DE1424575C - Magnetic read-only memory - Google Patents

Description

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Die Erfindung betrifft einen magnetischen Fest- entsprechen; an denen keine Permanentmagnete be-The invention relates to a magnetic fixed correspond; where there are no permanent magnets

wertspeicher mit magnetischen Drahtspeicher-Ele- festigt sind, stellen somit binäre »Einsen« dar. Manvalue memories with magnetic wire memory ele- ments are thus binary "ones". Man

menten und zur Darstellung der »0«- oder »1«-Bits erhält damit eine vorteilhafte Informationsspeicher-ments and to represent the "0" or "1" bits are thus provided with an advantageous information memory

an den einzelnen Speicherstellen angebrachten Per- anordnung, bei der eine Information permanent spei-Per arrangement attached to the individual storage locations, in which information is permanently stored

manentmagneten. 5 cherbar ist, jedoch leicht ausgewechselt werden kann,manent magnets. 5 can be stored, but can easily be replaced,

Magnetische Speicher, bei denen spezielle Infor- indem einfach die nichtmagnetische Karte mit demMagnetic storage devices that require special information by simply placing the non-magnetic card with the

mationsbits in einer Koordinatenanordnung von ma- an ihr befestigten Permanentmagneten, die in ihrermationsbits in a coordinate arrangement of permanent magnets attached to it, which in its

gnetischen Elementen, z. B. magnetischen Ringker- Gesamtheit ein bestimmtes Informationsmuster dar-gnetic elements, e.g. B. Magnetic ring core assembly represents a certain information pattern

nen, vielfach durchbohrten magnetischen Elementen stellen, entfernt wird, und statt dessen eine zweiteNen, multi-pierced magnetic elements are removed, and instead a second one

u. dgl. gespeichert werden, sind in der Informations- ίο Karte, die ein anderes Informationsmuster darstellt,and the like are stored in the information ίο map, which represents a different information pattern,

Speichertechnik bekannt. Ein anderes magnetisches eingesetzt wird.Storage technology known. Another magnetic is used.

Element, das sich sehr vorteilhaft für die Speicherung Bei der oben angeführten, als Beispiel gewählten von vielen Informationsbits mit geringem Raum er- Speicheranordnung mit Permanentmagneten werden wiesen hat, ist das magnetische Drahtspeicher-Ele- Ringkerne als Koppelelemente verwendet. Es ist aber ment, das einen spiralförmigen Flußverlauf aufweist. 15 auch bekannt, für diesen Zweck Drahtspeicherele-Dieser Flußverlauf kann z. B. dadurch erzeugt wer- mente zu benutzen. Beim Aufbau eines Festwertden, daß ein magnetisches Band spiralförmig um Speichers aus Drahtspeicherelementen werden be- '■ einen Leiter gewickelt wird. Bei magnetischen Spei- stimmte Adressensegmente eines Drahtelements wähcheranordnungen wird im allgemeinen ein Informa- rend der Abfrage durch benachbart angeordnete Pertionsbit in einer Informations-Adresse in Form des 20 manentmagnete von der Flußumschaltung freigehal- ' remancnien Magnetisierungszustands des Speicher- ten. Eine Information kann bei einer solchen Anord- j elements gespeichert. Die im wesentlichen rechtecki- nung bequemerweise auf Wortbasis gespeichert wergen Hysteresis-Kennlinien der bei der Herstellung von den. Bei einer derartigen Anordnung werden Wort-Spcicherelementen verwendeten magnetischen Mate- zeilen auf einer ebenen Anordnung von parallelen rialien machen eine derartige remanente Magnetisie- 35 magnetischen Drahtelementen durch Abfragewickrung möglich, wie ebenfalls bekannt ist. Bei einem lungen in Form von Flachband-Wortspulen definiert, magnetischen Drahtspeicher-Element der oben ange- welche induktiv mit den Drahtelementen gekoppelt, führten Art werden diskrete Informationsadressen an im wesentlichen senkrecht dazu angeordnet sind und Längensegmenten dadurch erhalten, daß in vorbe- die Drahtelemente umschließen. Die ein Informastimmten Intervallen induktiv mit den Elementen ge- 30 tionsmuster tragenden nichtmagnetischen Karten mit koppelte Spulen erregt werden. Ein Informationsbit den an ihnen befestigten Magneten werden außerist dann in einer Adresse durch eine bestimmte rema- halb der Abfragespulen angeordnet. Ein Abfragenente Magnetisierungsrichtung längs des spiralförmi- signal, das an eine der Wortspulen angelegt wird, begen Flußwegs des Drahtsegments gespeichert. wirkt dann, daß eine Flußumkehr nur in denjenigen Bei allen obigen Anordnungen ist angenommen, 35 induktiv mit den Spulen gekoppelten Bitadressen eindaß die Informationsbits in den Informationsadres- tritt, an denen keine Magnete angeordnet sind. Die sen als remanente Magnetisierungen gespeichert sind. durch diese Flußumkehr induzierten Spannungen Bei einer bekannten Festwertspeicher-Anordnung werden festgestellt, wobei ein ganzes binäres Wort werden ebenfalls magnetische Speicherelemente in von der Speicheranordnung durch das Anlegen eines einer Koordinatenanordnung verwendet. Bei dieser 40 Abfragesignals an eine einzige der Abfragungsspulen Speicheranordnung ist eine bestimmte Anordnung abgelesen werden kann.Element that has proven to be very advantageous for storage In the case of the above-mentioned, selected as an example of many information bits with little space, storage arrangement with permanent magnets are used, the magnetic wire storage element is used as a coupling element. But it is ment that has a spiral flow course. 15 also known, for this purpose Drahtspeicherele-This flow course can, for. B. to be generated thereby. When building a Festwertden that a magnetic tape helically around memory of wire memory elements will be sawn 'wound ■ a conductor. In the case of magnetic, stored address segments of a wire element switch arrangements, information on the query is generally kept free from flux switching by adjacent pertion bits in an information address in the form of the magnetic magnetization such arrangement elements are stored. The essentially rectangular shape, conveniently stored on a word basis, has hysteresis characteristics in the manufacture of the. In such an arrangement, word storage elements used magnetic material on a planar arrangement of parallel materials make such a remanent magnetizing magnetic wire elements possible by interrogation, as is also known. In a lung defined in the form of flat band word coils, magnetic wire storage element of the type mentioned above inductively coupled to the wire elements, discrete information addresses are arranged essentially perpendicular thereto and length segments are obtained by enclosing the wire elements in front . The information-matched intervals are inductively excited by non-magnetic cards with coupled coils, which carry the element generation pattern. An information bit of the magnets attached to them is then also arranged in an address by a specific remainder of the interrogation coils. An interrogating direction of magnetization along the spiral signal applied to one of the word coils is stored along the flux path of the wire segment. In all of the above arrangements it is assumed that the information bits are inductively coupled to the coils and that the information bits in the information address where no magnets are arranged. These are stored as remanent magnetizations. voltages induced by this flux reversal. In a known read-only memory arrangement, magnetic storage elements are also used in a whole binary word in the memory arrangement by creating a coordinate arrangement. With this interrogation signal to a single one of the interrogation coil storage arrangement, a specific arrangement can be read.

von Permanentmagneten dicht bei einer entsprechen- Es wurde jedoch festgestellt, daß das Lesesignal den Koordinatenanordnung von magnetischen Spei- einer bestimmten Bitadresse der obenbeschriebenen cherelementen vorgesehen. Das Feld jedes der Per- Speicheranordnung durch die Felder benachbarter manentmagneten reicht aus, um das entsprechende 45 Magnete beeinträchtigt werden kann. So können die benachbarte magnetische Element magnetisch zu sät- Lesesignale von Adressen, die binäre »Einsen« getigen. Wenn nun an die Speicherelemente mit den speichert haben, sehr verschieden sein, da diese Feibenachbarten Permanentmagneten ein Abfragefeld der die Flußumkehr in diesen Adressen während der angelegt wird, so sind die Speicherelemente nicht in Abfrage beeinträchtigen. Diese Wirkung benachbarder Lage, durch eine Flußumschaltung zu antworten. 50 ter Magnete auf eine bestimmte Bitadresse beruht auf Dies Ergebnis kann in herkömmlicher Weise durch dem Streufeld, d. h. dem Feldanteü, der nicht als das NichtVorhandensein von Lesesignalen auf mit Nutzfeld die dem jeweiligen Magneten zugeordnete den Speicherelementen gekoppelten Leseleitern fest- Bitadresse durchsetzt. Die Streufeldwirkung könnte gestellt werden. Das NichtVorhandensein der Lese- zwar dadurch vermindert werden, daß die einzelnen Signale zeigt herkömmlicherweise gespeicherte binäre 55 Magnete genügend schwach gemacht werden, jedoch »Nullen« in der Festwertspeicheranordnung an. Wenn muß bei vorgegebener Abfragefeldstärke andererseits keine Permanentmagnete nahe bei den magnetischen ein Magnet ausreichend stark bleiben, um ein Um-Speicherelementen vorhanden sind, bewirkt das Ab- schalten in seiner ihm zugeordneten Bitadresse zu fragefeld eine Flußumschaltung in den benachbarten verhindern. Somit gibt es eine Grenze für den gegen-Speicherelementen. Infolgedessen werden ebenfalls in 60 seitigen Abstand und damit die Anzahl der Magnete, herkömmlicher Weise Lesesignale in den gekoppel- die bei dem durch die Größe einer Karte vorgegebeten Leseleitern induziert, die gespeicherte binäre nen Raum eine Karte tragen kann, ferner auch für »Einsen« anzeigen. die Nähe der Magnetkarten, die ,zu benachbarten Die Permanentmagnetanordnung kann vorteilhaf- Ebenen einer Vielebenen-Speicheranordnung geterweisc auf einer nicht magnetischen Karte oder 65 hören. Weil die Stärke des Magnetfeldes des Perma-Platte befestigt werden. Die Punkte auf der Karte, nentmagneten indirekt auch die anwendbare Stärke welche den Kreuzungsstellen der zugehörigen Ko- des Abfragefeldes bestimmt, besteht auch eine Beordinatenanordnung von magnetischen Elementen grenzung für die Größe des angelegten Abfrage-of permanent magnets close to a correspond- It was found, however, that the read signal the coordinate arrangement of magnetic storage a certain bit address of the above described cher elements provided. The field of each of the per-memory array through the fields of neighboring ones Manentmagneten is sufficient to affect the corresponding 45 magnets. So they can Adjacent magnetic element magnetically to seed Read signals from addresses that generate binary "ones". If now the storage elements with the stores have to be very different, since these feibal neighbors Permanent magnets an interrogation field of the flux reversal in these addresses during the is created, the storage elements are not adversely affected in query. This effect neighbors Able to respond through a flow switch. 50th magnet is based on a specific bit address This result can conventionally be caused by the stray field, i.e. H. the field part, which is not as the absence of read signals with a useful field assigned to the respective magnet The read conductors coupled to the memory elements are enforced with a fixed bit address. The stray field effect could be asked. The non-existence of the reading can be diminished by the fact that the individual Signals conventionally stored binary 55 magnets can be made sufficiently weak, however "Zeros" in the read-only memory array. If on the other hand must with a given interrogation field strength no permanent magnets stay close to the magnetic a magnet strong enough to be an order of storage elements are present, it causes the switch-off in its assigned bit address to question field prevent a flow switch to the neighboring one. Thus there is a limit to the counter storage elements. As a result, the spacing between 60 sides and thus the number of magnets, conventionally read signals in the coupled which are predetermined by the size of a card Induced reading ladders that can carry a card, also for stored binary space Show "ones". the proximity of the magnetic cards, which, to neighboring ones The permanent magnet arrangement can advantageously include levels of a multi-level memory arrangement listen on a non-magnetic card or 65. Because the strength of the magnetic field of the perma plate be attached. The points on the card also indirectly determine the applicable strength which determines the crossing points of the associated coordinates of the interrogation field, there is also an arrangement of coordinates of magnetic elements limit the size of the created query

Speichermatrix mit magnetischen Drahtelementen, welche eine zusammengefaltete Anordnung der Drahtelemente darstellt;Memory matrix with magnetic wire elements, which form a folded arrangement of the Represents wire elements;

Fig. 2b zeigt eine andere Seitenansicht der Spei-5 chermatrix der Fig. 2a, welche die Drahtelemente im Querschnitt darstellt.Fig. 2b shows another side view of the memory 5 chermatrix of Fig. 2a, which shows the wire elements in cross section.

Eine spezielle Ausführung einer Speichermatrix entsprechend der Erfindung ist in F i g. 1 dargestellt. Es ist eine Karte 10 gezeigt, die eine besondere An-A specific embodiment of a memory matrix according to the invention is shown in FIG. 1 shown. A card 10 is shown which has a special

signals und somit auch für die Geschwindigkeit der Abfragephase.signals and thus also for the speed of the query phase.

Es ist bekannt, gegen die Flußstreuung mit mehreren kleinen, im Abstand voneinander angeordneten Permanentmagneten anzugehen. Diese Maßnahme ist aber recht kostspielig in der Herstellung, da hierzu recht aufwendige Ausrichtprobleme auftreten.It is known to counter the flow of scattering with several small, spaced from each other To tackle permanent magnets. However, this measure is quite expensive to produce, since this quite complex alignment problems occur.

Demgemäß ist die Erfindung auch auf die Lösung
des Problems gerichtet, wie in einem Festwert-Speicher, dessen eingespeicherte Informationswerte durch io Ordnung von Permanentmagneten 11 aufweist. Die das Vorhandensein oder Fehlen von Permanent- Karte besteht aus nichtmagnetischem, elektrisch leimagneten definiert sind, und bei dem magnetische tendem Material, z. B. aus Aluminium, sie ist abDraht-Speicherelemente verwendet werden, die in- nehmbar in der Nähe der magnetischen Drahtspeifolge der Streufelder der Permanentmagnete auf- cherelemente 12, 13 und 14 angeordnet. Die Flachtretenden Begrenzungseffekte vermieden werden 15 bandwortspulen 15, 16 und 17, die um das Spulen-, können. haltebrett 18 gewickelt sind, jedoch gegen diesesAccordingly, the invention is also to the solution
The problem is directed, as in a read-only memory, the stored information values of which has 11 order of permanent magnets. The presence or absence of permanent card consists of non-magnetic, electrically glue magnets are defined, and the magnetic tend material, e.g. Made of aluminum, for example, it is used as wire storage elements which are arranged acceptably in the vicinity of the magnetic wire feed sequence of the stray fields of the permanent magnets. The shallow limiting effects are avoided 15 tape word coils 15, 16 and 17, which can around the coil. retaining board 18 are wound, but against this

Durch die Erfindung ist dieses Problem dadurch elektrisch isoliert sind, sind mit den Drahtspeichergelöst, daß mit den Permanentmagneten eines oder elementen 12, 13 und 14 induktiv gekoppelt. Die mehrere Blätter niedrigen magnetischen Widerstands Wortspulen sind im wesentlichen quer zu den Speiinduktiv gekoppelt sind, die den jeweils von einem 20 cherelementen angeordnet und definieren Informa-Permanentmagneten ausgehenden Fluß auf das zu- iions-Bitadressen auf den Elementen an ihren Kreuzgeordnete Segment der Draht-Speicherelemente kon- punkten. Die Magnete 11 sind auf der Karte 10 derzeritrieren. art angeordnet, daß jeder Magnet in der Nähe einesWith the invention, this problem is electrically isolated by being solved with the wire storage, that with the permanent magnets or elements 12, 13 and 14 inductively coupled. the multiple sheets of low reluctance word coils are substantially transverse to the storage inductor are coupled, each of which is arranged by a 20 cher elements and defines Informa permanent magnets outgoing flow on the to-ion bit addresses on the elements at their cross-ordered segment of the wire storage elements. The magnets 11 are deritrated on the card 10. kind of arranged that each magnet is close to one

Ein dadurch erreichter wesentlicher Vorteil ist der, Kreuzungspunktes liegt. Ein Blatt 19 aus einem nicht daß bei gegebener Abfragesignalamplitude eine grö- 25 leitenden magnetischen Material mit geringem maßere Speicherstellendichte erreichbar ist. Der hierzu gnetischem Widerstand, z. B. aus ausgeglühten Permalloy, ist zwischen das Brett 18 auf der Adressenseite und die Spulen 15, 16 und 17 geschoben. Elektrisch leitende Rückführdrähte 22, 23 und 24 sind 30 im wesentlichen parallel zu den Speicherelementen 12, 13 und 14 angeordnet und mit einem Ende derAn essential advantage achieved in this way is that the intersection is located. A sheet 19 out of a not that for a given interrogation signal amplitude, a larger conductive magnetic material with a lower degree of measurement Storage location density is achievable. The gnetic resistance to this, z. B. from annealed permalloy, is pushed between the board 18 on the address side and the reels 15, 16 and 17. Electric conductive return wires 22, 23 and 24 are 30 substantially parallel to the storage elements 12, 13 and 14 arranged and with one end of the

als komplementär zu betrachtende Vorteil ist der, daß bei gegebener Speicherstellendichte größere Abfragesignalamplituden und folglich eine höhere Auslesegeschwindigkeit erreichbar sind.An advantage to be regarded as complementary is that for a given memory location density, larger interrogation signal amplitudes and consequently a higher readout speed can be achieved.

Bei einem Ausführungsbeispiel ist vorgesehen, daß die Abfrageleiter und die Draht-Speicherelemente jeweils zwischen den Permanentmagneten und dem Blatt niedrigen magnetischen Widerstands angeord-In one embodiment it is provided that the sense ladder and wire storage elements respectively placed between the permanent magnets and the sheet of low reluctance

Elemente verbunden, während ihr anderes Ende mit einer Erdpotentialquelle verbunden ist. Die Drahtspeicherelemente 12, 13 und 14 sind an ihrem ande-Elements connected while their other end is connected to a source of earth potential. The wire storage elements 12, 13 and 14 are on their other

net sind. Hierdurch wird erreicht, daß der von 35 ren Ende sowohl mit einer Vormagnetisierungsquelleare net. This ensures that the end of 35 Ren with both a bias source

einem Abfragesignal einer gegebenen Größe induzierte Magnetfluß konzentriert wird und daher dazu tendiert, die Auslesegeschwindigkeit zu erhöhen.
Bei einem weiteren Ausführungsbeispiel, bei demmagnetic flux induced by an interrogation signal of a given magnitude is concentrated and therefore tends to increase the readout speed.
In a further embodiment in which

25 als auch mit einem Anzeigegerät 26 verbunden. Die Vormagnetisierungsquelle 25 ist in Blockform dargestellt und ist in der Lage, Impulse der Art und zu den Zeiten zu liefern, die nachfolgend beschrieben25 and connected to a display device 26. The bias source 25 is in block form and is able to deliver pulses of the type and at the times described below

mit mindestens zwei in verschiedenen Ebenen ange- 40 sind. Das Anzeigegerät 26 ist ebenfalls in Blockordneten Informationsmatrizen, einer ersten und form dargestellt und ist in der Lage, auf den Speizweiten Gruppe von Draht-Speicherelementen und cherelementen erscheinende Lesesignale anzuzeigen. mit um eine Stützplatte geführten Abfrageleitern, die Jede der Wortspulen 15, 16 und 17 ist zwischen eine auf der einen Seite der Stützplatte mit der ersten und Erdpotentialquelle und eine Abfrageimpulsquelle 27 auf der anderen Seite mit der zweiten Draht-Speicher- 45 geschaltet. Die Quelle 27 ist ebenfalls in Blockform elementen-Gruppe induktiv gekoppelt sind und erste dargestellt und ist in der Lage, bipolare Signale der bzw. zweite Informationsadressen auf diesen definie- Art und zu den Zeiten, wie sie nachfolgend beschrieren, gearbeitet wird, ist vorgesehen, daß erste und ben sind, an die Spulen 15, 16 und 17 anzulegen, zweite elektrischleitende, nichtmagnetische Platten Ein Stromimpuls der Vormagnetisierungsquelle 25, benachbart der ersten bzw. zweiten Draht-Speicher- 50 der nach Einbringen der Karte 10 in die Matrix der elementen-Gruppe angeordnet sind, und daß auf F i g. 1 angelegt wird, bringt die gesamte Länge jedes jeder Seite der Stützplatten ein Blatt niedrigen ma- der Drahtspeicherelemente 12, 13 und 14 in den gnetischen Widerstandes angeordnet und mit Teilen einen Zustand der remanenten Magnetisierung. Die der Abfrageleiter magnetisch gekoppelt ist. Hier- Bitadressengebiete auf den Speicherdrähten werden durch wird erreicht, daß die gleichen Blätter die zu- 55 hierdurch in gleiche remanente Magnetisierungszusätzliche Funktion einer Verstärkung des solche EIe- stände gebracht und schädliche Wirkungen beseitigt, mente koppelnden Teils des Abfragefeldes ausüben. die dadurch verursacht werden, daß sich einige die-Eine derartige Verstärkung führt dazu, daß die Um- ser Gebiete während des Betriebs der Anordnung in Schaltgeschwindigkeit der Elemente erhöht wird, einem nur teilweise umgeschalteten Zustand befinohne daß hierzu eine Erhöhung der Abfrageimpuls- 60 den. Es findet somit eine Rückstellung in einen defiamplitude notwendig wäre. nierten Ausgangszustand statt.with at least two in different levels. The display device 26 is also in block order Information matrices, a first and form shown and is able to on the Speizeiten Group of wire memory elements and memory elements appearing read signals. with interrogation conductors guided around a support plate, each of the word coils 15, 16 and 17 is between a on one side of the support plate with the first and ground potential source and an interrogation pulse source 27 on the other hand connected to the second wire storage 45. The source 27 is also in block form elements group are inductively coupled and shown first and is capable of bipolar signals of the or second information addresses in this way and at the times as described below, is being worked, it is provided that the first and ben are to apply to the coils 15, 16 and 17, second electrically conductive, non-magnetic plates A current pulse from the bias source 25, adjacent to the first and second wire storage 50, respectively, after the card 10 has been introduced into the matrix of elements group are arranged, and that on F i g. 1 is applied, brings the entire length of each on each side of the support plates a sheet of low ma- der wire storage elements 12, 13 and 14 in the Magnetic resistance arranged and with parts a state of remanent magnetization. the the interrogation conductor is magnetically coupled. Here are bit address areas on the storage wires This means that the same leaves add the same remanent magnetization Function of reinforcement of such elements brought about and harmful effects eliminated, exercise the coupling part of the query field. which are caused by the fact that some the-one such reinforcement results in that the areas in the area during operation of the arrangement Switching speed of the elements is increased, befin an only partially switched state that for this purpose an increase in the interrogation pulse 60 den. There is thus a provision in a defiamplitude would be necessary. ned initial state instead.

Im folgenden ist die Erfindung an Hand der Eine Information wird in der Einrichtung durchIn the following, the invention is based on the information is in the device by

Zeichnung beschrieben. die besondere Anordnung der Magnete 11 auf derDrawing described. the special arrangement of the magnets 11 on the

Fig. 1 der Zeichnungen zeigt eine Ebene einer Karte 10 gespeichert. Ein Informationswort wird je-1 of the drawings shows one level of map 10 stored. An information word is

vereinfachten Speichermatrix mit magnetischen 65 weils in derjenigen Anordnung von Magneten 11 gc-simplified memory matrix with magnetic 65 because in that arrangement of magnets 11 gc-

Drahtelementen, die entsprechend dem Erfindungs- speichert, die zu den Bitadressen gehören, welcheWire elements, which according to the invention stores which belong to the bit addresses which

prinzip ausgebildet ist; auf den Speicherelementen 12, 13 und 14 durch eineprinciple is formed; on the storage elements 12, 13 and 14 by a

Fig. 2a zeigt eine Seitenansicht einer Vielebenen- der Spulen 15, 16 und 17 definiert sind. Wenn somitFig. 2a shows a side view of a multilevel of which coils 15, 16 and 17 are defined. If so

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das Vorhandensein eines Magnets z. B. die Speiche- Abfragephase angelegt wird, eine Kombination die rung einer binären »Null« und das Nichtvorhanden- ser beiden Felder. Das Vorhandensein der leitende: sein eines Magnets die Speicherung einer binären Karte 10 dient also dazu, das an die Speicherelement »Eins« darstellen soll, dann stellen die zu den Spulen angelegte Umschaltfeld wesentlich zu vergrößern. 15, 16 und 17 gehörigen Wörter »011«, »100« und 5 Das Blatt 19 mit geringem magnetischem Wider »010« dar. sand, das zwischen den Spulen 15, 16 und 17 uncthe presence of a magnet e.g. B. the spoke query phase is created, a combination of the tion of a binary “zero” and the absence of two fields. The presence of the senior: being a magnet storing a binary card 10 is therefore used to attach to the storage element "One" is supposed to represent, then make the toggle field applied to the coils much larger. 15, 16 and 17 corresponding words "011", "100" and 5 The sheet 19 with low magnetic resistance "010" represents. Sand between the coils 15, 16 and 17 unc

Eine Information wird von der Anordnung abge- den Speicherelementen 12, 13 und 14 angebracht ist lesen, indem Stromsignale der Quelle 27 selektiv an dient sowohl dazu, das Umschaltfeld wesentlich zi die Spulen 15, 16 und 17 mit einer solchen Polarität vergrößern, das durch die an die Spulen angelegter angelegt werden, daß die Bitadressen in einen Zu- io Abfragesignale hervorgebracht wird, als auch dazu stand der remanenten Magnetisierung gebracht wer- die Stromflußwirkung stark herabzusetzen. Das Maden, der dem durch das vorangegangene Vormagne- tcrial mit geringem magnetischem Widerstand kon tisierungssignal erzeugten entgegengesetzt ist. Die- zentriert die Felder der Magnete 11, so daß ihre Wirjcnigen Bitadressen, an denen sich kein Magnet 11 kung auf benachbarte Bitadressen wesentlich herabbefindet, werden infolgedessen in den entgegengesetz- 15 gesetzt wird.Information is provided by the arrangement to which memory elements 12, 13 and 14 are attached read by current signals of the source 27 selectively serves both to the switching field substantially zi enlarge the coils 15, 16 and 17 with such a polarity as that applied to the coils be applied so that the bit addresses are produced in a Zu- io interrogation signals, as well as this With the remanent magnetization, the effect of the current flow can be greatly reduced. The maggot, which was confronted by the previous pre-magnetic with low magnetic resistance tization signal generated is opposite. This centers the fields of the magnets 11 so that their effective Bit addresses at which no magnet is significantly reduced to neighboring bit addresses, are consequently set in the opposite 15.

ten remanenten Zustand umgeschaltet, so daß in den Wird die Lage der Bitadressen unverändert gelas-The retentive state is switched over so that the position of the bit addresses is left unchanged.

zugchörigen Speicherelementen Signale induziert sen, d. h. bleibt die Bitdichte unverändert, so können werden, welche durch das Anzeigegerät 26 festgestellt daher stärkere Magnete Anwendung finden, so daß werden. Nach der Abfragephase werden diejenigen größere Abfragesignale an die Spulen angelegt wer-Bitadressen, welche durch die Abfrageimpulse um- ao den können, wodurch eine schnellere Abfrage ergcschaltet wurden, durch Rückstellsignale von der reicht werden kann. Die Verwendung stärkerer Ma-Ouelle 27 rückgestellt. gnete vergrößert zugleich die Toleranzen bei der AusWenn das Informationswort, das in dem der Spule 15 wahl der Magnete, so daß Einsparungen beim Aufzugeordneten Teil der Karte 10 gespeichert ist, ab- bau einer Anordnung erzielt werden können, gefragt werden soll, wird ein Impuls der Quelle 27 25 Die Verringerung der Streuflußwirkung erlaubt angelegt, der im angenommenen Beispiel Bitadressen andererseits eine Vergrößerung der Bitdichte einer auf den Speicherelementen 13 und 14 umschaltet. Anordnung, wenn die Stärke der Magnete unverän-Durch den Permanentmagneten 11 wird verhindert, dert gelassen wird. Dabei werden die Speicherdaß die Bitadresse an dem Speicherelement 12 um- elemente 12, 13 und 14 und die darauf gebildeten geschaltet wird. Die Signale, die in den Speicher- 30 Bitstellen dichter aneinander als früher angeordnet, elementen 13 und 14 durch das Umschalten auf die- Beide der vorgenannten Maßnahmen können auchassociated memory elements induce signals, d. H. if the bit density remains unchanged, so can are determined by the display device 26 therefore stronger magnets are used, so that will. After the interrogation phase, those larger interrogation signals are applied to the coils. which can be changed by the interrogation pulses, which results in a faster interrogation by reset signals from which can be reached. The use of stronger ma-sources 27 reset. At the same time, gnete increases the tolerances in the selection of the information word in the coil 15, so that savings are made for staff members Part of the card 10 is stored, dismantling an arrangement can be achieved, should be asked, a pulse from the source 27 25 The reduction of the leakage flux effect is allowed applied, the bit addresses in the assumed example, on the other hand, an increase in the bit density of a switches on the storage elements 13 and 14. Arrangement when the strength of the magnets remains unchanged the permanent magnet 11 is prevented from being left. The Speicherdaß the bit address on the memory element 12 um- elements 12, 13 and 14 and the ones formed thereon is switched. The signals that are 30 bit positions closer to one another than before in the memory, elements 13 and 14 by switching to both of the aforementioned measures can also

sen Drähten induziert werden, ferner das Nichtvor- zugleich, jedoch nur in jeweils entsprechend kleinehandensein eines im Speicherelement 12 induzierten rem Ausmaß, angewandt werden, wesentlichen Signals werden vom Anzeigegerät 26 Das Blatt 19 vergrößert weiterhin das Umschaltfestgestellt. Die Kombination %'on Ausgangssignalen 35 feld erheblich, das von den an die Spulen 15, 16 und zeigt das binäre Wort »011« an, es ist durch die An- 17 gelegten Abfragesignalen erzeugt wird, indem ein Ordnung von Magneten 11 gespeichert. In gleicher Rückweg für dieses Feld mit geringem magnetischem Weise können die Wörter »100« und »010« festge- Widerstand geschaffen wird. So erzeugt ein Abfragestellt werden, die zu den durch die Spulen 16 und 17 signal gegebener Größe ein wesentlich größeres Umdefinierten Bitadressen gehören. Die Rückführdrähte 40 schaltfeld, wenn das Blatt 19 dicht bei den Spulen 22. 23 und 24 sind mit den Speicherelementen 12, 13 15, 16 und 17 angeordnet wird, als es bei Nichtvor- und 14 verbunden, um die Abfrage der Speicher- handensein eines derartigen Blattes mit niedrigem elemente zu ermöglichen, ohne daß ein besonders magnetischem Widerstand vorhanden war. Das Blatt angelegter äußerer Riiekführweg notwendig ist. So- 19 dient ferner dazu, das Spulenbrett 18 gegen das mit wird ein in einem-der Speicherelemente induzier- 45 Feld abzuschirmen, das durch die Abfragesignale ertcs Signal an zwei dicht beieinander liegenden Enden zeugt wird, so daß das Brett 18 gewünschtenfalls aus festgestellt. Wenn die Rückführleiter nicht vorhanden einem elektrischleitenden Material, z. B. Aluminium, wären, wäre ein äußeres Mittel zum Verbinden dieser hergestellt werden kann. Bei Nichtvorhandensein Enden mit einem Anzeigegerät notwendig. Derartige des Blattes 19 kann ein leitendes Material nicht für äußere Rückführwege sind insbesondere bei Viel- 5° das Brett 18 verwendet werden, da das magnetische ebenen-Anordnungcn von Nachteil, wo die größere Feld der Abfragesignale Wirbelströme in dem Brett Länge der Wege die Störung der Arbeitsweise durch 18 erzeugen würde, deren magnetische Felder die an Neben- oder Fehlersignale ermöglicht. die Bitadressen angelegten Umschaltfeldcr verringernThese wires are induced, furthermore the non-existence at the same time, but only in each case correspondingly small hands of a rem level induced in the storage element 12 can be applied, essential signal are detected by the display device 26, the sheet 19 continues to enlarge the switchover. The combination% 'on output signals 35 field significantly, which is sent to the coils 15, 16 and indicates the binary word "011"; it is generated by the query signals applied by a Order of magnets 11 stored. In the same way back for this low magnetic field Wise, the words "100" and "010" can be used to create resistance. So creates an interrogation are, the signal given by the coils 16 and 17 size a much larger redefined Bit addresses belong. The return wires 40 switch field when the sheet 19 is close to the coils 22. 23 and 24 are arranged with the storage elements 12, 13, 15, 16 and 17, when it is not and 14 connected to query the availability of such a sheet with low To enable elements without a particularly magnetic resistance was present. The leaf created outer Riiekführweg is necessary. 19 also serves to hold the coil board 18 against the with is used to screen a field induced in one of the storage elements, which is caused by the interrogation signals Signal at two closely spaced ends is generated, so that the board 18 if desired detected. If the return conductor is not present an electrically conductive material, e.g. B. aluminum, an external means of connecting these would be made. When not available Ends with a display device necessary. Such of the sheet 19 can not be a conductive material for Outer return paths are to be used in particular at multi-5 ° the board 18, since the magnetic Planar arrangements are disadvantageous, where the larger field of the interrogation signals eddy currents in the board Length of the paths would produce the disturbance of the operation by 18, whose magnetic fields the at Secondary or error signals enabled. reduce the bit addresses applied toggle fields

Die Magnetkarte 10 besteht aus einem elektrisch würden.The magnetic card 10 consists of an electric would.

leitenden Material, so daß in diesem Wirbelströme 55 In den Fig. 2a und 2b sind zwei verschiedene durch die Abfragesignale entstehen können, die an Seitenansichten einer Vielebenen-Speichermatrix dardie Spulen 15. 16 und 17 von der Quelle 27 her an- gestellt. Die gleichen Elemente dieser beiden Ansichgelegt werden. Da durch die an die Spulen angelegten ten sind mit den gleichen Bezugsziflern bezeichnet. Abfragestromsignale magnetische Felder erzeugt Ferner können beide Ansichten gleichzeitig bei der werden, induzieren diese Wirbelströmr. in der 60 nachfolgenden Schilderung dieser Ausführung be-'Karte 10. Diese Wirbelströme haben eine solche Po- trachtet werden.conductive material, so that in this eddy currents 55 in Figs. 2a and 2b are two different through which interrogation signals can arise which are displayed on side views of a multilevel memory matrix Coils 15, 16 and 17 are turned on by the source 27. The same elements in these two views will. Since th applied to the coils are denoted by the same reference numerals. Inquiry current signals generated magnetic fields. Furthermore, both views can be used at the same time induce these eddy currents. in the following description of this version be-'Karte 10. These eddy currents have such a power to be considered.

larität, daß ihr magnetisches Feld dem magnetischen Es sind elektrisch leitende nichtmagnetische entFeld der Abfragesignale entgegenwirkt, ausgenom- fernbare Karten 40, bis 4O₈ dargestellt, die besondere men in dem Raum zwischen der Karte 10 und den Anordnungen von Permanentmagneten 41 aufweisen. Spulen 15. 16 und 17. in dem die beiden Felder sich 65 Blätter 42 aus nichtleitendem Material mit geringem verstärken. Da sich die Speicherelemente 12. 13 und magnetischen Widerstand sind an den Karten 4O₁ und 14 in diesem Raum befinden, ist das effektive Um- 40„ auf denjenigen Seiten angebracht, die den von schaltfeld, das an die Speicherelemente während der den Karten gehaltenen Magneten41 wgenüberliegen.larity that their magnetic field to the magnetic There are counteracts electrically conductive non-magnetic entFeld of the interrogation signals, with the exception fernbare cards 40, shown to 4O ₈ having particular men in the space between the card 10 and the arrangements of permanent magnets 41st Coils 15, 16 and 17, in which the two fields 65 sheets 42 of non-conductive material are reinforced with little. Since the memory elements 12, 13 and magnetic resistance are on the cards 40 ₁ and 14 are located in this space, the effective reverse 40 "is attached to those sides which contain the switching field that is attached to the memory elements during the magnets41 held by the cards overlying.

ferner sind Blätter 42 zwischen die Karten 4O₂ und 40.,, zwischen die Karten 4O₄ und 4O₅ sowie zwischen die Karten 40„ und 4O₇ geschoben, welche diese Karten auf denjenigen Seiten berühren, die den auf den Karten befindlichen Magneten 41 gegenüberliegen. ' Flachband-Wortspulen 5I₁, 5I₂ und 51., sind um ein Spulenlialtebrett 61 gewickelt und induktiv mit den magnetischen Drahtspeicherelementen 7I₁, 7I₂ und 71., oberhalb des Bretts 61 gekoppelt, wie in F i g. 2 b dargestellt ist, ferner mit den magnetischen Drahispeicherelementen 72,, 72₂ und 72., unterhalb des Bretts 61. In gleicher Weise sind die Wortspulen 52,, 52., und 52., um das Brett 62 gewickelt, die Spulen 53", 53., und 53., um das Brett 63 sowie die Spulen 54,, 54~ und 54., um das Brett 64, wobei sämtliche Wortspülen ebenfalls induktiv mit den Speicherelementen 7I₁, 7I₂, 7I₃, 72_P 72₂ und 72., gekoppelt sind. Die Elemente 71 und 72 sind durch die Ebenen der Matrix hin und her geführt, wie in Fig. 2a dargestellt ist. Die Wortspulen sind im wesentlichen quer zu den Drahtspeicherelementen angeordnet und definieren Informations-Bit-Adressen auf den Elementen an ihren Kreuzpunkten. Die Magnete 41 sind auf den Karten 4O₁ bis 40_s derart angebracht, daß sie dicht bei bestimmten Bitadressen auf den Drahtspeicherelementen liegen. Blätter 43 aus einem Material mit geringem magnetischem Widerstand sind an jeder Seite jeder der Bretter 61 bis 64 angeordnet. Die Speicherelemente 7I₁, 7I₂, 71.,, 72p 72., und 72_:J sind an einem Ende mit einer Erdpotentialquelle und am anderen Ende sowohl mit einer Vormagnetisierungsquelle 81 als auch mit einem Anzeigegerät 82 verbunden. Die Vormagnetisierungsquelle 81 ist in Blockform dargestellt und ist in der Lage, Impulse derart und zu den Zeiten zu liefern, die später beschrieben werden. Das Anzeigegerät 82 ist ebenfalls in Blockform dargestellt und ist in der Lage, in den Drahtspeicherelementen induzierte Lesesignale festzustellen. Jede der Wortspulen 51 bis 54 ist zwischen eine Erdpotentialquelle und eine Abfrageimpulsquelle 83 geschaltet. Die Quelle 83 ist ebenfalls in Blockform dargestellt und ist in der Lage, Signale der später beschriebenen Art selektiv an die Spulen 51 bis 54 anzulegen. An Hand der obigen Anordnung wird nun eine Erläuterung der Arbeitsweise des Speichers nach F i g. 2 gegeben, die der Arbeitsweise der vorher beschriebenen Ausführung des Speichers nach F i g. 1 entspricht.Furthermore, sheets 42 are pushed between the cards 40 ₂ and 40 1, between the cards 40 ₄ and 40 ₅ and between the cards 40 _{4 and 40 7} , which these cards touch on the sides opposite the magnets 41 on the cards . Ribbon word coils 5I ₁ , 5I ₂ and 51., are wound around a coil board 61 and inductively _{coupled to the magnetic wire storage elements 7I 1} , 7I ₂ and 71., above the board 61, as in FIG. 2 b is shown, further with the magnetic wire storage elements 72, 72 ₂ and 72., below the board 61. In the same way, the word coils 52, 52., and 52., wound around the board 62, the coils 53 " , 53., and 53., around the board 63 and the coils 54, 54, and 54., around the board 64, with all word sinks also inductively with the storage elements 7I ₁ , 7I ₂ , 7I ₃ , 72 _P 72 ₂ and 72. Elements 71 and 72 are reciprocated through the levels of the matrix as shown in Fig. 2a The word coils are arranged substantially across the wire storage elements and define information bit addresses on the elements at their crossing points. the magnets 41 are _s attached on the cards 4O ₁ to 40 so as to close will be given bit addresses to the wire memory elements. sheets 43 of a material having low magnetic resistance of each of the boards 61 are at each side to 64 The storage elements 7I ₁ , 7I ₂ , 71. ,, 72p 72., and 72 _{: J} are connected at one end to a ground potential source and at the other end to both a bias source 81 and a display device 82. The bias source 81 is shown in block form and is capable of delivering pulses in the manner and times that will be described later. The display device 82 is also shown in block form and is able to detect read signals induced in the wire storage elements. Each of the word coils 51 to 54 is connected between a ground potential source and an interrogation pulse source 83. The source 83 is also shown in block form and is capable of selectively applying signals of the type described later to the coils 51-54. Using the above arrangement, an explanation of the mode of operation of the memory according to FIG. 2 given, which correspond to the operation of the previously described embodiment of the memory according to FIG. 1 corresponds.

Ein Impuls aus der Vormagnetisierungsquelle 81, der nach Einbringen der Karten 40 in die Matrix der Fig. 2a und 2b angelegt wird, bringt alle Speicherelemente 71 und 72 in den einen remanenten Magnetisierungszustand, so daß schädliche Effekte beseitigt werden, die durch teilweises Umschalten der Bitadreßgebiete verursacht werden.A pulse from the bias source 81, which after the cards 40 have been introduced into the matrix of the 2a and 2b is applied brings all storage elements 71 and 72 in the one remanent magnetization state, so that harmful effects are eliminated caused by partial switching of the bit address areas.

Eine Information wird in der Einrichtung durch die besondere Anordnung der Magnete 41 auf den Karten 4O₁ bis 40_H gespeichert. Ein Informationswort wird in der Anordnung von Magneten gespeichert, die zu denjenigen Bitadressen gehören, welche auf den Speicherdrähten 71 und 72 durch eine der Spulen 51 bis 54 definiert werden. Wenn das Vorhandensein eines Magnets an einer Bitadresse die Speicherung einer binären »0« darstellt und das Nichtvorhandenscin eines Magnets eine binäre »1«, dann sind die zu den Spulen 51, bis 54, gehörigen Wörter »010101«, »000001«, »101100« und »010110«, wie in Fi g. 2 b gezeigt ist.Information is stored in the device by the special arrangement of the magnets 41 on the cards 40 ₁ to 40 _H. A word of information is stored in the array of magnets associated with those bit addresses defined on memory wires 71 and 72 by one of coils 51-54. If the presence of a magnet at a bit address represents the storage of a binary "0" and the absence of a magnet represents a binary "1", then the words associated with coils 51 through 54 are "010101", "000001", "101100 "And" 010110 ", as in Fig. 2b is shown.

Wenn das Informationswort, das in den zur Spule 5I₁ gehörigen Teilen der Karten 4O₁ und 40., gespeichert ist, abgefragt werden soll, wird ein Impuls der Quelle 83 an die Spule 5I₁ mit einer solchen Polaritat angelegt, daß diejenigen zur Spule 5I₁ gehörigen Adressen umgeschaltet werden, in denen binäre »Einsen« gespeichert sind. Hierdurch werden in den Speicherdrähten dieser Bitadressen Spannungssignale induziert. Insbesondere werden so SpannungssignaleIf the information word, which is stored in the parts of the cards 4O ₁ and 40. belonging to the coil 5I ₁ , is to be interrogated, a pulse from the source 83 is applied to the coil 5I ₁ with a polarity such that those to the coil 5I ₁ corresponding addresses in which binary "ones" are stored. This induces voltage signals in the storage wires of these bit addresses. In particular, voltage signals are generated in this way

ίο in den Speicherelementen 7I₂, 72_t und 72_:J induziert, wobei ihre Feststellung durch das Anzeigegerät 82 angibt, daß das binäre Wort »OlOlOl« in der Magnetanordnung gespeichert ist, die zu den Bitadressen gehört, welche auf den Elementen 71 und 72 durch die Spule 5I₁ definiert werden. Die Magnete 41 an den Bitadressen, welche auf den Elementen 71,, 71., und 72., durch die SpUIeSl₁ definiert werden, verhindern, daß Signale in diesen Speicherelementen induziert werden. Nach der Abfragung stellt ein von der Abfrageimpulsquelle 83 an die Spule 51 j angelegtes Rückstellsignal mit entgegengesetzter Polarität diejenigen Bitadressen zurück, weiche durch die Abfrageimpulse umgeschaltet waren. Die Wörter, welche in den zu den Spulen 52_t, S3, und 54, gehörigen Bitadressen gespeichert sind, werden in gleicher Weise abgelesen, indem Abfragesignale der Abfrageimpulsquelle 83 an diese Wicklungen angelegt und die in den Speicherdrähten 71 und 72 induzierten Signale festgestellt werden.ίο induced in the memory elements 7I ₂ , 72 _t and 72 _{: J} , their detection by the display device 82 indicating that the binary word "OlOlOl" is stored in the magnet arrangement that belongs to the bit addresses which are on the elements 71 and 72 be defined by the coil 5I ₁ . The magnets 41 at the bit addresses, which are defined on elements 71, 71, and 72, by SpUIeSl ₁ , prevent signals from being induced in these memory elements. After the interrogation, a reset signal of opposite polarity applied by the interrogation pulse source 83 to the coil 51j resets those bit addresses which were switched over by the interrogation pulses. The words which are stored in the bit addresses belonging to the coils 52 _t , S3, and 54, are read in the same way, in that interrogation signals from the interrogation pulse source 83 are applied to these windings and the signals induced in the storage wires 71 and 72 are determined.

Die Blätter 43 aus Material mit geringem magnetischen Widerstand an jeder Seite der Bretter 61 bis 64 dienen in gleicher Weise wie das Blatt 19, das bei der Erläuterung der in F i g. 1 dargestellten Ausführung beschrieben wurde, dazu, die Streuflußwirkung weitgehend herabzusetzen, ferner das Umschaltfeld wesentlich zu vergrößern, das durch die von der Quelle 83 an die Spulen 5I₁ bis 54₁ angelegten Abfragesignale verursacht wird. So kann die Dichte der Bitadressen entlang jedes Drahtes erhöht werden, die Drähte jeder Ebene können dichter beieinander angeordnet werden und die Ebenen der Anordnung können dichter beieinander angeordnet werden. An Stelle dieser Erhöhung der Bitdichte pro Raumeinheit des Speichers kann eine schnellere Umschaltung -während der Abfragephase erreicht werden, da stärkere Magnete und damit auch größere Umschaltfelder benutzt werden können. Es ist auch möglich, diese beiden Vorteile jeweils nur im verminderten Umfang, dadurch aber zugleich ausnutzen. Schließlieh können weitere Einsparungen bei der Herstellung erzielt werden.The sheets 43 of low reluctance material on either side of the boards 61-64 serve in the same manner as the sheet 19 used in explaining the operations shown in FIG. 1 has been described, in order to largely reduce the effect of the leakage flux, furthermore to substantially enlarge the switching field which is caused by the interrogation _{signals applied from the source 83 to the coils 5I 1} to 54 _1. Thus, the density of the bit addresses along each wire can be increased, the wires of each level can be placed closer together, and the levels of the array can be placed closer together. Instead of this increase in the bit density per unit of space in the memory, a faster switchover can be achieved during the query phase, since stronger magnets and thus larger switchover fields can be used. It is also possible to use these two advantages only to a lesser extent, but at the same time as a result. Finally, further manufacturing savings can be achieved.

Wirbelströme, weiche in den leitenden Magnetkarten 4O₁ bis 4O₈ induziert werden, erzeugen ebenfalls Felder in einer Weise, die der an Hand der leitenden Karte 10 der F i g. 1 geschilderten ähnlich ist, wobei die Felder die an die Bitadressen während der Abfragephase angelegten Umschaltfelder verstärken. Die Blätter 42 mit geringem magnetischen Widerstand, die an den Karten 4O₁ und 4O₈ sowie zwischen jedem aufeinanderfolgenden Kartenpaar 4O₂ bis 4O₇ angeordnet sind, dienen dazu, die Streuflußwirkung durch weitere Konzentration der Felder der Magnete 41 herabzusetzen, die sich auf den Karten 4O₁ bis 40_H an jedem der Blätter 42 befinden. Die Blätter 42 ermöglichen somit eine weitere Vergrößerung der Bitdichte der Anordnung, indem diejenigen Karten 40, bis 4O_n, die sich zwischen Zwei benachbarten Brettern 61 bis 64 befinden, viel dichter beieinander an-Eddy currents induced in the conductive magnetic cards 40 _{1 to 40 8} also generate fields in a manner similar to that of the conductive card 10 of FIG. 1, the fields reinforcing the toggle fields applied to the bit addresses during the query phase. The sheets 42 with low reluctance, which are arranged on the cards 4O ₁ and 4O ₈ and between each successive pair of cards 4O _{2 to 4O 7} , serve to reduce the effect of stray flux by further concentrating the fields of the magnets 41, which are on the cards 4O ₁ to 40 _H on each of the leaves 42 are located. The sheets 42 thus enable a further increase in the bit density of the arrangement, in that the cards 40 to 40 _n , which are located between two adjacent boards 61 to 64, are much closer to one another.

geordnet werden können, ohne daß die an einer Karte befestigten Magnete die Magnete der anderen Karte stören. So sind z. B. die Karten 40. und 40., die zwisehen den Brettern 62 und 63 liegen, nur durch das Blatt 42 mit geringem magnetischen Widerstand getrennt. Das Blatt 42 ermöglicht jedoch durch Schaffen eines Wegs mit geringem magnetischen Widerstand für die magnetischen Felder, weiche durch die an diesen Karten befestigten Magnete 41 erzeugt werden, eine solche Anordnung der Karten 4O₄ und 40,., ohne daß eine Störung zwischen den entsprechenden Magneten 41 entsteht. Magnetkarten mit Blättern aus einem Material mit geringem magnetischen Widerstand können ferner mit Vorteil benutzt werden, um den Streufluß bei magnetischen Speicheranordnungen herabzusetzen, bei denen Flachbandspulen die Drahtspeicherelemente umschließen und damit zwischen den Speicherelementen und den die Information tragenden Magnetkarten angeordnet sind.can be sorted without the magnets attached to one card interfering with the magnets of the other card. So are z. B. the cards 40th and 40th, which are between the boards 62 and 63, separated only by the sheet 42 with low reluctance. However, the sheet 42 allows, by providing a path of low reluctance for the magnetic fields, soft by the fixed to these cards magnets 41 generates such an arrangement of the cards 4O ₄ and 40,., Without interference between the respective magnets, 41 is created. Magnetic cards with sheets of a material with low reluctance can also be used to advantage to reduce the leakage flux in magnetic storage devices in which ribbon reels enclose the wire storage elements and are thus arranged between the storage elements and the information-carrying magnetic cards.

Getrennte Blätter mit geringem magnetischen Widerstand können mit Vorteil bei jeder der Karten 4O₂ bis 4O₇ bei einer anderen Ausführung der Erfindung ähnlich der in den Fig. 2a und 2b dargestellten benutzt werden, bei der nicht dargestellte Federmittel zwischen den Blättern mit geringem magnetischen Widerstand an jedem Magnetkartenpaar 4O₂, 40.,; 4O₄, 4O₃; 40_H, 4O₇ angebracht sind. Die Federmittel dienen vorteilhafterweise dazu, einen gleichmäßigen Druck zwischen den Magnetkarten und ihren Drahtspeicherelementen zu schaffen und das Einsetzen und Herausnehmen von Magnetkartenpaaren zu erleichtern, wenn es notwendig ist, die in der Anordnung gespeicherte Information durch Einsetzen eines neuen Magnetkartenpaares zu ändern.Separate sheets of low reluctance can be used to advantage in each of the cards 40 ₂ to 4O ₇ in another embodiment of the invention similar to that shown in Figures 2a and 2b, in which spring means, not shown, are interposed between the sheets of low reluctance each pair of magnetic cards 4O ₂ , 40.,; 4O ₄ , 4O ₃ ; 40 _H , 4O _{7 are} attached. The spring means advantageously serve to create an even pressure between the magnetic cards and their wire storage elements and to facilitate the insertion and removal of pairs of magnetic cards when it is necessary to change the information stored in the arrangement by inserting a new pair of magnetic cards.

In den Fig. 2a und 2b sind keine Rückleiter, wie die bei der Erläuterung der Ausführung der Fig. 1 beschriebenen Leiter 22, 23 und 24 dargestellt. Jedoch können derartige Leiter mit Vorteil bei der Ausführung der Fig. 2a und 2b benutzt werden, in welchem Fall das Anzeigegerät 82 Spannungen feststellt, weiche an den Speicherdrähten 71 und 72 und den zugehörigen Rückleiten! induziert werden.In FIGS. 2a and 2b there are no return conductors like those in the explanation of the embodiment of FIG. 1 described conductors 22, 23 and 24 shown. However, such conductors can be advantageous in the Execution of Figs. 2a and 2b can be used, in which case the display device 82 detects voltages, soft on the storage wires 71 and 72 and the associated return lines! be induced.

Claims (4)

Patentansprüche: 45Claims: 45 1. Magnetischer Festwert-Speicher mit einer nichtmagnetischen Platte, auf der Informationen als entsprechendes Muster matrixförmig angeordneter Permanentmagnete gespeichert sind, mit mehreren Abfrageleitern, mit mehreren zu den Abfrageleitern im wesentlichen senkrecht angeordneten Draht-Speicherelementen, die aus remanentmagnetischem Material aufgebaute, den verschiedenen Koordinatenpunkten der Matrix zugeordnete Segmente aufweisen, mit einer an die Abfrageleiter ankoppelbaren Impulsquelle zum selektiven Umschalten derjenigen remanentmagnetischen Segmente, an deren zugeordneten Koordinatenpunkten keine Permanentmagnete angeordnet sind, und mit einem mit den Draht-Speicherelementen verbundenen Anzeigegerät, dadurch gekennzeichnet, daß mit den Permanentmagneten (11, 41) eines (19, 43) oder mehrere Blätter (19, 42, 43) niedrigen magnetischen Widerstands induktiv gekoppelt sind, die den jeweils von einem Permanentmagneten ausgehenden Fluß auf das zugeordnete Segment der Draht-Speicherelemente (12, 13, 14, 7I₁, 7I₂, 71.,, 72,, 72₂, 72.,) konzentrieren.1. Magnetic read-only memory with a non-magnetic plate on which information is stored as a corresponding pattern of permanent magnets arranged in a matrix, with several interrogation conductors, with several wire storage elements arranged essentially perpendicular to the interrogation conductors, which are made up of remanent magnetic material, the various coordinate points of the Matrix assigned segments, with a pulse source that can be coupled to the interrogation conductor for the selective switching of those remanent magnetic segments at whose assigned coordinate points no permanent magnets are arranged, and with a display device connected to the wire storage elements, characterized in that the permanent magnets (11, 41 ) one (19, 43) or more sheets (19, 42, 43) of low magnetic resistance are inductively coupled, which feed the flux emanating from a permanent magnet to the associated segment of the wire storage elements nte (12, 13, 14, 7I ₁ , 7I ₂ , 71st ,, 72 ,, 72 ₂ , 72nd,) concentrate. 2. Speicher nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Abfrageleiter (15, 16, 17; 5I₁, 5I₂, 51.,, 52,, 52₂, 52,, 53,, 53₂, 53,) und die2. Memory according to claim 1, characterized in that the interrogation conductor (15, 16, 17; 5I ₁ , 5I ₂ , 51. ,, 52 ,, 52 ₂ , 52 ,, 53 ,, 53 ₂ , 53,) and the Draht-Speicherelemente jeweils zwischen den Permanentmagneten und dem Blatt niedrigen magnetischen Widerstands angeordnet sind.Wire storage elements each between the permanent magnets and the low reluctance sheet are disposed. 3. Speicher nach Anspruch 1 oder 2 mit mindestens zwei in verschiedenen Ebenen angeordneten Informationsmatrizen, einer ersten und zweiten Gruppe von Draht-Speicherelementen und mit um eine Stützplatte geführten Abfrageleitern, die auf der einen Seite der Stützplatte mit der ersten und auf der anderen Seite mit der zweiten Draht-Speicherelementen-Gruppe induktiv gekoppelt sind und erste bzw. zweite Informationsadressen auf diesen definieren, dadurch gekennzeichnet, daß erste (4O₁, 4O₄, 4O₅, 40_H) und zweite (40.,, 4O₃, 40_e, 4O₇) elektrisch leitende, nichtmagnetische Platten benachbart der ersten (71,, 7I₂, 7I₃) bzw. zweiten (72,, 72,, 72,) Draht-Speicherelementen-Gruppe angeordnet sind, und daß auf jeder Seite der Stützplatten (61, 62, 63, 64) ein Blatt (43) niedrigen magnetischen Widerstands angeordnet und mit Teilen der Abfrageleiter magnetisch gekoppelt ist. 3. Memory according to claim 1 or 2 with at least two information matrices arranged in different planes, a first and second group of wire memory elements and with interrogation conductors guided around a support plate, which on one side of the support plate with the first and on the other side with of the second wire storage element group are inductively coupled and define first and second information addresses on these, characterized in that first (4O ₁ , 4O ₄ , 4O ₅ , 40 _H ) and second (40 1, 4O ₃ , 40 _e , 4O ₇ ) electrically conductive, non-magnetic plates are arranged adjacent to the first (71 ,, 7I ₂ , 7I ₃ ) and second (72 ,, 72 ,, 72,) wire storage element groups, and that on each side of the support plates (61, 62, 63, 64) a sheet (43) of low reluctance is disposed and magnetically coupled to portions of the interrogation conductors. 4. Speicher nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß ein Blatt (42) niedrigen magnetischen Widerstands zwischen einem Paar der elektrisch leitenden, nichtmagnetischen Platten (4O₂, 4O₃; 4O₄, 4O₅; 40_e, 4O₇) angeordnet ist, und daß" die Draht-Speicherelementen-Gruppen (71, 72) dicht benachbart zu dem Plattenpaar liegend und dieses zwischen sich einschließend angeordnet und bestimmte Segmente der Draht-Speicherelemente je einer der Platten zugeordnet sind.4. A memory according to claim 1 or 2, characterized in that a sheet (42) of low magnetic resistance is arranged between a pair of the electrically conductive, non-magnetic plates (4O ₂ , 4O ₃ ; 4O ₄ , 4O ₅ ; 40 _e , 4O ₇ ) is, and that "the wire storage element groups (71, 72) lie closely adjacent to the plate pair and these are arranged enclosing them between them and certain segments of the wire storage elements are each assigned to one of the plates. Hierzu 1 Blatt Zeichnungen1 sheet of drawings