DE1474409C

DE1474409C - Storage device with at least one controllable semiconductor rectifier

Info

Publication number: DE1474409C
Application number: DE19651474409
Authority: DE
Inventors: Richard P. Los Angeles Calif. Shively (V.St.A.)
Original assignee: Litton Industries Inc
Current assignee: Litton Industries Inc
Priority date: 1964-11-10
Filing date: 1965-10-06
Publication date: 1973-05-30

Description

Die Erfindung betrifft eine Speichervorrichtung mit mindestens einem steuerbaren Halbleitergleichrichter, z. B. einem steuerbaren Siliziumgleichrichter, und einer in der Anoden-Kathoden-Leitung des Gleichrichters liegenden Spannungsquelle zum Vorspannen des Gleichrichters in einen Haltestrom-Leitfähigkeitszustand, wobei ein erster Eingang zwecks Anlegen eines Signals an die Steuerelektrode des Halbleitergleichrichters sowie ein zweiter Eingang zwecks Anlegen eines Signals an die Anoden-Kathoden-Leitung vorgesehen ist.The invention relates to a memory device with at least one controllable semiconductor rectifier, z. B. a controllable silicon rectifier, and one in the anode-cathode line of the Voltage source lying on the rectifier for biasing the rectifier into a holding current conductivity state, a first input for the purpose of applying a signal to the control electrode of the semiconductor rectifier and a second input is provided for the purpose of applying a signal to the anode-cathode line.

Es sind zahlreiche Speicherelemente bekannt. Bekannt sind ferner zahlreiche Schaltungen zur Zusammenfassung einer Mehrzahl derartiger Speicherelemente zu Speichergruppen, z. B. zu einer Matrix.' In den letzten Jahren hat die Forschung zu einer erheblichen Anzahl unterschiedlicher Speichervorrichtungen geführt. Beispielsweise stehen heutzutage der Twistor, der Tensor, verschiedene Eccles-Jordan-Flip-Flop-Schaltungen, Ferritkerne und andere Elemente zur Verfugung und werden zur Bildung eines logischen Speichers häufig verwendet.Numerous storage elements are known. Numerous circuits for combining are also known a plurality of such storage elements to form storage groups, e.g. B. to a matrix. ' In recent years, research has focused on a significant number of different storage devices guided. For example, the twistor, the tensor, various Eccles-Jordan flip-flop circuits, Ferrite cores and other elements are available and used to form of a logical memory is widely used.

Das zur Zeit vermutlich am häufigsten verwendete Speicherelement ist ein Ferritkern mit quadratischer Hystereseschleife. Der Ferritkern kann verhältnismäßig klein gehalten werden und vermag in Verbindung mit einem erheblichen Aufwand vonProbably the most frequently used storage element at the moment is a ferrite core with a square Hysteresis loop. The ferrite core can be kept relatively small and is capable of Connection with a considerable effort of

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Zusatzeinrichtungen zwei Zustände zu speichern, die Speichervorrichtung mit einer Halbleiterdiode zu löschend oder nichtlöschend ausgelesen werden schaffen, die die Vorteile der bekannten Anordnung können. Die von den Speichern mit derartigen EIe- mit Doppel-Basisdioden besitzt, ohne deren Nachmenten verbrauchte Leistung ist an sich nicht zu teile in Kauf nehmen zu müssen,
hoch, obwohl sie, um einen optimalen Speicher zu 5 Die Erfindung geht von einer anderen Halbleitererhalten, verringert werden sollte. diode, nämlich dem steuerbaren Halbleitergleich-Additional devices to store two states, create the memory device with a semiconductor diode to be erased or read out non-erasingly, which can take advantage of the known arrangement. The power consumed by the stores with such EIe with double base diodes, without their Nachmenten, is in itself not to have to be accepted,
high, although in order to obtain optimal memory it should be reduced. diode, namely the controllable semiconductor

Ferritkernspeicher haben weiterhin den Nachteil, richter (Thyristor) aus, dessen bistabile EigenschaftFerrite core memories still have the disadvantage of having a straightener (thyristor), its bistable property

daß sie nur mit großer Schwierigkeit in Verbindung an sich bekannt ist. Diese Eigenschaft wurde bisherthat it is known per se only with great difficulty in connection. This property was previously

mit integrierten Schaltkreisen aufgebaut werden nur in dem Sinne ausgenutzt, daß allein über diebuilt with integrated circuits are only used in the sense that only about the

können. io Torsteuerung der Gleichrichter voll gezündet oderbe able. OK gate control of the rectifier fully ignited or

Bekannt ist es weiterhin, eine Doppelbasis-Halb- durch Nichtanlegen der Torsteuerung gesperrt blieb, leiterdiode als Speichervorrichtung zu verwenden Die Erfindung nutzt einen anderen Effekt zur Spei-(USA.-Patentschrift 2 907 000). Eine Doppelbasis- cherung aus, nämlich die Abhängigkeit des Haltediode besitzt bekanntlich drei Elektroden. Zwischen Stroms vom Schaltstrom. Es hat sich gezeigt, daß ein zwei, nämlich den sperrschichtfreien Kontakten, 15 niederohmiger Bereich vorhanden ist, innerhalb wird eine Gleichspannung gelegt, die sogenannte dessen ein dem Haltewert entsprechender Strom Vorspannung. Der Querschnitt des Grundkörpers ist eine hohe Leitfähigkeit nicht aufrechterhält, wenn klein und — die Dotierung schwach — der Wider- nicht zunächst ein Strom angelegt wurde, der größer stand daher hoch. An der linken Seite des undotier- als der Schaltstrom ist.It is still known that a double-base half-way remained blocked by not applying the door control, To use ladder diode as a storage device The invention uses a different effect for storage (USA. Patent 2 907 000). A double base fuse, namely the dependency of the holding diode is known to have three electrodes. Between current from switching current. It has been shown that a two, namely the barrier layer-free contacts, 15 low-resistance area is present within a DC voltage is applied, the so-called current corresponding to the holding value Preload. The cross-section of the base body does not maintain a high conductivity, though small and - the doping weak - the resistance - not initially a current was applied that was greater therefore stood high. On the left side of the undoped than the switching current is.

ten Körpers ist ein p-Bereich eingelassen, an den 20 Die Erfindung geht daher aus von einer Speicherein dritter Anschluß geführt ist. vorrichtung mit mindestens einem steuerbaren HaIb-A p-area is let into the th body, into which 20 The invention is therefore based on a memory third connection is performed. device with at least one controllable half

Solange das Potential an diesem dritten Kontakt leitergleichrichter, z. B. einem steuerbaren Siliziumkleiner bleibt als das im Kristall an der Stelle des gleichrichter, und einer in der Anoden-Kathodenp-leitenden Kontaktes herrschende Potential, bleibt Leitung des Gleichrichters liegenden Spannungsder pn-Kontakt gesperrt. Es fließt nur ein schwacher 25 quelle zum Vorspannen des Gleichrichters in einen Elektronen-Strom zwischen den erstgenannten beiden Haltestrom-Leitfähigkeitszustand, wobei ein erster Kontakten. Das Potential fällt längs des Kristalls Eingang zwecks Anlegen eines Signals an die Steuerlinear ab. Erhöht man das Potential an dem dritten elektrode des Halbleitergleichrichters sowie ein Kontakt so weit, daß die äußere Seite des p-Kon- zweiter Eingang zwecks Anlegen eines Signals an taktes gerade positiv gegen den angrenzenden 30 die Anoden-Kathoden-Leitung vorgesehen ist.
Kristallbereich wirkt, so werden dort Löcher inji- Die Erfindung besteht in der Anordnung eines in ziert, die je nach der Polung an einen der beiden Reihe mit dem Anoden-Kathoden-Kreis des Halberstgenannten Kontakte abfließen. Hierdurch nimmt leitergleichrichters liegenden, normalerweise geöffder Widerstand in dem einen, beispielsweise unteren neten elektronischen Schalters, der bei gleichzeitigem Teil der Halbleiterdiode ab, und das Potential in 35 Anlegen beider Eingangssignale schließt und einen der Diode in der Umgebung des pn-Überganges Stromfluß bewirkt, der größer als der Schaltstrom sinkt, so daß weitere Teile des p-Kontaktes Löcher ist, so daß die Spannungsquelle den Fluß des Haltein den Kristall injizieren. In diesem Bereich der stromes in der Anoden-Kathoden-Leitung auch dann Halbleiterdiode kann das zum Verschwinden des bewirkt, wenn eines oder beide Eingangssignale entWiderstandes führen. Die erhaltene Charakteristik Id 4° fernt werden.As long as the potential at this third contact conductor rectifier, z. B. a controllable silicon remains smaller than that in the crystal at the point of the rectifier, and a prevailing potential in the anode-cathode p-conductive contact, the line of the rectifier voltage of the pn-contact is blocked. Only a weak source for biasing the rectifier flows into an electron current between the first-mentioned two holding current conductivity states, with a first contact. The potential drops along the crystal input for the purpose of applying a signal to the control linear. If you increase the potential at the third electrode of the semiconductor rectifier and a contact so far that the outer side of the p-Kon second input is provided for the purpose of applying a signal to the clock just positive against the adjacent 30 the anode-cathode line.
The invention consists in the arrangement of an in, which, depending on the polarity, flow off to one of the two rows with the anode-cathode circuit of the half-above-mentioned contacts. As a result, conductor rectifier lying, normally geöffder resistance in the one, for example lower Neten electronic switch, which at the same time part of the semiconductor diode, and the potential in 35 applying both input signals closes and one of the diode in the vicinity of the pn junction causes current flow that larger than the switching current decreases, so that further parts of the p-contact are holes, so that the voltage source injects the flow of the hold into the crystal. In this area of the current in the anode-cathode line, the semiconductor diode can also disappear if one or both input signals lead to resistance. The obtained characteristic Id 4 ° can be removed.

(Eingangsstrom) über Vd (Eingangsspannung) ist Bei der erfindungsgemäßen Vorrichtung wird ein bekannt. Beim Betrieb der Schaltung ergeben sich Eingangssignal an die Steuerelektrode des Gleichzwei stabile Arbeitspunkte (Kippverhalten), die zur richters gegeben, während ein weiteres Eingangs-Speicherung ausgenutzt werden, wobei der zweite signal der Veränderung der Vorspannung des Gleich-Arbeitspunkt allein dadurch eingestellt werden kann, 45 richters dient. Bei nur einem der beiden Eingangsdaß das Potential an dem dritten Kontakt über einen signale wird die Vorrichtung in den nichtleitenden bestimmten Schwellwert erhöht wird. Diesen Effekt Zustand überführt, wenn das Eingangssignal verkann man bei einer Matrixanordnung der Doppel- schwindet. Auf diese Weise wird eine »0« gespeibasisdioden dazu verwenden, eine bestimmte Zeile chert. Liegen beide Eingänge gleichzeitig vor, bleibt von Speicher-Zellen auszuwählen, sowie dazu, den 50 die Vorrichtung leitend, wenn eines oder beide Ein-Speicherzustand der Zelle festzustellen (auszulesen). gangssignale verschwinden. Eine Vorspannungs-(Input current) over Vd (input voltage) is In the device according to the invention, a is known. When operating the circuit, there is an input signal to the control electrode of the same two stable operating points (tilting behavior), which are given to the rectifier, while another input storage is used, whereby the second signal of the change in the bias voltage of the DC operating point can be set solely by 45 judge serves. With only one of the two inputs that the potential at the third contact via a signal, the device is raised to the non-conductive certain threshold value. This effect is transferred to the state when the input signal is lost in a matrix arrangement of the double fades. In this way, a "0" will use supply base diodes to chert a specific line. If both inputs are present at the same time, memory cells remain to be selected, as well as to make the device conductive if one or both of the cell's in-memory state is to be determined (read out). output signals disappear. A preload

Die bekannte Anordnung ist zwar prinzipiell quelle liefert bei Verschwinden der EingangssignaleThe known arrangement is in principle source supplies when the input signals disappear

— wenn auch mit erheblichen Schwierigkeiten wegen einen Haltestrom. Auf diese Weise speichert die- albeit with considerable difficulties because of a holding current. This saves the

der notwendigen vielen Potentialmessungen — ge- Vorrichtung eine »1«.of the many potential measurements required - a "1" device.

eignet, als integrierter Schaltkreis aufgebaut zu wer- 55 Im bekannten Fall der Doppel-Basisdiode daden und ist auch günstig hinsichtlich der Größe, des gegen kann allein durch Anlegen eines erhöhten Gewichts und der Kosten der Speicherelemente. Potentials am dritten Kontakt der leitende Zustand Außerdem ist ein nichtlöschender Lesebetrieb mög- (Speicherung der »1«) erreicht werden,
lieh. Dabei ist der Signalpegel beim Auslesen ge- Die Vorrichtung nach der Erfindung hat einmal nügend groß, so daß keine Hilfsverstärker notwendig 60 den Vorteil, daß die Schaltzeiten und damit die sind. Nachteilig ist jedoch die relativ geringe Ar- Speicherzeiten sehr klein sind (etwa 0,1 Mikrobeitsgeschwindigkeit, da die Schaltzeiten der Doppel- Sekunden oder auch eine Zehnerpotenz kleiner) und basisdiode in der Größenordnung einiger Mikro- außerdem die Verlustleistung während des Speisekunden liegen. Auch ist die Verlustleistung im cherns der »1« sehr gering ist, was sich insbesondere gespeicherten Zustand relativ hoch, da die Hälfte 65 dann günstig bemerkbar macht, wenn, wie allgemein der Vorspannung des dritten Kontaktes abfällt und üblich, die Speichereinheiten zu einer großen Mader Strom auch nicht zu vernachlässigbar klein ist. trix zusammengefaßt sind. Sie eröffnet überdies denIn the known case of the double base diode, it is suitable to be constructed as an integrated circuit and is also favorable in terms of size, which can be achieved solely by adding increased weight and the cost of the storage elements. The conductive state of the potential at the third contact.
borrowed. The device according to the invention is sufficiently large so that no auxiliary amplifier is necessary 60 has the advantage that the switching times and thus the. The disadvantage, however, is the relatively short Ar storage times are very short (about 0.1 micro working speed, since the switching times of double seconds or a power of ten are smaller) and the base diode is of the order of a few micro and the power loss during the supply customer. Also, the power loss in the cherns of the "1" is very low, which is relatively high, especially in the stored state, since half 65 is then positively noticeable when, as is generally the case with the bias of the third contact, the storage units become one large Mader Electricity is also not too negligibly small. trix are summarized. She also opens the

Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine Weg, den sehr weit verbreiteten und billigen Thy-The invention is based on the object of providing a way of eliminating the very widespread and cheap Thy-

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ristor dem Speichersektor zugänglich zu machen. Stroms. Es ist besonders günstig, wenn diese Schalt-Doppel-Basisdioden — auch Unijunktion Transisto- vorrichtung einen Transistor aufweist, dessen Kolren genannt — haben dagegen bislang noch keine lektor im Hinterkreis in Reihe mit einer Vorspangroße Verbreitung gefunden und scheinen sowohl nungsquelle und dem Anoden-Kathoden-Kreis des hinsichtlich des technologischen Aufbaues als auch 5 Halbleitergleichrichters geschaltet ist.
hinsichtlich der Schaltungstechnik noch nicht so Eine andere bevorzugte Ausführungsform der ausgereift zu sein wie der Thyristor. Eine Speicher- Erfindung besteht darin, daß mit der Anode des matrix erfordert jedoch eine Vielzahl von gleich- Halbleitergleichrichters ein Widerstand verbunden artigen, gut beherrschbaren Speicherelementen. ist, dessen andere Seite den Eingang für die Halte-ristor to make the storage sector accessible. Current. It is particularly favorable if these switching double base diodes - also uni-function transistor device has a transistor, called its Kolren - on the other hand, have not yet found any lektor in the back circle in series with a preload and seem to be both the voltage source and the anode-cathode -Circuit which is connected in terms of the technological structure as well as 5 semiconductor rectifiers.
in terms of circuit technology not yet as mature as the thyristor. A memory invention is that with the anode of the matrix, however, requires a plurality of rectifier-type semiconductor rectifiers connected to a resistor, easily controllable memory elements. whose other side is the entrance for the holding

Gemäß einer Weiterbildung der Erfindung ist es io Stromvorspannung und für eines der EingangssignaleAccording to a further development of the invention, it is current bias voltage and for one of the input signals

günstig, wenn der Halbleitergleichrichter zwei korn- bildet, daß an die Anode des Halbleitergleichrich-favorable if the semiconductor rectifier forms two grains that are connected to the anode of the semiconductor rectifier

plementäre Transistoren aufweist, deren Kollektoren ters ferner die Kathode einer Diode angeschlossenHas plementary transistors, the collectors ters also connected to the cathode of a diode

jeweils mit der Basis des anderen Transistors ver- ist, deren Anode den Ausgang der Speichervorrich-is connected to the base of the other transistor, the anode of which is the output of the storage device

bunden sind, wobei die Basis des einen Transistors tung bildet, sowie daß an die Steuerelektrode desare bound, the base of a transistor forming a device, and that to the control electrode of the

die Steuerelektrode des Halbleitergleichrichters bil- 15 Halbleitergleichrichters die Kathode einer weiterenthe control electrode of the semiconductor rectifier forms the cathode of another

detund der Anoden-Kathoden-Kreis über die Emitter Diode angeschlossen ist, deren Anode einen Signal-det and the anode-cathode circuit is connected via the emitter diode, the anode of which has a signal

der Transistoren führt. Dies ist eine bekannte Äqui- eingang der Speichervorrichtung bildet,the transistors leads. This is a known equi- input of the storage device forms,

valentschaltung, die sich in der Praxis als sehr Von besonderer Bedeutung ist ferner, daß dievalent circuit, which in practice is very Of particular importance is that the

zweckmäßig erwiesen hat. Bauteile der erfindungsgemaßen SpeichervorrichtungHas proven expedient. Components of the storage device according to the invention

Bei einer vorteilhaften Weiterbildung der Erfin- 20 ohne weiteres als integrierte Schaltung ausgeführt dung sind an den Halbleitergleichrichtern drei Si- werden können. Durch die Verwendung bekannter gnale anlegbar, von denen zwei bei gleichzeitigem Verfahren können sämtliche Dioden und WiderAnlegen einen Schaltstrom fließen lassen, während stände, der Transistor und der gesteuerte Siliziumdas dritte Signal ein Durchlaßvorspannungssignal ist, gleichrichter auf einer einzigen Scheibe ausgebildet das einen Haltestrom fließen läßt, der den Halb- 25 werden. Die Möglichkeit des integrierten Aufbaus leitergleichrichter auch nach Verschwinden der bei- wird dadurch verbessert, daß die Bauteile des Speiden anderen Signale in leitendem Zustand hält, so cherelements nicht kritisch sind. Eine derartige Vordaß das gleichzeitige Auftreten der beiden anderen richtung kann als Teil einer Speichergruppe auf einer Signale als Weiterfluß des Haltestroms speicherbar einzigen Scheibe aus Halbleitermaterial leicht mit ist, während das gleichzeitige Anlegen von nur zwei 30 integrierten Schaltungszwischenverbindungen verdieser drei Signale einen Strom fließen läßt, der sehen werden. Die Vorteile einer integrierten Ausgeringer als der Schaltstrom ist, so daß nach Ver- führung sind erheblich.In an advantageous further development of the invention, 20 is readily implemented as an integrated circuit There are three Si- cans on the semiconductor rectifiers. By using known signals can be applied, two of which, with simultaneous operation, all diodes and resistors can allow a switching current to flow, while the transistor and the controlled silicon stand third signal is a forward bias signal, rectifier formed on a single disk that allows a holding current to flow that becomes the half-25. The possibility of an integrated structure Ladder rectifier even after the two have disappeared is improved by the fact that the components of the Speiden keeps other signals in the conductive state, so cherelements are not critical. Such a Vordaß the simultaneous occurrence of the other two directions can be considered part of a storage group on a Signals as a continuation of the holding current can be easily stored with a single slice of semiconductor material while the simultaneous application of only two integrated circuit interconnects is thinner Let three signals flow a current that will be seen. The advantages of an integrated Ausgeringer than the switching current is so that after seduction are considerable.

schwinden der Signale kein Haltestrom fließt und Weitere Vorteile und Anwendungsmöglichkeitenif the signals disappear, no holding current flows and Further advantages and possible applications

der Halbleitergleichrichter in den nichtleitenden der Erfindung ergeben sich aus den nachfolgend be-the semiconductor rectifier in the non-conductive of the invention result from the following

Zustand zurückkehrt. Hierbei ist es vorteilhaft, 35 schriebenen Ausführungsbeispielen. Es zeigtState returns. It is advantageous here to use the exemplary embodiments described. It shows

wenn die beiden anderen Signale an die Anode bzw. F i g. 1 ein schematisches Schaltbild einer Spei-if the other two signals to the anode or F i g. 1 is a schematic circuit diagram of a memory

die Steuerelektrode des Halbleitergleichrichters an- chervorrichtung nach der Erfindung,the control electrode of the semiconductor rectifier charging device according to the invention,

legbar sind. F i g. 2 eine Stxomspannungskennlinie für den Be-are placeable. F i g. 2 a current voltage characteristic for loading

Bei Anlegen der beiden obengenannten Signale trieb eines gesteuerten Halbleitergleichrichters oderWhen applying the two signals mentioned above, a controlled semiconductor rectifier or drove

zur Speicherung einer »1« kann ein mit dem Gleich- 40 zweier entsprechend Fig. 8 geschalteter pnp- undto store a “1”, a pnp and

richter zusammengeschalteter Transistor betätigt npn-Transistoren zur Erläuterung der ArbeitsweiseRichter's interconnected transistor operates npn transistors to explain how they work

werden, um einen niederohmigen Stromweg zu der Vorrichtung nach der Erfindung,be to a low-resistance current path to the device according to the invention,

schaffen, so daß ein hoher Schaltstrom fließt. Durch F i g. 3 ein schematisches Schaltbild eines weite-create so that a high switching current flows. By F i g. 3 a schematic circuit diagram of a broader

diesen wird der Halbleitergleichrichter derart vor- ren erfindungsgemäß aufgebauten Speicherelements,The semiconductor rectifier will use these in front of the storage element constructed in accordance with the invention,

bereitet, daß er nur mit dem Haltestrom im leiten- 45 F i g. 4 ein schematisches Schaltbild einer ent-prepares that he can only conduct with the holding current in the 45 F i g. 4 a schematic circuit diagram of a

den Zustand gehalten werden kann. Wie oben bei sprechend der Erfindung aufgebauten Speichergruppethe state can be maintained. As above with storage group constructed in accordance with the invention

der besonderen Ausführungsform erwähnt, hält der unter Verwendung der Speichervorrichtung nachof the particular embodiment mentioned, it keeps track of using the storage device

Haltestrom die Vorrichtung dann nicht im ein- Fig. 1,The holding current of the device is then not in a Fig. 1,

geschalteten Zustand, solange ein kleinerer Strom F i g. 5 ein schematisches Schaltbild einer abge-switched state as long as a smaller current F i g. 5 a schematic circuit diagram of a

als der Schaltstrom fließt. Um einen Zustand der 50 wandelten Ausführungsform einer Speichervorrich-as the switching current flows. To a state of the 50 converted embodiment of a storage device

Vorrichtung auszulesen, wird wiederum eines der tung nach der Erfindung,To read out the device is in turn one of the device according to the invention,

Eingangssignale angelegt. Leitet der Gleichrichter, F i g. 6 eine Abwandlung des schematischen Schalt-Input signals applied. Conducts the rectifier, F i g. 6 a modification of the schematic switching

so bedeutet dies, daß eine »1« gespeichert ist. An- bildes nach Fig. 5,this means that a "1" is stored. Image according to FIG. 5,

derenfalls, d. h., wenn der Gleichrichter nicht leitet, F i g. 7 ein schematisches Schaltbild einer erfin-if so, d. i.e., when the rectifier does not conduct, FIG. 7 a schematic circuit diagram of an invented

ist eine »0« gespeichert. 55 dungsgemäß aufgebauten Speichergruppe bei Ver-a "0" is stored. 55 correctly structured storage group for

In einem besonderen Ausführungsbeispiel der Wendung der Speichervorrichtung nach F i g. 5 undIn a particular embodiment of the turn of the memory device according to FIG. 5 and

Erfindung weist der elektronische Schalter einen F i g. 8 ein schematisches Schaltbild, das einenIn accordance with the invention, the electronic switch has a F i g. 8 is a schematic circuit diagram showing a

Transistor auf, im anderen Beispiel eine Diode. äquivalenten Stromkreis für einen gesteuertenTransistor on, in the other example a diode. equivalent circuit for a controlled

Es ist weiterhin vorteilhaft, wenn eine Leseschal- Siliziumgleichrichter veranschaulicht,It is also advantageous if a reading switch silicon rectifier illustrates

tung zum Abfragen des Leitfähigkeitszustandes des 60 In F i g. 1 ist eine Speichervorrichtung 10 veran-device for querying the conductivity state of the 60 In F i g. 1 a storage device 10 is arranged

Halbleitergleichrichters vorgesehen ist. Eine solche schaulicht, die einen gesteuerten Siliziumgleich-Semiconductor rectifier is provided. Such a demonstration, which a controlled silicon equalization

Leseschaltung kann bevorzugt einen Transistor auf- richter 12 mit einer Anode, einer Kathode und einerReading circuit can preferably have a transistor converter 12 with an anode, a cathode and a

weisen. Torelektrode aufweist. Der Gleichrichter 12 kannpoint. Has gate electrode. The rectifier 12 can

Eine weitere zweckmäßige Ausgestaltung der Er- aus einer Reihe von bekannten Vorrichtungen ausfindung besteht in einer im Anoden-Kathoden-Kreis 65 gewählt werden. Eine herkömmliche Bauart bedes Halbleitergleichrichters liegenden Schaltvorrich- stimmter gesteuerter Siliziumgleichrichter sind Viertung zur Vorspannung des Halbleitergleichrichters schicht-pnpn-Bauelemente. Obwohl die Vierschichtin Sperrichtung und zur Unterbrechung des Halte- Bauelemente vorliegend als gesteuerte Silizium-Another expedient embodiment of the invention from a number of known devices finding consists of one in the anode-cathode circuit 65 to be selected. A conventional design bedes Semiconductor rectifier located switching device- specific controlled silicon rectifiers are fourth for biasing the semiconductor rectifier layer pnpn components. Although the four-shift woman Blocking direction and to interrupt the holding components present as a controlled silicon

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gleichrichter bezeichnet sind, kann auch Germanium bruchsstelle erreicht wird. Diese Stelle ist in F i g. 2rectifiers are designated, germanium breaking point can also be reached. This point is shown in FIG. 2

als Gleichrichtermaterial verwendet werden. Es kön- mit V_Bl, I_Bl bezeichnet. Wird bei gleicher Vor-can be used as rectifier material. It can be referred to as V _Bl , I _Bl . If the same

nen auch Vierschicht-npnp-Bauelemente hergestellt spannung in Durchlaßrichtung ein Torstrom ange-Four-layer npnp components are also produced.

und in den Schaltungen nach der Erfindung verwen- legt, fließt durch den Gleichrichter ein geringfügigand used in the circuits of the invention, there is a slight flow through the rectifier

det werden, wobei sämtliche Spannungspolaritäten 5 größerer, jedoch minimaler Durchlaßstrom, bis einebe det, with all voltage polarities 5 larger, but minimal forward current, up to one

umgekehrt, alle Dioden entgegengesetzt gepolt sowie weitere Durchbruchstelle erreicht ist. Im allgemeinenvice versa, all diodes have opposite polarity and another breakpoint has been reached. In general

npn-Transistoren gegen pnp-Transistoren und pnp- steigt der kleine (im wesentlichen vernachlässigbare)npn transistors versus pnp transistors and pnp- the small (essentially negligible) increases

Transistoren gegen npn-Transistoren ersetzt sind. Durchlaßstrom mit wachsenden Torströmen fürTransistors are replaced by npn transistors. Forward current with increasing gate currents for

Ein gesteuerter Siliziumgleichrichter stellt im we- jeden speziellen Wert der Durchlaßvorspannung zwi-A controlled silicon rectifier does not set any special value of the forward bias between

sentlichen - das Halbleiteräquivalent eines Gas- io sehen der Anode und der Kathode an.essential - the semiconductor equivalent of a gas io see the anode and the cathode.

thyratrons dar. Reichen die Vorspannung und der Torstrom aus,thyratrons. If the bias voltage and the gate current are sufficient,

Entsprechend F i g. 1 ist die Kathode des Gleich- um die Vorrichtung über den Durchbruchswert richters 12 über einen Widerstand 13 mit der Basis hinausgelangen zu lassen, fällt die Spannung am eines Transistors 14 verbunden. Der Transistor 14 Gleichrichter auf einen praktisch vernachlässigbaren ist ein herkömmliches npn-Bauelement, das ent- 15 Wert, wie dies aus dem gestrichelten Teil der Kurve sprechend den im folgenden erörterten Kriterien nach F i g. 2 hervorgeht. Danach wird für wachsende ausgewählt ist. Die Anode des Gleichrichters 12 ist Ströme eine praktisch konstante Anoden-Kathodenüber eine herkömmliche Diode 18 an Masse ange- Spannung aufrechterhalten. Der Betrag des Stromes schlossen. Die Kathode liegt über einen Widerstand hängt von dem Widerstand der an den gesteuerten 16 an einer negativen Vorspannung V₁. Die Tor- 20 Siliziumgleichrichter angeschlossenen Schaltung ab. elektrode des Gleichrichters 12 liegt über einen Es wurde festgestellt, daß, wenn der durch den Widerstand 19 an einer negativen Spannung. Zur Gleichrichter fließende Strom größer als ein beEinsparung von Bauelementen ist die gleiche Span- stimmter vorgewählter Schaltstrom ist, der in F i g. 2 nungsquelle V₁ gezeigt, obwohl der tatsächliche Wert mit I_L bezeichnet ist, die an den Gleichrichter 12 der durch den Widerstand 19 angelegten Spannung 25 angelegten Eingangs- oder Schaltsignale verschwinnicht gleich F₁ zu sein braucht. den können, sofern nur ein geringerer HaltestromAccording to FIG. 1 is the cathode of the same to allow the device to pass through the breakdown converter 12 through a resistor 13 to the base, the voltage across a transistor 14 is connected. The transistor 14 rectifier to a practically negligible is a conventional npn component, the value, as shown in the dashed part of the curve, corresponding to the criteria according to FIG. 1 discussed below. 2 shows. After that it is selected for growing. The anode of the rectifier 12 is supplied with currents of a practically constant anode-cathode via a conventional diode 18 connected to ground. The amount of electricity closed. The cathode lies across a resistor that depends on the resistance of the controlled 16 to a negative bias voltage V ₁ . The gate-20 silicon rectifier connected circuit off. The electrode of the rectifier 12 is connected to a It has been found that when the through the resistor 19 at a negative voltage. The current flowing to the rectifier is greater than a saving of components, the same voltage is the same as the preselected switching current that is shown in FIG. 2 voltage source V _{1 is} shown, although the actual value is denoted by I _L , the input or switching signals applied to the rectifier 12 of the voltage 25 applied through the resistor 19 need _{not be equal to F 1.} that can, provided only a lower holding current

Der Kollektor des Transistors 14 ist über einen fließt. Beispielsweise hält im allgemeinen ein Halte-Widerstand 20 mit einer Vorspannungsquelle F₂ strom von ungefähr 100 Mikroampere den Gleichverbunden. An einer Klemme 24 können Ausgangs- richter im leitenden Zustand. Wenn der Gleichsignale von dem Element 10 abgenommen werden. 30 richter einen Eingangswert aufnimmt, der nicht aus-Das Element 10 weist zwei Eingangsklemmen 21 reicht, um für einen größeren Strom als den Schalt- und 23 auf. Die Klemme 21 ist über eine Kopp- strom I_L zu sorgen, kehrt die Vorrichtung bei Verlungsdiode 22 mit der Anode des Gleichrichters 12 schwinden der Eingangssignale in den hochohmigen verbunden, während die Klemme 23 unmittelbar an Zustand zurück und führt nur einen vernachlässigdie Torelektrode des Gleichrichters 12 angeschlos- 35 bar kleinen Strom,
sen ist. Die Ursachen dafür, daß Signale, die einen StromThe collector of transistor 14 is flowing through a. For example, a hold resistor 20 generally holds approximately 100 microamps of current from _{a bias source F 2.} Output converters in the conductive state can be connected to a terminal 24. When the DC signals are removed from the element 10. 30 judge receives an input value that is not from the element 10 has two input terminals 21 is sufficient to for a greater current than the switching and 23 on. The terminal 21 is to be provided via a coupling current I _L , the device returns at the loss diode 22 with the anode of the rectifier 12, the input signals fade into the high-impedance state, while the terminal 23 immediately returns to the state and only leads the gate electrode of the rectifier to a negligible extent 12 connected - 35 bar small electricity,
sen is. The causes of having signals carrying a stream

Die Wirkungsweise einer gesteuerten Halbleiter- erzeugen, der größere und kleinere Werte als der gleichrichtervorrichtung entsprechend dem Gleich- Schaltstrom hat, den Gleichrichter unterschiedlich richter 12 sei an Hand der F i g. 2 erläutert. F i g. 2 arbeiten lassen, wurden noch nicht vollständig gezeigt die Kennlinien der Vorrichtung, wenn mit 40 klärt. Die gegenwärtig benutzte Technologie verHilfe der Vorspannungspotentiale und der Eingangs- wendet einen »Uberlast«-Strom. Es liegen gewisse signale verschiedene Spannungen und Ströme an- Anzeichen dafür vor, daß der Wert, bei dem der gelegt werden. Die in F i g. 2 gezeigten Kurven sind Schaltstrom fließt, nicht erreicht wird, bevor eine der Übersicht halber absichtlich verzerrt dargestellt. ausreichende Spannung an Zwischenübergangskapa-Wie oben bemerkt, ist der gesteuerte Gleichrichter 45 zitäten innerhalb der Gleichrichtervorrichtung aufdas Halbleiteräquivalent des Gasthyratrons. Nor- gebaut ist. Eine weitere Theorie besteht darin, daß malerweise ist ein derartiger Gleichrichter in pnpn- der gesteuerte Gleichrichter, der praktisch zwei in Form aufgebaut und mit drei Anschlüssen versehen. Rückkopplungsschaltung miteinander verbundene Zwei dieser Anschlüsse sind mit Anode und Ka- Transistoren darstellt, so arbeitet, daß eine Rückthode bezeichnet (entsprechend Fig. 1), während so kopplung größer als 1 durch Multiplikation der under dritte Anschluß als Torelektrode bezeichnet abhängigen Transistorkennwerte an der Stelle aufwird. Die in Fig. 2 dargestellten Spannungen sind tritt, wo der Schaltstrom erreicht wird. Keine der Spannungen zwischen der Anode und der Kathode, Erklärungen befnedigt bis jetzt die Wissenschaftler während die Ströme die durch das Bauelement vollständig, und es mag sein, daß sich eine andere fließenden Ströme sind. 55 Theorie als richtig erweist. Es besteht jedoch dieThe mode of operation of a controlled semiconductor produce, the larger and smaller values than the rectifier device according to the DC switching current, the rectifier differently judge 12 is on the basis of FIG. 2 explained. F i g. 2 have not yet been fully shown the characteristics of the device when cleared with 40. The technology currently in use helps the bias potentials and the input applies an "overload" current. There are certain signals different voltages and currents - indications that the value at which the be placed. The in F i g. 2 curves shown are switching current flowing, not reached before a intentionally distorted for the sake of clarity. Sufficient tension on inter-transition capa-like noted above, the controlled rectifier 45 is based on the rectifier device Semiconductor equivalent of the gast thyratron. Nor- is built. Another theory is that Sometimes such a rectifier is in pnpn- the controlled rectifier, which practically has two in Form constructed and provided with three connections. Feedback circuit interconnected Two of these connections are shown with anode and Ka transistors, so that a reverse electrode works referred to (according to Fig. 1), while coupling is greater than 1 by multiplying the under third connection referred to as gate electrode has dependent transistor characteristics at the point. The voltages shown in Fig. 2 occur where the switching current is reached. None of the Tensions between the anode and the cathode, explanations so far troubled scientists while the currents pass through the component completely, and it may be another flowing currents are. 55 theory proves correct. However, there is the

Im allgemeinen verläuft die Kennlinie des ge- wichtige Tatsache, daß ein niederohmiger Bereich steuerten Gleichrichters derart, daß bei Anlegen vorhanden ist, innerhalb dessen ein dem Haltewert einer Sperrspannung zwischen der Anode und der entsprechender Strom eine hohe Leitfähigkeit nicht Kathode nur ein sehr kleiner Sperrstrom fließt, bis aufrechterhält, wenn nicht zunächst ein Strom aneine Stelle V_A erreicht ist, bei der ein lawinenartiger 60 gelegt wurde, der größer als der Schaltstrom ist. Durchbruch erfolgt. Die Stelle V_A wird oft als Zener- Dies ist eine der Erscheinungen, die bei der vorspannung, Sperrdurchbruchsspannung oder Lawinen- liegenden Speichervorrichtung ausgenutzt wird,
spannung bezeichnet. Bei einer Vorspannung in Welche Gründe auch immer dafür verantwortlich Durchlaßrichtung zwischen der Anode und der Ka- sind, die Vorrichtung arbeitet jedenfalls so, daß die thode können eine Reihe von Eigenheiten beob- 65 Vorspannung am Gleichrichter und das an die Torachtet werden. Wird an der Torelektrode kein Strom elektrode angelegte Eingangssignal so ausgewählt angelegt, fließt ein sehr geringer Durchlaßstrom von werden können, daß keines von beiden allein beverhältnismäßig konstantem Wert, bis eine Durch- wirkt, daß der Schaltstrom durch die VorrichtungIn general, the characteristic curve of the important fact that a low-resistance area controlled rectifier is present in such a way that, when applied, within which a high conductivity of the holding value of a reverse voltage between the anode and the corresponding current, not cathode, only a very small reverse current flows , until maintained unless a current is first reached at a point V _A at which an avalanche-like 60 has been placed which is greater than the switching current. Breakthrough occurs. The point V _A is often called Zener This is one of the phenomena that is exploited in the bias, reverse breakdown voltage or avalanche-lying storage device,
called voltage. In the case of a bias in whatever the reasons for the forward direction between the anode and the cable, the device works in such a way that a number of peculiarities can be observed. If no input signal applied to the gate electrode is applied in a selected manner, a very low forward current flows from which neither of the two alone can be a relatively constant value until a penetration of the switching current through the device

fließt. Infolgedessen bewirkt keines der beiden bestimmenden Eingangssignale allein, daß der Gleichrichter in den Zustand kommt, bei dem bereits der Haltestrom den betreffenden Zustand aufrechterhält. Andererseits können die Größen beider Signale so gewählt werden, daß, wenn beide Signale gemeinsam angelegt werden, der Schaltstrom durch die Vorrichtung fließt, so daß der Haltestrom die Vorrichtung selbst dann leitend hält, wenn beide Eingangssignale verschwinden. Diese Werte können aus den Kennlinien nach F i g. 2 bestimmt werden, indem eine an die Steuerelektrode angelegte Vorspannung ausgewählt wird, die kleiner als die Spannung ist, bei der der Gleichrichter unabhängig von dem Torstrom schaltet, und in dem eine Vorspannung zur Erzeugung eines Haltestromes gewählt wird, die kleiner als die Spannung ist, die für das Fließen des Schaltstroms erforderlich ist, wenn ein Torsignal angelegt wird.flows. As a result, neither of the two determining input signals alone causes the rectifier comes into the state in which the holding current already maintains the relevant state. On the other hand, the sizes of both signals can be chosen so that when both signals are applied together, the switching current flows through the device, so that the holding current the Keeps device conductive even if both input signals disappear. These values can from the characteristic curves according to FIG. 2 can be determined by applying a bias voltage to the control electrode is selected that is smaller than the voltage at which the rectifier is independent of the gate current switches, and in which a bias voltage to generate a holding current is selected which is less than the voltage required for the switching current to flow when a Gate signal is applied.

Wenn über die Klemme 23 an die Torelektrode des Gleichrichters 12 nach F i g. 1 ein Spannungssignal F₀ angelegt wird, leitet der Gleichrichter 12 in Durchlaßrichtung. Die an den Gleichrichter 12 angelegte Vorspannung ergibt sich dadurch, daß über die in Durchlaßrichtung leitende Diode 18 Massepotential an die Anode und über den Widerstand 16 das negative Potential F₁ an die Kathode des Gleichrichters 12 angelegt wird. Die das Signal V₀ liefernde Schaltung hat einen geeigneten Widerstand, um einen brauchbaren Torstrom fließen zu lassen, da der Gleichrichter 12 im wesentlichen eine stromgesteuerte Vorrichtung darstellt. Die Spannung V₀ und der Strom I₀ sind in Verbindung mit der betreffenden Vorspannung so gewählt, daß der sich einstellende Strom in dem Bereich (für betreffende Werte) unterhalb der Stelle liegt, bei der der Schaltstrom/i fließt. Der Gleichrichter 12 gibt damit über den Widerstand 16 Strom im niederohmigen Zustand ab, dieser Strom reicht jedoch nicht aus, um die Kathode auf ein ausreichend hohes Potential kornmen zu lassen, um den Transistor 14 stromleitend zu machen. Der Gleichrichter kann im hoch- oder niederohmigen Zustand arbeiten, wenn nur das Signal Vq angelegt wird (in Abhängigkeit von dem betreffenden Wert von F₀), solange ein Strom fließt, der kleiner als der Schaltstrom I_L ist. Wenn das Eingangssignal Vq von der Klemme 23 abgeschaltet wird, kehrt der Gleichrichter 12 in den hochohmigen Zustand zurück.If via the terminal 23 to the gate electrode of the rectifier 12 according to FIG. 1 a voltage signal F _{0 is} applied, the rectifier 12 conducts in the forward direction. The bias voltage applied to the rectifier 12 results from the fact that ground potential is applied to the anode via the conducting diode 18 and the negative potential F _{1 is applied} to the cathode of the rectifier 12 via the resistor 16. The circuit providing the signal V ₀ has a suitable resistance to allow a useful gate current to flow since the rectifier 12 is essentially a current controlled device. The voltage V ₀ and the current I ₀ are selected in connection with the relevant bias voltage so that the resulting current is in the range (for relevant values) below the point at which the switching current / i flows. The rectifier 12 thus emits current in the low-ohmic state via the resistor 16, but this current is not sufficient to allow the cathode to come to a sufficiently high potential to make the transistor 14 conductive. The rectifier can work in the high or low resistance state if only the signal Vq is applied (depending on the relevant value of F ₀ ) as long as a current flows that is smaller than the switching current I _L. When the input signal Vq from the terminal 23 is switched off, the rectifier 12 returns to the high-resistance state.

Wenn andererseits an die Klemme 21 ein Signal V_RW angelegt wird, während an der Klemme 23 ein Signal V_a nicht vorhanden ist, und wenn das Signal V_RW kleiner als der Wert V_{B ±} nach F i g. 2 ist, bleibt der Gleichrichter 12 im hochohmigen Zustand. Das Verschwinden des Signals V_RW läßt den Gleichrichter 12 in diesem hochohmigen Zustand.On the other hand, if a signal V _{RW is} applied to the terminal 21 while a signal V _{a is} not present at the terminal 23, and if the signal V _{RW is} less than the value V _{B ±} as shown in FIG. 2, the rectifier 12 remains in the high-resistance state. The disappearance of the signal V _RW leaves the rectifier 12 in this high-resistance state.

Wenn beide Signale V_RW und F₀ gemeinsam an die Klemmen 21 und 23 angelegt werden, wird der Gleichrichter 12 in den niederohmigen Zustand umgeschaltet, bei welchem ein erheblicher Durchlaßstrom fließt, d. h. ein Strom, der ausreicht, um den Wert des Schaltstromes zu überschreiten. Daß dieser Zustand sehr rasch erreicht wird, wird bei der Schaltung nach F i g. 1 durch den Transistor 14 besonders begünstigt. Das gleichzeitige Anlegen der Signale bewirkt, daß an der Kathode des Gleichrichters 12 eine Spannung auftritt, die groß genug ist, um den Transistor 14 zu triggern. Wenn der Transistor 14 in den Sättigungszustand umschaltet, ermöglicht es der dabei geschaffene niederohmige Stromweg, daß durch den Gleichrichter 12 ein großer Strom fließt. Wenn die Signale V_RW und F₀ abgeschaltet werden, wird über die Diode 18 für einen ausreichenden Strom gesorgt, um den gesteuerten Siliziumgleichrichter 12 im niederohmigen Zustand zu halten.If both signals V _RW and F _{0 are applied} jointly to terminals 21 and 23, the rectifier 12 is switched to the low-resistance state in which a considerable forward current flows, ie a current which is sufficient to exceed the value of the switching current. That this state is reached very quickly is shown in the circuit according to FIG. 1 particularly favored by transistor 14. The simultaneous application of the signals causes a voltage high enough to trigger transistor 14 to appear at the cathode of rectifier 12. When the transistor 14 switches to the saturation state, the low-resistance current path created in the process enables a large current to flow through the rectifier 12. When the signals V _RW and F _{0 are} switched off, a sufficient current is provided via the diode 18 to keep the controlled silicon rectifier 12 in the low-resistance state.

Da der Basisemitterübergang in Sperrichtung vorgespannt ist, wird der Transistor 14 nichtleitend, und es wird während der Speicherung einer 1 durch den Transistor 14 keine Leistung verbraucht. Wenn ein zweites oder »Lese«-Signal V_RW an der Klemme 21 auftritt, während der Gleichrichter 12 im leitenden Zustand ist, wird der Transistor 14 wieder eingeschaltet oder in den Sättigungszustand überführt und gibt an der Klemme 24 ein Ausgangssignal ab, das praktisch auf Massepotential liegt. Andererseits hat, wie zuvor erwähnt, ein Signal V_RW, das an die Klemme 21 angelegt wird, wenn der Gleichrichter 12 im hochohmigen Zustand ist, auf das Element 10 und den diesem zugeordneten Transistor 14 kernen Einfluß und bleibt an der Klemme 24 der Wert F, stehen.Since the base-emitter junction is reverse biased, transistor 14 becomes non-conductive and no power is consumed while transistor 14 is storing a 1. If a second or "read" signal V _{RW occurs} at terminal 21 while the rectifier 12 is in the conductive state, the transistor 14 is switched on again or transferred to the saturation state and emits an output signal at terminal 24 that practically surrenders Ground potential. On the other hand, as mentioned above, a signal V _RW which is applied to the terminal 21 when the rectifier 12 is in the high-impedance state, has no influence on the element 10 and the transistor 14 assigned to it, and the value F remains at the terminal 24 , stand.

Bei der die obigen Elemente verwendenden Schaltung kann ein Signal F₀ zwischen 0,8 und 1,2 Volt und ein Signal V_RW zwischen 2 und 6 Volt angelegt werden. Bei einer bestimmten Ausführungsform ■ hatte das Signal F₀ einen Wert von 0,9 Volt und das Signal V_RW einen Wert von 4 Volt. Bei dieser Ausführungsform hatte die Spannung F₁ einen Wert von 2 Volt und die Spannung F₂ einen Wert von 4 Volt. Diese Werte liegen ausreichend auseinander, um bei einer Rechnerschaltung, bei welcher das Element verwendet werden kann, eine Unterscheidung zu ermöglichen.In the circuit using the above elements, a signal F ₀ between 0.8 and 1.2 volts and a signal V _RW between 2 and 6 volts can be applied. In a particular embodiment, the signal F _{0 had} a value of 0.9 volts and the signal V _{RW had} a value of 4 volts. In this embodiment, the voltage F _{1 had} a value of 2 volts and the voltage F _{2 had} a value of 4 volts. These values are sufficiently apart to allow a differentiation in a computer circuit in which the element can be used.

Bei der die obigen Bauteile verwendenden Schaltung sind verschiedene Merkmale besonders erwähnenswert. Beispielsweise hatte das an der Klemme 24 erscheinende Ausgangssignal einen Wert von entweder 0 oder 4 Volt, Werte, die bei herkömmlichen Rechnerschaltungen ohne weiteres verwendbar sind, ohne daß Leseverstärker erforderlich werden. Auf diese Weise wirkt die Vorrichtung selbst als Verstärker. Der von Masse über die Diode 18 fließende Haltestrom, um den Gleichrichter 12 im leitenden Zustand zu halten, betrug 100 Milliampere. In the circuit using the above components, various features are particularly noteworthy. For example, the output signal appearing at terminal 24 had a value of either 0 or 4 volts, values which can easily be used in conventional computer circuits without the need for sense amplifiers. This is how the device works even as an amplifier. The holding current flowing from ground via the diode 18 to the rectifier 12 hold in the conductive state was 100 milliamps.

Das Element 10 kann nichtlöschend oder löschend gelesen werden. Wird für das Lesen und das Schreiben an der Klemme 21 ein identisches Signal V_m benutzt, so bleibt das ausgelesene Bit im Element 10 gespeichert. Ein weiterer Vorteil des in F i g. 1 gezeigten Elements 10 besteht darin, daß es beim löschenden Lesen mit recht hoher Geschwindigkeit arbeitet. So erfolgt das Schalten vom Null- zum Eins-Zustand und zurück unter Verwendung handelsüblicher gesonderter Bauteile mit Frequenzen über 1 Megahertz. Beim nichtlöschenden Lesen wurden Geschwindigkeiten von 10 Megahertz erzielt.The element 10 can be read in a non-erasable or erasive manner. If an identical signal V _{m is} used for reading and writing at terminal 21, the bit read out remains stored in element 10. Another advantage of the in FIG. The element 10 shown in Fig. 1 is that it operates at a fairly high speed in erasure reading. Switching from zero to one state and back is carried out using separate commercially available components with frequencies above 1 megahertz. In the case of non-erasable reading, speeds of 10 megahertz were achieved.

Wahlweise kann der Stromkreis der Diode 18 geöffnet werden, indem entweder ein (nicht veranschaulichter) Schalter vorgesehen wird oder indem die Diode 18 durch einen Transistor ersetzt wird, um den Haltestromkreis zu unterbrechen.Optionally, the circuit of diode 18 can be opened by either a (not illustrated) Switch is provided or by replacing the diode 18 with a transistor, to interrupt the holding circuit.

In Fig. 3 ist eine weitere Speichervorrichtung gezeigt, die entsprechend der Erfindung aufgebaut ist. Ebenso wie bei der in Fig. 1 veranschaulichten Vorrichtung ist ein gesteuerter SiliziumgleichrichterReferring to Fig. 3, there is shown a further memory device constructed in accordance with the invention is. As with the device illustrated in Figure 1, there is a silicon controlled rectifier

11 1211 12

12 mit Bauelementen zusammengeschaltet, um seine sich im wesentlichen die gleichen Vorteile. Von bebesonderen Schaltstrom-Haltestrom-Eigenschaften sonderer Bedeutung ist, daß auch alle Bauteile des auszunutzen. Die Anode des gesteuerten Silizium- Elements 30 leicht in Form einer integrierten Schalgleichrichters 12 ist über eine Diode 18 mit Masse tung ausgebildet werden können,
verbunden, während die Kathode über einen Wider- 5 F i g. 4 zeigt eine Speichergruppe mit mehreren stand 16 an einer negativen Vorspannung V₁ liegt. Speichervorrichtungen. Das schematische Schaltbild Der Anode des Gleichrichters 12 werden Eingangs- nach F i g. 4 zeigt besonders anschaulich, wie einfach signale von einer Klemme 21 über eine Diode 22 die Speichervorrichtungen zu einer Gruppe zusamzugeführt. Toreingangssignale gelangen von einer mengefaßt und in besonders wirtschaftlicher Weise Klemme 23 zur Torelektrode des Gleichrichters 12. io sowohl für Schreib- als auch für Leseoperationen Die Kathode des Gleichrichters 12 steht über eine adressiert werden können. Der in F i g. 1 innerhalb Reihenschaltung aus einer Diode 34 und einem der gestrichelten Linien veranschaulichte Teil der Widerstand 33 mit Masse in Verbindung. An die Speichervorrichtung 10 befindet sich jeweils in den Kathode der Diode 34 ist eine Ausgangsklemme 24 gestrichelt gezeichneten Abschnitten nach Fig. 4. angeschlossen. 15 Der besseren Übersicht halber ist nur eine der Ebenso wie die Vorrichtung 10 nach F i g. 1 ist Speichervorrichtungen ausführlich dargestellt. Jeder die Vorrichtung 30 nach Fig. 3 derart vorgespannt, gestrichelte Abschnitt ist als bestimmtes Speicherbitdaß ein an die Klemme 21 angelegtes Eingangs- Element gekennzeichnet, z. B. B₁₁₁.
signal V_RW allein nicht ausreicht, um den Gleich- Die Torelektrode jedes Gleichrichters 12 ist mit richter 12 für einen hohen Strom leitend zu machen. 20 einem mehrstufigen Schalter 42 verbunden. Die Weiterhin reicht ein Signal F₀ an der Eingangs- Anode jedes Gleichrichters 12 ist an einen mehrklemme 23 nicht aus, um den Schaltstrom I₁ in stufigen Schalter 41 angeschlossen, während der Durchlaßrichtung durch den Gleichrichter 12 fließen Emitter des Transistors 14 jedes Elements mit einem zu lassen, wenn nicht gleichzeitig ein Eingangssignal mehrstufigen Schalter 43 in Verbindung steht. Jede V_RW angelegt wird. Wenn das Signal an die Klemme 25 Schalterstellung des mehrstufigen Schalters 41 liefert12 interconnected with components to provide essentially the same advantages. Of particular importance is the switching current holding current properties that all components of the can be used. The anode of the controlled silicon element 30 easily in the form of an integrated signal rectifier 12 can be formed via a diode 18 with ground device,
connected, while the cathode via a resistor 5 F i g. 4 shows a memory group with several levels 16 at a negative bias voltage V ₁ . Storage devices. The schematic circuit diagram of the anode of the rectifier 12 are input according to FIG. 4 shows in a particularly clear manner how easily signals from a terminal 21 are brought together to form a group via a diode 22. Gate input signals arrive from a large and particularly economical terminal 23 to the gate electrode of the rectifier 12. IO for both write and read operations. The cathode of the rectifier 12 can be addressed via a. The in F i g. 1 within a series circuit of a diode 34 and one of the dashed lines illustrated part of the resistor 33 connected to ground. An output terminal 24 is connected to the memory device 10 in the cathode of the diode 34, as shown in FIG. For the sake of clarity, only one of the devices 10 according to FIG. 1 shows storage devices in detail. Each of the device 30 according to FIG. B. B ₁₁₁ .
signal V _RW alone is not sufficient to make the rectifier The gate electrode of each rectifier 12 is conductive with the rectifier 12 for a high current. 20 connected to a multi-stage switch 42. Furthermore, a signal F ₀ at the input anode of each rectifier 12 is not sufficient at a multiple terminal 23 to connect the switching current I ₁ in step switch 41, during the forward direction through the rectifier 12, emitter of the transistor 14 of each element flows with one to leave, if not at the same time an input signal multistage switch 43 is connected. Every V _{RW is} applied. When the signal at terminal 25 supplies the switch position of the multi-stage switch 41

23 angelegt wird, kann ein großer Strom durch den ein Eingangssignal an die Anode jedes Gleichrichters Gleichrichter 12 fließen, der kleiner als der Schalt- 12 eines Elements, das in einer bestimmten Ebene strom 11 ist. Infolge der Vorspannungswerte bleibt liegt, die parallel zur Zeichenebene der F i g. 4 verjedoch die Kathode des Gleichrichters 12 auf einem läuft. Wenn der Schalter 41, wie veranschaulicht, in Potential, das niedriger als das Massepotential liegt, 30 der Stellung 1 liegt, erhalten die in der dem Beso daß die Diode 34 in Sperrichtung vorgespannt trachter am nächsten liegenden Ebene befindlichen bleibt. Werden die beiden Signale V_RW und V₀ Elemente über den Schalter 41 eine positive Spangleichzeitig an die Klemmen 21 und 23 angelegt, nung. In ähnlicher Weise gibt jede der Schalterwird der gesteuerte Siliziumgleichrichter 12 in den Stellungen des Schalters 42 ein positives Potential Zustand hoher Leitfähigkeit überführt. Wenn das 35 an die Torelektrode der Gleichrichter 12 der in einer Signal V_G angelegt wird und den Gleichrichter 12 bestimmten Ebene liegenden Elemente. In jeder in den niederohmigen Zustand schalten läßt, führt Stellung des Schalters 43 werden die Emitter sämtdas an der Klemme 21 angelegte Spannungssignal licher Transistoren 14 der in einer bestimmten Ebene V_RW zu einem Anheben des Potentials an der Ka- liegenden Elemente mit Masse verbunden. Auf diese thode des Gleichrichters 12, wodurch die Diode 34 40 Weise kann, indem jeder der Schalter 41,42 und 43 in in Durchlaßrichtung vorgespannt und über den eine bestimmte Stellung gebracht wird, eine »1« in Widerstand 33 ein niederohmiger Stromweg nach ein einziges ausgewähltes Bit-Element eingeschrieben Masse gebildet wird. Infolgedessen kann durch den werden. In ähnlicher Weise kann in bestimmten Gleichrichter 12 ein Strom fließen, der zum Schalten Stellungen eine »0« eingebracht werden, indem nur der Vorrichtung ausreicht. An dem Anschluß 24 der 45 zwei oder ein Anschluß beaufschlagt werden, die F i g. 3 kann eine Abtastschaltung, die einen Schalter mit einem bestimmten Bit-Element verbunden sind, entsprechend Transistor 14 der F i g. 1 aufweist, an- Liegt beispielsweise der Schalter 41 in der Stellung 1, geschlossen sein. Nach Verschwinden der Eingangs- der Schalter 42 in der Stellung 1 und der Schalter 43 signale an den Klemmen 21 und 23 genügt der aus in der Stellung 1, wird das mit B₁₁₁ bezeichnete Bitder Spannungsquelle V₁ über die Diode 18 fließende 50 Element ausgewählt und in den stark leitenden Zu-Haltestrom, um den Gleichrichter 12 leitend zu stand überführt, um eine »1« zu speichern. Wird machen. Durch Absenkung des Potentials an der dagegen der Schalter 42 in die Stellung 2 gebracht, Kathode des Gleichrichters 12 kehrt die Diode 34 während die anderen Schalter in ihren Schaltstellunin den nichtleitenden Zustand zurück. gen verharren, wird das Bit-Element B₁₂₁ ausgewählt.23 is applied, a large current through which an input signal to the anode of each rectifier rectifier 12 flows, which is smaller than the switching 12 of an element which is current 11 in a certain level. As a result of the preload values, which is parallel to the plane of the drawing in FIG. 4, however, the cathode of the rectifier 12 runs on one. When the switch 41, as illustrated, is at a potential which is lower than the ground potential, 30 is in the position 1, the plane which is located closest to the plane which is next to the beso that the diode 34 is biased in the reverse direction is obtained. If the two signals V _RW and V ₀ elements are simultaneously applied to terminals 21 and 23 via switch 41, a positive span is applied. Similarly, each of the switches gives the controlled silicon rectifier 12 in the positions of the switch 42 a positive potential state of high conductivity. When the 35 is applied to the gate electrode of the rectifier 12 of the elements lying in a signal V _G and the rectifier 12 certain plane. In each can switch to the low-resistance state, position of switch 43 leads to the emitters all the voltage signal applied to terminal 21 Licher transistors 14 of the elements lying in a certain level V _RW to raise the potential at the cable connected to ground. In this method of the rectifier 12, whereby the diode 34 can 40 way, by each of the switches 41, 42 and 43 being biased in the forward direction and brought about a certain position, a "1" in resistor 33 a low-ohmic current path to a single one selected bit element written ground is formed. As a result, can be through the. In a similar way, a current can flow in certain rectifiers 12, which a “0” can be introduced for switching positions, in that only the device is sufficient. At the connection 24 of the 45 two or one connection are applied, the F i g. 3, a sampling circuit which has a switch connected to a particular bit element, corresponding to transistor 14 of FIG. 1, if the switch 41 is in position 1, for example, be closed. After disappearance of the input of the switch 42 in position 1 and the switch 43 signals suffice at the terminals 21 and 23 of the 18 flowing 50 element selected and from in the position 1, the designated B ₁₁₁ Bitder voltage source V ₁ via the diode into the highly conductive hold-open current to make the rectifier 12 conductive, in order to store a "1". Will do. By lowering the potential at which, on the other hand, the switch 42 is brought into position 2, the cathode of the rectifier 12, the diode 34 returns to the non-conductive state while the other switches are in their switching position. gen remain, the bit element B _{121 is} selected.

Wenn danach das Signal V_RW angelegt wird, um 55 Der Index jedes Speicherbit-Elements (z. B. B₁₁₁) den Zustand des Elements 30 auszulesen, bleibt der richtet sich der Reihe nach nach der Stellung des nichtleitende Gleichrichter 12 nichtleitend. Das Si- Schalters 41, dann des Schalters 42 und schließlich gnal V_RW bleibt ohne Einfluß auf den Zustand an des Schalters 43. Die Schalter 41, 42 und 43 sind der Klemme 24, d. h., es wird nach Masse abge- nur zu Zwecken der Erläuterung vorgesehen und leitet, da die Diode 34 sperrt. Wenn andererseits der 60 werden in der Praxis durch bekannte Schaltungs-Gleichrichter 12 leitet (eine 1 speichert), beeinflußt anordnungen ersetzt. Beispielsweise wird man nordas Signal V_RW die Vorspannung an der Kathode malerweise Transistorschalt- und Wähleinrichtungen des Gleichrichters 12 in ausreichendem Maße, um verwenden, um Signale an die mit 1, 2, 3 und 4 bedie Diode 34 in Durchlaßrichtung leiten zu lassen zeichneten Klemmen jedes Schalters anzulegen,
und eine positive Ausgangsspannung an der Klemme 65 Ein besonderes Merkmal der Anlage besteht inThereafter, when the signal V _RW (. B. B z ₁₁₁₎ is applied to 55 The index of each memory element to read out the state of the element 30, remains directed in turn to the position of non-conductive rectifier 12 non-conductive. The Si switch 41, then the switch 42 and finally the signal V _RW has no effect on the state of the switch 43. The switches 41, 42 and 43 are connected to terminal 24, ie it is disconnected to ground only for purposes of the Explanation provided and conducts, since the diode 34 blocks. On the other hand, if the 60 is in practice by known circuit rectifier 12 conducts (a 1 stores), affected arrangements are replaced. For example, one will use the V _RW signal to bias the cathode, transistor switching and selector means of rectifier 12 sufficient to allow signals to be forwarded to terminals labeled 1, 2, 3 and 4 of diode 34 each To apply the switch,
and a positive output voltage at terminal 65. A special feature of the system consists in

24 zu entwickeln. Die Arbeitsweise des Elements der Anordnung, die es ermöglicht, ein vollständiges 30 nach F i g. 3 entspricht also im wesentlichen der- Wort (beispielsweise das Wort in den Bit-Elementen jenigen des Elements 10 nach Fig. 1. Es ergeben B₁₁₁, B₁₂₁, B₁₃₁ bis B_lNl) auszulesen, indem nur die24 to develop. The operation of the element of the assembly which enables a complete 30 of FIG. 3 thus essentially corresponds to the word (for example the word in the bit elements of those of the element 10 according to FIG. 1. It results in B ₁₁₁ , B ₁₂₁ , B ₁₃₁ to B _lNl ) to be read out by only the

Schalter 41 und 43 erregt werden. Beispielsweise können die Schalter 41 und 43 jeweils in die Schaltstellung 1 gebracht werden. Der Schalter 42 würde in eine der Schaltstellungen gebracht, in der kein Eingangssignal abgegeben wird. In diesem Fall würde die Ausgangsklemme 24 jedes Elements des ausgewählten Wortes abgefragt, so daß das betreffende Wort parallel ausgelesen wird. Die veranschaulichte Matrixanordnung ermöglicht weiterhin die Auswahl jedes einzelnen Bits mit Hilfe von nur drei bestimmten Eingangssignalen an drei bestimmten Anschlüssen. Auf diese Weise sind die der Anordnung zugeordneten Zusatzschaltungen erheblich vereinfacht. Die Verminderung von Zusatzschaltungen wird weiter dadurch begünstigt, daß die Ausgangssignale der Transistoren 14 jedes Elements verwendet werden, wodurch zwei ausnutzbare logische Pegel erhalten werden, ohne daß die normalen Leseverstärkerstufen vorgesehen zu sein brauchen. Auf diese Weise kann die gesamte Speichergruppe nach F i g. 4 als integrierte Schaltung leicht auf einer einzigen Scheibe oder Platte angeordnet werden, ohne daß weitere, von außen angeschlossene Bauteile notwendig werden als Eingabe- und Abfrageteile. Die für die Gruppe benutzte Wähleinrichtung kann, sofern sie mit Hilfe von Transistoren oder Dioden aufgebaut ist, auf der gleichen Scheibe angeordnet werden, um den Betriebswert der Anordnung weiter zu steigern.Switches 41 and 43 are energized. For example, the switches 41 and 43 can each be in the switch position 1 can be brought. The switch 42 would be brought into one of the switch positions in which no Input signal is emitted. In this case the output terminal 24 of each element of the selected word is queried so that the relevant word is read out in parallel. The illustrated Matrix arrangement also allows each individual bit to be selected using only three specific input signals at three specific ports. In this way are those of the arrangement associated additional circuits considerably simplified. The reduction of additional circuits is further promoted by the fact that the output signals of transistors 14 of each element are used, creating two exploitable logic Levels can be obtained without the need for the normal sense amplifier stages. on in this way, the entire storage group of FIG. 4 as an integrated circuit easily on a single Disc or plate can be arranged without the need for further externally connected components are used as input and query parts. The dialing facility used for the group can, if it is constructed with the help of transistors or diodes, arranged on the same disk to further increase the operational value of the arrangement.

In Fig. 5 ist eine abgewandelte Ausführungsform der Speichervorrichtung 50 veranschaulicht, die mit Zusatzeinrichtungen verbunden ist. Bei der Speichervorrichtung 50 ist ein gesteuerter Siliziumgleichrichter 68 über seine Anode mit der einen Seite eines Widerstandes 64 und der Kathode einer Diode 65 verbunden. Die Steuerelektrode des Gleichrichters 68 ist an die Kathode der Diode 70 und an die eine Seite eines Widerstands 74 angeschlossen. Die andere Seite des Widerstands 74 ist mit der negativen Klemme einer Spannungsquelle 76 verbunden, deren andere Klemme an Masse liegt. An der mit der Anode der Diode 70 verbundenen Klemme 72 können Schaltsignale aufgenommen werden, die das Element 50 ein Informationsbit in Form einer binären »1« speichern lassen. An der mit der Anode der Diode 65 verbundenen Klemme 66 kann Information bezüglich des Zustands des Speicherelements 50 abgenommen werden.In FIG. 5, a modified embodiment of the memory device 50 is illustrated, which with Additional equipment is connected. The memory device 50 has a silicon controlled rectifier 68 via its anode with one side of a resistor 64 and the cathode of a diode 65 connected. The control electrode of the rectifier 68 is connected to the cathode of the diode 70 and to the one side of a resistor 74 is connected. The other side of resistor 74 is negative Terminal of a voltage source 76 connected, the other terminal of which is connected to ground. At the with The terminal 72 connected to the anode of the diode 70 can receive switching signals which the Have element 50 store an information bit in the form of a binary "1". The one with the anode Terminal 66 connected to diode 65 can contain information relating to the state of the memory element 50 can be removed.

Die andere Seite des Widerstands 64 ist in Reihe mit dem Kollektor-Emitter-Kreis eines Transistors 54 an die positive Klemme einer Spannungsquelle 52 und über einen mit dem Widerstand 64 in Reihe geschalteten Widerstand 58 an die negative Klemme einer Spannungsquelle 60 angeschlossen. Die negative Klemme der Spannungsquelle 52 und die positive Klemme der Spannungsquelle 60 sind mit Masse verbunden. Der Widerstand 56 liegt zwischen der Basis und dem Emitter des Transistors 54 und sorgt für einen Basisstromweg. An der mit der Basis des Transistors 54 verbundenen Klemme 62 können Signale aufgenommen werden, die den Kollektor-Emitter-Kreis des Transistors 54 eröffnen oder schließen.The other side of resistor 64 is in series with the collector-emitter circuit of a transistor 54 to the positive terminal of a voltage source 52 and through one to the resistor 64 in series switched resistor 58 is connected to the negative terminal of a voltage source 60. The negative Terminal of voltage source 52 and the positive terminal of voltage source 60 are connected to ground connected. Resistor 56 is between the base and emitter of transistor 54 and provides for a base current path. At the terminal 62 connected to the base of the transistor 54, signals be added, which open the collector-emitter circuit of the transistor 54 or shut down.

Die Kathode des gesteuerten Gleichrichters 68 ist in Reihe mit dem Kollektor-Emitter-Kreis eines Transistors 84 und einem Widerstand 88 an die negative Klemme einer Spannungsquelle 90 angeschlossen. Die Kathode des gesteuerten Gleichrichters 68 ist über einen Widerstand 80 ferner mit der positiven Klemme einer Spannungsquelle 78 und der Anode einer Diode 82 verbunden. Die Kathode der Diode 82, die positive Klemme der Spannungsquelle 90 und die negative Klemme der Spannungsquelle 78 liegen an Masse. The cathode of the controlled rectifier 68 is one in series with the collector-emitter circuit Transistor 84 and a resistor 88 connected to the negative terminal of a voltage source 90. The cathode of the controlled rectifier 68 is also connected via a resistor 80 the positive terminal of a voltage source 78 and the anode of a diode 82 are connected. The cathode the diode 82, the positive terminal of the voltage source 90 and the negative terminal of the voltage source 78 are connected to ground.

Die Speicherschaltung 93 nach F i g. 6 entspricht im wesentlichen der Schaltung 50 nach F i g. 5, mit der Ausnahme, daß der Basis-Emitter-Kreis einesThe memory circuit 93 of FIG. 6 corresponds essentially to the circuit 50 according to FIG. 5, with with the exception that the base-emitter circuit is a

ίο Transistors 98 in Reihe zwischen die Steuerelektrode des gesteuerten Gleichrichters 68 und einen Widerstand 97 geschaltet ist. Der Kollektor des Transistors 98 ist mit der einen Klemme des Widerstandes 64 verbunden. Der Widerstand 97 ist an die negative Klemme einer Spannungsquelle 99 angeschlossen, deren positive Klemme an Masse liegt. Der Wert des Widerstands 74 nach F i g. 5 entspricht im allgemeinen dem zehn- oder mehrfachen Wert des Widerstands 97 nach F i g. 6. Die Schaltung nach F i g. 6 kann infolgedessen einfacher in Monolithform hergestellt werden.ίο transistor 98 in series between the control electrode of the controlled rectifier 68 and a resistor 97 is connected. The collector of the transistor 98 is connected to one terminal of resistor 64. Resistor 97 is connected to the negative Terminal of a voltage source 99 connected, the positive terminal of which is connected to ground. The value of resistor 74 according to FIG. 5 generally corresponds to ten or more times the value of the Resistor 97 according to FIG. 6. The circuit according to FIG. 6 can consequently be more easily in monolithic form getting produced.

Zur Beschreibung der Arbeitsweise der Vorrichtungen nach den F i g. 5 und 6 sei angenommen, daß sich der gesteuerte Gleichrichter 68 zunächst in seinem Null- oder hochohmigen Zustand befindet, bei dem der Anoden-Kathoden-Strom vernachlässigbar ist. Unter der Annahme, daß an den Transistor 54 nach F i g. 5 die richtigen Arbeitspotentiale angelegt sind (d. h. basispositiv gegenüber dem Emitter), steht an der Klemme 96 ein positives Potential. An der Klemme 72 liegt normalerweise eine negative Spannung, bis ein Steuersignal empfangen wird. Die Klemmen 96 und 92 liegen gewöhnlich auf einem Potential, das um etwa den Spannungsabfall an einer Diode über dem Massepotential liegt. Wenn in das Element 50 eine »1« eingeschrieben werden soll, wird die Klemme 72 von einem negativen Potential auf Massepotential umgeschaltet, so daß Strom durch die Diode 70 fließt. Wenn an die Klemme 85 ein Potential angelegt wird, das den Kollektor-Emitter-Kreis des Transistors 84 leitend macht (eine positive Basis-Emitter-Spannung), erhält die Kathode des gesteuerten Gleichrichters 68 ein negatives Potential, während gleichzeitig ein Strom über die Diode 70 fließt, so daß über die Steuerelektrode ein Strom in den gesteuerten Gleichrichter 68 fließt, der einen Anoden-Kathoden-Strom durch den Gleichrichter 68 auslöst. Wenn daher der Klemme 92 ein negatives Potential und gleichzeitig der Klemme 72 Massepotential aufgeschaltet wird, beginnt über den Gleichrichter 68 ein Anoden-Kathoden-Strom zu fließen, der den gesteuerten Gleichrichter in den niederohmigen oder »!«-Zustand umschaltet. Über die Diode 80 fließt durch den Gleichrichter 68 ein Anoden-Kathoden-Strom weiter, auch nachdem der Transistor 84 wieder sperrt und das Massepotential von der Klemme 72 abgeschaltet wird.To describe the operation of the devices according to FIGS. 5 and 6 it is assumed that the controlled rectifier 68 is initially in its zero or high-resistance state, in which the anode-cathode current is negligible. Assuming that the transistor 54 of FIG. 5 the correct working potentials are applied (ie base positive compared to the emitter), there is a positive potential at terminal 96. Terminal 72 is normally negative until a control signal is received. Terminals 96 and 92 are usually at a potential which is about the voltage drop across a diode above ground potential. If a "1" is to be written into element 50, terminal 72 is switched from a negative potential to ground potential, so that current flows through diode 70. When a potential is applied to the terminal 85 which makes the collector-emitter circuit of the transistor 84 conductive (a positive base-emitter voltage), the cathode of the controlled rectifier 68 receives a negative potential, while at the same time a current through the diode 70 flows, so that a current flows into the controlled rectifier 68 via the control electrode, which current triggers an anode-cathode current through the rectifier 68. If a negative potential is applied to terminal 92 and ground potential to terminal 72 at the same time, an anode-cathode current begins to flow via rectifier 68, which switches the controlled rectifier to the low-resistance or "!" State. An anode-cathode current continues to flow through the rectifier 68 via the diode 80, even after the transistor 84 blocks again and the ground potential is switched off at the terminal 72.

Um die in einem Speicherelement 50 oder 93 gespeicherte Information auszulesen, wird die Klemme 92 von Massepotential (oder im wesentlichen Massepotential) auf ein negatives Potential geschaltet, indem an die Klemme 85 ein Signal angelegt wird, das den Transistor 84 leitend macht. Ist in dem gesteuerten Gleichrichter 68 eine »1« gespeichert, wechselt bei einer typischen Schaltung der veranschaulichten Art das Potential an der Klemme 66 von ungefähr 0,7 Volt über Massepotential auf un-In order to read out the information stored in a storage element 50 or 93, the terminal 92 switched from ground potential (or essentially ground potential) to a negative potential, by applying a signal to terminal 85 which makes transistor 84 conductive. Is in that controlled rectifier 68 stores a "1", alternates in a typical circuit of the illustrated Type the potential at terminal 66 from approximately 0.7 volts above ground potential to un-

gefähr 1 Volt unter Massepotential. Ist in dem gesteuerten Gleichrichter eine »0« gespeichert, ändert sich das Potential an der Klemme 66 nicht. Der Lesevorgang ist nichtlöschend.about 1 volt below ground potential. Is in the controlled Rectifier stores a "0", the potential at terminal 66 does not change. the Reading is non-erasable.

Um statt einer »1« eine »0« zu speichern, wird ein verhältnismäßig negatives Potential an die Klemme 62 angelegt, welches den Kollektor-Emitter-Kreis des Transistors 54 öffnet, so daß die Anode des Gleichrichters 68 mittels der Spannungsquelle 60 an ein negatives Potential gelegt wird. Der Haltestrom hört auf durch den gesteuerten Gleichrichter 68 zu fließen, und der gesteuerte Gleichrichter kehrt in den hochohmigen Zustand zurück.In order to store a “0” instead of a “1”, a relatively negative potential is applied to the Terminal 62 applied, which opens the collector-emitter circuit of transistor 54, so that the anode of the rectifier 68 is applied to a negative potential by means of the voltage source 60. The holding current stops flowing through the controlled rectifier 68 and the controlled rectifier reverses back to the high-resistance state.

Die Vorspannungsquelle 78 lief ert nicht nur Strom an den Kollektor des Transistors 84, sondern auch an die Diode 82, um die Diode 82 leitend zu halten. Die Diode 82 leitet, wenn der Transistor 84 nicht leitet.The bias source 78 supplies not only current to the collector of transistor 84, but also to diode 82 to keep diode 82 conductive. Diode 82 conducts when transistor 84 is not directs.

Bei der Schaltung nach F i g. 5 spannt die Spannungsquelle 76 die Steuerelektrode des Gleichrichters 68 negativ vor, wenn die Diode 70 gesperrt ist, und legt die Kathode der Diode 70 auf ein negatives Potential, so daß die Diode 70 leitet, wenn an ihre Anode Massepotential angelegt wird. Der Wert des Widerstandes 74 kann beispielsweise in der Größen-Ordnung von 10 000 Ohm liegen, um den Stromfluß über die Steuerelektrode zu begrenzen, während der Gleichrichter 68 leitet.In the circuit according to FIG. 5, the voltage source 76 tensions the control electrode of the rectifier 68 is negative when the diode 70 is blocked, and puts the cathode of the diode 70 on a negative Potential so that the diode 70 conducts when ground potential is applied to its anode. The value of the Resistor 74 can, for example, be on the order of 10,000 ohms to control the flow of current via the control electrode while the rectifier 68 conducts.

Bei der Vorrichtung nach F i g. 6 kann der Widerstand 97 in der Größenordnung von 1000 Ohm liegen, was sich infolge der Verstärkung des Transistors 98 im Stromkreis der Diode 70 und der Steuerelektrode des Gleichrichters 68 wie ein Widerstand in der Größenordnung von 10 000 Ohm auswirkt.In the device according to FIG. 6 the resistor 97 can be of the order of 1000 ohms, which is due to the amplification of the transistor 98 in the circuit of the diode 70 and the control electrode of rectifier 68 acts like a resistance on the order of 10,000 ohms.

Die Schaltung nach Fig. 7 stellt einen Speicher für zwei Wörter mit je zwei Bits, zusammen mit den zugehörigen elektronischen Einrichtungen, dar. Die elektronischen Zusatzeinrichtungen entsprechen denjenigen der Schaltungsanordnung nach F i g. 5, mit der Ausnahme, daß sie mehrfach vorhanden sind.The circuit of Fig. 7 provides a memory for two words with two bits each, together with the associated electronic devices. The Additional electronic devices correspond to those of the circuit arrangement according to FIG. 5, with with the exception that they are present several times.

Die Schaltung mit den Elementen 152 bis 162 und die Schaltung mit den Elementen 252 bis 262 ist der Schaltung nach F i g. 5 mit den Elementen 52 bis 62 identisch. Die Schaltungen 150, 250, 350 und 450 sind mit der Schaltung 50 nach F i g. 5 identisch. Die Schaltung mit den Elementen 178 bis 190 und die Schaltung mit den Elementen 278 bis 290 sind mit der Schaltung nach F i g. 5 identisch, welche die Elemente 78 bis 90 enthält.The circuit with elements 152 to 162 and the circuit with elements 252 to 262 is the circuit according to FIG. 5 identical to elements 52 to 62. The circuits 150, 250, 350 and 450 are connected to the circuit 50 according to FIG. 5 identical. The circuit with elements 178 to 190 and the circuit with elements 278 to 290 are identical to the circuit according to FIG. 5 identical to which the Contains items 78 through 90.

Die Schaltung mit den Elementen 552 bis 566 stellt eine Treiberschaltung für die Steuerelektroden der Elemente 150 und 250 dar. Die die Elemente 652 bis 666 enthaltende Schaltung ist der Schaltung mit den Elementen 552 bis 566 identisch und dient der Aussteuerung der Steuerelektroden der Elemente 350 und 450. Der Transistor 560 ist über einen Vorspannungswiderstand 454 mit der positiven Klemme einer Spannungsquelle 552 verbunden, deren negative Klemme an Massepotential liegt. Die positive Klemme der Spannungsquelle 552 ist über einen Vorspannungswiderstand 556 an die Basis des Transistors 560 angeschlossen. Der Emitter des Transistors 560 ist über einen Lastwiderstand 564 mit der negativen Klemme einer Spannungsquelle 566 verbunden. Die Anode einer Diode 562 ist an den Emitter des Transistors 560 angeschlossen. Die positive Klemme der Spannungsquelle 566 und die Kathode der Diode 562 liegen an Masse. Der Emitter des Transistors 560 ist mit den Anoden der Dioden 170 und 270 verbunden. Der Emitter des Transistors 660 ist an die Anoden der Dioden 370 und 470 angeschlossen.The circuit with elements 552 to 566 represents a driver circuit for the control electrodes of elements 150 and 250. The circuit containing elements 652 through 666 is the circuit identical to elements 552 to 566 and is used to control the control electrodes of the elements 350 and 450. The transistor 560 is connected to the positive via a bias resistor 454 Terminal of a voltage source 552 connected, the negative terminal of which is at ground potential. the The positive terminal of the voltage source 552 is connected to the base of the via a bias resistor 556 Transistor 560 connected. The emitter of transistor 560 is across a load resistor 564 connected to the negative terminal of a voltage source 566. The anode of a diode 562 is on connected to the emitter of transistor 560. The positive terminal of voltage source 566 and the The cathode of diode 562 are grounded. The emitter of transistor 560 is connected to the anodes of the diodes 170 and 270 connected. The emitter of transistor 660 is connected to the anodes of diodes 370 and 470 connected.

Der Emitter des Transistors 154 ist über den Widerstand 164 mit der Anode des gesteuerten Gleichrichters 168 und über den Widerstand 364 mit der Anode des gesteuerten Gleichrichters 368 verbunden.The emitter of transistor 154 is via resistor 164 to the anode of the controlled Rectifier 168 and through resistor 364 to the anode of controlled rectifier 368 connected.

Der Emitter des Transistors 254 ist über den Widerstand 264 an die Anode des Gleichrichters 468 angeschlossen.The emitter of transistor 254 is connected to the anode of rectifier 468 via resistor 264 connected.

Der Kollektor des Transistors 184 steht mit der Kathode der gesteuerten Gleichrichter 168 und 368 in Verbindung.The collector of transistor 184 is connected to the cathode of controlled rectifiers 168 and 368 in connection.

Der Kollektor des Transistors 284 ist an die Kathoden der Gleichrichter 268 und 468 angeschlossen.The collector of transistor 284 is connected to the cathodes of rectifiers 268 and 468.

Es sei angenommen, daß die Speicherelemente 150 bzw. 350 den Bits 1 und 2 des Wortes 1 zugeordnet sind. Es sei ferner angenommen, daß die Speicherelemente 250 bzw. 450 den Bits 1 und 2 des Wortes 2 zugeordnet sind.It is assumed that the memory elements 150 and 350, respectively, are assigned to bits 1 and 2 of word 1 are. It is also assumed that the memory elements 250 and 450 correspond to bits 1 and 2 of the Word 2 are assigned.

Für die Beschreibung der Arbeitsweise der Schaltung nach F i g. 7 sei angenommen, daß sämtliche Speicherelemente zunächst im hochohmigen oder Null-Zustand sind. Um eine »1« in das Bit-Element 1 des Wortes 1 einzuschreiben und das Bit-Element 2 des Wortes 1 im Zustand Null zu lassen, wird ein Potential an die Klemme 558 angelegt, so daß der Transistor 560 leitet, und wird gleichzeitig ein Potential an die Klemme 185 angelegt, das den Transistor 184 leitend macht. Die Kathoden der Gleichrichter 168 und 368 werden auf ein negatives Potential gebracht, während die Steuerelektroden der Gleichrichter 168 und 268 durch den Stromfiuß durch die Diode 562 auf Massepotential zu liegen kommen. Der Transistor 194 leitet normalerweise, wenn kein Steuersignal an der Klemme 162 liegt, so daß die Anoden der Gleichrichter 168 und 368 auf relativ positives Potential zu liegen kommen. Die an den Gleichrichter 168 angelegten Potentiale und Ströme lassen infolgedessen einen Anoden-Kathoden-Strom fließen, der die Speicherzelle 150 in den Zustand »1« überführt. In ähnlicher Weise könnte jedes andere Speicherelement, d. h. die Elemente 250, 350 oder 450, in den Zustand »1« überführt werden.For the description of the operation of the circuit according to FIG. 7 it is assumed that all Storage elements are initially in the high-resistance or zero state. To put a "1" in the bit element 1 of word 1 and to leave bit element 2 of word 1 in the state zero, becomes a Potential is applied to the terminal 558 so that the transistor 560 conducts and becomes a potential at the same time applied to terminal 185, which makes transistor 184 conductive. The cathodes of the rectifiers 168 and 368 are brought to a negative potential, while the control electrodes are the rectifier 168 and 268 come to be at ground potential due to the current flow through diode 562. The transistor 194 conducts normally when there is no control signal on the terminal 162, so that the Anodes of the rectifiers 168 and 368 come to lie at a relatively positive potential. The Andes As a result, rectifier 168 applied potentials and currents leave an anode-cathode current flow, which transfers the memory cell 150 to the state "1". Similarly, each other could Storage element, d. H. the elements 250, 350 or 450 are transferred to the state "1".

Um das Speicherelement 150 zurückzustellen, wird an die Klemme 162 ein Signal angelegt, das den Transistor 154 öffnet und negatives Potential von der Spannungsquelle 160 an die Anoden der Gleichrichter 168 und 368 gelangen läßt. Die Schaltung des Transistors 154 stellt also eine Wortrückstellung dar. In ähnlicher Weise ist die Schaltung des Transistors 254 eine Wortrückstellung. Die Schaltungen der Transistoren 184 und 284 dienen dem Setzen von Wörtern, während die Schaltungen der Transistoren 560 und 660 dem Setzen von Bits dienen. Zum Setzen eines Bits müssen eine Wortsetzschaltung und eine Bitsetzschaltung erregt werden.To reset the memory element 150, a signal is applied to the terminal 162 that the transistor 154 opens and negative potential from the voltage source 160 to the anodes of the Rectifier 168 and 368 can get. The circuit of transistor 154 thus provides a word reset Similarly, the circuit of transistor 254 is a word reset. the Circuits of transistors 184 and 284 are used to set words while the circuits of transistors 560 and 660 are used to set bits. A word setting circuit must be used to set a bit and a bit setting circuit are energized.

Um die Bits eines Wortes an den Klemmen 172 und 372 auszulesen, wird die Wortsetzschaltung des Transistors 184 erregt. Um die Bits des zweiten Wortes an den Klemmen 172 und 372 auszulesen, wird die Wortsetzschaltung des Transistors 284 erregt.To read out the bits of a word at terminals 172 and 372, the word setting circuit of the Transistor 184 energized. To read out the bits of the second word at terminals 172 and 372, the word set circuit of transistor 284 is energized.

Die Äquivalenzschaltung eines gesteuerten Siliziumgleichrichters 584 ist in F i g. 8 gezeigt. DieThe equivalent circuit of silicon controlled rectifier 584 is shown in FIG. 8 shown. the

209 544/417209 544/417

Äquivalenzschaltung weist zwei Transistoren 580 und 582 auf, deren Kollektoren mit der Basis des anderen Transistors verbunden sind. Die Anödet des gesteuerten Gleichrichters 584 entspricht dem Emitter eines ersten Transistors 580, die Kathode C des gesteuerten Gleichrichters 584 dem Emitter des zweiten Transistors 582 und die Steuerelektrode G der Basis des zweiten Transistors 582.The equivalent circuit has two transistors 580 and 582, the collectors of which are connected to the base of the other transistor are connected. The Anödet of the controlled rectifier 584 corresponds to the emitter of a first transistor 580, the cathode C. of the controlled rectifier 584, the emitter of the second transistor 582 and the control electrode G. the base of the second transistor 582.

Die Halbleitergleichrichter sind in den F i g. 1, 3 und 4 mit 12, in den F i g. 5 und 6 mit 68 bezeichnet. Die an die Anodenklemme und Kathodenklemme angeschlossene Spannungsquelle spannt den Halbleitergleichrichter in Richtung auf den stromleitenden Zustand vor. Die entsprechende Spannungsquelle ist in den F i g. 1 und 3 mit V₁ und in F i g. 5 mit 52 und 90 bezeichnet. Eine zweite Vorspannungsquelle ist an die Steuerklemme angeschlossen, um den Gleichrichter in Richtung auf den nichtleitenden Zustand vorzuspannen. Die zweite Vorspannungsquelle ergibt sich in F i g. 1 aus der Kombination der Vorspannungsquelle V₁ mit dem Wider-The semiconductor rectifiers are shown in FIGS. 1, 3 and 4 with 12, in F i g. 5 and 6 denoted by 68. The voltage source connected to the anode terminal and cathode terminal biases the semiconductor rectifier in the direction of the current-conducting state. The corresponding voltage source is shown in FIGS. 1 and 3 with V ₁ and in FIG. 5 denoted by 52 and 90. A second source of bias is connected to the control terminal to bias the rectifier toward the non-conductive state. The second source of bias is shown in FIG. 1 from the combination of the bias source V ₁ with the resistor

stand 19. Sie kann, falls erwünscht, an die Klemme 23 der Schaltung nach F i g. 3 angeschlossen werden. Die zweite Vorspannungsquelle wird in F i g. 5 durch die Elemente 74 und 76, in F i g. 6 durch die EIemente 99, 97 und 98 gebildet. Eine Vorrichtung entsprechend den Elementen 552 bis 566 nach F i g. 7 kann verwendet werden, um das Arbeiten der zweiten Vorspannungsquelle zu verhindern und Spannungen und Ströme solcher Polarität bzw. Richtung an die Steuerklemme anzulegen, daß der Gleichrichter leitet. Eine zweite Vorspannungsquelle, beispielsweise entsprechend den Elementen 54 bis 62 nach F i g. 5, kann verwendet werden, um die erste Vorspannungsquelle zu sperren und den Stromnuß im Anoden-Kathoden-Kreis des Gleichrichters zu verhindern. Eine Vorrichtung, die selektiv ermittelt, ob in dem Anoden-Kathoden-Kreis des Gleichrichters Strom fließt, wird in F i g. 1 durch den Transistor 14 und die Klemme 24, in F i g. 5 durch die dem Transistor 84 und der Diode 65 zugeordnete Schaltung sowie die Klemme 66 gebildet.stand 19. If desired, it can be connected to terminal 23 of the circuit according to FIG. 3 can be connected. The second source of bias is shown in FIG. 5 through elements 74 and 76, in FIG. 6 through the elements 99, 97 and 98 formed. A device corresponding to elements 552 to 566 according to F i g. 7 can be used to prevent the second bias source from working and Apply voltages and currents of such polarity or direction to the control terminal that the rectifier directs. A second source of bias, for example corresponding to elements 54 to 62 according to FIG. 5, can be used to block the first bias source and the current socket in the anode-cathode circuit of the rectifier. A device that selectively determines Whether current is flowing in the anode-cathode circuit of the rectifier is shown in FIG. 1 through the transistor 14 and clamp 24, in FIG. 5 by the transistor 84 and diode 65 associated with it Circuit and terminal 66 formed.

Hierzu 2 Blatt ZeichnungenFor this purpose 2 sheets of drawings

Claims

Patentansprüche:Patent claims:

1. Speichervorrichtung mit mindestens einem steuerbaren Halbleitergleichrichter, z. B. einem steuerbaren Silizium-Gleichrichter, und einer in der Anoden-Kathoden-Leitung des Gleichrichters liegenden Spannungsquelle zum Vorspannen des Gleichrichters in einen Haltestrom-Leitfähigkeitszustand, wobei ein erster Eingang zwecks Anlegen eines Signals an die Steuerelektrode des Halbleitergleichrichters sowie ein zweiter Eingang zwecks Anlegen. eines Signals an die Anoden-Kathoden-Leitung vorgesehen ist, gekennzeichnet durch einen in Reihe mit dem Anoden-Kathoden-Kreis des Halbleitergleichrichters (12) angeordneten, normalerweise geöffneten elektronischen Schalter, der bei gleichzeitigem Anlegen beider Eingangssignale (F₀, V_RW) schließt und einen Stromfluß bewirkt, der größer als der Schaltstrom (/ _L) ist, so daß die Spannungsquelle (F₁) den Fluß des Haltestromes (I_ä) in der Anoden-Kathoden-Leitung auch dann bewirkt, wenn eines oder beide Eingangssignale (F₀-, V_RW) entfernt werden.1. Storage device with at least one controllable semiconductor rectifier, e.g. B. a controllable silicon rectifier, and a voltage source lying in the anode-cathode line of the rectifier for biasing the rectifier into a holding current conductivity state, a first input for the purpose of applying a signal to the control electrode of the semiconductor rectifier and a second input for the purpose of applying . of a signal to the anode-cathode line is provided, characterized by a normally open electronic switch arranged in series with the anode-cathode circuit of the semiconductor rectifier (12), which closes _{when both input signals (F 0} , V _RW ) are applied simultaneously and causes a current flow that is greater than the switching current (/ _L ) , so that the voltage source (F ₁ ) causes the flow of the holding current (I _ä ) in the anode-cathode line even when one or both input signals (F ₀ -, V _RW ) can be removed.

2. Speichervorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Halbleitergleichrichter aus zwei komplementären Transistoren (580, 582) besteht, deren Kollektoren jeweils mit der Basis des anderen Transistors (582 bzw. 580) verbunden sind, wobei die Basis des einen Transistors (582) die Steuerelektrode (G) des Halbleitergleichrichters bildet und der Anoden-Kathoden-Kreis (A, C) über die Emitter der Transistoren führt.2. Storage device according to claim 1, characterized in that the semiconductor rectifier consists of two complementary transistors (580, 582), the collectors of which are each connected to the base of the other transistor (582 or 580), the base of one transistor (582 ) forms the control electrode (G) of the semiconductor rectifier and the anode-cathode circuit (A, C) leads over the emitters of the transistors.

3. Speichervorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß an den Halbleitergleichrichter (12, 68) drei Signale anlegbar sind, von denen zwei (F _RW, V₀) bei gleichzeitigem Anlegen einen Schaltstrom (/ _L) fließen lassen, während das dritte Signal ein Durchlaßvorspannungssignal ist, das einen Haltestrom fließen läßt, der den Halbleitergleichrichter auch nach Verschwinden der beiden anderen Signale (F _RW, F₀-) in leitendem Zustand hält, so daß das gleichzeitige Auftreten der beiden anderen Signale als Weiterfluß des Haltestromes speicherbar ist, während das gleichzeitige Anlegen von nur zwei dieser drei Signale einen Strom fließen läßt, der geringer als der Schaltstrom (I_L) ist, so daß nach Verschwinden der Signale kein Haltestrom fließt und der Halbleitergleichrichter (12, 68) in den nichtleitenden Zustand zurückkehrt.3. Storage device according to one of the preceding claims, characterized in that three signals can be applied to the semiconductor rectifier (12, 68), two of which (F _RW , V ₀ ) allow a switching current (/ _L ) to flow when applied simultaneously, while the The third signal is a forward bias signal that allows a holding current to flow, which _{keeps the semiconductor rectifier in the conductive state even after the other two signals (F RW} , F ₀ -) have disappeared, so that the simultaneous occurrence of the two other signals can be stored as a continued flow of the holding current , while the simultaneous application of only two of these three signals allows a current to flow which is less than the switching current (I _L ) , so that after the signals disappear no holding current flows and the semiconductor rectifier (12, 68) returns to the non-conductive state.

4. Speichervorrichtung nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß die beiden anderen Signale (F _RW, F₀) an die Anode bzw. die Steuerelektrode des Halbleitergleichrichters (12,68) anlegbar sind.4. Storage device according to claim 3, characterized in that the other two signals (F _RW , F ₀ ) can be applied to the anode and the control electrode of the semiconductor rectifier (12, 68).

5. Speichervorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der elektronische Schalter einen Transistor (14) aufweist.5. Storage device according to claim 1, characterized in that the electronic Switch has a transistor (14).

6. Speichervorrichtung nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß der elektronische Schalter eine Diode (34) aufweist.6. Storage device according to claim 5, characterized in that the electronic Switch has a diode (34).

7. Speichervorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, gekennzeichnet durch eine Leseschaltung zum Abfragen des Leitfähigkeitszustandes des Halbleitergleichrichters (12, 68).7. Storage device according to one of the preceding claims, characterized by a Reading circuit for interrogating the conductivity state of the semiconductor rectifier (12, 68).

8. Speichervorrichtung nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, daß die Leseschaltung den Transistor (14, 84) aufweist.8. Memory device according to claim 7, characterized in that the read circuit comprises the transistor (14, 84).

9. Speichervorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, gekennzeichnet durch eine im Anoden-Kathoden-Kreis des Halbleitergleichrichters (68) liegende Schaltvorrichtung (54 bis 62) zur Vorspannung des Halbleitergleichrichters (68) in Sperrichtung und Unterbrechung des Haltestroms (Fig. 5).9. Storage device according to one of the preceding claims, characterized by a in the anode-cathode circuit of the semiconductor rectifier (68) lying switching device (54 to 62) for biasing the semiconductor rectifier (68) in the reverse direction and interrupting the Holding current (Fig. 5).

10. Speichervorrichtung nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, daß die Schaltvorrichtung einen Transistor (54) aufweist, dessen Kollektor-Emitter-Kreis in Reihe mit einer Vorspannungsquelle (52, 90) und dem Anoden-Kathoden-Kreis des Halbleitergleichrichters (68) geschaltet ist (Fig. 5).10. Storage device according to claim 9, characterized in that the switching device a transistor (54) having its collector-emitter circuit in series with a bias voltage source (52, 90) and the anode-cathode circuit of the semiconductor rectifier (68) is connected (Fig. 5).

11. Speichervorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß mit der Anode des Halbleitergleichrichters (68) ein Widerstand (64) verbunden ist, dessen andere Seite den Eingang für die Haltestromvorspannung und für eines der Eingangssignale bildet, daß an die Anode des Halbleitergleichrichters ferner die Kathode einer Diode (65) angeschlossen ist, deren Anode den Ausgang (66) der Speichervorrichtung bildet, sowie daß an die Steuerelektrode des Halbleitergleichrichters die Kathode einer weiteren Diode (70) angeschlossen ist, deren Anode den anderen Signaleingang der Speichervorrichtung bildet.11. Storage device according to one of the preceding Claims, characterized in that with the anode of the semiconductor rectifier (68) a resistor (64) is connected, the other side of which is the input for the holding current bias and for one of the input signals that forms to the anode of the semiconductor rectifier furthermore, the cathode of a diode (65) is connected, the anode of which forms the output (66) of the memory device, and that the cathode of a further diode (70) is connected to the control electrode of the semiconductor rectifier is connected, the anode of which forms the other signal input of the memory device.