloberflache,
..■..- 13'-009811/1146
welche ein Ausdampfen von Arsen aus der oberfläche verhindert.
In anderen Fällen muß gedoch eine genügende i'iefe
der einschließenden Flüssigkeit vorgesehen werden, damit die Überflächentemperatur des aus der einschließenden
flüssigkeit auftauchenden Kristalles genügend abgesunken
ist, um ein Ausdampfen von Arsen zu verhindern.
Gemäß Figur 3 der Zeichnungen ist ein Stab 1 eines
Kristallwerkstoffes, an welchem ein Zonenziehverfahren
durchgeführt werden soll, in eine neutrale !Flüssigkeit 3 eingeschlossen, welche sich innerhalb einer Röhre 5 befindet.
Ein iViderstandsheizer 7 hält den die neutrale Flüssigkeit
3 bildenden Stoff über dem Schmelzpunkt und zur Errichtung
der flüssigen Zone 11 in dem Stab 1 ist ein Induktionsheizer 9 vorgesehen. Ist der Brück der neutralen
Flüssigkeit 3 genügend hoch, so wird nicht nur die Schmelzzone 11 zwischen dem oberen und dem unteren "Teil des Stabes
gehalten und am Abtropfen gehindert, sondern-ein Ausdampfen
auch dann verhindert, wenn das Zonenziehverfaliren für den
betreffenden Kristallwerkstoff bei einer Temperatur durchgeführt
werden muß, bei welcher dieser den Stab 1 bildende Stoff normalerweise flüchtig ist.
Bisher konnten selbstverständlich nur solche Stoffe
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IS
im Zonenziehverfaiiren behandelt werden, welche nicht ausdampften
und deren Oberflächenspannung und Viskosität bei den betreffenden !Temperaturen eine öelbsthaltiing der
flüssigen Zone 11 ermöglichten. Gemäß der Erfindung kann jedoch das Zonemziehverfahren auch bei solchen Werkstoffen
angewendet werden, welche nicht die soeben genannten wünschenswerten
Eigenschaften aufweisen.
Als Beispiel hierfür sei das Zonenziehen von Indiumars
enid unter Yerweniung von Boroxyd als einschließender
Flüssigkeit angegeben.
Der einschließenden Flüssigkeit kann ein Susatz beigemengt
sein, welcher im Falle von Boroxyd aus β Gewichtsprozenten
Natriumfluorid bestehen kann, wodurch die Viskosität
der einschließenden Flüssigkeit verringert wird.
In Figur % der Zeichnungen ist ein Verfahren nach der
Erfindung verdeutlicht, bei welchem in den Bereichen, welche Von der Schmelzzone 11 weiter entfernt sind, eine Järstarrung
des die einscnließende Flüssigkeit bildenden Stoffes zugelassen wird. 33er Widerstandsheizer 7 ist hierbei weggelassen.
Aus folgenden Gründen treten Jedoch bei dem soeben
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angegebenen Ausführungsbeispiel des erfindungsgemäßen Verfahrens Schwierigkeiten auf: Im allgemeinen wird die
den Stab umschließende Höhe 5 zweckmäßig durchsichtig ausgeführt. Bei den anzuwandenden hohen Temperaturen müssen
Jedoch Glas- oder Quarzrohre verwendet werden und diese beiden Stoffe haben den Nachteil, daß sie von Boroxyd angegriffen
werden. Es könnten auch andere Stofi'e zur Erzeugung der einschließenden Flüssigkeit verwendet werden (beispielsweise
Kaliumchlorid), doch sind dann die Volumenunterschiede des geschmolzenen und des festen Stoffes so groß, daß unter
Umständen die Glas- oder ^uarzwandung bricht. Doch kann das J/l
erfindungsgemäße Verfahren in Verbindung mit geeigneten Stofien zur Bildung der einschließenden Flüssigkeit und
in Verbindung mit geeigneten vVandungsmaterialien trotzdem
Anwendung finden. .
In Figur 5 der Zeichnungen ist ein Verfahren verdeutlicht,
bei welchem die soeben angegebenen Schwierigkeiten vermieden sind. Bei der in dieser Zeichnung dargestellten
Anordnung ist der die einschließende Flüssigkeit bildende Stoff 3 nur in denjenigen Bereichen flüssig, in
welchen er den Stab 1 berührt, in den äußeren Bereichen
wird er durch eine in der Zeichnung nichtdargestellte Eühl
einrichtung Jedoch so gekühlt, daß er dort erstarrt ist·
0 09811/1U. 6
- 16 -
■■■■*?
1>
Bei dieser Anordnung ist der Induktionsheizer 9 in die
einschließende Flüssigkeit 3 eingetaucht und wandert durch
sie hindurch«. Ist jedoch der Vferkstoff des Stabes 1 ein
elektrischer Leiter, während der die einschließende
Flüssigkeit "bildende Stoff 3 ein elektrischer Isolator ist,
so kann der Induktionsheizer 9 in der in den Figuren 3 und 4-der
Zeichnungen gezeigten iVeise außerhalb des die einschließende
Flüssigkeit bildenden Stoffes 3 angeordnet sein und ist nicht
in diesen eingetaucht, da in diesem Falle die Wärmewirkung .; trotzdem auf den Stab 1 konzentriert wird. _. ■
- 17 009811/1146
Claims (4)
1. Kristall-Schmelzverfahren zur Herstellung und/oder
Reinigung zumindest teilweise ausdampfender Kristallwerkstoffe,
dadurch gekennzeichnet, daß die zur Bildung einer den Werkstoff durchwandernden Fest-Flüssig-Ehasengrenze
errichtete ächmelzzone in eine neutrale !flüssigkeit eingeschlossen
wird, welche unter einem Druck steht, der größer als der Dampfdruck des am stärksten ausdampfenden Bestandteiles
des betreffenden Werkstoffes ist·
2. Anwendung des Verfahrens nach Anspruch 1 auf das
horizontale Zonenziehverfahren·
3. Anwendung des Verfahrens nach Anspruch 1 auf das
vertikale Zonenziehverfahren.
4. Anwendung des Verfahrens nach Anspruch i auf das
vertikale Tiegel-Kristallziehverfahren.-
5» Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 4,
dadurch gekennzeichnet, daß als neutrale Flüssigkeit Boroxyd oder Bariumoxyd oder Bariumchlorid oder Kalium-
- 18 009811/1146
chlorld oder eine !lösung zweier oder mehrer dieser Stoffe
Verwendung findet·
6· Verfahren mach einem der Ansprüche 1 bis 5t dadurch
gekennzeichnet^ daß der neutralen Flüssigkeit ein ihre
Viskosität verringernder Zusatz beigemengt wird,
7· Verfahren nach Anspruch 6,dadurch gekennzeichnet,
daß als die Viskosität verringernder Zusatz Natriumfluorid verwendet wird·
8· Anwendung eines Verfahrens nach einem der Ansprüche
i "bis 7 auf die Behandlung von Indiumarsenid oder
Galliumarsenid·
- 19 009811/1148
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