DE1512411C - Multivibrator - Google Patents

Multivibrator

Info

Publication number
DE1512411C
DE1512411C DE1512411C DE 1512411 C DE1512411 C DE 1512411C DE 1512411 C DE1512411 C DE 1512411C
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
transistor
transistors
control electrodes
branch
interconnected
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired
Application number
Other languages
German (de)
Inventor
Adolph Karl Princeton N.J. Rapp (V.St.A)
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
RCA Corp
Original Assignee
RCA Corp
Publication date

Links

Description

ι 2ι 2

Die Erfindung betrifft einen Multivibrator, dessen widerstand durch einen Transistor gleichen Leitungs-The invention relates to a multivibrator whose resistance is provided by a transistor with the same line

beide zwischen einer Betriebsspannung und einem typs ersetzt ist. .both between an operating voltage and a typs is substituted. .

Bezugspunkt liegenden Stromzweige je mindestens Bei dieser Schaltung ist der Schaltzustand durch einen Transistors eines Leitungstyps und einen Ar- die Potentiale an den Verbindungspunkten der beibeitswiderstand aufweisen und bei dem im ersten 5 den Feldeffekttransistoren jedes Stromzweiges be-Stromzweig dem Arbeitswiderstand des Transistors stimmt. Von diesen beiden Transistoren ist jeweils ein zusätzlicher Transistor vom anderen Leitungstyp einer gesperrt und hat somit einen sehr hohen Bahnparallel geschaltet ist, der vom Transistor des zwei- widerstand, so daß beide Stromzweige unabhängig ten Stromzweiges angesteuert wird. vom jeweiligen Schaltzustand hochohmig sind undAt least the current branches lying at the reference point. With this circuit, the switching status is through a transistor of a conduction type and an ar- the potentials at the connection points of the bilateral resistance have and in the first 5 the field effect transistors of each current branch be-current branch the working resistance of the transistor is correct. Of these two transistors is respectively an additional transistor of the other conductivity type is blocked and thus has a very high path parallel is connected to the transistor of the two-resistor, so that both current branches are independent th branch is controlled. of the respective switching state are high resistance and

Eine bekannte derartige Schaltung ist mit üblichen io demgemäß nur minimale Verlustleistungen auftreten. Transistoren aufgebaut Beim Sperren des einen Diese Beriebsweise läßt sich insbesondere bei VerTransistors soll der seinem Arbeitswiderstand par- Wendung von Feldeffekttransistoren mit isolierter allelgeschaltete zusätzliche Transistor die Kollektor- Steuerelektrode gut erreichen, da hierbei praktisch kapazität schneller entladen, als es bei einer Entla- keine Steuerleistung benötigt wird, wie sie bei Schaldung nur über den Arbeitswiderstand möglich ist, 15 tungen mit normalen Transistoren über den KoUekso daß die Rückflanke des am Kollektor erscheinen- torwiderstand des jeweils nichtleitenden Transistors den Impulses steiler abfällt Hinsichtlich des Strom- geliefert wird. Weiterhin läßt sich die Kapazität der Verbrauchs leidet diese bekannte Schaltung jedoch isolierten Steuerelektroden zur Energiespeicherung unter dem gleichen Nachteil wie andere Schaltungen, während der Haltezeit des instabilen Zustandes bei die passive Arbeitswiderstände verwenden. Durch ao monostabilen und astabilen Multivibrätoren ausden Arbeitswiderstand des gerade leitenden Tran- nutzen, ohne daß weitere zuzuschaltende Kapazisitors fließt nämlich dessen Kollektorstrom und setzt täten notwendig wären.A known circuit of this type is accordingly only minimal power dissipation with the usual io. Transistors built up When blocking the one. This operating mode can be used, especially with VerTransistors, to reduce its working resistance Allele-connected additional transistor reach the collector control electrode well, as this is practical Discharge capacity faster than it is with a discharge. No control power is required, as is only possible via the working resistance when connecting, 15 lines with normal transistors via the KoUekso that the trailing edge of the gate resistance of the respective non-conductive transistor appears at the collector the pulse drops off steeper with regard to the current being supplied. Furthermore, the capacity of the However, this known circuit suffers in terms of consumption from insulated control electrodes for energy storage under the same disadvantage as other circuits, during the hold time of the unstable state at who use passive work resistors. Ausden through ao monostable and astable multivibrators Working resistance of the currently conducting tran- use without additional capacitors to be switched on namely flows its collector current and continues actions would be necessary.

ihn in Leistung um. Bei integrierten Schaltungen . Zwar ist es grundsätzlich bekannt, daß sich Multimöchte man jedoch wegen der großen Packungs- vibratoren mit Feldeffekttransitoren aufbauen lassen, dichte die Wärmeentwicklung in den einzelnen Bau- as jedoch handelt es sich hierbei entweder um selbst-1 elementen so gering wie möglich halten, damit die schwingende Schaltungen mit nur einem Transistor, Temperatur innerhalb des integrierten Schaltungs- die nach. Art einer Relaxationsschaltung Kippschwinplättchens nicht zu stark ansteigt Ein weiteres Pro- gungen erzeugen, oder um Schaltungen, welche soblem bei integrierten Schaltungen besteht darin, daß wohl Feldeffekttransistoren als auch normale Transich Kapaziäten in integrierter Form nicht gut reali- 30 sistoren gemeinsam verwenden, oder um Schaltunsieren lassen, weil sie eine beträchtliche Fläche des gen, die in konventioneller Weise aufgebaut sind, Halbleiterplättchens benötigen, wobei zwar die Arbeitswiderstände ebenfalls durchhim in performance. With integrated circuits. Although it is known in principle that multi-wishbones can be built up with field effect transistors because of the large packing vibrators, the heat development in the individual components is either self-contained 1 as low as possible so that the oscillating circuits with only one transistor, temperature within the integrated circuit that follows. Kind of a relaxation circuit Tilting wave plate does not rise too much. Generate further probes, or to circuits, which are so common in integrated circuits, that field-effect transistors and normal Transich capacities in integrated form do not use well together, or about switching leave because they require a considerable area of the gene, which are constructed in a conventional manner, semiconductor wafers, although the load resistances also through

Die Aufgäbe der Erfindung besteht in der Schaf- Feldeffekttransistoren reailisert sind, die zwar als fung einer Multivibratorschaltung, in welcher nur Strombegrenzer geschaltet sind, aber immerhin noch eine minimale Verlustleistung umgesetzt wird und 35 einen nennenswerten Strom führen und somit Enerwelche keine eigens ausgebildeten Kapazitäten be- gie verbrauchen. Ferner verwenden die bekannten nötigt und sich daher für eine Ausbildung in inte- Schaltungen durchweg konventionelle Bauelemente, grierter Form eignet Diese Aufgabe wird bei einem während man für die Ausbildung integrierter Schal-Multivibrator, dessen beide zwischen einer Betriebs- tungen möglichst ausschließlich mit Halbleiterbauspannung und einem Bezugspunkt liegenden Strom- 40 elementen auszukommen sucht, da sich Transistoren zweige je mindestens einen Transistors eines Lei- ..; und Dioden in integrierter Form leichter realisieren tungstyps und einen Arbeitswiderstand aufweisen lassen als Widerstände oder gar Kondensatoren,
und bei dem im ersten Stromzweig dem Arbeitswider- Eine besondere Ausführungsform des erfindungsstand des Transistors ein zusätzlicher Transistor vom gemäßen Multivibrators als monostabiler Multivianderen Leitungstyp parallel geschaltet ist, der vom 45 brator besteht darin, daß die zusammengeschalteten Transistor des zweiten Stromzweiges angesteuert Steuerelektroden der reihengeschalteten Transistoren wird, erfindungsgemäß dadurch gelöst, daß die Schal- des ersteh Stromzweiges mit den Kollektoren zweier tungsanordnung in integrierter Form mit Feldeffekt- Eingangstransistoren verbunden sind, deren Steuertransistoren unter Vermeidung konventioneller pas- elektroden ebenfalls zusammengeschaltet und an den siver Bauelemente aufgebaut ist, wobei in Reihe mit 50 Verbindungspunkt der Kollektoren der Transistoren jedem der erstgenannten .Transistoren der Strom- des zweiten Stromkreises geführt sind, und daß dem zweige je ein weiterer Transistor vom anderen Lei- Emitter des einen Eingangstransistors das Eingangstungstyp Hegt und die Steuerelektroden der in Reihe signal zugeführt wird, während der Emitter des geschalteten Transistoren miteinander verbunden anderen Eingangstransistors am Bezugspunkt liegt sind, wobei den zusammengeschalteten Steuerelek- 55 Damit läßt sich der Eingang des monostäbilen Multitroden der Transistoren des ersten Stromzweiges ein vibrators nach dem Auftreten eines Triggerimpulses Steuersignal zuführbar ist während ihre zusammen- für die instabile Zeit gegen weitere Eingangsimpulse geschalteten Kollektoren mit den zusammengeschal- sperren, so daß eine Doppeltriggerung vermieden teten Steuerelektroden der entsprechenden Transisto- wird. Sollte die mit der Kapazität, welche durch die ren des zweiten Stromzweiges verbunden sind und die 60 Steuerelektroden- und Schaltungskapazitäten gebilan diesem Zusammenschaltungspunkt wirksamen det wird, erreichbare Haltezeit nicht ausreichen, so Schalt- und Elektrodenkapazitäten die Breite des kann man diese gegebenenfalls durch Zuschalten Ausgangsimpulses bestimmen, wobei ferner der Ver- einer äußeren Kapazität beliebig verlängern.
bindungspunkt der Ausgängselektroden der Tran- Der monostabile Multivibrator läßt sich in einen sistoren des zweiten Stromzweiges mit der Steuerelek- 65 astabilen Multivibrator umwandeln, wenn zwischen trode des zusätzlichen Transistors verbunden und an die Betriebsspannung und dem Bezugspunkt ein eine Last angeschaltet ist und wobei der den zu- ebenso wie der erste Stromzweig aufgebauter dritter sätzlichen Transistors parallelgeschaltete Arbeite- Stromzweig geschaltet wird, wobei die zusammen-
The task of the invention consists in the Schaf field effect transistors are realized, which act as a multivibrator circuit in which only current limiters are switched, but still a minimal power loss is implemented and 35 carry a significant current and thus energy which does not require specially designed capacities. consume energy. Furthermore, use the known necessary and therefore for training in inte- circuits consistently conventional components, grated form Seeks to get along with current elements lying at the reference point, since transistors branch each at least one transistor of a line ..; and diodes in integrated form are easier to implement and have a working resistance than resistors or even capacitors,
A special embodiment of the inventive status of the transistor, an additional transistor of the appropriate multivibrator as a monostable multivibrator is connected in parallel with the operating resistor in the first branch, which consists of the fact that the interconnected transistor of the second branch is controlled by the control electrodes of the series-connected transistors , solved according to the invention in that the circuit of the first branch is connected to the collectors of two processing systems in an integrated form with field effect input transistors, the control transistors of which are also interconnected while avoiding conventional passive electrodes and are built on the siver components, in series with 50 Connection point of the collectors of the transistors of each of the first-mentioned .Transistors der Strom- of the second circuit are performed, and that the branch is a further transistor from the other line emitter of one input transistor stors the input type Hegt and the control electrodes which are fed in series signal, while the emitter of the connected transistor connected to each other, the other input transistor is at the reference point, whereby the connected control elec- 55 This allows the input of the monostable multitrode of the transistors of the first branch to be a vibrator after the occurrence of a trigger pulse, a control signal can be supplied while their collectors, which are connected to other input pulses for the unstable time, block with the connected control electrodes of the corresponding transistor, so that double triggering is avoided. If the holding time that can be achieved with the capacitance that is connected through the second branch of current and the 60 control electrode and circuit capacitances are effective at this interconnection point, the switching and electrode capacitances can be determined by adding the output pulse if necessary , furthermore extending an external capacitance as desired.
connection point of the output electrodes of the trans- The monostable multivibrator can be converted into a transistor of the second branch with the control elec- 65 astable multivibrator if a load is connected between the trode of the additional transistor and the operating voltage and the reference point, and with the to - as well as the first branch built up third additional transistor parallel-connected work- current branch is switched, whereby the together-

·..-..;■ 3 ■ ' ■ 4 ■· ..- ..; ■ 3 ■ '■ 4 ■

geschalteten Steuerelektroden der reihengeschalteten wendeten Feldeffekttransistoren sind vom Strom-Transistoren des ersten Stromzweiges mit den zu- erhöhungstyp. Bei einem solchen Transistor fließt, sammengeschalteten Kollektoren der ihnen ent- wenn die Spannungen an der Steuerelektrode und sprechenden Transistoren des dritten Stromzweiges am Emitter den gleichen Wert haben, zwischen verbunden sind, deren zusammengeschaltete Steuer- 5 Emitter und Kollektor nur ein sehr kleiner Restelektroden wiederum mit den zusammengeschalteten strom, während, wenn die Steuerelektrodenspannung Kollektoren der Transistoren des zweiten Strom- sich ändert, und zwar in negativer Richtung bei zweiges verbunden sind, an deren zusammengeschal- einem p-leitenden Transistor bzw. in positiver Richtete Steuerelektroden andererseits die Steuerelektrode tung bei einem η-leitenden Transistor, nach Überdes dem zusätzlichen Transistor entsprechenden io steigen des Schwellwertes für die Steuerelektroden-Transistors des dritten Stromzweiges geführt ist. Auch Emitter-Spannung zwischen'Emitter und Kollektor in diesem Falle läßt sich die Haltezeit und damit die ein Strom fließt ■■■■'■■"■■
Periodendauer der erzeugten Schwingung verlängern, Die in Fig. 1 gezeigte monostabile Kippschaltung wenn man zwischen die zusammengeschalteten enthält zwei η-leitende Transistoren 10 und 12 sowie Steuerelektroden der reihengeschalteten Transistoren 15 vier p-leitende Transistoren 14, 16, 18 und 20. Die des ersten bzw. zweiten Stromzweiges und den Be- Transistoren 10, 14 und 20 Hegen mit ihren Leizugspunkt ebenfalls zusätzliche Kapazitäten einfügt. tungswegen oder Kanälen in der genannten Reihen-Die Erfindung ist im folgenden an Hand der Dar-... folge in Reihe zwischen Masse und einem ersten Stellungen von Ausführungsbeispielen näher erläu- Schaltungspunkt 24, wobei die Kollektoren des terL Es zeigt ^: ao ersten Transistors 10 und des dritten Transistors 14 Fig.l das Schaltbild einer monostabilen Kipp- sowie der Emitter des dritten Transistors 14 und der .-":, . schaltung nach der Erfindung, Kollektor des sechsten Transistors 20 jeweils zu-' Fig. 2 und 3 verschiedene Möglichkeiten zur Er- sammengeschaltet sind. Ein zweiter Schäjtungszweig zeugung der Vorspannung für den die Zeitkonstante enthält die Kanäle des zweiten und des vierten Tranbeftimmendeh Transistor in der Schaltung nach 35 sistors 12 und 16, die in dieser Reihenfolge in Reihe Fig.l^ ' : ; : ·;;■■.- zwischen Masse und einen zweiten Schaltungspunkt Fig.4 eine für die Schaltung nach Fig. 1 ver- 26 geschaltet sind, wobei die Kollektoren der Tranwendbare Eingangsschaltung und sistoren 12 und 16 gemeinsam an die Steuerelektrode . Fig. 5 das Schaltbild einer astabilen Kippschal- des fünften Transistors 18 angeschaltet sind. Der tung nach der Erfindung. ■ 30 Transistor 18 liegt mit seinem Kanal parallel zum . Für die nachfolgend beschriebenen Multivibrator- Kanal des sechsten Transistors 20. Die Steuerelekschaltungen eignen sich insbesondere Feldeffekttran- troden der Transistoren 12 und 16 sind miteinander sistoren mit isolierter Steuerelektrode. Für die im verbunden und galvanisch an die Kollektoren des angelsächsischen Sprachgebrauch mit »drain«, ersten und des dritten Transistors 10 und 14 ange- »source« bzw. »gate« bezeichneten Elektroden seien 35 schlossen. Eine Spannungsquelle 28 kann mit ihrem im folgenden die deutschen Ausdrücke Kollektor, . negativen Pol geerdet und mit ihrem positiven Pol Emitter bzw. Steuerelektrode verwendet. Derartige an die Schaltungspunkte 24 und 26 angeschlossen Feldeffekttransistoren zeichnen sich durch Majori- sein, um die Schaltung mit Betriebsspannung zu betätsträgerleitung aus und sind mit einem Subtrat aus liefern.
The connected control electrodes of the reversed field effect transistors connected in series are of the current transistors of the first current branch with the increase type. In such a transistor there flows, interconnected collectors which are connected to them, if the voltages at the control electrode and speaking transistors of the third current branch at the emitter have the same value, whose interconnected control 5 emitter and collector only have a very small residual electrode the interconnected current, while, when the control electrode voltage, collectors of the transistors of the second current changes, namely in the negative direction in the case of two branches, on the interconnected one p-conducting transistor or in the positive directional control electrodes, on the other hand, the control electrode direction in a η-conducting transistor, after the threshold value for the control electrode transistor of the third current branch increases, the threshold value corresponding to the additional transistor increases. Also the emitter voltage between the emitter and the collector in this case can be the holding time and thus the current flowing ■■■■ '■■ "■■
Extend the period of the generated oscillation, the monostable multivibrator shown in Fig. 1 if you between the interconnected contains two η-conducting transistors 10 and 12 and control electrodes of the series-connected transistors 15 four p-conducting transistors 14, 16, 18 and 20 or the second current branch and the loading transistors 10, 14 and 20 Hegen with their leizugpunkt also inserts additional capacitance. The invention is explained in more detail below with the aid of the Dar -... sequence in series between ground and a first position of exemplary embodiments. Circuit point 24, the collectors of the terL It shows ^: ao first transistor 10 and the third transistor 14 Fig.l shows the circuit diagram of a monostable multivibrator and the emitter of the third transistor 14 and the circuit according to the invention, the collector of the sixth transistor 20 respectively to- 'Fig. 2 and 3 different Possibilities for interconnected are. A second branch generating the bias voltage for the time constant contains the channels of the second and fourth transistors in the circuit according to transistor 12 and 16, which in this order in series Fig.l ^ ':; : · ;; ■■ .- between ground and a second circuit point Fig. 4 one for the circuit according to Fig. 1 are connected, the collectors of the applicable input circuit and transistors 12 and 16 common to the control electrode. Fig. 5 shows the circuit diagram of an astable toggle switch of the fifth transistor 18 are switched on. The device according to the invention. ■ 30 transistor 18 is parallel to the channel with its channel. For the multivibrator channel of the sixth transistor 20 described below. The electronic control circuits are particularly suitable for field effect transistors of the transistors 12 and 16 and are mutually transistors with an insulated control electrode. 35 are connected for the electrodes, which are connected and galvanically connected to the collectors in Anglo-Saxon usage with “drain”, the first and third transistors 10 and 14, “source” and “gate”, respectively. A voltage source 28 can use the German expressions collector,. negative pole grounded and used with its positive pole emitter or control electrode. Such field effect transistors connected to the circuit points 24 and 26 are characterized by the fact that they are major in order to actuate the circuit with operating voltage and are supplied with a substrate.

Halbleitermaterial aufgebaut, auf dem eine Emitter- 4° Eingangstriggersignale 30 von einer geeigneten Sielektrode und eine Kollektorelektrode angebracht gnalquelle 32 sind der Steuerelektrode des ersten sind, welche die beiden Enden eines Leitungsweges Transistors 10 sowie der Steuerelektrode des dritten j. oder stromführenden Kanals im Halbleitermaterial Transistors 14 zugeführt. Diese Triggersignale sind *!·-■ bilden. Eine auf einem Teil dieses Kanals liegende positiv gerichtete Impulse, deren Amplitude V gleich Steuerelektrode ist vom Kanal· durch eine Isolator- 45 dem von der Betriebsspannungsquelle 28 gelieferten schicht getrennt. Daher entnimmt sie keinen nennens- Potential sein kann. An die Abflüsse des zweiten werten Stromj so daß die Kollektorelektrode eines und des vierten Transistors 12 und 16 ist eine Aus-Transistors über eine vernachlässigbar kleine Impe- gangslast oder ein Verbraucher 22 angeschlossen.
danz, also praktisch unmittelbar mit der Steuerelek- Der sechste Transistor 20 dient als ohmsche Komtrode eines anderen Transistors gekoppelt werden 50 ponente im Zeitkonstantennetzwerk der Schaltung kann. Ferner kann der Feldeffekttransistor eine hohe und kann daher an sich durch einen ohmschen Steuerelektroden-oder Eingangskapazität haben, die Widerstand ersetzt werden. Verwendet man.jedoch als Zeitkonstantenkapazität für einen Multivibrator einen Transistor, so läßt sich die Schaltung leichter ausgenutzt werden kann. in integrierter Form aufbauen, da dann die gesamte Zwei bekannte Arten des isolierten Feldeffekt- 55 Schaltung lediglich Transistoren als Bauelemente transistors sind der Dünnschichttransistor (TFT) und enthält. Die Steuerelektrode des Transistors 20 ist der Metall-Oxyd-Halbleiter-Transistor (MOS). Die mit einem Block 34 verbunden, der entweder in der physikalischen und betrieblichen Eigenschaften des in Fig. 2 gezeigten Weise oder in der in Fig. 3'ge-TFT sind in der Arbeit von Paul, K. Weimer: zeigten Weise ausgebildet sein kann. Beispielsweise ... »The TFT-A New Thin Film Transistor« in der Zeit- 60 ist die Steuerelektrode des Transistors:20 in Fig. 2 schrift »Proceedings of the IRE«, Juni 1962, S. 1462 direkt geerdet, während sie in Fig. 3 an eine posibis 1469,, beschrieben. Der MOS-Transistor und tive Spannungsquelle Vb angeschlossen ist. Die Leitseine Eigenschaften sind in der Arbeit von S. R. Hof- fähigkeit bzw. der Widerstand des Kanals des Transtein und F. P. Hei man: »The Silicon Insulated- . sistors 20 ist eine Funktion der Steuerelektroden-Gate Fiel-Effect Transistor« in der Zeitschrift »Pro- (!5 spannung, und man kann daher durch geeignete ceedings of the IEEE«, September 1963, S. 1190 bis Wahl der der Steuerelektrode dieses Transistors zu-1202, beschrieben. : - , - .··.·■■■· geführten Spannung jeden gewünschten Widerstands-Die in den Schaltungen nach Fig. 1,4 und 5 ver- wert, in vernünftigen Grenzen, erhalten.
Semiconductor material built up on which an emitter 4 ° input trigger signals 30 from a suitable Sielelectrode and a collector electrode attached are gnalquelle 32 are the control electrode of the first, which are the two ends of a conduction path transistor 10 and the control electrode of the third j. or current-carrying channel in the semiconductor material transistor 14 is supplied. These trigger signals are *! · - ■ form. A positively directed pulse lying on part of this channel, the amplitude V of which is equal to the control electrode, is separated from the channel by an isolator layer supplied by the operating voltage source 28. Therefore it takes no noteworthy potential. An off transistor via a negligibly small input load or a consumer 22 is connected to the outflows of the second value current j so that the collector electrode of one and the fourth transistor 12 and 16 is connected.
The sixth transistor 20 serves as an ohmic comtrode of another transistor and can be coupled 50 component in the time constant network of the circuit. Furthermore, the field effect transistor can have a high resistance and can therefore be replaced by an ohmic control electrode or input capacitance. However, if a transistor is used as the time constant capacitance for a multivibrator, the circuit can be used more easily. build in integrated form, since then the entire two known types of isolated field effect 55 circuit only transistors as components are the thin film transistor (TFT) and contains. The control electrode of transistor 20 is the metal-oxide-semiconductor transistor (MOS). These are connected to a block 34 which can be designed either in the physical and operational properties of the manner shown in FIG. 2 or in the manner shown in FIG. 3'ge-TFT are in the work of Paul, K. Weimer:. For example ... "The TFT-A New Thin Film Transistor" in the time 60 is the control electrode of the transistor: 20 in Fig. 2 script "Proceedings of the IRE", June 1962, p Fig. 3 on a posibis 1469 ,, described. The MOS transistor and tive voltage source V b is connected. The guiding features are in the work of SR Hof- ability or the resistance of the channel of Transtein and FP Hei man: »The Silicon Insulated-. transistor 20 is a function of the control electrode gate fell effect transistor "in the journal" Pro- (! 5 voltage, and you can therefore by appropriate ceedings of the IEEE ", September 1963, p. 1190 to choose the control electrode of this transistor zu-1202, described.: -, -. ··. · ■■■ · led voltage any desired resistance die used in the circuits according to FIGS. 1, 4 and 5, within reasonable limits.

Wie erwähnt, hat ein Feldeffekttransistor mit iso- 'Wert erreicht, der die Schah/schwellen der Tranlierter !Steuerelektrode, besonders ein -solcher -vom -5istorenl2 ibis 16 !übersteigt, 'beginnt der "Transistor MOS^Typ, eine !verhältnismäßig hdheEingangs-oder !2 zu öffnen und .der -Transistor 16 /zu sperren, ©ie !SteuerelektFpoderikapazität, die als Zeitkonstanten- .Ausgangsspannung :am !Punkt IB 'beginnt dann Ab-■kapazität ifür idie !Kippschaltung jdienenrkann. iDie 5 ;züfallen. Diese, zur Steuerelektrode ides !fünften ikombiiiierten !Eingangskapazitäten des zweiten umd !Transistors 38 gelangende Spannung öffnet diesen des vierten Transistors 12 und 16 zusammen mit den !Transistor. IDa der )Kanäl des Transistors 18 -parallel Ausgangskapazitäten des ,ersten oma des dritten :zum !Kanal odes Transistors2O liegt, whd durch ,das Transistors 10 und 14 und .der !Stteükapazität der !Öffnen des Transistors W der ^Widerstand ihn .Auf-Werbindungsleitung 1st durch den gestrichelten JKon- .10 !ladungsweg des !Kondensators ihetäbjgesetzt, iso daß densatoT.36 angedeutet. Es 'hat .-sich !herausgestellt, sich derüKonäensator36wascher;aüflädt.IMeser^ar-. daß .diese !Kapazität eine :für die !Erzeugung von Hin- igang sist .regenerativ mnd !hat .zur !Folge, (daß fäer !pulsen mäßiger ^oder mittlerer !Dauer ^ausreichende ,zweite "Transistor 12 sehr -rasch geöffnet vwhd.iSQdaß (Größe!hat. 'Sollen sehr langdauernde Impulse ,erzeugt dm .-Ausgangsspannungsverlauf-40 «eine ziemlich werden, so !kann man zwischen ,den JRurikt38 :und 113 ischarfe ;ader -«teile IRückflarike (erscheint. :
Masse -eine .äußere !Kapazität :schälten, an \welchem Whä on/Stelle üks TrxansEStar-s20 iein xihmscher
As mentioned, a field effect transistor with an iso 'value has reached the threshold of the translated! Control electrode, especially a -such -of -5istorsl2 ibis 16! ! or 2 to open and 16 / disable .the transistor, ie © SteuerelektF oderikapazität p, as the time constant .Ausgangsspannung: starts at point IB 'then waste ■ capacity IFor iThe jdienenrkann flop iThe 5; züfallen!. This voltage reaching the control electrode of the fifth combined input capacitance of the second and the second transistor 38 opens this voltage of the fourth transistor 12 and 16 together with the transistor IDa of the channels of the transistor 18-parallel output capacitances of the first oma of the third: to the! channel or transistor2O lies, whd through, the transistors 10 and 14 and .the! capacity of! the! opening of the transistor W, the resistance to it. The charge path of the capacitor is set so that densatoT.36 is indicated. It has turned out that the condenser washer; loads.IMeser ^ ar-. that .this! capacity is .regenerative and! has! for! the! generation of access, (that for! pulsing moderate ^ or medium! duration ^ sufficient, second "transistor 12 is opened very quickly. iSQthat (size! has. 'If very long-lasting impulses, produced by the output voltage curve-40', are to be quite, then! one can choose between 'JRurict38: and 113 is sharp; ader -' divide IRrückflarike (appears.:
Ground - an .external! Capacitance: peel at which point / location via TrxansEStar-s20 iein xihmscher

iEälle -der !gestrichelte !Kondensator36 diese iäußere Widerstand .verwendet, so \ergiht sich aeine !lineare !Kapazität mit oenthälten vwürde. .Aufladung ides Xoniknsateir-s3J6 ^-während tdesjeriigenIf the! dashed! capacitor36 uses this external resistor, a! linear one results ! Capacity with retained v dignity. .Charging ides Xoniknsateir-s3J6 ^ -during tdesjeriigen

!Es soll mun <die lAfbeitsweise cder Kippschaltung !Teils der ILadeperiode, ;da ider tdritte !Transistor M iim stationären oder !Ruhezustand !betrachtet \werden. λο im 'Stromsättigungsgebiet .-also ;äls KonstantstromiBei'.Abwesenheit .des T.riggerimp.ulses3O -wird cdurch x}uelle^rheitet,.d.;h.! The operation of the flip-flop! Part of the charging period,; since the third! Transistor M in the stationary or! Idle state, is to be considered. λο in the 'current saturation area.-also; as constant current iWhen. absence. of the T. trigger.pulse3O -is c by x} ual ^ r united,. d.; h.

.äaS'Niillpotential:amIEingangiderierste'iTransistoraLO . -..äaS'Niillpotential: amIingangiderierste'iTransistoraLO. -.

iin den ihochohmigen, gesperrten /Zustand iund tder '. l^os.ü l'^tos | ~~>Hr»iin the ihigh-ohmic, locked / state iand tder '. l ^ os.ü l '^ tos | ~~> Hr »

■dritte !Transistor 14 iin xden ;niederdhrriigen "/Zustand .Third! Transistor 14 in xden; low "/ state.

• gespannt. !Die '!Transistoren^ umd 120 !bilden läaim as vwdbiei ]ν.υ3 die Spannung -zwisdhen IKdllektor lund seinen !Leitungsweg zwischen ider iSpannungsquelle.28 !Emitter, ^Vi0S j >.die Spannung Äwisiihen SteuetelekiundidemiPuriktil, wodurchcdie5Kapazität36-auf ;an- ttrode lund !Emitter ;und Wn-.'die 3Sjdhwellen§pannung ,■nähernd ;den vollen :Spannungswert W -der frSpan- cdes !Transistors !bedeuten. vWenn WiI>s ikleiner alsicder !nutigsquelle28;düfgeladenAvrrd..!Beiiin.äer;gezeigten angege'hene 'Wert -.wild, ^wandert ider ,'Mbeits.purikt ;Pdlaritätsfichtung:auf iF WdIt :aüfgelaäenem IKonden- 30 mach unten ;in den iriichtlmearen JBereich ider tKenri- :sator36 ;ist.der Transistors 12 ;in :den miederöhmigen !linie, so tdaß edie Aufladung tdes !Kondensators36 /Zustand !und'der Transistors 16 iin den [gesperrten -riichtmehrilinear-effdlgt.• curious; excited. ! The '! Transistors ^ and 120! Form läaim as vwdbiei ] ν. υ3 the voltage -between the IKdllektor l and its! conduction path between the iVoltage source.28! emitter, ^ V i0S j> .the voltage Awisiihen control telekiundidemi purictil, wherebycapacitance36-on; an- ttrode lund! emitter; and W n -. 'the three-wave voltage, ■ approximating; the full: voltage value W -of the voltage of the transistor. v If we are smaller than! ; in the iriichtlmearen Jarea of the tKenri-: sator36; is.the transistor 12; in: the low-ohmic! line, so that the charging of the! capacitor36 / state! and the transistor 16 in the [blocked -riichtmilinear-effdlgt.

Zustand 'gespannt. Die Ausgangsspannung .am iWird «in Transistor20 mit geerdeter Steuerdlek-State 'tense. The output voltage .am iW is «in transistor20 with a grounded control panel

iPunktß entspricht tdann annähernd ?Nullpotential, Ttrode verwendet ;((Fii:g..2), ;so cerfdlgt :die Aufladung wodurch der (fünfte Transistor .18 in den mieder- ^35 :des IKondensators36 solange llineaT, wie ijeder der ■ohmigen Zustand gespannt wird. ebeiden "Transistoren 14 und 20 am Stromsättigungs-iPpunktß then approximately corresponds to? zero potential, Ttrode used; ((Fii: g..2),; so cerfdlgt: the charge whereby the (fifth transistor .18 in the body ^ 35: of the capacitor36 as long as IlineaT, as each of the ■ ohmic state is tensioned. e two "transistors 14 and 20 at the current saturation

Wird dem Eingang .ein ;positiv igerichteter Trigger- ^gebiet !arbeitet; Schließt ;man ijeddc'h .die Steuerelekimpüls30 zugeführt, so wird der tdritte Transistor 14 trode des /!Transistors.20 ^n .ein .positives iEotentiäl gesperrt und der .erste ■ Transistor HO ;geöffnet. !Der an, vso whrd '.die !lineare .Aüfladeäauer weilärjgert. Transistor 10 bildet einen ;niederdhmigen ;Leitungs- 40 iDies wird :daraus tersicihtlich, cdaß WiGS jjetzt «einen weg, iüher den sich ;der !Kondensator 36 rsehT rasch !-kleineren 'Wert !hat. 3n der !Praxis 'Jcann (die Betriehs entlädt, so daß der iPurikt./l/Nüllpotentiäl annimmt, ^spannung F6 ,einen 'Sdlchen Wett -haben, ;daß xdie Der zweite Transistor 12 wird dann gesperrt und der Aufladung des !Kondensators36 >von fOWdlt Ibis zu vierte Transistor 16 wird geöffnet, ;so daß die Aus- Üem Spannungswert, ibei >dem der izweite Transistor gangsspannung auf +iFVdlt /(Spannungsverlaüf 40) ■« 12 geöffnet wird, /linear erfolgt. !Das !Durchlaufen .des ansteigt. tDiese Ausgangsspannung sperrt den ifüriften Schwellwertes des Transistors 32 !läßt sich .dann Transistor 18. ibesserikpntrollieren.If the input. A; positively directed trigger area! Works; Closes; one each .the Steuerelekimpüls30 supplied, then the third transistor 14 trode the /! Transistor.20 ^ n. A .positive iEotentiäl blocked and the .first ■ transistor HO; opened. ! The on 'vso'. The! Linear. Transistor 10 forms a; low-impedance; conduction 40 iThis becomes: from this, in view of the fact that W iGS now "a way, over which the" capacitor 36 quickly looks! - has a smaller "value. In practice, the company discharges so that the unit assumes the voltage F 6 , a little bet, that the second transistor 12 is then blocked and the capacitor 36 is charged > From fOWdlt Ibis to fourth transistor 16 is opened, so that the output voltage value, in which the second transistor output voltage is opened to + iFVdlt / (voltage course 40) ■ «12, / takes place linearly. This output voltage blocks the ife threshold value of the transistor 32! Then transistor 18 can be checked better.

■Bei Beendigung des Triggerimpulses wird der erste . Bei tder oben beschriebenen !Betriebsweise !hängt Transistor 10 jgesperrt und der dritte Transistor 14 .dielBreite .des Ausgangshnpules4l0 ibis ,zu-einem ;;gegeöffnet. Der !Kondensator 36 'lädt sich «dann .über 50 wissen 'Grade von der !Breite ides 'Tfiggerimpülses3D den Leitungsweg mit den !Kanälen des dritten Tran- iäb. !Dieses ^ergibt sich daraus, daß der !Kondensator sistorsl4 .und des sechsten Transistors .20 auf. "Wie 36 sicherst dann aufzuladen !beginnt, >wennder "Trigerwähnt, !kann der Transistor /20 so vorgespannt wer- igerimpüls30 endet mnd der Trransistorlt4 fgeöffnet den, daß .er -einen verhältnismäßig 'hochdhmigen wird. !Diese .Abhängigkeit iläßt -sich 'vermeiden, -,wenn !Leitungsweg !.bildet. !Ferner können bei diesem Tran- .55 .man .eine Schaltung iin der !in JF&g. '4 .^gezeigten Weise ^sistor!20 die Abmessungen des Emitters :und des -,abwandelt. !Dort üst der Triggerirrrpiiis/BO der (Quelle iKdllektors, werglichen :mit den Abmessungen der eines [p41eitenden Transistors #4 -zugeiführt, deren Emitter iund IKdllektoren der ;anderen Transistoren, Abfluß ;an die Steuerilektroxlen des ^ersten uind ides so gewählt werden, daß: sich ein erheblich !geringerer dritten Transistors j£0 sund 14 .angeschlossen üst. !Ein !Leitwert, '.beispielsweise ein Zwanzigstel des ILeit- >6o ;n41eitender Transistor'46 'ist iiriit'^seinem !Kanal izwi-•wettes der wanderen Transistoren ergibt. ;Das ^gleiche .sehen Masse .und die iSteuerelektroden der '!Transi- ;Resiiltat iläßt >sic'h :auch mit anderen Mitteln ter- stören 10 Lund HA igeschältet. [Die iSteuerdlektroden !reichen. iDer !Kondensator 36 ilädt :sich demnach der ,zusätzlichen Transistoren414 iund 4t6 rsind mu- ;riicht luhniittdlbar.auf -l-IFVdlt :auf, sondern die Auf- sammengeschältetiundigälvariischmitdem/Ausgangslladung .crfdlgt !rriit meiner ^Gesohwindigkeit, die -durch ^65 ?puiikt?B (den JKdlldktarender Transistoren12ώηαΙΤ6 den Widerstand des .Transistors20 iund.die !Kapazität jfFiug. si,]) wefbunden.
desiKondcnsators!36!hestimmt wird. . Un dieser Schaltung !führen die !Steuerelöktroden
■ When the trigger pulse ends, the first. In the! Mode of operation! Described above, transistor 10 is blocked and the third transistor 14 is connected to the width of the output coil 41 to one ; ; opened. The! Capacitor 36 'is then charged "over 50 degrees of the! Width of the Tfiggerimpülses3D know the conduction path with the! Channels of the third tran- iäb. This results from the fact that the capacitor sistor 14 and the sixth transistor 20 open. "How 36 only then starts to charge safely," when the "Triger mentions," the transistor / 20 can be biased in such a way. ! This "dependency" can be avoided - if! The line of conductors! Is established. ! Furthermore, with this Tran- .55 .man. A circuit in the! In JF & g. '4. ^ Shown way ^ sistor! 20 the dimensions of the emitter: and of the -, modifies. ! There the trigger pulse / BO of the (source iKdllektors, welichen: with the dimensions of a [p41conducting transistor # 4 - supplied, whose emitter iand IKdllectors of the; other transistors, drain; to the control electroxles of the ^ first and ides are chosen so, that: a considerably! smaller third transistor j £ 0 s and 14 .connected.! a! conductance, '. for example, one twentieth of the Iconductivity->6o; n41conducting transistor '46' is iiriit '^ its! channel izwettes the time wandering transistors results; ^ the same .see mass .and the iSteuerelektroden the 'transis-; Resiiltat iläßt>sic'h.! ter with other means disturb 10 Lund HA igeschältet [the iSteuerdlektroden rich iThe capacitor.!.! 36 ilädt: If therefore the additional Transistoren414 iand 4t6 rsind mu; riicht luhniittdlbar.auf -l IFVdlt: on, but the up sammengeschältetiundigälvariischmitdem / Ausgangslladung .crfdlgt rriit my ^ Gesohwindigkeit that -by ^ 65 puiikt B? (the JKdlld ktarender transistors12ώηαΙΤ6 the resistance of .transistor20 iand.the! capacitance jfFiug. si,]) wefbunden.
desiKondcnsators! 36! is determined. . The control electrodes lead to this circuit

'Weifn die !Ladung/des SKondcnsators/36 .einen der "Transistoren 44 tund 4ί6 mormalervweise Müll-.'If the! Charge / of the capacitor / 36 .one of the "transistors 44 and 4ί6 is usually garbage.

Steuerelektrode sowie durch den Eigenleitwert dieses Transistors gegeben ist. . ■ '[' Control electrode and is given by the intrinsic conductance of this transistor. . ■ '['

Wenn die Kapazität 36 sich so weit aufgeladen hat, daß die Spannung am Punkt 38 den Schwellwert des zweiten Transistors 12 erreicht, beginnt dieser Transistor zu leiten. Und zwar beginnt, wenn die Spannung am Punkt 38 den Übergangsbereich der Spannungsübertragungskennlinie für das Transistorpaar 12, 16 erreicht, die Spannung am Ausgangs-When the capacitance 36 has charged so far that the voltage at point 38 has reached the threshold value of the second transistor 12, this transistor begins to conduct. And that starts when the Voltage at point 38 is the transition area of the voltage transfer characteristic for the transistor pair 12, 16 reached, the voltage at the output

etwa vorhandene Eingangskapazität entladen und io punkt B abzufallen. Diese, zur Steuerelektrode des die Spannung an, den Steuerelektroden der Tran- fünften Transistors 18 gelangende Spannung beginntDischarge any existing input capacitance and drop io point B. This, to the control electrode of the the voltage on, the control electrodes of the fifth transistor 18 reaching the voltage begins

diesen Transistor zu öffnen, wodurch der Widerstand des Aufladungsweges für die Kapazität 36 sich verringert. Wie bei der monostabilen Schaltung ist dieser Vorgang regenerativ, d. h., das öffnen des Transistors 18 bewirkt eine entsprechend raschere Aufladung der Kapazität 36, wodurch der Transistor 12 rascher geöffnet wird, so daß die Ausgangsspannung am Punkt B rascher abfällt und dadurch der Transistorto open this transistor, whereby the resistance of the charge path for the capacitance 36 is reduced. As with the monostable circuit, this process is regenerative, that is, the opening of the transistor 18 causes a correspondingly faster charging of the capacitance 36, whereby the transistor 12 is opened more quickly, so that the output voltage at point B drops more quickly and thereby the transistor

dritten Schaftungszweig mit einem siebten Transistor ao 18 rascher in den vollgeöffneten Zustand getrieben 50 des einen Leitungstyps (η-Leitung) ersetzt, der wird.third shaft branch with a seventh transistor ao 18 driven more quickly into the fully open state 50 of the one type of conduction (η conduction) that is replaced.

mit seinem Kanal in Reihe mit den Kanälen eines Wenn die Spannung am Ausgangspunkts auf.with its channel in series with the channels of an when the tension at the starting point on.

achten und eines, neunten p-leitenden Transistors 52 einen Wert abfällt, der ausreichend nahe beim NuIl- und 54 liegt. Ein zehnter p-leitender Transistor 56- potential liegt, wird der siebte Transistor 50 gesperrt liegt parallel zum neunten Transistor 54 und ist mit as und der achte Transistor 52 geöffnet. Die kapazität seiner Steuerelektrode galvanisch an den Kollektor 58, die zu diesem Zeitpunkt ungeladen ist, beginnt des ersten Transistors 10 angeschaltet.'Die Kollek- sich jetzt über die Kanäle des achten Transistors 52 toren der Transistoren 50 und 52 sind gemeinsam an und des neunten Transistors 54 aufzuladen. Der die Steuerelektroden des ersten und des dritten Tran- zehnte Transistor 56 ist zu diesem Zeitpunkt durch sistors 10 und 14 angeschaltet. Die Steuerelektröden 3° die hohe Spannung am Punkt A gesperrt. Der Widerder Transistoren. 50 und 52 sind zusammengeschaltet stand dieses Ladeweges hängt vom Wert der Span- und galvanisch mit dem Ausgangspunkts am Abfluß nung W1 an der Steuerelektrode des neunten Trandes Transistors 12 gekoppelt. Der gestrichelte Kondeii- sistors 54 und vom Eigenleitvermögen dieses Transator58 repräsentiert die Eingangskapazität an den sistors ab. Wie im Falle des sechsten Transistors 20 Steuerelektröden der Transistoren 10 und 14, die Aus- 35 können bei diesem Transistor 54 die Abmessungen gangskapazitäten. der Transistoren 50 und 52 sowie des Emitters und des Kollektors so gewählt sein, daßeighth and a ninth p-type transistor 52 drops a value which is sufficiently close to zero and 54. A tenth p-conducting transistor 56 is potential, the seventh transistor 50 is blocked is parallel to the ninth transistor 54 and is open with as and the eighth transistor 52. The capacitance of its control electrode galvanically to the collector 58, which is uncharged at this point in time, begins to be connected to the first transistor 10 54 to charge. The control electrodes of the first and third tenth transistors 56 are switched on by sistors 10 and 14 at this point in time. The control electrodes 3 ° blocked the high voltage at point A. The cons of the transistors. 50 and 52 are interconnected, this charging path depends on the value of the voltage and galvanically coupled with the starting point at the drain voltage W 1 to the control electrode of the ninth transistor 12. The dashed condenser 54 and the intrinsic conductivity of this Transator58 represent the input capacitance to the sistor. As in the case of the sixth transistor 20, the control electrodes of the transistors 10 and 14, the output 35 can in this transistor 54 the dimensions of the output capacitances. the transistors 50 and 52 as well as the emitter and the collector be chosen so that

potential. Der Triggerimpuls 30 öffnet den Transistor 44, wodurch der erste Transistor 10 für die Entladung des Kondensators 36 geöffnet wird. Der vierte Transistor 16 (Fig. 1) wird dann geöffnet, und die Ausgangsspannung am Punkts steigt auf + V Volt an. Diese, zu den Steuerelektroden der Transistoren 44 und 46 gelangende Spannung sperrt den Transistor 44 unter Blockierung des Eingangsimpulses und öffnet den Transistor 46, wodurch die potential. The trigger pulse 30 opens the transistor 44, whereby the first transistor 10 is opened for the discharge of the capacitor 36. The fourth transistor 16 (Fig. 1) is then opened and the output voltage at the point increases to + V volts. This, reaching the control electrodes of the transistors 44 and 46 voltage blocks the transistor 44 by blocking the input pulse and opens the transistor 46, whereby the

"sistoreniO und 14 auf Nullpotential heruntergedrückt wird. Es gelangt also der Eingangstriggerimpuls 30, unabhängig von seiner Breite, nur sehr kurzzeitig zu den Transistoren 10 und 14."sistoreniO and 14 pushed down to zero potential will. The input trigger pulse 30 is therefore only very effective, regardless of its width briefly to transistors 10 and 14.

Die in Fig. 5 gezeigte astabile Kippschaltung unterscheidet sich von der monostabilen Kippschaltung in folgender Hinsicht: Die Trjggerimpulsquelie 32 am Eingang ist weggelassen und durch einenThe astable trigger circuit shown in FIG differs from the monostable multivibrator in the following respects: The Trjggerimpulsquelie 32 at the entrance is omitted and replaced by a

die etwaige Streükapazität der Verbindungsleitung. Diese Kapazität 58 kann auch einen zwischen den Punkt 60 und Masse geschalteten äußeren Kondensator enthalten.the possible scattering capacity of the connection line. This capacity 58 can also be one between the Contain point 60 and ground connected outer capacitor.

Wie bei der monostabilen Kippschaltung dient der Transistor 20 als ohmsche Komponente des Zeitkonstantennetzwerks. Das gleiche gilt für den neunten Transistor 54. Den Steuerelektroden derAs with the monostable multivibrator, the transistor 20 serves as an ohmic component of the Time constant network. The same applies to the ninth transistor 54. The control electrodes of the

die Leitfähigkeit erheblich geringer als die der anderen Transistoren, mit Ausnahme des Transistors 20, ist. ·■"■·■ . "■■■■■■ ■■··■'■■· ' ' the conductivity is considerably lower than that of the other transistors, with the exception of transistor 20 . · ■ "■ · ■." ■■■■■■ ■■ ·· ■ '■■ ·''

Wenn die Ladung der Kapazität 58 einen solchen Wert erreicht hat, daß die Spannung am Punkt 60 über die Einschaltschwelle des ersten Transistors 10 ansteigt, beginnt die Spannung am Punkt A abzufallen, so daß der zehnte Transistor 56 zu öffnen beWhen the charge of the capacitance 58 has reached such a value that the voltage at point 60 rises above the switch-on threshold of the first transistor 10, the voltage at point A begins to decrease, so that the tenth transistor 56 opens

Transistoren 54 und 20 können Spannungen mit den 45 ginnt und dadurch der Widerstand des Ladeweges Werten W1- bzw. W2 zugeführt werden, um die absinkt. Dieser Vorgang ist ebenfalls regenerativ, so Widerstände der Kanäle dieser Transistoren und da- daß die Kapazität 58 sich jetzt schneller auflädt und mit die Breite oder Dauer der einzelnen Halb- die Spannung am Punkt A sehr rasch auf Nullpotenperioden der Ausgangsschwingimg einzustellen. Wie tial gedrückt wird. Die Kapazität 36 entlädt sich jetzt bei der monostäbilen Kippschaltung erfolgt die Auf- 5° sehr rasch auf Nullpotential, wodurch ein neuer,Transistors 54 and 20 can have voltages starting at 45 and thereby the resistance of the charging path can be fed to values W 1 and W 2, respectively, by which it drops. This process is also regenerative, so the resistances of the channels of these transistors and that the capacitance 58 is now charged more quickly and with the width or duration of the individual half-waves the voltage at point A can be adjusted very quickly to zero-potential periods of the output oscillation. How tial is pressed. The capacitance 36 is now discharged in the monostable multivibrator, the up-5 ° takes place very quickly to zero potential, whereby a new,

ladung der Kapazität 36 bei bestimmten Werten von W2 linear über die Ladeperiode. Das gleichecharging of the capacitance 36 at certain values of W 2 linearly over the charging period. The same

dem oben beschriebenen ·'ähnlicher Arbeitszyklus eingeleitet wird.work cycle similar to that described above is initiated.

Die Dauer des positiven Teils des Ausgarigssignals 64 hängt vom Wert der Spannung Wz an der SteuerThe duration of the positive part of the output signal 64 depends on the value of the voltage W z at the control

gilt für die Kapazität 58 in Verbindung mit W1. applies to capacity 58 in conjunction with W 1 .

Für die Betrachtung der Arbeitsweise der Schaltung sei angenommen, daß die Spannung am Punkt S 55 elektrode des sechsten Transistors 20" ab. Die Dauer anfänglich den Wert +FVoIt hat. Es ist dann der · des negativen Teils des Ausgangssignals hängt von siebte Transistor 50 geöffnet und der achte Tran- der Spannung W1 an der Steuerelektrode des neunten sistor 52 gesperrt. Die Kapazität 58 ist entladen Transistors 54 ab. Diese beiden Teile des Ausgangsund der Punkt 60 führt Nullpotential, so daß der signals können durch Einstellen der genannten Spanerste Transistor 10 gesperrt und der dritte Transistor 60 nungswerte unabhängig voneinander geregelt werden. 14. geöffnet ist. Da die Ausgangsspannung am Während die Kollektoren des ersten und des drittenFor the consideration of the operation of the circuit it is assumed that the voltage at the point S 55 electrode of the sixth transistor 20 ″. The duration initially has the value + FVoIt and the eighth tran- the voltage W 1 on the control electrode of the ninth transistor 52. The capacitance 58 is discharged from transistor 54. These two parts of the output and the point 60 carries zero potential, so that the signal can be switched off by setting the said chip first transistor 10 blocked and the third transistor 60 voltage values are regulated independently of one another. 14. is open. Since the output voltage at the during the collectors of the first and the third

Transistors 10 und 14 in Fig. 1, 4 und 5 zusammengeschaltet sind, kann man den . Transistor 14 auch zwischen den Schaltungspunkt 24 und die Transisto-Transistors 10 and 14 in Fig. 1, 4 and 5 are connected together, you can the. Transistor 14 too between the circuit point 24 and the transistor

sistorsl4 und des sechsten Transistors 20 aufladen. 65. ren 18 und 20 schalten. In diesem Falle wären die Die Ladeperiode oder Ladedauer wird durch die ■" Kollektoren der Transistoren 18 und 20 an densistorsl4 and the sixth transistor 20 charge. 65. switch 18 and 20. In this case they would be The charging period or charging time is determined by the "collectors" of transistors 18 and 20

Kollektor des ersten Transistors 10 anzuschalten. Die räumliche Anordnung des achten Transistors 52To turn on the collector of the first transistor 10. The spatial arrangement of the eighth transistor 52

Punktß zu dieser Zeit hoch ist, ist der fünfte Transistor 18 gesperrt, und die Kapazität 36 muß sich über die in Reihe liegenden Kanäle des dritten Tran-Point is high at this time is the fifth transistor 18 blocked, and the capacity 36 must be via the in-line channels of the third tran-

Impedanz des sechsten Transistors 20 bestimmt, die ihrerseits durch den Wert der Spannung W2 an derImpedance of the sixth transistor 20 is determined, in turn by the value of the voltage W 2 at the

109 628/154109 628/154

in seinem Schaltungszweig (Fig. 5) kann in entsprechender Weise verändert werden. Natürlich kann man auch Transistoren des jeweils entgegengesetzten Leitungstyps (gegenüber dem hier angegebenen Leitungstyp) verwenden, vorausgesetzt, daß die An-Schlüsse der Spannungsquelle 28 umgekehrt und ferner die Polarität und die Pegel des Eingangs in F i g. 1 und 4 verändert werden.in its circuit branch (Fig. 5) can in corresponding Way to be changed. Of course you can also use transistors of the opposite Use the cable type (compared to the cable type specified here), provided that the connections of the voltage source 28 and also the polarity and the level of the input in F i g. 1 and 4 can be changed.

Claims (5)

Patentansprüche:Patent claims: 1. Multivibrator, dessen beide zwischen einer Betriebsspannung und einem Bezugspunkt liegenden Stromzweige je mindestens einen Transistor eines Leitungstyps und einen Arbeitswiderstand aufweisen und bei dem im ersten Stromzweig dem Arbeitswiderstand des Transistors ein zusätzlicher Transistor vom anderen Leitungstyp parallel geschaltet ist, der vom Transistor des ao zweiten Leitungstyps angesteuert wird, dadurch gekennzeichnet, daß die Schaltungsanordnung in integrierter Form mit Feldeffekttransistoren unter Vermeidung konventioneller passiver Bauelemente aufgebaut ist, wobei in Reihe mit jedem der erstgenannten Transistoren (10, 12) der Stromzweige je ein weiterer Transistor (14 bzw. 16) vom anderen Leitungstyp liegt und die Steuerelektroden der in Reihe geschalteten Transistoren (10, 14 bzw. 12, 16) miteinander verbunden sind, wobei den zusammengeschalteten Steuerelektroden der Transistoren (10,14) des ersten Stromzweiges ein Steuersignal (30) zuführbar ist, während ihre zusammengeschalteten Kollektoren mit den zusammengeschalteten Steuerelektroden der entsprechenden Transistoren (12, 16) des zweiten Stromzweiges verbunden sind und die an diesem Schaltungspunkt (A) wirksamen Schalt- und Elektrodenkapazitäten die Breite des Ausgangsimpulses bestimmen; wobei ferner der Verbindungspunkt (B) der Kollektoren der Transistoren (12,16) des zweiten Stromzweiges mit der Steuerelektrode des zusätzlichen Transistors (18) verbunden und an eine Last (22) angeschaltet ist und wobei der dem zusätzlichen Transistor (18) parallelgeschaltete Arbeitswiderstand durch einen Transistor (20) gleichen Leitungstyps ersetzt ist.1. Multivibrator, the two current branches between an operating voltage and a reference point each have at least one transistor of one conduction type and a working resistance and in which an additional transistor of the other conduction type is connected in parallel to the working resistance of the transistor in the first branch, the transistor of the ao second Conduction type is controlled, characterized in that the circuit arrangement is built in integrated form with field effect transistors avoiding conventional passive components, one further transistor (14 or 16) from the other in series with each of the first-mentioned transistors (10, 12) of the current branches Conduction type and the control electrodes of the series-connected transistors (10, 14 and 12, 16) are connected to one another, the interconnected control electrodes of the transistors (10, 14) of the first current branch being supplied with a control signal (30) while their combined held collectors are connected to the interconnected control electrodes of the corresponding transistors (12, 16) of the second current branch and the switching and electrode capacitances effective at this node (A) determine the width of the output pulse; wherein the connection point (B) of the collectors of the transistors (12, 16) of the second current branch is connected to the control electrode of the additional transistor (18) and connected to a load (22) and wherein the load resistance connected in parallel with the additional transistor (18) is through a transistor (20) of the same conductivity type is replaced. 2. Multivibrator nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die zusammengeschalteten Steuerelektroden der reihengeschalteten Transistoren (10, 14) des ersten Stromzweiges mit den Kollektoren zweier Eingangstransistoren (44, 46) verbunden sind, deren Steuerelektroden ebenfalls zusammengeschaltet und an den Verbindungspunkt der Kollektoren der Transistoren (12, 16) des zweiten Stromzweiges geführt sind, und daß dem Emitter des einen Eingangstränsistors (44) das Eingangssignal (30) zugeführt wird, während der Emitter des anderen Eingangstransistors (46) am Bezugspunkt liegt (F i g. 4).2. Multivibrator according to claim 1, characterized in that the interconnected Control electrodes of the series-connected transistors (10, 14) of the first current branch with the Collectors of two input transistors (44, 46) are connected, the control electrodes of which are also connected connected together and at the connection point of the collectors of the transistors (12, 16) of the second current branch are performed, and that the emitter of one input transistor (44) the input signal (30) is fed while the emitter of the other input transistor (46) is at the reference point (Fig. 4). 3. Multivibrator nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß zwischen die zusammengeschalteten Steuerelektroden der Transistoren (12, 16) des ersten Stromzweiges und den Bezugspunkt eine zusätzliche Kapazität (36) eingefügt ist. . '...■'■ 3. Multivibrator according to claim 1 or 2, characterized in that between the interconnected Control electrodes of the transistors (12, 16) of the first current branch and the reference point an additional capacitance (36) is inserted. . '... ■' ■ 4. Multivibrator nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß zur Bildung eines stabilen Multivibrators zwischen die -Betriebsspannung und den Bezugspunkt ein ebenso wie der erste Strömzweig aufgebauter dritter Stromzweig geschaltet ist, daß die zusammengeschalteten Steuerelektroden der reihengeschalteten Transistoren (10,14) des ersten Stromzweiges mit den zusammengeschalteten Kollektoren der ihnen entsprechenden Transistoren (SO, 52) des dritten Stromzweiges verbunden sind, deren zusammengeschaltete Steuerelektroden wiederum mit den zusammengeschalteten Kollektoren der Transistoren (12, 16) des zweiten Stromzweiges verbunden sind, an deren zusammengeschaltete Steuerelektroden andererseits die Steuerelektrode des dem zusätzlichen Transistor (18) entsprechenden Transistors (56) des dritten Stromzweiges geführt ist (Fig. 5).4. Multivibrator according to claim 1, characterized in that to form a stable Multivibrators between the operating voltage and the reference point just like the first Flow branch built up third flow branch is connected that the interconnected control electrodes the series-connected transistors (10, 14) of the first current branch are connected to the interconnected collectors of the transistors (SO, 52) corresponding to them of the third current branch, their interconnected Control electrodes in turn with the interconnected collectors of the transistors (12, 16) of the second current branch are connected to the interconnected control electrodes on the other hand, the control electrode of the dem additional transistor (18) corresponding transistor (56) of the third current branch out is (Fig. 5). 5. Multivibrator nach den Ansprüchen 3 und 4, dadurch gekennzeichnet, daß zwischen die zusammengeschalteten Steuerelektroden der reihengeschalteten Transistoren (10, 14) des ersten Stromkreises und dem Bezugspunkt ebenfalls eine zusätzliche Kapazität (58) eingefügt ist.5. Multivibrator according to claims 3 and 4, characterized in that between the interconnected control electrodes of the series-connected transistors (10, 14) of the first Circuit and the reference point an additional capacitance (58) is also inserted. Hierzu 1 Blatt Zeichnungen1 sheet of drawings

Family

ID=

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE1024119B (en) Bistable memory device with a semiconducting body
DE2909388C3 (en) Voltage level shifting circuit
DE3420008A1 (en) METHOD AND ARRANGEMENT FOR CONTROLLED SWITCHING OF NON-REGENERATIVE POWER SEMICONDUCTOR DEVICES
DE2009102B2 (en) Integrated semiconductor arrangement with complementary field effect transistors
EP0010137A1 (en) Substrate polarisation voltage generator circuit
DE1512411B2 (en) Multivibrator
DE1955942C3 (en) Bistable multivibrator
DE2712742C2 (en) Field effect transistor circuit
DE2814022B2 (en) Switching device for a rectifier that can be switched off via its control electrode
DE2165162C3 (en) CMOS semiconductor arrangement as an exclusive NOR circuit
DE1814213C3 (en) J-K master-slave flip-flop
DE1512544A1 (en) Run-time pulse generator
DE1166340B (en) Semiconductor arrangement made of crystalline material doped with activators and with two-ohmic contact electrodes
DE1512411C (en) Multivibrator
DE1541413C3 (en) Arrangement for generating electromagnetic shock wave oscillations
DE2408828A1 (en) DRIVER CIRCUITS FOR A CRYSTAL ACTING AS AN ELECTROMECHANICAL CONVERTER
AT332915B (en) CIRCUIT ARRANGEMENT FOR CHANGING A LOAD
DE2161010C3 (en) Asynchronous add-subtract arrangement
DE1021022B (en) Circuit arrangement for generating pulses with a double base diode
DE1025011B (en) Control device with a semiconductor body with two zones of one conductivity type and an intermediate zone of the opposite conductivity type, with barrier layers between adjacent zones
DE2953403C2 (en) Heavy duty switch using a gated diode switch
DE1284521B (en) CIRCUIT ARRANGEMENT WITH A MULTI-METER TRANSISTOR
DE1131269B (en) Bistable toggle switch
DE2415629C3 (en) Circuit arrangement for the temporary blocking of a current branch depending on the size of the variable operating voltage
DE1029872B (en) Externally controlled transistor flip-flop with short release time